JP2010028772A - Baw共振器およびuwb用フィルタ - Google Patents
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Abstract
【課題】電気機械結合係数とQ値を両方共に大きくしたBAW共振器およびそれを用いたUWB用フィルタを提供することにある。
【解決手段】BAW共振器は、ベース基板10と、ベース基板10の一表面側に形成された下部電極20と、下部電極20におけるベース基板10側とは反対側に形成された単結晶のKNNからなる圧電層30と、圧電層30における下部電極20側とは反対側に形成された上部電極40とを備える。ここで、下部電極20の材料は、ベース基板10に比べて圧電層30との格子整合性が良好な材料を用いており、KNNからなる圧電層30の場合、下部電極20の材料としてはLNO又はSROを用いるのが好ましい。
【選択図】図1
【解決手段】BAW共振器は、ベース基板10と、ベース基板10の一表面側に形成された下部電極20と、下部電極20におけるベース基板10側とは反対側に形成された単結晶のKNNからなる圧電層30と、圧電層30における下部電極20側とは反対側に形成された上部電極40とを備える。ここで、下部電極20の材料は、ベース基板10に比べて圧電層30との格子整合性が良好な材料を用いており、KNNからなる圧電層30の場合、下部電極20の材料としてはLNO又はSROを用いるのが好ましい。
【選択図】図1
Description
本発明は、圧電層の厚み方向の縦振動モードを利用するBAW(Bulk Acoustic Wave)共振器およびそれを用いたUWB(Ultra Wide Band)用フィルタに関するものである。
近年、携帯電話機やUWBなどの高周波通信機器の普及が進み、これらの高周波通信機器の高性能化および低損失化に対する強いニーズを背景として、高周波でQ値が高いBAW共振器が注目されている。BAW共振器としては、AlN、ZnO、PZT、KNNなどの圧電材料を用いた高周波帯域通過フィルタが従来提案されている(例えば、非特許文献1参照)。
このようなBAW共振器は、それまで用いられてきたLCフィルタなどに比べて高周波において鋭いQ値を持ち、通過特性や遮断特性に優れているという特長を有している。また、使用する圧電材料の違いによって、帯域幅が異なる高周波帯域通過フィルタを得ることができるという特長も有している。中でもUWB用フィルタに用いられるBAW共振器には、300〜400MHz程度の広帯域で急峻な立ち上がり・立下り特性が要求され、このような特性を満たすためには、大きな電気機械的結合係数を有するPZTのような圧電材料が必要になる。しかしながら、PZTは鉛を含んでいるため、近年、環境への影響を考慮して鉛を含まない圧電材料の開発が進められており、従来に比べて圧電特性を向上させたKNNのような圧電材料が開発されてきた。
またBAW共振器にはFBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)型とSMR(Solidly Mounted Resonator)とがあり、例えばFBAR型ではシリコン基板の一表面に、下部電極、PZTよりなる圧電体膜、絶縁膜、上部電極の順番に積層した後、シリコン基板の他表面をパターニングしてダイヤフラム構造を形成することによってBAW共振器を作製していたが、このような工程によって作製されたBAW共振器の電気機械結合係数(keff値)は小さくなり、UWB用のBAW共振器に要求される機械的結合係数が十分に得られないという問題があった。
これは、圧電体膜の材料と下部電極の材料との格子定数差が大きいことに原因があり、格子定数差が大きいと、下部電極上に圧電体膜を結晶成長させる際に下部電極と圧電体膜との間で応力が発生し、この応力によって圧電層の結晶性が崩されて多結晶となるため、電気機械結合係数が低下してしまうのである。
そこで、下部電極と圧電体膜との間に発生する応力を低減するために、圧電体膜の格子定数と近い格子定数を有するバッファ層を、下部電極と圧電体膜との間に形成したBAW共振器が提案されている(特許文献1参照)。このBAW共振器では、バッファ層によって圧電体膜に作用する応力が緩和されるから、圧電層の結晶性が保たれ、電気機械結合係数を大きくすることができた。
特開2001−285018号公報
P.Muralt他,Shear mode coupling and properties dispersion in 8 GHz range AlN thin film bulk acoustic wave (BAW) resonator ,Thin Solid Films,2006年8月,vol.514,p.341-343)
ところで、BAW共振器では目的の共振周波数を得るためには、下部電極や上部電極も関係するが、圧電体膜の膜厚が非常に重要になる。そして、バッファ層を形成した上述のBAW共振器では、主として圧電体膜の膜厚とバッファ層の膜厚との和によって共振周波数が決定付けられることになる。ここで、圧電体膜の結晶性を向上させるためには、バッファ層の膜厚を厚くすることが望ましいが、バッファ層の膜厚を厚くすると圧電体膜の膜厚が相対的に薄くなり、共振のQ値が小さくなるという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑みて為されたものであり、その目的とするところは、電気機械結合係数とQ値を両方共に大きくしたBAW共振器およびそれを用いたUWB用フィルタを提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項1の発明は、ベース基板と、ベース基板の一表面側に形成された下部電極と、下部電極におけるベース基板側とは反対側に形成された単結晶のKNNからなる圧電層と、圧電層における下部電極側とは反対側に形成された上部電極とを備え、下部電極の材料は、ベース基板に比べて圧電層との格子整合性が良好な材料であることを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1の発明において、下部電極の材料がLaNiO3又はSrRuO3の何れかであることを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1又は2の発明において、ベース基板の材料は、格子定数の差に起因して下部電極とベース基板の間に発生する応力が、下部電極の結晶性を崩してしまう応力値よりも小さくなるような下部電極との格子整合性が良好な材料であることを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項3の発明において、ベース基板は、相対的に音響インピーダンスの低い材料からなる低音響インピーダンス層と相対的に音響インピーダンスの高い材料からなる高音響インピーダンス層とが交互に積層された音響多層膜を一表面側に有し、下部電極は最外層となる低音響インピーダンス層の外表面に形成されており、最外層となる低音響インピーダンス層の材料は、高音響インピーダンス層に比べて下部電極との格子整合性が良好な材料であることを特徴とする。
請求項5の発明は、請求項1乃至4の何れか1つに記載のBAW共振器を用いたことを特徴とする。
請求項1の発明によれば、下部電極の材料が、ベース基板に比べてKNNからなる圧電層との格子整合性が良好な材料となっているので、下部電極上に圧電層を結晶成長させる際に、下部電極と圧電層との間に発生する応力が低減されるため、圧電層の単結晶性が保たれて、高品質の単結晶圧電体を形成することができる。しかも、圧電層の結晶性を向上させるために下部電極と圧電層との間にバッファ層を形成する場合に比べて、バッファ層を形成した分だけ圧電層の膜厚が薄くなることがないから、圧電層の厚みを厚くして、共振のQ値を大きくできるという効果がある。したがって、圧電層に高品質の単結晶圧電体を用いることで、圧電層の電気機械結合係数を大きくできるとともに、共振のQ値も大きくできるという効果がある。
ここにおいて、圧電材料がKNNの場合は、下部電極の材料にLaNiO3又はSrRuO3の何れかを用いるのが好ましい。
また請求項3の発明によれば、ベース基板の材料を、格子定数の差に起因して下部電極とベース基板の間に発生する応力が、下部電極の結晶性を崩してしまう応力値よりも小さくなるような格子整合性の良好な材料としているので、ベース基板の一表面に下部電極を結晶成長させる際に、ベース基板と下部電極との間に発生する応力が低減され、下部電極の結晶性を保つことができる。したがって、下部電極の結晶性が保たれるから、下部電極上に圧電層を形成する際に下部電極と圧電層との間に発生する応力をさらに低減して、より高品質の単結晶圧電体を形成することができ、圧電層の電気機械結合係数をさらに大きくできるという効果がある。
請求項4の発明によれば、低音響インピーダンス層と高音響インピーダンス層とが交互に積層された音響多層膜をベース基板の一表面側に設け、最外層となる低音響インピーダンス層の外表面に下部電極を形成してあり、最外層となる低音響インピーダンス層の材料を、高音響インピーダンス層に比べて下部電極との格子整合性の良好な材料としているので、最外層となる低音響インピーダンス層の表面に下部電極を形成する際に、低音響インピーダンス層と下部電極との間に発生する応力が低減され、下部電極の結晶性を保つことができる。したがって、下部電極の結晶性が保たれるから、下部電極上に圧電層を形成する際に下部電極と圧電層との間に発生する応力をさらに低減して、より高品質の単結晶圧電体を形成することができ、圧電層の電気機械結合係数をさらに大きくできるという効果がある。
また請求項5の発明によれば、電気機械結合係数およびQ値を共に大きくしたBAW共振器を用いるUWA用フィルタを実現できるという効果がある。
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
(実施形態1)
本実施形態のBAW共振器は、図1に示すように、ベース基板10と、ベース基板10の一表面側に形成された下部電極20と、下部電極20におけるベース基板10側とは反対側に形成されたKNN薄膜からなる圧電層30と、圧電層30における下部電極20側とは反対側に形成された上部電極40とを備えている。
本実施形態のBAW共振器は、図1に示すように、ベース基板10と、ベース基板10の一表面側に形成された下部電極20と、下部電極20におけるベース基板10側とは反対側に形成されたKNN薄膜からなる圧電層30と、圧電層30における下部電極20側とは反対側に形成された上部電極40とを備えている。
ここにおいて、本実施形態のBAW共振器では、ベース基板10として、一表面が(100)面の単結晶のシリコン基板を採用しており、ベース基板10に、下部電極20における圧電層30側とは反対側の表面を部分的に露出させる開孔部13が形成されている。要するに、本実施形態のBAW共振器は、下部電極20と下部電極20直下の媒質との音響インピーダンス比を大きくすることによりベース基板10側への弾性波エネルギの伝搬を抑制するようにしたFBARを構成している。なお上部電極40は、圧電層30の上面において開孔部13の上方の位置に形成されており、図1に示すBAW共振器では、開孔部13の上方に位置する下部電極20と圧電層30と上部電極40とで共振子が構成されている。
本実施形態では圧電層30の圧電材料として、鉛フリーのKNN(ニオブ酸カリウムナトリウム、K0.5Na0.5NBO3)を用いているが、KNNに不純物(例えば、Li,Nb,Ta,Sb,Cuなど)を添加したものでもよい。
一方、下部電極20の材料には、ベース基板10に比べて単結晶の圧電層30との格子整合性が良好な材料を用いており、結晶成長時に下部電極20の格子定数と圧電層30の格子定数との差に起因して下部電極20と圧電層30の間に発生する応力が低減されるから、圧電層の単結晶性が保たれて、高品質の単結晶圧電体を形成することができる。ここにおいて、圧電層30の材料がKNNの場合は下部電極20の材料をLNO(LaNiO3)又はSRO(SrRuO3)の何れかとするのが好ましい。また下部電極20を酸化物系電極とすることで、下部電極20の抵抗値が安定し、共振器の電気的特性を向上させることができる。さらに上部電極40の材料としてはAlを採用しているが、例えばPtやMoなどを採用してもよい。
また、ベース基板10として、一表面が(100)面の単結晶のシリコン基板を採用しているが、ベース基板10をシリコン基板に限定する趣旨のものではない。例えばベース基板10の材料を、圧電層30および下部電極20の格子定数と格子定数が近い材料であって、結晶成長時に格子定数の差に起因して下部電極20とベース基板10の間に発生する応力が、下部電極20の結晶性を崩してしまう応力値よりも小さくなるような格子定数の材料とすることも好ましく、例えば主表面が(100)面のMgO基板や、主表面が(100)面のSTO(SrTiO3)基板や、主表面がC面のAl2O3基板などを用いてもよい。
下記表1に圧電層30、下部電極20、ベース基板10それぞれの材料の格子定数などを示す。
ここにおいて、表1における「ap」は基板の一表面に平行な方向(基板材料のa軸方向に平行な方向)における格子間隔であり、成膜時の表面を(100)面とすることが好ましい正方晶系および立方晶系では、「a」と同じである。また、「cp」は基板の一表面に直交する方向(基板材料のc軸方向に平行な方向)の格子間隔であり、成膜時の表面を(100)面とすることが好ましい正方晶系および立方晶系では、「c」と同じである。また、斜方晶系のSROについては、成膜時の表面を(101)面とすることが好ましいが、SROは(101)面が二次元格子となるので、「ap」を隣り合うSr元素の格子点間の間隔ではなく、隣り合うRu元素とO元素との擬似格子点間の間隔として記載してあり、「cp」についても同様の間隔を記載してある。また、KNN、KN、NNそれぞれの「ap」,「cp」については、刊行物1〔Takehisa SAITO,et al,「Pulsed Laser Deposition of High-Quality (K,Na)NbO3 Thin Films on SrTiO3 Substrate Using High-Density Ceramic Targets」,Japanese Journal of Applied Physics,Vol.43,No.9B,2004,pp.6627-6631〕において「Table II. Lattiice parameters of (K,Na)NbO3 films with a psudo-tetoragonal unit cell」で「a」,「b」として報告されている値を記載してある。
なお、本実施形態のBAW共振器では、共振周波数を4GHzに設定してあり、下部電極20の厚みを100nm、圧電層30の厚みを300nm、上部電極40の厚みを100nmに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、共振周波数を3GHz〜5GHzの範囲で設計する場合には、圧電層30の厚みは200nm〜600nmの範囲で適宜設定すればよい。
以下、本実施形態のBAW共振器の製造方法について図2(a)〜(f)を参照しながら説明する。尚、図1に示すBAW共振器ではベース基板10の一表面の全体に下部電極20および圧電層30を形成するとともに、開孔部13の上方位置に上部電極40を形成しているのに対して、図2(f)に示すBAW共振器では、開孔部13の上側のみに下部電極20Aと圧電層30Aと上部電極40Aとを形成するように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングしてある。図1に示すBAW共振器の製造方法は、下部電極20、圧電層30および上部電極40のパターニングの工程が異なる以外は図2に示すBAW共振器の製造方法と同様であるので、図2のBAW共振器を例にして説明を行う。
まず、上述した単結晶のシリコン基板からなるベース基板10の一表面側(図2(a)における上面側)の全面に、第1の導電性材料(例えばLNO)からなり下部電極20の基礎となる第1の導電性層20aを例えばスパッタ法、EB蒸着法、真空蒸着法、CVD法などにより形成することによって、図2(a)に示す構造を得る。
次に、ベース基板10の上記一表面側の全面(ここでは、第1の導電性層20aの表面)に、KNN薄膜30aを形成することによって、図2(b)に示す構造を得る。ここにおいて、KNN薄膜30aの形成(製造)にあたっては、結晶成長用基板(本実施形態では、ベース基板10と、当該ベース基板10上の第1の導電性層20aとで構成されている)の主表面側の最表面に電子銃(図示せず)から電子ビームを照射しながらスパッタ法やゾル・ゲル法によりKNN薄膜30aを結晶成長させるようにしており、上述の最表面が成長表面を構成する。
ここで、スパッタ法によりKNN薄膜30aを結晶成長させる際には、KNNからなるターゲットをアルゴンイオンビームによりスパッタリングしている。この製造方法では、結晶成長用基板の主表面側の成長表面である上記最表面に電子ビームを照射しながらスパッタ法によりKNN薄膜30aを結晶成長させるので、結晶成長時の最表面付近の電子に起因した電場と、最表面に向かって飛来するKNN粒子の自発分極との相互作用により、自発分極の方向が厚み方向に揃った配向性の高いKNN薄膜30aを結晶成長させることができ、当該KNN薄膜30aの成膜後の分極処理を行う必要がなく、分極処理なしに配向性の高いKNN薄膜30aを容易に製造することが可能となる。
なお、スパッタ法によりKNN薄膜30aを製造する場合のターゲットは、KNN単体のターゲットに限らず、例えば、Pb,Ti,Zrそれぞれからなる複数のターゲットを用いるようにし、当該複数のターゲットを酸素雰囲気中でスパッタリングするようにしてもよく、この場合には、KNN薄膜30aの組成を制御することが可能となる。また、本実施形態では、KNN薄膜30aの製造にあたって、結晶成長用基板の主表面側の最表面に電子ビームを照射しながらスパッタ法により成膜しているが、最表面に電子ビームを照射しながらCVD法により成膜してもよい。
上述のKNN薄膜30aを形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してKNN薄膜30aを所望の平面形状にパターニングすることでKNN薄膜30aの一部からなる圧電層30Aが形成されて、図2(c)に示す構造を得る。
続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第1の導電性層20aを所望の平面形状にパターニングすることで導電性層20aの一部からなる下部電極20Aが形成されて、図2(d)に示す構造を得る。
その後、ベース基板10の上記一表面側の全面に、上部電極40Aの基礎となる第2の導電性層をスパッタ法や蒸着法などによって形成する。続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第2の導電性層を所望の平面形状にパターニングすることで第2の導電性層の一部からなる上部電極40Aが形成されて、図2(e)に示す構造のBAW共振器を得る。
次に、ベース基板10の他表面側に開孔部13形成用にパターニングされたマスク層(例えば、レジスト層、SiO2膜)を形成し、当該マスク層をマスクとしてアルカリ系溶液(例えばKOH、TMAH、NaOHなどの水溶液)を用いたウェットエッチングや、酸性溶液(例えばリン酸など)を用いたウェットエッチングや、深堀り反応性イオンエッチング(DRIE:Deep Reactive Ion Etching)や、誘導結合プラズマ型のエッチング装置を用いたドライエッチングなどを行うことにより開孔部13を形成した後、上記マスク層を除去することによって、図2(f)に示す構造のBAW共振器を得る。ここに開孔部13の上方位置に形成された下部電極20Aと圧電層30Aと上部電極40Aとで共振子5が構成されている。なお、開孔部13をアルカリ系溶液を用いた異方性エッチングにより形成する場合、上部電極40Aの材料がPtであればベース基板10の上記一表面側にマスクを設ける必要はないが、上部電極40の材料がAlの場合にはベース基板10の上記一表面側に上部電極40Aを保護するマスクを設ける必要がある。
なお上述のBAW共振器の製造にあたっては、ベース基板10の基礎となるシリコン基板としてウェハを用いてウェハレベルで多数のBAW共振器を形成した後、ダイシング工程で個々のBAW共振器に分割すればよい。
上述のように本実施形態のBAW共振器では、下部電極20の材料として、ベース基板10に比べてKNNからなる圧電層30との格子整合性が良好な材料を用いているので、下部電極20の格子定数と圧電層30の格子定数との差に起因して下部電極20と圧電層30の間に発生する応力が低減されるから、下部電極20上に圧電層30を結晶成長させる際に圧電層30の単結晶性が保たれて、多結晶やアモルファスとなることがなく、高品質の単結晶圧電体を形成することができる。したがって、圧電層30に高品質の単結晶圧電体を用いることで、圧電層30の電気機械結合係数を大きくできる。また、圧電層30の結晶性を良くするために下部電極20と圧電層30との間にバッファ層を形成する場合に比べて、バッファ層を形成した分だけ圧電層30の膜厚が薄くなることがないから、圧電層30の厚みを厚くして、共振のQ値を大きくできるという効果もある。
さらに、ベース基板10の材料として、格子定数の差に起因して下部電極20とベース基板10の間に発生する応力が、下部電極20の結晶性を崩してしまう応力値よりも小さくなるような格子定数の材料[例えば主表面が(100)面のMgO基板、主表面が(100)面のSTO(SrTiO3)基板、主表面がC面のAl2O3基板など]を用いれば、ベース基板10の一表面に下部電極20を形成する際に、ベース基板10と下部電極20との間に発生する応力が低減され、下部電極20の結晶性を保つことができる。したがって、下部電極20の結晶性が保たれるから、下部電極20上に圧電層30を形成する際に下部電極20と圧電層30との間に発生する応力をさらに低減して、より高品質の単結晶圧電体を形成することができ、圧電層30の電気機械結合係数をさらに大きくできる。
また、本実施形態のBAW共振器では、下部電極20における圧電層30側とは反対側に開孔部13が形成されているので、下部電極20および上部電極40のそれぞれにおいて圧電層30に重なる各部分それぞれが空気と接することとなり、エネルギ変換効率を高めることができる。
ところで、上述のBAW共振器を、3GHz以上の高周波帯においてカットオフ特性が急峻で且つ帯域幅の広いフィルタ、例えば、UWB用フィルタとして応用する場合には、図3に示すように、下部電極20Aと圧電層30Aと上部電極40Aとで構成される共振子5を同一のベース基板10に複数個形成するようにし(図2(f)には1個しか記載されていないが、例えば、8個形成するようにし)、これらの共振子5を図3に示すようなラダー型フィルタを構成するように接続すれば、UWBフィルタの低コスト化および小型化を図ることができる。
(実施形態2)
本実施形態のBAW共振器は、図4に示すように、ベース基板10と、ベース基板10の一表面側に形成された下部電極20と、下部電極20におけるベース基板10側とは反対側に形成されたKNN薄膜からなる圧電層30と、圧電層30における下部電極20側とは反対側に形成された上部電極40とを備えている。
本実施形態のBAW共振器は、図4に示すように、ベース基板10と、ベース基板10の一表面側に形成された下部電極20と、下部電極20におけるベース基板10側とは反対側に形成されたKNN薄膜からなる圧電層30と、圧電層30における下部電極20側とは反対側に形成された上部電極40とを備えている。
そして、ベース基板10を、主表面が(100)面の単結晶のシリコン基板11と、シリコン基板11の主表面上に形成され圧電層30で発生したバルク弾性波を反射させる音響多層膜12とで構成してある。要するに、実施形態1のBAW共振器がFBAR型であるのに対して、本実施形態のBAW共振器は、ベース基板10の一表面側の音響多層膜12上に下部電極20が形成されたSMRを構成している。
音響多層膜12は、相対的に音響インピーダンスの低い材料からなる低音響インピーダンス層12aと、相対的に音響インピーダンスの高い材料からなる高音響インピーダンス層12bとが交互に積層されてなり、上述の下部電極20は、最上層となる低音響インピーダンス層12aの上側に形成されている。なお、低音響インピーダンス層12aおよび高音響インピーダンス層12bの膜厚は、圧電層30の共振周波数の弾性波(バルク弾性波)の波長の4分の1の値に設定すればよい。
ここで、本実施形態のBAW共振器における圧電層30は、自発分極の方向が厚み方向に揃ったKNN薄膜により構成されている。尚、圧電層30の材料としては、KNNに不純物(例えば、Li,Nb,Ta,Sb,Cuなど)を添加したものでもよい。
また本実施形態では、低音響インピーダンス層12aの材料としてSiO2、高音響インピーダンス層12bの材料としてW、下部電極20の材料としてLNO、上部電極40の材料としてAlを採用しているが、これらの材料は特に限定するものではない。
例えば、下部電極20の材料としてはベース基板10に比べて圧電層30との格子整合性が良好な材料であれば良く、圧電層30の材料がKNNの場合は下部電極20の材料としてSROなどを用いても良い。
また最外層となる低音響インピーダンス層12aの材料には、高音響インピーダンス層12bに比べて下部電極20との格子整合性が良好な材料を用いるのが好ましく、格子定数の差に起因して下部電極20と低音響インピーダンス層12aの間に発生する応力が低減されるから、低音響インピーダンス層12a上に積層される下部電極20の結晶性を保つことができる。尚、下部電極20の材料がLNO、SROの場合は、低音響インピーダンス層12aの材料として、例えばMgOやSTOやサファイアなどを採用すればよい。
さらに、高音響インピーダンス層12bの材料としては、例えばAu,Mo,AlN,ZnOなどを採用しても良く、また上部電極40の材料として、例えばMoなどを採用してもよい。また、ベース基板10において最下層のシリコン基板11の代わりに、主表面が(100)面のMgO基板や、主表面が(100)面のSTO(SrTiO3)基板などを用いてもよい。
また、本実施形態のBAW共振器では、共振周波数を4GHzに設定してあり、下部電極20の厚みを100nm、圧電層30の厚みを300nm、上部電極40の厚みを100nm、低音響インピーダンス層12aの厚みを400nm、高音響インピーダンス層12bの厚みを350nmに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、共振周波数を3GHz〜5GHzの範囲で設計する場合には、圧電層30の厚みは200nm〜600nmの範囲で、低音響インピーダンス層12aの厚みは250nm〜550nmの範囲で、高音響インピーダンス層12bの厚みは200nm〜450nmの範囲で、それぞれ適宜設定すればよい。
以下、本実施形態のBAW共振器の製造方法について図5(a)〜(f)を参照しながら説明するが、実施形態1にて説明したBAW共振器の製造方法と同様の工程については簡単に説明する。また、図4に示すBAW共振器ではベース基板10の一表面の全体に下部電極20および圧電層30を形成しているのに対して、図5(f)に示すBAW共振器では、ベース基板10の一部分のみに下部電極20Aと圧電層30Aと上部電極40Aとを形成するように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングしてある。図4に示すBAW共振器の製造方法は、下部電極20、圧電層30および上部電極40のパターニングの工程が異なる以外は図5に示すBAW共振器の製造方法と同様であるので、図5のBAW共振器を例にして説明を行う。
まず、ベース基板10の基礎となる単結晶のシリコン基板11の主表面側に、SiO2膜からなる低音響インピーダンス層12aとW膜からなる高音響インピーダンス層12bとを例えばスパッタ法やCVD法などにより交互に成膜することで音響多層膜12が形成されて、図5(a)に示す構造を得る。
その後、シリコン基板11と音響多層膜12とからなるベース基板10の一表面側(図2(a)における上面側)の全面に、第1の導電性材料(例えばLNO)からなり下部電極20の基礎となる第1の導電性層20aを例えばスパッタ法、EB蒸着法、真空蒸着法、CVD法などにより形成することによって、図5(b)に示す構造を得る。
次に、ベース基板10の上記一表面側の全面(ここでは、第1の導電性層20aの表面)に、KNN薄膜30aを形成することによって、図5(c)に示す構造を得る。
KNN薄膜30aを形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してKNN薄膜30aを所望の平面形状にパターニングすることでKNN薄膜30aの一部からなる圧電層30Aが形成されて、図5(d)に示す構造を得る。
続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第1の導電性層20aを所望の平面形状にパターニングすることで導電性層20aの一部からなる下部電極20Aが形成され、図5(e)に示す構造を得る。
その後、ベース基板10の上記一表面側の全面に、第2の導電性材料(例えば、Al,Mo,Ptなど)からなり上部電極40の基礎となる第2の導電性層をスパッタ法や蒸着法などによって形成する。そして、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第2の導電性層を所望の平面形状にパターニングすることで第2の導電性層の一部からなる上部電極40Aが形成されて、図5(f)に示す構造のBAW共振器を得る。ここに開孔部13の上方位置に形成された下部電極20Aと圧電層30Aと上部電極40Aとで共振子5が構成されている。
なお上述のBAW共振器の製造にあたっては、上述のシリコン基板11としてウェハを用いてウェハレベルで多数のBAW共振器を形成した後、ダイシング工程で個々のBAW共振器に分割すればよい。
上述のように本実施形態のBAW共振器では、下部電極20の材料として、ベース基板10に比べて圧電層30との格子整合性が良好な材料を用いており、結晶成長時に下部電極20の格子定数と圧電層30の格子定数との差に起因して下部電極20と圧電層30の間に発生する応力が低減されるので、下部電極20上に圧電層30を結晶成長させる際に圧電層30の単結晶性が保たれて、高品質の単結晶圧電体を形成することができる。したがって、圧電層30に高品質の単結晶圧電体を用いることで、圧電層30の電気機械結合係数を大きくできる。また、圧電層30の結晶性を良くするために下部電極20と圧電層30との間にバッファ層を形成する場合に比べて、バッファ層を形成した分だけ圧電層30の膜厚が薄くなることがないから、圧電層30の厚みを厚くして、共振のQ値を大きくできるという効果もある。
また、下部電極20が上面に形成される低音響インピーダンス層12aの材料として、高音響インピーダンス層12bに比べて下部電極20との格子整合性が良好な材料(例えばMgOやSTOやサファイアなど)を用いているので、ベース基板10の一表面(低音響インピーダンス層12aの上面)に下部電極20を結晶成長させる際に、格子定数の差に起因して下部電極20と低音響インピーダンス層12aの間に発生する応力を低減することができる。したがって、低音響インピーダンス層12aの上面に形成される下部電極20の結晶性が保たれるから、下部電極20上に圧電層30を形成する際に下部電極20と圧電層30との間に発生する応力をさらに低減して、より高品質の単結晶圧電体を形成することができ、圧電層30の電気機械結合係数をさらに大きくできる。
また、本実施形態のBAW共振器では、下部電極20が音響多層膜12上に形成されているので、圧電層30側からベース基板10側へ伝搬しようとする弾性波を音響多層膜12により圧電層30側へ反射することができ、弾性波のエネルギ損失(音響エネルギの損失)を低減できるから、音響多層膜12を備えていない場合に比べてエネルギ変換効率を高めることができる。
また本実施形態のBAW共振器においても、実施形態1と同様、3GHz以上の高周波帯においてカットオフ特性が急峻で且つ帯域幅の広いフィルタ、例えば、UWB用フィルタとして利用することができる。このBAW共振器をUWB用フィルタに用いる場合には、下部電極20Aと圧電層30Aと上部電極40Aとで構成される共振子5を同一のベース基板10に複数個形成するようにし(図5(f)には1個しか記載されていないが、例えば、8個形成するようにし)、これらの共振子5を図3に示すようなラダー型フィルタを構成するように接続すれば、UWBフィルタの低コスト化および小型化を図ることができる。なお、同一ベース基板10上に複数個の共振子5を形成する構成において、上述のように音響多層膜12の低音響インピーダンス層12aの材料として絶縁材料であるSiO2、高音響インピーダンス層12bの材料として金属材料であるWを採用している場合には、隣り合う共振子5間で高音響インピーダンス層12bを介したクロストークが発生するのを防止するために、例えば、高音響インピーダンス層12bを共振子5ごとに分離したパターンとなるように製造時に適宜パターニングすればよい。
なお、本発明の精神と範囲に反することなしに、広範に異なる実施形態を構成することができることは明白なので、この発明は、特定の実施形態に制約されるものではない。
10 ベース基板
13 開孔部
20 下部電極
30 圧電層
40 上部電極
13 開孔部
20 下部電極
30 圧電層
40 上部電極
Claims (5)
- ベース基板と、ベース基板の一表面側に形成された下部電極と、下部電極におけるベース基板側とは反対側に形成された単結晶のKNNからなる圧電層と、圧電層における下部電極側とは反対側に形成された上部電極とを備え、下部電極の材料は、ベース基板に比べて圧電層との格子整合性が良好な材料であることを特徴とするBAW共振器。
- 下部電極の材料がLaNiO3又はSrRuO3の何れかであることを特徴とする請求項1記載のBAW共振器。
- ベース基板の材料は、格子定数の差に起因して下部電極とベース基板の間に発生する応力が、下部電極の結晶性を崩してしまう応力値よりも小さくなるような下部電極との格子整合性が良好な材料であることを特徴とする請求項1又は2記載のBAW共振器。
- ベース基板は、相対的に音響インピーダンスの低い材料からなる低音響インピーダンス層と相対的に音響インピーダンスの高い材料からなる高音響インピーダンス層とが交互に積層された音響多層膜を一表面側に有し、下部電極は最外層となる低音響インピーダンス層の外表面に形成されており、最外層となる低音響インピーダンス層の材料は、高音響インピーダンス層に比べて下部電極との格子整合性が良好な材料であることを特徴とする請求項3記載のBAW共振器。
- 請求項1乃至4の何れか1つに記載のBAW共振器を用いたことを特徴とするUWB用フィルタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008191293A JP2010028772A (ja) | 2008-07-24 | 2008-07-24 | Baw共振器およびuwb用フィルタ |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012059852A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Hitachi Cable Ltd | 圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子及び圧電体薄膜デバイス、並びに圧電体薄膜ウェハの加工方法 |
CN106341094A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-01-18 | 中国科学院半导体研究所 | 一种体声波器件的制备方法 |
WO2021053892A1 (ja) * | 2019-09-17 | 2021-03-25 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイスおよびその製造方法 |
-
2008
- 2008-07-24 JP JP2008191293A patent/JP2010028772A/ja not_active Withdrawn
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