JP4797772B2 - Baw共振器 - Google Patents
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Description
本実施形態のBAW共振器は、図1に示すように、ベース基板10と、ベース基板10の一表面側に形成された下部電極20と、下部電極20におけるベース基板10側とは反対側に形成された圧電薄膜30と、圧電薄膜30における下部電極20側とは反対側に形成された上部電極40とを備えている。
図4に示す本実施形態のBAW共振器の基本構成は実施形態1と略同じであり、ベース基板10として、一表面が(100)面の単結晶のシリコン基板を採用しており、ベース基板10の上記一表面に(つまり、下部電極20における圧電薄膜30側とは反対側に)、空洞(凹所)13が形成されている点が実施形態1とは相違する。要するに、本実施形態のBAW共振器は、下部電極20と下部電極20直下の媒質との音響インピーダンス比を大きくすることによりベース基板10側への弾性波エネルギの伝搬を抑制するようにしたFBARを構成している。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
次に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電薄膜30およびシード層25を所望の平面形状にパターニングすることによって、図6(a)に示す構造を得る。
11 シリコン基板
12 音響多層膜
13 空洞
20 下部電極
25 シード層
30 圧電薄膜
35 絶縁層
36 開孔部
40 上部電極
Claims (4)
- ベース基板と、ベース基板の一表面側に形成された下部電極と、下部電極におけるベース基板側とは反対側に形成された圧電薄膜と、圧電薄膜における下部電極側とは反対側に形成された上部電極とを備えたBAW共振器であって、圧電薄膜は、正方晶系で〔001〕方向が当該圧電薄膜の厚み方向に配向した(001)配向のPZT膜からなり、圧電薄膜における下部電極側とは反対側に積層された絶縁層を備え、当該絶縁層は、上部電極から離れるほど開口面積が徐々に大きくなるテーパ状の開孔部を有し、上部電極は、絶縁層の表面と絶縁層における開孔部の内側面と圧電薄膜の表面とに跨って形成されており、開孔部の開口面積によって規定される上部電極と圧電薄膜との接触面積により、圧電薄膜における共振領域のインピーダンスが決められていることを特徴とするBAW共振器。
- 前記圧電薄膜と前記下部電極との間に前記圧電薄膜の結晶配向を制御するためのシード層を備えてなることを特徴とする請求項1記載のBAW共振器。
- 前記ベース基板は、前記圧電薄膜で発生したバルク弾性波を反射させる音響多層膜が前記一表面側に形成されてなり、前記下部電極は、音響多層膜上に形成されてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載のBAW共振器。
- 前記ベース基板は、前記下部電極における前記圧電薄膜側とは反対側に空洞が形成されてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載のBAW共振器。
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