JP2010130294A - 音響波共振子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上面と下面とを有する圧電体層11と、前記圧電体層11の上面側に積層される上部電極13と、前記圧電体層11を挟んで前記上部電極13と対向するように前記圧電体層11の下面側に積層される下部電極12と、を含む共振部18と、前記上部電極13の上面および側面を覆うとともに、断面視したときに、前記上部電極13の側面領域において、前記側面に対して傾斜する傾斜部を有する保護層20と、を有する構成。
【選択図】図1
Description
基板準備工程では、共振子形成用基板を準備する。準備する共振子形成用基板は、基板16表面上に、犠牲層と共振子本体17とが積層されたものである。
音響波共振子1に用いられる基板16は、Si(シリコン)やGaAs(ガリウムヒ素)などからなる板状部材であり、本実施の形態では、シリコン基板を用いた例について説明する。また、犠牲層は、製造する音響波共振子1の空隙15に対応する部分であり、本実施の形態では、共振子本体17の内壁面である空隙平坦面15a、傾斜面15bおよび基板16によって囲まれて形成される空隙15に対応して、犠牲層21を基板16表面上に形成する。
図2(b)に示すように、基板16の一表面の全面にわたって形成した犠牲層21を、パターニングにより空隙15に対応した形状にする。
図2(c)に示すように、空隙15に対応した形状を有する犠牲層21の上に、下部電極12、圧電体層11および上部電極13からなる共振子本体17を形成する。
貫通孔形成工程では、図2(d)に示すように、基板準備工程で準備した共振子形成用基板を構成する共振子本体17を、基板16表面に直交する方向に、犠牲層21まで到達する貫通孔14を形成する。貫通孔14の形成方法は、半導体製造プロセスにおけるビア形成技術を利用することができ、たとえばフォトリソグラフィ技術により、容易に設けることができる。貫通孔14は、たとえば犠牲層21の平面形状が略正方形をなしている場合は、正方形の各頂点の近傍に、4箇所設けるようにすればよい。
犠牲層エッチング工程では、図2(e)に示すように、貫通孔14を介してエッチング剤によって犠牲層21を除去し、基板16と共振子本体17とで囲まれる空隙15を形成する。犠牲層21のエッチング除去は、半導体製造プロセスにおけるエッチング技術を利用することができ、犠牲層の材質に応じたエッチング剤を用いて容易に行うことができる。エッチング剤は、エッチング液またはエッチングガスで、種々のエッチング条件に応じてウェットエッチング、ドライエッチングのいずれかを選択すればよい。本実施の形態では、エッチング剤としてフッ酸水溶液をエッチング液として用い、所定の温度条件でエッチングを行う。
エッチング剤除去工程では、犠牲層エッチング工程において形成した空隙15内に残留するエッチング剤を、貫通孔14を介して除去する。まず、エッチング剤が残留する空隙15内に、貫通孔14を介して純水やIPA(イソプロパノール)などのリンス溶剤を充填し、これらのリンス溶剤で空隙15内部を洗浄する。空隙15内の洗浄が終了すると、乾燥機を用いてリンス溶剤を揮発させる。
次に、図2(f)に示すように、共振子本体17を覆うように保護層20となる絶縁膜を形成し、パターニングして保護層20とする。ここで保護層20となる絶縁膜を、バイアススパッタの成膜条件を調整して成膜することで、下地となる上部電極13の端部により、保護層20に傾斜面20aが形成される。
11 圧電体層
12 下部電極
13 上部電極
14 貫通孔
15 空隙
15a 空隙平坦面
15b 空隙傾斜面
16 基板
17 共振子本体
18 共振部
20 保護層
21a 傾斜部
21 犠牲層
Claims (3)
- 上面と下面とを有する圧電体層と、前記圧電体層の上面の側に積層される上部電極と、前記圧電体層を挟んで前記上部電極と対向するように前記圧電体層の下面の側に積層される下部電極と、を含む共振部と、
前記上部電極の上面および側面を覆うとともに、断面視したときに、前記上部電極の側面の領域において、前記側面に対して傾斜する傾斜部を有する保護層と、を有する音響波共振子。 - 前記共振部との間に囲まれる空隙が形成されるように、前記共振部が配置される基体をさらに有する、請求項1に記載の音響波共振子。
- 前記保護層の傾斜部は、断面視したときに、前記上部電極の側面の領域から漸次厚みが薄くなるように延びるテーパー形状である、請求項1または2に記載の音響波共振子。
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