JP2008211387A - 帯域通過フィルタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】BAWフィルタ1は、圧電体層10を上部電極12および下部電極11の間に挟み込んだ構造を有し目的の通過帯域に設計されている。平面パターンフィルタ2は、BAWフィルタ1と共通の基板3に形成され誘電体層20を介して地導体層21および帯状の信号導体層22を積層した伝送線路23と、信号導体層22の一部に連続する導体層により形成されたスタブ回路24とを有しBAWフィルタ1の阻止帯域を減衰させる。BAWフィルタ1と平面パターンフィルタ2とは信号導体層22を介して接続される。スタブ回路24は、信号導体層22から離間したローディング部24aと、一端が伝送線路23に連続し他端がローディング部24aに連続するタップ部24bとを備える。
【選択図】図1
Description
2 平面パターンフィルタ
3 基板
4 アッテネータ
10 圧電体層
11 下部電極
12 上部電極
13 キャビティ
18 音響ミラー
20 誘電体層
21 地導体層
22 信号導体層
23 伝送線路
24 スタブ回路
24a ローディング部
24b タップ部
Claims (7)
- 圧電体層を上部電極および下部電極の間に挟み込んだ構造を有し目的の通過帯域に設計されたBAWフィルタと、誘電体層を介して地導体層および信号導体層を積層したストリップ線路からなり信号導体層に形成したスタブ回路を用いてBAWフィルタの阻止帯域を減衰させる平面パターンフィルタとを備え、BAWフィルタと平面パターンフィルタとは、共通の基板に形成され、平面パターンフィルタの信号導体層に設けた伝送線路を介して接続され、スタブ回路は、信号導体層において伝送線路から離間したローディング部と、一端が伝送線路に連続し他端がローディング部における両端間の中間位置に連続するタップ部とを有していることを特徴とする帯域通過フィルタ。
- 前記平面パターンフィルタの前記誘電体層は高誘電率材料により形成されていることを特徴とする請求項1記載の帯域通過フィルタ。
- 前記平面パターンフィルタの前記誘電体層は、前記BAWフィルタの前記圧電体層と同じ強誘電体材料により形成されていることを特徴とする請求項1記載の帯域通過フィルタ。
- 前記平面パターンフィルタの前記誘電体層と、前記BAWフィルタの前記圧電体層とは厚み寸法が等しいことを特徴とする請求項3記載の帯域通過フィルタ。
- 前記強誘電体材料はPZTであることを特徴とする請求項3または請求項4記載の帯域通過フィルタ。
- 請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の帯域通過フィルタの製造方法であって、前記基板の主表面側に基板の主表面に前記下部電極および前記地導体層となる導電材料の薄膜を成膜し、導電材料の薄膜において下部電極となる部位に結晶配向を制御するシード層を形成した後に、前記圧電体層および前記誘電体層を成膜し、さらに圧電体層および誘電体層の主表面に前記上部電極と前記信号導体層と前記スタブ回路とになる導電材料の薄膜を成膜することを特徴とする帯域通過フィルタの製造方法。
- 請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の帯域通過フィルタの製造方法であって、前記基板の主表面側において、前記平面パターンフィルタを形成する部位に前記地導体層および前記誘電体層を順に成膜し、前記BAWフィルタを形成する部位に基板と同材料を成膜して誘電体層と平坦化し、その後、基板の主表面に前記下部電極となる導電材料の薄膜を成膜するとともに誘電体層の主表面に前記信号導体層となる導電材料の薄膜を成膜し、導電材料の薄膜において下部電極となる部位に結晶配向を制御するシード層を形成した後に、前記圧電体層を成膜し、さらに圧電体層の主表面に前記上部電極となる導電材料の薄膜を成膜することを特徴とする帯域通過フィルタの製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018110367A (ja) * | 2017-01-03 | 2018-07-12 | ウィン セミコンダクターズ コーポレーション | バルク音響波フィルターと、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法 |
JP2019092096A (ja) * | 2017-11-16 | 2019-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ |
WO2021027673A1 (zh) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 天津大学 | 一种体声波滤波器的封装结构及该滤波器的制造方法 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9412235B2 (en) | 2009-05-08 | 2016-08-09 | Aristocrat Technologies Australia Pty Limited | Gaming system, a method of gaming and a linked game controller |
JP5299356B2 (ja) | 2010-06-07 | 2013-09-25 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
DE102011100468B4 (de) * | 2011-05-04 | 2013-07-04 | Epcos Ag | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes BAW-Filter, Herstellungsverfahren hierfür und Duplexer |
US8816567B2 (en) | 2011-07-19 | 2014-08-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Piezoelectric laterally vibrating resonator structure geometries for spurious frequency suppression |
US20130120415A1 (en) * | 2011-11-14 | 2013-05-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Combined resonators and passive circuit components on a shared substrate |
CN104333346A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-02-04 | 王少夫 | 一种新型超宽带压电滤波器 |
US10439589B2 (en) * | 2016-06-24 | 2019-10-08 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator and filter including the same |
US11558032B2 (en) | 2016-09-30 | 2023-01-17 | Intel Corporation | RF filters and resonators of crystalline III-N films |
DE102016125877B4 (de) * | 2016-12-29 | 2018-08-23 | Snaptrack, Inc. | BAW-Resonator- und Resonator-Anordnung |
JP6545772B2 (ja) * | 2017-01-03 | 2019-07-17 | ウィン セミコンダクターズ コーポレーション | 質量調整構造付きバルク音響波共振装置の製造方法 |
DE102018105091A1 (de) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | RF360 Europe GmbH | HF-Filter, HF-Filterkomponente und Verfahren zur Herstellung eines HF-Filters |
DE102018108605A1 (de) * | 2018-04-11 | 2019-10-17 | RF360 Europe GmbH | SAW-Resonator mit verbesserter Leistungsbeständigkeit und Wärmeresistenz und SAW-Resonator umfassendes HF-Filter |
CN112585871A (zh) * | 2018-07-05 | 2021-03-30 | 阿库斯蒂斯有限公司 | 5G 3.5-3.6GHz频带声波谐振器射频滤波器电路 |
US10425061B1 (en) * | 2018-10-11 | 2019-09-24 | Qorvo Us, Inc. | Wireless communication circuitry |
DE102019102694B4 (de) * | 2019-02-04 | 2020-10-08 | RF360 Europe GmbH | Elektroakustisches Bauelement, HF-Filter und Herstellungsverfahren |
CN111146328A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-12 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 单晶压电结构及具有其的电子设备 |
US11998852B2 (en) | 2022-07-29 | 2024-06-04 | Aristocrat Technologies, Inc. | Multi-player gaming system with synchronization periods and associated synchronization methods |
CN115833779A (zh) * | 2023-02-15 | 2023-03-21 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种波浪形体声波谐振器 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0856106A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波共振器及び高周波フィルタ |
JPH08335807A (ja) * | 1995-06-09 | 1996-12-17 | Meidensha Corp | バンドパスフィルタ |
JP2005210004A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、及び電子機器 |
JP2006141029A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Samsung Electronics Co Ltd | 1つのトリミングインダクタを用いるフィルタ |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2112599A (en) | 1981-12-24 | 1983-07-20 | Philips Electronic Associated | Bandpass filters |
DE60138107D1 (de) * | 2000-07-24 | 2009-05-07 | Panasonic Corp | Laminiertes bandpasfilter, hochfrequenzfunkgerät und herstellungsverfahrenfür laminiertes abndpassfilter |
FR2821993B1 (fr) * | 2001-03-09 | 2003-06-20 | Thomson Csf | Circuit grave de protection contre la foudre |
JP3972810B2 (ja) * | 2002-12-18 | 2007-09-05 | 株式会社村田製作所 | 分波器、および通信機 |
JP4155576B2 (ja) | 2004-04-01 | 2008-09-24 | 国立大学法人東京工業大学 | リングフィルタ及びそれを用いた広帯域の帯域通過フィルタ |
US7446629B2 (en) | 2004-08-04 | 2008-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna duplexer, and RF module and communication apparatus using the same |
NO323325B1 (no) | 2005-08-11 | 2007-03-19 | Norspace As | Elektronisk filter |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0856106A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波共振器及び高周波フィルタ |
JPH08335807A (ja) * | 1995-06-09 | 1996-12-17 | Meidensha Corp | バンドパスフィルタ |
JP2005210004A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、及び電子機器 |
JP2006141029A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Samsung Electronics Co Ltd | 1つのトリミングインダクタを用いるフィルタ |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018110367A (ja) * | 2017-01-03 | 2018-07-12 | ウィン セミコンダクターズ コーポレーション | バルク音響波フィルターと、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法 |
JP2019092096A (ja) * | 2017-11-16 | 2019-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ |
JP7037336B2 (ja) | 2017-11-16 | 2022-03-16 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ |
WO2021027673A1 (zh) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 天津大学 | 一种体声波滤波器的封装结构及该滤波器的制造方法 |
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