JP2009212620A - 薄膜共振子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 製造プロセスを時間短縮することができ、生産性を向上させることができる薄膜共振子の製造方法を提供する。
【解決手段】 工程(i)では、エッチングホール14を介して、犠牲層101をエッチングで除去することにより、共振子本体12の第2電極17と絶縁層100と基板11の一表面11aで囲まれる、基板エッチングのためのエッチング空間105を形成する。工程(j)では、エッチング空間105に、エッチングホール14を介してエッチング剤を進入させ、エッチング空間15をエッチング剤で満たすようにして、基板11のエッチング空間105に臨む表面から厚み方向(Z方向)にエッチングして凹部13を形成する。
【選択図】 図1
Description
前記貫通孔を介して前記犠牲層をエッチングすることにより、前記共振体と前記絶縁層と前記基板の主面の一部で囲まれるエッチング空間を形成する第2工程と、
前記エッチング空間をエッチング剤で満たすようにして、前記基板に凹部を形成する第3工程と、を含むことを特徴とする薄膜共振子の製造方法である。
絶縁膜の厚みが0.1μmより小さいと、十分な大きさのエッチング空間が形成されず、エッチング剤の進入が困難となり、また、共振体底面と基板表面との接触が起こりやすくなる。絶縁膜の厚みが1.2μmより大きいと、犠牲層の厚みが厚くなり過ぎて犠牲層のエッチングに時間を要する。
基板11の一表面11a上には、絶縁層100が設けられる。絶縁層100は、共振子本体12を構成する第1電極16および第2電極17と基板11とを電気的に絶縁する。絶縁層100は、その厚みが0.1μm以上1.2μm以下で形成され、たとえば、基板11表面を熱酸化して形成される酸化物(SiO2)膜やスパッタリングおよびCVDなどの薄膜形成プロセスによって成膜されるSiN膜として形成される。
圧電体薄膜15は、少なくとも一部が第2電極17の厚み方向の一表面17a上に形成される。本実施の形態では圧電体薄膜15は、第2電極17の厚み方向の一表面17a上と基板11の厚み方向の一表面11a上とにわたって形成され、第2電極17のX方向の他端部よりもX方向の他方まで延びる。圧電体薄膜15は、Z方向から見て矩形状に形成され、X方向およびY方向における中央部22に形成される。圧電体薄膜15のY方向の長さL1は、第2電極17の短手方向Yの長さL2よりも大きく選ばれ、圧電体薄膜15のY方向の中央と、第2電極16のY方向の中央とは、Y方向に垂直で同一の仮想一平面上に設けられる。圧電体薄膜15は、X方向およびY方向において、凹部13よりも大きく形成される。
第1工程では、一表面11aに形成され、開口部を有する絶縁層と、開口部を埋める犠牲層と、この犠牲層を覆うように設けられる共振子本体12と、犠牲層まで連通するようにして設けられるエッチングホールと、を備える共振体形成基板を準備する。
(a)基板11準備および絶縁層100形成工程
薄膜共振子10に用いられる基板11は、厚みが0.05mm〜1mm程度の板状部材で、Si(シリコン)、Al2O3(酸化アルミニウム)、SiO2(酸化シリコン)およびガラスなどによって形成される。
基板11の一表面11aの全面にわたって絶縁層100を形成する。絶縁層100は、その厚みが0.1μm以上1.2μm以下で形成され、SiO2などの絶縁膜からなる。また、本発明では、従来のように本工程にて、基板11にエッチングにより窪みを設ける必要はない。
工程(a)にて好適な厚みで、基板11の一表面11aの全面にわたって形成した絶縁層100に対して、パターニングにより開口部100aを設ける。この開口部100aは、第2工程において基板エッチングするためのエッチング空間に相当し、この開口部100aは、後工程で犠牲層によって充填される。
工程(b)にて設けられた開口部100aを埋めるべく、絶縁層100上に犠牲層101を形成する。
工程(c)で犠牲層101を成膜したのち、研磨によって不要な犠牲層101を除去する。研磨工程によって、絶縁層100表面を露出させ、犠牲層101が開口部100aのみに充填された状態となる。
工程(d)の研磨工程によって露出した絶縁層100上に全面にわたって第2電極17となる金属膜102を成膜する。
工程(e)において、成膜した金属膜102に対して、パターニングにより第2電極17を設ける。第2電極17は、共振子本体12を構成し、後に凹部13となる犠牲層101の充填部分を覆うようにパターニングされる。
工程(f)において、パターニングして得られた第2電極17上および絶縁層100上に、基板全面にわたって、圧電体層103および金属膜104を順次形成する。
工程(g)において、成膜した圧電体層103および金属膜104に対して、パターニングにより圧電体薄膜15および第1電極16を設ける。圧電体薄膜15および第1電極16は、共振子本体12を構成し、第2電極17上にパターニングされる。
(i)犠牲層エッチング工程
工程(h)で形成されたエッチングホール14を介して、犠牲層101をエッチングで除去することにより、共振子本体12の第2電極17と絶縁層100と基板11の一表面11aで囲まれる、基板エッチングのためのエッチング空間105を形成する。エッチング空間105は、絶縁層100に設けられた開口部100aに相当する。
(j)基板エッチング工程
工程(i)で形成されたエッチング空間105に、エッチングホール14を介してエッチング剤を進入させ、エッチング空間15をエッチング剤で満たすようにして、基板11のエッチング空間105に臨む表面から厚み方向(Z方向)にエッチングして凹部13を形成する。
このようにして凹部13が形成されることで、薄膜共振子10が得られる。
11 基板
14 エッチングホール
15 圧電体薄膜
16 第1電極
17 第2電極
20 共振部
100 絶縁層
101 犠牲層
105 エッチング空間
Claims (4)
- 基板と、前記基板の主面に形成され、且つ前記主面に到達する開口部を有する絶縁層と、前記開口部を埋める犠牲層と、前記犠牲層を覆うように設けられる共振体と、前記共振体に、前記犠牲層まで連通するようにして設けられる貫通孔と、を備える共振体形成基板を準備する第1工程と、
前記貫通孔を介して前記犠牲層をエッチングすることにより、前記共振体と前記絶縁層と前記基板の主面の一部で囲まれるエッチング空間を形成する第2工程と、
前記エッチング空間をエッチング剤で満たすようにして、前記基板に凹部を形成する第3工程と、を含むことを特徴とする薄膜共振子の製造方法。 - 前記共振体形成基板は、前記基板がシリコン基板であり、前記絶縁層が前記基板を熱処理することにより前記基板の表層に形成される酸化シリコン膜であることを特徴とする請求項1記載の薄膜共振子の製造方法。
- 前記共振体は、第1電極および第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配される圧電体層とを含んで構成されることを特徴とする請求項1記載の薄膜共振子の製造方法。
- 前記絶縁層の厚みが、0.1μm以上1.2μm以下であることを特徴とする請求項1記載の薄膜共振子の製造方法。
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