JP6935573B1 - 複合基板および弾性表面波素子 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 6
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282320 Panthera leo Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 sialon Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
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- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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Abstract
【課題】弾性波のエネルギーを圧電層に閉じ込めながら、耐熱性に優れた複合基板を提供すること。【解決手段】本発明の実施形態による複合基板は、圧電層と、前記圧電層の裏面側に配置される反射層と、を有し、前記反射層は、高インピーダンス層と、酸化ケイ素を含む低インピーダンス層と、を含み、前記高インピーダンス層における第一構造の領域は７０％を超える。【選択図】図１
Description
本発明は、複合基板および弾性表面波素子に関する。
携帯電話等の通信機器には、任意の周波数の電気信号を取り出すため、例えば、弾性表面波を利用したフィルタ（ＳＡＷフィルタ）が用いられている。このＳＡＷフィルタは、圧電層を有する複合基板上に電極等が形成された構造を有する（例えば、特許文献１を参照）。
ところで、近年、情報通信機器の分野では、高周波数帯での通信への対応が求められており、上記ＳＡＷフィルタにおいては、上記圧電層から、弾性波の漏れが発生する場合がある。一方で、上記複合基板には、加工時の（例えば、２００℃以上の熱がかかる工程における）耐熱性も求められている。
本発明の主たる目的は、弾性波のエネルギーを圧電層に閉じ込めながら、耐熱性に優れた複合基板を提供することにある。
本発明の実施形態による複合基板は、圧電層と、前記圧電層の裏面側に配置される反射層と、を有し、前記反射層は、高インピーダンス層と、酸化ケイ素を含む低インピーダンス層と、を含み、前記高インピーダンス層における第一構造の領域は７０％を超える。
１つの実施形態においては、上記第一構造は、柱状構造または粒状構造である。
１つの実施形態においては、上記高インピーダンス層は、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウムおよび酸化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１つを含む。
１つの実施形態においては、上記第一構造は、上記高インピーダンス層の厚み方向において、隣接する層もしくは空気層との界面から他方の界面に向けて偏在している。
１つの実施形態においては、上記高インピーダンス層は第二構造を有し、上記高インピーダンス層内において、上記第一構造と前記第二構造との境界が存在する。
１つの実施形態においては、上記高インピーダンス層および上記低インピーダンス層の厚みは、それぞれ０．０１μｍ〜１μｍである。
１つの実施形態においては、上記反射層において、上記高インピーダンス層と上記低インピーダンス層とは交互に積層されている。
１つの実施形態においては、上記複合基板は、上記反射層の裏面側に配置される支持基板を有する。
１つの実施形態においては、上記複合基板は、上記反射層と上記支持基板との間に配置される接合層を有する。
本発明の別の実施形態による弾性表面波素子は、上記複合基板を含む。
１つの実施形態においては、上記第一構造は、柱状構造または粒状構造である。
１つの実施形態においては、上記高インピーダンス層は、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウムおよび酸化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１つを含む。
１つの実施形態においては、上記第一構造は、上記高インピーダンス層の厚み方向において、隣接する層もしくは空気層との界面から他方の界面に向けて偏在している。
１つの実施形態においては、上記高インピーダンス層は第二構造を有し、上記高インピーダンス層内において、上記第一構造と前記第二構造との境界が存在する。
１つの実施形態においては、上記高インピーダンス層および上記低インピーダンス層の厚みは、それぞれ０．０１μｍ〜１μｍである。
１つの実施形態においては、上記反射層において、上記高インピーダンス層と上記低インピーダンス層とは交互に積層されている。
１つの実施形態においては、上記複合基板は、上記反射層の裏面側に配置される支持基板を有する。
１つの実施形態においては、上記複合基板は、上記反射層と上記支持基板との間に配置される接合層を有する。
本発明の別の実施形態による弾性表面波素子は、上記複合基板を含む。
本発明の実施形態によれば、圧電層と所定の構造状態を有するインピーダンス層とを組み合わせることにより、弾性波のエネルギーを圧電層に閉じ込めながら、耐熱性に優れた複合基板を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれらの実施形態には限定されない。
Ａ．複合基板
図１は、本発明の１つの実施形態に係る複合基板の概略の構成を示す模式的な断面図である。複合基板１００は、圧電層１０、反射層２０および支持基板３０をこの順に有する。反射層２０は、相対的に音響インピーダンスが高い高インピーダンス層と相対的に音響インピーダンスが低い低インピーダンス層とを含む。反射層２０は、複数のインピーダンス層の積層体であり、例えば、高インピーダンス層と低インピーダンス層とは交互に積層されている。図示例では、反射層２０は、圧電層１０側から、低インピーダンス層２１、高インピーダンス層２２、低インピーダンス層２３、高インピーダンス層２４、低インピーダンス層２５、高インピーダンス層２６、低インピーダンス層２７および高インピーダンス層２８を、この順に有する。図示例では、反射層２０の各層のうち、低インピーダンス層２１が、最も圧電層１０側に配置されている。このような積層構造の反射層２０を配置させることにより、弾性波のエネルギーを圧電層１０側に効果的に閉じ込めることができる。
図１は、本発明の１つの実施形態に係る複合基板の概略の構成を示す模式的な断面図である。複合基板１００は、圧電層１０、反射層２０および支持基板３０をこの順に有する。反射層２０は、相対的に音響インピーダンスが高い高インピーダンス層と相対的に音響インピーダンスが低い低インピーダンス層とを含む。反射層２０は、複数のインピーダンス層の積層体であり、例えば、高インピーダンス層と低インピーダンス層とは交互に積層されている。図示例では、反射層２０は、圧電層１０側から、低インピーダンス層２１、高インピーダンス層２２、低インピーダンス層２３、高インピーダンス層２４、低インピーダンス層２５、高インピーダンス層２６、低インピーダンス層２７および高インピーダンス層２８を、この順に有する。図示例では、反射層２０の各層のうち、低インピーダンス層２１が、最も圧電層１０側に配置されている。このような積層構造の反射層２０を配置させることにより、弾性波のエネルギーを圧電層１０側に効果的に閉じ込めることができる。
図示例では、反射層２０は４層の高インピーダンス層と４層の低インピーダンス層との計８層の積層体であるが、反射層に含まれるインピーダンス層の数はこれに限定されない。具体的には、反射層は、音響インピーダンスが異なる高インピーダンス層および低インピーダンス層をそれぞれ少なくとも１層ずつ含んでいればよい。好ましくは、反射層は、４層以上の多層構造を有する。
図示しないが、複合基板１００は、任意の層をさらに有していてもよい。このような層の種類・機能、数、組み合わせ、配置等は、目的に応じて適切に設定され得る。例えば、複合基板１００は、反射層２０と支持基板３０との間に配置される接合層を有していてもよい。
複合基板１００は、任意の適切な形状で製造され得る。１つの実施形態においては、いわゆる、ウェハの形態で製造され得る。複合基板１００のサイズは、目的に応じて適切に設定され得る。例えば、ウェハの直径は、５０ｍｍ〜１５０ｍｍである。
Ａ−１．圧電層
上記圧電層を構成する材料としては、任意の適切な圧電性材料が用いられ得る。圧電性材料としては、好ましくは、ＬｉＡＯ３の組成を有する単結晶が用いられる。ここで、Ａは、ニオブおよびタンタルからなる群から選択される一種以上の元素である。具体的には、ＬｉＡＯ３は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）であってもよく、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）であってもよく、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体であってもよい。
上記圧電層を構成する材料としては、任意の適切な圧電性材料が用いられ得る。圧電性材料としては、好ましくは、ＬｉＡＯ３の組成を有する単結晶が用いられる。ここで、Ａは、ニオブおよびタンタルからなる群から選択される一種以上の元素である。具体的には、ＬｉＡＯ３は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）であってもよく、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）であってもよく、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体であってもよい。
圧電性材料がタンタル酸リチウムである場合、圧電層として、伝搬損失を小さくする観点から、弾性表面波の伝搬方向であるＸ軸を中心に、Ｙ軸からＺ軸に１２３〜１３３°（例えば１２８°）回転した方向のものを用いることが好ましい。圧電性材料基板がニオブ酸リチウムである場合、圧電層として、伝搬損失を小さくする観点から、弾性表面波の伝搬方向であるＸ軸を中心に、Ｙ軸からＺ軸に８６〜９４°（例えば９０°）回転した方向のものを用いることが好ましい。
圧電層の厚みは、例えば０．２μｍ以上３０μｍ以下である。
Ａ−２．反射層
上述のとおり、反射層は、音響インピーダンスが異なる高インピーダンス層と低インピーダンス層とを含む。高インピーダンス層の音響インピーダンスは、低インピーダンス層の音響インピーダンスよりも相対的に高い。具体的には、高インピーダンス層を構成する材料の音響インピーダンスは、低インピーダンス層を構成する材料の音響インピーダンスよりも高い。
上述のとおり、反射層は、音響インピーダンスが異なる高インピーダンス層と低インピーダンス層とを含む。高インピーダンス層の音響インピーダンスは、低インピーダンス層の音響インピーダンスよりも相対的に高い。具体的には、高インピーダンス層を構成する材料の音響インピーダンスは、低インピーダンス層を構成する材料の音響インピーダンスよりも高い。
反射層に含まれる複数の高インピーダンス層は、それぞれが同一の構成（例えば、材料、構造状態、厚み）であってもよく、互いが異なる構成であってもよい。同様に、反射層に含まれる複数の低インピーダンス層は、それぞれが同一の構成（例えば、材料、構造状態、厚み）であってもよく、互いが異なる構成であってもよい。
高インピーダンス層を構成する材料としては、例えば、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムが挙げられる。これらの中でも、酸化ハフニウムが好ましく用いられる。酸化ハフニウムを用いることにより、弾性波のエネルギーを圧電層側により効果的に閉じ込めることができる。１つの実施形態においては、高インピーダンス層に含まれる酸化ハフニウムの含有割合は、例えば９７重量％以上である。
高インピーダンス層の厚みは、好ましくは１μｍ以下であり、より好ましくは５００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは３００ｎｍ以下である。このような厚みによれば、耐熱性により優れた複合基板を得ることができる。一方、高インピーダンス層の厚みは、例えば０．０１μｍ以上であり、好ましくは２０ｎｍ以上であり、より好ましくは１００ｎｍ以上である。
高インピーダンス層は、第一構造の領域を有する。第一構造は、例えば、柱状構造または粒状構造である。ここで、柱状構造は、複合基板の基板面（面内方向）に対して、角度を有する方向に延びる構造体（柱状体）からなり、その柱径は、例えば５ｎｍ以上である。一方、粒状構造は、略球状の構造体からなる。このような構造は、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察により確認することができる。なお、上記柱径は、観察される柱状体の膜厚方向の全ての位置において満たしていなくてもよい。
上記第一構造は、高インピーダンス層の厚み方向において、点在していてもよいし、偏在していてもよい。１つの実施形態においては、第一構造は、高インピーダンス層の厚み方向において、隣接する層もしくは空気層との界面から他方の界面に向けて偏在する。図２に示す例では、高インピーダンス層は、一方の界面５１側に位置する第一構造が含まれる領域７１と、他方の界面５２側に位置する第二構造が含まれる領域７２とを有する。領域７１と領域７２とは連続して形成されており、領域７１と領域７２との境界（界面）を破線で示している。第二構造は、第一構造とは形状が異なる構造を有しており、例えば、粒状構造または柱状構造である。高インピーダンス層は、他の構造を含んでいてもよい。図２に示す例では、領域７１では柱状構造が主に確認され、領域７２では粒状構造が主に確認される。具体的には、領域７１は、複数の柱状構造体から構成される柱状組織といえ、領域７２は、複数の粒状構造体から構成される粒状組織といえる。このような形態においては、後述の剥離・割れの問題が生じやすい傾向にある。
高インピーダンス層における第一構造の領域は、７０％を超え、好ましくは７５％以上であり、より好ましくは８０％以上であり、さらに好ましくは９０％以上である。このような範囲によれば、耐熱性に優れた複合基板を得ることができる。具体的には、第一構造と第二構造とでは加熱等により発生する応力が異なり（例えば、柱状構造では引張応力が発生し得、粒状構造では圧縮応力が発生し得）、第一構造と第二構造との界面では互いの応力が集中し得る。このような界面では熱履歴により剥離・割れが生じやすいが、第一構造の領域を上記範囲とすることにより、互いの応力の影響を小さくして、熱履歴による剥離・割れの発生を抑制することができる。このように、層内における剥離・割れの発生と構造状態に着目したことが本発明の特徴の一つである。なお、反射層に含まれる全ての高インピーダンス層において第一構造の領域が７０％を超えることが好ましい。上記層内の剥離・割れは、複合基板（反射層）における位置に関係なく発生し得るからである。
高インピーダンス層における第二構造の領域は、好ましくは３０％未満であり、より好ましくは２５％以下であり、さらに好ましくは２０％以下、特に好ましくは１０％以下である。
上記高インピーダンス層における第一構造の領域の割合は、例えば、ＳＥＭ観察により確認することができる。１つの実施形態においては、上記一方の界面５１から上記第二構造が含まれる領域７２までの距離（厚み）の最大値と最小値を測定してその平均値を第一構造の領域の厚みとし、その厚みと高インピーダンス層の厚みとの比を算出することにより求めることができる。
上記低インピーダンス層を構成する材料としては、代表的には、酸化ケイ素が挙げられる。低インピーダンス層は、代表的には、粒状構造の領域を有する。
低インピーダンス層の厚みは、例えば０．０１μｍ〜１μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍである。
上記インピーダンス層は、任意の適切な方法により成膜され得る。例えば、スパッタリング、イオンビームアシスト蒸着（ＩＡＤ）等の物理蒸着、化学蒸着、原子層堆積（ＡＬＤ）法により成膜され得る。
例えば、インピーダンス層は、上記酸化物を含むターゲットをスパッタすることにより成膜される。上記構造状態は、例えば、インピーダンス層を成膜する空間における圧力を調整することによって制御され得る。１つの実施形態においては、成膜する空間における圧力は、０．１５Ｐａ以上０．３０Ｐａ未満に設定される。別の実施形態においては、成膜する空間における圧力は、０．５０Ｐａを超え０．８０Ｐａ以下に設定される。成膜温度は、例えば、常温から２００℃までの間である。
Ａ−３．支持基板
支持基板１０としては、任意の適切な基板が用いられ得る。支持基板は、単結晶体で構成されてもよく、多結晶体で構成されてもよい。支持基板を構成する材料としては、好ましくは、シリコン、サイアロン、サファイア、コージェライト、ムライト、ガラス、石英、水晶およびアルミナからなる群から選択される。アルミナは、好ましくは透光性アルミナである。
支持基板１０としては、任意の適切な基板が用いられ得る。支持基板は、単結晶体で構成されてもよく、多結晶体で構成されてもよい。支持基板を構成する材料としては、好ましくは、シリコン、サイアロン、サファイア、コージェライト、ムライト、ガラス、石英、水晶およびアルミナからなる群から選択される。アルミナは、好ましくは透光性アルミナである。
上記シリコンは、単結晶シリコンであってもよく、多結晶シリコンであってもよく、高抵抗シリコンであってもよい。
代表的には、上記サイアロンは、窒化ケイ素とアルミナとの混合物を焼結して得られるセラミックスであり、例えば、Ｓｉ６−ｗＡｌｗＯｗＮ８−ｗで示される組成を有する。具体的には、サイアロンは、窒化ケイ素中にアルミナが混合された組成を有しており、式中のｗはアルミナの混合比率を示している。ｗは、好ましくは０．５以上４．０以下である。
代表的には、上記サファイアはＡｌ２Ｏ３の組成を有する単結晶体であり、上記アルミナはＡｌ２Ｏ３の組成を有する多結晶体である。アルミナは、好ましくは透光性アルミナである。
代表的には、上記コージェライトは、２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２の組成を有するセラミックスであり、上記ムライトは、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２〜２Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２の範囲の組成を有するセラミックスである。
支持基板を構成する材料の熱膨張係数は、上記圧電層を構成する材料の熱膨張係数よりも小さいことが好ましい。このような支持基板によれば、温度が変化したときの圧電層の形状・サイズの変化を抑制し、例えば、得られる弾性表面波素子の周波数特性の変化を抑制し得る。
支持基板の厚みとしては、任意の適切な厚みが採用され得る。支持基板の厚みは、例えば１００μｍ〜１０００μｍである。
Ａ−４．接合層
上述のとおり、複合基板は、接合層を有し得る。接合層を構成する材料としては、例えば、ケイ素酸化物、シリコン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ハフニウムが挙げられる。例えば、接合層は、インピーダンス層とは異なる組成を有する。接合層の厚みは、例えば０．００５μｍ〜１μｍである。
上述のとおり、複合基板は、接合層を有し得る。接合層を構成する材料としては、例えば、ケイ素酸化物、シリコン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ハフニウムが挙げられる。例えば、接合層は、インピーダンス層とは異なる組成を有する。接合層の厚みは、例えば０．００５μｍ〜１μｍである。
接合層は、任意の適切な方法により成膜され得る。具体的には、上記インピーダンス層の成膜方法と同様の方法により成膜され得る。
Ａ−５．製造方法
上記複合基板は、例えば、上記圧電層もしくは圧電層前駆体に上記反射層を構成するインピーダンス層を順次成膜し、反射層が形成された圧電層もしくは圧電層前駆体と上記支持基板とを直接接合することにより得ることができる。
上記複合基板は、例えば、上記圧電層もしくは圧電層前駆体に上記反射層を構成するインピーダンス層を順次成膜し、反射層が形成された圧電層もしくは圧電層前駆体と上記支持基板とを直接接合することにより得ることができる。
図３Ａ〜図３Ｄは、１つの実施形態に係る複合基板の製造工程例を示す図である。図３Ａは、圧電層前駆体１２上に反射層２０（インピーダンス層２１〜２８）の成膜が完了した状態を示している。圧電層前駆体１２は第一主面１２ａと第２主面１２ｂとを有し、第一主面１２ａ側にインピーダンス層２１〜２８が順次成膜され、反射層２０が形成されている。
図３Ｂは、反射層２０上に接合層４０が成膜された状態を示し、図３Ｃは、反射層２０および接合層４０が成膜された圧電層前駆体１２と支持基板３０とを直接接合する工程を示している。直接接合に際し、接合面は任意の適切な活性化処理により活性化されていることが好ましい。例えば、接合層４０の表面４０ａを活性化し、支持基板３０の表面３０ａを活性化した後、接合層４０の活性化面と支持基板３０の活性化面とを接触させ、加圧することで直接接合する。こうして、図３Ｄに示す複合基板１１０を得る。なお、図示しないが、代表的には、得られた複合基板１１０の圧電層前駆体１２の第二主面１２ｂは、上記所望の厚みの圧電層となるように、研削、研磨等の加工が施される。
好ましくは、各層（具体的には、圧電層もしくは圧電層前駆体、反射層、支持基板、接合層）の表面は、平坦面とされている。具体的には、各層の表面の表面粗さＲａは、好ましくは１ｎｍ以下であり、より好ましくは０．３ｎｍ以下である。各層の表面を平坦化する方法としては、例えば、鏡面研磨、ラップ（ｌａｐ）研磨、化学機械研磨加工（ＣＭＰ）が挙げられる。
上記成膜、接合に際し、例えば、研磨剤の残渣、加工変質層等の除去のため、各層の表面を洗浄することが好ましい。洗浄方法としては、例えば、ウエット洗浄、ドライ洗浄、スクラブ洗浄が挙げられる。これらの中でも、簡便かつ効率的に洗浄し得ることから、スクラブ洗浄が好ましい。スクラブ洗浄の具体例としては、洗浄剤（例えば、ライオン社製、サンウオッシュシリーズ）を用いた後に、溶剤（例えば、アセトンとイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）との混合溶液）を用いてスクラブ洗浄機にて洗浄する方法が挙げられる。
上記活性化処理は、代表的には、中性化ビームを照射することにより行う。好ましくは、特開２０１４−０８６４００号公報に記載の装置のような装置を使用して中性化ビームを発生させ、このビームを照射することにより活性化処理を行う。具体的には、ビーム源として、サドルフィールド型の高速原子ビーム源を使用し、チャンバーにアルゴン、窒素等の不活性ガスを導入し、直流電源から電極へ高電圧を印加する。これにより、電極（正極）と筺体（負極）との間に生じるサドルフィールド型の電界により、電子が運動して、不活性ガスによる原子とイオンのビームが生成される。グリッドに達したビームのうち、イオンビームはグリッドで中和されるので、中性原子のビームが高速原子ビーム源から出射される。ビーム照射による活性化処理時の電圧は０．５ｋＶ〜２．０ｋＶとすることが好ましく、ビーム照射による活性化処理時の電流は５０ｍＡ〜２００ｍＡとすることが好ましい。
上記接合面の接触および加圧は、真空雰囲気で行うことが好ましい。このときの温度は、代表的には、常温である。具体的には、２０℃以上４０℃以下が好ましく、より好ましくは２５℃以上３０℃以下である。加える圧力は、好ましくは１００Ｎ〜２００００Ｎである。
Ｂ．弾性表面波素子
本発明に係る弾性表面波素子は、上記複合基板を含む。上記複合基板は耐熱性に優れることから、例えば、上記複合基板に、電極等の形成、切断等の加工（熱処理を含む）を施して得られる弾性表面波素子は、剥離・割れ等の発生が抑制されている。このような弾性表面波素子は、ＳＡＷフィルタとして携帯電話等の通信機器に好適に用いられる。
本発明に係る弾性表面波素子は、上記複合基板を含む。上記複合基板は耐熱性に優れることから、例えば、上記複合基板に、電極等の形成、切断等の加工（熱処理を含む）を施して得られる弾性表面波素子は、剥離・割れ等の発生が抑制されている。このような弾性表面波素子は、ＳＡＷフィルタとして携帯電話等の通信機器に好適に用いられる。
以下、実施例によって本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例によって限定されるものではない。
［実施例１−１］
オリエンテーションフラット（ＯＦ）部を有し、直径４インチで厚み２５０μｍのタンタル酸リチウム（ＬＴ）基板（弾性表面波（ＳＡＷ）の伝搬方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である１２８°ＹカットＸ伝搬のＬＴ基板）を用意した。このＬＴ基板の表面を、算術平均粗さＲａが０．３ｎｍとなるように鏡面研磨した。ここで、算術平均粗さＲａは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって１０μｍ×１０μｍの視野で測定した値である。
オリエンテーションフラット（ＯＦ）部を有し、直径４インチで厚み２５０μｍのタンタル酸リチウム（ＬＴ）基板（弾性表面波（ＳＡＷ）の伝搬方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である１２８°ＹカットＸ伝搬のＬＴ基板）を用意した。このＬＴ基板の表面を、算術平均粗さＲａが０．３ｎｍとなるように鏡面研磨した。ここで、算術平均粗さＲａは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって１０μｍ×１０μｍの視野で測定した値である。
次いで、ＬＴ基板の研磨面に、酸化ケイ素層（厚み：１５０ｎｍ）および酸化ハフニウム層（厚み：１５０ｎｍ）をこの順に成膜した。具体的には、枚葉式スパッタ装置（ＲＦマグネトロンスパッタ法）にて、φ１０インチのＳｉＯ２ターゲットおよびＨｆＯ２ターゲットを用い、電源２ｋＷ、Ｔ−Ｓ距離６５ｍｍ、圧力０．６５Ｐａの条件にて成膜を行った。その後、この成膜を３回繰り返し、図１に示すような反射層を形成した。
次いで、反射層上に、ケイ素酸化物層（厚み：８０〜１９０ｎｍ、算術平均粗さＲａ：０．２〜０．６ｎｍ）を成膜した。具体的には、直流スパッタリング法にて、ボロンドープのＳｉターゲットを用いて成膜した。また、酸素源として酸素ガスを導入した。この際、酸素ガス導入量を調節することによって、チャンバー内の雰囲気の全圧と酸素分圧を調節した。その後、ケイ素酸化物層の表面に化学機械研磨加工（ＣＭＰ）を施し、接合層（厚み：５０ｎｍ、算術平均粗さＲａ：０．０８〜０．４ｎｍ）を形成した。
ＯＦ部を有し、直径４インチで厚み５００μｍのシリコンからなる支持基板を用意した。この支持基板の表面は、化学機械研磨加工（ＣＭＰ）が施されており、算術平均粗さＲａは０．２ｎｍである。
次いで、ＬＴ基板と支持基板とを直接接合した。具体的には、ＬＴ基板の表面（接合層側）および支持基板の表面を洗浄した後、両基板を真空チャンバーに投入して１０−６Ｐａ台まで真空引きした後、両基板の表面に高速原子ビーム（加速電圧１ｋＶ、Ａｒ流量２７ｓｃｃｍ）を１２０秒間照射した。照射後、両基板のビーム照射面を重ね合わせ、１００００Ｎで２分間加圧して両基板を接合した。その後、得られた接合体を１００℃で２０時間加熱した。
次いで、上記接合体のＬＴ基板の裏面を、当初の２５０μｍから１μｍになるように研削および研磨して、複合基板を得た。
得られた複合基板（反射層）の断面のＳＥＭ観察（２０万倍）を行った。観察写真を図４に示す。なお、断面ＳＥＭ観察に際し、得られた複合基板から、破断法にて観察用試料を作製した。
図４に示すとおり、酸化ハフニウム層では成膜初期（ＬＴ基板側）に粒状成長がわずかに確認されるが、成膜初期以降、柱状成長が確認される。具体的には、１つの酸化ハフニウム層内で、構造が変化していることが確認される。
［比較例１−１］
スパッタリングにおける成膜条件において、圧力を０．４０Ｐａに変更したこと以外は実施例１−１と同様にして、複合基板を得た。実施例１−１と同様、得られた複合基板（反射層）の断面のＳＥＭ観察を行った。観察写真を図５に示す。
スパッタリングにおける成膜条件において、圧力を０．４０Ｐａに変更したこと以外は実施例１−１と同様にして、複合基板を得た。実施例１−１と同様、得られた複合基板（反射層）の断面のＳＥＭ観察を行った。観察写真を図５に示す。
図５に示すとおり、酸化ハフニウム層では成膜初期から中期にかけて（ＬＴ基板側に）粒状成長が、成膜中期以降に柱状成長が確認される。具体的には、１つの酸化ハフニウム層内で、構造が変化していることが明確に確認される。
＜評価１＞
実施例１−１および比較例１−１の複合基板について耐熱性の評価を行った。具体的には、得られた複合基板を２００℃にて１５分加熱し、冷却後、複合基板の断面のＳＥＭ観察を行った。
実施例１−１および比較例１−１の複合基板について耐熱性の評価を行った。具体的には、得られた複合基板を２００℃にて１５分加熱し、冷却後、複合基板の断面のＳＥＭ観察を行った。
比較例１−１では図６に示すように酸化ハフニウム層において剥離が確認された。図６から、粒状構造の領域と柱状構造の領域の界面において剥離が発生していることが確認された。これに対し、実施例１−１では剥離は確認されなかった。
［実施例２−１］
反射層の形成において酸化ハフニウム層を一層のみ成膜したこと、および、接合層を形成しなかったこと、以外は実施例１−１と同様にして、確認用サンプルを得た。
反射層の形成において酸化ハフニウム層を一層のみ成膜したこと、および、接合層を形成しなかったこと、以外は実施例１−１と同様にして、確認用サンプルを得た。
［実施例２−２，２−３，２−４および２−５］
スパッタリングにおける成膜条件（圧力）を変更したこと以外は実施例２−１と同様にして、確認用サンプルを得た。
スパッタリングにおける成膜条件（圧力）を変更したこと以外は実施例２−１と同様にして、確認用サンプルを得た。
［比較例２−１］
反射層の形成において酸化ハフニウム層を一層のみ成膜したこと、および、接合層を形成しなかったこと、以外は比較例１−１と同様にして、確認用サンプルを得た。
反射層の形成において酸化ハフニウム層を一層のみ成膜したこと、および、接合層を形成しなかったこと、以外は比較例１−１と同様にして、確認用サンプルを得た。
［比較例２−２および２−３］
スパッタリングにおける成膜条件（圧力）を変更したこと以外は比較例２−１と同様にして、確認用サンプルを得た。
スパッタリングにおける成膜条件（圧力）を変更したこと以外は比較例２−１と同様にして、確認用サンプルを得た。
＜評価２＞
得られた確認用サンプルの断面をＳＥＭ観察（２０万倍）し、第一構造（粒状構造または柱状構造）と第二構造（粒状構造または柱状構造）との境界を確認し、第一構造の領域を求めた。例えば、図７に実施例２−３の断面ＳＥＭ観察写真を示すが、ＬＴ基板表面を基準に粒状成長の最上部と粒状成長の最下部を確認し、両者の中間の位置を求め粒状構造の領域の厚みとした。酸化ハフニウム層の厚みＨに対する粒状構造の領域の厚みｄの比（粒状構造の領域の厚みｄ／酸化ハフニウム層の厚みＨ）を算出することにより、粒状構造の占める割合（％）を求めた。
なお、図７に示すように、実施例２−１から２−５、比較例２−１から２−３全てにおいて、粒状構造と柱状構造との境界が確認され、上記算出式から、柱状構造の占める割合（％）は、１００から上記粒状構造の占める割合を引いた値となる。
評価１と同様に、得られた確認用サンプルについて耐熱性を評価した。第一構造の占める割合とともに耐熱性の評価結果（剥離の発生の有無）を表１にまとめる。
得られた確認用サンプルの断面をＳＥＭ観察（２０万倍）し、第一構造（粒状構造または柱状構造）と第二構造（粒状構造または柱状構造）との境界を確認し、第一構造の領域を求めた。例えば、図７に実施例２−３の断面ＳＥＭ観察写真を示すが、ＬＴ基板表面を基準に粒状成長の最上部と粒状成長の最下部を確認し、両者の中間の位置を求め粒状構造の領域の厚みとした。酸化ハフニウム層の厚みＨに対する粒状構造の領域の厚みｄの比（粒状構造の領域の厚みｄ／酸化ハフニウム層の厚みＨ）を算出することにより、粒状構造の占める割合（％）を求めた。
なお、図７に示すように、実施例２−１から２−５、比較例２−１から２−３全てにおいて、粒状構造と柱状構造との境界が確認され、上記算出式から、柱状構造の占める割合（％）は、１００から上記粒状構造の占める割合を引いた値となる。
評価１と同様に、得られた確認用サンプルについて耐熱性を評価した。第一構造の占める割合とともに耐熱性の評価結果（剥離の発生の有無）を表１にまとめる。
加熱により、各比較例では酸化ハフニウム層において剥離が確認された。比較例１−１（図５）と同様、粒状構造の領域と柱状構造の領域との境界において剥離が発生していることが確認された。これに対し、各実施例では剥離は確認されなかった。
本発明の１つの実施形態に係る複合基板は、弾性表面波素子に好適に用いられ得る。
１０ 圧電層
２０ 反射層
２１ 低インピーダンス層
２２ 高インピーダンス層
２３ 低インピーダンス層
２４ 高インピーダンス層
２５ 低インピーダンス層
２６ 高インピーダンス層
２７ 低インピーダンス層
２８ 高インピーダンス層
３０ 支持基板
４０ 接合層
７１ 第一構造が含まれる領域
７２ 第二構造が含まれる領域
１００ 複合基板
１１０ 複合基板
２０ 反射層
２１ 低インピーダンス層
２２ 高インピーダンス層
２３ 低インピーダンス層
２４ 高インピーダンス層
２５ 低インピーダンス層
２６ 高インピーダンス層
２７ 低インピーダンス層
２８ 高インピーダンス層
３０ 支持基板
４０ 接合層
７１ 第一構造が含まれる領域
７２ 第二構造が含まれる領域
１００ 複合基板
１１０ 複合基板
Claims (9)
- 圧電層と、
前記圧電層の裏面側に配置される反射層と、を有し、
前記反射層は、高インピーダンス層と、酸化ケイ素を含む低インピーダンス層と、を含み、
前記高インピーダンス層における第一構造の領域は７０％を超え、
前記第一構造は、柱状構造または粒状構造である、
複合基板。 - 前記高インピーダンス層が、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウムおよび酸化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１に記載の複合基板。
- 前記第一構造が、前記高インピーダンス層の厚み方向において、隣接する層もしくは空気層との界面から他方の界面に向けて偏在している、請求項１または２に記載の複合基板。
- 前記高インピーダンス層が第二構造を有し、前記高インピーダンス層内において、前記第一構造と前記第二構造との境界が存在し、
前記第二構造は、粒状構造または柱状構造であり、前記第一構造とは異なる、請求項３に記載の複合基板。 - 前記高インピーダンス層および前記低インピーダンス層の厚みが、それぞれ０．０１μｍ〜１μｍである、請求項１から４のいずれかに記載の複合基板。
- 前記反射層において、前記高インピーダンス層と前記低インピーダンス層とが交互に積層されている、請求項１から５のいずれかに記載の複合基板。
- 前記反射層の裏面側に配置される支持基板を有する、請求項１から６のいずれかに記載の複合基板。
- 前記反射層と前記支持基板との間に配置される接合層を有する、請求項７に記載の複合基板。
- 請求項１から８のいずれかに記載の複合基板を含む、弾性表面波素子。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020213689A JP6935573B1 (ja) | 2020-12-23 | 2020-12-23 | 複合基板および弾性表面波素子 |
| TW110120169A TW202226907A (zh) | 2020-12-23 | 2021-06-03 | 複合基板及彈性表面波元件 |
| PCT/JP2021/030894 WO2022137646A1 (ja) | 2020-12-23 | 2021-08-24 | 複合基板および弾性表面波素子 |
| KR1020227034396A KR20220149737A (ko) | 2020-12-23 | 2021-08-24 | 복합 기판 및 탄성 표면파 소자 |
| DE112021001587.7T DE112021001587T5 (de) | 2020-12-23 | 2021-08-24 | Verbundsubstrat und akustisches oberflächenwellenelement |
| CN202180019530.9A CN116491070A (zh) | 2020-12-23 | 2021-08-24 | 复合基板及弹性表面波元件 |
| US17/930,743 US20230006634A1 (en) | 2020-12-23 | 2022-09-09 | Composite substrate and surface acoustic wave element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020213689A JP6935573B1 (ja) | 2020-12-23 | 2020-12-23 | 複合基板および弾性表面波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP6935573B1 true JP6935573B1 (ja) | 2021-09-15 |
| JP2022099722A JP2022099722A (ja) | 2022-07-05 |
Family
ID=77657898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020213689A Active JP6935573B1 (ja) | 2020-12-23 | 2020-12-23 | 複合基板および弾性表面波素子 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230006634A1 (ja) |
| JP (1) | JP6935573B1 (ja) |
| KR (1) | KR20220149737A (ja) |
| CN (1) | CN116491070A (ja) |
| DE (1) | DE112021001587T5 (ja) |
| TW (1) | TW202226907A (ja) |
| WO (1) | WO2022137646A1 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012086441A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| WO2019054238A1 (ja) * | 2017-09-15 | 2019-03-21 | 日本碍子株式会社 | 弾性波素子およびその製造方法 |
| JP2019102883A (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
| JP2020098345A (ja) * | 2020-01-20 | 2020-06-25 | 日本碍子株式会社 | 電気光学素子のための複合基板とその製造方法 |
| WO2020130128A1 (ja) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、分波器および通信装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014086400A (ja) | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 高速原子ビーム源およびそれを用いた常温接合装置 |
| JP7279432B2 (ja) | 2019-03-15 | 2023-05-23 | 日本電気硝子株式会社 | 複合基板、電子デバイス、複合基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
-
2020
- 2020-12-23 JP JP2020213689A patent/JP6935573B1/ja active Active
-
2021
- 2021-06-03 TW TW110120169A patent/TW202226907A/zh unknown
- 2021-08-24 DE DE112021001587.7T patent/DE112021001587T5/de active Pending
- 2021-08-24 KR KR1020227034396A patent/KR20220149737A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-08-24 WO PCT/JP2021/030894 patent/WO2022137646A1/ja active Application Filing
- 2021-08-24 CN CN202180019530.9A patent/CN116491070A/zh active Pending
-
2022
- 2022-09-09 US US17/930,743 patent/US20230006634A1/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2020098345A (ja) * | 2020-01-20 | 2020-06-25 | 日本碍子株式会社 | 電気光学素子のための複合基板とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE112021001587T5 (de) | 2022-12-29 |
| JP2022099722A (ja) | 2022-07-05 |
| WO2022137646A1 (ja) | 2022-06-30 |
| KR20220149737A (ko) | 2022-11-08 |
| CN116491070A (zh) | 2023-07-25 |
| US20230006634A1 (en) | 2023-01-05 |
| TW202226907A (zh) | 2022-07-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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