JP2020098345A - 電気光学素子のための複合基板とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
12:電気光学結晶基板
13:リッジ部
14:支持基板
16:低屈折率層
16’第2低屈折率層
18:アモルファス層
20:第1導電層
20’:第2導電層
22:第1接合層
22’:第2接合層
Claims (20)
- 電気光学素子のための複合基板であって、
電気光学効果を有する電気光学結晶基板と、
前記電気光学結晶基板に、少なくともアモルファス層を介して接合された支持基板と、
前記電気光学結晶基板と前記アモルファス層との間に位置し、前記電気光学結晶基板に接しているとともに、前記電気光学結晶基板よりも屈折率の低い低屈折率層と、
前記低屈折率層と前記アモルファス層との間に位置する第1導電層と、を備え、
前記アモルファス層は、前記アモルファス層に一方側から接する層又は基板を構成する元素と、前記アモルファス層に他方側から接する層又は基板を構成する元素とで構成されており、
前記アモルファス層に前記一方側から接する層又は基板は、前記第1導電層であり、
前記第1導電層は、金、銀、銅、アルミニウム、白金、又は、それらのうちの少なくとも二つを含む合金の層を有する、
複合基板。 - 前記第1導電層の前記アモルファス層に接する表層は、白金で構成されている、請求項1に記載の複合基板。
- 電気光学素子のための複合基板であって、
電気光学効果を有する電気光学結晶基板と、
前記電気光学結晶基板に、少なくともアモルファス層を介して接合された支持基板と、
前記電気光学結晶基板と前記アモルファス層との間に位置し、前記電気光学結晶基板に接しているとともに、前記電気光学結晶基板よりも屈折率の低い低屈折率層と、
前記低屈折率層と前記アモルファス層との間に位置する第1接合層と、
前記低屈折率層と前記第1接合層との間に位置する第1導電層と、を備え、
前記アモルファス層は、前記アモルファス層に一方側から接する層又は基板を構成する元素と、前記アモルファス層に他方側から接する層又は基板を構成する元素とで構成されており、
前記アモルファス層に前記一方側から接する層又は基板は、前記第1接合層であり、
前記第1導電層は、金、銀、銅、アルミニウム、白金、又は、それらのうちの少なくとも二つを含む合金の層を有する、
複合基板。 - 前記第1接合層は、酸化タンタル、酸化ニオブ、シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタンのうちの少なくとも一つで構成されている、請求項3に記載の複合基板。
- 前記低屈折率層は、酸化シリコン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、フッ化マグネシウム及びフッ化カルシウムのうちの少なくとも一つで構成されている、請求項1から3のいずれか一項に記載の複合基板。
- 前記支持基板は、サイアロン、ムライト、窒化シリコン、酸化マグネシウム、窒化ガリウム、酸化ガリウムのうちのいずれかの基板である、請求項1から5のいずれか一項に記載の複合基板。
- 前記第1導電層は、前記低屈折率層に接しているとともに、前記低屈折率層と接する下地層として、チタン、クロム、ニッケル又は白金の層を有する、請求項1から6のいずれか一項に記載の複合基板。
- 前記アモルファス層に前記他方側から接する層又は基板は、前記支持基板である、請求項1から7のいずれか一項に記載の複合基板。
- 前記アモルファス層と前記支持基板との間に位置する第2接合層をさらに備え、
前記アモルファス層に前記他方側から接する層又は基板は、前記第2接合層である、請求項1から7のいずれか一項に記載の複合基板。 - 前記第2接合層は、酸化タンタル、酸化ニオブ、シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタンのうちの少なくとも一つで構成されている、請求項9に記載の複合基板。
- 前記第2接合層と前記支持基板との間に位置するとともに、前記電気光学結晶基板よりも屈折率の低い第2低屈折率層をさらに備える、請求項9又は10に記載の複合基板。
- 前記アモルファス層と前記支持基板の間に位置するとともに、前記電気光学結晶基板よりも屈折率の低い第2低屈折率層をさらに備え、
前記アモルファス層に前記他方側から接する層又は基板は、前記第2低屈折率層である、請求項1から7のいずれか一項に記載の複合基板。 - 前記電気光学結晶基板の表面には、リッジ部が形成されている、請求項1から12のいずれか一項に記載の複合基板。
- 前記電気光学結晶基板のc軸は、前記電気光学結晶基板に対して平行であり、
前記リッジ部の一方の側面に設けられた第1の電極と、前記リッジ部の他方の側面に設けられ、前記リッジ部を挟んで前記第1の電極に対向する第2の電極とをさらに備える、請求項13に記載の複合基板。 - 前記電気光学結晶基板のc軸は、前記電気光学結晶基板に対して垂直であり、
前記リッジ部の頂上面に設けられた第1の電極と、前記電気光学結晶基板の表面のうちの前記リッジ部の部分を除いた範囲に設けられた第2の電極とをさらに備える、請求項13に記載の複合基板。 - 前記リッジ部内には、不純物を含有する光導波路領域が、前記リッジ部の長手方向に沿って形成されている、請求項13から15のいずれか一項に記載の複合基板。
- 電気光学素子のための複合基板の製造方法であって、
電気光学効果を有する電気光学結晶基板に、前記電気光学結晶基板に接するとともに前記電気光学結晶基板よりも屈折率の低い低屈折率層と第1導電層とを含む、少なくとも一つの層を成膜する工程と、
前記電気光学結晶基板に成膜された前記少なくとも一つの層を、支持基板の表面に直接接合する工程と、
を備え、
前記第1導電層は、金、銀、銅、アルミニウム、白金、又は、それらのうちの少なくとも二つを含む合金の層を有する、
製造方法。 - 前記直接接合は、真空チャンバ内において常温で行わる、請求項17に記載の製造方法。
- 前記直接接合は、各接合面に中性化ビームを照射して行われる、請求項18に記載の製造方法。
- 前記直接接合は、直径4インチの面積に対して100〜20000ニュートンの荷重で行われる、請求項19に記載の製造方法。
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