JP2003156723A - 光導波路デバイス、光変調器、光変調器の実装構造および光導波路基板の支持部材 - Google Patents
光導波路デバイス、光変調器、光変調器の実装構造および光導波路基板の支持部材Info
- Publication number
- JP2003156723A JP2003156723A JP2002219090A JP2002219090A JP2003156723A JP 2003156723 A JP2003156723 A JP 2003156723A JP 2002219090 A JP2002219090 A JP 2002219090A JP 2002219090 A JP2002219090 A JP 2002219090A JP 2003156723 A JP2003156723 A JP 2003156723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- substrate
- electrode
- conductive layer
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
- G02F1/2255—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic component in an electric waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/50—Protective arrangements
- G02F2201/505—Arrangements improving the resistance to acoustic resonance like noise
Abstract
(57)【要約】
【課題】光導波路基板と、この光導波路基板を支持する
支持基体とを備える光導波路デバイスにおいて、光導波
路基板と支持基体との全体へのマイクロ波の基板放射モ
ードに起因する共振現象を抑制する。 【解決手段】デバイス１Ａは、光導波路基板１５Ａと、
光導波路基板１５Ａを支持する支持基体８とを備えてい
る。光導波路基板１５Ａが、電気光学材料からなり、相
対向する一方の主面２ａと対向面２ｂとを備えている基
板本体２、光導波路４Ａ、４Ｂ、および光導波路に電気
信号を印加可能な電極３Ａ、３Ｂ、３Ｃを備えている。
支持基体８のうち光導波路基板１５Ａに対向する対向面
８ａを、導電層７Ａによって被覆する。
支持基体とを備える光導波路デバイスにおいて、光導波
路基板と支持基体との全体へのマイクロ波の基板放射モ
ードに起因する共振現象を抑制する。 【解決手段】デバイス１Ａは、光導波路基板１５Ａと、
光導波路基板１５Ａを支持する支持基体８とを備えてい
る。光導波路基板１５Ａが、電気光学材料からなり、相
対向する一方の主面２ａと対向面２ｂとを備えている基
板本体２、光導波路４Ａ、４Ｂ、および光導波路に電気
信号を印加可能な電極３Ａ、３Ｂ、３Ｃを備えている。
支持基体８のうち光導波路基板１５Ａに対向する対向面
８ａを、導電層７Ａによって被覆する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路デバイ
ス、光変調器、光変調器の実装構造および光導波路基板
の支持部材に関するものである。
ス、光変調器、光変調器の実装構造および光導波路基板
の支持部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】マルチメディアの発展に伴い、通信のブ
ロードバンド化の需要が高まり、１０Ｇｂ／ｓを超える
光伝送システムが実用化され、さらに高速化が期待され
ている。１０Ｇｂ／ｓ以上の電気信号（マイクロ波信
号）を光に変調するデバイスとして、ニオブ酸リチウム
光変調器、あるいは半導体電界吸収型変調器（ＥＡ変調
器）が使用されている。
ロードバンド化の需要が高まり、１０Ｇｂ／ｓを超える
光伝送システムが実用化され、さらに高速化が期待され
ている。１０Ｇｂ／ｓ以上の電気信号（マイクロ波信
号）を光に変調するデバイスとして、ニオブ酸リチウム
光変調器、あるいは半導体電界吸収型変調器（ＥＡ変調
器）が使用されている。
【０００３】ニオブ酸リチウム光変調器の場合、マッハ
ツェンダー型光導波路および進行波型電極から構成さ
れ、１０Ｇｂ／ｓ以上の高速光変調を可能にするための
重要条件としてマイクロ波と光波の速度整合条件を満た
す必要がある。このために、一般的に電極の厚みを大き
くしたり、さらには、基板と電極の間に低誘電率層を形
成することでマイクロ波の実効屈折率を下げ上記速度整
合条件を満足させている。
ツェンダー型光導波路および進行波型電極から構成さ
れ、１０Ｇｂ／ｓ以上の高速光変調を可能にするための
重要条件としてマイクロ波と光波の速度整合条件を満た
す必要がある。このために、一般的に電極の厚みを大き
くしたり、さらには、基板と電極の間に低誘電率層を形
成することでマイクロ波の実効屈折率を下げ上記速度整
合条件を満足させている。
【０００４】一方、速度整合を達成する方法として、光
導波路基板の厚さを例えば１０μｍと薄くする構造が考
えられる。しかし、光導波路部の基板厚みが、光導波路
のサイズ（半値全幅：１／ｅ２）と同程度になるため
に、このスポット形状が偏平化し例えばファイバとの結
合損失が増大したり、さらには薄型加工時の表面ラフネ
スによる伝搬損失が増大する問題があった。このため、
本出願人は、特開平１０−１３３１５９号公報におい
て、進行波形光変調器の光導波路基板を２段構造とし、
光導波路の直下の肉厚部分と肉薄部分を設け、この肉薄
部分の厚さを例えば１０μｍに薄くすることを開示し
た。これによって、光挿入損失の劣化を改善でき、また
酸化珪素からなるバッファ層を形成することなしに高速
光変調が可能であり、さらには駆動電圧Ｖπと電極の長
さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）を小さくできるので、有利であ
る。
導波路基板の厚さを例えば１０μｍと薄くする構造が考
えられる。しかし、光導波路部の基板厚みが、光導波路
のサイズ（半値全幅：１／ｅ２）と同程度になるため
に、このスポット形状が偏平化し例えばファイバとの結
合損失が増大したり、さらには薄型加工時の表面ラフネ
スによる伝搬損失が増大する問題があった。このため、
本出願人は、特開平１０−１３３１５９号公報におい
て、進行波形光変調器の光導波路基板を２段構造とし、
光導波路の直下の肉厚部分と肉薄部分を設け、この肉薄
部分の厚さを例えば１０μｍに薄くすることを開示し
た。これによって、光挿入損失の劣化を改善でき、また
酸化珪素からなるバッファ層を形成することなしに高速
光変調が可能であり、さらには駆動電圧Ｖπと電極の長
さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）を小さくできるので、有利であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】更に、本発明者は、光
導波路基板を薄型化すると共に、光導波路基板の裏面側
に別体の補強基板を接合し、機械的強度を付与すること
を開示した。（特願２００１−１０１７２９明細書）。
本発明で用いる薄い光導波路基板のみの光変調器では、
従来の数１００〜数ｍｍの厚い基板を用いた光変調器で
観測される基板共振による透過特性（S ２１）の損失
（リップル）の問題を回避できる。
導波路基板を薄型化すると共に、光導波路基板の裏面側
に別体の補強基板を接合し、機械的強度を付与すること
を開示した。（特願２００１−１０１７２９明細書）。
本発明で用いる薄い光導波路基板のみの光変調器では、
従来の数１００〜数ｍｍの厚い基板を用いた光変調器で
観測される基板共振による透過特性（S ２１）の損失
（リップル）の問題を回避できる。
【０００６】しかし、薄い光導波路基板を別体の補強基
板に接合した場合には、マイクロ波のＳ２１リップル
が，目的とする周波数帯域以下の領域に出現することが
判明してきた。
板に接合した場合には、マイクロ波のＳ２１リップル
が，目的とする周波数帯域以下の領域に出現することが
判明してきた。
【０００７】１０Ｇｂ／ｓ以上のマイクロ波信号を光変
調器の電力に給電する場合、光導波路基板を保持する補
強基板の幅あるいは厚みが、このマイクロ波の波長と同
程度のサイズになるため、共振現象によるマイクロ波の
透過損失が生ずる。このような透過損失は、いわゆるリ
ップルとして現れる。光変調器の使用可能な周波数帯域
は、リップルの生ずる周波数以下に制限される。従っ
て、例えば光変調器の仕様が４０Ｇｂ／ｓである場合に
は、少なくとも４０ＧＨｚ以下の周波数帯域において、
基板の共振現象によるリップルを抑制する必要がある。
調器の電力に給電する場合、光導波路基板を保持する補
強基板の幅あるいは厚みが、このマイクロ波の波長と同
程度のサイズになるため、共振現象によるマイクロ波の
透過損失が生ずる。このような透過損失は、いわゆるリ
ップルとして現れる。光変調器の使用可能な周波数帯域
は、リップルの生ずる周波数以下に制限される。従っ
て、例えば光変調器の仕様が４０Ｇｂ／ｓである場合に
は、少なくとも４０ＧＨｚ以下の周波数帯域において、
基板の共振現象によるリップルを抑制する必要がある。
【０００８】この共振現象は、光導波路基板のマイクロ
波信号が補強基板に漏洩して補強基板での共振現象が発
生したものと考えられる。
波信号が補強基板に漏洩して補強基板での共振現象が発
生したものと考えられる。
【０００９】本発明の課題は、光導波路基板と、この光
導波路基板を支持する支持基体とを備える光導波路デバ
イスであって、光導波路基板と支持基体との全体へのマ
イクロ波の基板放射モードに起因する共振現象を抑制で
きるようにすることである。
導波路基板を支持する支持基体とを備える光導波路デバ
イスであって、光導波路基板と支持基体との全体へのマ
イクロ波の基板放射モードに起因する共振現象を抑制で
きるようにすることである。
【００１０】また、本発明の課題は、補強基板の共振現
象に起因するマイクロ波の透過特性のリップルを高周波
側へと移行させることである。
象に起因するマイクロ波の透過特性のリップルを高周波
側へと移行させることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、光導波路基板
と、この光導波路基板を支持する支持基体とを備える光
導波路デバイスであって、光導波路基板が、電気光学材
料からなる基板本体、光導波路、および光導波路に電気
信号を印加可能な電極を備えており、光導波路デバイス
が、支持基体のうち光導波路基板に対向する対向面の少
なくとも一部を被覆する導電層を備えていることを特徴
とする、光導波路デバイスに係るものである。また、本
発明は、前記の支持基体と導電層とを備える支持部材に
係るものである。
と、この光導波路基板を支持する支持基体とを備える光
導波路デバイスであって、光導波路基板が、電気光学材
料からなる基板本体、光導波路、および光導波路に電気
信号を印加可能な電極を備えており、光導波路デバイス
が、支持基体のうち光導波路基板に対向する対向面の少
なくとも一部を被覆する導電層を備えていることを特徴
とする、光導波路デバイスに係るものである。また、本
発明は、前記の支持基体と導電層とを備える支持部材に
係るものである。
【００１２】また、本発明は、前記デバイスを備えてい
る光変調器であって、前記光導波路中を伝搬する光を変
調するための電圧を電極によって印加することを特徴と
する、光変調器に係るものである。
る光変調器であって、前記光導波路中を伝搬する光を変
調するための電圧を電極によって印加することを特徴と
する、光変調器に係るものである。
【００１３】また、本発明は、前記光変調器と、この光
変調器を固定するための筐体と、電極に対して高周波電
気信号を供給するための高周波コネクタを備えているこ
とを特徴とする、光変調器の保持構造に係るものであ
る。
変調器を固定するための筐体と、電極に対して高周波電
気信号を供給するための高周波コネクタを備えているこ
とを特徴とする、光変調器の保持構造に係るものであ
る。
【００１４】本発明者は、光導波路基板と、この光導波
路基板を支持する支持基体とを備える光導波路デバイス
において、前述のように例えば２０〜４５ＧＨｚにおい
てリップルが生ずる原因について検討した。この結果、
補強用の支持基板の厚さを薄くすると、共振によるリッ
プルが若干高周波側にシフトすることがわかった。つま
り、基板放射モードに関して、光導波路基板が、別体の
支持基板と一体として働いていることを確認した。
路基板を支持する支持基体とを備える光導波路デバイス
において、前述のように例えば２０〜４５ＧＨｚにおい
てリップルが生ずる原因について検討した。この結果、
補強用の支持基板の厚さを薄くすると、共振によるリッ
プルが若干高周波側にシフトすることがわかった。つま
り、基板放射モードに関して、光導波路基板が、別体の
支持基板と一体として働いていることを確認した。
【００１５】更に、変調器基板（光導波路基板）と補強
基板（支持基板）との間に導電層を形成すると、不要波
（放射波）の基板厚み方向への侵入を補強基板表面でカ
ット（導電層で電界が零になる）でき、共振によるリッ
プルを高周波側にシフトさせることが可能なことを発見
した。これによって、高周波損失を飛躍的に改善でき、
光変調器の作動可能な周波数を高周波側へと移行させる
ことができる。
基板（支持基板）との間に導電層を形成すると、不要波
（放射波）の基板厚み方向への侵入を補強基板表面でカ
ット（導電層で電界が零になる）でき、共振によるリッ
プルを高周波側にシフトさせることが可能なことを発見
した。これによって、高周波損失を飛躍的に改善でき、
光変調器の作動可能な周波数を高周波側へと移行させる
ことができる。
【００１６】なお、光導波路基板のサイズを小さくする
ことで、光導波路基板の共振現象によるリップルを、高
周波帯域に移行させることが知られている（特許第２６
６９０９７号、特開平５−２４１１１５号公報）。しか
し、光導波路基板を支持基体上に担持する構造におい
て、支持基体内部への基板放射モードの存在に起因する
リップルを高周波帯域に移行させることは検討されてい
ない。
ことで、光導波路基板の共振現象によるリップルを、高
周波帯域に移行させることが知られている（特許第２６
６９０９７号、特開平５−２４１１１５号公報）。しか
し、光導波路基板を支持基体上に担持する構造におい
て、支持基体内部への基板放射モードの存在に起因する
リップルを高周波帯域に移行させることは検討されてい
ない。
【００１７】導電層の材質は、マイクロ波電界が実質的
に零になるような材料であることが好ましい。具体的に
は、導電層の材質の体積抵抗率は１０−４Ω・ｃｍ以下
であることが好ましく、更には金、銀、銅などの導電率
の高い金属材料、特に貴金属が好ましい。
に零になるような材料であることが好ましい。具体的に
は、導電層の材質の体積抵抗率は１０−４Ω・ｃｍ以下
であることが好ましく、更には金、銀、銅などの導電率
の高い金属材料、特に貴金属が好ましい。
【００１８】導電層の厚さは特に限定されないが、マイ
クロ波電界を低減するという観点からは 動作周波数で
のマイクロ波の表皮効果を考慮して設定すればよい。望
ましくは、ミリ波帯では０．０５μｍ以上であることが
好ましい。またマイクロ波帯では、０．５μｍ以上であ
ることが望ましい。
クロ波電界を低減するという観点からは 動作周波数で
のマイクロ波の表皮効果を考慮して設定すればよい。望
ましくは、ミリ波帯では０．０５μｍ以上であることが
好ましい。またマイクロ波帯では、０．５μｍ以上であ
ることが望ましい。
【００１９】本導電層は、焦電の影響を抑制することを
目的とする導電層ではなく、支持基体内部へのマイクロ
波電界の基板放射モードをカットするためのものであ
る。このため、導電層は、支持基体の対向面に連続層と
して形成することが好ましい。
目的とする導電層ではなく、支持基体内部へのマイクロ
波電界の基板放射モードをカットするためのものであ
る。このため、導電層は、支持基体の対向面に連続層と
して形成することが好ましい。
【００２０】特に、支持基体の対向面のうち、フィード
スルー部の少なくとも一部を被覆するように導電層を設
けることが好ましい。これは、フィードスルー部におい
て、電極から基板本体および支持基体へのマイクロ波放
射に起因する共振現象が著しいからである。特に好まし
くは、信号電極の端面およびこの信号電極と接地電極と
のギャップと基板本体の側面との間に間隙が設けられて
おり、導電層が対向面のうち少なくとも間隙下を被覆し
ている。こうした電極端面から基板本体側面までの間隙
において、マイクロ波の基板内放射が最も生じやすいか
らである。
スルー部の少なくとも一部を被覆するように導電層を設
けることが好ましい。これは、フィードスルー部におい
て、電極から基板本体および支持基体へのマイクロ波放
射に起因する共振現象が著しいからである。特に好まし
くは、信号電極の端面およびこの信号電極と接地電極と
のギャップと基板本体の側面との間に間隙が設けられて
おり、導電層が対向面のうち少なくとも間隙下を被覆し
ている。こうした電極端面から基板本体側面までの間隙
において、マイクロ波の基板内放射が最も生じやすいか
らである。
【００２１】また、フィードスルー部の他に、信号電極
および接地電極の曲がり部分、および信号電極、接地電
極の線幅のバラツキや、信号電極と接地電極とのギャッ
プのバラツキによってインピーダンス不整合部分が発生
する。こうした不整合部分においてもマイクロ波の基板
内放射が生ずるために、基板との間で共振現象が生じ、
Ｓ２１特性にリップルが発生する可能性がある。支持基
体の対向面のほぼ全面にわたって導電層を形成すること
によって、こうした電極の曲がり、および電極線幅やギ
ャップ幅のバラツキに起因するリップルも効果的に抑制
できる。
および接地電極の曲がり部分、および信号電極、接地電
極の線幅のバラツキや、信号電極と接地電極とのギャッ
プのバラツキによってインピーダンス不整合部分が発生
する。こうした不整合部分においてもマイクロ波の基板
内放射が生ずるために、基板との間で共振現象が生じ、
Ｓ２１特性にリップルが発生する可能性がある。支持基
体の対向面のほぼ全面にわたって導電層を形成すること
によって、こうした電極の曲がり、および電極線幅やギ
ャップ幅のバラツキに起因するリップルも効果的に抑制
できる。
【００２２】支持基体の形状や寸法は特に限定されない
が、好ましくは平板形状である。
が、好ましくは平板形状である。
【００２３】光導波路基板を構成する基板本体は、強誘
電性の電気光学材料、好ましくは単結晶からなる。こう
した結晶は、光の変調が可能であれば特に限定されない
が、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸
リチウム−タンタル酸リチウム固溶体、ニオブ酸カリウ
ムリチウム、ＫＴＰ、ＧａＡｓ及び水晶などを例示する
ことができる。
電性の電気光学材料、好ましくは単結晶からなる。こう
した結晶は、光の変調が可能であれば特に限定されない
が、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸
リチウム−タンタル酸リチウム固溶体、ニオブ酸カリウ
ムリチウム、ＫＴＰ、ＧａＡｓ及び水晶などを例示する
ことができる。
【００２４】電極は、低抵抗でインピーダンス特性に優
れる材料であれば特に限定されるものではなく、金、
銀、銅などの材料から構成することができる。
れる材料であれば特に限定されるものではなく、金、
銀、銅などの材料から構成することができる。
【００２５】支持基体の材質に制限はないが、望ましく
は、基板本体の線熱膨張係数と支持基体の線熱膨張係数
との差を±５０％以下とすることによって、環境温度が
変化したときの光変調の度合いの変化を抑制することが
できる。この場合には、基板本体の材質と支持基体の材
質とは、同種であってもよく、異種であってもよい。
は、基板本体の線熱膨張係数と支持基体の線熱膨張係数
との差を±５０％以下とすることによって、環境温度が
変化したときの光変調の度合いの変化を抑制することが
できる。この場合には、基板本体の材質と支持基体の材
質とは、同種であってもよく、異種であってもよい。
【００２６】また、支持基体を、光導波路基板の電気光
学単結晶の誘電率以上の誘電率を有する材質によって形
成することができる。この場合には、支持基体を、基板
本体を構成する単結晶と同種の単結晶によって形成する
ことが特に好ましい。
学単結晶の誘電率以上の誘電率を有する材質によって形
成することができる。この場合には、支持基体を、基板
本体を構成する単結晶と同種の単結晶によって形成する
ことが特に好ましい。
【００２７】支持基体を構成する材質、特に単結晶と、
基板本体を構成する材質、特に単結晶とが同種のもので
あるとは、基本組成（例えば全体の８０ｍｏｌ％以上を
占める基本組成）が同一であれば足り、他の添加成分に
は異同があってもよい。
基板本体を構成する材質、特に単結晶とが同種のもので
あるとは、基本組成（例えば全体の８０ｍｏｌ％以上を
占める基本組成）が同一であれば足り、他の添加成分に
は異同があってもよい。
【００２８】基板本体の表面（一方の主面）と電極との
間にはバッファ層を設けることができる。バッファ層
は、酸化シリコン、弗化マグネシウム、窒化珪素、及び
アルミナなどの公知の材料を使用することができる。
間にはバッファ層を設けることができる。バッファ層
は、酸化シリコン、弗化マグネシウム、窒化珪素、及び
アルミナなどの公知の材料を使用することができる。
【００２９】好適な実施形態においては、光導波路は、
基板本体の一方の主面側に形成されている。光導波路
は、基板本体の内部に内拡散法やイオン交換法によって
形成された光導波路、例えばチタン拡散光導波路、プロ
トン交換光導波路であってよい。電極は、基板本体の一
方の主面側に設けられているが、基板本体の一方の主面
に直接形成されていてよく、バッファ層の上に形成され
ていてよい。
基板本体の一方の主面側に形成されている。光導波路
は、基板本体の内部に内拡散法やイオン交換法によって
形成された光導波路、例えばチタン拡散光導波路、プロ
トン交換光導波路であってよい。電極は、基板本体の一
方の主面側に設けられているが、基板本体の一方の主面
に直接形成されていてよく、バッファ層の上に形成され
ていてよい。
【００３０】光導波路基板と支持基体との接合方法は特
に限定されない。好適な実施形態においては、両者を接
着する。この場合には、接着剤の屈折率は、基板本体を
構成する電気光学材料の屈折率よりも低いことが好まし
い。また、接着剤の誘電率は、基板本体を構成する電気
光学材料の誘電率よりも低いことが望ましい。
に限定されない。好適な実施形態においては、両者を接
着する。この場合には、接着剤の屈折率は、基板本体を
構成する電気光学材料の屈折率よりも低いことが好まし
い。また、接着剤の誘電率は、基板本体を構成する電気
光学材料の誘電率よりも低いことが望ましい。
【００３１】接着剤の具体例は、前記の条件を満足する
限り特に限定されないが、エポキシ系接着剤、熱硬化型
接着剤、紫外線硬化性接着剤、ニオブ酸リチウムなどの
電気光学効果を有する材料と比較的近い熱膨張係数を有
するアロンセラミックスＣ（商品名、東亜合成社製）
（熱膨張係数１３×１０−６／Ｋ）を例示できる。
限り特に限定されないが、エポキシ系接着剤、熱硬化型
接着剤、紫外線硬化性接着剤、ニオブ酸リチウムなどの
電気光学効果を有する材料と比較的近い熱膨張係数を有
するアロンセラミックスＣ（商品名、東亜合成社製）
（熱膨張係数１３×１０−６／Ｋ）を例示できる。
【００３２】以下、適宜図面を参照しつつ、本発明を更
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
【００３３】好適な実施形態においては、光導波路基板
のうち支持基体に対向する対向面と、導電層との間に、
接合層を介在させる。図１−図３はこの実施形態に係る
ものである。
のうち支持基体に対向する対向面と、導電層との間に、
接合層を介在させる。図１−図３はこの実施形態に係る
ものである。
【００３４】光変調器１Ａは、光導波路基板１５Ａと支
持基板８とを備えている。基板１５Ａ、８は平板形状を
している。基板本体２の一方の主面２ａ上には、所定の
電極３Ａ、３Ｂ、３Ｃが形成されている。本例では、い
わゆるコプレーナ型（Coplanar waveguide：ＣＰＷ電
極) の電極配置を採用しているが、電極の配置形態は特
に限定されない。本例では、隣接する電極の間に一対の
分岐光導波路４Ａ、４Ｂが形成されており，各光導波路
に対して略水平方向に信号電圧を印加するようになって
いる。各光導波路４Ａ、４Ｂは、平面的に見ると、いわ
ゆるマッハツェンダー型の光導波路を構成しているが、
この平面的パターンそれ自体は図示省略する。
持基板８とを備えている。基板１５Ａ、８は平板形状を
している。基板本体２の一方の主面２ａ上には、所定の
電極３Ａ、３Ｂ、３Ｃが形成されている。本例では、い
わゆるコプレーナ型（Coplanar waveguide：ＣＰＷ電
極) の電極配置を採用しているが、電極の配置形態は特
に限定されない。本例では、隣接する電極の間に一対の
分岐光導波路４Ａ、４Ｂが形成されており，各光導波路
に対して略水平方向に信号電圧を印加するようになって
いる。各光導波路４Ａ、４Ｂは、平面的に見ると、いわ
ゆるマッハツェンダー型の光導波路を構成しているが、
この平面的パターンそれ自体は図示省略する。
【００３５】支持基板８の対向面８ａ上に導電層７Ａが
形成されている。導電層７Ａは連続層として対向面８ａ
のほぼ全面を被覆している。導電層７Ａと対向面２ｂと
の間に接合層６Ａが介在しており、接合層６Ａが基板８
と１５Ａとを接合している。２０Ａは支持部材である。
形成されている。導電層７Ａは連続層として対向面８ａ
のほぼ全面を被覆している。導電層７Ａと対向面２ｂと
の間に接合層６Ａが介在しており、接合層６Ａが基板８
と１５Ａとを接合している。２０Ａは支持部材である。
【００３６】好適な実施形態においては、光導波路基板
に空間部を形成する。こうした空間部によって、マイク
ロ波の伝搬速度を向上させることができる。図２、図３
は、この実施形態に係るものである。
に空間部を形成する。こうした空間部によって、マイク
ロ波の伝搬速度を向上させることができる。図２、図３
は、この実施形態に係るものである。
【００３７】好適な実施形態においては、前記空間部と
して、支持基体の対向面に凹部を形成する。図２は、こ
の実施形態に係るものである。
して、支持基体の対向面に凹部を形成する。図２は、こ
の実施形態に係るものである。
【００３８】図２の光導波路デバイス１Ｂにおいて、デ
バイス１Ａと同じ構成部分には同じ符号を付け、その説
明を省略する。基板本体１２の一方の主面１２ａ側に電
極および光導波路が形成されている。基板本体１２の対
向面１２ｂ側には凹部１０が形成されている。この結
果、基板本体１２は、２つの肉薄部分１２ｄと、中央部
１２ｃと、外側の２つの基部１２ｅとを備えている。
バイス１Ａと同じ構成部分には同じ符号を付け、その説
明を省略する。基板本体１２の一方の主面１２ａ側に電
極および光導波路が形成されている。基板本体１２の対
向面１２ｂ側には凹部１０が形成されている。この結
果、基板本体１２は、２つの肉薄部分１２ｄと、中央部
１２ｃと、外側の２つの基部１２ｅとを備えている。
【００３９】支持基板１８の底面１８ｂは平坦である
が、上面１８ａ側には凹部１９が形成されている。そし
て、上面１８ａおよび凹部１９の表面１８ｃの全面にわ
たって導電層７Ｂが形成されている。そして、支持基板
１８の上面１８ａと、基板本体１２の底面１２ｂとが、
接合層６Ｂによって接合されている。２０Ｂは支持部材
である。
が、上面１８ａ側には凹部１９が形成されている。そし
て、上面１８ａおよび凹部１９の表面１８ｃの全面にわ
たって導電層７Ｂが形成されている。そして、支持基板
１８の上面１８ａと、基板本体１２の底面１２ｂとが、
接合層６Ｂによって接合されている。２０Ｂは支持部材
である。
【００４０】このようなデバイス１Ｂによれば、デバイ
ス全体の強度は、比較的に肉厚な支持基板１８によって
主として保持できるので、デバイス全体に取り扱い可能
な強度を付与でき、基板本体１２の反りも生じない。こ
れと共に、基板本体１２は比較的に薄くし、支持基板１
８に設ける凹部１９を充分に深くすることによって、電
極を伝搬するマイクロ波の伝搬速度を大きくすることが
できる。
ス全体の強度は、比較的に肉厚な支持基板１８によって
主として保持できるので、デバイス全体に取り扱い可能
な強度を付与でき、基板本体１２の反りも生じない。こ
れと共に、基板本体１２は比較的に薄くし、支持基板１
８に設ける凹部１９を充分に深くすることによって、電
極を伝搬するマイクロ波の伝搬速度を大きくすることが
できる。
【００４１】本発明においては、支持基板の空間部ない
し凹部に、基板本体を構成する電気光学材料の誘電率よ
りも低い誘電率を有する低誘電率材料を収容することが
できる。この場合には、低誘電率材料が、基板本体１２
に接触するように構成することが好ましい。これによっ
て、薄い基板本体を低誘電率材料によって補強すること
ができる。
し凹部に、基板本体を構成する電気光学材料の誘電率よ
りも低い誘電率を有する低誘電率材料を収容することが
できる。この場合には、低誘電率材料が、基板本体１２
に接触するように構成することが好ましい。これによっ
て、薄い基板本体を低誘電率材料によって補強すること
ができる。
【００４２】低誘電率材料としては、ガラス、エポキシ
系、アクリル系などの有機系接着剤、あるいは半導体製
造用層間絶縁体、ポリイミドを例示できる。
系、アクリル系などの有機系接着剤、あるいは半導体製
造用層間絶縁体、ポリイミドを例示できる。
【００４３】図３に示すデバイス１Ｃにおいては、図２
に示した光導波路基板１２と、図１に示した支持基板８
とを、接合層６Ａによって接合している。
に示した光導波路基板１２と、図１に示した支持基板８
とを、接合層６Ａによって接合している。
【００４４】好適な実施形態においては、光導波路基板
の厚さを２００μｍ以下とし、更に好ましくは１００μ
ｍ以下とする。また、光導波路基板に凹部を設ける場合
には、凹部の領域の厚さを１００μｍ以下とすることが
好ましく、５０μｍ以下、更には３０μｍ以下とするこ
とが好ましい。
の厚さを２００μｍ以下とし、更に好ましくは１００μ
ｍ以下とする。また、光導波路基板に凹部を設ける場合
には、凹部の領域の厚さを１００μｍ以下とすることが
好ましく、５０μｍ以下、更には３０μｍ以下とするこ
とが好ましい。
【００４５】本発明は、いわゆる非対称コプレーナスト
リップライン（Asymmetric coplanar strip line：Ａ−
ＣＰＳ電極) 型の電極配置に対しても適用できる。ま
た、本発明は、いわゆる独立変調型の進行波形光変調器
に対しても適用できる。
リップライン（Asymmetric coplanar strip line：Ａ−
ＣＰＳ電極) 型の電極配置に対しても適用できる。ま
た、本発明は、いわゆる独立変調型の進行波形光変調器
に対しても適用できる。
【００４６】凹部１０、１９は、エキシマレーザーを用
いたレーザーアブレーション加工やダイシング加工によ
って成形できる。
いたレーザーアブレーション加工やダイシング加工によ
って成形できる。
【００４７】好適な実施形態においては、前記導電層に
よって、光導波路基板と支持基体とを接合する。こうし
た導電層は、導電性接合剤からなる。これによって一層
単純な構造を実現できる。
よって、光導波路基板と支持基体とを接合する。こうし
た導電層は、導電性接合剤からなる。これによって一層
単純な構造を実現できる。
【００４８】こうした導電性接合剤としては、カーボン
および銀ペースト、さらには異方導電性フィルムが例示
できる。
および銀ペースト、さらには異方導電性フィルムが例示
できる。
【００４９】図４−図７は、この実施形態に係る各デバ
イスを示す図である。図４のデバイス１Ｄにおいては、
光導波路基板１２と支持基板８とが、導電性接合層１１
Ａによって接合されている。２０Ｃは支持部材である。
イスを示す図である。図４のデバイス１Ｄにおいては、
光導波路基板１２と支持基板８とが、導電性接合層１１
Ａによって接合されている。２０Ｃは支持部材である。
【００５０】図５のデバイス１Ｅにおいては、光導波路
基板１２と支持基板１８とが接合されている。支持基板
１８の上面１８ａおよび凹部１９に露出する表面１８ｃ
を被覆するように、導電層１１Ｂが形成されている。そ
して、光導波路基板１２の対向面１２ｂと支持基板１８
の上面１８ａとが、導電性接合剤１１Ｂによって接合さ
れている。２０Ｄは支持部材である。
基板１２と支持基板１８とが接合されている。支持基板
１８の上面１８ａおよび凹部１９に露出する表面１８ｃ
を被覆するように、導電層１１Ｂが形成されている。そ
して、光導波路基板１２の対向面１２ｂと支持基板１８
の上面１８ａとが、導電性接合剤１１Ｂによって接合さ
れている。２０Ｄは支持部材である。
【００５１】図６のデバイス１Ｆにおいては、光導波路
基板２の対向面２ｂと、支持基板８の表面８ａとが、導
電層１１Ａによって接合されている。
基板２の対向面２ｂと、支持基板８の表面８ａとが、導
電層１１Ａによって接合されている。
【００５２】本発明に係る光変調器の保持構造は、光変
調器と、光変調器を固定するための筐体と、電極に対し
て高周波電気信号を供給するための高周波コネクタを備
えている。筐体や高周波コネクタの形態は特に限定され
ない。
調器と、光変調器を固定するための筐体と、電極に対し
て高周波電気信号を供給するための高周波コネクタを備
えている。筐体や高周波コネクタの形態は特に限定され
ない。
【００５３】特に好適な実施形態においては、本保持構
造をパッケージに実装する場合に、ＶＥＲＴＩＣＡＬ
ＣＯＮＴＡＣＴ ＣＯＡＸＩＡＬタイプ（垂直接触同軸
タイプ）の高周波コネクタを使用する。この形態の利点
について説明する。
造をパッケージに実装する場合に、ＶＥＲＴＩＣＡＬ
ＣＯＮＴＡＣＴ ＣＯＡＸＩＡＬタイプ（垂直接触同軸
タイプ）の高周波コネクタを使用する。この形態の利点
について説明する。
【００５４】ＫコネクタやＶコネクタを使用する場合に
は、光導波路基板の側面から同軸ピンをコンタクトさせ
る。このため、プローバとは異なり、同軸ピンの場合に
は、同軸ピンからの放射波が支持基体側に結合し易くな
り、支持基体における基板共振の影響が顕著になってい
た。
は、光導波路基板の側面から同軸ピンをコンタクトさせ
る。このため、プローバとは異なり、同軸ピンの場合に
は、同軸ピンからの放射波が支持基体側に結合し易くな
り、支持基体における基板共振の影響が顕著になってい
た。
【００５５】図７は、こうした通常のコネクタを利用し
た実施形態に係るものである。本発明の光変調器、例え
ば光変調器１Ｂが、筐体２２の台座２１の表面２１ａ上
に設置されている。そして、筐体２２には外部のコネク
タ２３が取り付けられている。コネクタ２３の先端部２
４には同軸ピン２５が設けられている。
た実施形態に係るものである。本発明の光変調器、例え
ば光変調器１Ｂが、筐体２２の台座２１の表面２１ａ上
に設置されている。そして、筐体２２には外部のコネク
タ２３が取り付けられている。コネクタ２３の先端部２
４には同軸ピン２５が設けられている。
【００５６】上記のＶＥＲＴＩＣＡＬ ＣＯＮＴＡＣＴ
ＣＯＡＸＩＡＬタイプのコネクタを実施した例を図１
０に示す。図１０においては、光変調器１が、筐体２２
の台座２１の上に設置されている。光変調器１の両側の
端面に、それぞれ光ファイバアレイ２６によって光ファ
イバ２７が接続されている。そして、筐体２２には例え
ば一対のコネクタ２８が設けられており、コネクタ２８
の同軸ピンが電極に対して上方から結合されている。従
って、同軸ピンからの放射波は光導波路基板の上面側か
ら放射され、基板側面からの放射波がほとんどない。そ
して、基板上層からの放射波は、本発明の導電層によっ
て支持基体の表面でカットできるために、本発明の効果
が大きい。
ＣＯＡＸＩＡＬタイプのコネクタを実施した例を図１
０に示す。図１０においては、光変調器１が、筐体２２
の台座２１の上に設置されている。光変調器１の両側の
端面に、それぞれ光ファイバアレイ２６によって光ファ
イバ２７が接続されている。そして、筐体２２には例え
ば一対のコネクタ２８が設けられており、コネクタ２８
の同軸ピンが電極に対して上方から結合されている。従
って、同軸ピンからの放射波は光導波路基板の上面側か
ら放射され、基板側面からの放射波がほとんどない。そ
して、基板上層からの放射波は、本発明の導電層によっ
て支持基体の表面でカットできるために、本発明の効果
が大きい。
【００５７】これによって、CPW プローバと同様のコン
タクトが可能となるため、不要波（放射波）の基板厚み
方向への侵入を防ぎ、共振によるリップルを高周波側に
シフトできる。
タクトが可能となるため、不要波（放射波）の基板厚み
方向への侵入を防ぎ、共振によるリップルを高周波側に
シフトできる。
【００５８】好適な実施形態においては、導電層が対向
面のうちフィードスルー部下の領域の少なくとも一部を
被覆する。図１１〜図１４は、この実施形態に係るもの
である。図１１は、光導波路デバイス１Ｇを概略的に示
す平面図であり、図１２は図１１のフィードスルー部の
拡大図であり、図１３は、図１１のデバイスのＸＩＩＩ
−ＸＩＩＩ線断面図であり、図１４は、図１１のＸＩＶ
−ＸＩＶ線断面図である。
面のうちフィードスルー部下の領域の少なくとも一部を
被覆する。図１１〜図１４は、この実施形態に係るもの
である。図１１は、光導波路デバイス１Ｇを概略的に示
す平面図であり、図１２は図１１のフィードスルー部の
拡大図であり、図１３は、図１１のデバイスのＸＩＩＩ
−ＸＩＩＩ線断面図であり、図１４は、図１１のＸＩＶ
−ＸＩＶ線断面図である。
【００５９】基板本体１２、支持基体１８は平板形状を
している。基板本体１２の一方の主面２ａには、いわゆ
るマッハツェンダー型の光導波路４Ａ、４Ｂ、４Ｃが設
けられている。そして、一対の接地電極３Ａと３Ｃとの
間に信号電極３Ｂが設けられている。
している。基板本体１２の一方の主面２ａには、いわゆ
るマッハツェンダー型の光導波路４Ａ、４Ｂ、４Ｃが設
けられている。そして、一対の接地電極３Ａと３Ｃとの
間に信号電極３Ｂが設けられている。
【００６０】支持基板１８の対向面１８ａ側に凹面１８
ｃが形成されている。凹面１８ｃは好ましくは滑らかな
湾曲面である。基板本体１２の形態は、図２の基板本体
１２とほぼ同じである。支持基体１８の対向面１８ａと
基板本体１２の基部１２ｅとの間に接合層６Ｂが介在し
ており、接合層６Ｂが基板本体１２と支持基体１８とを
接合している。２０Ｄは支持部材である。
ｃが形成されている。凹面１８ｃは好ましくは滑らかな
湾曲面である。基板本体１２の形態は、図２の基板本体
１２とほぼ同じである。支持基体１８の対向面１８ａと
基板本体１２の基部１２ｅとの間に接合層６Ｂが介在し
ており、接合層６Ｂが基板本体１２と支持基体１８とを
接合している。２０Ｄは支持部材である。
【００６１】本例では電極３Ａ、３Ｂ、３Ｃに一対のフ
ィードスルー部３２Ａ、３２Ｂが設けられている。各フ
ィードスルー部において、信号電極の端部３０は幅が広
がっており、また信号電極の端部３０と接地電極３Ａ、
３Ｃとのギャップ５ａ、５ｂも幅が広がっている。これ
は、外部コネクタの電極の特性インピーダンスとの整合
を図るためである。
ィードスルー部３２Ａ、３２Ｂが設けられている。各フ
ィードスルー部において、信号電極の端部３０は幅が広
がっており、また信号電極の端部３０と接地電極３Ａ、
３Ｃとのギャップ５ａ、５ｂも幅が広がっている。これ
は、外部コネクタの電極の特性インピーダンスとの整合
を図るためである。
【００６２】本例においては、信号電極３０の端面３０
ａおよび信号電極３０と接地電極３Ａ、３Ｃとのギャッ
プ５ａ、５ｂと、基板本体１２の側面１２ｆとの間に、
間隙３３が設けられている。そして、導電層３１Ａ、３
１Ｂが、対向面１８ａのうち間隙３３下の領域を被覆す
る。これによって、信号電極および接地電極端部と外部
コネクタへの接続部分における基板内放射によるリップ
ルを低減できる。
ａおよび信号電極３０と接地電極３Ａ、３Ｃとのギャッ
プ５ａ、５ｂと、基板本体１２の側面１２ｆとの間に、
間隙３３が設けられている。そして、導電層３１Ａ、３
１Ｂが、対向面１８ａのうち間隙３３下の領域を被覆す
る。これによって、信号電極および接地電極端部と外部
コネクタへの接続部分における基板内放射によるリップ
ルを低減できる。
【００６３】導電層は、対向面のうち、間隙３３の直下
の領域を被覆していることが好ましい。しかし、図１２
に示す３１Ａのように、間隙３３の周囲も被覆している
ことが一層好ましい。具体的には、ギャップ５ａ、５ｂ
の大きさをＧとしたとき、導電層３１Ａの外周縁と間隙
３３の外周縁との間隔を２Ｇ以上とすることが好まし
く、３Ｇ以上とすることが一層好ましい。これによっ
て、電極と外部コネクタとの接続部分における基板内放
射を一層効果的に抑制できる。
の領域を被覆していることが好ましい。しかし、図１２
に示す３１Ａのように、間隙３３の周囲も被覆している
ことが一層好ましい。具体的には、ギャップ５ａ、５ｂ
の大きさをＧとしたとき、導電層３１Ａの外周縁と間隙
３３の外周縁との間隔を２Ｇ以上とすることが好まし
く、３Ｇ以上とすることが一層好ましい。これによっ
て、電極と外部コネクタとの接続部分における基板内放
射を一層効果的に抑制できる。
【００６４】好適な実施形態においては、支持基体の幅
方向の一対の側面にそれぞれ側面導電層が形成されてお
り、これら一対の側面導電層が電気的に接続されてい
る。これによって前記リップルの発生率が一層低くなっ
た。
方向の一対の側面にそれぞれ側面導電層が形成されてお
り、これら一対の側面導電層が電気的に接続されてい
る。これによって前記リップルの発生率が一層低くなっ
た。
【００６５】図１５、図１６は、この実施形態に係るも
のである。図１５は、本発明の光導波路デバイス１Ｈを
示す平面図であり、図１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ
線断面図である。
のである。図１５は、本発明の光導波路デバイス１Ｈを
示す平面図であり、図１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ
線断面図である。
【００６６】本例において、基板本体１２、支持基体１
８は、図２のものと同じである。本例では、支持基体１
８の両側面１８ｆ、１８ｇ上、および、基板本体１２の
両側面１２ｆ、１２ｇを被覆するように、側面導電層３
６Ａ、３６Ｂが形成されている。側面導電層３６Ａ、３
６Ｂは、底面１８ｂ上の電気接続部３５によって電気的
に接続されている。
８は、図２のものと同じである。本例では、支持基体１
８の両側面１８ｆ、１８ｇ上、および、基板本体１２の
両側面１２ｆ、１２ｇを被覆するように、側面導電層３
６Ａ、３６Ｂが形成されている。側面導電層３６Ａ、３
６Ｂは、底面１８ｂ上の電気接続部３５によって電気的
に接続されている。
【００６７】側面導電層の材質は特に限定されないが、
この材質の体積抵抗率は１０−４Ω・ｃｍ以下であるこ
とが好ましく、更には金、銀、銅などの導電率の高い金
属材料、特に貴金属が好ましい。
この材質の体積抵抗率は１０−４Ω・ｃｍ以下であるこ
とが好ましく、更には金、銀、銅などの導電率の高い金
属材料、特に貴金属が好ましい。
【００６８】側面導電層の厚さは特に限定されないが、
マイクロ波電界を低減するという観点からは 動作周波
数でのマイクロ波の表皮効果を考慮して設定すればよ
い。望ましくは、ミリ波帯では０．０５μｍ以上である
ことが好ましい。またマイクロ波帯では、０．５μｍ以
上であることが望ましい。
マイクロ波電界を低減するという観点からは 動作周波
数でのマイクロ波の表皮効果を考慮して設定すればよ
い。望ましくは、ミリ波帯では０．０５μｍ以上である
ことが好ましい。またマイクロ波帯では、０．５μｍ以
上であることが望ましい。
【００６９】一対の側面導電層の電気的接続方法は限定
されない。例えば接続部３５を基板本体１２上に設ける
ことができる。また、対向面上の導電層７Ｂによって各
側面導電層を電気的に接続することも可能である。更
に、ボンディングワイーによって一対の側面導電層を接
続することも可能である。
されない。例えば接続部３５を基板本体１２上に設ける
ことができる。また、対向面上の導電層７Ｂによって各
側面導電層を電気的に接続することも可能である。更
に、ボンディングワイーによって一対の側面導電層を接
続することも可能である。
【００７０】
【実施例】（実施例１）図１に示す光変調器１Ａを製造
した。具体的には、Ｘカットした３インチウエハー（Ｌ
ｉＮｂＯ３単結晶）を使用し、チタン拡散プロセスとフ
ォトリソグラフィー法とによって、ウエハーの表面にマ
ッハツェンダー型の光導波路４Ａ、４Ｂを形成した。光
導波路のサイズは、例えば１／ｅ２で１０μｍとでき
る。次いで、メッキプロセスにより、ＣＰＷ電極３Ａ、
３Ｂ、３Ｃを形成した。中心電極３Ｂとグランド電極３
Ａ、３Ｃとのギャップを４０μｍとし、電極の厚みを３
０μｍとし、電極長を４０ｍｍとした。
した。具体的には、Ｘカットした３インチウエハー（Ｌ
ｉＮｂＯ３単結晶）を使用し、チタン拡散プロセスとフ
ォトリソグラフィー法とによって、ウエハーの表面にマ
ッハツェンダー型の光導波路４Ａ、４Ｂを形成した。光
導波路のサイズは、例えば１／ｅ２で１０μｍとでき
る。次いで、メッキプロセスにより、ＣＰＷ電極３Ａ、
３Ｂ、３Ｃを形成した。中心電極３Ｂとグランド電極３
Ａ、３Ｃとのギャップを４０μｍとし、電極の厚みを３
０μｍとし、電極長を４０ｍｍとした。
【００７１】次に、研磨定盤に研磨ダミー基板を固定
し、その上に変調器用の基板本体を、電極面を下向きに
して貼り付けた。次に、横型研磨、ラップおよびポリッ
シング（ＣＭＰ）にて１５μｍ厚みまで変調器用の基板
本体２を薄型加工した。次いで、平板状の支持基板８の
対向面８ａに、Ａｕからなる導電層７Ａを厚さ１μｍ成
膜し、図１のように変調器基板に接着固定した。接着固
定用の樹脂は、樹脂厚１００μｍのフィルム樹脂を使用
した。光導波路の端面（光ファイバーへの接続部）を端
面研磨し、ダイシングにてウエハーを切断し、各チップ
を得た。チップの幅を４．４ｍｍとし、デバイス１Ａの
全厚さを１ｍｍとした。
し、その上に変調器用の基板本体を、電極面を下向きに
して貼り付けた。次に、横型研磨、ラップおよびポリッ
シング（ＣＭＰ）にて１５μｍ厚みまで変調器用の基板
本体２を薄型加工した。次いで、平板状の支持基板８の
対向面８ａに、Ａｕからなる導電層７Ａを厚さ１μｍ成
膜し、図１のように変調器基板に接着固定した。接着固
定用の樹脂は、樹脂厚１００μｍのフィルム樹脂を使用
した。光導波路の端面（光ファイバーへの接続部）を端
面研磨し、ダイシングにてウエハーを切断し、各チップ
を得た。チップの幅を４．４ｍｍとし、デバイス１Ａの
全厚さを１ｍｍとした。
【００７２】１．５５μｍ用偏波保持光ファイバー、あ
るいは１．３μｍシングルモードファイバーを保持した
単芯ファイバーアレイをそれぞれ作製し、前者を入力側
に後者を出力側として光変調器チップ１Ａに結合し、光
ファイバーと光導波路とを調芯し、紫外線硬化型樹脂に
よって接着した。
るいは１．３μｍシングルモードファイバーを保持した
単芯ファイバーアレイをそれぞれ作製し、前者を入力側
に後者を出力側として光変調器チップ１Ａに結合し、光
ファイバーと光導波路とを調芯し、紫外線硬化型樹脂に
よって接着した。
【００７３】次いで、ベクトルネットワークアナライザ
でＳ２１特性を測定した。使用したプローブは、Cascad
e 製ＣＰＷプローブ「ACP ５０−２５０」とした。この
結果を図８（実線）に示す。この結果、マイクロ波実効
屈折率ｎｍ＝２．４であった。また、測定周波数領域で
リップルがない周波数特性を示した。
でＳ２１特性を測定した。使用したプローブは、Cascad
e 製ＣＰＷプローブ「ACP ５０−２５０」とした。この
結果を図８（実線）に示す。この結果、マイクロ波実効
屈折率ｎｍ＝２．４であった。また、測定周波数領域で
リップルがない周波数特性を示した。
【００７４】（実施例２）図２に示すデバイス１Ｂを製
造した。まず、実施例１と同様にして、ｘカットニオブ
酸リチウム基板上に、Ｔｉ拡散導波路およびＣＰＷ電極
を形成した。電極構造は実施例１と同じである。次に、
研磨定盤に研磨ダミー基板を貼り付け、その上に変調器
用の基板本体を、電極面を下向きにして貼り付けた。横
型研磨、ラップおよびポリッシング（ＣＭＰ）にて１５
μｍ厚みまで変調器用の基板本体を薄型加工した。次い
で、エキシマレーザーにより、グランド電極近傍の基板
本体の厚みが１０μｍになるように加工し、溝１０を形
成した。一方、幅０．３ｍｍおよび深さ０．１ｍｍの溝
１９が形成されている支持基板１８の対向面１８ａ、１
８ｃに、金からなる厚さ１μｍの導電層７Ｂを成膜し
た。支持基板１８を光導波路基板１５Ｂに接着固定し、
光導波路の光ファイバーへの接続部を端面研磨し、ダイ
シングにてウエハーを切断し、各チップを得た。接着固
定用の樹脂は、樹脂厚１００μｍのエポキシ系フィルム
樹脂を使用した。チップ１Ｂの幅を４．４ｍｍとし、チ
ップ１Ｂの全厚さを１ｍｍとした。
造した。まず、実施例１と同様にして、ｘカットニオブ
酸リチウム基板上に、Ｔｉ拡散導波路およびＣＰＷ電極
を形成した。電極構造は実施例１と同じである。次に、
研磨定盤に研磨ダミー基板を貼り付け、その上に変調器
用の基板本体を、電極面を下向きにして貼り付けた。横
型研磨、ラップおよびポリッシング（ＣＭＰ）にて１５
μｍ厚みまで変調器用の基板本体を薄型加工した。次い
で、エキシマレーザーにより、グランド電極近傍の基板
本体の厚みが１０μｍになるように加工し、溝１０を形
成した。一方、幅０．３ｍｍおよび深さ０．１ｍｍの溝
１９が形成されている支持基板１８の対向面１８ａ、１
８ｃに、金からなる厚さ１μｍの導電層７Ｂを成膜し
た。支持基板１８を光導波路基板１５Ｂに接着固定し、
光導波路の光ファイバーへの接続部を端面研磨し、ダイ
シングにてウエハーを切断し、各チップを得た。接着固
定用の樹脂は、樹脂厚１００μｍのエポキシ系フィルム
樹脂を使用した。チップ１Ｂの幅を４．４ｍｍとし、チ
ップ１Ｂの全厚さを１ｍｍとした。
【００７５】ベクトルネットワークアナライザでＳ２１
特性を測定した。使用したプローブは、Cascade 製ＣＰ
Ｗプローブ「ACP ５０−２５０」とした。この結果を図
９に示す。この結果、マイクロ波実効屈折率ｎｍ＝２．
１９であった。また、測定周波数領域でリップルがない
周波数特性を示した。
特性を測定した。使用したプローブは、Cascade 製ＣＰ
Ｗプローブ「ACP ５０−２５０」とした。この結果を図
９に示す。この結果、マイクロ波実効屈折率ｎｍ＝２．
１９であった。また、測定周波数領域でリップルがない
周波数特性を示した。
【００７６】次に、図１０に示すように、本光変調器１
Ｂを、ＶＥＲＴＩＣＡＬＣＯＮＴＡＣＴ ＣＯＡＸＩＡ
Ｌタイプのコネクタを用いて実装した。次いで、、ベク
トルネットワークアナライザでＳ２１特性を測定した。
この結果、プローブ測定と全く同様のＳ２１特性を示
し、測定周波数領域でリップルがない周波数特性を示し
た。
Ｂを、ＶＥＲＴＩＣＡＬＣＯＮＴＡＣＴ ＣＯＡＸＩＡ
Ｌタイプのコネクタを用いて実装した。次いで、、ベク
トルネットワークアナライザでＳ２１特性を測定した。
この結果、プローブ測定と全く同様のＳ２１特性を示
し、測定周波数領域でリップルがない周波数特性を示し
た。
【００７７】（実施例３）図３に示す光変調器１Ｃを製
造した。実施例２と同様にして、光導波路基板１５Ｃを
製造した。次いで、平板状の支持基板８の表面に、金か
らなる導電層７Ａ（厚さ１μｍ）を成膜し、光変調器用
の基板本体１２を接着固定し、光変調器１Ｃを得た。光
導波路の光ファイバーへの接続部を端面研磨し、ダイシ
ングにてウエハーを切り出し、各チップを得た。接着固
定用の樹脂は、樹脂厚１００μｍのエポキシ系フィルム
樹脂を使用した。チップ１Ｃの幅を４．４ｍｍとし、チ
ップ１Ｃの全厚さを１ｍｍとした。
造した。実施例２と同様にして、光導波路基板１５Ｃを
製造した。次いで、平板状の支持基板８の表面に、金か
らなる導電層７Ａ（厚さ１μｍ）を成膜し、光変調器用
の基板本体１２を接着固定し、光変調器１Ｃを得た。光
導波路の光ファイバーへの接続部を端面研磨し、ダイシ
ングにてウエハーを切り出し、各チップを得た。接着固
定用の樹脂は、樹脂厚１００μｍのエポキシ系フィルム
樹脂を使用した。チップ１Ｃの幅を４．４ｍｍとし、チ
ップ１Ｃの全厚さを１ｍｍとした。
【００７８】実施例１と同様にしてＳ２１特性を測定し
た。この結果、測定周波数領域でリップルがない周波数
特性を示した。
た。この結果、測定周波数領域でリップルがない周波数
特性を示した。
【００７９】（実施例４）図４に示すデバイス１Ｄを製
造した。まず、実施例２と同様にして光導波路基板１５
Ｃを製造した。次いで、光導波路基板１５Ｃの底面を、
平板状の支持基板８の表面８ａに対して、Ａｇペースト
で接着固定し、光変調器１Ｄを得た。
造した。まず、実施例２と同様にして光導波路基板１５
Ｃを製造した。次いで、光導波路基板１５Ｃの底面を、
平板状の支持基板８の表面８ａに対して、Ａｇペースト
で接着固定し、光変調器１Ｄを得た。
【００８０】次いで、光導波路の光ファイバーへの接続
部を端面研磨し、ダイシングにてウエハーを切り出し、
各チップを得た。接着固定用の樹脂は、樹脂厚１００μ
ｍのフィルム樹脂を使用した。チップ１Ｄの幅を４．４
ｍｍとし、チップ１Ｄの全厚さを１ｍｍとした。
部を端面研磨し、ダイシングにてウエハーを切り出し、
各チップを得た。接着固定用の樹脂は、樹脂厚１００μ
ｍのフィルム樹脂を使用した。チップ１Ｄの幅を４．４
ｍｍとし、チップ１Ｄの全厚さを１ｍｍとした。
【００８１】実施例１と同様にしてＳ２１特性を測定し
た。この結果、測定周波数領域でリップルがなく、損失
のない周波数特性を示した。
た。この結果、測定周波数領域でリップルがなく、損失
のない周波数特性を示した。
【００８２】（実施例５）図５に示す光変調器１Ｅを製
造した。具体的には、実施例２と同様にして、光導波路
基板１５Ｃを製造した。また、実施例２と同様にして、
支持基板１８の表面１８ａに溝１９を形成した。次い
で、光導波路基板１５Ｃの底面を、支持基板１８の上面
１８ａに対して、Ａｇペーストで接着固定し、光変調器
１Ｅを得た。
造した。具体的には、実施例２と同様にして、光導波路
基板１５Ｃを製造した。また、実施例２と同様にして、
支持基板１８の表面１８ａに溝１９を形成した。次い
で、光導波路基板１５Ｃの底面を、支持基板１８の上面
１８ａに対して、Ａｇペーストで接着固定し、光変調器
１Ｅを得た。
【００８３】次いで、光導波路の光ファイバーへの接続
部を端面研磨し、ダイシングにてウエハーを切り出し、
各チップを得た。接着固定用の樹脂は、樹脂厚１００μ
ｍのフィルム樹脂を使用した。チップ１Ｅの幅を４．４
ｍｍとし、チップ１Ｂの全厚さを１ｍｍとした。
部を端面研磨し、ダイシングにてウエハーを切り出し、
各チップを得た。接着固定用の樹脂は、樹脂厚１００μ
ｍのフィルム樹脂を使用した。チップ１Ｅの幅を４．４
ｍｍとし、チップ１Ｂの全厚さを１ｍｍとした。
【００８４】実施例１と同様にしてＳ２１特性を測定し
た。この結果、測定周波数領域でリップルのない周波数
特性を示した。
た。この結果、測定周波数領域でリップルのない周波数
特性を示した。
【００８５】（比較例１）実施例１と同様にして、光導
波路基板１５Ａを製造した。そして、平板状の支持基板
８の表面８ａに、導電層を設けることなしに、光変調器
用の基板本体２を接着固定し、光変調器を得た。接着固
定用の樹脂は、樹脂厚１００μｍのフィルム樹脂を使用
した。
波路基板１５Ａを製造した。そして、平板状の支持基板
８の表面８ａに、導電層を設けることなしに、光変調器
用の基板本体２を接着固定し、光変調器を得た。接着固
定用の樹脂は、樹脂厚１００μｍのフィルム樹脂を使用
した。
【００８６】次いで、光導波路の光ファイバーへの接続
部を端面研磨し、ダイシングにてウエハーを切り出し、
各チップを得た。接着固定用の樹脂は、樹脂厚１００μ
ｍのフィルム樹脂を使用した。チップ１Ｅの幅を４．４
ｍｍとし、チップ１Ｂの全厚さを１ｍｍとした。
部を端面研磨し、ダイシングにてウエハーを切り出し、
各チップを得た。接着固定用の樹脂は、樹脂厚１００μ
ｍのフィルム樹脂を使用した。チップ１Ｅの幅を４．４
ｍｍとし、チップ１Ｂの全厚さを１ｍｍとした。
【００８７】実施例１と同様にしてＳ２１特性を測定し
た。この結果を図８（破線）に示す。ｆｒ＝２５ＧＨｚ
でリップルが発生し、周波数特性が劣化した。
た。この結果を図８（破線）に示す。ｆｒ＝２５ＧＨｚ
でリップルが発生し、周波数特性が劣化した。
【００８８】（実施例６）図１１〜図１４に示す光変調
器を製造した。具体的には、実施例２と同様にして光導
波路基板１２を製造した。次いで、図１１、１２、１４
に示すように、コネクタ接続部直下の領域において、支
持基板１８の対向面に導電層３１Ａ（厚さ１μｍ）を成
膜した。導電層３１Ａの形状は長方形とし、長さはＷ＋
２Ｇ以上とし、幅は基板側面１２ｆから電極３０の端面
の直下に到達するまでとした。具体的には、Ｇ＝４０μ
ｍ、Ｗ＝５００μｍの場合、導電層３１Ａの長さを５８
０μｍとし、幅を１５０μｍとした。コプレーナ電極の
入出力部の領域にＡｕを設けた。
器を製造した。具体的には、実施例２と同様にして光導
波路基板１２を製造した。次いで、図１１、１２、１４
に示すように、コネクタ接続部直下の領域において、支
持基板１８の対向面に導電層３１Ａ（厚さ１μｍ）を成
膜した。導電層３１Ａの形状は長方形とし、長さはＷ＋
２Ｇ以上とし、幅は基板側面１２ｆから電極３０の端面
の直下に到達するまでとした。具体的には、Ｇ＝４０μ
ｍ、Ｗ＝５００μｍの場合、導電層３１Ａの長さを５８
０μｍとし、幅を１５０μｍとした。コプレーナ電極の
入出力部の領域にＡｕを設けた。
【００８９】次いで、光導波路基板の基板本体１２と支
持基体１８とを接着固定し、光変調器１Ｇを得た。光導
波路４Ｃの光ファイバーへの接続部を端面研磨し、ダイ
シングにてウエハーを切り出し、各チップを得た。接着
固定用の樹脂６Ｂは、樹脂厚１００μｍのエポキシ系フ
ィルム樹脂を使用した。チップの幅を４．４ｍｍとし、
チップの全厚さを１ｍｍとした。
持基体１８とを接着固定し、光変調器１Ｇを得た。光導
波路４Ｃの光ファイバーへの接続部を端面研磨し、ダイ
シングにてウエハーを切り出し、各チップを得た。接着
固定用の樹脂６Ｂは、樹脂厚１００μｍのエポキシ系フ
ィルム樹脂を使用した。チップの幅を４．４ｍｍとし、
チップの全厚さを１ｍｍとした。
【００９０】また、Ｖコネクタ用ガラスビーズの同軸ピ
ンを、信号電極に直接に接続し、接地電極はパッケージ
と導通をとった。ベクトルネットワークアナライザでＳ
２１特性を測定した。測定周波数領域においてリップル
が観測されなかった。しかし、コプレーナ線路の曲がり
部、および線路内の線幅およびギャップ幅などのバラツ
キによるインピーダンス不整合部によって、マイクロ波
信号が放射し、基板との間で共振現象が生じ、Ｓ２１特
性がリップルが発生する場合があった。
ンを、信号電極に直接に接続し、接地電極はパッケージ
と導通をとった。ベクトルネットワークアナライザでＳ
２１特性を測定した。測定周波数領域においてリップル
が観測されなかった。しかし、コプレーナ線路の曲がり
部、および線路内の線幅およびギャップ幅などのバラツ
キによるインピーダンス不整合部によって、マイクロ波
信号が放射し、基板との間で共振現象が生じ、Ｓ２１特
性がリップルが発生する場合があった。
【００９１】（実施例７）図１５、図１６に示す光変調
器１Ｈを製造した。具体的には、実施例２と同様にし
て、光導波路基板１２を製造した。次いで、平板状の支
持基板１８の対向面１８ａに、金からなる導電層７Ｂ
（厚さ１μｍ）を成膜し、光変調器用の基板本体１２を
接着固定し、光変調器１Ｈを得た。光導波路４Ｃの光フ
ァイバーへの接続部を端面研磨し、ダイシングにてウエ
ハーを切り出し、各チップを得た。接着固定用の樹脂６
Ｂは、樹脂厚１００μｍのエポキシ系フィルム樹脂を使
用した。チップの幅を４．４ｍｍとし、チップの全厚さ
を１ｍｍとした。
器１Ｈを製造した。具体的には、実施例２と同様にし
て、光導波路基板１２を製造した。次いで、平板状の支
持基板１８の対向面１８ａに、金からなる導電層７Ｂ
（厚さ１μｍ）を成膜し、光変調器用の基板本体１２を
接着固定し、光変調器１Ｈを得た。光導波路４Ｃの光フ
ァイバーへの接続部を端面研磨し、ダイシングにてウエ
ハーを切り出し、各チップを得た。接着固定用の樹脂６
Ｂは、樹脂厚１００μｍのエポキシ系フィルム樹脂を使
用した。チップの幅を４．４ｍｍとし、チップの全厚さ
を１ｍｍとした。
【００９２】次いで、基板本体１２、接着固定用樹脂６
Ｂ、および支持基板１８の両側面のエッジ部にカーボン
ペーストを塗布し、側面導電層３６Ａ、３６Ｂを成膜し
た。また、カーボンペーストを支持基板１８の底面１８
ｂに塗布し、導電性接続部３５を形成した。
Ｂ、および支持基板１８の両側面のエッジ部にカーボン
ペーストを塗布し、側面導電層３６Ａ、３６Ｂを成膜し
た。また、カーボンペーストを支持基板１８の底面１８
ｂに塗布し、導電性接続部３５を形成した。
【００９３】また、Ｖコネクタ用ガラスビーズの同軸ピ
ンを信号電極に直接に接続し、接地電極はパッケージと
導通をとった。ベクトルネットワークアナライザでＳ２
１特性を測定した。測定周波数領域においてリップルが
観測されなかった。この場合、基板本体、支持基体の各
側面部上の導電膜を短絡させることにより、リップルの
発生率がさらに低下した。
ンを信号電極に直接に接続し、接地電極はパッケージと
導通をとった。ベクトルネットワークアナライザでＳ２
１特性を測定した。測定周波数領域においてリップルが
観測されなかった。この場合、基板本体、支持基体の各
側面部上の導電膜を短絡させることにより、リップルの
発生率がさらに低下した。
【００９４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、光
導波路基板と、この光導波路基板を支持する支持基体と
を備える光導波路デバイスにおいて、光導波路基板と支
持基体との全体へのマイクロ波の基板放射モードに起因
する共振現象を抑制できる。
導波路基板と、この光導波路基板を支持する支持基体と
を備える光導波路デバイスにおいて、光導波路基板と支
持基体との全体へのマイクロ波の基板放射モードに起因
する共振現象を抑制できる。
【図１】本発明例の光導波路デバイス１Ａを概略的に示
す正面図である。
す正面図である。
【図２】他の実施形態に係る光導波路デバイス１Ｂを概
略的に示す正面図である。
略的に示す正面図である。
【図３】更に他の実施形態に係る光導波路デバイス１Ｃ
を概略的に示す正面図である。
を概略的に示す正面図である。
【図４】更に他の実施形態に係る光導波路デバイス１Ｄ
を概略的に示す正面図である。
を概略的に示す正面図である。
【図５】更に他の実施形態に係る光導波路デバイス１Ｅ
を概略的に示す正面図である。
を概略的に示す正面図である。
【図６】更に他の実施形態に係る光導波路デバイス１Ｆ
を概略的に示す正面図である。
を概略的に示す正面図である。
【図７】光変調器をV コネクタに取り付けた状態を概略
的に示す図である。
的に示す図である。
【図８】本発明の実施例１および比較例１において，Ｓ
２１の周波数特性を示すグラフである。
２１の周波数特性を示すグラフである。
【図９】本発明の実施例２におけるＳ２１の周波数特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図１０】光変調器をＶＥＲＴＩＣＡＬ ＣＯＮＴＡＣ
Ｔ ＣＯＡＸＩＡＬタイプのコネクタに取り付けた状態
を概略的に示す図である。
Ｔ ＣＯＡＸＩＡＬタイプのコネクタに取り付けた状態
を概略的に示す図である。
【図１１】他の実施形態に係る光導波路デバイス１Ｇを
概略的に示す平面図であり、信号電極３Ｂ、接地電極３
Ａ、３Ｃ、ギャップ５ａ、５ｂ、５、間隙３３および導
電層３１Ａ、３１Ｂの平面的位置関係を示す。
概略的に示す平面図であり、信号電極３Ｂ、接地電極３
Ａ、３Ｃ、ギャップ５ａ、５ｂ、５、間隙３３および導
電層３１Ａ、３１Ｂの平面的位置関係を示す。
【図１２】図１１において、デバイスのフィードスルー
部の周辺の拡大図である。
部の周辺の拡大図である。
【図１３】図１１のデバイスのＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線断
面図である。
面図である。
【図１４】図１１のデバイスのＸＩＶ−ＸＩＶ線断面図
である。
である。
【図１５】更に他の実施形態に係る光導波路デバイス１
Ｈを概略的に示す平面図であり、基板本体１２の側面１
２ｆ、１２ｇ上に各導電層３６Ｂ、３６Ａが形成されて
いる。
Ｈを概略的に示す平面図であり、基板本体１２の側面１
２ｆ、１２ｇ上に各導電層３６Ｂ、３６Ａが形成されて
いる。
【図１６】図１５のデバイス１ＨのＸＶＩ−ＸＶＩ線断
面図である。
面図である。
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ 光
導波路デバイス ２、１２ 基板本体 ２
ａ、１２ａ 基板本体の一方の主面 ２ｂ １２
ｂ 基板本体の対向面 ３Ａ、３Ｂ、３Ｃ 電極
４Ａ、４Ｂ 光導波路 ５ ギャップ ５
ａ、５ｂ フィードスルー部におけるギャップ
６Ａ、６Ｂ 接合層 ７Ａ、７Ｂ導電層
８、１８ 支持基板 ８ａ、１８ａ、１８ｃ 支
持基板の対向面 １０ 光導波路基板の凹部
１１Ａ、１１Ｂ 導電性の接合層 １５Ａ、
１５Ｂ、１５Ｃ 光導波路基板 １９ 支持基板
の凹部（空間部） ２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２
０Ｄ 支持部材 ３０ 信号電極５の端部（入出力部） ３１Ａ、
３１Ｂ 導電層 ３２Ａ、３２Ｂ フィードスルー部 ３３ 間隙
３６Ａ、３６Ｂ 側面導電層
導波路デバイス ２、１２ 基板本体 ２
ａ、１２ａ 基板本体の一方の主面 ２ｂ １２
ｂ 基板本体の対向面 ３Ａ、３Ｂ、３Ｃ 電極
４Ａ、４Ｂ 光導波路 ５ ギャップ ５
ａ、５ｂ フィードスルー部におけるギャップ
６Ａ、６Ｂ 接合層 ７Ａ、７Ｂ導電層
８、１８ 支持基板 ８ａ、１８ａ、１８ｃ 支
持基板の対向面 １０ 光導波路基板の凹部
１１Ａ、１１Ｂ 導電性の接合層 １５Ａ、
１５Ｂ、１５Ｃ 光導波路基板 １９ 支持基板
の凹部（空間部） ２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２
０Ｄ 支持部材 ３０ 信号電極５の端部（入出力部） ３１Ａ、
３１Ｂ 導電層 ３２Ａ、３２Ｂ フィードスルー部 ３３ 間隙
３６Ａ、３６Ｂ 側面導電層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 青木 謙治
愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日
本碍子株式会社内
(72)発明者 三冨 修
愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日
本碍子株式会社内
Ｆターム(参考） 2H047 KA01 KA04 NA02 QA03 RA08
TA11
2H079 AA02 AA12 BA01 BA03 CA05
DA03 DA22 EA05
Claims (22)
- 【請求項１】光導波路基板と、この光導波路基板を支持
する支持基体とを備える光導波路デバイスであって、 前記光導波路基板が、電気光学材料からなる基板本体、
光導波路、および前記前記光導波路に電気信号を印加可
能な電極を備えており、前記光導波路デバイスが、前記
支持基体のうち前記光導波路基板に対向する対向面の少
なくとも一部を被覆する導電層を備えていることを特徴
とする、光導波路デバイス。 - 【請求項２】前記光導波路基板と前記導電層との間に介
在する接合層を備えていることを特徴とする、請求項１
記載のデバイス。 - 【請求項３】前記導電層によって、前記光導波路基板と
前記支持基体とが接合されていることを特徴とする、請
求項１記載のデバイス。 - 【請求項４】前記光導波路基板の最大厚さが２００μｍ
以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか
一つの請求項に記載のデバイス。 - 【請求項５】前記光導波路基板のうち前記支持基体に対
向する対向面側に凹部が形成されていることを特徴とす
る、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載のデバ
イス。 - 【請求項６】前記支持基体に空間部が形成されているこ
とを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一つの請求項
に記載のデバイス。 - 【請求項７】前記空間部に、前記電気光学材料の誘電率
よりも低い誘電率を有する低誘電率材料が収容されてい
ることを特徴とする、請求項６記載のデバイス。 - 【請求項８】前記電極を外部の端子と接続するフィード
スルー部を備えており、前記導電層が前記支持基体の前
記対向面のうち前記フィードスルー部下の領域の少なく
とも一部を被覆することを特徴とする、請求項１〜７の
いずれか一つの請求項に記載のデバイス。 - 【請求項９】前記電極が信号電極と接地電極とを備えて
おり、前記信号電極の端面およびこの信号電極と前記接
地電極とのギャップと前記基板本体の側面との間に間隙
が設けられており、前記導電層が前記支持基体の前記対
向面のうち少なくとも前記間隙下を被覆していることを
特徴とする、請求項８記載のデバイス。 - 【請求項１０】前記基板本体の幅方向の一対の側面にそ
れぞれ側面導電層が形成されており、これら一対の側面
導電層が電気的に接続されていることを特徴とする、請
求項１〜９のいずれか一つの請求項に記載のデバイス。 - 【請求項１１】請求項１〜１０のいずれか一つの請求項
に記載の光導波路デバイスを備えている保持構造であっ
て、前記光導波路デバイスを固定するための筐体と、前
記電極に対して高周波電気信号を供給するための高周波
コネクタを備えていることを特徴とする、光導波路デバ
イスの保持構造。 - 【請求項１２】前記コネクタが、垂直接触同軸型のコネ
クタであることを特徴とする、請求項１１記載の構造。 - 【請求項１３】前記電極と前記コネクタを接続する平面
形マイクロ波線路を備えていることを特徴とする、請求
項１１または１２記載の構造。 - 【請求項１４】請求項１〜１０のいずれか一つの請求項
に記載の光導波路デバイスを備えている光変調器であっ
て、前記光導波路中を伝搬する光を変調するための電圧
を前記電極によって印加することを特徴とする、光変調
器。 - 【請求項１５】電気光学材料からなる基板本体、光導波
路、および前記光導波路に電気信号を印加可能な電極を
備える光導波路基板を支持するための支持部材であっ
て、 前記光導波路基板に対向する対向面を備える支持基体、
および前記対向面の少なくとも一部を被覆する導電層を
備えていることを特徴とする、光導波路基板の支持部
材。 - 【請求項１６】前記導電層上に接合層を備えていること
を特徴とする、請求項１５記載の支持部材。 - 【請求項１７】前記導電層が、前記光導波路基板を前記
支持基体に対して接合するための接合層として機能し得
ることを特徴とする、請求項１５記載の支持部材。 - 【請求項１８】前記支持基体に空間部が形成されている
ことを特徴とする、請求項１５〜１７のいずれか一つの
請求項に記載の支持部材。 - 【請求項１９】前記空間部に、前記電気光学材料の誘電
率よりも低い誘電率を有する低誘電率材料が収容されて
いることを特徴とする、請求項１８記載の支持部材。 - 【請求項２０】前記光導波路基板が、前記電極を外部の
端子と接続するフィードスルー部を備えており、前記導
電層が前記対向面のうち前記フィードスルー部下の領域
の少なくとも一部を被覆することを特徴とする、請求項
１５〜１９のいずれか一つの請求項に記載の支持部材。 - 【請求項２１】前記電極が信号電極と接地電極とを備え
ており、前記信号電極の端面およびこの信号電極と前記
接地電極とのギャップと前記基板本体の側面との間に間
隙が設けられており、前記導電層が前記対向面のうち少
なくとも前記間隙下を被覆していることを特徴とする、
請求項２０記載の支持部材。 - 【請求項２２】前記支持基体の幅方向の一対の側面にそ
れぞれ側面導電層が形成されており、これら一対の側面
導電層が電気的に接続されていることを特徴とする、請
求項１５〜２１のいずれか一つの請求項に記載の支持部
材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002219090A JP3963313B2 (ja) | 2001-09-05 | 2002-07-29 | 光導波路デバイス、光変調器および光変調器の実装構造 |
| US10/233,929 US7068863B2 (en) | 2001-09-05 | 2002-09-03 | Optical waveguide device, an optical modulator, a mounting structure for an optical waveguide device and a supporting member for an optical waveguide substrate |
| DE60226821T DE60226821D1 (de) | 2001-09-05 | 2002-09-04 | Elektrooptischer Lichtmodulator in Wellenleiterausführung |
| EP02256149A EP1291706B1 (en) | 2001-09-05 | 2002-09-04 | An optical waveguide device, an optical modulator, a mounting structure for an optical waveguide device and a supporting member for an optical waveguide substrate |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001268680 | 2001-09-05 | ||
| JP2001-268680 | 2001-09-05 | ||
| JP2002219090A JP3963313B2 (ja) | 2001-09-05 | 2002-07-29 | 光導波路デバイス、光変調器および光変調器の実装構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003156723A true JP2003156723A (ja) | 2003-05-30 |
| JP3963313B2 JP3963313B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=26621692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002219090A Expired - Lifetime JP3963313B2 (ja) | 2001-09-05 | 2002-07-29 | 光導波路デバイス、光変調器および光変調器の実装構造 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7068863B2 (ja) |
| EP (1) | EP1291706B1 (ja) |
| JP (1) | JP3963313B2 (ja) |
| DE (1) | DE60226821D1 (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005019913A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Ngk Insulators, Ltd. | 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器 |
| JP2006284963A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
| JP2007079465A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光制御素子及びその製造方法 |
| WO2007040106A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | 光変調器及びその製造方法 |
| WO2007114367A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | 光制御素子 |
| JP2008040482A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-02-21 | Jds Uniphase Corp | 光導波路デバイスを製造するためのウェーハ・スケール方法およびそれによって製造された導波路デバイス |
| WO2008038778A1 (fr) * | 2006-09-30 | 2008-04-03 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Élément de commande de la lumière |
| JP2008209451A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Ngk Insulators Ltd | 波長変換素子 |
| WO2008120707A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | 光制御素子 |
| WO2008120719A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | 光制御素子 |
| CN100447615C (zh) * | 2003-08-21 | 2008-12-31 | 日本碍子株式会社 | 光波导器件以及行波型光学调制器 |
| US7710638B2 (en) | 2007-02-23 | 2010-05-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Wavelength conversion devices |
| JP2010211241A (ja) * | 2010-06-28 | 2010-09-24 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
| US9298025B2 (en) | 2013-10-08 | 2016-03-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrode structure for an optical waveguide substrate |
| US9606792B1 (en) | 2015-11-13 | 2017-03-28 | International Business Machines Corporation | Monitoring communication quality utilizing task transfers |
| WO2018174179A1 (ja) * | 2017-03-23 | 2018-09-27 | 公立大学法人兵庫県立大学 | 光変調器 |
| JP2020098345A (ja) * | 2020-01-20 | 2020-06-25 | 日本碍子株式会社 | 電気光学素子のための複合基板とその製造方法 |
| US11150497B2 (en) | 2018-11-08 | 2021-10-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate for electro-optic element and method for manufacturing the same |
| US11281032B2 (en) | 2018-05-22 | 2022-03-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate for electro-optic element and method for manufacturing the same |
| JP7410068B2 (ja) | 2020-03-16 | 2024-01-09 | 日本碍子株式会社 | 接合体、光導波路基板および光変調器 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4375597B2 (ja) | 2001-11-16 | 2009-12-02 | 日本碍子株式会社 | 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器 |
| JP2004070136A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Ngk Insulators Ltd | 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器 |
| JP2004170931A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-17 | Ngk Insulators Ltd | 光変調器 |
| JP2004219600A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Ngk Insulators Ltd | 光変調用電極および光変調器 |
| US7257295B2 (en) * | 2004-09-20 | 2007-08-14 | Fujitsu Limited | Attachment-type optical coupler apparatuses |
| US20060221427A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Wu Xin M | Impedance matching circuit for optical transmitter |
| US20070009267A1 (en) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Crews Darren S | Driving a laser using an electrical link driver |
| JP4183716B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2008-11-19 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
| JP5056040B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2012-10-24 | 富士通株式会社 | 光変調器 |
| US7633667B2 (en) * | 2007-10-22 | 2009-12-15 | General Electric Company | Apparatus and method of forming high performance integrated RF optical module |
| US20100284054A1 (en) * | 2009-05-08 | 2010-11-11 | Honeywell International Inc. | Modulation of unpolarized light |
| US10295849B2 (en) * | 2016-12-16 | 2019-05-21 | Lumentum Operations Llc | Optical modulator |
| JP6319490B1 (ja) * | 2017-03-23 | 2018-05-09 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
| JP7052477B2 (ja) | 2018-03-28 | 2022-04-12 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
| RU187990U1 (ru) * | 2018-11-14 | 2019-03-26 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Оптический модулятор |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60149030A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-08-06 | Nec Corp | 光スイツチ |
| US4801184A (en) * | 1987-06-15 | 1989-01-31 | Eastman Kodak Company | Integrated optical read/write head and apparatus incorporating same |
| US5153930A (en) * | 1990-01-04 | 1992-10-06 | Smiths Industries Aerospace & Defense Systems, Inc. | Device employing a substrate of a material that exhibits the pyroelectric effect |
| US5185823A (en) * | 1990-12-13 | 1993-02-09 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Waveguide type optical device |
| US5313535A (en) * | 1992-02-27 | 1994-05-17 | Nynex Corporation | Optical path length modulator |
| JPH05241115A (ja) | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Nec Corp | 導波路形光デバイス |
| JPH0651254A (ja) | 1992-08-03 | 1994-02-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光制御デバイス |
| US5530777A (en) | 1992-09-28 | 1996-06-25 | Matsushita Industrial Electric Co., Ltd. | Optical modulation device |
| JP2713087B2 (ja) * | 1993-04-13 | 1998-02-16 | 日本電気株式会社 | 導波形光デバイス |
| JPH09211402A (ja) | 1996-01-30 | 1997-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 広帯域光変調素子 |
| JPH09251146A (ja) | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Tokin Corp | 光導波路素子 |
| JP3603977B2 (ja) | 1996-09-06 | 2004-12-22 | 日本碍子株式会社 | 進行波形光変調器およびその製造方法 |
| US5991491A (en) | 1996-11-08 | 1999-11-23 | Nec Corporation | Optical waveguide type device for reducing microwave attenuation |
| JP3517876B2 (ja) * | 1998-10-14 | 2004-04-12 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体薄膜素子の製造方法、インクジェット式記録ヘッド及びインクジェットプリンタ |
| EP1109054B1 (en) * | 1999-12-15 | 2005-08-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Travelling wave optical modulators and a method for the production thereof |
| JP2004070136A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Ngk Insulators Ltd | 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器 |
-
2002
- 2002-07-29 JP JP2002219090A patent/JP3963313B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-03 US US10/233,929 patent/US7068863B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-04 EP EP02256149A patent/EP1291706B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-04 DE DE60226821T patent/DE60226821D1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5063001B2 (ja) * | 2003-08-21 | 2012-10-31 | 日本碍子株式会社 | 進行波形光変調器 |
| JPWO2005019913A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2006-10-19 | 日本碍子株式会社 | 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器 |
| US7502530B2 (en) | 2003-08-21 | 2009-03-10 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide devices and traveling wave type optical modulators |
| CN100447615C (zh) * | 2003-08-21 | 2008-12-31 | 日本碍子株式会社 | 光波导器件以及行波型光学调制器 |
| WO2005019913A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Ngk Insulators, Ltd. | 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器 |
| JP2006284963A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
| JP4667932B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-04-13 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
| JP2007079465A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光制御素子及びその製造方法 |
| WO2007040106A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | 光変調器及びその製造方法 |
| JP2007101641A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器及びその製造方法 |
| US7856155B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-12-21 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Light modulator and its fabrication method |
| US8644647B2 (en) | 2006-03-31 | 2014-02-04 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical control device |
| JP5298849B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2013-09-25 | 住友大阪セメント株式会社 | 光制御素子 |
| WO2007114367A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | 光制御素子 |
| JP2008040482A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-02-21 | Jds Uniphase Corp | 光導波路デバイスを製造するためのウェーハ・スケール方法およびそれによって製造された導波路デバイス |
| WO2008038778A1 (fr) * | 2006-09-30 | 2008-04-03 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Élément de commande de la lumière |
| US7873244B2 (en) | 2006-09-30 | 2011-01-18 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Light control device |
| JP2008209451A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Ngk Insulators Ltd | 波長変換素子 |
| US7710638B2 (en) | 2007-02-23 | 2010-05-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Wavelength conversion devices |
| JP4657228B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2011-03-23 | 日本碍子株式会社 | 波長変換素子 |
| US7912326B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-03-22 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical control device |
| JP4589354B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-12-01 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調素子 |
| US7925123B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-04-12 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical control device |
| CN101652703B (zh) * | 2007-03-30 | 2012-08-29 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 光控制元件 |
| JP2008250258A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光制御素子 |
| WO2008120719A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | 光制御素子 |
| WO2008120707A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | 光制御素子 |
| JP2010211241A (ja) * | 2010-06-28 | 2010-09-24 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
| US9298025B2 (en) | 2013-10-08 | 2016-03-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrode structure for an optical waveguide substrate |
| US9606792B1 (en) | 2015-11-13 | 2017-03-28 | International Business Machines Corporation | Monitoring communication quality utilizing task transfers |
| WO2018174179A1 (ja) * | 2017-03-23 | 2018-09-27 | 公立大学法人兵庫県立大学 | 光変調器 |
| JPWO2018174179A1 (ja) * | 2017-03-23 | 2020-02-13 | 公立大学法人兵庫県立大学 | 光変調器 |
| JP7037199B2 (ja) | 2017-03-23 | 2022-03-16 | 兵庫県公立大学法人 | 光変調器 |
| US11281032B2 (en) | 2018-05-22 | 2022-03-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate for electro-optic element and method for manufacturing the same |
| US11573435B2 (en) | 2018-05-22 | 2023-02-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate for electro-optic element and method for manufacturing the same |
| US11815751B2 (en) | 2018-05-22 | 2023-11-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate for electro-optic element and method for manufacturing the same |
| US11150497B2 (en) | 2018-11-08 | 2021-10-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate for electro-optic element and method for manufacturing the same |
| JP2020098345A (ja) * | 2020-01-20 | 2020-06-25 | 日本碍子株式会社 | 電気光学素子のための複合基板とその製造方法 |
| JP7098666B2 (ja) | 2020-01-20 | 2022-07-11 | 日本碍子株式会社 | 電気光学素子のための複合基板とその製造方法 |
| JP7410068B2 (ja) | 2020-03-16 | 2024-01-09 | 日本碍子株式会社 | 接合体、光導波路基板および光変調器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3963313B2 (ja) | 2007-08-22 |
| US20030044100A1 (en) | 2003-03-06 |
| EP1291706A2 (en) | 2003-03-12 |
| DE60226821D1 (de) | 2008-07-10 |
| US7068863B2 (en) | 2006-06-27 |
| EP1291706A3 (en) | 2004-10-20 |
| EP1291706B1 (en) | 2008-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3963313B2 (ja) | 光導波路デバイス、光変調器および光変調器の実装構造 | |
| JP4375597B2 (ja) | 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器 | |
| JP4443011B2 (ja) | 進行波型光変調器 | |
| JP5063001B2 (ja) | 進行波形光変調器 | |
| EP1245993A2 (en) | Optical waveguide device and travelling-wave optical modulator | |
| EP1335238A1 (en) | Optical phase modulator with electrode arrangement having a wideband transmission response | |
| US20070081766A1 (en) | Optical waveguide device | |
| EP1939669A1 (en) | Light modulator and its fabrication method | |
| US7002731B2 (en) | Optical modulators | |
| US6950580B2 (en) | Optical waveguide devices and travelling wave type optical modulators | |
| JP4453894B2 (ja) | 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器 | |
| JP2004294918A (ja) | 光デバイス | |
| US7218819B2 (en) | Electrode systems for optical modulation and optical modulators | |
| JP2919132B2 (ja) | 光変調器 | |
| JP2004245991A (ja) | 光導波路デバイスおよび光導波路デバイスと光伝送部材との結合構造 | |
| JP2013186200A (ja) | 光モジュール、及び光送信器 | |
| JP2005274889A (ja) | 光導波路デバイス | |
| JP5494400B2 (ja) | 光導波路素子 | |
| JP3824265B2 (ja) | 高周波線路の接続構造 | |
| JPH10332983A (ja) | 光導波路デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050208 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070216 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070221 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070420 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070517 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070517 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3963313 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100601 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110601 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140601 Year of fee payment: 7 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |