JP2004170931A - 光変調器 - Google Patents
光変調器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004170931A JP2004170931A JP2003346736A JP2003346736A JP2004170931A JP 2004170931 A JP2004170931 A JP 2004170931A JP 2003346736 A JP2003346736 A JP 2003346736A JP 2003346736 A JP2003346736 A JP 2003346736A JP 2004170931 A JP2004170931 A JP 2004170931A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical modulator
- substrate
- optical
- modulator according
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0121—Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
Abstract
【課題】光変調器の速度整合条件を満足しつつ、かつ変調効率を改善する。
【解決手段】光導波路と、この光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する変調用電極とを備えており、変調用電極に信号源と終端抵抗とが接続されている光変調器を提供する。ここで、信号源の特性インピーダンスZiおよび終端抵抗のインピーダンスZlが以下の関係を満足する(Zi<Zl)。あるいは、信号源の特性インピーダンスZiおよび前記変調用電極の特性インピーダンスZcが以下の関係を満足する(Zi<Zc)。
【選択図】
図1
【解決手段】光導波路と、この光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する変調用電極とを備えており、変調用電極に信号源と終端抵抗とが接続されている光変調器を提供する。ここで、信号源の特性インピーダンスZiおよび終端抵抗のインピーダンスZlが以下の関係を満足する(Zi<Zl)。あるいは、信号源の特性インピーダンスZiおよび前記変調用電極の特性インピーダンスZcが以下の関係を満足する(Zi<Zc)。
【選択図】
図1
Description
本発明は光変調器に関するものである。
ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ガリウム砒素(GaAs)を光導波路に適用した進行波形光変調器は、優れた特性を備えており、高能率で高帯域化を達成できる可能性がある。ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムは、強誘電体として非常に優れた材料であり、電気光学定数が大きく、短い光路で光の制御が可能であるという利点を有している。進行波形光変調器の変調速度を制限する要因としては、速度不整合、分散および電極損失、誘電損失などが挙げられる。
本出願人は、特許文献1において、進行波形光変調器の基板の光導波路の下に肉薄部分を設け、この肉薄部分の厚さを例えば10μm以下に薄くすることを開示した。これによって、酸化珪素からなるバッファ層を形成することなしに高速光変調が可能であるし、駆動電圧Vπと電極の長さLとの積(Vπ・L)を小さくできるので、有利である。
特開平10−133159号公報
また、特許文献2の開示によれば、進行波型光変調器において、変調用電極の終端部のインピーダンス値Zlを変調用電極の特性インピーダンス値Zcよりも小さくする(Zl<Zc)ことが記載されている。
特許第3088988号号公報
しかし、一般に1GHzを超えるような高周波帯域では、変調用電極から変調信号を加えたときの変調効率が低く、このために高い駆動電圧が必要である。このため、速度整合条件を満足しつつ、かつ高周波帯域において変調効率を改善することが求められている。
本発明の課題は、光変調器の速度整合条件を満足しつつ、かつ高周波帯域において変調効率を改善できるようにすることである。
第一の態様に係る発明は、光導波路と、この光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する変調用電極とを備えており、変調用電極に信号源と終端抵抗とが接続されている光変調器であって、信号源の特性インピーダンスZiおよび終端抵抗のインピーダンスZlが以下の関係を満足することを特徴とする、光変調器に係るものである。
Zi<Zl
Zi<Zl
また、第一の態様に係る発明は、光導波路と、この光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する変調用電極とを備えており、変調用電極に信号源と終端抵抗とが接続されている光変調器であって、信号源の特性インピーダンスZi、および変調用電極の特性インピーダンスZcが以下の関係を満足することを特徴とする、光変調器に係るものである。
Zi<Zc
Zi<Zc
本発明者は、光変調装置の全体の特性インピーダンスの配分について再検討した結果、信号源の特性インピーダンスZiに対して、終端抵抗のインピーダンスZl、あるいは変調用電極の特性インピーダンスZcが大きくなるように特性インピーダンスを配分することによって、光変調器の速度整合条件を満足しつつ、かつ高周波帯域において変調効率を改善できることを見いだし、本発明に到達した。
図1に模式的に示すように、光変調システムは、信号源、変調器電極を備える光変調器本体、および終端抵抗を有する。従来は、信号源の特性インピーダンスZiが50Ωであり、変調用電極の特性インピーダンスZcが40-45Ω程度であり、終端抵抗のインピーダンスZlが50Ω程度であった。
しかし、本発明者は、高周波信号を処理する光変調器について変調効率をシミュレーションしたところ、例えば、30GHzにおける変調効率をシミュレーションしてみた。この際、Zc=Zi=Zlとした場合の変調効率を基準とする。得られた結果を表1に示す。ここから、Zc/Zi=1.4かつZl/Zi=1.4とした場合の変調効率は3dB高くなることがわかった。これは、Zc=Zi=Zlとした場合に比べて0.7倍の駆動電圧で駆動可能なことを意味する。
一方、特許文献2におけるインピーダンス配分を適用すると、信号源のインピーダンスZiと電極の特性インピーダンスZcは同じ値で、Zc>Zlとすることとなる。これは例えば、表1のシミュレーションにおいて、Zc/Zi=1、Zl/Zi=0.6とすることに相当し、この時変調効率は1.9dB低くなる。これは、Zc=Zi=Zlとした場合と比べて変調効率は逆に低くなり、駆動電圧が増加することを意味する。
好適な実施形態においては、光変調器がZl<Zcの関係を満足する。図2の例を参照しつつ、更に説明する。
図2は、変調用電極の特性インピーダンスZcを40Ωに設定し、終端抵抗のインピーダンスZlを30、40、50Ωに変更したときの光応答特性の周波数変化である。従来の光変調器においては、終端抵抗のインピーダンスZlが変調用電極の特性インピーダンスZcよりも高く(Zc<Zl)、図2の破線に示すような特性になっていた。つまり、光応答が、低周波(例えば1GHz周辺)からいったん大きく落ち込み、次いで周波数が高くなるのにつれて単調減少していた。また、光変調器を駆動する信号源も、周波数が高くなるのにつれて利得が単調減少する傾向がある。信号源と光変調器とを合わせたときの変調特性は、光変調器の光応答の周波数特性と、信号源の利得の周波数特性との合成となる。従って、周波数が増加するのにつれて変調特性は急激に落ち込み、1GHz以下の低周波での変調特性と高周波での変調特性との差が大きい。この結果、変調信号の歪みが大きくなるという問題があった。
これに対して、終端抵抗のインピーダンスZlよりも変調用電極の特性インピーダンスZcを大きくする(Zl<Zc)ことによって、周波数変化に対する変調信号の歪みを低減できる。例えば図2において一点鎖線の例では、Zl=30Ω、Zc=40Ωであり、終端抵抗のインピーダンスZlを低くしている。この場合には、まず低周波領域において光応答がいったん増大し、次いで周波数増加につれて単調減少する。これに対して、信号源での利得は、周波数増加につれて単調減少する。従って、破線で示す場合に比べて、信号源での利得の減少を相殺する効果があり、全体として変調信号の歪みを低減できる。この結果、信号源および光変調器を合わせた光変調装置全体として、従来に比べてフラットな変調特性を実現でき、変調信号を歪みを抑制することが可能となる。
なお、図2の例では、Zl=30〜50Ω、Zc=40Ωの例について光応答特性を示したが、他の数値条件においてもほぼ同様の結果が得られる。
以上の検討は、信号源インピーダンスZiの値に関わらず有効である。一方、特許文献2においては、一般的なZi=50Ωについてのみ示されている。しかし、前述したとおり、Zi=50ΩとしたままZlのインピーダンス値を下げれば、分圧の法則に従い信号源における入力抵抗で相対的に大きな電圧降下が起きてしまう。このために、変調電極に印加される電圧が相対的に減少し、結果として変調効率が低下し駆動電圧が増加するという欠点があった。このため、ZiはZlあるいはもしくはかつZcより小さくすることが望ましい。
以上の検討は、信号源インピーダンスZiの値に関わらず有効である。一方、特許文献2においては、一般的なZi=50Ωについてのみ示されている。しかし、前述したとおり、Zi=50ΩとしたままZlのインピーダンス値を下げれば、分圧の法則に従い信号源における入力抵抗で相対的に大きな電圧降下が起きてしまう。このために、変調電極に印加される電圧が相対的に減少し、結果として変調効率が低下し駆動電圧が増加するという欠点があった。このため、ZiはZlあるいはもしくはかつZcより小さくすることが望ましい。
本発明の観点からは、信号源の特性インピーダンスZiと終端抵抗のインピーダンスZlとの差は、1Ω以上であることが好ましく、3Ω以上であることが更に好ましい。
ただし、信号源の特性インピーダンスZiが小さくなると、変調器電極と信号源でのインピーダンス不整合から反射が生じ、信号源の安定性が低下する。この観点からは、ZiとZlとの差は、30Ω以下であることが好ましい。
本発明の観点からは、信号源の特性インピーダンスZiと変調用電極の特性インピーダンスZcとの差は、1Ω以上であることが好ましく、3Ω以上であることが更に好ましい。
ただし、上記の理由から、ZiとZcとの差は、30Ω以下であることが好ましい。
変調特性のフラット化という観点からは、終端抵抗のインピーダンスZlと変調用電極の特性インピーダンスZcとの差は、5Ω以上であることが好ましく、10Ω以上であることが更に好ましい。
また、従来の進行波形光変調器においては、信号源の特性インピーダンスZiは通常50Ωに規格化されていた。しかし、本発明においては、前述のように、信号源の特性インピーダンスZiを、変調用電極や終端抵抗のインピーダンスよりも小さくする。この際、信号源の特性インピーダンスZiが50Ωであると、変調用電極の特性インピーダンスZcを50Ωよりも十分に大きくすることが、材料特性および変調器の設計の観点から難しい。このため、ZcとZiとの差を十分に大きくするという観点からは、信号源の特性インピーダンスZiを50Ω以下とすることが好ましく、45Ω以下とすることが更に好ましい。
上記した第一の態様に係る発明の各実施形態は、後述する第二の態様に係る発明において採用できるものである。
第二の態様に係る発明は、電気光学材料からなり、相対向する一方の主面と他方の主面とを備えている基板本体、この基板本体に形成されている光導波路、および基板本体に設けられ、光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する変調用電極を備えている光変調器であって、
変調用電極がコプレーナ型電極配置に従って設けられており、変調用電極における電極間ギャップが38μm以下であり、光導波路の設置領域における基板本体の厚さが20μm以下であることを特徴とする。
変調用電極がコプレーナ型電極配置に従って設けられており、変調用電極における電極間ギャップが38μm以下であり、光導波路の設置領域における基板本体の厚さが20μm以下であることを特徴とする。
このように電極間ギャップを小さくし、かつ光導波路の設置領域における基板本体の厚さを20μm以下とすることによって、速度整合を実現できるのと共に、光変調器の駆動電圧を著しく低減することに成功し、本発明に到達した。
電極間ギャップを小さくすると、光導波路に印加される電界が強くなるので、駆動電圧を低減できることは知られている。また、基板本体の厚さを小さくすることによって、速度整合を実現可能なことも知られている(特開平10−133159号公報参照)。しかし、本発明者は、電極間ギャップを38μm以下とした場合に、同時に基板本体の厚さを20μm以下にすることによって、駆動電圧が相乗的に顕著に低減されることを見出した。
好適な実施形態では、変調用電極の電極間ギャップが38μm以下であり、これによって駆動電圧を一層低減できる。
好適な実施形態においては、基板本体に接合されている保持基体を設ける。これによって、基板本体に取り扱い可能な機械的強度を付与できる。しかし、保持基体を備えた光変調器では、低誘電率材料と変調器本体に用いる電気光学材料の熱膨張差によって内部応力が発生し、この応力に起因するクラックが電気光学結晶で発生し問題となっていた。また、この内部応力は変調動作の安定性低下も引き起こしていた。
この内部応力について有限要素法を用いて詳細な検討を行った結果、低誘電率材料の厚さを10μmとすれば、厚さ200ミクロンの厚さの時に比べ、低誘電率層と変調器本体基板界面で生じる応力は1/5以下となり、大幅に応力を小さくすることができる事がわかった。この結果、低誘電率材料を200ミクロン以下、さらに好ましくは150μm以下、もっとも好ましくは110μm以下に薄くすることで、内部応力を大幅に小さくできることがわかった。
しかし、低誘電率層を薄くすると、保持基体までしみ出す電界の割合が増加し、マイクロ波実効屈折率が上昇するために、速度整合を達成できなくなり、変調帯域が低下する。
しかしながら、電極間ギャップを38μm以下に狭くすれば、電極からの電界の広がりは小さくなり、より薄い低誘電率層で速度整合が可能となる。この結果、内部応力を低減することが可能となり、歩留まりの高い状態で光変調器を製造することが可能となる。
低誘電率層の厚みを200ミクロン以上とした光変調器では、−40℃〜+80℃、1000サイクルの熱衝撃試験に対して変調器本体基板にクラックが発生しやすいという問題があった。しかし、接着層厚を200ミクロン以下とすることで、内部応力低減を図った結果、クラックの発生が減少することを確認した。例えば、接着層の厚さを200μmとした時、50個作製中クラック発生はなくなり、本発明適用による信頼性の大幅な改善を確認した。
低誘電率層の厚みを200ミクロン以上とした光変調器では、−40℃〜+80℃、1000サイクルの熱衝撃試験に対して変調器本体基板にクラックが発生しやすいという問題があった。しかし、接着層厚を200ミクロン以下とすることで、内部応力低減を図った結果、クラックの発生が減少することを確認した。例えば、接着層の厚さを200μmとした時、50個作製中クラック発生はなくなり、本発明適用による信頼性の大幅な改善を確認した。
好適な実施形態においては、インピーダンス整合の観点からは電極間ギャップを狭くするほど基板本体の厚さを薄くする必要がある。好ましい実施形態において光導波路の設置領域における基板本体の厚さが15μm以下であり、一層好ましくは10μm以下である。これによって、駆動電圧が一層低減される。
なお、特開平10−133159号公報の記載では、基板の厚さを10μm以下とすることは、光導波路の光損失が大きくなる傾向があるので難しいとされている。しかし、本発明者が更に検討を進めたところ、機械加工を適切に行えば、厚さ10μm以下であっても光損失の小さい光導波路を形成可能なことがわかってきた。そして、このように薄い基板本体に光導波路を設けることで、駆動電圧の顕著な低減を可能とした。
図3、図4には、基板本体(ニオブ酸リチウム基板)の厚さ、光変調器の電極間ギャップ、および半波長電圧と電極長との積(Vcm)の関係を示す。電極間ギャップを小さくすると、半波長電圧と電極長との積が低下する。これだけでなく、基板本体の厚さが小さくなると、半波長電圧と電極長との積が低下することが分かる。
また、本発明は、電気光学材料からなり、相対向する一方の主面と他方の主面とを備えている基板本体、この基板本体に形成されている光導波路、および基板本体に設けられ、光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する変調用電極を備えている光変調器であって、
変調用電極が非対称コプレーナストリップライン型電極配置に従って設けられており、変調用電極における電極間ギャップが19μm以下であり、光導波路の設置領域における基板本体の厚さが20μm以下であることを特徴とする。
変調用電極が非対称コプレーナストリップライン型電極配置に従って設けられており、変調用電極における電極間ギャップが19μm以下であり、光導波路の設置領域における基板本体の厚さが20μm以下であることを特徴とする。
この発明に係る光変調器は、いわゆる非対称コプレーナストリップライン型の電極配置に適用される。この発明も上記と同様の効果を示す。ただし、電極配置が非対称コプレーナストリップラインであることから、電極間ギャップの値が半分(19μm以下)となっている。
フィードスルー部でコネクタピンと接続をするために中心電極幅を広くする、かつ、もしくは、保持基板表面に導電層をもうけて電磁波をシールドして高周波特性の改善を図ると光変調器のフィードスルー部の特性インピーダンスが低下する傾向があり、このために信号源の特性インピーダンスZiと合わなくなる可能性がある。このため、第二の態様に係る発明においては、基板本体の直下に、基板本体を構成する電気光学材料の誘電率よりも低い誘電率を有する低誘電率部分を設けることができる。これによって、光変調器のフィードスルー部の特性インピーダンスを向上させることができる。
また、第一の発明の実施形態を第二の発明に適用した場合には、さらに電極間ギャップを狭くすることができるために、さらに低駆動電圧を図ることができる。以下に詳しく説明する。
電極間ギャップを狭くすると同時に電極のマイクロ波特性インピーダンスも低下する。このため、従来の50Ω系でインピーダンスマッチングを前提とした変調器の適用法ではインピーダンス不整合により低周波で変調器光応答特性が大きく落ち込み、変調帯域が大幅に減少するという欠点があった。
前述の通り電極間ギャップを狭くするのに伴い変調器本体の基板の厚さを薄くすることで、特性インピーダンスを50Ωへ近づけることは可能である。しかし、例えば基板厚さを3μm以下とすることは、基板強度の面、及び光導波路のモードサイズが小さくなるため光ファイバーとの結合損失が増大するために難しい。すなわち、変調器電極間ギャップの実施可能な最小値は、実質的に加工が容易で利用可能な変調器本体基板厚さの最小値に制約されていた。
しかし、第二の発明を適用し、インピーダンス配分を最適化することで、低特性インピーダンスの光変調器においても効率のよい変調動作を行うことができるために、電気光学基板厚さの最小値に制約されることなく、さらに電極間ギャップを狭くすることが可能となる。このため、第一の発明のみを適用した場合と比べ、さらに低駆動電圧化を実現することができる。
第二の態様に係る発明およびその実施形態は、上述した第一の態様に係る発明の実施の際に適用可能なものである。
以下、第一の態様、第二の態様に係る発明に適用可能な実施形態を更に詳細に説明する。
図5は、第一の態様、第二の態様において利用可能な光変調器1Aを概略的に示す断面図である。
光変調器1Aは、光導波路基板10Aと保持基体7とを備えている。基板本体4、基体7は共に平板形状をしている。基板本体4の一方の主面4aの上には所定の電極2A、2B、2Cが形成されている。本例では、いわゆるコプレーナ型(Coplanar
waveguide:CPW電極) の電極配置を採用している。本例では、隣接する電極の間に一対の光導波路3が形成されており,各光導波路3に対して略水平方向に信号電圧を印加するようになっている。各光導波路3は、平面的に見るといわゆるマッハツェンダー型の光導波路を構成しているが、この平面的パターンそれ自体は周知であるので図示省略する。本体4の他方の主面4b側には凹部4eが形成されており、凹部4eに対して、2つの第二の肉薄部分4dと1つの第一の肉薄部分4fとが面している。4fは一対の肉薄部分4dによって挟まれている。各肉薄部分4dの外側には基部4gが設けられている。
waveguide:CPW電極) の電極配置を採用している。本例では、隣接する電極の間に一対の光導波路3が形成されており,各光導波路3に対して略水平方向に信号電圧を印加するようになっている。各光導波路3は、平面的に見るといわゆるマッハツェンダー型の光導波路を構成しているが、この平面的パターンそれ自体は周知であるので図示省略する。本体4の他方の主面4b側には凹部4eが形成されており、凹部4eに対して、2つの第二の肉薄部分4dと1つの第一の肉薄部分4fとが面している。4fは一対の肉薄部分4dによって挟まれている。各肉薄部分4dの外側には基部4gが設けられている。
保持基体7の一方の主面7aが、基板本体4の他方の主面4bに対して、接合層5を介して接合されている。5a、5bは接着面であり、5cは空隙部分6への露出面である。
このようなデバイスによれば、デバイス全体の強度は、比較的に肉厚な保持基体7によって保持できるので、デバイス全体に取り扱い可能な強度を付与でき、かつ基板本体4の反りも生じない。これと共に、基板本体4の肉薄部4fの厚さtwは例えば20μm以下と薄くできる。これによって、電極を伝搬するマイクロ波の伝搬速度を大きくすることができ、かつ前述のように駆動電圧を低減できる。
図6に示す進行波形光変調器1Bは、光導波路基板10Bと保持基体7とを備えている。保持基体7は平板状であり、かつ基板本体14も平板状である。本例では、空隙部分6内に、基板本体14を構成する電気光学材料の誘電率よりも低い誘電率を有する低誘電率材料9が充填されている。また、基板本体14の一方の主面14aの上には所定の電極2A、2B、2Cが形成されている。基板本体14の主面14bと保持基体7とが接合層5を介して接合されている。
図7の光変調器1Cは、光導波路基板10B、保持基体7および両者を接合する接合層15からなる。光導波路基板1Bの基板本体14は、図6の例と同様に平板状である。基板本体14上には、コプレーナ型の電極2A、2B、2Cが形成されている。接合層15の主面15bが基板本体14の主面14bに接触しており、主面15aが保持基体7の主面7aに接触している。
図8の光変調器1Dは、光導波路基板10Cと保持基体7とを備えている。保持基体7は平板状であり、かつ基板本体24も平板状である。基板本体24の他方の主面24bは接合層5によって保持基体7に接合されている。本例では、空隙部分6内に、基板本体24を構成する電気光学材料の誘電率よりも低い誘電率を有する低誘電率材料9が充填されている。また、基板本体24の一方の主面24aの上には所定の電極2D、2Eが形成されており、いわゆる非対称コプレーナストリップライン(Asymmetric
coplanar strip line:A−CPS電極) 型の電極配置を採用している。隣接する電極の間に光導波路3が形成されており,光導波路3に対して略水平方向に信号電圧を印加するようになっている。基板本体14の厚さtwは、第二の態様に係る発明においては20μm以下とする。
coplanar strip line:A−CPS電極) 型の電極配置を採用している。隣接する電極の間に光導波路3が形成されており,光導波路3に対して略水平方向に信号電圧を印加するようになっている。基板本体14の厚さtwは、第二の態様に係る発明においては20μm以下とする。
本発明は、いわゆる独立変調型の進行波形光変調器に対しても適用可能である。
好適な実施形態においては、図6、図7、図8に例示するように、少なくとも基板本体の他方の主面に対して、電気光学材料の誘電率よりも低い誘電率を有する低誘電率材料9が接触するように構成する。これによって、薄い基板本体をその他方の主面側から直接に補強することができる。低誘電率材料としては、ガラス、エポキシ系あるいはアクリル系などの接着剤、あるいは半導体製造用層間絶縁体、ポリイミドを例示できる。
基板本体は、強誘電性の電気光学材料、好ましくは単結晶からなる。こうした結晶は、光の変調が可能であれば特に限定されないが、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体、ニオブ酸カリウムリチウム、KTP、GaAs及び水晶などを例示することができる。ニオブ酸リチウム単結晶、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶が、特に好ましい。
電極は、低抵抗でインピーダンス特性に優れる材料であれば特に限定されるものではなく、金、銀、銅などの材料から構成することができる。
保持基体によるマイクロ波の伝搬速度への影響を最小限とするという観点からは、保持基体の材質は、電気光学単結晶の誘電率よりも低い誘電率を有する材質であることが好ましい。こうした材質としては、石英ガラス等のガラスがある。
基板本体の表面(一方の主面)と電極との間にはバッファ層を設けることができる。バッファ層は、酸化シリコン、弗化マグネシウム、窒化珪素、及びアルミナなどの公知の材料を使用することができる。
光導波路は、基板本体に形成されており、好ましくは基板本体の一方の主面側に形成されている。光導波路は、基板本体の一方の主面に直接形成されたリッジ型の光導波路であってよく、基板本体の一方の主面の上に他の層を介して形成されたリッジ型の光導波路であってよく、また基板本体の内部に内拡散法やイオン交換法によって形成された光導波路、例えばチタン拡散光導波路、プロトン交換光導波路であってよい。電極は、基板本体の一方の主面側に設けられているが、基板本体の一方の主面に直接形成されていてよく、バッファ層の上に形成されていてよい。
基板本体においては、特に好ましくは結晶の分極軸が基板の一方の主面(表面)と略水平である。この場合には、ニオブ酸リチウム単結晶、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶からなるX板あるいはY板が好ましい。図5〜図8には、本発明をX板あるいはY板に適用した例について示した。
また、他の好適な実施形態においては、結晶の分極軸が基板の一方の主面(表面)と略垂直である。この場合には、ニオブ酸リチウム単結晶、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶からなるZ板が好ましい。Z板を使用した場合には、光導波路は電極の直下に設ける必要があり、光の伝搬損失を低減するために、基板の表面と電極との間にはバッファ層を設けることが好ましい。
また、好適な実施形態においては、図5に示すように、基板本体が、凹部に面する相対的に厚さの大きい第一の肉薄部分と、凹部に面する相対的に厚さの小さい第二の肉薄部分とを備えており、光導波路が第一の肉薄部分内に設けられている。
光導波路基板と保持基体との接合方法は特に限定されない。好適な実施形態においては、両者を接着する。この場合には、接着剤の屈折率は、基板本体を構成する電気光学材料の屈折率よりも低いことが好ましい。これに加えて、接着剤の誘電率は、基板本体を構成する電気光学材料の誘電率よりも低いことが望ましい。
接着剤の具体例は、前記の条件を満足する限り特に限定されないが、エポキシ系接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化性接着剤、ニオブ酸リチウムなどの電気光学効果を有する材料と比較的近い熱膨張係数を有するアロンセラミックスC(商品名、東亜合成社製)(熱膨張係数13×10−6/K)を例示できる。
また、図5〜図8の光変調器を製造するためには、基板本体の裏面と保持基体との間に接合材のシートを介在させ、接合する。好ましくは、熱硬化性、光硬化性あるいは光増粘性の樹脂接着剤からなるシートを、基板本体の裏面と保持基体との間に介在させ、シートを硬化させる。このようなシートとしては、以下を例示できる。
300μm以下のフィルム樹脂が適当であり、具体的に日立化成製のT−2000、日清紡製カルボジライトフィルム、ナガセケムテック製A−1400,A−1500、A−1600がある。
300μm以下のフィルム樹脂が適当であり、具体的に日立化成製のT−2000、日清紡製カルボジライトフィルム、ナガセケムテック製A−1400,A−1500、A−1600がある。
特に、図5〜図8に示すように、平板形状の保持基体26を使用し、基板本体と保持基体とを樹脂接着剤シートによって接着する場合には、保持基体側に凹部を形成する処理が不要であるので、極めて生産性が高い。
(製造例)
図6に示す光変調器1Bを製造した。例えばXカットした3インチウエハー(LiNbO3単結晶)からなる基板を使用し、チタン拡散プロセスとフォトリソグラフィー法とによって、ウエハーの表面にマッハツェンダー型の光導波路3を形成する。光導波路3のサイズは、例えば1/e2で10μmとできる。次いで、メッキプロセスにより、CPW電極を形成した。
図6に示す光変調器1Bを製造した。例えばXカットした3インチウエハー(LiNbO3単結晶)からなる基板を使用し、チタン拡散プロセスとフォトリソグラフィー法とによって、ウエハーの表面にマッハツェンダー型の光導波路3を形成する。光導波路3のサイズは、例えば1/e2で10μmとできる。次いで、メッキプロセスにより、CPW電極を形成した。
このウエハー形状の基板本体の素材の一方の主面(表面)にレジスト膜をコーティングし、ニオブ酸リチウムからなるベース基板と熱可塑性樹脂によって貼り合わせた後、変調器基板の裏面4b側に横型研磨、高速ラップ、及びポリッシング(CMP)を施して研磨処理を行なった。基板厚さは形状測定器を用いて計測し所望の基板厚に制御した。
次いで、基板本体4と保持基体7との間に、厚さ50μmのエポキシ系熱硬化型樹脂からなるシートを挟み、80℃で加熱することによってシートを熱硬化させ、接合層5を生成させ、基板本体4と保持基体7とを接着した。この際、接合層5の内側には、シートと同じエポキシ樹脂(もしくは空気)を充填した。次に、ウエハーを定盤から取り外し、有機溶剤を用いた洗浄によってステッキワックスを除去した。ウエハーをダイシングソー加工機で切断し、各光変調器チップ1Bに分割した。各チップの光導波路の端面を光学研磨した。
(シミュレーション1)
上記の光変調器1Bについて、有限要素法(FEM) を用いた数値計算による実施例を行った。ここで、基板本体4の厚さtwを13μmとし、中心電極幅Wを30 μmとし、電極間ギャップGを40μmとし、低誘電率材料9の厚さTaは十分に厚くした。得られたマイクロ波特性を用いてインピーダンスZi、Zl、Zcの大小関係を変えたときの変調効率の比較を行った。計算はIEE Proceeding Optoelrctronics, Vol. 146, No2, pp.99-104, April 1999掲載のO.MitomiほかEstimation of
frequency response for high-speed LiNbO3 optical modulators に基づいて行った。計算例では、速度整合が達成されている信号源の特性インピーダンスZiは50Ωとした。Ziに対する終端抵抗のインピーダンスZlおよび変調用電極の特性インピーダンスZcの比率を、表1に示すように変更した。30GHzのマイクロ波について、Zi=Zl=Zcの場合の変調波出力を基準として、Zc/Zi、Zl/Ziを、それぞれ表1に示すように変更し、Zi=Zl=Zcの場合の変調効率に対する変調効率の変化を計算した。この結果を表1に示す。
上記の光変調器1Bについて、有限要素法(FEM) を用いた数値計算による実施例を行った。ここで、基板本体4の厚さtwを13μmとし、中心電極幅Wを30 μmとし、電極間ギャップGを40μmとし、低誘電率材料9の厚さTaは十分に厚くした。得られたマイクロ波特性を用いてインピーダンスZi、Zl、Zcの大小関係を変えたときの変調効率の比較を行った。計算はIEE Proceeding Optoelrctronics, Vol. 146, No2, pp.99-104, April 1999掲載のO.MitomiほかEstimation of
frequency response for high-speed LiNbO3 optical modulators に基づいて行った。計算例では、速度整合が達成されている信号源の特性インピーダンスZiは50Ωとした。Ziに対する終端抵抗のインピーダンスZlおよび変調用電極の特性インピーダンスZcの比率を、表1に示すように変更した。30GHzのマイクロ波について、Zi=Zl=Zcの場合の変調波出力を基準として、Zc/Zi、Zl/Ziを、それぞれ表1に示すように変更し、Zi=Zl=Zcの場合の変調効率に対する変調効率の変化を計算した。この結果を表1に示す。
(シミュレーション2)
上記の光変調器1Bについて、有限要素法(FEM) を用いた数値計算による実施例を行った。ここで、基板本体4の厚さtwを13μmとし、中心電極幅Wを30μmとし、電極間ギャップGを40μmとし、低誘電率材料9の厚さTaは十分に厚いとした。信号源の特性インピーダンスZiを50Ωとし、終端抵抗のインピーダンスZlおよび変調用電極の特性インピーダンスZcを、図2に示すように変更した。そして、0〜50GHzの範囲内で光応答特性を計算した。この結果を図2に示す。
上記の光変調器1Bについて、有限要素法(FEM) を用いた数値計算による実施例を行った。ここで、基板本体4の厚さtwを13μmとし、中心電極幅Wを30μmとし、電極間ギャップGを40μmとし、低誘電率材料9の厚さTaは十分に厚いとした。信号源の特性インピーダンスZiを50Ωとし、終端抵抗のインピーダンスZlおよび変調用電極の特性インピーダンスZcを、図2に示すように変更した。そして、0〜50GHzの範囲内で光応答特性を計算した。この結果を図2に示す。
(シミュレーション3)
上記の光変調器1Bについて、有限要素法(FEM) を用いた数値計算による実施例を行った。ここで、中心電極幅Wを30μmとし、低誘電率材料9の厚さTaを50μmとした。基板本体4の厚さtw、電極間ギャップGを、図3に示すように変更した。そして低周波における半波長電圧と電極長との積を計算し、結果を図3に示す。
上記の光変調器1Bについて、有限要素法(FEM) を用いた数値計算による実施例を行った。ここで、中心電極幅Wを30μmとし、低誘電率材料9の厚さTaを50μmとした。基板本体4の厚さtw、電極間ギャップGを、図3に示すように変更した。そして低周波における半波長電圧と電極長との積を計算し、結果を図3に示す。
(シミュレーション4)
上記の光変調器1Bについて、有限要素法(FEM) を用いた数値計算による実施例を行った。ここで、中心電極幅Wを10μmとし、低誘電率材料9の厚さTaを50μmとした。基板本体4の厚さtw、電極間ギャップGを、図4に示すように変更した。そして低周波における半波長電圧と電極長との積を計算し、結果を図4に示す。
上記の光変調器1Bについて、有限要素法(FEM) を用いた数値計算による実施例を行った。ここで、中心電極幅Wを10μmとし、低誘電率材料9の厚さTaを50μmとした。基板本体4の厚さtw、電極間ギャップGを、図4に示すように変更した。そして低周波における半波長電圧と電極長との積を計算し、結果を図4に示す。
以上述べたように、本発明によれば、光変調器の速度整合条件を満足しつつ、かつ高周波帯域において変調効率を改善できる。
1A、1B、1C、1D 光変調器 2A、2B、2C
コプレーナ型配置電極 2D、2E 非対称コプレーナストリップライン型配置電極 3 光導波路 4、14、24 基板本体 4a、14a、24a 基板本体の一方の主面 4b、14b、24b 基板本体の他方の主面 5 低誘電率材料からなる接合層 6 空隙部分 7 保持基体 9 低誘電率材料 15 低誘電率材料からなる接合層 G 電極間ギャップ W 中心電極幅 tw 光導波路形成領域における基板本体の厚さ Zi 信号源の特性インピーダンス Zl 終端抵抗のインピーダンス Zc 変調用電極の特性インピーダンス
コプレーナ型配置電極 2D、2E 非対称コプレーナストリップライン型配置電極 3 光導波路 4、14、24 基板本体 4a、14a、24a 基板本体の一方の主面 4b、14b、24b 基板本体の他方の主面 5 低誘電率材料からなる接合層 6 空隙部分 7 保持基体 9 低誘電率材料 15 低誘電率材料からなる接合層 G 電極間ギャップ W 中心電極幅 tw 光導波路形成領域における基板本体の厚さ Zi 信号源の特性インピーダンス Zl 終端抵抗のインピーダンス Zc 変調用電極の特性インピーダンス
Claims (30)
- 光導波路と、この光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する変調用電極とを備えており、前記変調用電極に信号源と終端抵抗とが接続されている光変調器であって、
前記信号源の特性インピーダンスZiおよび前記終端抵抗のインピーダンスZlが以下の関係を満足することを特徴とする、光変調器。
Zi<Zl - 前記変調用電極の特性インピーダンスをZcとしたとき、以下の関係を満足することを特徴とする、請求項1記載の光変調器。
Zi<Zc - 前記変調用電極の特性インピーダンスをZcとしたとき、以下の関係を満足することを特徴とする、請求項1または2記載の光変調器。
Zl<Zc - 光導波路と、この光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する変調用電極とを備えており、前記変調用電極に信号源と終端抵抗とが接続されている光変調器であって、
前記信号源の特性インピーダンスZi、および前記変調用電極の特性インピーダンスZcが以下の関係を満足することを特徴とする、光変調器。
Zi<Zc - 前記終端抵抗のインピーダンスをZlとしたとき、以下の関係を満足することを特徴とする、請求項4記載の光変調器。
Zl<Zc - Ziが50Ω以下であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
- 電気光学材料からなり、相対向する一方の主面と他方の主面とを有する光導波路基板を備えており、前記光導波路基板に前記光導波路および前記変調用電極が設けられていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
- 前記光導波路基板と接合されている保持基体を備えていることを特徴とする、請求項7記載の光変調器。
- 前記電気光学材料の誘電率よりも低い誘電率を有する低誘電率部分を備えていることを特徴とする、請求項7または8記載の光変調器。
- 前記光導波路基板が、第一の肉薄部分と、前記第一の肉薄部分よりも厚さの小さい第二の肉薄部分とを備えており、前記光導波路が前記第一の肉薄部分内に設けられていることを特徴とする、請求項7〜9のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
- 電気光学材料からなり、相対向する一方の主面と他方の主面とを備えている基板本体、この基板本体に形成されている光導波路、および前記基板本体に設けられ、前記光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する変調用電極を備えている光変調器であって、
前記変調用電極がコプレーナ型電極配置に従って設けられており、前記変調用電極における電極間ギャップが38μm以下であり、前記光導波路の設置領域における前記基板本体の厚さが20μm以下であることを特徴とする、光変調器。 - 前記基板本体に接合されている保持基体を備えていることを特徴とする、請求項11記載の光変調器。
- 前記電気光学材料の誘電率よりも低い誘電率を有する低誘電率部分を備えていることを特徴とする、請求項11または12記載の光変調器。
- 前記基板本体と前記保持基体とを接合する厚さ200ミクロン以下の低誘電率層を備えていることを特徴とする、請求項12記載の光変調器。
- 前記保持基体が、前記基板本体の誘電率よりも小さい誘電率を有する材料で構成されたことを特徴とする、請求項12〜14のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
- 前記保持基体が、前記基板本体の線膨張係数にあわせた線膨張係数を有する材料で構成されたことを特徴とする、請求項12〜15のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
- 前記基板本体が、前記凹部に面する第一の肉薄部分と、前記凹部に面し、前記第一の肉薄部分よりも厚さの小さい第二の肉薄部分とを備えており、前記光導波路が前記第一の肉薄部分内に設けられていることを特徴とする、請求項11〜16のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
- 前記変調用電極に信号源と終端抵抗とが接続されており、前記信号源の特性インピーダンスZiおよび前記終端抵抗のインピーダンスZlが以下の関係を満足することを特徴とする、請求項11〜17のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
Zi<Zl - 前記変調用電極に信号源と終端抵抗とが接続されており、前記信号源の特性インピーダンスZi、および前記変調用電極の特性インピーダンスZcが以下の関係を満足することを特徴とする、請求項11〜18のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
Zi<Zc - 前記変調用電極に信号源と終端抵抗とが接続されており、終端抵抗のインピーダンスをZlとし、前記変調用電極の特性インピーダンスをZcとしたとき、以下の関係を満足することを特徴とする、請求項11〜19のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
Zl<Zc - 電気光学材料からなり、相対向する一方の主面と他方の主面とを備えている基板本体、この基板本体に形成されている光導波路、および前記基板本体に設けられ、前記光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する変調用電極を備えている光変調器であって、
前記変調用電極が非対称コプレーナストリップライン型電極配置に従って設けられており、前記変調用電極における電極間ギャップが19μm以下であり、前記光導波路の設置領域における前記基板本体の厚さが20μm以下であることを特徴とする、光変調器。 - 前記基板本体に接合されている保持基体を備えていることを特徴とする、請求項21記載の光変調器。
- 前記電気光学材料の誘電率よりも低い誘電率を有する低誘電率部分を備えていることを特徴とする、請求項21または22記載の光変調器。
- 前記基板本体と前記保持基体とを接合する厚さ200ミクロン以下の低誘電率層を備えていることを特徴とする、請求項22記載の光変調器。
- 前記保持基体が、前記基板本体の誘電率よりも小さい誘電率を有する材料で構成されたことを特徴とする、請求項22〜24のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
- 前記保持基体が、前記基板本体の線膨張係数にあわせた材料で構成されたことを特徴とする、請求項22〜25のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
- 前記基板本体が、前記凹部に面する第一の肉薄部分と、前記凹部に面し、前記第一の肉薄部分よりも厚さの小さい第二の肉薄部分とを備えており、前記光導波路が前記第一の肉薄部分内に設けられていることを特徴とする、請求項21〜26のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
- 前記変調用電極に信号源と終端抵抗とが接続されており、前記信号源の特性インピーダンスZiおよび前記終端抵抗のインピーダンスZlが以下の関係を満足することを特徴とする、請求項21〜27のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
Zi<Zl - 前記変調用電極に信号源と終端抵抗とが接続されており、前記信号源の特性インピーダンスZiおよび前記変調用電極の特性インピーダンスZcが以下の関係を満足することを特徴とする、請求項21〜28のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
Zi<Zc - 前記変調用電極に信号源と終端抵抗とが接続されており、終端抵抗のインピーダンスをZlとし、前記変調用電極の特性インピーダンスをZcとしたとき、以下の関係を満足することを特徴とする、請求項21〜29のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
Zl<Zc
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003346736A JP2004170931A (ja) | 2002-11-05 | 2003-10-06 | 光変調器 |
US10/683,267 US7002731B2 (en) | 2002-11-05 | 2003-10-14 | Optical modulators |
EP03256841A EP1418461A3 (en) | 2002-11-05 | 2003-10-29 | Optical modulator |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002320930 | 2002-11-05 | ||
JP2003346736A JP2004170931A (ja) | 2002-11-05 | 2003-10-06 | 光変調器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004170931A true JP2004170931A (ja) | 2004-06-17 |
Family
ID=32109515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003346736A Abandoned JP2004170931A (ja) | 2002-11-05 | 2003-10-06 | 光変調器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7002731B2 (ja) |
EP (1) | EP1418461A3 (ja) |
JP (1) | JP2004170931A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007010942A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
JP2008250258A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光制御素子 |
JP2009244810A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
JP2012032827A (ja) * | 2011-10-03 | 2012-02-16 | Fujitsu Optical Components Ltd | 光変調器 |
JP2012078759A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 光変調器 |
KR20160022101A (ko) * | 2014-08-19 | 2016-02-29 | 삼성전자주식회사 | 투과형 광 셔터 및 투과형 광 셔터의 제조 방법 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4375597B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2009-12-02 | 日本碍子株式会社 | 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器 |
EP1657588B1 (en) * | 2003-08-21 | 2015-03-04 | NGK Insulators, Ltd. | Optical waveguide device and traveling wave type opticalmodulator |
EP1742097A4 (en) * | 2004-03-30 | 2009-11-11 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | PROGRESSIVE WAVE OPTICAL MODULATOR AND ITS CONTROL METHOD |
JP4685410B2 (ja) * | 2004-11-01 | 2011-05-18 | 日本オプネクスト株式会社 | 光モジュール |
EP1795946B1 (en) * | 2004-09-29 | 2019-05-22 | NGK Insulators, Ltd. | Optically functional device |
JP4733094B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2011-07-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 光素子 |
EP2615489B1 (en) * | 2012-01-12 | 2017-09-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mach-zehnder modulator arrangement and method for operating a mach-zehnder modulator arrangement |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5339369A (en) * | 1992-10-23 | 1994-08-16 | General Microwave Israel Corporation | High-speed external modulator |
US5790719A (en) * | 1995-11-28 | 1998-08-04 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical control device |
JP3603977B2 (ja) | 1996-09-06 | 2004-12-22 | 日本碍子株式会社 | 進行波形光変調器およびその製造方法 |
JP3088988B2 (ja) | 1997-12-24 | 2000-09-18 | 住友大阪セメント株式会社 | 進行波型光変調器及び光変調方法 |
JP3954251B2 (ja) * | 1999-08-27 | 2007-08-08 | 日本碍子株式会社 | 進行波形光変調器 |
JP4290314B2 (ja) * | 2000-04-26 | 2009-07-01 | Necエレクトロニクス株式会社 | 高周波回路及びそれを実装したモジュール、通信機 |
US6846428B2 (en) * | 2001-03-20 | 2005-01-25 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Thin film lithium niobate and method of producing the same |
JP2002357797A (ja) | 2001-03-30 | 2002-12-13 | Ngk Insulators Ltd | 光導波路デバイス、その製造方法および進行波形光変調器 |
JP3963313B2 (ja) | 2001-09-05 | 2007-08-22 | 日本碍子株式会社 | 光導波路デバイス、光変調器および光変調器の実装構造 |
-
2003
- 2003-10-06 JP JP2003346736A patent/JP2004170931A/ja not_active Abandoned
- 2003-10-14 US US10/683,267 patent/US7002731B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-29 EP EP03256841A patent/EP1418461A3/en not_active Withdrawn
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007010942A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
JP2008250258A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光制御素子 |
JP4589354B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-12-01 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調素子 |
JP2009244810A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
JP2012078759A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 光変調器 |
US8655116B2 (en) | 2010-10-06 | 2014-02-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical modulator |
JP2012032827A (ja) * | 2011-10-03 | 2012-02-16 | Fujitsu Optical Components Ltd | 光変調器 |
KR20160022101A (ko) * | 2014-08-19 | 2016-02-29 | 삼성전자주식회사 | 투과형 광 셔터 및 투과형 광 셔터의 제조 방법 |
KR102311678B1 (ko) | 2014-08-19 | 2021-10-12 | 삼성전자주식회사 | 투과형 광 셔터 및 투과형 광 셔터의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1418461A2 (en) | 2004-05-12 |
EP1418461A3 (en) | 2007-03-14 |
US20050047703A1 (en) | 2005-03-03 |
US7002731B2 (en) | 2006-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7068863B2 (en) | Optical waveguide device, an optical modulator, a mounting structure for an optical waveguide device and a supporting member for an optical waveguide substrate | |
US7035485B2 (en) | Optical waveguide device, and a travelling wave form optical modulator | |
US6819851B2 (en) | Optical waveguide device and a travelling-wave optical modulator | |
US7502530B2 (en) | Optical waveguide devices and traveling wave type optical modulators | |
JP5278986B2 (ja) | 光変調器 | |
JP2008250258A (ja) | 光制御素子 | |
JP2004170931A (ja) | 光変調器 | |
US20070081766A1 (en) | Optical waveguide device | |
JP2004070136A (ja) | 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器 | |
US7218819B2 (en) | Electrode systems for optical modulation and optical modulators | |
JP4453894B2 (ja) | 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器 | |
JP2016194544A (ja) | 広帯域導波路型光素子 | |
JP2004294918A (ja) | 光デバイス | |
JP2004245991A (ja) | 光導波路デバイスおよび光導波路デバイスと光伝送部材との結合構造 | |
WO2014157458A1 (ja) | 光導波路素子 | |
JPH11237593A (ja) | 光変調器 | |
JP2005274889A (ja) | 光導波路デバイス | |
JPH0611673A (ja) | 光導波路デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060825 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20090123 |