JP6650551B1 - 電気光学素子のための複合基板とその製造方法 - Google Patents
電気光学素子のための複合基板とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6650551B1 JP6650551B1 JP2019528149A JP2019528149A JP6650551B1 JP 6650551 B1 JP6650551 B1 JP 6650551B1 JP 2019528149 A JP2019528149 A JP 2019528149A JP 2019528149 A JP2019528149 A JP 2019528149A JP 6650551 B1 JP6650551 B1 JP 6650551B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- electro
- optic crystal
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 488
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 178
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 42
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 193
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 425
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 15
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 7
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 5
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 33
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OBTSLRFPKIKXSZ-UHFFFAOYSA-N lithium potassium Chemical compound [Li].[K] OBTSLRFPKIKXSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
12:電気光学結晶基板
13:リッジ部
14:支持基板
16:低屈折率層
16’第2低屈折率層
18:アモルファス層
20:第1導電層
20’:第2導電層
22:第1接合層
22’:第2接合層
Claims (20)
- 電気光学素子のための複合基板であって、
電気光学効果を有する電気光学結晶基板と、
前記電気光学結晶基板に、少なくともアモルファス層を介して接合された支持基板と、
前記電気光学結晶基板と前記アモルファス層との間に位置し、前記電気光学結晶基板に接しているとともに、前記電気光学結晶基板よりも屈折率の低い低屈折率層と、
前記低屈折率層と前記アモルファス層との間に位置する第1導電層と、を備え、
前記アモルファス層は、前記アモルファス層に一方側から接する層又は基板を構成する元素と、前記アモルファス層に他方側から接する層又は基板を構成する元素とで構成されており、
前記アモルファス層に前記一方側から接する層又は基板は、前記第1導電層であり、
前記第1導電層は、金、銀、銅、アルミニウム、白金、又は、それらのうちの少なくとも二つを含む合金の層を有する、
複合基板。 - 前記第1導電層の前記アモルファス層に接する表層は、白金で構成されている、請求項1に記載の複合基板。
- 電気光学素子のための複合基板であって、
電気光学効果を有する電気光学結晶基板と、
前記電気光学結晶基板に、少なくともアモルファス層を介して接合された支持基板と、
前記電気光学結晶基板と前記アモルファス層との間に位置し、前記電気光学結晶基板に接しているとともに、前記電気光学結晶基板よりも屈折率の低い低屈折率層と、
前記低屈折率層と前記アモルファス層との間に位置する第1接合層と、
前記低屈折率層と前記第1接合層との間に位置する第1導電層と、を備え、
前記アモルファス層は、前記アモルファス層に一方側から接する層又は基板を構成する元素と、前記アモルファス層に他方側から接する層又は基板を構成する元素とで構成されており、
前記アモルファス層に前記一方側から接する層又は基板は、前記第1接合層であり、
前記第1導電層は、金、銀、銅、アルミニウム、白金、又は、それらのうちの少なくとも二つを含む合金の層を有する、
複合基板。 - 前記第1接合層は、酸化タンタル、酸化ニオブ、シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタンのうちの少なくとも一つで構成されている、請求項3に記載の複合基板。
- 前記低屈折率層は、酸化シリコン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、フッ化マグネシウム及びフッ化カルシウムのうちの少なくとも一つで構成されている、請求項1から3のいずれか一項に記載の複合基板。
- 前記支持基板は、サイアロン、ムライト、窒化シリコン、酸化マグネシウム、窒化ガリウム、酸化ガリウムのうちのいずれかの基板である、請求項1から5のいずれか一項に記載の複合基板。
- 前記第1導電層は、前記低屈折率層に接しているとともに、前記低屈折率層と接する下地層として、チタン、クロム、ニッケル又は白金の層を有する、請求項1から6のいずれか一項に記載の複合基板。
- 前記アモルファス層に前記他方側から接する層又は基板は、前記支持基板である、請求項1から7のいずれか一項に記載の複合基板。
- 前記アモルファス層と前記支持基板との間に位置する第2接合層をさらに備え、
前記アモルファス層に前記他方側から接する層又は基板は、前記第2接合層である、請求項1から7のいずれか一項に記載の複合基板。 - 前記第2接合層は、酸化タンタル、酸化ニオブ、シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタンのうちの少なくとも一つで構成されている、請求項9に記載の複合基板。
- 前記第2接合層と前記支持基板との間に位置するとともに、前記電気光学結晶基板よりも屈折率の低い第2低屈折率層をさらに備える、請求項9又は10に記載の複合基板。
- 前記アモルファス層と前記支持基板の間に位置するとともに、前記電気光学結晶基板よりも屈折率の低い第2低屈折率層をさらに備え、
前記アモルファス層に前記他方側から接する層又は基板は、前記第2低屈折率層である、請求項1から7のいずれか一項に記載の複合基板。 - 前記電気光学結晶基板の表面には、リッジ部が形成されている、請求項1から12のいずれか一項に記載の複合基板。
- 前記電気光学結晶基板のc軸は、前記電気光学結晶基板に対して平行であり、
前記リッジ部の一方の側面に設けられた第1の電極と、前記リッジ部の他方の側面に設けられ、前記リッジ部を挟んで前記第1の電極に対向する第2の電極とをさらに備える、請求項13に記載の複合基板。 - 前記電気光学結晶基板のc軸は、前記電気光学結晶基板に対して垂直であり、
前記リッジ部の頂上面に設けられた第1の電極と、前記電気光学結晶基板の表面のうちの前記リッジ部の部分を除いた範囲に設けられた第2の電極とをさらに備える、請求項13に記載の複合基板。 - 前記リッジ部内には、不純物を含有する光導波路領域が、前記リッジ部の長手方向に沿って形成されている、請求項13から15のいずれか一項に記載の複合基板。
- 電気光学素子のための複合基板の製造方法であって、
電気光学効果を有する電気光学結晶基板に、前記電気光学結晶基板に接するとともに前記電気光学結晶基板よりも屈折率の低い低屈折率層と第1導電層とを含む、少なくとも一つの層を成膜する工程と、
前記電気光学結晶基板に成膜された前記少なくとも一つの層を、支持基板の表面に直接接合する工程と、
を備え、
前記第1導電層は、金、銀、銅、アルミニウム、白金、又は、それらのうちの少なくとも二つを含む合金の層を有する、
製造方法。 - 前記直接接合は、真空チャンバ内において常温で行わる、請求項17に記載の製造方法。
- 前記直接接合は、各接合面に中性化ビームを照射して行われる、請求項18に記載の製造方法。
- 前記直接接合は、直径4インチの面積に対して100〜20000ニュートンの荷重で行われる、請求項19に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/019657 WO2019224908A1 (ja) | 2018-05-22 | 2018-05-22 | 電気光学素子のための複合基板とその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020006927A Division JP7098666B2 (ja) | 2020-01-20 | 2020-01-20 | 電気光学素子のための複合基板とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6650551B1 true JP6650551B1 (ja) | 2020-02-19 |
JPWO2019224908A1 JPWO2019224908A1 (ja) | 2020-05-28 |
Family
ID=68616829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019528149A Active JP6650551B1 (ja) | 2018-05-22 | 2018-05-22 | 電気光学素子のための複合基板とその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11281032B2 (ja) |
EP (2) | EP4235277A3 (ja) |
JP (1) | JP6650551B1 (ja) |
CN (1) | CN112154368B (ja) |
FI (1) | FI3798718T3 (ja) |
WO (1) | WO2019224908A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021184075A (ja) * | 2020-05-20 | 2021-12-02 | 日本碍子株式会社 | 電気光学素子用複合基板 |
WO2021241361A1 (ja) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | 日本碍子株式会社 | フォトニック結晶素子用複合基板およびフォトニック結晶素子 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6650551B1 (ja) * | 2018-05-22 | 2020-02-19 | 日本碍子株式会社 | 電気光学素子のための複合基板とその製造方法 |
CN111505845A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-08-07 | 苏州极刻光核科技有限公司 | 一种共面波导线电极结构及调制器 |
JP7505353B2 (ja) * | 2020-09-30 | 2024-06-25 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子、および光変調器 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06289346A (ja) * | 1992-09-01 | 1994-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体光導波路素子およびその製造方法 |
JP2004145261A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
JP2012078375A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
WO2018008183A1 (ja) * | 2016-07-07 | 2018-01-11 | 日本碍子株式会社 | 光走査素子 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6289346A (ja) | 1985-10-16 | 1987-04-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用ソケツト |
EP0816879A1 (en) | 1992-07-08 | 1998-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide device and manufacturing method of the same |
JP3963313B2 (ja) | 2001-09-05 | 2007-08-22 | 日本碍子株式会社 | 光導波路デバイス、光変調器および光変調器の実装構造 |
US7295742B2 (en) | 2002-05-31 | 2007-11-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical element and method for producing the same |
JP4851122B2 (ja) | 2005-06-13 | 2012-01-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 光学素子及びその製造方法 |
EP2006723B1 (en) | 2006-03-31 | 2016-08-17 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Light control element |
US20070297732A1 (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-27 | Collinear Corporation | Efficient nonlinear optical waveguide using single-mode, high v-number structure |
JP2010085789A (ja) | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
KR101675111B1 (ko) * | 2010-01-08 | 2016-11-11 | 삼성전자주식회사 | 광 이미지 셔터 및 그 제조 방법 |
JP5583876B1 (ja) | 2012-11-14 | 2014-09-03 | 日本碍子株式会社 | 複合基板 |
CN103999366B (zh) * | 2012-11-14 | 2016-07-06 | 日本碍子株式会社 | 复合基板及其制法 |
JP6033196B2 (ja) | 2013-10-08 | 2016-11-30 | 日本碍子株式会社 | 光学部品の製造方法 |
JP6681461B2 (ja) | 2016-09-20 | 2020-04-15 | 日本碍子株式会社 | 複合基板,その製法及び電子デバイス |
JP6245587B1 (ja) | 2016-10-28 | 2017-12-13 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 | レーザー部品 |
JP6650551B1 (ja) * | 2018-05-22 | 2020-02-19 | 日本碍子株式会社 | 電気光学素子のための複合基板とその製造方法 |
WO2020095421A1 (ja) * | 2018-11-08 | 2020-05-14 | 日本碍子株式会社 | 電気光学素子のための複合基板とその製造方法 |
-
2018
- 2018-05-22 JP JP2019528149A patent/JP6650551B1/ja active Active
- 2018-05-22 FI FIEP18920077.7T patent/FI3798718T3/fi active
- 2018-05-22 CN CN201880093270.8A patent/CN112154368B/zh active Active
- 2018-05-22 EP EP23169552.9A patent/EP4235277A3/en active Pending
- 2018-05-22 WO PCT/JP2018/019657 patent/WO2019224908A1/ja unknown
- 2018-05-22 EP EP18920077.7A patent/EP3798718B1/en active Active
-
2020
- 2020-11-17 US US16/950,306 patent/US11281032B2/en active Active
-
2021
- 2021-08-27 US US17/459,411 patent/US11573435B2/en active Active
-
2022
- 2022-11-30 US US18/060,289 patent/US11815751B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06289346A (ja) * | 1992-09-01 | 1994-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体光導波路素子およびその製造方法 |
JP2004145261A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
JP2012078375A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
WO2018008183A1 (ja) * | 2016-07-07 | 2018-01-11 | 日本碍子株式会社 | 光走査素子 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021184075A (ja) * | 2020-05-20 | 2021-12-02 | 日本碍子株式会社 | 電気光学素子用複合基板 |
JP7085599B2 (ja) | 2020-05-20 | 2022-06-16 | 日本碍子株式会社 | 電気光学素子用複合基板 |
WO2021241361A1 (ja) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | 日本碍子株式会社 | フォトニック結晶素子用複合基板およびフォトニック結晶素子 |
DE112021001746T5 (de) | 2020-05-28 | 2022-12-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Verbundsubstrat für photonische kristallelemente und photonischeskristallelement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112154368B (zh) | 2022-05-13 |
US11281032B2 (en) | 2022-03-22 |
US20210072567A1 (en) | 2021-03-11 |
EP3798718A4 (en) | 2021-07-14 |
JPWO2019224908A1 (ja) | 2020-05-28 |
EP3798718B1 (en) | 2023-05-10 |
FI3798718T3 (fi) | 2023-07-12 |
US20210389613A1 (en) | 2021-12-16 |
EP4235277A3 (en) | 2023-09-06 |
EP3798718A1 (en) | 2021-03-31 |
US11573435B2 (en) | 2023-02-07 |
WO2019224908A1 (ja) | 2019-11-28 |
CN112154368A (zh) | 2020-12-29 |
EP4235277A2 (en) | 2023-08-30 |
US20230118353A1 (en) | 2023-04-20 |
US11815751B2 (en) | 2023-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6650551B1 (ja) | 電気光学素子のための複合基板とその製造方法 | |
JP6736795B2 (ja) | 電気光学素子のための複合基板 | |
JP6033196B2 (ja) | 光学部品の製造方法 | |
JP7419806B2 (ja) | 光導波路素子および光変調器 | |
US12025864B2 (en) | Composite substrate for electro-optic element and method for manufacturing the same | |
US11150497B2 (en) | Composite substrate for electro-optic element and method for manufacturing the same | |
JP7098666B2 (ja) | 電気光学素子のための複合基板とその製造方法 | |
JP7062937B2 (ja) | 光学素子およびその製造方法 | |
JP7331208B2 (ja) | 電気光学素子のための複合基板とその製造方法 | |
JP7085599B2 (ja) | 電気光学素子用複合基板 | |
WO2023188195A1 (ja) | 光導波路素子及びそれを用いた光変調デバイス並びに光送信装置 | |
WO2021241361A1 (ja) | フォトニック結晶素子用複合基板およびフォトニック結晶素子 | |
WO2014203931A1 (ja) | 光制御素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190524 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190524 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20190524 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190730 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190925 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6650551 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |