WO2019244471A1 - 接合体および弾性波素子 - Google Patents

接合体および弾性波素子 Download PDF

Info

Publication number
WO2019244471A1
WO2019244471A1 PCT/JP2019/017156 JP2019017156W WO2019244471A1 WO 2019244471 A1 WO2019244471 A1 WO 2019244471A1 JP 2019017156 W JP2019017156 W JP 2019017156W WO 2019244471 A1 WO2019244471 A1 WO 2019244471A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
single crystal
amorphous layer
piezoelectric single
layer
substrate
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/017156
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
雄大 鵜野
万佐司 後藤
知義 多井
Original Assignee
日本碍子株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本碍子株式会社 filed Critical 日本碍子株式会社
Priority to KR1020207036575A priority Critical patent/KR102287005B1/ko
Priority to DE112019002430.2T priority patent/DE112019002430B4/de
Priority to JP2019555510A priority patent/JP6644208B1/ja
Priority to CN201980036450.7A priority patent/CN112243568B/zh
Publication of WO2019244471A1 publication Critical patent/WO2019244471A1/ja
Priority to US17/128,857 priority patent/US11139427B2/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/07Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • H10N30/072Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02574Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538Formation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/704Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
    • H10N30/706Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings characterised by the underlying bases, e.g. substrates
    • H10N30/708Intermediate layers, e.g. barrier, adhesion or growth control buffer layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/85Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853Ceramic compositions
    • H10N30/8542Alkali metal based oxides, e.g. lithium, sodium or potassium niobates

Definitions

  • An object of the present invention is to suppress the warpage of the joined body between the piezoelectric single crystal substrate and the support substrate during heating.
  • the joined body according to the present invention A piezoelectric single crystal substrate, A support substrate made of a polycrystalline ceramic material or a single crystal material, A bonding layer provided on the piezoelectric single crystal substrate and having a composition of Si (1-x) O x (0.008 ⁇ x ⁇ 0.408); An amorphous layer containing oxygen atoms and argon atoms is provided between the supporting substrate and the bonding layer, and the concentration of oxygen atoms in the center of the amorphous layer is lower than that of the amorphous layer. It is characterized by being higher than the concentration of oxygen atoms in the peripheral portion.
  • the present inventor studied the cause of the warp, and came up with the possibility that the warp might occur due to a difference in thermal expansion between the piezoelectric single crystal substrate and the support substrate. It has been considered that such a warp caused by the difference in thermal expansion is structurally difficult to be absorbed in the bonding layer and the amorphous layer.
  • the surface 4b of the piezoelectric single crystal substrate 4 of the bonded body 5 is further polished to reduce the thickness of the piezoelectric single crystal substrate 4A as shown in FIG. Obtain 5A.
  • 4c is a polished surface.
  • the intermediate layer 9 is provided on the surface 4a of the piezoelectric single crystal substrate 4, and the bonding layer 2 is provided on the intermediate layer 9.
  • a flat surface 2b is formed on the bonding layer as shown in FIG.
  • the thickness of the bonding layer 2 is usually reduced, and the bonding layer 2A becomes thinner.
  • the surface 2b of the bonding layer 2A is irradiated with a neutralizing beam as shown by the arrow A, and the surface of the bonding layer 2A is activated to be an activated surface.
  • x is 0.008 or more, preferably 0.010 or more, more preferably 0.020 or more, and particularly preferably 0.024 or more. If x is larger than 0.408, the bonding strength decreases and the piezoelectric single-crystal substrates 4 and 4A are easily peeled off. Therefore, x is set to 0.408 or less, but it is further preferable to set 0.225 or less. preferable.
  • the electrical resistivity of the bonding layer 2A is preferably 4.8 ⁇ 10 3 ⁇ ⁇ cm or more, more preferably 5.8 ⁇ 10 3 ⁇ ⁇ cm or more, and 6.2 ⁇ 10 3 ⁇ ⁇ cm. The above is particularly preferred. On the other hand, the electrical resistivity of the bonding layer 2A is generally 1.0 ⁇ 10 8 ⁇ ⁇ cm or less.
  • the amorphous layer 8 is provided between the support substrate 1 and the bonding layer 2A.
  • This amorphous layer 8 contains at least oxygen atoms and argon elements.
  • the amorphous layer 8 contains one or more atoms (excluding oxygen atoms) constituting the support substrate 1.
  • the atoms constituting the support substrate 1 are of a single species
  • the atoms constituting the amorphous layer 8 are also of a single species.
  • the atoms constituting the support substrate 1 are one or more of these atoms.
  • the oxygen concentration at the center of the amorphous layer 8 is preferably 1.08 at% or more, more preferably 1.1 at% or more from the viewpoint of electrical resistivity. Further, the oxygen concentration in the central portion of the amorphous layer 8 is preferably 40.8 atomic% or less.
  • the concentration of argon atoms in the central portion of the amorphous layer 8 is higher than the concentration of argon atoms in the peripheral portion of the amorphous layer 8.
  • the central portion of the amorphous layer 8 means the center of the amorphous layer 8 when the amorphous layer 8 is viewed in plan.
  • the peripheral portion of the amorphous layer 8 is measured at three places within a ring-shaped region having a distance of 5 to 10 mm from the end (edge) of the amorphous layer 8 toward the center, and the average value is calculated. Take.
  • the concentration of argon atoms in the central portion of the amorphous layer 8 is preferably 2.1 atomic% or more, and more preferably 2.4 atomic% or more, from the viewpoint of bonding strength. Further, the concentration of argon atoms in the central portion of the amorphous layer is usually 5.0 atomic% or less, and preferably 4.8 atomic% or less.
  • the arithmetic average roughness Ra of the surface of the bonding layer 2A is preferably 1 nm or less, more preferably 0.3 nm or less. Further, the arithmetic average roughness Ra of the surface 1a of the support substrate 1 is preferably 1 nm or less, more preferably 0.3 nm or less. This further improves the bonding strength between the support substrate 1 and the bonding layer 2A.
  • the surface 4b of the piezoelectric single crystal substrate 4 was ground and polished so that the thickness became 250 ⁇ m from the initial thickness of 1 ⁇ m (see FIG. 2B).
  • the oxygen ratio (x) in the bonding layer 2A was measured for the obtained bonding body 15A. Further, the concentration of each atom in the amorphous layer 8, the thickness of the amorphous layer 8, and the SORI at the time of heating at 80 ° C. were measured. Table 1 shows the results.
  • Comparative Example 3 A joined body 5A was prepared and evaluated in the same manner as in Comparative Example 1. However, in this example, the irradiation amount of the argon atom beam was increased to 360 kJ. Table 2 shows the results.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

【課題】ニオブ酸リチウム等からなる圧電性単結晶基板4、4Aと支持基板1との接合体5、5Aにおいて、加熱時の接合体の反りを抑制する。 【解決手段】接合体5、5Aは、圧電性単結晶基板4、4Aと、多結晶セラミック材料または単結晶材料からなる支持基板1と、圧電性単結晶基板4、4A上に設けられ、Si(1-x)(0.008≦x≦0.408)の組成を有する接合層2Aと、支持基板1と接合層2Aとの間に設けられ、酸素原子およびアルゴン原子を含有する非晶質層8とを備える。非晶質層8の中央部における酸素原子の濃度が非晶質層8の周縁部における酸素原子の濃度よりも高い。

Description

接合体および弾性波素子
 本発明は、接合体および弾性波素子に関するものである。
 高性能な半導体素子を実現する目的で、高抵抗Si/SiO2薄膜/Si薄膜からなるSOI基板が広く用いられている。SOI基板を実現するにあたりプラズマ活性化が用いられる。これは比較的低温(400℃)で接合できるためである。圧電デバイスの特性向上を狙い、類似のSi/SiO2薄膜/圧電薄膜からなる複合基板が提案されている(特許文献1)。特許文献1では、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムからなる圧電性単結晶基板と、酸化珪素層を設けたシリコン基板とをイオン注入法によって活性化した後に接合する。
 また、いわゆるFAB(Fast Atom Beam)方式の直接接合法が知られている。この方法では、中性化原子ビームを常温で各接合面に照射して活性化し、直接接合する(特許文献2)。
 特許文献3では、珪素基板の表面とタンタル酸リチウム基板の表面とを中性化原子ビームによって表面活性化した後、各表面を接合することで、珪素基板とタンタル酸リチウム基板との界面に沿って、タンタル、珪素、アルゴンおよび酸素を含む非晶質層を生成させている。
特開2016-225537 特開2014-086400 WO 2017/134980A1
 弾性波フィルターに用いられるタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム単結晶基板は熱伝導率が小さい。最近の通信量の増大に伴う送信電力の増加、モジュール化による周辺素子からの発熱により、弾性波フィルターが高温化しやすい環境にある。この結果、圧電単結晶単板からなる弾性波フィルターは、高性能通信端末には用いることができなかった。
 一方、FAB(Fast Atom Beam)方式によって中性化原子ビームを圧電性単結晶基板の接合面および支持基板の接合面に照射して活性化し、両者を直接接合する方法では、支持基板側へと熱を逃がすことができるので、圧電単結晶単板からなる弾性波フィルターよりも排熱性が高い。しかし、圧電性単結晶基板と支持基板との接合体には80℃程度の高温が加わるが、このとき反りが生ずることがあった。これは、圧電性単結晶基板と支持基板との間の熱膨張差により、圧電性単結晶基板の結晶面に大きな応力が掛かってしまうためであると考えられる。
 本発明の課題は、圧電性単結晶基板と支持基板との接合体において、加熱時の接合体の反りを抑制することである。
 本発明に係る接合体は、
 圧電性単結晶基板と、
 多結晶セラミック材料または単結晶材料からなる支持基板と、
 前記圧電性単結晶基板上に設けられ、Si(1-x)(0.008≦x≦0.408)の組成を有する接合層と、
 前記支持基板と前記接合層との間に設けられ、酸素原子およびアルゴン原子を含有する非晶質層とを備えており、非晶質層の中央部における酸素原子の濃度が非晶質層の周縁部における酸素原子の濃度よりも高いことを特徴とする。
 また、本発明に係る弾性波素子は、
 前記接合体、および
 前記圧電性単結晶基板上に設けられた電極を備えていることを特徴とする。
 本発明によれば、前記特定組成の接合層を設けることで、接合層における絶縁性を高くすることができる。
 その上で、このような接合層を設けた場合には、圧電性単結晶基板上の接合層と支持基板との界面に沿って、薄い非晶質層が生ずる。しかし、こうして得られた接合体を加熱すると、接合体に反りが生ずることがあった。
 このため、本発明者は、反りの原因について検討し、圧電性単結晶基板と支持基板との熱膨張差によって反りが生ずる可能性を想到した。このような熱膨張差によって生ずる反りは、接合層および非晶質層において吸収することが構造的に困難と考えられた。
 そこで、本発明者は、圧電性単結晶基板上の接合層と支持基板との接合界面に沿って非晶質層を生成させる際に、例えばアルゴン原子ビームの射出口構造を変更することで、接合界面の中央部におけるアルゴン原子ビームのエネルギー強度を高くすることで、接合層上の非晶質層の中央部における酸素濃度を周縁部における酸素濃度よりも高くし、加熱時の接合体の反りへの影響を検討した。この結果、接合体を加熱したときの反りが著しく低減されることを確認した。
 この理由は明確ではないが、非晶質層の中央部における酸素濃度が相対的に高いような濃度の面内分布を設けることによって、非晶質層の厚さの面内分布が、中央部が一層厚くなるように調整される。この結果、加熱の際に圧電性単結晶に加わる応力が緩和され、加熱時における接合体の反りが抑制されたものと考えられる。
(a)は、圧電性単結晶基板4の表面4aに接合層2を設けた状態を示し、(b)は、接合層2Aの表面2bを中性化ビームAによって活性化した状態を示し、(c)は、支持基板1の表面1aを中性化ビームAによって活性化した状態を示す。 (a)は、圧電性単結晶基板4と支持基板1を接合した状態を示し、(b)は、圧電性単結晶基板4Aを加工によって薄くした状態を示し、(c)は、圧電性単結晶基板4A上に電極6を設けた状態を示す。 (a)は、圧電性単結晶基板4の表面4aに中間層9および接合層2を設けた状態を示し、(b)は、接合層2Aの表面2bを中性化ビームAによって活性化した状態を示し、(c)は、支持基板1の表面1aを中性化ビームAによって活性化した状態を示す。 (a)は、圧電性単結晶基板4と支持基板1を接合した状態を示し、(b)は、圧電性単結晶基板4Aを加工によって薄くした状態を示し、(c)は、圧電性単結晶基板4A上に電極6を設けた状態を示す。
 以下、適宜図面を参照しつつ、本発明を詳細に説明する。
 図1~図2に示す実施形態では、まず、図1(a)に示すように、圧電性単結晶基板4の表面4aに接合層2を設ける。4bは反対側の表面である。この時点では、接合層2の表面2aには凹凸があってもよい。
 次いで、好適な実施形態においては、接合層2の表面2aを平坦化加工することによって、図1(b)に示すように、接合層に平坦面2bを形成する。この平坦化加工によって、通常、接合層2の厚さは小さくなり、より薄い接合層2Aになる(図1(b)参照)。ただし、平坦化加工は必ずしも必要ない。次いで、接合層2Aの表面2bに対して矢印Aのように中性化ビームを照射し、接合層2Aの表面を活性化して活性化面とする。
 一方、図1(c)に示すように、支持基板1の表面1aに中性化ビームAを照射することによって活性化し、活性化面1aとする。1bは反対側の表面である。そして、図2(a)に示すように、圧電性単結晶基板4上の接合層2Aの活性化面2bと支持基板1の活性化面1aとを直接接合することによって、接合体5を得る。
 好適な実施形態においては、接合体5の圧電性単結晶基板4の表面4bを更に研磨加工し、図2(b)に示すように圧電性単結晶基板4Aの厚さを小さくし、接合体5Aを得る。4cは研磨面である。
 図2(c)では、圧電性単結晶基板4Aの研磨面4c上に所定の電極6を形成することによって、弾性波素子7を作製している。
 ここで、各活性化面への照射エネルギー量を適宜調節することによって、図2(a)、(b)に示すように、接合層2Aと支持基板1との界面に沿って非晶質層8を生成させる。
 図3~図4に示す実施形態では、まず、図3(a)に示すように、圧電性単結晶基板4の表面4aに中間層9を設け、中間層9上に接合層2を設ける。次いで、接合層2の表面2aを平坦化加工することによって、図3(b)に示すように、接合層に平坦面2bを形成する。この平坦化加工によって、通常、接合層2の厚さは小さくなり、より薄い接合層2Aになる。次いで、接合層2Aの表面2bに対して矢印Aのように中性化ビームを照射し、接合層2Aの表面を活性化して活性化面とする。
 一方、図3(c)に示すように、支持基板1の表面1aに中性化ビームAを照射することによって活性化し、活性化面1aとする。そして、図4(a)に示すように、圧電性単結晶基板4上の接合層2Aの活性化面2bと支持基板1の活性化面1aとを直接接合することによって、接合体15を得る。
 好適な実施形態においては、接合体15の圧電性単結晶基板4の表面4bを更に研磨加工し、図4(b)に示すように圧電性単結晶基板4Aの厚さを小さくし、接合体15Aを得る。図4(c)では、圧電性単結晶基板4Aの研磨面4c上に所定の電極6を形成することによって、弾性波素子17を作製している。
 ここで、各活性化面への照射エネルギー量を適宜調節することによって、図4(a)、(b)に示すように、接合層2Aと支持基板1との界面に沿って非晶質層8を生成させる。
 以下、本発明の各構成要素について更に説明する。
(支持基板)
 本発明では、支持基板1は多結晶セラミック材料または単結晶材料からなる。支持基板1を構成する単結晶材料としては、シリコンおよびサファイアが好ましい。また多結晶セラミックス材料としては、ムライト、コージェライト、透光性アルミナ、およびサイアロンからなる群より選ばれた材質が好ましい。
(圧電性単結晶基板)
 圧電性単結晶基板4、4Aの材質は、具体的には、タンタル酸リチウム(LT)単結晶、ニオブ酸リチウム(LN)単結晶、ニオブ酸リチウム-タンタル酸リチウム固溶体単結晶、水晶、ホウ酸リチウムを例示できる。このうち、LT又はLNであることがより好ましい。LTやLNは、弾性表面波の伝搬速度が速く、電気機械結合係数が大きいため、高周波数且つ広帯域周波数用の弾性表面波デバイスとして適している。また、圧電性単結晶基板4、4Aの主面の法線方向は、特に限定されないが、例えば、圧電性単結晶基板4、4AがLTからなるときには、弾性表面波の伝搬方向であるX軸を中心に、Y軸からZ軸に36~47°(例えば42°)回転した方向のものを用いるのが伝搬損失が小さいため好ましい。圧電性単結晶基板4、4AがLNからなるときには、弾性表面波の伝搬方向であるX軸を中心に、Y軸からZ軸に60~68°(例えば64°)回転した方向のものを用いるのが伝搬損失が小さいため好ましい。更に、圧電性単結晶基板4、4Aの大きさは、特に限定されないが、例えば、直径50~150mm,厚さが0.2~60μmである。
(接合層)
 本発明においては、支持基板1と圧電性単結晶基板4、4Aとの間に設けられた接合層2Aを備えており、接合層2AがSi(1-x)(0.008≦x≦0.408)の組成を有する。この組成は、SiO(x=0.667に対応する)に比べて酸素比率がかなり低くされている組成である。このような組成の珪素酸化物Si(1-x)からなる接合層2Aによって支持基板1に対して圧電性単結晶基板4、4Aを接合すると、接合強度を高くすることができ、かつ接合層2Aにおける絶縁性も高くすることができる。
 接合層2Aを構成するSi(1-x)の組成において、xが0.008未満であると、接合層2Aにおける電気抵抗が低くなり、所望の絶縁性が得られない。このため、xを0.008以上とするが、0.010以上が好ましく、0.020以上が更に好ましく、0.024以上が特に好ましい。またxが0.408より大きいと、接合強度が下がり、圧電性単結晶基板4、4Aの剥離が生じ易くなるので、xを0.408以下とするが、0.225以下とすることが更に好ましい。
 接合層2Aの電気抵抗率は4.8×10Ω・cm以上であることが好ましく、5.8×10Ω・cm以上であることが更に好ましく、6.2×10Ω・cm以上が特に好ましい。一方、接合層2Aの電気抵抗率は、一般に1.0×10Ω・cm以下となる。
 接合層2Aの厚さは、特に限定されないが、製造コストの観点からは0.01~10μmが好ましく、0.01~0.5μmが更に好ましい。
 接合層2Aの成膜方法は限定されないが、スパッタリング(sputtering)法、化学的気相成長法(CVD)、蒸着を例示できる。ここで、特に好ましくは、スパッタターゲットをSiとした反応性スパッタリングの際に、チャンバー内に流す酸素ガス量を調整することによって、接合層2Aの酸素比率(x)をコントロールすることが可能である。
 具体的な製造条件はチャンバー仕様によるので適宜選択するが、好適例では、全圧を0.28~0.34Paとし、酸素分圧を1.2×10―3~5.7×10-2Paとし、成膜温度を常温とする。また、SiターゲットとしてはBドープSiを例示できる。後述するように、接合層2Aと支持基板1との界面には、不純物としてのB(ボロン)量が、5×1018atoms/cm~5×1019atoms/cm程度になるように制御している。これにより、接合層2Aにおける絶縁性をより確実に担保することができる。
(中間層)
 接合層2Aと圧電性単結晶基板4、4Aとの間に中間層9を更に設けることができる。こうした中間層9は、接合層2Aと圧電性単結晶基板4、4Aとの密着性を更に向上させるものであることが好ましく、具体的には、SiO2、Ta2O5、TiO2、ZrO2、HfO2、Nb2O3、Bi2O3、Al2O3、MgO、AlN、Si3N4からなることが好ましい。特に好ましくは中間層がSiO2からなる。
(非晶質層)
 本発明では、支持基板1と接合層2Aとの間に非晶質層8を設ける。この非晶質層8は、少なくとも酸素原子およびアルゴン元素を含有している。好ましくは、非晶質層8は、支持基板1を構成する一種以上の原子(酸素原子を除く)を含有している。支持基板1を構成する原子が単一種である場合には、非晶質層8を構成する前記原子も単一種である。支持基板3を構成する原子が複数存在する場合には、支持基板1を構成する原子は、これらのうち一種または複数種である。
 本発明では、非晶質層8の中央部における酸素原子の濃度を非晶質層の周縁部における酸素原子の濃度よりも高くする。ここで、本明細書では、非晶質層8の中央部とは、非晶質層8を平面視した場合の非晶質層8の中心を意味する。また、非晶質層8の周縁部とは、非晶質層8の端部(エッジ)から中心方向に5~10mmの距離となるリング状領域内3か所を測定し、その平均値をとる。
 非晶質層8の中央部における酸素濃度は、電気抵抗率の観点から1.08原子%以上であることが好ましく、1.1原子%以上であることが更に好ましい。また、非晶質層8の中央部における酸素濃度は、40.8原子%以下であることが好ましい。
 非晶質層8の周縁部における酸素濃度は、電気抵抗率の観点から0.8原子%以上であることが好ましく、1.0原子%以上であることが更に好ましい。また、非晶質層8の周縁部における酸素濃度は、39.8原子%以下であることが好ましい。
 加熱時における接合体5、5A、15、15Aの反りを低減するという観点からは、非晶質層8の中央部における酸素原子の濃度と周縁部における酸素原子の濃度との差は、1.0原子%以上であることが好ましく、2.0原子%以上であることが更に好ましい。言い換えると、非晶質層8の中央部における酸素原子濃度が、非晶質層8の周縁部における酸素原子濃度よりも1.0原子%以上高いことが好ましく、2.0原子%以上高いことが更に好ましい。
 好適な実施形態においては、非晶質層8の中央部における厚さが非晶質層8の周縁部における厚さよりも大きい。これによって、接合体5、5A、15、15Aを加熱したときの反りが一層低減される。こうした観点からは、非晶質層8の中央部における厚さと非晶質層7の周縁部における厚さとの差は0.5nm以上であることが好ましく、1.0nm以上であることが更に好ましい。
 また、非晶質層8の中央部における厚さは、2.8~8nmであることが好ましく、3.2~8nmであることが更に好ましい。また、非晶質層8の周縁部における厚さは1.0~2.8nmであることが好ましく、1.2~2.6nm以上であることが更に好ましい。
 好適な実施形態においては、非晶質層8の中央部におけるアルゴン原子の濃度を非晶質層8の周縁部におけるアルゴン原子の濃度よりも高くする。ここで、本明細書では、非晶質層8の中央部とは、非晶質層8を平面視した場合の非晶質層8の中心を意味する。また、非晶質層8の周縁部とは、非晶質層8の端部(エッジ)から中心方向に5~10mmの距離となるリング状領域内3か所を測定し、その平均値をとる。
 非晶質層8の中央部におけるアルゴン原子の濃度は、接合強度の観点からは、2.1原子%以上であることが好ましく、2.4原子%以上であることが更に好ましい。また、非晶質層の中央部におけるアルゴン原子の濃度は、通常、5.0原子%以下であり、4.8原子%以下であることが好ましい。
 非晶質層8の周縁部におけるアルゴン原子の濃度は、接合強度の観点からは、1.1原子%以上であることが好ましく、1.8原子%以上であることが更に好ましい。また、非晶質層の周縁部におけるアルゴン原子の濃度は、通常、3.0原子%以下であり、2.5原子%以下であることが好ましい。
 加熱時における接合体5、5A、15、15Aの反りを低減するという観点からは、非晶質層8の中央部におけるアルゴン原子の濃度と周縁部におけるアルゴン原子の濃度との差は、1.0原子%以上であることが好ましく、1.5原子%以上であることが更に好ましい。言い換えると、非晶質層8の中央部におけるアルゴン原子の濃度が、非晶質層8の周縁部におけるアルゴン原子の濃度よりも1原子%以上高いことが好ましく、1.5原子%以上高いことが更に好ましい。
 また、非晶質層8の存在は、以下のようにして確認するものとする。
 測定装置:
 透過型電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ製 H-9500)を用いて微構造観察する。
 測定条件:
 FIB(集束イオンビーム)法にて薄片化したサンプルに対して、加速電圧200kVにて観察する。
 非晶質層8における各原子の濃度は、以下のようにして測定するものとする。
 測定装置:
 元素分析装置(日本電子 JEM-ARM200F)を用いて元素分析を行う。
 測定条件:
 FIB(集束イオンビーム)法にて薄片化したサンプルに対して、加速電圧200kVにて観察する。
(好適な製造条件)
 接合層2Aの表面の算術平均粗さRaが1nm以下であることが好ましく、0.3nm以下であることが更に好ましい。また、支持基板1の表面1aの算術平均粗さRaが1nm以下であることが好ましく、0.3nm以下であることが更に好ましい。これによって支持基板1と接合層2Aとの接合強度が一層向上する。
 接合層2Aの表面2b、支持基板1の表面4a、1aを平坦化する方法は、ラップ(lap)研磨、化学機械研磨加工(CMP)などがある。
 好適な実施形態においては、中性化ビームによって、接合層2Aの表面2b、支持基板1の表面1aを活性化できる。特に、接合層2Aの表面2b、支持基板1の表面1aが平坦面である場合には、直接接合しやすい。
 中性化ビームによる表面活性化を行う際には、特開2014-086400に記載のような装置を使用して中性化ビームを発生させ、照射することが好ましい。すなわち、ビーム源として、サドルフィールド型の高速原子ビーム源を使用する。そして、チャンバーにアルゴンガスを導入し、電極へ直流電源から高電圧を印加する。これにより、電極(正極)と筺体(負極)との間に生じるサドルフィールド型の電界により、電子eが運動して、アルゴンガスによる原子とイオンのビームが生成される。グリッドに達したビームのうち、イオンビームはグリッドで中和されるので、中性原子のビームが高速原子ビーム源から出射される。
 ビーム照射による活性化時の電圧は0.5~2.0kVとすることが好ましく、電流は50~200mAとすることが好ましい。
 圧電性単結晶基板1ならびに支持基板3に高速原子ビームを照射する際、中央部により多くのビームが照射されるよう、前記グリッドに穴の径、方向、傾斜に分布を有するものを用いる。具体的には、グリッド中央部30mm角の部分に関してはグリッド孔の入射側の中心と出射側の中心の延長線上にビームを照射する基板の中央部が来るようなものを用いたり、グリッド中央部30mm角の部分のグリッド孔の大きさを他と比べて15~30%大きくしたりする。もしくは、グリッド中央部30mmの領域のみArガスの流量を40%多くすることでも、ビーム照射量に分布を設けることが出来る。但し、本発明では、上述した方法に限定されず、結果的に、中央部に周縁部よりも多くビーム照射される方法であれば良い。
 次いで、真空雰囲気で、活性化面同士を接触させ、接合する。この際の温度は常温であるが、具体的には40℃以下が好ましく、30℃以下が更に好ましい。また、接合時の温度は20℃以上、25℃以下が特に好ましい。接合時の圧力は、100~20000Nが好ましい。
 本発明の接合体5、5A、15、15Aの用途は特に限定されず、例えば、弾性波素子や光学素子に好適に適用できる。
 弾性波素子7、17としては、弾性表面波デバイスやラム波素子、薄膜共振子(FBAR)などが知られている。例えば、弾性表面波デバイスは、圧電性単結晶基板の表面に、弾性表面波を励振する入力側のIDT(Interdigital Transducer)電極(櫛形電極、すだれ状電極ともいう)と弾性表面波を受信する出力側のIDT電極とを設けたものである。入力側のIDT電極に高周波信号を印加すると、電極間に電界が発生し、弾性表面波が励振されて圧電基板上を伝搬していく。そして、伝搬方向に設けられた出力側のIDT電極から、伝搬された弾性表面波を電気信号として取り出すことができる。
 圧電性単結晶基板4、4Aの底面に金属膜を有していてもよい。金属膜は、弾性波デバイスとしてラム波素子を製造した際に、圧電基板の裏面近傍の電気機械結合係数を大きくする役割を果たす。この場合、ラム波素子は、圧電性単結晶基板4、4Aの表面4b、4cに櫛歯電極が形成され、支持基板1に設けられたキャビティによって圧電性単結晶基板4、4Aの金属膜が露出した構造となる。こうした金属膜の材質としては、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、金などが挙げられる。なお、ラム波素子を製造する場合、底面に金属膜を有さない圧電性単結晶基板4、4Aを備えた複合基板を用いてもよい。
 また、圧電性単結晶基板4、4Aの底面に金属膜と絶縁膜を有していてもよい。金属膜は、弾性波デバイスとして薄膜共振子を製造した際に、電極の役割を果たす。この場合、薄膜共振子は、圧電性単結晶基板4、4Aの表裏面に電極が形成され、絶縁膜をキャビティにすることによって圧電性単結晶基板の金属膜が露出した構造となる。こうした金属膜の材質としては、例えば、モリブデン、ルテニウム、タングステン、クロム、アルミニウムなどが挙げられる。また、絶縁膜の材質としては、例えば、二酸化ケイ素、リンシリカガラス、ボロンリンシリカガラスなどが挙げられる。
 また、光学素子としては、光スイッチング素子、波長変換素子、光変調素子を例示できる。また、圧電性単結晶基板4、4A中に周期分極反転構造を形成することができる。
 本発明を光学素子に適用した場合には、光学素子の小型化が可能であり、また特に周期分極反転構造を形成した場合には、加熱処理による周期分極反転構造の劣化を防止できる。更に、接合層2Aの材料は、高絶縁材料でもあるので、接合前の中性化ビームによる処理時に、分極反転の発生が抑制され、また圧電性単結晶基板4、4Aに形成された周期分極反転構造の形状を乱すことがほとんどない。
(実施例1)
 図1および図2を参照しつつ説明した方法に従って、表1に示す実施例1の接合体5Aを作製した。
 具体的には、OF(オリエンテーションフラット)部を有し、直径が4インチ,厚さが250μmのタンタル酸リチウム基板(LT基板)を、圧電性単結晶基板4として使用した。LT基板は、弾性表面波(SAW)の伝搬方向をXとし、切り出し角が回転Yカット板である46°YカットX伝搬LT基板を用いた。圧電性単結晶基板4の表面4aは、算術平均粗さRaが0.3nmとなるように鏡面研磨しておいた。ただし、Raは、原子間力顕微鏡(AFM)によって10μm×10μmの視野で測定する。
 次いで、圧電性単結晶基板4の表面4aに、直流スパッタリング法によって接合層2を成膜した。ターゲットにはボロンドープのSiを使用した。また、酸素源として酸素ガスを導入した。この際、酸素ガス導入量を変化させることによって、チャンバー内の雰囲気の全圧と酸素分圧を変化させ、これによって接合層2の酸素比率(x)を調整した。接合層2の厚さは100~200nmとした。接合層2の表面2aの算術平均粗さRaは0.2~0.6nmであった。
 次いで、接合層2を化学機械研磨加工(CMP)し、膜厚を80~190nmとし、Raを0.08~0.4nmとした。
 一方、支持基板1として、オリエンテーションフラット(OF)部を有し、直径が4インチ,厚さが500μmのSiからなる支持基板1を用意した。支持基板1の表面1a、1bは、化学機械研磨加工(CMP)によって仕上げ加工されており、各算術平均粗さRaは0.2nmとなっている。
 次いで、接合層2Aの平坦面2bと支持基板1の表面1aとを洗浄し、汚れを取った後、真空チャンバーに導入した。10-6Pa台まで真空引きした後、それぞれの基板の接合面1a、2bに高速原子ビームを180kJ照射した。ついで、接合層2Aのビーム照射面(活性化面)2bと支持基板1の活性化面1aとを接触させた後、10000Nで2分間加圧して両基板1、4を接合した(図2(a)参照)。
この際、アルゴン原子ビームが各表面の中央部に多く照射されるように、グリッドには、中央部30mm角領域のみグリッド孔径を20%大きくしたものを用いた。
 次いで、圧電性単結晶基板4の表面4bを厚みが当初の250μmから1μmになるように研削及び研磨した(図2(b)参照)。
 得られた接合体5Aについて、接合層2A中の酸素比率(x)をEDSによって以下の条件で測定した。ここでは、接合層2Aは、Si(0.95)0.05の組成を有する。
測定装置:
 元素分析装置(日本電子 JEM-ARM200F)を用いて元素分析を行う。
 測定条件:
 FIB(集束イオンビーム)法にて薄片化したサンプルに対して、加速電圧200kVにて観察する。
 また、接合層2Aと支持基板1との接合界面の非晶質層8における各原子の濃度を測定した。また、非晶質層8の厚さを以下のようにして測定した。
測定装置:
 透過型電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ製 H-9500)を用いて微構造観察する。
 測定条件:
 FIB(集束イオンビーム)法にて薄片化したサンプルに対して、加速電圧200kVにて観察する。
 測定結果を表1に示す。
 また、得られた接合体を80℃で加熱し、SORIの大きさを測定した。この結果を表1に示す。
 SORIの測定にはキーエンス製レーザー変位計LK-G5000を用い、可動ステージの上に乗せたウエハーの高さ情報を測定し、ライン上にスキャン測定した。測定は基板のオリエンテーションフラットと水平方向および垂直方向の2ラインで行い、SORI値が大きいほうをウエハーのSORIとした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 
 表1に示すように、実施例1では,非晶質層8の中央部における酸素濃度、アルゴン濃度、厚さが、非晶質層8の周縁部における酸素濃度、アルゴン濃度、厚さよりも大きいが、80℃加熱時のSORIが330μmと低かった。
(実施例2)
 図3、図4に示す方法により、接合体15Aを作製した。ただし、具体的条件は実施例1と同様にした上で、圧電性単結晶基板4上に酸化珪素からなる中間層9を設け、中間層9上に接合層2、2Aを設けた。
 得られた接合体15Aについて、接合層2A中の酸素比率(x)を測定した。また、非晶質層8における各原子の濃度および非晶質層8の厚さ、80℃加熱時のSORIを測定した。この結果を表1に示す。
 表1に示すように、実施例2では、非晶質層8の中央部における酸素濃度、アルゴン濃度、厚さが、非晶質層8の周縁部における酸素濃度、アルゴン濃度、厚さよりも大きいが、80℃加熱時のSORIが360μmと低かった。
(比較例1)
 実施例1と同様にして接合体5Aを作製し、評価した。ただし、本例では、アルゴン原子ビームの射出口の構造を以下のようにし、接合面2b、1aの全体にアルゴン原子ビームが略均等に照射されるようにした。結果を表2に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 
 表2に示すように、比較例1では、非晶質層8の中央部における酸素濃度、厚さが、非晶質層8の周縁部における酸素濃度、厚さと同じであったが、80℃加熱時のSORIが660μmと大きかった。
(比較例2)
 実施例2と同様にして接合体15Aを作製し、評価した。ただし、本例では、接合面2b、1aの全体にアルゴン原子ビームが略均等に照射されるようにした。結果を表2に示す。
 表2に示すように、比較例2では、非晶質層8の中央部における酸素濃度、厚さ、アルゴン濃度が、非晶質層8の周縁部における酸素濃度、厚さ、アルゴン濃度よりも小さかったが、80℃加熱時のSORIが670μmと大きかった。
(比較例3)
 比較例1と同様にして接合体5Aを作製し、評価した。ただし、本例では、アルゴン原子ビームの照射量を360kJまで増大させた。結果を表2に示す。
 比較例3では、非晶質層8の中央部における酸素濃度が周縁部における酸素濃度と同じであり、非晶質層8の中央部におけるアルゴン濃度、厚さが周縁部におけるアルゴン濃度、厚さよりも低かったが、80℃加熱時のSORIが610μmと大きかった。
 なお、上述した実施例1、2及び比較例1~3では、接合層2Aの組成として、Si(1-x)(x=0.05)としたが、これに限定されない。接合層2Aが、Si(1-x)(0.008≦x≦0.408)の組成を有している場合には、接合体5、5A、15、15Aの絶縁性を担保しつつ、反りを低減することができる。

 

Claims (7)

  1.  圧電性単結晶基板と、
     多結晶セラミック材料または単結晶材料からなる支持基板と、
     前記圧電性単結晶基板上に設けられ、Si(1-x)(0.008≦x≦0.408)の組成を有する接合層と、
     前記支持基板と前記接合層との間に設けられ、酸素原子およびアルゴン原子を含有する非晶質層とを備えた接合体であって、
     前記非晶質層の中央部における前記酸素原子の濃度が前記非晶質層の周縁部における前記酸素原子の濃度よりも高いことを特徴とする、接合体。
  2.  前記非晶質層の中央部における前記アルゴン原子の濃度が前記非晶質層の周縁部における前記アルゴン原子の濃度よりも高いことを特徴とする、請求項1記載の接合体。
  3.  前記非晶質層の中央部における厚さが前記非晶質層の前記周縁部における厚さよりも大きいことを特徴とする、請求項1または2記載の接合体。
  4.  前記圧電性単結晶基板と前記接合層との間に設けられ、SiOの組成を有する中間層を備えていることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一つの請求項に記載の接合体。
  5.  前記支持基板が、シリコン、サファイア、ムライト、コージェライト、透光性アルミナおよびサイアロンからなる群より選ばれた材質からなることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一つの請求項に記載の接合体。
  6.  前記圧電性単結晶基板が、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム-タンタル酸リチウム固溶体からなることを特徴とする、請求項1~5のいずれか一つの請求項に記載の接合体。
  7.  請求項1~6のいずれか一つの請求項に記載の接合体、および前記圧電性単結晶基板上に設けられた電極を備えていることを特徴とする、弾性波素子。

     
PCT/JP2019/017156 2018-06-22 2019-04-23 接合体および弾性波素子 WO2019244471A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020207036575A KR102287005B1 (ko) 2018-06-22 2019-04-23 접합체 및 탄성파 소자
DE112019002430.2T DE112019002430B4 (de) 2018-06-22 2019-04-23 Verbundener Körper und Akustikwellenelement
JP2019555510A JP6644208B1 (ja) 2018-06-22 2019-04-23 接合体および弾性波素子
CN201980036450.7A CN112243568B (zh) 2018-06-22 2019-04-23 接合体及弹性波元件
US17/128,857 US11139427B2 (en) 2018-06-22 2020-12-21 Bonded body and elastic wave element

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-118503 2018-06-22
JP2018118503 2018-06-22

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US17/128,857 Continuation US11139427B2 (en) 2018-06-22 2020-12-21 Bonded body and elastic wave element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019244471A1 true WO2019244471A1 (ja) 2019-12-26

Family

ID=68983986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/017156 WO2019244471A1 (ja) 2018-06-22 2019-04-23 接合体および弾性波素子

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11139427B2 (ja)
JP (1) JP6644208B1 (ja)
KR (1) KR102287005B1 (ja)
CN (1) CN112243568B (ja)
DE (1) DE112019002430B4 (ja)
TW (1) TWI794492B (ja)
WO (1) WO2019244471A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022022276A (ja) * 2020-01-10 2022-02-03 日本碍子株式会社 圧電振動基板および圧電振動素子
JP7075529B1 (ja) 2021-06-11 2022-05-25 日本碍子株式会社 複合基板および複合基板の製造方法
WO2023182246A1 (ja) * 2022-03-23 2023-09-28 京セラ株式会社 接合基板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014077213A1 (ja) * 2012-11-14 2014-05-22 日本碍子株式会社 複合基板
WO2017134980A1 (ja) * 2016-02-02 2017-08-10 信越化学工業株式会社 複合基板および複合基板の製造方法
WO2017163722A1 (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 日本碍子株式会社 接合方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3774782B2 (ja) * 2003-05-14 2006-05-17 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波素子の製造方法
JP3929983B2 (ja) * 2004-03-03 2007-06-13 富士通メディアデバイス株式会社 接合基板、弾性表面波素子および弾性表面波デバイス並びにその製造方法
CN101512721A (zh) * 2006-04-05 2009-08-19 硅源公司 利用层转移工艺制造太阳能电池的方法和结构
US8557679B2 (en) * 2010-06-30 2013-10-15 Corning Incorporated Oxygen plasma conversion process for preparing a surface for bonding
WO2012124648A1 (ja) 2011-03-14 2012-09-20 株式会社村田製作所 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法
FR2978603B1 (fr) * 2011-07-28 2013-08-23 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert d'une couche semi-conductrice monocristalline sur un substrat support
JP2014086400A (ja) 2012-10-26 2014-05-12 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 高速原子ビーム源およびそれを用いた常温接合装置
JP6167657B2 (ja) * 2013-05-13 2017-07-26 三菱マテリアル株式会社 強誘電体膜付きシリコン基板
EP3109894B1 (en) * 2014-02-18 2020-11-25 NGK Insulators, Ltd. Composite substrate for semiconductor, and method for manufacturing a composite substrate for semiconductor
JP6396853B2 (ja) * 2015-06-02 2018-09-26 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
JP6454606B2 (ja) 2015-06-02 2019-01-16 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
JP6396854B2 (ja) * 2015-06-02 2018-09-26 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
US10541667B2 (en) * 2015-08-25 2020-01-21 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Surface acoustic wave (SAW) resonator having trap-rich region
CN107059128B (zh) * 2016-12-21 2019-04-16 济南晶正电子科技有限公司 一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法
WO2018180827A1 (ja) 2017-03-31 2018-10-04 日本碍子株式会社 接合体および弾性波素子
KR102326982B1 (ko) * 2018-05-17 2021-11-16 엔지케이 인슐레이터 엘티디 압전성 단결정 기판과 지지 기판의 접합체

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014077213A1 (ja) * 2012-11-14 2014-05-22 日本碍子株式会社 複合基板
WO2017134980A1 (ja) * 2016-02-02 2017-08-10 信越化学工業株式会社 複合基板および複合基板の製造方法
WO2017163722A1 (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 日本碍子株式会社 接合方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022022276A (ja) * 2020-01-10 2022-02-03 日本碍子株式会社 圧電振動基板および圧電振動素子
JP7235840B2 (ja) 2020-01-10 2023-03-08 日本碍子株式会社 圧電振動基板および圧電振動素子
TWI826762B (zh) * 2020-01-10 2023-12-21 日商日本碍子股份有限公司 壓電振動基板及壓電振動元件
JP7075529B1 (ja) 2021-06-11 2022-05-25 日本碍子株式会社 複合基板および複合基板の製造方法
WO2022259627A1 (ja) * 2021-06-11 2022-12-15 日本碍子株式会社 複合基板および複合基板の製造方法
JP2022189405A (ja) * 2021-06-11 2022-12-22 日本碍子株式会社 複合基板および複合基板の製造方法
WO2023182246A1 (ja) * 2022-03-23 2023-09-28 京セラ株式会社 接合基板

Also Published As

Publication number Publication date
KR102287005B1 (ko) 2021-08-09
CN112243568B (zh) 2021-12-28
TW202002508A (zh) 2020-01-01
JP6644208B1 (ja) 2020-02-12
JPWO2019244471A1 (ja) 2020-06-25
TWI794492B (zh) 2023-03-01
DE112019002430T5 (de) 2021-03-04
KR20210005738A (ko) 2021-01-14
US11139427B2 (en) 2021-10-05
CN112243568A (zh) 2021-01-19
DE112019002430B4 (de) 2022-07-28
US20210111332A1 (en) 2021-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101972728B1 (ko) 접합체 및 탄성파 소자
US11632093B2 (en) Acoustic wave devices and a method of producing the same
US11139427B2 (en) Bonded body and elastic wave element
CN112088149B (zh) 压电性单晶基板与支撑基板的接合体
US11888462B2 (en) Bonded body and acoustic wave element
US11133788B2 (en) Bonded body and elastic wave element
US11070189B2 (en) Joint and elastic wave element
KR102218934B1 (ko) 접합체
JP6621574B1 (ja) 接合体および弾性波素子
US11411547B2 (en) Joint and elastic wave element
WO2021002047A1 (ja) 接合体および弾性波素子
WO2021002046A1 (ja) 接合体および弾性波素子

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019555510

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19821639

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20207036575

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19821639

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1