JP7235840B2 - 圧電振動基板および圧電振動素子 - Google Patents
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Description
(1) フロントガラスなどをスクリーンとして直接画像を投影するDirect Projection方式
(2) フロントガラスなどを反射ミラーとして作用させドライバーの網膜上に結像させるVirtual Imaging方式
この方式による主な利点は以下のとおりである。
(1) 部品点数が少ないため小型化、低コスト化、信頼性向上を実現できる。
(2) 各画素に必要な明るさでレーザーを点灯するため、低消費電力を実現できる。
(3) コリメート(平行光)されたレーザー光を用いるため、フォーカス調整が不要である。
バルク状の圧電性材料からなり、第一面および前記第一面と反対側の第二面を有する圧電層、
前記圧電層の第一面上の下部電極、および
前記下部電極に対して接合されている支持基板
を備えていることを特徴とする、圧電振動基板
に係るものである。
前記圧電層上の上部電極
を備えることを特徴とする、圧電振動素子に係るものである。
バルク状の圧電性材料からなり、第一面および前記第一面と反対側の第二面を有する圧電層、
前記圧電層の第一面上の下部電極、
前記下部電極に対して接合されている高剛性セラミック板、および
前記高剛性セラミック板に対して接合されている支持基板
を備えていることを特徴とする、圧電振動基板に係るものである。
前記圧電層の第二面上の上部電極
を備えることを特徴とする、圧電振動素子に係るものである。
この結果、本発明によって、圧電特性および耐久性に優れた圧電アクチュエーターデバイスを実現可能となる。
図1および図2は、第一の態様の発明に係るものである。
好適な実施形態においては、図1(a)に示すように、圧電体2は第一面2aと第二面2bとを有する。圧電体2の第一面2a上に下部電極3、中間層4を設ける。次いで、中間層4の接合面4aに対して矢印Aのように中性化原子ビームを照射することによって,中間層4aを活性化する。
図3(a)に示すように、高剛性セラミック体7は第一面7aおよび第二面7bを有する。高剛性セラミック体7の第一面7a上に中間層8を設ける。次いで、中間層8の接合面8aに対して矢印Cのように中性化原子ビームを照射することによって、接合面8aを活性化する。一方、図3(b)に示すように、支持基板5の接合面5aに対して矢印Bのように中性化原子ビームを照射することによって、接合面5aを活性化する。
バルク状の圧電性材料とは、基板上に成膜された状態の圧電性材料ではなく、結晶成長法や焼結法によってバルク状に形成された圧電性材料を意味する。こうした圧電性材料は通常結晶性がよく、強度が高い。
(1) 下部電極上の中間層と支持基板とを直接接合する。
(2) 支持基板の上の中間層と下部電極とを直接接合する。
(3) 下部電極上の中間層と支持基板上の中間層とを直接接合する。
(1) 下部電極の接合面上の中間層と高剛性セラミックス板の第二面とを直接接合する。
(2) 高剛性セラミックス板の第二面上の中間層と下部電極の接合面とを直接接合する。
(3) 下部電極の接合面上の中間層と高剛性セラミックス板の第二面上の中間層とを直接接合する。
(1) 支持基板の接合面上の中間層と高剛性セラミックス体の第一面とを直接接合する。
(2) 高剛性セラミックス板の第一面上の中間層と支持基板の接合面とを直接接合する。
(3) 高剛性セラミックス板の第一面上の中間層と支持基板の接合面上の中間層とを直接接合する。
いずれの形態においても、直接接合の界面に沿って非晶質層が生成することがある。
中間層の材質は限定されないが、酸化珪素、五酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化ビスマス、アルミナ、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化珪素、珪素を例示できる。
中間層の成膜方法は限定されないが、スパッタリング(sputtering)法、化学的気相成長法(CVD)、蒸着を例示できる。
on Insulator) であることが好ましい。この金属酸化物は、単一金属の酸化物であってよく、あるいは複数種の金属の複合酸化物であってもよい。この金属酸化物は、好ましくは、サイアロン、サファイア、コージェライト、ムライトおよびアルミナからなる群より選ばれる。アルミナは好ましくは透光性アルミナである。金属はSUS、銅、アルミニウムなどが例示できる。
高剛性セラミックスの種類としては、サイアロン、透光性アルミナ、サファイアなどを例示できる。
サイアロンは、窒化珪素とアルミナとの混合物を焼結して得られるセラミックスであり、以下のような組成を有する。
Si6-zAlzOzN8-z
すなわち、サイアロンは、窒化珪素中にアルミナが混合された組成を有しており、zがアルミナの混合比率を示している。zは、0.5以上が更に好ましい。また、zは、4.0以下が更に好ましい。
まず、各中間層の接合面、支持基板の接合面、高剛性セラミック体の接合面、下部電極の接合面を平坦化して各平坦面を得る。ここで、各接合面を平坦化する方法は、ラップ(lap)研磨、化学機械研磨加工(CMP)などがある。また、平坦面の算術平均粗さRaは、1nm以下が好ましく、0.3nm以下が更に好ましい。
中性化ビームによる表面活性化を行う際には、特許文献2に記載のような装置を使用して中性化ビームを発生させ、照射することが好ましい。すなわち、ビーム源として、サドルフィールド型の高速原子ビーム源を使用する。そして、チャンバーに不活性ガスを導入し、電極へ直流電源から高電圧を印加する。これにより、電極(正極)と筺体(負極)との間に生じるサドルフィールド型の電界により、電子eが運動して、不活性ガスによる原子とイオンのビームが生成される。グリッドに達したビームのうち、イオンビームはグリッドで中和されるので、中性原子のビームが高速原子ビーム源から出射される。ビームを構成する原子種は、不活性ガス(アルゴン、窒素等)が好ましい。
ビーム照射による活性化時の電圧は0.5~2.0kVとすることが好ましく、電流は50~200mAとすることが好ましい。
また、下部電極と中間層との間には非晶質層が生成することがある。こうした非晶質層の組成は、中間層を構成する金属原子、下部電極を構成する金属原子、および場合によってはアルゴンを含有する。
次いで、接合体の圧電体を加工して薄くすることによって、所望の厚さを有する圧電層を形成し、圧電振動基板を得る。次いで、図2(b)に示すように、圧電層の第二面上に上部電極を形成することによって、圧電振動素子を得る。
一方、圧電体の第一面に下部電極を設け、下部電極の接合面上に中間層を設ける。
、そして、高剛性セラミックス板の第二面上に中間層を設け、この中間層を下部電極の接合面上の中間層に直接接合する。次いで、圧電体を加工することで圧電層を得る。
図1および図2を参照しつつ説明した方法にしたがって、図2(b)に示す圧電振動素子11を試作した。.
ただし、圧電体2は厚さ250µmのPZTのバルク体とし、上部電極1、下部電極3の材質をPtとした。下部電極3上にスパッタリング法によってアモルファスシリコンからなる中間層4を設けた。また、シリコンからなる支持基板5を準備した。次いで、支持基板5の接合面5aおよび中間層4の接合面4aを、化学機械研磨加工(CMP)によって仕上げ加工し、各算術平均粗さRaを0.2nmとした。
次いで、圧電体2の一方の主面2bを研削および研磨加工することによって、厚み1μmの圧電層2Aを形成した。次いで、圧電層2Aの第二面2c上に上部電極1をスパッタリング法で成膜し、圧電振動素子11を得た。
気相成膜法によって圧電層を成膜し、圧電振動素子を試作した。
すなわち、シリコンからなる支持基板上に、Ptからなる下部電極3、厚さ1μmのPZTからなる圧電層およびPtからなる上部電極をスパッタリング法で成膜し、圧電振動素子を得た。
次いで、圧電振動素子をパッケージに実装し、実施例A1と同様にして熱、超音波振動および荷重を加えた。この結果、圧電振動素子にクラックやチッピングが発生した不良品の発生率は20%であった。
実施例A1と同様にして圧電振動素子11を試作した。ただし、実施例A1とは異なり、圧電体2および圧電層2Aの材質をPMN-PTとした。その他は実施例A1と同様とした。得られた圧電振動素子11をパッケージに実装し、実施例A1と同様にして熱、超音波振動および荷重を加えた。この結果、圧電振動素子にクラックやチッピングが発生した不良品の発生率は6%であった。
比較例A1と同様にして圧電振動素子11を試作した。ただし、比較例A1とは異なり、圧電層の材質をPMN-PTとした。その他は比較例A1と同様とした。得られた圧電振動素子をパッケージに実装し、実施例A1と同様にして熱、超音波振動および荷重を加えた。この結果、圧電振動素子にクラックやチッピングが発生した不良品の発生率は22%であった。
図3および図4を参照しつつ説明した方法にしたがって、図4(c)に示す圧電振動素子12を試作した。
ただし、図3(a)に示すように、厚さ250μmのサイアロンからなる高剛性セラミック体7の第一面7aに、アモルファスシリコンからなる中間層8を設けた。また、図3(b)に示すように、シリコンからなる厚さ500μmの支持基板5の表面にアモルファスシリコンからなる中間層を準備した。次いで、支持基板5の中間層接合面5aおよび中間層8の接合面8aを、化学機械研磨加工(CMP)によって仕上げ加工し、各算術平均粗さRaを0.2nmとした。
次いで、支持基板5の中間層接合面5aおよび中間層8の接合面8aを洗浄し、汚れを取った後、真空チャンバーに導入した。10-6Pa台まで真空引きした後、各接合面5a、8aに高速原子ビーム(加速電圧1kV、Ar流量27sccm)を120sec間照射した。ついで、支持基板5の中間層接合面5aと中間層8の接合面8aとを接触させた後、10000Nで2分間加圧して接合した。次いで、得られた接合体を100℃で20時間加熱した。
一方、図3(d)に示すように、圧電体2は厚さ250µmのPZTのバルク体とし、圧電体2の第一面2a上に、下部電極3としてTi(15nm)/Pt(200nm)を成膜し、更にスパッタリング法によってアモルファスシリコンからなる中間層4を設けた。
次いで、高剛性セラミック板7Aの第二面7cおよび中間層4(図1(a)参照)の接合面4aを、化学機械研磨加工(CMP)によって仕上げ加工し、各算術平均粗さRaを0.2nmとした。
次いで、圧電体2の第二面2bを研削および研磨加工することによって、図4(b)に示すように、厚さ1μmの圧電層2Aを形成した。次いで、上部電極1(Ti(15nm)/Pt(200nm))をスパッタリング法で成膜し、圧電振動素子12を得た。
実施例A1と同様にして圧電振動素子を作製した。
ただし、実施例A1と異なり、圧電体上のバッファ層の材質をCrとし、下部電極および上部電極の材質をAuとした。また下部電極上には中間層を設けず、支持基板上にも中間層を設けず、下部電極と支持基板とを直接接合した。
図8は、圧電振動素子の断面透過型電子顕微鏡(TEM)写真である(倍率200万倍)。図8において、上側の明るい領域は圧電層であり、圧電層の第一面にCr層およびAu層がそれぞれ帯として表示されている。そして、下側は支持基板(シリコン)であり、支持基板とAu層との間の帯状領域は、接合時に生じた非晶質層である。
Claims (4)
- バルク状の圧電性材料からなり、第一面および前記第一面と反対側の第二面を有する圧電層、
前記圧電層の前記第一面上の下部電極、
前記下部電極に対して接合されている高剛性セラミック板、および
前記高剛性セラミック板に対して接合されている支持基板
を備えている圧電振動基板であって、
前記下部電極と前記高剛性セラミック板との界面に沿って非晶質層が存在し、前記高剛性セラミック板と前記支持基板の界面に沿って非晶質層が存在することを特徴とする、圧電振動基板。 - 前記下部電極と前記高剛性セラミックの間に中間層を有することを特徴とする、請求項1記載の圧電振動基板。
- 前記高剛性セラミックと前記支持基板の間に中間層を有することを特徴とする、請求項1記載の圧電振動基板。
- 前記圧電層の前記第二面上に上部電極を備えることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一つの請求項に記載の圧電振動素子。
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