JP2010109950A - 圧電デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】圧電単結晶基板1のイオン注入層100が形成された側の裏面12には、下部電極20が形成されるともに、絶縁体からなる接合層30Aが形成される。この接合層30Aの表面に対して、導電性材料からなる犠牲層40,41が形成された支持基板30Bを接合する。そして、圧電単結晶基板1、下部電極20、接合層30A、支持基板30Bからなる複合体を加熱することで、圧電単結晶基板1から圧電薄膜10を剥離形成する。そして、圧電薄膜10の剥離面(犠牲層40,41と反対の面)に液状の分極用上面電極50を形成し、当該分極用上面電極50と犠牲層40,41とを対向電極として、パルス電界を印加する。これにより、圧電薄膜10が分極処理される。
【選択図】図1
Description
図2〜図5は、図1に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
次に、図3(B)に示すように、清浄化した圧電薄膜10の表面13上に、上部電極60やバンプパッド61等の上面電極パターンを形成する(図1:S108)。
図6は、本実施形態の薄膜型圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
図7、図8は、本実施形態に示す製造フローで形成される薄膜型圧電デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
Claims (7)
- 圧電基板にイオンを注入することで、イオン注入層を形成するイオン注入工程と、
イオン注入層が形成された圧電基板を加熱することにより前記圧電基板から圧電薄膜を剥離形成する加熱剥離工程と、
該剥離形成された圧電薄膜に対して電界を印加することで、前記圧電薄膜を分極させる分極工程と、
を有する、圧電デバイスの製造方法であって、
前記圧電基板のイオン注入層側に、導電性の犠牲層が形成された支持基板を設置する支持基板設置工程を有し、
前記分極工程は、前記電界を印加する電極に前記犠牲層を用いる圧電デバイスの製造方法。 - 圧電基板にイオンを注入することで、イオン注入層を形成するイオン注入工程と、
イオン注入層が形成された圧電基板を加熱することにより前記圧電基板から圧電薄膜を剥離形成する加熱剥離工程と、
該剥離形成された圧電薄膜に対して電界を印加することで、前記圧電薄膜を分極させる分極工程と、
を有する、圧電デバイスの製造方法であって、
前記圧電基板のイオン注入層側に、導電性の犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
剥離後の前記圧電薄膜を支持する支持層を、前記犠牲層が形成された前記圧電基板表面に形成する支持層形成工程と、を有し、
前記分極工程は、前記電界を印加する電極に前記犠牲層を用いる圧電デバイスの製造方法。 - 前記犠牲層は、前記圧電薄膜に形成される圧電駆動領域よりも広い面積で形成されている、請求項1または請求項2に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記分極工程は、前記電界としてパルス電界を印加する、請求項1〜請求項3のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記圧電基板のイオン注入層側の面と前記犠牲層との間に、該犠牲層を形成する導電体が前記圧電基板側に拡散することを防止する拡散防止層を形成する工程を有する、請求項1〜請求項4のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記圧電基板は、圧電デバイスをマルチ状態で形成可能な大きさからなり、
前記犠牲層は、各圧電デバイスに対応する領域毎に個々に形成されるとともに、各犠牲層は、短絡導電層によって短絡されている、請求項1〜請求項5のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。 - 前記分極工程は、前記犠牲層に対向する電極として、前記圧電薄膜の前記犠牲層側の面と対向する面に塗布された液状導電体を用いる、請求項1〜請求項6のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。
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