JP5835329B2 - 圧電デバイス、および、圧電デバイスの製造方法 - Google Patents
圧電デバイス、および、圧電デバイスの製造方法 Download PDFInfo
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Description
なお、上述の圧電デバイスにおいて、半導電層の体積抵抗率は、1×10−5(Ω・m)〜1×102(Ω・m)であると好適である。
また、上述の圧電デバイスにおいて、半導電層は、半導体材料であるチタン酸化物、亜鉛酸化物、ジルコニア酸化物、クロム酸化物、シリコンのいずれか、または、アルミニウムとアルミニウム酸化物との混合物、コバルトとコバルト酸化物との混合物、銅と銅酸化物との混合物、クロムとクロム酸化物との混合物、鉄と鉄酸化物との混合物、モリブデンとモリブデン酸化物との混合物、ニッケルとニッケル酸化物との混合物、ニオブとニオブ酸化物との混合物、チタンとチタン酸化物との混合物、シリコンとシリコン酸化物との混合物、タンタルとタンタル酸化物との混合物、タングステンとタングステン酸化物との混合物、亜鉛と亜鉛酸化物との混合物、ジルコニウムとジルコニウム酸化物との混合物、のいずれかであると好適である。
また、上述の圧電デバイスにおいて、半導電層は、膜厚が100nm以下であると好適である。
また、上述の圧電デバイスにおいて、圧電体単結晶薄膜は、水素原子またはヘリウム原子が介在原子として結晶に介在し、第一主面側と第二主面側とで介在原子の分布密度に差がある構造であってもよい。
この製造方法では、酸化物層が金属層の酸化反応に対する酸素供給源となって、金属層の酸化に要する時間や、加熱により酸化させる場合の加熱温度を大幅に低減することができる。
また、仮支持工程と、支持工程と、をさらに有すると好適である。仮支持工程は、圧電基板のイオン注入面側に、圧電基板と同種の材料からなる、あるいは、圧電基板との界面に作用する熱応力が支持基板と圧電基板との界面に作用する熱応力よりも小さい、仮支持基板を形成する工程である。支持工程は、圧電基板から分離した圧電体薄膜に支持基板を形成する工程である。
まず、本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスについて、SAW(SurfaceAcoustic Wave;弾性表面波)デバイスを具体例として説明する。
図1は、本実施形態のSAWデバイス10の構成を示す図である。
図3〜4は、製造フローの各工程における模式図である。
次に、本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、SAWデバイスの製造方法を具体例として説明する。
図7,8は、製造フローの前半の各工程における模式図である。
したがって、圧電薄膜の構成材料と支持基板の構成材料との組み合わせの選択性を高められる。例えば、フィルタ用途のデバイスでは、支持基板の構成材料の線膨張係数を圧電薄膜の線膨張係数よりも大幅に小さくすることで、フィルタの温度−周波数特性を向上させることが可能になる。また、支持基板に熱伝導率性が高い構成材料を選定して放熱性および耐電力性を向上させることが可能になり、安価な構成材料を選定してデバイスの製造コストを低廉にすることが可能になる。
次に、本発明の第3の実施形態に係る圧電デバイスについて、圧電単結晶薄膜をメンブレン構造で支持するBAW(Bulk Acoustic Wave;バルク弾性波)デバイスの製造方法を具体例として説明する。
また、圧電デバイスとして、本実施形態ではSAWデバイスとBAWデバイスについて示したが、これに限られるものではなく、IDT電極を覆うように絶縁層が設けられた弾性境界波デバイスや、その他、板波デバイス、ラム波デバイスなどにも適用できる。
1A,201A…接合面
2,202…欠陥層
10…SAWデバイス
11,211,311…圧電体薄膜
12,213,313…支持基板
21,221…誘電体層
31,32,231,233,343…酸化物層
41,42,241,243,351,353…金属層
43,244,354…金属接合層
44,355…半導電層
50…IDT電極
60A…配線パターン
60B…2層配線部
70…絶縁性保護膜
200,300…薄膜仮支持構造
212,312…仮支持基板
291…被エッチング層
292…被エッチング層
293,393…被エッチング接合層
321…下部電極パターン
331…犠牲層パターン
331A…メンブレン空間
341…メンブレン支持層
Claims (12)
- 圧電体薄膜と、
前記圧電体薄膜の第一主面側に設けられて前記圧電体薄膜に電気機械結合する機能電極と、
半導体材料または、金属とその金属の酸化物との混合材料からなり、前記圧電体薄膜の第二主面側に設けられる半導電層と、
前記半導電層の一方主面と他方主面とのそれぞれに設けられる酸化珪素膜と、
前記半導電層を間に介して、前記圧電体薄膜の第二主面側に設けられる支持基板と、
を備える圧電デバイス。 - 前記半導電層の体積抵抗率は、1×10 −5 (Ω・m)〜1×10 2 (Ω・m)である、請求項1に記載の圧電デバイス。
- 前記半導電層は、半導体材料であるチタン酸化物、亜鉛酸化物、ジルコニア酸化物、クロム酸化物、シリコンのいずれか、または、アルミニウムとアルミニウム酸化物との混合物、コバルトとコバルト酸化物との混合物、銅と銅酸化物との混合物、クロムとクロム酸化物との混合物、鉄と鉄酸化物との混合物、モリブデンとモリブデン酸化物との混合物、ニッケルとニッケル酸化物との混合物、ニオブとニオブ酸化物との混合物、チタンとチタン酸化物との混合物、シリコンとシリコン酸化物との混合物、タンタルとタンタル酸化物との混合物、タングステンとタングステン酸化物との混合物、亜鉛と亜鉛酸化物との混合物、ジルコニウムとジルコニウム酸化物との混合物、のいずれかである、請求項1又は2に記載の圧電デバイス。
- 前記半導電層は、膜厚が100nm以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の圧電デバイス。
- 前記圧電体薄膜は圧電単結晶からなり、第一主面側と第二主面側とで膜応力に差がある結晶構造である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の圧電デバイス。
- 前記圧電単結晶からなる圧電体薄膜は、水素原子またはヘリウム原子が介在原子として結晶に介在し、第一主面側と第二主面側とで介在原子の分布密度に差がある結晶構造である、請求項5に記載の圧電デバイス。
- 金属層と前記金属層の一方主面と他方主面とのそれぞれに設けた酸化珪素膜とを間に介した圧電体薄膜と支持基板との接合体を形成する接合体形成工程と、
前記金属層を酸化させて半導電層を形成する半導電層形成工程と、
前記圧電体薄膜の第一主面側に、前記圧電体薄膜に電気機械結合する機能電極を形成する機能電極形成工程と、を有し、
前記半導電層は、前記金属層を構成する金属とその酸化物とが混合する層、または、前記金属層を構成する金属の酸化物である半導体からなる層である、圧電デバイスの製造方法。 - 前記金属層に積層される、酸化物層を形成する酸化物層形成工程を、有する、請求項7に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記接合体形成工程は、不活性ガス雰囲気下または真空下で連続して行われる、請求項7または8に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 圧電基板の接合面からイオン化した元素を注入して、前記圧電基板の中に前記元素が集中して存在する領域を形成するイオン注入工程と、
加熱により前記圧電基板における接合面側の領域を圧電体薄膜として残す分離工程と、を有する請求項7〜9のいずれか1項に記載の圧電デバイスの製造方法。 - 圧電基板にイオン化した元素を注入して、前記圧電基板の中に前記元素が集中して存在する領域を形成するイオン注入工程と、
前記圧電基板のイオン注入面側に、前記圧電基板と同種の材料からなる、あるいは、前記圧電基板との界面に作用する熱応力が前記支持基板と前記圧電基板との界面に作用する熱応力よりも小さい、仮支持基板を形成する仮支持工程と、
加熱により前記圧電基板から圧電体薄膜を分離する分離工程と、
前記圧電基板から分離した前記圧電体薄膜に前記支持基板を形成する支持工程と、
を有する請求項7〜9のいずれか1項に記載の圧電デバイスの製造方法。 - 圧電基板にイオン化した元素を注入して、前記圧電基板の中に前記元素が集中して存在する領域を形成するイオン注入工程と、
前記圧電基板のイオン注入面側に、前記圧電基板と同種の材料からなる、あるいは、前記圧電基板との界面に作用する熱応力が支持基板と前記圧電基板との界面に作用する熱応力よりも小さい、仮支持基板を形成する仮支持工程と、
加熱により前記圧電基板から圧電体薄膜を分離する分離工程と、
前記圧電基板から分離した前記圧電体薄膜に、金属層を間に介して前記支持基板を接合した接合体を形成する接合体形成工程と、
前記金属層を酸化させて半導電層を形成する半導電層形成工程と、
前記圧電体薄膜の第一主面側に、前記圧電体薄膜に電気機械結合する機能電極を形成する機能電極形成工程と、を有し、
前記半導電層は、前記金属層を構成する金属とその酸化物とが混合する層、または、前記金属層を構成する金属の酸化物である半導体からなる層である、圧電デバイスの製造方法。
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