JP7103528B2 - 弾性波装置 - Google Patents

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Description

本発明は、一般に弾性波装置に関し、より詳細には、圧電体層を備える弾性波装置に関する。
従来、支持基板と、低音速膜と、圧電薄膜と、ＩＤＴ電極と、を備える弾性表面波装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
支持基板の材料は、例えば、シリコンである。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。圧電薄膜の材料は、例えば、ＬｉＴａＯ３である。
国際公開第２０１５／０９８６７８号
特許文献１に開示された弾性表面波装置では、更なる高周波化への対応が難しかった。また、特許文献１に開示された弾性波表面装置では、高調波歪、ＩＭＤ（相互変調歪）等による線形性の低下が起こることがあった。
本発明の目的は、高周波化に対応でき、かつ、線形性を向上させることが可能な弾性波装置を提供することにある。
本発明の一態様に係る弾性波装置は、圧電体層と、第１電極及び第２電極と、を備える。前記第１電極及び前記第２電極は、前記圧電体層の厚さ方向に交差する方向において対向している。前記弾性波装置は、厚みすべり１次モードのバルク波を利用する。前記弾性波装置は、シリコン基板を更に備える。前記シリコン基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記圧電体層の材料が、リチウムニオベイト又はリチウムタンタレートである。前記圧電体層は、前記シリコン基板の前記第１主面上に設けられている。前記弾性波装置は、前記シリコン基板に設けられているトラップ領域を更に有する。
本発明の一態様に係る弾性波装置は、圧電体層と、第１電極及び第２電極と、を備える。前記第１電極及び前記第２電極は、前記圧電体層の厚さ方向に交差する方向において対向している。前記第１電極及び前記第２電極は隣り合う電極同士である。前記弾性波装置では、前記圧電体層の厚さ方向に沿った任意の断面において、前記第１電極及び前記第２電極の中心線間距離をｐとし、前記圧電体層の厚さをｄとするとき、ｄ／ｐが０．５以下である。前記弾性波装置は、シリコン基板を更に備える。前記シリコン基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記圧電体層の材料が、リチウムニオベイト又はリチウムタンタレートである。前記圧電体層は、前記シリコン基板の前記第１主面上に設けられている。前記弾性波装置は、前記シリコン基板に設けられているトラップ領域を更に有する。
本発明の上記態様に係る弾性波装置では、高周波化に対応でき、かつ、線形性を向上させることが可能となる。
図１は、実施形態１に係る弾性波装置の平面図である。 図２は、同上の弾性波装置に関し、図１のＡ－Ａ線断面図である。 図３は、同上の弾性波装置に関し、図１のＢ－Ｂ線断面図である。 図４は、同上の弾性波装置の一部破断した斜視図である。 図５は、同上の弾性波装置の要部平面図である。 図６Ａは、ラム波の説明図である。図６Ｂは、厚みすべり１次モードのバルク波の説明図である。 図７は、実施形態１に係る弾性波装置の動作説明図である。 図８は、参考形態に係る弾性波装置の構造モデルの説明図である。 図９Ａは、同上の構造モデルに関し、厚みすべりモードの比帯域と［圧電体層の厚さ］／［対をなす２つの電極の中心線間距離］との関係を示すグラフである。図９Ｂは、同上の構造モデルに関し、厚みすべりモードの比帯域と［圧電体層の厚さ］／［対をなす２つの電極の中心線間距離］との関係を示すグラフであり、図９Ａの横軸の０～０．２の範囲を拡大したグラフである。 図１０は、同上の構造モデルに関し、厚みすべりモードの比帯域と、規格化スプリアスレベルとの関係を示すグラフである。 図１１は、同上の構造モデルのインピーダンス－周波数特性図である。 図１２は、同上の構造モデルに関し、［圧電体層の厚さ］／［対をなす２つの電極の中心線間距離］と構造パラメータとの組み合わせにおける比帯域の分布を説明するための図である。 図１３は、実施形態１に係る弾性波装置の他の構成例の断面図である。 図１４は、実施形態１の変形例１に係る弾性波装置の平面図である。 図１５は、同上の弾性波装置の等価回路図である。 図１６は、実施形態１の変形例２に係る弾性波装置の平面図である。 図１７は、実施形態１の変形例３に係る弾性波装置の平面図である。 図１８は、実施形態２に係る弾性波装置の断面図である。 図１９は、実施形態２に係る弾性波装置の平面図である。 図２０は、同上の弾性波装置に関し、図１９のＡ－Ａ線断面図である。 図２１は、同上の弾性波装置に関し、図１９のＢ－Ｂ線断面図である。 図２２は、実施形態２の変形例１に係る弾性波装置の平面図である。 図２３は、実施形態２の変形例２に係る弾性波装置の平面図である。 図２４は、実施形態２の変形例３に係る弾性波装置の平面図である。 図２５は、実施形態２の変形例４に係る弾性波装置の断面図である。 図２６は、実施形態２の変形例５に係る弾性波装置の平面図である。 図２７Ａ～２７Ｄは、弾性波装置の一対の電極の他の形状を示す断面図である。 図２８Ａ～２８Ｃは、同上の弾性波装置の他の構成例を示す断面図である。
以下の実施形態等において参照する図１～８、１３、１４、１６～２８Ｃは、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
（実施形態１）
以下、実施形態１に係る弾性波装置１について、図１～５を参照して説明する。
（１．１）弾性波装置の全体構成
実施形態１に係る弾性波装置１は、図１に示すように、圧電体層４と、第１電極５１及び第２電極５２と、を備える。第１電極５１及び第２電極５２は、図２に示すように、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１（以下、第１方向Ｄ１ともいう）に交差する方向Ｄ２（以下、第２方向Ｄ２ともいう）において対向している。弾性波装置１は、厚みすべり１次モードのバルク波を利用する弾性波装置である。第２方向Ｄ２は、圧電体層４の分極方向ＰＺ１に直交する。厚みすべり１次モードのバルク波は、圧電体層４の厚みすべり振動により圧電体層４の厚さ方向Ｄ１を伝搬方向とするバルク波であって、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１において節の数が１となるバルク波である。厚みすべり振動は、第１電極５１及び第２電極５２によって励振される。厚みすべり振動は、圧電体層４において、厚さ方向Ｄ１からの平面視で第１電極５１と第２電極５２との間の規定領域４５に励振される。弾性波装置１では、第２方向Ｄ２が圧電体層４の分極方向ＰＺ１に直交していれば、厚みすべり１次モードのバルク波の電気機械結合係数（以下、結合係数ともいう）が大きい。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（第２方向Ｄ２と分極方向ＰＺ１とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
図１及び２に示すように、弾性波装置１は、第１電極５１を複数含み、かつ、第２電極５２を複数含む。つまり、弾性波装置１は、第１電極５１，第２電極５２を一対の電極組とした場合、第１電極５１と第２電極５２との電極組を複数対備えている。弾性波装置１では、複数の第１電極５１と複数の第２電極５２とが第２方向Ｄ２において１つずつ交互に並んでいる。弾性波装置１は、図１に示すように、第１電極５１と接続されている第１配線部６１と、第２電極５２と接続されている第２配線部６２と、を更に備える。第１配線部６１は、第１端子Ｔ１に接続されている。第２配線部６２は、第１端子Ｔ１とは異なる第２端子Ｔ２に接続されている。第１配線部６１には、複数の第１電極５１が共通接続されている。第２配線部６２には、複数の第２電極５２が共通接続されている。
弾性波装置１は、図２に示すように、シリコン基板２と、圧電体層４と、複数の第１電極５１と、複数の第２電極５２と、を備える。圧電体層４は、シリコン基板２上に設けられている。一例として、圧電体層４は、酸化ケイ素膜７を介してシリコン基板２上に設けられている。複数の第１電極５１及び複数の第２電極５２は、圧電体層４上に設けられている。弾性波装置１は、共振子として、第１電極５１及び第２電極５２と、圧電体層４と、を含む弾性波共振子５を有している。シリコン基板２は、圧電体層４の一部と対向する空洞２６の少なくとも一部を含む。空洞２６は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で複数の第１電極５１及び複数の第２電極５２と重なっている。ここにおいて、空洞２６は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で複数の第１電極５１と、複数の第２電極５２と、複数の規定領域４５とに重なっている。複数の規定領域４５の各々は、隣り合う第１電極５１と第２電極５２との間の部分である。なお、第１電極５１と第２電極５２とが「隣り合う」とは、第１電極５１と第２電極５２とが間隔を介して対向している場合を指す。
弾性波装置１は、電荷の移動を抑制するトラップ領域１０（図２～４参照）を更に有する。
（１．２）弾性波装置の各構成要素
次に、弾性波装置１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
（１．２．１）シリコン基板
シリコン基板２は、図２に示すように、圧電体層４を支持している。実施形態１に係る弾性波装置１では、シリコン基板２は、酸化ケイ素膜７を介して、圧電体層４と複数の第１電極５１及び複数の第２電極５２とを支持している。
シリコン基板２は、互いに対向する第１主面２１及び第２主面２２を有する。第１主面２１及び第２主面２２は、シリコン基板２の厚さ方向において互いに対向する。シリコン基板２の厚さ方向は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１に沿った方向である。圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、シリコン基板２の外周形状は、長方形状であるが、これに限らず、例えば正方形状であってもよい。
シリコン基板２の厚さは、例えば、１００μｍ以上５００μｍ以下である。シリコン基板２は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する単結晶シリコン基板を用いて形成されている。単結晶シリコン基板の第１主面の面方位は、例えば、（１００）面、（１１０）面、又は、（１１１）面を採用することができる。上述のバルク波の伝搬方位は、単結晶シリコン基板の面方位に制約されずに設定することができる。単結晶シリコン基板の抵抗率は、例えば、１ｋΩｃｍ以上であり、２ｋΩｃｍ以上であるのが好ましく、４ｋΩｃｍ以上であるのが更に好ましい。
シリコン基板２の第１主面２１は、粗面２１１を含む。粗面２１１は、単結晶シリコン基板の第１主面を粗面化することによって形成されている。実施形態１に係る弾性波装置１では、シリコン基板２の第１主面２１の全域が粗面２１１である。粗面２１１は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、弾性波共振子５に重なっていない。シリコン基板２は、バルク領域２Ｂと、表面領域２Ｓと、を有する。バルク領域２Ｂは、表面領域２Ｓにおける圧電体層４側とは反対側に位置している。表面領域２Ｓは、例えば、アモルファスシリコン層である。アモルファスシリコン層は、例えば、単結晶シリコン基板の第１主面を粗面化する際に単結晶シリコン基板の格子構造を劣化させることによって形成される。表面領域２Ｓは、シリコン基板２の第１主面２１を含む。表面領域２Ｓの厚さは、例えば、１ｎｍ以上７００ｎｍ以下である。バルク領域２Ｂは、単結晶シリコン層である。単結晶シリコン層は、単結晶シリコン基板に表面領域２Ｓを形成したときの単結晶シリコン基板の残りの部分である。バルク領域２Ｂは、シリコン基板２の第２主面２２を含む。弾性波装置１では、トラップ領域１０が、表面領域２Ｓを含んでいる。表面領域２Ｓは、アモルファスシリコン層に限らず、例えば、多結晶シリコン層でもよい。表面領域２Ｓは、例えば、単結晶シリコン基板の一部を単結晶シリコン基板の第１主面から研削することにより形成できるが、これに限らない。表面領域２Ｓは、バルク領域２Ｂを構成する単結晶シリコン基板上に堆積されたアモルファスシリコン層又は多結晶シリコン層でもよい。シリコン基板２では、表面領域２Ｓがバルク領域２Ｂ上に堆積されたアモルファスシリコン層又は多結晶シリコン層の場合、シリコン基板２の第１主面２１は、粗面２１１を含んでもよいし、含まなくてもよい。また、表面領域２Ｓは、例えば、単結晶シリコン基板の第１主面から単結晶シリコン基板に、アルゴン、シリコン、酸素及び炭素の群から選択される少なくとも一種の元素のイオンを注入することによって形成されていてもよい。また、表面領域２Ｓは、例えば、単結晶シリコン基板の第１主面から単結晶シリコン基板に放射線を照射することによって形成されていてもよい。表面領域２Ｓがイオン注入又は放射線照射によって形成されている場合、シリコン基板２の第１主面２１は、粗面２１１を含んでもよいし、含まなくてもよい。
シリコン基板２は、圧電体層４の第２主面４２と対向する空洞２６の少なくとも一部を含む。空洞２６は、圧電体層４を挟んで、第１電極５１及び第２電極５２とは反対側に位置している。空洞２６は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で弾性波共振子５と重なる。実施形態１に係る弾性波装置１では、空洞２６は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、弾性波共振子５よりも大きく、弾性波共振子５の全体と重なっている。また、実施形態１に係る弾性波装置１では、空洞２６は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で第１配線部６１及び第２配線部６２それぞれの一部とも重なっている。圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視での空洞２６の開口形状は、長方形状であるが、これに限らない。
（１．２．２）酸化ケイ素膜
酸化ケイ素膜７は、シリコン基板２の第１主面２１と圧電体層４との間に設けられている。実施形態１に係る弾性波装置１では、酸化ケイ素膜７は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１においてシリコン基板２の第１主面２１の全域に重なっている。実施形態１に係る弾性波装置１では、第１主面２１の全域が粗面２１１なので、酸化ケイ素膜７は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視でシリコン基板２の粗面２１１に重なっている。実施形態１に係る弾性波装置１では、シリコン基板２と圧電体層４とが酸化ケイ素膜７を介して接合されている。
酸化ケイ素膜７の厚さは、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。
（１．２．３）圧電体層
圧電体層４は、図２に示すように、互いに対向する第１主面４１及び第２主面４２を有する。第１主面４１と第２主面４２とは圧電体層４の厚さ方向Ｄ１において対向する。圧電体層４は、シリコン基板２の第１主面２１上に設けられている。ここにおいて、圧電体層４は、厚さ方向Ｄ１からの平面視で、シリコン基板２の第１主面２１及び空洞２６に重なっている。圧電体層４では、第１主面４１と第２主面４２とのうち第２主面４２が、シリコン基板２側に位置している。圧電体層４の第１主面４１は、圧電体層４におけるシリコン基板２側とは反対側の主面である。圧電体層４の第２主面４２は、圧電体層４におけるシリコン基板２側の主面である。
弾性波装置１では、圧電体層４の第１主面４１とシリコン基板２との距離が、圧電体層４の第２主面４２とシリコン基板２との距離よりも長い。圧電体層４の材料は、リチウムニオベイト（ＬｉＮｂＯ３）又はリチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３）である。圧電体層４は、例えば、ＺカットＬｉＮｂＯ３又はＺカットＬｉＴａＯ３である。圧電体層４のオイラー角（φ，θ，ψ）に関して、φは、０°±１０°であり、θは、０°±１０°である。ψは、任意の角度である。圧電体層４は、結合係数を高くする観点から、ＺカットＬｉＮｂＯ３又はＺカットＬｉＴａＯ３であるのが好ましい。圧電体層４は、回転ＹカットＬｉＮｂＯ３、回転ＹカットＬｉＴａＯ３、ＸカットＬｉＮｂＯ３、ＸカットＬｉＴａＯ３であってもよい。伝搬方位は、圧電体層４の結晶構造に対して定義される結晶軸（Ｘ，Ｙ，Ｚ）におけるＹ軸方向でもよいし、Ｘ軸方向でもよいし、Ｘ軸から±９０°の範囲内で回転した方向であってもよい。圧電体層４は、単結晶であるが、これに限らず、例えば、双晶であってもよいし、セラミックスであってもよい。
圧電体層４の厚さは、例えば、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、一例として、４００ｎｍである。
圧電体層４は、規定領域４５を有する。規定領域４５は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、圧電体層４のうち第１電極５１と第２電極５２との対向している方向において第１電極５１と第２電極５２との両方に交差し第１電極５１と第２電極５２との間にある領域である。
（１．２．４）電極
複数の第１電極５１及び複数の第２電極５２は、圧電体層４の第１主面４１上に設けられている。
弾性波装置１では、対をなす第１電極５１と第２電極５２とが互いに異なる電位となる。弾性波装置１では、対をなす第１電極５１と第２電極５２とのうち一方が交流電圧の印加時にホット電位となる電極であり、他方がグランド電位となる電極である。
弾性波装置１では、複数の第１電極５１と複数の第２電極５２とが１つずつ交互に互いに離隔して並んでいる。したがって、隣り合う第１電極５１と第２電極５２とは離れている。対をなす第１電極５１と第２電極５２との中心線間距離は、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下であり、一例として３μｍである。複数の第１電極５１と複数の第２電極５２とを含む一群の電極は、複数の第１電極５１と複数の第２電極５２とが、第２方向Ｄ２において、離隔して並んでいる構成であればよく、複数の第１電極５１と複数の第２電極５２とが交互に互いに離隔して並んでいない構成であってもよい。例えば、第１電極５１と第２電極５２とが１本ずつ離隔して並んでいる領域と、第１電極５１又は第２電極５２が第２方向Ｄ２において２つ並んでいる領域と、とが混在してもよい。
複数の第１電極５１及び複数の第２電極５２は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、図１に示すように、第２方向Ｄ２に直交する第３方向Ｄ３を長手方向とし第２方向Ｄ２を幅方向とする長尺状（直線状）である。複数の第１電極５１の各々の長さは、例えば、２０μｍであるが、これに限らない。複数の第１電極５１の各々の幅Ｈ１（第１電極幅Ｈ１）は、例えば、５０ｎｍ以上１０００ｎｍであり、一例として、５００ｎｍである。複数の第２電極５２の各々の長さは、例えば、２０μｍであるが、これに限らない。複数の第２電極５２の各々の幅Ｈ２（第２電極幅Ｈ２）は、例えば、５０ｎｍ以上１０００ｎｍであり、一例として、５００ｎｍである。
複数の第１電極５１の各々は、第１電極主部５１０を有する。第１電極主部５１０は、第１電極５１のうち、第１電極５１と第２電極５２との対向している方向において第２電極５２に交差する部分である。また、複数の第２電極５２の各々は、第２電極主部５２０を有する。第２電極主部５２０は、第２電極５２のうち、第１電極５１と第２電極５２との対向している方向において第１電極５１に交差する部分である。
実施形態１に係る弾性波装置１では、複数の第１電極５１の各々の第１電極幅Ｈ１が同じであるが、これに限らず、異なってもよい。また、実施形態１に係る弾性波装置１では、複数の第２電極５２の各々の第２電極幅Ｈ２が同じであるが、これに限らず、異なってもよい。実施形態１に係る弾性波装置１では、第１電極幅Ｈ１と第２電極幅Ｈ２とが同じであるが、これに限らず、第１電極幅Ｈ１と第２電極幅Ｈ２とが異なってもよい。
実施形態１に係る弾性波装置１に関し、図１では、第１電極５１及び第２電極５２それぞれの数を５として描いてあるが、第１電極５１及び第２電極５２それぞれの数は５に限らず、１つでもよいし、２～４であってもよいし、６以上であってもよいし、５０以上であってもよい。
隣り合う第１電極５１及び第２電極５２が対向する第２方向Ｄ２は、圧電体層４の分極方向ＰＺ１（図２参照）に直交しているのが、好ましいが、これに限らない。例えば、圧電体層４がＺカットの圧電体でない場合、第１電極５１及び第２電極５２は、長手方向である第３方向Ｄ３に直交する方向において対向していてもよい。なお、第１電極５１及び第２電極５２が矩形でない場合もある。その場合、長手方向である第３方向Ｄ３は、第１電極５１及び第２電極５２を平面視した場合に、第１電極５１及び第２電極５２に外接する外接多角形の長辺方向としてもよい。なお、「第１電極５１及び第２電極５２に外接する外接多角形」とは、第１電極５１に第１配線部６１が接続され、第２電極５２に第２配線部６２が接続されていた場合、少なくとも、第１電極５１において第１配線部６１に接続されている箇所を除いた部分と、第２電極５２において第２配線部６２に接続されている箇所を除いた部分とに外接する多角形を含む。
複数の第１電極５１の各々は、図２に示すように、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１に交差する第１主面５１１及び第２主面５１２と、第１電極５１の幅方向に交差する２つの側面５１３，５１３と、を含む。複数の第１電極５１の各々では、第１主面５１１と第２主面５１２とのうち第２主面５１２が、圧電体層４の第１主面４１側に位置し、圧電体層４の第１主面４１と面状に接している。
複数の第２電極５２の各々は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１に交差する第１主面５２１及び第２主面５２２と、第２電極５２の幅方向に交差する２つの側面５２３、５２３と、を含む。複数の第２電極５２の各々では、第１主面５２１と第２主面５２２とのうち第２主面５２２が、圧電体層４の第１主面４１側に位置し、圧電体層４の第１主面４１と面状に接している。
複数の第１電極５１及び複数の第２電極５２は、導電性を有する。各第１電極５１及び各第２電極５２の材料は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｔｉ（チタン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等である。また、各第１電極５１及び各第２電極５２は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。各第１電極５１及び各第２電極５２は、例えば、Ｔｉ膜からなる密着膜と、密着膜上に形成されたＡｌ膜又はＡｌＣｕ膜からなる主電極膜との積層膜を含む。密着膜の厚さは、例えば、１０ｎｍである。また、主電極膜の厚さは、例えば８０ｎｍである。ＡｌＣｕ膜では、Ｃｕの濃度が１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であるのが好ましい。
（１．２．５）第１配線部及び第２配線部
第１配線部６１は、第１バスバー６１１を含む。第１バスバー６１１は、複数の第１電極５１を同じ電位にするための導体部である。第１バスバー６１１は、第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状（直線状）である。第１バスバー６１１は、複数の第１電極５１と接続されている。第１バスバー６１１に接続されている複数の第１電極５１は、第２バスバー６２１に向かって延びている。弾性波装置１では、複数の第１電極５１と第１バスバー６１１とを含む第１導体部は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、櫛形状の形状である。第１バスバー６１１は、複数の第１電極５１と一体に形成されているが、これに限らない。
第２配線部６２は、第２バスバー６２１を含む。第２バスバー６２１は、複数の第２電極５２を同じ電位にするための導体部である。第２バスバー６２１は、第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状（直線状）である。第２バスバー６２１は、複数の第２電極５２と接続されている。第２バスバー６２１に接続されている複数の第２電極５２は、第１バスバー６１１に向かって延びている。弾性波装置１では、複数の第２電極５２と第２バスバー６２１とを含む第２導体部は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、櫛形状の形状である。第２バスバー６２１は、複数の第２電極５２と一体に形成されているが、これに限らない。
第１バスバー６１１と第２バスバー６２１とは、第３方向Ｄ３において対向し合っている。
第１配線部６１及び第２配線部６２は、導電性を有する。第１配線部６１及び第２配線部６２の材料は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等である。また、第１配線部６１及び第２配線部６２は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。第１配線部６１及び第２配線部６２は、例えば、Ｔｉ膜からなる密着膜と、密着膜上に形成されたＡｌ膜又はＡｌＣｕ膜からなる主配線膜との積層膜を含む。密着膜の厚さは、例えば、１０ｎｍである。また、主配線膜の厚さは、例えば８０ｎｍである。ＡｌＣｕ膜では、Ｃｕの濃度が１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であるのが好ましい。
弾性波装置１では、第１バスバー６１１及び第２バスバー６２１の低抵抗化の観点等から、第１バスバー６１１及び第２バスバー６２１の各々において、主配線膜上に金属膜を含んでいてもよい。また、第１配線部６１及び第２配線部６２の各々の厚さが、第１電極５１及び第２電極５２の厚さよりも厚くてもよい。
（１．２．６）トラップ領域
トラップ領域１０は、圧電体層４の第２主面４２側に設けられている。トラップ領域１０は、シリコン基板２に設けられている。トラップ領域１０は、シリコン基板２の第１主面２１に沿った電荷の移動を抑制する。ここにおいて、実施形態１に係る弾性波装置１では、トラップ領域１０は、第１配線部６１と第２配線部６２との電位差があるときに、シリコン基板２の第１主面２１と酸化ケイ素膜７との界面付近の電荷がシリコン基板２の第１主面２１に沿って第１配線部６１と第２配線部６２との間を移動することを抑制する。
実施形態１に係る弾性波装置１では、トラップ領域１０に含まれる表面領域２Ｓのトラップ密度が、バルク領域２Ｂのトラップ密度よりも高い。ここにおいて、トラップ密度は、電荷（自由電荷キャリア）をトラップするトラップの密度である。また、トラップ領域１０では、表面領域２Ｓのキャリア移動度がバルク領域２Ｂのキャリア移動度よりも低い。実施形態１に係る弾性波装置１では、シリコン基板２の含む空洞２６が、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で第１配線部６１及び第２配線部６２それぞれの一部と重なっており、トラップ領域１０に含まれている。つまり、実施形態１に係る弾性波装置１では、トラップ領域１０が、シリコン基板２の表面領域２Ｓと、シリコン基板２の空洞２６と、を含んでいる。
（１．３）弾性波装置の製造方法
弾性波装置１の製造方法は、例えば、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する単結晶シリコン基板を準備した後、第１工程～第６工程を行う。第１工程では、単結晶シリコン基板の第１主面を粗面化することによって表面領域２Ｓとバルク領域２Ｂとを有するシリコン基板２を形成する。第２工程では、シリコン基板２の第１主面２１上に酸化ケイ素膜７を形成する。第３工程では、圧電体層４の元になる圧電体基板とシリコン基板２とを酸化ケイ素膜７を介して接合する。第４工程では、圧電体基板を薄くすることにより圧電体基板の一部からなる圧電体層４を形成する。第５工程では、圧電体層４の第１主面４１上に複数の第１電極５１、複数の第２電極５２、第１配線部６１、第２配線部６２、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２を形成する。第６工程では、シリコン基板２の第２主面２２から空洞２６を形成する。上述の第５工程では、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術、薄膜形成技術等を利用して複数の第１電極５１、複数の第２電極５２、第１配線部６１、第２配線部６２、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２を形成する。また、上述の第６工程では、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術等を利用して、シリコン基板２における空洞２６の形成予定領域をエッチングする。第６工程では、酸化ケイ素膜７をエッチングストッパ層としてシリコン基板２のエッチングを行い、その後、酸化ケイ素膜７の不要部分をエッチング除去することによって、圧電体層４の第２主面４２の一部を露出させる。また、単結晶シリコン基板を準備する際には、単結晶シリコンウェハを準備し、第３工程では圧電体基板として圧電体ウェハを用いる。弾性波装置１の製造方法では、複数の弾性波装置１を含むウェハをダイシングすることで、複数個の弾性波装置１（チップ）を得る。
弾性波装置１の製造方法は、一例であり、特に限定されない。例えば、圧電体層４は、成膜技術を利用して形成してもよい。この場合、弾性波装置１の製造方法は、第３工程と第４工程との代わりに、圧電体層４を成膜する工程を備える。成膜技術により成膜する圧電体層４は、例えば、単結晶でもよいし、双晶でもよい。成膜技術としては、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法が挙げられるが、これに限らない。
（１．４）弾性波装置の動作及び特性
実施形態１に係る弾性波装置１は、厚みすべり１次モードのバルク波を利用する弾性波装置である。上述のように、厚みすべり１次モードのバルク波は、圧電体層４の厚みすべり振動により圧電体層４の厚さ方向Ｄ１を伝搬方向とするバルク波であって、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１において節の数が１となるバルク波である。厚みすべり振動は、第１電極５１及び第２電極５２によって励振される。厚みすべり振動は、圧電体層４において、厚さ方向Ｄ１からの平面視で隣り合う第１電極５１と第２電極５２との間の規定領域４５に励振される。厚みすべり振動は、例えば、ＦＥＭ（Finite Element Method）によって確認できる。より詳細には、厚みすべり振動は、例えば、圧電体層４のパラメータ（材料、オイラー角及び厚さ等）、第１電極５１及び第２電極５２のパラメータ（材料、厚さ、第１電極５１と第２電極５２との中心線間距離等）等を用いて、ＦＥＭにより変位分布を解析し、ひずみを解析することにより、確認することができる。圧電体層４のオイラー角は、分析により求めることができる。
ここで、従来の弾性波装置で利用したラム波と、上記厚みすべり１次モードのバルク波との相違を、図６Ａ及び６Ｂを参照して説明する。
図６Ａは、特許文献１に記載の弾性表面波装置のような従来の弾性波装置の圧電薄膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図である。従来の弾性波装置では、圧電薄膜４００中を矢印で示すように弾性波が伝搬する。ここで、圧電薄膜４００は、互いに対向する第１主面４０１及び第２主面４０２を有している。図６Ａでは、圧電薄膜４００とは別に、Ｚ方向及びＸ方向を図示してある。図６Ａでは、Ｚ方向は、圧電薄膜４００の第１主面４０１と第２主面４０２とを結ぶ厚み方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の複数の電極指が並んでいる方向である。ラム波では、弾性波が図６Ａに示すようにＸ方向に伝搬していく板波である。よって、従来の弾性波装置では、弾性波はＸ方向に伝搬するため、２つの反射器をＩＤＴ電極の両側に１つずつ配置して、所望の共振特性を得ている。そのため、従来の弾性波装置では、弾性波の伝搬ロスが生じるので、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
これに対して、実施形態１に係る弾性波装置１では、振動変位は厚みすべり方向であるから、弾性波は、図６Ｂに示すように、圧電体層４の第１主面４１と第２主面４２とを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、弾性波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。実施形態１に係る弾性波装置１では、このＺ方向の弾性波の伝搬により共振特性が得られるため、必ずしも反射器を必要としない。よって、実施形態１に係る弾性波装置１では、弾性波が反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、実施形態１に係る弾性波装置１では、小型化を進めようとして、第１電極５１と第２電極５２とからなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
実施形態１に係る弾性波装置１では、厚みすべり１次モードのバルク波の振幅方向は、図７に示すように、圧電体層４の規定領域４５に含まれる第１領域４５１と、規定領域４５に含まれる第２領域４５２と、で逆になる。図７では、第１電極５１と第２電極５２との間に、第２電極５２が第１電極５１よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を二点鎖線で模式的に示してある。第１領域４５１は、規定領域４５のうち、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１に直交し圧電体層４を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１主面４１と、の間の領域である。第２領域４５２は、規定領域４５のうち、仮想平面ＶＰ１と、第２主面４２と、の間の領域である。
厚みすべり１次モードのバルク波を利用する参考形態の弾性波装置の構造モデル１ｒ（図８参照）について、特性のシミュレーションを行った。構造モデル１ｒに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
構造モデル１ｒは、第１配線部６１、第２配線部６２及びトラップ領域１０を備えていない点で、実施形態１に係る弾性波装置１と相違する。シミュレーションにあたっては、第１電極５１と第２電極５２との対数を無限大とし、圧電体層４を１２０°回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ３とした。
構造モデル１ｒでは、圧電体層４がメンブレンであり、圧電体層４の第２主面４２が空気と接している。構造モデル１ｒでは、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１に沿った任意の断面（図８）において、隣り合う第１電極５１と第２電極５２との中心線間距離をｐとし、圧電体層４の厚さをｄとした。また、構造モデル１ｒでは、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１電極主部５１０の面積をＳ１とし、第２電極主部５２０の面積をＳ２とし、規定領域４５の面積をＳ０とし、（Ｓ１＋Ｓ２）／（Ｓ１＋Ｓ２＋Ｓ０）で規定される構造パラメータをＭＲとした。なお、圧電体層４に第１電極５１及び第２電極５２の少なくとも一方が複数本形成される場合、上記中心線間距離ｐは、隣り合う第１電極５１と第２電極５２との中心線間距離それぞれの距離となる。
図９Ａ及び９Ｂは、構造モデル１ｒに関して、第１電極５１と第２電極５２とに互いに異なる電位を与えた場合の比帯域とｄ／ｐとの関係を示すグラフである。図９Ａ及び９Ｂでは、横軸がｄ／ｐ、縦軸が比帯域である。図９Ａ及び９Ｂは、圧電体層４が１２０°回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ３の場合であるが、他のカット角の場合も同様の傾向となる。また、弾性波装置の構造モデル１ｒでは、圧電体層４の材料がＬｉＴａＯ３の場合も、比帯域とｄ／ｐとの関係が、図９Ａ及び９Ｂと同様の傾向となる。また、弾性波装置の構造モデル１ｒでは、第１電極５１と第２電極５２との対数にかかわらず、比帯域とｄ／ｐとの関係が、図９Ａ及び９Ｂと同様の傾向となる。また、弾性波装置の構造モデル１ｒでは、圧電体層４の第２主面４２が空気に接している場合に限らず、音響反射層と接している場合も、比帯域とｄ／ｐとの関係が、図９Ａ及び９Ｂと同様の傾向となる。
図９Ａから、弾性波装置の構造モデル１ｒでは、比帯域の値がｄ／ｐ＝０．５を変曲点としてドラスティックに変わることが分かる。弾性波装置の構造モデル１ｒでは、ｄ／ｐ＞０．５の場合、０．５＜ｄ／ｐ＜１．６の範囲内でｄ／ｐをどれだけ変更しても、結合係数が低く、比帯域は、５％未満となる。一方、弾性波装置の構造モデル１ｒでは、ｄ／ｐ≦０．５の場合、０＜ｄ／ｐ≦０．５の範囲内でｄ／ｐを変化させれば、結合係数を高めて比帯域を５％以上とすることも可能である。
また、弾性波装置の構造モデル１ｒでは、ｄ／ｐ≦０．２４の場合、０＜ｄ／ｐ≦０．２４の範囲内でｄ／ｐを変化させれば、結合係数を更に高めて、比帯域をより大きくすることも可能である。実施形態１に係る弾性波装置１についても、図２に示すように、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１に沿った任意の断面において、第１電極５１及び第２電極５２の中心線間距離をｐとし、圧電体層４の厚さをｄとすれば、その比帯域とｄ／ｐとの関係は、弾性波装置の構造モデル１ｒの比帯域とｄ／ｐとの関係と同様の傾向となる。
さらに、図９Ａから明らかなように、ｄ／ｐ≦０．１０の場合、０＜ｄ／ｐ≦０．１０の範囲内でｄ／ｐを変化させれば、結合係数を更に高めて、比帯域をより大きくすることも可能である。
図９Ｂは、図９Ａの一部を拡大したグラフである。図９Ｂに示すように、比帯域がｄ／ｐ＝０．０９６を変曲点として変化しているので、ｄ／ｐ≦０．０９６の場合、０＜ｄ／ｐ≦０．０９６の範囲内でｄ／ｐを変化させれば、０．０９６＜ｄ／ｐの場合よりも、結合係数を更に高めて、比帯域をより大きくすることも可能である。また、図９Ｂに示すように、比帯域がｄ／ｐ＝０．０７２、０．０４８を変曲点として変化しており、０．０４８≦ｄ／ｐ≦０．０７２とすれば、ｄ／ｐの変化による結合係数の変化を抑制でき、比帯域を略一定の値とすることが可能となる。
図１０は、厚みすべりモードを利用する参考形態の弾性波装置の構造モデル１ｒにおいて、圧電体層４の厚さｄ、第１電極５１及び第２電極５２の中心線間距離ｐ、第１電極幅Ｈ１、第２電極幅Ｈ２を変えた場合について、共振周波数と反共振周波数との間の周波数帯域におけるスプリアスのレベルをプロットした図である。図１０では、横軸が比帯域、縦軸が規格化スプリアスレベルである。規格化スプリアスレベルは、圧電体層４の厚さｄ、第１電極５１及び第２電極５２の中心線間距離ｐ、第１電極幅Ｈ１、第２電極幅Ｈ２を変えてもスプリアスのレベルが同じ値となる比帯域（例えば、２２％）でのスプリアスレベルを１としてスプリアスのレベルを規格化した値である。図１０は、圧電体層４として厚みすべりモードをより好適に励振できるＺカットＬｉＮｂＯ３を採用した場合であるが、他のカット角の場合も同様の傾向となる。また、弾性波装置の構造モデル１ｒでは、圧電体層４の材料がＬｉＴａＯ３の場合も、規格化スプリアスレベルと比帯域との関係が、図１０と同様の傾向となる。また、弾性波装置の構造モデル１ｒでは、第１電極５１と第２電極５２との対数にかかわらず、規格化スプリアスレベルと比帯域との関係が、図１０と同様の傾向となる。また、弾性波装置の構造モデル１ｒでは、圧電体層４の第２主面４２が空気に接している場合に限らず、音響反射層と接している場合も、規格化スプリアスレベルと比帯域との関係が、図１０と同様の傾向となる。
図１０から、比帯域が１７％を超えた場合、規格化スプリアスレベルが１に集約されていることが分かる。これは、比帯域が１７％以上では、図１１に例示するインピーダンスの周波数特性のように、共振周波数と反共振周波数との間の帯域において何らかの副共振が存在することを示す。図１１は、圧電体層４としてオイラー角が（０°，０°，９０°）のＺカットＬｉＮｂＯ３を採用し、ｄ／ｐ＝０．０８、ＭＲ＝０．３５とした場合のインピーダンスの周波数特性である。図１１では、副共振の部分を破線で囲んでいる。
上述のように、比帯域が１７％を超えると、圧電体層４の厚さｄ、第１電極幅Ｈ１、第２電極幅Ｈ２を変えても大きなスプリアスが共振周波数と反共振周波数との間の帯域内に含まれてしまう。このようなスプリアスは、平面方向、主に第１電極５１及び第２電極５２の対向方向のオーバートーンによって発生する。よって、帯域内のスプリアスを抑制する観点から、比帯域は、１７％以下であるのが好ましい。実施形態１に係る弾性波装置１は、規格化スプリアスレベルと比帯域との関係に関しても、弾性波装置の構造モデル１ｒと同様の傾向を示すので、比帯域が１７％以下であるのが好ましい。
図１２は、弾性波装置の構造モデル１ｒに関して、圧電体層４としてＺカットＬｉＮｂＯ３を採用し、圧電体層４の厚さｄ、第１電極５１及び第２電極５２の中心線間距離ｐ、第１電極幅Ｈ１、第２電極幅Ｈ２を変えた場合について、ｄ／ｐとＭＲとをパラメータとし、比帯域が１７％を超える第１分布領域ＤＡ１と、比帯域が１７％以下となる第２分布領域ＤＡ２と、を表してある。図１２では、第１分布領域ＤＡ１と第２分布領域ＤＡ２とで、ドットの密度を異ならせてあり、第１分布領域ＤＡ１のドットの密度を第２分布領域ＤＡ２のドットの密度よりも高くしてある。また、図１２では、第１分布領域ＤＡ１と第２分布領域ＤＡ２との境界線の近似直線ＤＬ１を破線で示してある。近似直線ＤＬ１は、ＭＲ＝１．７５×（ｄ／ｐ）＋０．０７５の数式で表される。よって、弾性波装置の構造モデル１ｒでは、ＭＲ≦１．７５×（ｄ／ｐ）＋０．０７５の条件を満たすことにより、比帯域を１７％以下としやすい。図１２は、圧電体層４として厚みすべりモードをより好適に励振できるＺカットＬｉＮｂＯ３を採用した場合であるが、他のカット角の場合も同様の傾向となる。また、弾性波装置の構造モデル１ｒでは、圧電体層４の材料がＬｉＴａＯ３の場合も、近似直線ＤＬ１は、同じとなる。また、弾性波装置の構造モデル１ｒでは、第１電極５１と第２電極５２との対数にかかわらず、近似直線ＤＬ１は、同じとなる。また、弾性波装置の構造モデル１ｒでは、圧電体層４の第２主面４２が空気に接している場合に限らず、音響反射層と接している場合も、近似直線ＤＬ１は、同じとなる。実施形態１に係る弾性波装置１は、弾性波装置の構造モデル１ｒと同様、ＭＲ≦１．７５×（ｄ／ｐ）＋０．０７５の条件を満たすことにより、比帯域を１７％以下としやすくなる。なお、図１２に、近似直線ＤＬ１（以下、第１近似直線ＤＬ１ともいう）とは別に一点鎖線で示す近似直線ＤＬ２（以下、第２近似直線ＤＬ２ともいう）は、比帯域を確実に１７％以下とするための境界を示す線である。第２近似直線ＤＬ２は、ＭＲ＝１．７５×（ｄ／ｐ）＋０．０５の数式で表される。よって、弾性波装置の構造モデル１ｒ及び実施形態１に係る弾性波装置１では、ＭＲ≦１．７５×（ｄ／ｐ）＋０．０５の条件を満たすことにより、比帯域を確実に１７％以下とすることができる。
（１．５）効果
実施形態１に係る弾性波装置１は、圧電体層４と、第１電極５１及び第２電極５２と、を備える。第１電極５１及び第２電極５２は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１に交差する方向Ｄ２において対向している。弾性波装置１は、厚みすべり１次モードのバルク波を利用する。弾性波装置１は、シリコン基板２を更に備える。シリコン基板２は、互いに対向する第１主面２１及び第２主面２２を有する。圧電体層４の材料が、リチウムニオベイト又はリチウムタンタレートである。圧電体層４は、シリコン基板２の第１主面２１上に設けられている。弾性波装置１は、シリコン基板２に設けられているトラップ領域１０を更に有する。
以上説明した実施形態１に係る弾性波装置１では、高周波化に対応でき、かつ、線形性を向上させることが可能となる。
実施形態１に係る弾性波装置１では、共振周波数が、隣り合う第１電極５１及び第２電極５２の中心線間距離に制約されず、圧電体層４の厚さを薄くすることによって共振周波数を高くすることができるので、弾性波装置１の平面サイズを大型化することなく高周波化に対応することができる。また、特許文献１に記載の弾性表面波装置では、ＩＤＴ電極の電極指の本数を少なくすると十分なＱ値が得られないことがあった。これに対し、実施形態１に係る弾性波装置１では、第１電極５１と第２電極５２との対数を少なくしても十分なＱ値を得ることができるので、小型化を図りながらも十分なＱ値を得ることが可能となる。また、実施形態１に係る弾性波装置１では、トラップ領域１０を備えることにより、線形性を向上させることが可能となる。
実施形態１に係る弾性波装置１は、トラップ領域１０を備えずに単結晶シリコン基板と酸化ケイ素膜との界面を有する比較例に係る弾性波装置と比べて、シリコン基板２の第１主面２１に沿った電荷の移動がトラップ領域１０により抑制されるので、線形性を向上させることが可能となる。
また、実施形態１に係る弾性波装置１は、圧電体層４と、第１電極５１及び第２電極５２と、を備える。第１電極５１及び第２電極５２は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１に交差する方向Ｄ２において対向している。弾性波装置１では、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１に沿った任意の断面において、隣り合う第１電極５１及び第２電極５２の中心線間距離をｐとし、圧電体層４の厚さをｄとするとき、ｄ／ｐが０．５以下である。弾性波装置１は、シリコン基板２を更に備える。シリコン基板２は、互いに対向する第１主面２１及び第２主面２２を有する。圧電体層４の材料が、リチウムニオベイト又はリチウムタンタレートである。圧電体層４は、シリコン基板２の第１主面２１上に設けられている。弾性波装置１は、シリコン基板２に設けられているトラップ領域１０を更に有する。
以上説明した実施形態１に係る弾性波装置１では、高周波化に対応でき、かつ、線形性を向上させることが可能となる。
また、実施形態１に係る弾性波装置１では、シリコン基板２が、圧電体層４の第２主面４２の一部を露出させる空洞２６の一部を含んでいる。なお、「シリコン基板２が空洞２６の一部を含む」場合は、空洞２６の一部がシリコン基板２により囲われている場合を指す。「空洞２６の一部がシリコン基板２により囲われている場合」とは、例えば、後述の図１３に示すように空洞２６がシリコン基板２の第２主面２２側の基板２０により覆われている場合に限らず、空洞２６がシリコン基板２の第２主面側の基板２０により覆われていない場合も含む。ここで、空洞２６の一部は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で第１配線部６１と第２配線部６２との両方の一部に重なる空隙２７を兼ねている。そして、実施形態１に係る弾性波装置１では、トラップ領域１０が、上述の表面領域２Ｓと、空隙２７と、を含む。これにより、実施形態１に係る弾性波装置１では、トラップ領域１０が空隙２７を含んでいない場合と比べて、線形性を向上させることが可能となる。
（実施形態１に係る弾性波装置の他の構成例）
弾性波装置１の他の構成例では、例えば、図１３に示すように、シリコン基板２の圧電体層４とは反対側に、つまり、シリコン基板２の第２主面２２に、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で圧電体層４と重なるように他の基板２０が積層されていてもよい。上記他の基板２０の材料としては例えばシリコンが挙げられる。要するに、弾性波装置１では、シリコン基板２である第１シリコン基板２の第２主面２２に、上記他の基板２０からなる第２シリコン基板が接合されていてもよい。なお、シリコン基板２と他の基板２０とは積層されている場合に限らず、１枚の基板から一体的に形成されていてもよい。
（実施形態１の変形例１）
以下では、変形例１に係る弾性波装置１ａについて、図１４及び１５を参照して説明する。なお、変形例１に係る弾性波装置１ａに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
変形例１に係る弾性波装置１ａは、弾性波フィルタ（ここでは、ラダー型フィルタ）である。弾性波装置１ａは、入力端子１５と、出力端子１６と、入力端子１５と出力端子１６とを結ぶ第１経路１２に設けられた複数（２つ）の直列腕共振子ＲＳ１と、第１経路１２上の複数（２つ）のノードＮ１、Ｎ２とグランド（グランド端子１７、１８）とを結ぶ複数（２つ）の第２経路１３、１４上に１つずつ設けられた複数（２つ）の並列腕共振子ＲＳ２と、を有する。グランド端子１７、１８は、１つのグランドとして共通化されていてもよい。
弾性波装置１ａでは、複数の直列腕共振子ＲＳ１及び複数の並列腕共振子ＲＳ２の各々が、弾性波共振子５である。複数の弾性波共振子５の各々は、複数の第１電極５１と複数の第２電極５２とを含む共振子であるが、これに限らず、少なくとも１つの第１電極５１と１つの第２電極５２を含む共振子であればよい。弾性波装置１ａでは、圧電体層４は、複数の弾性波共振子５において兼用されている。並列腕共振子ＲＳ２の共振周波数は、直列腕共振子ＲＳ１の共振周波数よりも低い。並列腕共振子ＲＳ２を構成する弾性波共振子５では、例えば、圧電体層４の第１主面４１上に設けられた酸化ケイ素膜を備える一方で、直列腕共振子ＲＳ１を構成する弾性波共振子５では、圧電体層４の第１主面４１上に酸化ケイ素膜を備えていない。直列腕共振子ＲＳ１を構成する弾性波共振子５において、圧電体層４の第１主面４１上に酸化ケイ素膜を備えていてもよい。この場合は、並列腕共振子ＲＳ２を構成する弾性波共振子５の酸化ケイ素膜の厚さよりも、直列腕共振子ＲＳ１を構成する弾性波共振子５の酸化ケイ素膜の厚さを薄くすればよい。
弾性波装置１ａでは、シリコン基板２が、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で複数の弾性波共振子５と重なる空洞２６の一部を含んでいるが、これに限らず、複数の弾性波共振子５と一対一に重なる複数の空洞２６それぞれの一部を含んでいてもよい。
（実施形態１の変形例２）
以下では、変形例２に係る弾性波装置１ｊについて、図１６を参照して説明する。変形例２に係る弾性波装置１ｊに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
変形例２に係る弾性波装置１ｊは、実施形態１に係る弾性波装置１の空隙２７が設けられておらず、シリコン基板２と酸化ケイ素膜７とが圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で第１配線部６１と第２配線部６２との両方の一部に重なっている。ここにおいて、変形例２に係る弾性波装置１ｊでは、酸化ケイ素膜７の全域に重なっている表面領域２Ｓが、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で第１配線部６１と第２配線部６２との両方の一部に重なっている。したがって、変形例２に係る弾性波装置１ｊでは、トラップ領域１０に含まれる表面領域２Ｓは、複数の外部接続端子（入力端子１５、出力端子１６、グランド端子１７、１８）と平面視して重なるように設けられている。
（実施形態１の変形例３）
以下では、変形例３に係る弾性波装置１ｂについて、図１７を参照して説明する。変形例２に係る弾性波装置１ｂに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
変形例３に係る弾性波装置１ｂは、２つの反射器８を更に備える点で、実施形態１に係る弾性波装置１と相違する。
２つの反射器８の各々は、短絡グレーティングである。各反射器８は、１次すべりモードのバルク波を反射するためではなく、圧電体層４の第１主面４１に沿って伝搬する不要な弾性表面波を反射する。２つの反射器８のうち１つの反射器８は、弾性波装置１ｂの不要な弾性表面波の伝搬方向に沿った方向において複数の第１電極５１のうち端に位置する第１電極５１の第２電極５２側とは反対側に位置している。２つの反射器８のうち残りの１つの反射器８は、弾性波装置１ｂの不要な弾性表面波の伝搬方向に沿った方向において複数の第２電極５２のうち端に位置する第２電極５２の第１電極５１側とは反対側に位置している。
各反射器８は、複数（例えば、４つ）の電極指８１を有し、複数の電極指８１の一端どうし短絡され、他端どうしが短絡されている。各反射器８では、電極指８１の数は、特に限定されない。
各反射器８は、導電性を有する。各反射器８の材料は、例えば、Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等である。また、各反射器８は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。各反射器８は、例えば、圧電体層４上に形成されたＴｉ膜からなる密着膜と、密着膜上に形成されたＡｌ膜からなる主電極膜との積層膜を含む。密着膜の厚さは、例えば、１０ｎｍである。また、主電極膜の厚さは、例えば８０ｎｍである。
また、変形例２に係る弾性波装置１ｂでは、各反射器８が短絡グレーティングであるが、これに限らず、例えば、開放グレーティング、正負反射型グレーティング、短絡グレーティングと開放グレーティングとが組み合わされたグレーティング等であってもよい。また、弾性波装置１ｂでは、２つの反射器８を備えているが、２つの反射器８のうち１つのみを備えた構成であってもよい。
変形例２に係る弾性波装置１ｂにおける２つの反射器８は、変形例１に係る弾性波装置１ａにも適用でき、例えば、変形例１に係る弾性波装置１ａの各弾性波共振子５ごとに設けられていてもよい。
（実施形態２）
以下では、実施形態２に係る弾性波装置１ｃについて、図１８を参照して説明する。実施形態２に係る弾性波装置１ｃに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態２に係る弾性波装置１ｃは、シリコン基板２の第１主面２１上に直接形成されている絶縁膜としての窒化ケイ素膜１１を備えている。したがって、絶縁膜の酸素重量比は、酸化シリコンの酸素重量比より小さい。窒化ケイ素膜１１は、スパッタにより形成されたスパッタ薄膜である。
実施形態２に係る弾性波装置１ｃでは、酸化ケイ素膜７が、窒化ケイ素膜１１と圧電体層４との間に介在しており、窒化ケイ素膜１１及び圧電体層４それぞれと接している。したがって、実施形態２に係る弾性波装置１ｃでは、酸化ケイ素膜７とシリコン基板２のバルク領域２Ｂとの間に、窒化ケイ素膜１１と表面領域２Ｓとがある。
実施形態２に係る弾性波装置１ｃでは、トラップ領域１０が、シリコン基板２の表面領域２Ｓを含む。
実施形態２に係る弾性波装置１ｃでは、実施形態１に係る弾性波装置１と同様、トラップ領域１０を有するので、線形性を向上させることが可能となる。
実施形態２に係る弾性波装置１ｃでは、酸化ケイ素膜７は必須の構成要素ではなく、窒化ケイ素膜１１と圧電体層４とが接していてもよい。
また、実施形態２に係る弾性波装置１ｃでは、窒化ケイ素膜１１をなくして酸化ケイ素膜７をスパッタにより形成した構成としてもよい。
（実施形態３）
以下では、実施形態３に係る弾性波装置１ｄについて、図１９～２１を参照して説明する。実施形態３に係る弾性波装置１ｄに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態３に係る弾性波装置１ｄは、図２０に示すように、シリコン基板２と圧電体層４との間に介在する音響反射層３を備えており、実施形態１に係る弾性波装置１における空洞２６を有していない点で、実施形態１に係る弾性波装置１と相違する。また、実施形態３に係る弾性波装置１ｄでは、シリコン基板２が、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で第１配線部６１及び第２配線部６２それぞれの一部に重なる２つの空隙２７（図１９及び２１参照）それぞれの一部を含んでいる点で、実施形態１に係る弾性波装置１と相違する。実施形態３に係る弾性波装置１ｄは、２つのトラップ領域１０を有している。２つのトラップ領域１０の各々が、空隙２７を含んでいる。各トラップ領域１０は、圧電体層４の第２主面４２側においてシリコン基板２に設けられており、シリコン基板２の第１主面２１に沿った電荷の移動を抑制する。
実施形態３に係る弾性波装置１ｄでは、音響反射層３が、シリコン基板２の第１主面２１上に設けられ、圧電体層４が、音響反射層３上に設けられている。弾性波装置１ｄでは、弾性波共振子５は、第１電極５１及び第２電極５２と、圧電体層４と、を含む。弾性波装置１ｄでは、弾性波共振子５は、上述の音響反射層３を更に有している。
音響反射層３は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１において複数の第１電極５１及び複数の第２電極５２に対向している。
音響反射層３は、第１電極５１と第２電極５２とで励振されたバルク波（上述の厚みすべり１次モードのバルク波）がシリコン基板２に漏洩するのを抑制する機能を有する。弾性波装置１ｄは、音響反射層３を備えることにより、圧電体層４内への弾性波エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。そのため、弾性波装置１ｄは、音響反射層３を備えていない場合と比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。
音響反射層３は、複数（３つ）の低音響インピーダンス層３１と複数（２つ）の高音響インピーダンス層３２とが圧電体層４の厚さ方向Ｄ１において一層ごとに交互に並んだ積層構造を有する。低音響インピーダンス層３１の音響インピーダンスは、高音響インピーダンス層３２の音響インピーダンスよりも低い。
以下では、説明の便宜上、音響反射層３において、２つの高音響インピーダンス層３２を、シリコン基板２の第１主面２１に近い順に、第１高音響インピーダンス層３２１、第２高音響インピーダンス層３２２と称することもある。また、３つの低音響インピーダンス層３１を、シリコン基板２の第１主面２１に近い順に、第１低音響インピーダンス層３１１、第２低音響インピーダンス層３１２、第３低音響インピーダンス層３１３と称することもある。
音響反射層３では、シリコン基板２側から、第１低音響インピーダンス層３１１、第１高音響インピーダンス層３２１、第２低音響インピーダンス層３１２、第２高音響インピーダンス層３２２及び第３低音響インピーダンス層３１３が、この順に並んでいる。したがって、音響反射層３は、第３低音響インピーダンス層３１３と第２高音響インピーダンス層３２２との界面、第２高音響インピーダンス層３２２と第２低音響インピーダンス層３１２との界面、第２低音響インピーダンス層３１２と第１高音響インピーダンス層３２１との界面、第１高音響インピーダンス層３２１と第１低音響インピーダンス層３１１との界面のそれぞれにおいて、圧電体層４からのバルク波（厚みすべり１次モードのバルク波）を反射することが可能である。
複数の高音響インピーダンス層３２の材料は、例えば、Ｐｔ（白金）である。また、複数の低音響インピーダンス層３１の材料は、例えば、酸化ケイ素である。複数の高音響インピーダンス層３２の各々の厚さは、例えば、９４ｎｍである。また、複数の低音響インピーダンス層３１の各々の厚さは、例えば、１８８ｎｍである。音響反射層３は、２つの高音響インピーダンス層３２の各々が白金により形成されているので、２つの導電層を含んでいる。
複数の高音響インピーダンス層３２の材料は、Ｐｔに限らず、例えば、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）等の金属でもよい。また、複数の高音響インピーダンス層３２の材料は、金属に限らず、例えば、絶縁体であってもよい。
また、複数の高音響インピーダンス層３２は、互いに同じ材料である場合に限らず、例えば、互いに異なる材料であってもよい。また、複数の低音響インピーダンス層３１は、互いに同じ材料である場合に限らず、例えば、互いに異なる材料であってもよい。
また、音響反射層３における高音響インピーダンス層３２及び低音響インピーダンス層３１それぞれの数は、２つ及び３つに限らず、１つ、３つ以上及び４つ以上であってもよい。また、高音響インピーダンス層３２の数と低音響インピーダンス層３１の数とは異なる場合に限らず、同じであってもよいし、低音響インピーダンス層３１の数が高音響インピーダンス層３２の数よりも１つ少なくてもよい。また、高音響インピーダンス層３２及び低音響インピーダンス層３１それぞれの厚さは、弾性波装置１の設計周波数、ならびに高音響インピーダンス層３２及び低音響インピーダンス層３１それぞれに適用する材料に応じて、音響反射層３で良好な反射が得られるように適宜設定される。
実施形態３に係る弾性波装置１ｄでは、空隙２７は、シリコン基板２と音響反射層３とにわたって形成されており、圧電体層４の第２主面４２の一部を露出させている。
弾性波装置１ｄの製造方法は、例えば、互いに対向する第１主面２１及び第２主面２２を有するシリコン基板２を準備した後、第１工程～第５工程を行う。第１工程では、シリコン基板２の第１主面２１上に音響反射層３を形成する。第２工程では、圧電体層４の元になる圧電体基板とシリコン基板２とを音響反射層３を介して接合する。第３工程では、圧電体基板を薄くすることによって圧電体基板の一部からなる圧電体層４を形成する。第４工程では、圧電体層４上に複数の第１電極５１と複数の第２電極５２と第１配線部６１と第２配線部６２と第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２とを形成する。第５工程では、シリコン基板２の第２主面２２からシリコン基板２及び音響反射層３の一部をエッチングすることにより空隙２７を形成する。なお、第５工程では、シリコン基板２の第１主面２１からシリコン基板２の一部をエッチングしてもよい。第１工程～第５工程では、シリコン基板２としてシリコンウェハを用いる。また、第２工程では、圧電体基板として圧電体ウェハを用いる。弾性波装置１ｄの製造方法では、複数の弾性波装置１ｄを含むウェハをダイシングすることで、複数個の弾性波装置１ｄ（チップ）を得る。
弾性波装置１ｄの製造方法は、一例であり、特に限定されない。例えば、圧電体層４は、成膜技術を利用して形成してもよい。この場合、弾性波装置１ｄの製造方法は、第２工程と第３工程との代わりに、圧電体層４を成膜する工程を備える。成膜技術により成膜する圧電体層４は、例えば、単結晶でもよいし、双晶でもよい。成膜技術としては、例えば、ＣＶＤ法が挙げられるが、これに限らない。
実施形態３に係る弾性波装置１ｄは、実施形態１に係る弾性波装置１と同様、厚みすべり１次モードのバルク波を利用する。これにより、実施形態３に係る弾性波装置１ｄでは、共振周波数が隣り合う第１電極５１及び第２電極５２の中心線間距離に制約されず、圧電体層４の厚さを薄くすることによって共振周波数を高くすることができるので、弾性波装置１ｄの平面サイズを大型化することなく高周波化に対応することができる。また、実施形態３に係る弾性波装置１ｄは、実施形態１に係る弾性波装置１と同様、トラップ領域１０を有することにより、線形性を向上させることが可能となる。
弾性波装置１ｄは、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１において第１配線部６１の少なくとも一部と重なるトラップ領域１０と、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１において第２配線部６２の少なくとも一部に重なるトラップ領域１０と、を有しているが、少なくとも一方のトラップ領域１０を有していれば、線形性を向上させることが可能となる。
また、実施形態３に係る弾性波装置１ｄは、弾性波共振子５において音響反射層３により、不要波を抑圧することが可能となる。また、実施形態３に係る弾性波装置１ｄでは、圧電体層４の材料がＬｉＮｂＯ３又はＬｉＴａＯ３であり、低音響インピーダンス層３１の材料が酸化ケイ素である。ここにおいて、ＬｉＮｂＯ３及びＬｉＴａＯ３の各々の周波数温度特性は負の傾きを有し、酸化ケイ素の周波数温度特性は正の傾きを有する。したがって、実施形態３に係る弾性波装置１ｄでは、ＴＣＦ（Temperature Coefficient of Frequency）の絶対値を小さくすることができ、周波数温度特性を改善することができる。
（実施形態３の変形例１）
以下では、実施形態３の変形例１に係る弾性波装置１ｅについて、図２２を参照して説明する。変形例１に係る弾性波装置１ｅに関し、実施形態３に係る弾性波装置１ｄと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態３の変形例１に係る弾性波装置１ｅは、実施形態１の変形例１に係る弾性波装置１ａと同様、弾性波フィルタ（ここでは、ラダー型フィルタ）である。弾性波装置１ｅは、入力端子１５と、出力端子１６と、入力端子１５と出力端子１６とを結ぶ第１経路１２に設けられた複数（２つ）の直列腕共振子ＲＳ１と、第１経路１２上の複数（２つ）のノードＮ１、Ｎ２とグランド（グランド端子１７、１８）とを結ぶ複数（２つ）の第２経路１３、１４上に１つずつ設けられた複数（２つ）の並列腕共振子ＲＳ２と、を有する。グランド端子１７、１８は、１つのグランドとして共通化されていてもよい。
変形例１に係る弾性波装置１ｅでは、複数の直列腕共振子ＲＳ１及び複数の並列腕共振子ＲＳ２の各々が、弾性波共振子５である。複数の弾性波共振子５の各々は、第１電極５１及び第２電極５２を含む共振子である。弾性波装置１ｅでは、圧電体層４は、複数の弾性波共振子５において兼用されている。また、弾性波装置１ｅでは、音響反射層３は、複数の弾性波共振子５において兼用されている。並列腕共振子ＲＳ２の共振周波数は、直列腕共振子ＲＳ１の共振周波数よりも低い。ここにおいて、並列腕共振子ＲＳ２を構成する弾性波共振子５では、例えば、圧電体層４の第１主面４１上に設けられた酸化ケイ素膜を備える一方で、直列腕共振子ＲＳ１を構成する弾性波共振子５では、圧電体層４の第１主面４１上に酸化ケイ素膜を備えていない。直列腕共振子ＲＳ１を構成する弾性波共振子５において、圧電体層４の第１主面４１上に酸化ケイ素膜を備えていてもよく、この場合は、並列腕共振子ＲＳ２を構成する弾性波共振子５の酸化ケイ素膜の厚さよりも、直列腕共振子ＲＳ１を構成する弾性波共振子５の酸化ケイ素膜の厚さを薄くすればよい。
変形例１に係る弾性波装置１ｅでは、複数の弾性波共振子５において、音響反射層３が兼用されているが、複数の高音響インピーダンス層３２のうち圧電体層４に最も近い高音響インピーダンス層３２（第２高音響インピーダンス層３２２）が弾性波共振子５ごとに分離されていてもよい。また、変形例１に係る弾性波装置１ｅでは、第１高音響インピーダンス層３２１が、弾性波共振子５ごとに分離されているとさらに良い。
変形例１に係る弾性波装置１ｅでは、複数の弾性波共振子５の各々に接続された第１配線部６１及び第２配線部６２それぞれの一部に、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で重なるように空隙２７が形成されている。変形例１に係る弾性波装置１ｅでは、空隙２７は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で複数の外部接続端子（入力端子１５、出力端子１６、グランド端子１７、１８）のいずれにも重ならない。変形例１に係る弾性波装置１ｅでは、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１経路１２の大部分が空隙２７と重なっており、各第２経路１３、１４の大部分が空隙２７と重なっている。変形例１に係る弾性波装置１ｅでは、直列腕共振子ＲＳ１に接続された第２配線部６２に重なる空隙２７と並列腕共振子ＲＳ２に接続された第２配線部６２に重なる空隙２７とがつながっている。これにより、変形例１に係る弾性波装置１ｅでは、シリコン基板２の第１主面２１に沿った電荷の移動を、より抑制することが可能となる。変形例１に係る弾性波装置１ｅは、トラップ領域１０を有するので、線形性を向上させることが可能となる。
（実施形態３の変形例２）
以下では、実施形態３の変形例２に係る弾性波装置１ｆについて、図２３を参照して説明する。変形例２に係る弾性波装置１ｆに関し、実施形態３の変形例１に係る弾性波装置１ｅと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
変形例２に係る弾性波装置１ｆは、変形例１に係る弾性波装置１ｅと比べて、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、各第２経路１３，１４において空隙２７に重なる領域が小さい点で、変形例１に係る弾性波装置１ｅと相違する。変形例２に係る弾性波装置１ｆでは、直列腕共振子ＲＳ１に接続された第２配線部６２に重なる空隙２７と、並列腕共振子ＲＳ２に接続された第２配線部６２に重なる空隙２７と、が分離されている。変形例２に係る弾性波装置１ｆは、変形例１に係る弾性波装置１ｅと比べて、機械的強度を高めることが可能となる。
（実施形態３の変形例３）
以下では、実施形態３の変形例３に係る弾性波装置１ｇについて、図２４を参照して説明する。変形例３に係る弾性波装置１ｇに関し、実施形態３の変形例１に係る弾性波装置１ｅと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
変形例３に係る弾性波装置１ｇは、変形例１に係る弾性波装置１ｅの空隙２７とは異なる領域に形成された空隙２８を有している。空隙２８は、空隙２７と同様、シリコン基板２と音響反射層３とにわたって形成されている。空隙２８の少なくとも一部は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で第１配線部６１と第２配線部６２との少なくとも一方の一部に重なる領域から所定距離Ｌ１１，Ｌ１２内にある。所定距離Ｌ１１，Ｌ１２は、第１電極５１及び第２電極５２とシリコン基板２との距離である。トラップ領域１０は、空隙２８を含む。
変形例３に係る弾性波装置１ｇは、トラップ領域１０を有するので、線形性を向上させることが可能となる。
（実施形態３の変形例４）
以下では、実施形態３の変形例４に係る弾性波装置１ｈについて、図２５を参照して説明する。変形例４に係る弾性波装置１ｈに関し、実施形態３に係る弾性波装置１ｄと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
変形例４に係る弾性波装置１ｈは、音響反射層３の各低音響インピーダンス層３１の材料と各高音響インピーダンス層３２の材料とが互いに異なる誘電体である点で、実施形態３に係る弾性波装置１ｄと相違する。各低音響インピーダンス層３１の材料は、例えば、酸化ケイ素である。各高音響インピーダンス層３２の材料は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、アルミナ及び酸化タンタルのいずれかである。
変形例４に係る弾性波装置１ｈは、実施形態３に係る弾性波装置１ｄの空隙２７を備えていない。変形例４に係る弾性波装置１ｈでは、シリコン基板２が、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１配線部６１と第２配線部６２との少なくとも一方の一部に重なる表面領域２Ｓを含んでいる。表面領域２Ｓは、第１配線部６１と第２配線部６２との少なくとも一方の一部に重なっていればよい。
実施形態３の変形例４に係る弾性波装置１ｈでは、シリコン基板２が、実施形態１に係る弾性波装置１のシリコン基板２と同様、バルク領域２Ｂと、表面領域２Ｓと、を含む。表面領域２Ｓは、例えば、アモルファスシリコン層である。表面領域２Ｓは、シリコン基板２の第１主面２１の一部を含む。シリコン基板２の第１主面２１は、表面領域２Ｓにおいて粗面２１１を含む。表面領域２Ｓは、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で弾性波共振子５と重なる領域には形成されていない。
実施形態３の変形例４に係る弾性波装置１ｈでは、トラップ領域１０が、表面領域２Ｓを含む。実施形態３の変形例４に係る弾性波装置１ｈは、トラップ領域１０を有するので、線形性を向上させることが可能となる。
（実施形態３の変形例５）
以下では、実施形態３の変形例５に係る弾性波装置１ｉについて、図２６を参照して説明する。変形例５に係る弾性波装置１ｉに関し、実施形態３に係る弾性波装置１ｄと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態３の変形例５に係る弾性波装置１ｉは、実施形態１の変形例２に係る弾性波装置１ｂ（図１７参照）と同様、２つの反射器８を更に備える点で、実施形態３に係る弾性波装置１ｄと相違する。各反射器８の構成は、弾性波装置１ｂの各反射器８と同様である。
上記の実施形態１～３等は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１～３等は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
例えば、実施形態１に係る弾性波装置１では、圧電体層４が酸化ケイ素膜７を介してシリコン基板２と接合されているが、酸化ケイ素膜７は、必須の構成要素ではない。
また、実施形態１に係る弾性波装置１では、空洞２６がシリコン基板２をその厚さ方向に貫通するように形成されているが、これに限らず、シリコン基板２を貫通せず、シリコン基板２の第１主面２１に形成された凹部の内部空間により構成されてもよい。
また、弾性波装置１～１ｊでは、第１電極５１及び第２電極５２の断面形状が長方形状であるが、これに限らない。ここにおいて、断面形状は、例えば、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とに直交する断面での形状である。第１電極５１及び第２電極５２は、例えば、図２７Ａ～２７Ｄのいずれかのように、上端の幅よりも下端の幅が広い形状であってもよい。これにより、第１電極５１の第１主面５１１（図２参照）及び第２電極５２の第１主面５２１（図２参照）の幅を大きくすることなく、隣り合う第１電極５１と第２電極５２との間の容量を大きくすることが可能となる。
図２７Ａに示した第１電極５１及び第２電極５２は、上端側に幅が略一定の部分を有し、下端側に幅が漸次大きくなる部分を有する。また、図２７Ｂに示した第１電極５１及び第２電極５２は、断面台形状の形状である。また、図２７Ｃに示した第１電極５１及び第２電極５２は、末広がり状の形状であり、幅方向の両側面が曲面である。また、図２７Ｄに示した第１電極５１及び第２電極５２は、上端側に断面台形状の部分を有し、下端側に上端側の断面台形状の部分よりも幅広の断面台形状の部分を有する。
また、弾性波装置１～１ｊは、図２８Ａ～２８Ｃのいずれかに示すように、圧電体層４の第１主面４１と、第１主面４１上の第１電極５１及び第２電極５２と、を覆う誘電体膜９を備えていてもよい。弾性波装置１～１ｊは、誘電体膜９を備えることにより、隣り合う第１電極５１と第２電極５２との間の容量を大きくすることができる。図２８Ａでは、誘電体膜９の厚さが第１電極５１及び第２電極５２の厚さよりも薄く、誘電体膜９の表面が、下地の形状に沿った凹凸形状を有している。図２８Ｂでは、誘電体膜９の表面が、平坦化されており、平面状となっている。図２８Ｃでは、誘電体膜９の厚さが第１電極５１及び第２電極５２の厚さよりも厚く、誘電体膜９の表面が、下地の形状に沿った凹凸形状を有している。
また、弾性波装置１～１ｊでは、第１電極５１の断面形状と第２電極５２の断面形状とが異なっていてもよい。ここにおいて、断面形状は、例えば、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とに直交する断面での形状である。
また、弾性波装置１～１ｊでは、弾性波共振子５が複数の第１電極５１及び複数の第２電極５２を備えているが、これに限らず、少なくとも１つの第１電極５１と１つの第２電極５２とを備えていればよい。
また、実施形態１の変形例１の弾性波装置１ａのように弾性波フィルタを構成する場合、弾性波共振子５ごとに第１電極５１及び第２電極５２の形状が異なっていてもよい。また、直列腕共振子ＲＳ１を構成する弾性波共振子５と並列腕共振子ＲＳ２を構成する弾性波共振子５とで、第１電極５１及び第２電極５２の形状が異なっていてもよい。
また、第１電極５１及び第２電極５２は、圧電体層４の厚さ方向Ｄ１からの平面視で直線状である場合に限らない。例えば、第１電極５１及び第２電極５２は、曲線状であってもよいし、直線状の部分と曲線状の部分とを含む形状であってもよい。
（態様）
以上説明した実施形態等から本明細書には以下の態様が開示されている。
第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）は、圧電体層（４）と、第１電極（５１）及び第２電極（５２）と、を備える。第１電極（５１）及び第２電極（５２）は、圧電体層（４）の厚さ方向（Ｄ１）に交差する方向（Ｄ２）において対向している。弾性波装置（１；１ａ）は、厚みすべり１次モードのバルク波を利用する。弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）は、シリコン基板（２）を更に備える。シリコン基板（２）は、互いに対向する第１主面（２１）及び第２主面（２２）を有する。圧電体層（４）の材料が、リチウムニオベイト又はリチウムタンタレートである。圧電体層（４）は、シリコン基板（２）の第１主面（２１）上に設けられている。弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）は、シリコン基板（２）に設けられているトラップ領域（１０）を更に有する。
第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）では、高周波化に対応でき、かつ、線形性を向上させることが可能となる。
第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）は、圧電体層（４）と、第１電極（５１）及び第２電極（５２）と、を備える。第１電極（５１）及び第２電極（５２）は、圧電体層（４）の厚さ方向（Ｄ１）に交差する方向（Ｄ２）において対向している。第１電極（５１）及び第２電極（５２）は隣り合う電極同士である。弾性波装置（１；１ａ）では、圧電体層（４）の厚さ方向（Ｄ１）に沿った任意の断面において、第１電極（５１）及び第２電極（５２）の中心線間距離をｐとし、圧電体層（４）の厚さをｄとするとき、ｄ／ｐが０．５以下である。弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）は、シリコン基板（２）を更に備える。シリコン基板（２）は、互いに対向する第１主面（２１）及び第２主面（２２）を有する。圧電体層（４）の材料が、リチウムニオベイト又はリチウムタンタレートである。圧電体層（４）は、シリコン基板（２）の第１主面（２１）上に設けられている。弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）は、シリコン基板（２）に設けられているトラップ領域（１０）を更に有する。
第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）では、高周波化に対応でき、かつ、線形性を向上させることが可能となる。
第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）は、第２の態様において、ｄ／ｐが０．２４以下である。
第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）では、比帯域をより大きくすることが可能となる。
第４の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）では、第３の態様において、第１電極（５１）は、第１電極主部（５１０）を有し、第２電極（５２）は、第２電極主部（５２０）を有する。第１電極主部（５１０）は、第１電極（５１）と第２電極（５２）との対向している方向（Ｄ２）において第２電極（５２）に交差する。第２電極（５２）は、第１電極（５１）と第２電極（５２）との対向している方向（Ｄ２）において第１電極（５１）に交差する。圧電体層（４）は、規定領域（４５）を有する。規定領域（４５）は、圧電体層（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、圧電体層（４）のうち第１電極（５１）と第２電極（５２）との対向している方向（Ｄ２）において第１電極（５１）と第２電極（５２）との両方に交差し第１電極（５１）と第２電極（５２）との間にある領域である。弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）は、下記の条件を満たす。条件は、ＭＲ≦１．７５×（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。ここにおいて、Ｓ１は、圧電体層（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視での、第１電極主部（５１０）の面積である。Ｓ２は、圧電体層（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視での第２電極主部（５２０）の面積である。Ｓ０は、圧電体層（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視での規定領域（４５）の面積である。ＭＲは、（Ｓ１＋Ｓ２）／（Ｓ１＋Ｓ２＋Ｓ０）で規定される構造パラメータである。
第４の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）では、帯域内のスプリアスを抑制することが可能となる。
第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）では、第１～４の態様のいずれか一つにおいて、シリコン基板（２）の第１主面（２１）の少なくとも一部が粗面（２１１）である。シリコン基板（２）は、バルク領域（２Ｂ）と、粗面（２１１）を含む表面領域（２Ｓ）と、を有する。トラップ領域（１０）は、表面領域（２Ｓ）を含む。
第６の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）では、第１～４の態様のいずれか一つにおいて、シリコン基板（２）は、バルク領域（２Ｂ）と、シリコン基板（２）の第１主面（２１）を含む表面領域（２Ｓ）と、を有する。表面領域（２Ｓ）は、アモルファスシリコン層である。トラップ領域（１０）は、表面領域（２Ｓ）を含む。
第７の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）では、第１～４の態様のいずれか一つにおいて、シリコン基板（２）は、バルク領域（２Ｂ）と、シリコン基板（２）の第１主面（２１）を含む表面領域（２Ｓ）と、を有する。表面領域（２Ｓ）は、多結晶シリコン層である。トラップ領域（１０）は、表面領域（２Ｓ）を含む。
第８の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｈ；１ｉ）では、第５の態様において、粗面（２１１）は、圧電体層（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第１電極（５１）及び第２電極（５２）と圧電体層（４）の一部とを含む弾性波共振子（５）に重なっていない。
第９の態様に係る弾性波装置（１ｃ）は、第１～５、８の態様のいずれか一つにおいて、トラップ領域（１０）は、シリコン基板（２）の第１主面（２１）上に直接形成されている絶縁膜（窒化ケイ素膜１１）を含む。絶縁膜（窒化ケイ素膜１１）の酸素重量比は、酸化ケイ素の酸素重量比よりも小さい。
第１０の態様に係る弾性波装置（１ｃ）は、第１～５、８の態様のいずれか一つにおいて、トラップ領域（１０）は、シリコン基板（２）の第１主面（２１）上に直接形成されている絶縁膜（窒化ケイ素膜１１）を含む。絶縁膜は、窒化ケイ素膜（１１）である。
第１１の態様に係る弾性波装置（１ｃ）では、第９又は１０の態様において、絶縁膜（窒化ケイ素膜１１）は、圧電体層（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、弾性波共振子（５）に重ならない。弾性波共振子（５）は、第１電極（５１）及び第２電極（５２）と圧電体層（４）の一部とを含む。
第１１の態様に係る弾性波装置（１ｃ）では、絶縁膜（窒化ケイ素膜１１）が弾性波共振子（５）に重なっている場合と比べて、弾性波共振子（５）の共振特性のＱ値を向上させることが可能となる。
第１２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第１～１１の態様のいずれか一つにおいて、シリコン基板（２）は、圧電体層（４）を挟んで第１電極（５１）及び第２電極（５２）とは反対側に配置される空洞（２６）の少なくとも一部を含む。空洞（２６）が、圧電体層（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、弾性波共振子（５）の全領域に重なっている。弾性波共振子（５）は、第１電極（５１）及び第２電極（５２）と圧電体層（４）の一部とを含む。
第１３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｉ）は、第１～１２の態様のいずれか一つにおいて、第１配線部（６１）と、第２配線部（６２）と、を更に備える。第１配線部（６１）は、第１電極（５１）と接続されている。第２配線部（６２）は、第２電極（５２）と接続されている。シリコン基板（２）は、空隙（２７）の少なくとも一部を含む。空隙（２７）は、圧電体層（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で第１配線部（６１）と第２配線部（６２）との少なくとも一方の一部に重なる。トラップ領域（１０）は、空隙（２７）を含む。
第１４の態様に係る弾性波装置（１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｉ）は、第１～５、８の態様のいずれか一つにおいて、第１配線部（６１）と、第２配線部（６２）と、音響反射層（３）と、を更に備える。第１配線部（６１）は、第１電極（５１）と接続されている。第２配線部（６２）は、第２電極（５２）と接続されている。音響反射層（３）は、シリコン基板（２）の第１主面（２１）と圧電体層（４）との間に設けられている。音響反射層（３）は、少なくとも１つの高音響インピーダンス層（３２）と、少なくとも１つの低音響インピーダンス層（３１）と、を有する。少なくとも１つの低音響インピーダンス層（３１）は、少なくとも１つの高音響インピーダンス層（３２）よりも音響インピーダンスが低い。シリコン基板（２）は、空隙（２７）の少なくとも一部を含む。空隙（２７）は、圧電体層（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で第１配線部（６１）と第２配線部（６２）との少なくとも一方の一部に重なる。トラップ領域（１０）は、空隙（２７）を含む。
第１５の態様に係る弾性波装置（１ｇ）は、第１～５、８の態様のいずれか一つにおいて、第１配線部（６１）と、第２配線部（６２）と、を更に備える。第１配線部（６１）は、第１電極（５１）と接続されている。第２配線部（６２）は、第２電極（５２）と接続されている。シリコン基板（２）は、空隙（２８）の少なくとも一部を含む。空隙（２８）は、圧電体層（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で第１配線部（６１）と第２配線部（６２）との少なくとも一方の一部に重なる領域から所定距離（Ｌ１１，Ｌ１２）内にある部分を含む。所定距離（Ｌ１１，Ｌ１２）は、第１電極（５１）及び第２電極（５２）とシリコン基板（２）との距離である。トラップ領域（１０）は、空隙（２８）を含む。
第１６の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）では、第１３～１５の態様のいずれか一つにおいて、第１電極（５１）を複数含み、かつ、第２電極（５２）を複数含む。複数の第１電極（５１）と複数の第２電極（５２）とが１つずつ交互に並んでいる。複数の第１電極（５１）は、第１配線部（６１）に共通接続されている。複数の第２電極（５２）は、第２配線部（６２）に共通接続されている。
第１６の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）では、Ｑ値を更に高めることが可能となる。
第１７の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）は、第１～１６の態様のいずれか一つにおいて、酸化ケイ素膜（７）を更に備える。酸化ケイ素膜（７）は、シリコン基板（２）と圧電体層（４）との間に設けられている。
第１８の態様に係る弾性波装置（１ａ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｊ）は、第１～１７の態様のいずれか一つにおいて、複数の弾性波共振子（５）を備える弾性波フィルタである。複数の弾性波共振子（５）の各々は、第１電極（５１）及び第２電極（５２）を含む共振子である。圧電体層（４）は、複数の弾性波共振子（５）において兼用されている。
第１９の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ；１ｉ；１ｊ）では、第１～１８の態様のいずれか一つにおいて、圧電体層（４）は、互いに対向する第１主面（４１）及び第２主面（４２）を有する。圧電体層（４）の第１主面（４１）は、圧電体層（４）におけるシリコン基板（２）側とは反対側の主面である。圧電体層（４）の第２主面（４２）は、圧電体層（４）におけるシリコン基板（２）側の主面である。第１電極（５１）と第２電極（５２）とは、圧電体層（４）の第１主面（４１）上で対向している。
１、１ａ 、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ、１ｇ、１ｈ、１ｉ 弾性波装置
１ｒ 構造モデル
２ シリコン基板
２１ 第１主面
２１１ 粗面
２２ 第２主面
２６ 空洞
２７ 空隙
２８ 空隙
２Ｂ バルク領域
２Ｓ 表面領域
３ 音響反射層
３１ 低音響インピーダンス層
３１１ 第１低音響インピーダンス層（酸化ケイ素膜）
３１２ 第２低音響インピーダンス層
３１３ 第３低音響インピーダンス層
３２ 高音響インピーダンス層
３２１ 第１高音響インピーダンス層
３２２ 第２高音響インピーダンス層
４ 圧電体層
４１ 第１主面
４２ 第２主面
４５ 規定領域
４５１ 第１領域
４５２ 第２領域
５ 弾性波共振子
５１ 第１電極
５１０ 第１電極主部
５１１ 第１主面
５１２ 第２主面
５１３ 側面
５２ 第２電極
５２１ 第１主面
５２２ 第２主面
５２３ 側面
６１ 第１配線部
６１１ 第１バスバー
６２ 第２配線部
６２１ 第２バスバー
７ 酸化ケイ素膜
８ 反射器
８１ 電極指
９ 誘電体膜
１０ トラップ領域
１１ 窒化ケイ素膜（絶縁膜）
１２ 第１経路
１３ 第２経路
１４ 第２経路
１５ 入力端子
１６ 出力端子
１７ グランド端子
１８ グランド端子
２０ 基板
４００ 圧電薄膜
４０１ 第１主面
４０２ 第２主面
Ｄ１ 厚さ方向（第１方向）
Ｄ２ 第２方向
Ｄ３ 第３方向
ＤＡ１ 第１分布領域
ＤＡ２ 第２分布領域
ＤＬ１ 近似直線（第１近似直線）
ＤＬ２ 近似直線（第２近似直線）
ＨＢ１ 突出寸法
ＨＢ２ 突出寸法
ＨＣ１ 突出寸法
ＨＣ２ 突出寸法
Ｌ１１ 所定距離
Ｌ１２ 所定距離
ＭＲ 構造パラメータ
Ｎ１ ノード
Ｎ２ ノード
ＰＺ１ 分極方向
ＲＳ１ 直列腕共振子
ＲＳ２ 並列腕共振子
ＶＰ１ 仮想平面
ｄ 圧電体層の厚さ
ｐ 中心線間距離

Claims (19)

  1. 圧電体層と、
    前記圧電体層の厚さ方向に交差する方向において対向している第１電極及び第２電極と、を備え、
    厚みすべり１次モードのバルク波を利用する弾性波装置であって、
    互いに対向する第１主面及び第２主面を有するシリコン基板を更に備え、
    前記圧電体層の材料が、リチウムニオベイト又はリチウムタンタレートであり、
    前記圧電体層は、前記シリコン基板の前記第１主面上に設けられており、
    前記弾性波装置は、
    前記シリコン基板に設けられているトラップ領域を更に有する、
    弾性波装置。
  2. 圧電体層と、
    前記圧電体層の厚さ方向に交差する方向において対向している第１電極及び第２電極と、を備え、
    前記第１電極及び前記第２電極は隣り合う電極同士であり、
    前記圧電体層の厚さ方向に沿った任意の断面において、前記第１電極及び前記第２電極の中心線間距離をｐとし、前記圧電体層の厚さをｄとするとき、
    ｄ／ｐが０．５以下である、
    弾性波装置であって、
    互いに対向する第１主面及び第２主面を有するシリコン基板を更に備え、
    前記圧電体層の材料が、リチウムニオベイト又はリチウムタンタレートであり、
    前記圧電体層は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、前記シリコン基板の前記第１主面上に設けられており、
    前記弾性波装置は、
    前記シリコン基板に設けられているトラップ領域を更に有する、
    弾性波装置。
  3. 前記ｄ／ｐが０．２４以下である、
    請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 前記第１電極は、前記第１電極と前記第２電極との対向している方向において前記第２電極に交差する第１電極主部を有し、
    前記第２電極は、前記第１電極と前記第２電極との対向している方向において前記第１電極に交差する第２電極主部を有し、
    前記圧電体層は、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視で、前記圧電体層のうち前記第１電極と前記第２電極との対向している方向において前記第１電極と前記第２電極との間にある規定領域を有し、
    前記圧電体層の厚さ方向からの平面視で、
    前記第１電極主部の面積をＳ１とし、
    前記第２電極主部の面積をＳ２とし、
    前記規定領域の面積をＳ０とし、
    （Ｓ１＋Ｓ２）／（Ｓ１＋Ｓ２＋Ｓ０）で規定される構造パラメータをＭＲとするとき、
    前記弾性波装置は、下記の条件を満たし、
    前記条件は、
    ＭＲ≦１．７５×（ｄ／ｐ）＋０．０７５
    である、
    請求項３に記載の弾性波装置。
  5. 前記シリコン基板の前記第１主面の少なくとも一部が粗面であり、
    前記シリコン基板は、
    バルク領域と、
    前記粗面を含む表面領域と、を有し、
    前記トラップ領域は、前記表面領域を含む、
    請求項１～４のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  6. 前記シリコン基板は、
    バルク領域と、
    前記シリコン基板の前記第１主面を含む表面領域と、を有し、
    前記表面領域は、アモルファスシリコン層であり、
    前記トラップ領域は、前記表面領域を含む、
    請求項１～４のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  7. 前記シリコン基板は、
    バルク領域と、
    前記シリコン基板の前記第１主面を含む表面領域と、を有し、
    前記表面領域は、多結晶シリコン層であり、
    前記トラップ領域は、前記表面領域を含む、
    請求項１～４のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  8. 前記粗面は、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視で、前記第１電極及び前記第２電極と前記圧電体層の一部とを含む弾性波共振子に重なっていない、
    請求項５に記載の弾性波装置。
  9. 前記トラップ領域は、前記シリコン基板の前記第１主面上に直接形成された絶縁膜を含み、
    前記絶縁膜の酸素重量比は、酸化シリコンの酸素重量比より小さい、
    請求項１～５、８のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  10. 前記トラップ領域は、前記シリコン基板の前記第１主面上に直接形成された絶縁膜を含み、
    前記絶縁膜は、窒化ケイ素膜である、
    請求項１～５、８のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  11. 前記絶縁膜は、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視で、前記第１電極及び前記第２電極と前記圧電体層の一部とを含む弾性波共振子に重ならない、
    請求項９又は１０に記載の弾性波装置。
  12. 前記シリコン基板は、前記圧電体層を挟んで前記第１電極及び前記第２電極とは反対側に配置される空洞の少なくとも一部を含み、
    前記空洞が、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視で、前記第１電極及び前記第２電極と前記圧電体層の一部とを含む弾性波共振子の全領域に重なっている、
    請求項１～１１のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  13. 前記第１電極と接続されている第１配線部と、
    前記第２電極と接続されている第２配線部と、を更に備え、
    前記シリコン基板は、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視で前記第１配線部と前記第２配線部との少なくとも一方の一部に重なる空隙の少なくとも一部を含み、
    前記トラップ領域は、前記空隙を含む、
    請求項１～１２のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  14. 前記第１電極と接続されている第１配線部と、
    前記第２電極と接続されている第２配線部と、
    前記シリコン基板の前記第１主面と前記圧電体層との間に設けられている音響反射層と、を更に備え、
    前記音響反射層は、
    少なくとも１つの高音響インピーダンス層と、
    前記少なくとも１つの高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い少なくとも１つの低音響インピーダンス層と、を有し、
    前記シリコン基板は、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視で前記第１配線部と前記第２配線部との少なくとも一方の一部に重なる空隙の少なくとも一部を含み、
    前記トラップ領域は、前記空隙を含む、
    請求項１～５、８のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  15. 前記第１電極と接続されている第１配線部と、
    前記第２電極と接続されている第２配線部と、を更に備え、
    前記シリコン基板は、前記圧電体層を挟んで前記第１電極及び前記第２電極とは反対側に配置される空隙の少なくとも一部を含み、
    前記空隙は、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視で前記第１配線部と前記第２配線部との少なくとも一方の一部に重なる領域から所定距離内にある部分を含み、
    前記所定距離は、前記第１電極及び前記第２電極と前記シリコン基板との距離であり、
    前記トラップ領域は、前記空隙を含む、
    請求項１～５、８のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  16. 前記第１電極を複数含み、かつ、前記第２電極を複数含み、
    前記複数の第１電極と前記複数の第２電極とが１つずつ交互に並んでおり、
    前記複数の第１電極は、前記第１配線部に共通接続されており、
    前記複数の第２電極は、前記第２配線部に共通接続されている、
    請求項１３～１５のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  17. 前記シリコン基板と前記圧電体層との間に設けられている酸化ケイ素膜を更に備える、
    請求項１～１６のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  18. 前記弾性波装置は、複数の弾性波共振子を備える弾性波フィルタであって、
    前記複数の弾性波共振子の各々は、前記第１電極及び前記第２電極を含む共振子であり、
    前記圧電体層は、前記複数の弾性波共振子において兼用されている、
    請求項１～１７のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  19. 前記圧電体層は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、
    前記圧電体層の前記第１主面は、前記圧電体層における前記シリコン基板側とは反対側の主面であり、
    前記圧電体層の前記第２主面は、前記圧電体層における前記シリコン基板側の主面であり、
    前記第１電極と前記第２電極とは、前記圧電体層の前記第１主面上で対向している、
    請求項１～１８のいずれか一項に記載の弾性波装置。
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