KR101067395B1 - 탄성 표면파 필터 - Google Patents

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Abstract

압전 기판(201) 상에 제1 IDT(202)와 제2 IDT(203)를 형성함으로써 구성되고, 제1 IDT(202)는 입출력 단자의 일측 단자(204)와 입출력 단자의 타측 단자(205)와의 사이, 즉 신호 경로에 직렬로 배치되고, 제2 IDT(203)는 입출력 단자의 일측 단자(204)와 제1 IDT(202)와의 사이로부터 신호 경로에 대하여 병렬로 배치된다. 또한, 제1 IDT(202)와 제2 IDT(203)는 각각의 공진기에 의해 여기되는 탄성 표면파의 동일 전파 경로 상에 근접하게 배치된다.
인터디지털 트랜스듀서, 공진기, 탄성 표면파

Description

탄성 표면파 필터{ELASTIC SURFACE WAVE FILTER}
본 발명은 휴대 전화 등의 통신 기기에 이용되는 탄성 표면파 필터에 관한 것이다.
최근 이동통신의 발전에 수반하여, 사용되는 디바이스의 고성능화, 소형화가 요구되고 있다. 그들 디바이스 중에서 이동통신 기기용의 필터로서, 탄성 표면파 필터(이하, SAW 필터라고 함)가 널리 이용되고 있다. 현재 RF(Radio Frequency)단의 SAW 필터로는, 주로 세로 모드형과 사다리(ladder)형이 이용되고 있다. 특히 사다리형 SAW 필터는 세로 모드형 SAW 필터에 비교하여 저손실화가 가능하다. 사다리형 SAW 필터는 다수의 탄성 표면파 공진기(이하, SAW 공진기라고 함)를 사다리 모양으로 접속한 구성으로서, 직렬 아암(arm)으로서 동작하는 SAW 공진기와 병렬 아암으로서 동작하는 SAW 공진기에 의해 구성된다.
사다리형 SAW 필터에 관한 종래예로서, 일본 특개 평9-270663호 공보에는, 직렬 아암으로서 동작하는 SAW 공진기와 병렬 아암으로서 동작하는 SAW 공진기를, 어느 정도의 거리를 두고 배치하는 방법이 개시되어 있다. 도 20은, 이와 같은 구성의 일본 특개 평9-270663호 공보에 개시된 SAW 필터의 구성도이다. 이 SAW 필터는, 압전 기판(901) 상에 형성된 직렬 아암의 SAW 공진기(902), 병렬 아암의 SAW 공진기(903) 및 이들 SAW 공진기(902, 903)에 접속된 신호선(904)으로 구성되어 있다. 또한, 이들 SAW 공진기(902, 903)는, 이들을 구성하는 빗살형 전극의 각각의 교차폭이 누설 표면파가 전파되는 방향으로 겹치쳐지도록 배치되어 있다. 이 경우에, 직렬 아암의 SAW 공진기(902)와 병렬 아암의 SAW 공진기(903)의 틈새의 거리를 누설 표면파 파장의 10배 이상이 되도록 설정하면, 이들 SAW 공진기(902, 903)의 누설 표면파의 간섭을 방지할 수 있다.
또한, 사다리형 SAW 필터에 관한 다른 종래예로서, 일본 특개 평9-232908호 공보에는, 직렬 아암으로서 동작하는 SAW 공진기와 병렬 아암으로서 동작하는 SAW 공진기와의 사이에 슬릿판을 배치하는 방법이 개시되어 있다. 도 21은, 이와 같은 구성의 일본 특개 평9-232908호 공보의 SAW 필터의 구성도이다. 이 SAW 필터는, 압전 기판(1001) 상에 형성된 직렬 아암의 SAW 공진기(1002, 1005), 병렬 아암의 SAW 공진기(1003, 1006) 및 슬릿판(1004, 1007)으로 구성되어 있다. 슬릿판(1004)은, 직렬 아암의 SAW 공진기(1002)와 병렬 아암의 SAW 공진기(1003)의 사이에 설치되어, 각각의 SAW 공진기(1002, 1003)로부터 누출된 탄성 표면파를 차단한다. 마찬가지로 슬릿판(1007)은, 직렬 아암의 SAW 공진기(1005)와 병렬 아암의 SAW 공진기(1006)의 사이에 설치되어, 각각의 SAW 공진기(1005, 1006)로부터 누출된 탄성 표면파를 차단한다.
또한, 사다리형 SAW 필터에 관한 다른 종래예로서, 일본 특개 2000-201052호 공보에는, 직렬 아암으로서 동작하는 SAW 공진기와 병렬 아암으로서 동작하는 SAW 공진기의 탄성 표면파가 전파되는 경로가 서로 겹치지 않도록 배치하는 방법이 개 시되어 있다. 도 22는, 이와 같은 구성의 일본 특개 2000-201052호 공보의 SAW 필터의 구성도이다. 이 SAW 필터는, 압전 기판(1101) 상에 형성된 직렬 아암의 SAW 공진기(1102, 1103)와 병렬 아암의 SAW 공진기(1104)로 구성되어 있다. 또한, 이 구성에 있어서, 2개의 직렬 아암의 SAW 공진기(1102, 1103)의 사이에 놓인 병렬 아암의 SAW 공진기(1104)의 탄성파 전파 경로가, 이들 직렬 아암의 SAW 공진기(1102, 1103)의 탄성파 전파 경로의 사이가 되도록 형성되어 있다. 이에 따라 직렬 아암 및 병렬 아암의 각각의 SAW 공진기의 탄성파가 서로 간섭하지 않고 양호한 필터 특성이 얻어지도록 하고 있다.
그러나 상기 종래예에 있어서는, 직렬 아암의 SAW 공진기와 병렬 아암의 SAW 공진기를 어느 정도의 거리를 두고 배치하고 있다. 이 때문에 SAW 필터로서의 형상이 커진다는 문제가 있었다. 또한, 이들 종래예에서는, 직렬 아암의 SAW 공진기와 병렬 아암의 SAW 공진기 사이의 탄성 표면파 간섭을 없애는 기술이 개시되어 있기는 하지만, 이를 이용하는 방법은 전혀 개시되어 있지 않다.
본 발명은, 상기의 문제점에 대하여, 다수의 SAW 공진기를 동일 전파 경로 상에 근접하게 배치한 새로운 구성의 SAW 필터에 의해, 소형이고, 또한, 저손실화가 가능한 SAW 필터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 SAW 필터는, 압전 기판과, 상기 압전 기판상의 동일 탄성 표면파의 전파 경로 상에 근접하게 설치된 적어도 2개의 인터디지털 트랜스듀서(이하, IDT라고 함)를 포함하는 SAW 필터로서, 상기 IDT 중, 적어도 하나는 신호 경로에 직렬로 접속되어 있는 제1 IDT이고, 적어도 하나는 신호 경로와 그라운드의 사이에 접속되어 있는 제2 IDT이고, 상기 제1 IDT와 제2 IDT는 공진 주파수가 다르고, 또한, 제1 IDT와 제2 IDT는 IDT를 구성하는 빗살형 전극의 전극 핑거를 거의 연속적으로 배치한 구성으로 이루어진다.
이와 같은 구성에 의해, 종래 이용되고 있는 사다리형 탄성 표면파 필터인 소위 L형 구성과 동등한 감쇠 특성을 가지면서, 보다 소형이고, 또한, 저손실의 SAW 필터를 얻을 수 있다. 여기에서 전극 핑거를 거의 연속적으로 배치했다는 것은, 서로 인접하는 전극 핑거와 전극 핑거 사이의 간격 차를 약 5% 이하의 오차가 되도록 배치한 것을 말한다. 이와 같이 배치함으로써 IDT와 IDT 사이의 경계에서의 벌크파 변환에 따른 손실의 발생을 방지할 수 있다. 혹은 후술하는 바와 같이, IDT 간에 스트립 라인 전극을 배치한 경우, IDT와 스트립 라인 전극 사이의 경계에서의 벌크파 변환에 따른 손실의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 제1 IDT로부터 바라본 제2 IDT를, 또한, 역으로 제2 IDT로부터 바라본 제1 IDT를, 각각 반사기로서 이용할 수도 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 제1 IDT 및 제2 IDT의 각각의 탄성 표면파가 서로를 감쇠시키지 않도록 배치해도 무방하다. 또한, 이 경우, 제1 IDT 및 제2 IDT가 서로 역상이 되도록 구성해도 된다.
이러한 구성에 의해, 서로의 탄성 표면파가 서로를 감쇠시키지 않도록 할 수 있으므로 공진 주파수가 다른 다수의 IDT를 탄성 표면파가 전파되는 방향으로 나란히 배치하여, 소형이고 손실이 적은 SAW 필터를 실현할 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 제1 IDT 및 제2 IDT의 공진 주파수를, 미리 설정한 필터 특성을 얻는 데에 필요한 주파수로 설정하여도 무방하다. 그 경우, 제1 IDT의 공진 주파수를 제2 IDT의 반(反) 공진 주파수에 대략 일치시켜도 된다. 이 구성에 의해, 목표로 하는 필터 특성을 용이하게 얻을 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 제1 IDT 및 제2 IDT를 포함하는 IDT의 최외측에 반사기 전극을 설치해도 무방하다. 이와 같은 구성에 의해, 표면 탄성파를 고효율로 가두어둘 수 있으므로 손실을 더욱 감소시킨 SAW 필터를 실현할 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 제1 IDT와 제2 IDT의 사이에 스트립 라인 전극을 설치하고, 제1 IDT 및 제2 IDT를 구성하는 빗살형 전극의 전극 핑거 및 이 스트립 라인 전극을 구성하는 전극 핑거가 거의 연속적으로 배치되도록 하여도 무방하다. 이 경우에, 이 스트립 라인 전극의 전극 핑거 피치를, 제1 IDT의 전극 핑거 피치와 제2 IDT의 전극 핑거 피치의 사이로 설정해도 무방하다. 이러한 구성에 의해, 각각의 IDT로부터 여진(勵振)되는 탄성 표면파를 고효율로 가두어둘 수 있으므로 손실을 적게 할 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 제1 IDT와 제2 IDT의 경계 영역에 배치되어 있는 다수의 전극 핑거의 피치를, 각각의 중앙 영역에 배치되어 있는 전극 핑거의 피치와 다르게 하여도 무방하다. 또한, 이 경우에, SAW 필터를 구성하는 IDT의 적어도 하나에 가중을 가해도 무방하다. 또한, 이 가중으로서는, 아포다이즈(apodize) 가중, 혹은 세선화(thinning) 가중이 이용될 수 있다.
이와 같은 구성에 의해, 필요로 하는 주파수 영역에서 감쇠량이나 손실을 설계에 맞춰 조정하여, 감쇠량이 크고 손실이 적은 SAW 필터를 용이하게 실현할 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서. IDT는 더미 전극을 포함하여도 무방하다. 더미 전극을 각각 배치하고 최적화함으로써, 더욱 손실이 적은 SAW 필터를 실현할 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 제1 IDT에 대하여 제2 IDT가 근접 배치된 측의 반대측에, 신호 경로와 그라운드의 사이에 접속되어 있는 제3 IDT를 근접 배치하여도 무방하다. 이 경우에, 제3 IDT의 공진 주파수는 제1 IDT의 공진 주파수와 다르게 해도 된다.
또한, 상기 구성에 있어서, 제2 IDT에 대하여 제1 IDT가 근접 배치된 측과 반대측에, 신호 경로에 직렬로 접속되어 있는 제4 IDT를 근접 배치하여도 무방하다. 이 경우에, 제4 IDT의 공진 주파수는 제2 IDT의 공진 주파수와 다르게 해도 된다.
또한, 본 발명의 SAW 필터는, 상기 구성의 SAW 필터를 하나의 SAW 소자로 하고, 이 SAW 소자를 다단으로 접속한 구성으로 이루어진다. 이러한 구성에 의해, 목표로 하는 특성을 갖는 SAW 필터를 용이하게 얻을 수 있고 설계의 자유도도 크게 할 수 있다.
이상과 같은 본 발명에 따르면, 다수의 SAW 공진기를 동일 전파 경로 상에 근접하게 배치함으로써, 고감쇠 특성이 요구되고, 많은 공진자를 필요로 하는 SAW 필터의 경우에도 소형화를 실현할 수 있다. 또한, 이들 SAW 필터를 하나의 소자로서 다단 접속하는 경우에도 배선 패턴을 단순화할 수 있으므로, 배선 패턴에 의한 전기 저항을 적게 할 수 있어 손실이 적은 SAW 필터를 실현할 수도 있다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시예에 따른 SAW 필터의 구성을 나타내는 평면도.
도 2는, 본 발명의 제1 실시예에서의 역상 구성을 설명하기 위한 모식도.
도 3은, 본 발명의 제1 실시예에서의 제1 변형예의 SAW 필터를 나타내는 평면도.
도 4는, 본 발명의 제1 실시예에서의 제2 변형예의 SAW 필터를 나타내는 평면도.
도 5는, 본 발명의 제1 실시예에 따른 1단의 L형 구성의 SAW 필터를 기본의 SAW 소자로 하고, 이들을 2단으로 세로접속한 구성으로 이루어지는 SAW 필터의 평면도.
도 6은, 도 1에 나타낸 SAW 필터를 기본으로 하여 그라데이션 영역을 설치한 구성을 설명하는 평면도.
도 7은, 도 6에 나타낸 SAW 필터의 경계 영역의 전극 핑거의 구성을 확대하여 나타낸 도면.
도 8은, 제1 실시예의 SAW 필터의 특성을 측정한 결과를 나타낸 도면.
도 9는, 제2 실시예의 SAW 필터의 특성을 측정한 결과를 나타낸 도면.
도 10은, 제3 실시예의 SAW 필터의 특성을 측정한 결과를 나타낸 도면.
도 11은, 제1 비교예의 SAW 필터의 특성을 측정한 결과를 나타낸 도면.
도 12는, 제4 실시예의 SAW 필터의 특성을 측정한 결과를 나타낸 도면.
도 13은, 제2 비교예의 SAW 필터의 특성을 측정한 결과를 나타낸 도면.
도 14는, 도 3에 도시한 SAW 필터를 기본 SAW 소자로 하고, 이들을 4단으로 세로접속하여 구성한 제5 실시예의 SAW 필터의 평면도.
도 15는, 제5 실시예의 SAW 필터에 대하여 특성을 측정한 결과를 나타낸 도면.
도 16은, 비교를 위하여 제작한 것으로, 종래의 사다리 구성으로 이루어지는 SAW 공진기를 다단으로 세로접속한 제3 비교예의 SAW 필터의 구성을 나타낸 평면도.
도 17은, 제3 비교예의 SAW 필터에 대하여 특성을 측정한 결과를 나타낸 도면.
도 18은, 본 발명의 제3 실시예에 따른 SAW 필터의 구성을 나타낸 평면도.
도 19는, 본 발명의 제3 실시예에 따른 SAW 필터의 구성을 나타낸 평면도.
도 20은, 일본 특개 평9-270663호 공보에 개시된 종래의 SAW 필터의 구성도.
도 21은, 일본 특개 평9-232908호 공보에 개시된 종래의 SAW 필터의 구성도.
도 22는, 일본 특개 2000-201052호 공보에 개시된 종래의 SAW 필터의 구성도.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 또한, 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하였으므로 설명을 생략하는 경우 가 있다. 또한, 이하에 나타낸 도면은 모식적인 도면으로서, 전극 핑거 개수나 피치를 정확하게 나타내고 있는 것은 아니다.
(제1 실시예)
도 1은, 본 발명의 제1 실시예에 따른 SAW 필터의 구성을 나타낸 평면도이다. 또한, 일반적으로 SAW 필터는 세라믹이나 수지 등으로 패키징되어 사용되는데, 도 1에서는 압전 기판(201) 상의 구성만을 도시하고 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 SAW 필터의 경우에는, 39° Y커트 X전파의 탄탈산리튬(LiTaO3)으로 이루어지는 압전 기판(201)의 표면에 제1 IDT(202)와 제2 IDT(203)를 동일 전파 경로가 되도록 배치하고, 각각의 단부에 반사기 전극(207)을 설치한 구성으로 이루어진다.
제1 IDT(202)는, 입출력 단자의 일측 단자(204)와 타측 단자(205)의 사이, 즉 신호 경로에 대하여 직렬로 배치되어, 직렬 아암의 SAW 공진기와 등가의 동작을 수행한다. 한편 제2 IDT(203)는, 입출력 단자의 일측 단자(204)와 제1 IDT(202)의 사이로부터 신호 경로에 대하여 병렬로 배치되어 있다. 이 제2 IDT(203)는, 일측 단자(204) 및 제1 IDT와는 배선 전극(206)에 의해 접속되어 있다. 이와 같은 배치와 접속 구성에 의해, 제2 IDT(203)는 병렬 아암의 SAW 공진기와 등가의 동작을 수행한다.
또한, 제1 IDT(202)와 제2 IDT(203)는, 각각의 SAW 공진기에 의해 여기(勵起)되는 탄성 표면파의 동일 전파 경로 상에 각각의 IDT를 구성하는 빗살형 전극의 전극 핑거를 거의 연속적으로 배치하고 있다. 이때 제1 IDT(202)와 제2 IDT(203)에 대해서는, 각각의 SAW 공진기에서 여기되는 탄성 표면파가 서로를 상쇠시키지 않는 구성으로 되어 있다. 또한, 제1 IDT(202) 및 제2 IDT(203)의 서로 인접하는 측과는 반대측에 반사기 전극(207)이 각각 배치되어 있다. 이와 같은 구성에 의해 SAW 필터를 실현할 수 있다.
또한, 배선 전극(206)과 일측 단자(204) 및 제1 IDT(202)를 구성하는 빗살형 전극의 타측과 타측 단자(205)는, 와이어 리드 등에 의해 접속되어 있다. 또한, 제2 IDT(203)를 구성하는 빗살형 전극의 타측도 마찬가지로 와이어 리드 등에 의해 접지 단자에 접속되어 접지된다.
또한, 제1 IDT(202)를 구성하는 빗살형 전극의 전극 핑거 피치는 제2 IDT(203)를 구성하는 빗살형 전극의 전극 핑거 피치보다 작으며, 또한, 설계치에 기초하는 필터 특성을 실현하도록 각각의 피치를 설정한다. 또한, 반사기 전극(207)의 전극 핑거 피치는, 제1 IDT(202)의 전극 핑거 피치와 제2 IDT(203)의 전극 핑거 피치의 사이의 값이 되도록 설정된다.
이상과 같이, 제1 IDT(202)와 제2 IDT(203)를 근접 배치함으로써 하나의 전파 경로 상에 가두어둘 수 있기 때문에, 각각의 SAW 공진기에 대해서는, 그 공진기 길이를 길게한 것과 실질적으로 등가가 되어 SAW 공진기 특성을 고성능화할 수 있다. 따라서, SAW 필터로서도, 대역 통과형이고 손실이 적은 특성을 얻을 수 있다. 또한, 제1 IDT(202)와 제2 IDT(203)를 근접 배치하는 것 및 배선 전극을 짧게 하는 것 등에 의해 SAW 필터의 소형화도 실현할 수 있다. 또한, 이상의 구성은 L형의 SAW 필터의 기본 구성 단위도 될 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 SAW 필터는, 다수의 SAW 공진기를 동일 전파 경로 상에 근접하게 배치함으로써, 소형이고, 또한, 손실이 적은 필터 특성을 실현할 수 있다.
또한, 제1 IDT(202) 및 제2 IDT(203)의 공진 주파수를 변경하는 방법으로서는, 전극 핑거의 폭을 변화시키는 방법이나 전극 핑거의 피치를 변화시키는 방법 등이 있다. 그러나 SAW 필터의 설계 자유도를 크게 하는 관점이나, 제조 공정의 용이성의 관점으로부터 판단하면, 전극 핑거 피치를 변화시키는 방법이 더 바람직하다.
일반적으로 SAW 공진기를 구성하는 경우에는, IDT 특성의 피크 주파수와 반사기 전극의 반사 특성의 중심 주파수가 일치되도록, 각각의 피치를 설정한다. 그러나 반사 특성은 비교적 넓은 주파수 영역에서 편평한 특성을 가지므로, 이 편평한 영역에서는 특성이 크게 열화되지 않는 공진 특성이 얻어진다. 따라서, 모든 IDT 특성의 피크 주파수에 대한 반사 특성이 편평한 영역내에 존재하도록 하는 것이 바람직하고, 반사기 전극의 피치는 최소의 피치를 갖는 IDT의 피치보다 크고, 최대의 피치를 갖는 IDT의 피치보다 작게 하는 것이 바람직하다. 또한, 각각의 탄성 표면파가 서로 상쇠시키지 않도록 IDT의 배치를 함으로써, 서로의 간섭을 피할 수 있다.
이와 같이 탄성 표면파가 서로를 상쇠시키지 않도록 제1 IDT(202)와 제2 IDT(203)를 배치하는 경우에, 제1 IDT(202) 및 제2 IDT(203)가 서로 역상이 되도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에서 말하는 역상이라는 것은, 도 2에 도시한 바와 같은 구성을 말한다. 도 2는 역상을 설명하기 위한 모식도로서, 제1 IDT(22)와 제2 IDT(23)의 경계 영역부를 확대하여 나타내고 있다. 또한, 이 도면에 있어서는, 제1 IDT(22)와 제2 IDT(23)와의 사이에 스트립 라인 전극(31)을 설치하고 있다. 또한, 제1 IDT(22)와 제2 IDT(23)로부터 여진되는 탄성 표면파(25)도 모식적으로 나타내고 있다. 이와 같은 구성의 경우에 있어서는 도시하는 바와 같이, 제1 IDT(22) 중에서 제2 IDT(23)에 가장 가까운 전극 핑거(221)와 제2 IDT(23) 중에서 제1 IDT(22)에 가장 가까운 전극 핑거(231)가 탄성 표면파(25)의 마루와 골을 구성하고 있고, 또한, 제1 IDT(22)와 제2 IDT(23)를 구성하는 빗살형 전극의 일측이 도시된 바와 같이 공통으로 접속되어 있다. 본 발명에서 말하는 역상이라는 것은, 이와 같은 배치 구성을 말한다. 또한, 이와 같이 역상으로 하기 위해서는, 도시된 바와 같은 스트립 라인 전극(31)이 필수적인 것은 아니며, 스트립 라인 전극(31)을 설치하지 않아도 역상 구성은 가능하다.
또한, 본 실시예의 SAW 필터에 있어서는, 반사기 전극(207)을 배치하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 탄성 표면파를 가두어 두는 것이 또다른 방법에 의해 충분히 가능하다면, 반사기 전극(207)은 특별히 설치되지 않아도 무방하다.
도 3은 본 실시예에서의 제1 변형예의 SAW 필터를 나타내는 평면도이다. 본 변형예의 SAW 필터에 있어서도, 도 1과 마찬가지로 압전 기판(201) 상의 구성만이 도시되어 있다. 이 제1 변형예의 SAW 필터는, 제1 IDT(202)와 제2 IDT(203)와의 사이에 몇개의 스트립 라인 전극(301)을 배치한 것이 특징이다. 이 전극 핑거 피치는 제1 IDT(202)의 전극 핑거 피치와 제2 IDT(203)의 전극 핑거 피치의 중간값이 되도록 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 스트립 라인 전극(301)의 전극 핑거의 피치는 상기한 중간의 값이 되도록 설정하는데, 모든 전극 핑거의 피치를 일정하게 할 필요는 없고, 단계적으로 변화시켜도 무방하고, 연속적으로 변화되는 그라데이션으로 해도 무방하다. 또한, 이 스트립 라인 전극(301)은 반사기 전극으로서 사용된다.
도 4는 본 실시예에서의 제2 변형예의 SAW 필터를 나타내는 평면도이다. 본 변형예의 SAW 필터에 있어서도, 도 1과 마찬가지로 압전 기판(201) 상의 구성만이 도시되어 있다. 이 제2 변형예의 SAW 필터는, 도시된 바와 같은 더미 전극(401, 402)을 제1 IDT(404)와 제2 IDT(405)에 각각 배치한 것이 특징이고, 그 밖에 대해서는 도 1에 도시한 SAW 필터 구성과 동일하다. 이 더미 전극(401, 402)을 각각 배치하여 최적화함으로써, 더욱 저손실의 SAW 필터를 실현할 수 있다.
또한, 상기 실시예에 있어서는, 1단의 L형 구성 SAW 필터에 대하여 설명했으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 5에 도시한 바와 같은 다단 구성의 SAW 필터일 수도 있다.
도 5는, 도 1에 도시한 1단의 L형 구성 SAW 필터를 기본 SAW 소자로 하고 이들을 2단으로 세로접속한 구성으로 이루어지는 SAW 필터의 평면도이다. 즉, 제1 SAW 소자(501)는, 압전 기판(201)의 표면에 제1 IDT(2021)와 제2 IDT(2031)를 동일 전파 경로 상이 되도록 배치하고, 각각의 단부에 반사기 전극(2071)을 설치함으로 써 이루어진다. 또한, 제2 SAW 소자(502)는, 마찬가지로 압전 기판(201)의 표면에 제1 IDT(2022)와 제2 IDT(2032)를 동일 전파 경로 상이 되도록 배치하고, 각각의 단부에 반사기 전극(2072)을 설치함으로써 이루어진다.
제1 IDT(2021)를 구성하는 빗살형 전극의 일측은 입출력 단자의 일측 단자(204)에 접속되고, 빗살형 전극의 타측은 배선 전극(206)과 접속되어 있다. 또한, 제2 IDT(2031)를 구성하는 빗살형 전극의 일측은 접지에 설치되고, 타측은 배선 전극(206)에 접속되어 있다.
마찬가지로, 제1 IDT(2022)를 구성하는 빗살형 전극의 일측은 입출력 단자의 타측 단자(205)에 접속되고, 빗살형 전극의 타측은 배선 전극(206)에 접속되어 있다. 또한, 제2 IDT(2032)를 구성하는 빗살형 전극의 일측은 접지에 설치되고, 타측은 배선 전극(206)에 접속되어 있다.
이러한 구성에 의해, 압전 기판(201) 상에 형성되는 IDT나 반사기 전극을 포함하는 패턴 형상은, 전체적으로 거의 직사각형상이 된다. 따라서 칩 상의 패턴의 점적율(space factor)이 개선된다. 이 결과, SAW 필터로서의 칩의 소형화가 가능해진다. 또한, 제1 SAW 소자(501) 및 제2 SAW 소자(502) 간의 접속도 배선 전극(206)만으로 매우 단순하게 구성할 수 있기 때문에 저손실화를 실현할 수 있다.
이하, 본 실시예에 따른 SAW 필터의 구체적인 구성과 그 특성을 시뮬레이션에 의해 측정한 결과에 대하여 설명한다.
도 6은, 도 1에 도시한 SAW 필터를 기본으로 하여 그라데이션 영역을 설치한 구성을 설명하는 평면도이다. 이 SAW 필터에 있어서, 제1 IDT(202)와 제2 IDT(203) 와는 공진 주파수가 다르고, 또한, 제1 IDT(202)와 제2 IDT(203)는 IDT를 구성하는 빗살형 전극의 전극 핑거를 거의 연속적으로 배치하여, 각각의 탄성 표면파가 서로를 상쇠시키지 않도록 한다. 이하, 이 SAW 필터를 제1 실시예의 SAW 필터라고 한다.
구체적으로는, 이 제1 실시예의 SAW 필터는, 제1 IDT(202) 및 제2 IDT(203)의 경계 영역인 그라데이션 영역(2026, 2036)의 다수의 전극 핑거의 피치를, 각각의 중앙 영역의 동일 피치 영역(2025, 2035)의 전극 핑거의 피치와 다르게 한, 즉 그라데이션을 설치했다는 것이 특징이다. 도 7은, 이 경계 영역의 전극 핑거의 구성을 확대하여 나타낸 도면이다. 또한, 도 7은 모식적인 도면으로서, 전극 핑거의 개수 등에 대해서는 정확하게 표현되어 있지 않다. 또한, 표 1은, 이 SAW 필터의 전극 핑거 개수와 피치를 나타낸다.
표 1 및 도 7로부터 알 수 있는 바와 같이, 제1 IDT(202)의 동일 피치 영역(2025)에서의 전극 핑거는 215개가 설치되어 있으며, 이 영역의 피치는 2.341㎛이다. 한편, 이 동일 피치 영역(2025)의 단부로부터 제2 IDT(203)와의 경계부까지에 걸쳐 그라데이션 영역(2026)이 설치되어 있다. 그라데이션 영역(2026)의 전극 핑거 개수는 10개이며, 그 피치는 동일 피치 영역 단부의 피치 2.341㎛로부터 제2 IDT(203)의 경계부의 피치 2.411㎛까지 연속적으로 변화하고 있다.
또한, 제2 IDT(203)의 그라데이션 영역(2036)에서는, 제1 IDT(202)의 그라데이션 영역(2026)의 단부의 피치 2.411㎛로부터 동일 피치 영역(2035)의 피치인 2.429㎛까지 연속적으로 그 피치가 변화하고 있다. 또한, 이 그라데이션 영 역(2036)의 전극 핑거 개수는 10개이고, 동일 피치 영역(2035)의 전극 핑거 개수는 135개이다.
또한, 제1 IDT(202)에 인접하는 반사기 전극(207)의 전극 핑거 개수는 35개이고, 그 피치는 2.404㎛으로 했다. 한편, 제2 IDT(203)에 인접하는 반사기 전극(207)의 전극 핑거 개수는 35개이고, 그 피치는 2.418㎛으로 하고 있다. 또한, 압전 기판(201)은, 39° Y커트 X전파의 탄탈산리튬(LiTaO3)을 이용하고, 전극 막 두께를 약 0.4㎛으로 했다. 이상의 구성에 의해 이루어지는 제1 실시예의 SAW 필터의 특성을 구한 결과를 도 8에 도시한다. 도 8로부터 알 수 있는 바와 같이, 제1 실시예의 SAW 필터에서는 824MHz와 849MHz에서의 손실이 각각 0.65dB 및 0.28dB였다.
전극 핑거 개수
(개)		 피치
(㎛)
반사기 전극(207) 35 2.404
제1 IDT(202) 동일 피치 영역(2025) 215 2.341
그라데이션 영역(2026) 10 2.411
(제1 IDT(202)의 우단부)
제2 IDT(203) 그라데이션 영역(2036) 10 2.411
(제2 IDT(203)의 좌단부)
동일 피치 영역(2035) 135 2.429
반사기 전극(207) 35 2.418
* 또한, 교차폭은 115㎛, η은 0.52로 일정하게 했다.
다음으로 제1 실시예의 SAW 필터와 마찬가지로 그라데이션 영역을 설치한 구성에 대해, 더욱 세선화한 SAW 필터를 제작했다. 이것을 제2 실시예의 SAW 필터라고 한다. 제2 실시예의 SAW 필터는, 그 구성에 있어서는 제1 실시예의 SAW 필터와 동일하나, 전극 핑거 개수나 피치는 다르다.
표 2에 제2 실시예의 SAW 필터의 전극 핑거 개수와 피치를 나타낸다. 표 2에 나타내는 구성 이외에 대해서는, 제1 실시예의 SAW 필터와 동일한 것이므로 설명은 생략한다.
이상의 구성으로 이루어지는 제2 실시예의 SAW 필터의 특성을 측정한 결과를 도 9에 나타낸다. 도 9로부터 알 수 있는 바와 같이, 제2 실시예의 SAW 필터에서는 824MHz와 849MHz에서의 손실이 각각 0.52dB 및 0.29dB였다.
전극 핑거 개수
(개)		 피치
(㎛)
반사기(207) 35 2.383
제1 IDT(202) 동일 피치 영역(2025) 215 2.321
그라데이션 영역(2026) 10 2.390
(제1 IDT(202)의 우단부)
제2 IDT(203) 그라데이션 영역(2036) 10 2.390
(제2 IDT(203)의 좌단부)
동일 피치 영역(2035) 135 2.408
반사기(207) 35 2.397
* 또한, 교차폭은 115㎛, η은 0.52로 일정하게 했다.
또한, 제1 실시예의 SAW 필터와 마찬가지로 그라데이션 영역을 설치한 구성에 추가로 아포다이즈 가중을 행한 구성의 SAW 필터를 제작했다. 이것을 제3 실시예의 SAW 필터라고 한다. 아포다이즈 가중은 시뮬레이션에 의해 특성을 평가하면서 최적값이 설정되었다. 이와 같이 하여 제작한 제3 실시예의 SAW 필터의 특성을 측정한 결과를 도 10에 나타내었다. 도 10으로부터 알 수 있는 바와 같이, 제3 실시예의 SAW 필터에서는 824MHz와 849MHz에서의 손실이 각각 0.56dB 및 0.28dB였다.
한편, 본 발명의 SAW 필터와 비교하기 위하여, 종래의 사다리 구성으로 이루어진 SAW 필터도 제작했다. 이것을 제1 비교예의 SAW 필터라고 한다. 이 제1 비교예의 SAW 필터의 특성을 측정한 결과를 도 11에 도시하였다. 도 11로부터 알 수 있는 바와 같이, 제1 비교예의 SAW 필터에서는 824MHz와 849MHz에서의 손실이 각각 0.65dB 및 0.28dB였다.
이들 특성을 표 3에 정리하여 나타내었다. 표 3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 제1 실시예의 SAW 필터를 제외하고, 제2 실시예 및 제3 실시예의 SAW 필터는 제1 비교예의 SAW 필터보다도 양호한 특성을 얻을 수 있음을 확인할 수 있었다. 또한, 제1 실시예의 SAW 필터의 경우에는, 제1 비교예의 SAW 필터와 그 특성은 동일하나, 제1 비교예의 SAW 필터보다도 소형화할 수 있다는 특징을 갖는다.
제1 실시예의 SAW 필터 제2 실시예의 SAW 필터 제3 실시예의 SAW 필터 제1 비교예의 SAW 필터
824MHz 0.65dB 0.52dB 0.56dB 0.65dB
849MHz 0.28dB 0.29dB 0.28dB 0.28dB
다음으로, 제1 IDT와 제2 IDT와의 사이에 스트립 라인 전극을 설치하고, 제1 IDT 및 제2 IDT를 구성하는 빗살형 전극의 전극 핑거와 스트립 라인 전극 또는 반사기 전극을 구성하는 전극 핑거가 거의 연속적으로 배치되도록 구성한 SAW 필터를 제작했다. 이것은 도 3에 도시한 SAW 필터를 기본으로 하며, 제작된 SAW 필터의 전극 핑거 개수와 피치를 표 4에 나타내었다. 이것을 제4 실시예의 SAW 필터라고 한다.
표 4에 기초하여 제작한 제4 실시예의 SAW 필터의 특성을 측정한 결과를 도 12에 나타내었다. 도 12로부터 알 수 있는 바와 같이, 제4 실시예의 SAW 필터에서는 824MHz와 849MHz에서의 손실이 각각 0.70dB 및 0.25dB였다.
전극 핑거 개수(개) 피치(㎛)
반사기 전극(207) 35 2.404
제1 IDT(202) 225 2.341
스트립 라인 전극(301) 35 2.411
제2 IDT(203) 145 2.429
반사기 전극(207) 35 2.418
한편, 제4 실시예의 SAW 필터와 비교하기 위하여 종래의 사다리 구성의 SAW 필터도 제작했다. 이것을 제2 비교예의 SAW 필터라고 한다. 이 제2 비교예의 SAW 필터의 특성을 측정한 결과를 도 13에 나타내었다. 도 13으로부터 알 수 있는 바와 같이, 제2 비교예의 SAW 필터에서는 824MHz와 849MHz에서의 손실이 각각 0.70dB 및 0.25dB였다.
즉, 제4 실시예의 SAW 필터의 경우에는, 특성 자체는 종래의 사다리 구성과 동일한 결과를 보였으나, 소형화할 수 있다는 특징을 갖는다.
다음으로, 도 3에 도시한 SAW 필터를 기본 SAW 소자로 하고, 이들을 다단으로 세로접속한 SAW 필터를 제작하여 특성을 측정한 결과에 대하여 설명한다.
도 14는, 도 3에 도시한 SAW 필터를 기본 SAW 소자로 하고, 이들을 4단으로 세로접속하여 구성한 SAW 필터의 평면도이다. 이것을 제5 실시예의 SAW 필터라고 한다. 압전 기판(201)은 39° Y커트 X전파의 탄탈산리튬(LiTaO3)을 이용하여 전극 막 두께를 약 0.4㎛으로 했다. 1단째부터 4단째까지의 각각의 IDT 및 반사기 전극의 전극 핑거 개수와 피치를 표 5에 나타낸다.
이 제5 실시예의 SAW 필터의 1단째는, 제1 IDT(502), 제2 IDT(503), 양측의 반사기 전극(504, 505) 및 중앙부의 스트립 라인 전극(506)으로 구성되어 있다. 마찬가지로 2단째는, 제1 IDT(512), 제2 IDT(513), 양측의 반사기 전극(514, 515) 및 중앙부의 스트립 라인 전극(516)으로 구성되어 있다. 또한, 3단째는, 제1 IDT(522), 제2 IDT(523), 양측의 반사기 전극(524, 525) 및 중앙부의 스트립 라인 전극(526)으로 구성되어 있다. 마지막의 4단째는, 제1 IDT(532)와 그 양측에 배치된 반사기 전극(534, 535)으로 구성되어 있다.
1단째
반사기 전극(504) 제1 IDT
(502)		 스트립 라인 전극(506) 제2 IDT
(503)		 반사기 전극(505)
교차폭(㎛) -- 115 -- 115 --
전극 핑거 개수(개) 35 225 23 145 35
전극 핑거 피치(㎛) 2.404 2.341 2.411 2.429 2.418
2단째
반사기 전극(514) 제1 IDT
(512)		 스트립 라인 전극(516) 제2 IDT
(513)		 반사기 전극(515)
교차폭(㎛) -- 55 -- 55 --
전극 핑거 개수(개) 35 157 23 181 35
전극 핑거 피치(㎛) 2.404 2.334 2.411 2.427 2.418
3단째
반사기 전극(524) 제1 IDT
(522)		 스트립 라인 전극(526) 제2 IDT
(523)		 반사기 전극(525)
교차폭(㎛) -- 75 -- 75 --
전극 핑거 개수(개) 35 201 23 153 35
전극 핑거 피치(㎛) 2.415 2.434 2.406 2.309 2.392
4단째
반사기 전극(534) 제1 IDT
(532)		 반사기 전극(535)
교차폭(㎛) -- 40 --
전극 핑거 개수(개) 35 235 35
전극 핑거 피치(㎛) 2.411 2.334 2.411
그리고 IDT들은, 배선 전극(540, 541, 542)에 의해 접속되어 있다.
또한, 1단째의 제1 IDT(502)를 구성하는 빗살형 전극의 일측이 입출력 단자의 일측 단자(204)에 접속되고, 4단째의 제1 IDT(532)를 구성하는 빗살형 전극의 타측이 입출력 단자의 타측 단자(205)에 접속되어 있다. 또한, 상기 스트립 라인 전극(506, 516, 526)은, 각각 반사기 전극으로서 작용한다.
도 15는, 이와 같은 구성의 제5 실시예의 SAW 필터에 대하여 특성을 측정한 결과를 나타내는 도면이다. 도 15로부터 알 수 있듯이. 제5 실시예의 SAW 필터에서는 824MHz와 849MHz에서의 손실이 각각 0.92dB 및 1.29dB였다.
이 SAW 필터와 비교하기 위하여 종래의 사다리 구성으로 이루어지는 SAW 공진기를 다단으로 종속 접속한 구성의 SAW 필터도 제작했다. 도 16은 이 SAW 필터의 구성을 나타내는 평면도이다. 이 SAW 필터는, 압전 기판(650) 상에 형성된 직렬 아암의 SAW 공진기(600). 병렬 아암의 SAW 공진기(610) 및 이들 SAW 공진기(600, 610)에 접속된 신호선(640)에 의해 구성된다. 또한, 직렬 아암의 SAW 공진기(600)는 입출력 단자의 일측 단자(620)와 타측 단자(630)에 각각 접속되어 있다. 또한, 전극 핑거의 개수, 피치, 교차 폭 등에 대해서는 제5 실시예의 SAW 필터의 통과 대역과 일치하도록 설정하고 있다.
이와 같은 구성의 SAW 필터를 이하, 제3 비교예의 SAW 필터라고 한다. 도 17은 이 제3 비교예의 SAW 필터에 대하여 특성을 측정한 결과를 나타낸 도면이다. 도 17로부터 알 수 있는 바와 같이, 제3 비교예의 SAW 필터에서는 824MHz와 849MHz에서의 손실이 각각 0.93dB 및 1.29dB였다.
이들 결과로부터, 제5 실시예의 SAW 필터는, 제3 비교예의 SAW 필터와 비교하여 특성의 개선 정도는 작으나, 전체적으로 소형화할 수 있다는 큰 특징을 갖는다.
또한, 상기 실시예에서 나타낸 SAW 필터에 있어서는, 그라데이션으로 연속적으로 피치가 바뀌도록 했으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 계단 형상으로 피치를 바꿔도 무방하다. 또한, 마찬가지로 상기 실시예에서 나타낸 SAW 필터에 있어서는, IDT에 아포다이즈 가중을 가한 구성을 나타냈으나, 이와 같은 구성뿐만 아니라, 세선화 가중을 가해도 무방하다.
또한, 제1 IDT 및 제2 IDT의 공진 주파수를, 미리 설정한 필터 특성을 얻는데 필요한 주파수로 설정하는 것은, 제1 실시예 및 그것에 기초하여 작성한 실시예의 SAW 필터에서 명시적으로는 설명하고 있지 않으나, 표 1로부터 표 5 및 그들의 설명으로부터 당연히 추정할 수 있는 것이다. 또한, 마찬가지로, 제1 IDT의 공진 주파수를, 제2 IDT의 공진 주파수에 대략 일치시켜도 마찬가지로 양호한 특성을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서는, 제1 IDT에 대하여 제2 IDT의 빗살형 전극의 전극 핑거가 연속적으로 배치된 측과는 반대측에, 신호 경로와 그라운드 사이에 접속되어 있는 제3 IDT의 빗살형 전극의 전극 핑거를 제1 IDT의 빗살형 전극의 전극 핑거에 대해 연속하여 배치해도 무방하다. 혹은 제2 IDT에 대하여, 제1 IDT의 빗살형 전극의 전극 핑거가 연속적으로 배치된 측과는 반대측에, 신호 경로에 직렬로 접속되는 제4 IDT의 빗살형 전극의 전극 핑거가 제2 IDT의 빗살형 전극의 전극 핑거에 연속하도록 배치되는 구성으로 해도 무방하다. 이들 구성으로 해도 마찬가지로 소형이고, 손실이 적은 SAW 필터를 실현할 수 있다.
(제2 실시예)
도 18은 본 발명의 제2 실시예에 따른 SAW 필터의 구성을 나타내는 평면도이다. 본 실시예의 SAW 필터가 제1 실시예의 SAW 필터와 다른 점은, 제1 실시예에 있어서는 L형 구성을 기본으로 한데 비하여, 본 실시예에 있어서는 π형 구성을 기본으로 하고 있다는 점이다.
본 실시예의 SAW 필터는, 압전 기판(701) 상에 제1 IDT(702), 제2 IDT(703), 제3 IDT(704) 및 양단에 배치된 반사기 전극(709)으로 구성되어 있다.
제1 IDT(702)는, 입출력 단자의 일측 단자(705)와 입출력 단자의 타측 단자(706)의 사이, 즉 신호 경로에 직렬로 배치되어 있다. 이러한 배치에 의해, 이 제1 IDT(702)는 직렬 아암의 SAW 공진기와 등가의 동작을 할 수 있다. 제2 IDT(703)는 입출력 단자의 일측 단자(705)와 제1 IDT(702)의 사이로부터 신호 경로에 대하여 병렬로 배치되고, 또한, 배선 전극(707)에 의해 제1 IDT(702) 및 일측 단자(705)에 접속되어 있다. 이러한 배치에 의해, 제2 IDT(703)는 병렬 아암의 SAW 공진기와 등가의 동작을 할 수 있다.
제3 IDT(704)는, 입출력 단자의 타측 단자(706)와 제1 IDT(702)와의 사이로부터의 신호 경로에 대하여 병렬로 배치되고, 또한, 배선 전극(708)에 의해 제1 IDT(702) 및 타측 단자(706)에 접속되어 있다. 이러한 배치에 의해 제3 IDT(704)는 병렬 아암의 SAW 공진기와 등가의 동작을 할 수 있다.
또한, 제1 IDT(702), 제2 IDT(703) 및 제3 IDT(704)는, 각각의 SAW 공진기에 의해 여기되는 탄성 표면파와 동일 전파 경로 상에 근접하게 배치되어 있다. 이때 각각의 SAW 공진기에서 여기되는 탄성 표면파를 서로 상쇠시키지 않는 구성으로 되어 있다. 이를 위해서는 역상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 제2 IDT(703) 및 제3 IDT(704)의 각각의 일측 단부에는 도시한 바와 같이 반사기 전극(709)이 각각 배치되어 있다. 본 실시예의 SAW 필터는 이상과 같은 구성으로 이루어진다.
또한, 제1 IDT(702)의 전극 핑거 피치는, 제2 IDT(703) 및 제3 IDT(704)의 전극 핑거 피치보다도 작고, 또한, 설계치에 기초한 필터 특성이 얻어지도록 전극 핑거 피치를 설정한다. 또한, 반사기 전극(709)의 전극 핑거 피치는, 제1 IDT(702)의 전극 핑거 피치와, 제2 IDT(703) 및 제3 IDT(704)의 전극 핑거 피치의 중간의 값이 되도록 설정되어 있다.
이상의 구성에 의해, 본 실시예의 SAW 필터는, 제1 IDT(702), 제2 IDT(703) 및 제3 IDT(704)는 각각 근접하게 배치되고, 또한, 탄성 표면파를 동일한 전파 경로 상에 가두어둘 수 있게 된다. 따라서 각각의 SAW 공진기는 실질상 공진기 길이가 길어진 것과 등가가 된다. 이 결과 SAW 공진기의 특성을 향상시킬 수 있으므로, SAW 필터는 대역 통과형이고 손실이 적은 특성을 얻을 수 있다.
또한, 제1 IDT(702), 제2 IDT(703) 및 제3 IDT(704)를 근접하게 배치하고 있다는 것, 및 배선 경로를 줄일 수 있다는 것 등에 의해, SAW 필터의 소형화를 실현할 수 있다. 또한, 이와 같은 SAW 필터에 대해서는 π형 구성이 기본 구성 단위이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예의 SAW 필터는 다수의 SAW 공진기를 동일 전파 경로 상에 근접하게 배치함으로써, 소형이고, 또한, 손실이 적은 특성을 실현할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 반사기 전극을 배치했으나, 탄성 표면파를 충분히 가두어둘 수 있다면 반사기 전극은 설치하지 않아도 무방하다. 또한, 제1 IDT(702), 제2 IDT(703) 및 제3 IDT(704)의 사이에, 몇 개의 반사기 전극 또는 스트립 라인 전극을 설치하여도 무방하다. 이 반사기 전극 혹은 스트립 라인 전극의 전극 핑거 피치는, 제1 IDT(702)의 전극 핑거 피치와, 제2 IDT(703) 및 제3 IDT(704)의 전극 핑거 피치의 중간의 값으로 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 제1 IDT(702), 제2 IDT(703) 및 제3 IDT(704)에, 더미 전극을 각각 배치해도 무방하다. 이 더미 전극의 배치 구성을 최적화함으로써 더욱 손실을 적게 할 수 있다.
또한, 본 실시예에서도, 제1 실시예에서 설명한 바와 같은 그라데이션 영역을 설치하거나 아포다이즈 가중 또는 세선화 전극 구성 등을 행함으로써, 필터 특성을 개선하면서 소형의 SAW 필터를 실현할 수 있다.
(제3 실시예)
도 19는, 본 발명의 제3 실시예에 따른 SAW 필터의 구성을 나타내는 평면도이다. 본 실시예의 SAW 필터가 제1 실시예의 SAW 필터와 다른 점은, 제1 실시예에서는 L형 구성인 것에 비하여, 본 실시예에서는 T형 구성으로 하고 있다는 것이다. 도 19에 도시한 바와 같이, 본 실시예의 SAW 필터는, 압전 기판(801) 상에 제1 IDT(802), 제2 IDT(803), 제4 IDT(804) 및 양단부에 배치된 반사기 전극(808)으로 구성되어 있다.
제1 IDT(802)와 제4 IDT(804)는, 입출력 단자의 일측 단자(805)와 입출력 단자의 타측 단자(806)의 사이, 즉 신호 경로에 대하여 직렬로 배치되어 있다. 이러한 구성에 의해 이들은 직렬 아암의 SAW 공진기와 등가의 동작을 할 수 있다.
한편, 제2 IDT(803)는 제1 IDT(802)와 제4 IDT(804)의 사이로부터 신호 경로에 대하여 병렬로 배치되어 있다. 그리고 이 제2 IDT(803)는 배선 전극(807)에 의해 제1 IDT(802) 및 제4 IDT(804)를 구성하는 빗살형 전극의 일측에 각각 접속되어 있다. 이 구성에 의해 제2 IDT(803)은 병렬 아암의 SAW 공진기와 등가의 동작을 할 수 있다.
또한, 제1 IDT(802), 제2 IDT(803) 및 제4 IDT(804)는, 각각의 공진기에 의해 여기되는 탄성 표면파의 동일 전파 경로 상에 근접하게 배치되어 있다. 이때 각각의 SAW 공진기에서 여기되는 탄성 표면파는 서로 상쇠시키지 않는 구성으로 되어 있다. 이를 위해서는 역상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 제1 IDT(802), 제2 IDT(803) 및 제4 IDT(804)가 서로 인접하는 측과는 반대측에는 반사기 전극(808)이 배치되어 있다.
또한, 제1 IDT(802) 및 제4 IDT(804)의 전극 핑거 피치는, 제2 IDT(803)의 전극 핑거 피치보다도 작고, 또한, 설계치에 기초한 필터 특성이 얻어지도록 전극 핑거 피치를 설정하고 있다. 또한, 반사기 전극(808)의 전극 핑거 피치는, 제1 IDT(802) 및 제4 IDT(804)의 전극 핑거 피치와, 제2 IDT(803)의 전극 핑거 피치의 중간의 값이 되도록 설정되어 있다.
이상의 구성에 의해, 본 실시예의 SAW 필터는 제1 IDT(802), 제2 IDT(803) 및 제4 IDT(804)가 근접하게 배치되고, 동일한 탄성 표면파의 전파 경로 상에 가두어지므로, 각각의 공진기는 실질상 공진기 길이가 길어진 것과 등가가 된다. 이 결과 공진기 특성이 개선되어, 대역 통과형이고 손실이 적은 특성의 SAW 필터를 실현할 수 있다. 또한, 제1 IDT(802), 제2 IDT(803) 및 제4 IDT(804)를 근접하게 배치하고 있다는 것, 및 배선 경로를 줄인 것에 의해 SAW 필터의 소형화도 실현할 수 있다. 또한, 이 경우의 SAW 필터에 대해서는, T형 구성이 기본 구성 단위이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 SAW 필터는 다수의 SAW 공진기를 동일 전파 경로 상에 근접하게 배치함으로써, 소형이고, 또한, 손실이 적은 특성을 갖는 SAW 필터를 실현할 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서도, 제1 실시예에서 설명한 바와 같은 그라데이션 영역을 설치하거나 아포다이즈 가중 혹은 세선화 전극 구성 등을 행함으로써, 필터 특성을 개선하면서 소형의 SAW 필터를 실현할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 반사기 전극을 배치하고 있으나, 탄성 표면파를 충분히 가두어둘 수 있다면 반사기 전극을 특별히 설치하지 않아도 무방하다.
또한, 제1 IDT(802), 제2 IDT(803) 및 제4 IDT(804)의 사이에 몇 개의 스트립 라인 전극을 설치해도 무방하다. 이 스트립 라인 전극의 전극 핑거 피치는, 제2 IDT(803)의 전극 핑거 피치와, 제1 IDT(802) 및 제4 IDT(804)의 전극 핑거 피치의 중간의 값이 되도록 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 제1 IDT(802), 제2 IDT(803) 및 제4 IDT(804)에 더미 전극을 각각 배치해도 무방하다. 더미 전극은 설계치에 기초하여 최적 배치함으로써 더욱 손실을 적게 할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 3개의 IDT를 동일 전파 경로 상에 배치하고 있으나, 이것은 4개 이상이라도 무방하다. 또한, 접속이나 배치에 관해서도 다수의 IDT가 근접하게 배치되어 있으면 된다.
또한, 본 실시예에서는 1단 구성의 SAW 필터에 대하여 설명했으나, 이 1단 구성의 SAW 필터를 기본 SAW 소자로 하고 다단으로 세로접속한 다단 구성의 SAW 필터로 해도 무방하다. 또한, T형 구성에 한하지 않고, L형 구성이나 π형 구성, 혹은 1단자쌍 탄성 표면파 공진자 등의 다른 구성과 조합해도 무방하다.
본 발명에 따른 SAW 필터는, 많은 SAW 공진기를 필요로 하는 고감쇠 특성의 필터라도, 칩 사이즈를 작게 하면서 삽입 손실도 적게 할 수 있는 효과를 가짐으로써, 휴대 전화 등의 통신 분야 혹은 TV 등의 영상 분야의 필터에 유용하다.

Claims (24)

  1. 압전 기판과, 상기 압전 기판상의 동일 탄성 표면파 전파로 상에 근접하게 설치된 적어도 2개의 인터디지털 트랜스듀서를 포함하는 SAW 필터로서,
    상기 인터디지털 트랜스듀서 중, 적어도 하나는 신호 경로에 직렬로 접속되어 있는 제1 인터디지털 트랜스듀서이고, 적어도 하나는 신호 경로와 그라운드의 사이에 접속되어 있는 제2 인터디지털 트랜스듀서이고,
    상기 제1 인터디지털 트랜스듀서와 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서는 공진 주파수가 다르고, 또한 상기 제1 인터디지털 트랜스듀서와 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서는 인터디지털 트랜스듀서를 구성하는 빗살형 전극의 전극 핑거를 연속적으로 배치한 구성으로 이루어지고,
    상기 제1 인터디지털 트랜스듀서 중 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서에 가장 가까운 전극 핑거와, 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서 중 상기 제1 인터디지털 트랜스듀서에 가장 가까운 전극 핑거는 탄성 표면파의 마루와 골을 구성하고,
    또한 상기 제1 인터디지털 트랜스듀서와 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서를 구성하는 빗살형 전극의 상기 전극 핑거를 가지는 측의 상기 빗살형 전극을 공통으로 접속하고, 상기 제1 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서가 서로 역상이 되도록 구성하고,
    상기 제1 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서를 포함하는 상기 인터디지털 트랜스듀서의 최외측에 반사기 전극을 설치하고,
    상기 제1 인터디지털 트랜스듀서와 제2 인터디지털 트랜스듀서의 사이에 스트립 라인 전극을 설치하고, 상기 제1 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서를 구성하는 빗살형 전극의 전극 핑거 및 상기 스트립 라인 전극 또는 상기 반사기 전극을 구성하는 전극 핑거가 연속적으로 배치되도록 구성한 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서, 상기 제1 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서의 공진 주파수를, 미리 설정한 필터 특성을 얻는 데에 필요한 주파수로 설정한 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 제1 인터디지털 트랜스듀서의 공진 주파수를, 제2 인터디지털 트랜스듀서의 반(反) 공진 주파수에 대략 일치시킨 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1 항에 있어서, 상기 스트립 라인 전극의 상기 전극 핑거의 피치를, 상기 제1 인터디지털 트랜스듀서의 상기 전극 핑거의 피치와 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서의 상기 전극 핑거의 피치의 사이로 설정한 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  9. 압전 기판과, 상기 압전 기판상의 동일 탄성 표면파 전파로 상에 근접하게 설치된 적어도 2개의 인터디지털 트랜스듀서를 포함하는 SAW 필터로서,
    상기 인터디지털 트랜스듀서 중, 적어도 하나는 신호 경로에 직렬로 접속되어 있는 제1 인터디지털 트랜스듀서이고, 적어도 하나는 신호 경로와 그라운드의 사이에 접속되어 있는 제2 인터디지털 트랜스듀서이고,
    상기 제1 인터디지털 트랜스듀서와 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서는 공진 주파수가 다르고, 또한 상기 제1 인터디지털 트랜스듀서와 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서는 인터디지털 트랜스듀서를 구성하는 빗살형 전극의 전극 핑거를 연속적으로 배치한 구성으로 이루어지고, 상기 제1 인터디지털 트랜스듀서와 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서의 경계 영역에 배치되어 있는 다수의 전극 핑거의 피치를 각각의 중앙 영역에 배치되어 있는 전극 핑거의 피치와 다르게 한 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 SAW 필터를 구성하는 상기 인터디지털 트랜스듀서 중, 적어도 하나에 가중을 가한 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 SAW 필터를 구성하는 상기 인터디지털 트랜스듀서 중, 적어도 하나에 아포다이즈 가중을 가한 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  12. 제10 항에 있어서, 상기 SAW 필터를 구성하는 상기 인터디지털 트랜스듀서 중, 적어도 하나에 세선화 가중을 가한 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  13. 제1 항에 있어서. 상기 SAW 필터를 구성하는 상기 인터디지털 트랜스듀서는, 더미 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  14. 제1 항에 있어서, 상기 제1 인터디지털 트랜스듀서에 대하여, 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서가 근접 배치된 측과는 반대측에 신호 경로와 그라운드의 사이에 접속되어 있는 제3 인터디지털 트랜스듀서를 근접 배치한 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  15. 제14 항에 있어서. 상기 제3 인터디지털 트랜스듀서의 공진 주파수는, 상기 제1 인터디지털 트랜스듀서의 공진 주파수와 다른 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  16. 제1 항에 있어서, 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서에 대하여, 상기 제1 인터디지털 트랜스듀서가 근접 배치된 측과는 반대측에 신호 경로에 직렬로 접속되어 있는 제4 인터디지털 트랜스듀서를 근접 배치한 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  17. 제16 항에 있어서, 상기 제4 인터디지털 트랜스듀서의 공진 주파수는, 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서의 공진 주파수와 다른 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  18. 제1 항에 기재된 SAW 필터를 하나의 SAW 소자로 하고, 상기 소자를 다단으로 접속하여 구성한 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  19. 제9 항에 있어서, 상기 SAW 필터를 구성하는 상기 인터디지털 트랜스듀서는, 더미 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  20. 제9 항에 있어서, 상기 제1 인터디지털 트랜스듀서에 대하여 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서가 근접 배치된 측과는 반대측에 신호 경로와 그라운드의 사이에 접속되어 있는 제3 인터디지털 트랜스듀서를 근접 배치한 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  21. 제20 항에 있어서, 상기 제3 인터디지털 트랜스듀서의 공진 주파수는, 상기 제1 인터디지털 트랜스듀서의 공진 주파수와 다른 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  22. 제9 항에 있어서, 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서에 대하여, 상기 제1 인터디지털 트랜스듀서가 근접 배치된 측과는 반대측에 신호 경로에 직렬로 접속되어 있는 제4 인터디지털 트랜스듀서를 근접 배치한 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  23. 제22 항에 있어서, 상기 제4 인터디지털 트랜스듀서의 공진 주파수는, 상기 제2 인터디지털 트랜스듀서의 공진 주파수와 다른 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  24. 제9 항에 기재된 SAW 필터를 하나의 SAW 소자로 하고, 상기 소자를 다단으로 접속하여 구성한 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100817849B1 (ko) * 2004-01-09 2008-03-31 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 일단자쌍 탄성 표면파 공진자 및 이를 이용한 탄성 표면파 필터
JP2009088999A (ja) 2007-09-28 2009-04-23 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 弾性波フィルタ
JP4734436B2 (ja) * 2008-04-11 2011-07-27 日本電波工業株式会社 デュプレクサ
CN102365822B (zh) * 2009-04-07 2014-07-09 株式会社村田制作所 弹性边界波谐振器以及梯型滤波器
JP2011205625A (ja) * 2010-03-02 2011-10-13 Panasonic Corp ラダー型フィルタ
CN107579721A (zh) * 2014-11-07 2018-01-12 深圳华远微电科技有限公司 Gps和bds用声表面波滤波器及其小型化封装工艺
DE102015107231B4 (de) * 2015-05-08 2021-09-16 Snaptrack, Inc. Kaskadierter Resonator
CN105406834B (zh) * 2015-11-19 2017-12-01 北京中讯四方科技股份有限公司 一种基于电容加权的扇形单相单向换能器声表滤波器
JP6445152B2 (ja) * 2016-01-29 2018-12-26 京セラ株式会社 弾性波共振子、弾性波フィルタ、分波器および通信装置
JP6627816B2 (ja) * 2016-06-08 2020-01-08 株式会社村田製作所 マルチプレクサおよび高周波フロントエンドモジュール
US11070194B2 (en) 2018-08-17 2021-07-20 Qorvo Us, Inc. Ladder-type surface acoustic wave device
CN109802651A (zh) * 2019-02-26 2019-05-24 上海龙旗科技股份有限公司 声表面波滤波装置及电子产品
CN114467258A (zh) * 2019-09-27 2022-05-10 株式会社村田制作所 弹性波装置
JP2021132361A (ja) * 2020-02-21 2021-09-09 株式会社村田製作所 弾性波装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08265099A (ja) * 1995-03-20 1996-10-11 Oki Electric Ind Co Ltd 共振器型弾性表面波フィルタ
JP2000091881A (ja) 1998-09-08 2000-03-31 Toyo Commun Equip Co Ltd 縦結合二重モードｓａｗフィルタ

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3436812B2 (ja) * 1994-12-22 2003-08-18 マルヤス工業株式会社 弾性表面波変換器
GB2296614B (en) 1994-12-23 1999-09-15 Advanced Saw Prod Sa Saw filter
JPH09270663A (ja) 1996-01-29 1997-10-14 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP3377902B2 (ja) 1996-02-22 2003-02-17 沖電気工業株式会社 弾性表面波フィルタ
JPH09246911A (ja) * 1996-03-07 1997-09-19 Oki Electric Ind Co Ltd 共振器型弾性表面波フィルタ
JPH10242799A (ja) 1997-02-26 1998-09-11 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ
JPH1188112A (ja) * 1997-09-12 1999-03-30 Fujitsu Ltd 弾性表面波素子
JPH11163664A (ja) 1997-11-28 1999-06-18 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ
DE19849782B4 (de) * 1998-10-28 2004-09-30 Epcos Ag Oberflächenwellenanordnung mit zumindest zwei Oberflächenwellen-Strukturen
JP3260347B2 (ja) 1999-01-01 2002-02-25 富士通株式会社 弾性表面波素子
JP2001358555A (ja) * 2000-06-09 2001-12-26 Seiko Epson Corp 弾性表面波共振子
CN1215643C (zh) * 2001-06-29 2005-08-17 松下电器产业株式会社 弹性表面波滤波器
JP2003198317A (ja) * 2001-12-21 2003-07-11 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ
DE10213277A1 (de) * 2002-03-25 2003-10-16 Epcos Ag Multiport-Resonatorfilter

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08265099A (ja) * 1995-03-20 1996-10-11 Oki Electric Ind Co Ltd 共振器型弾性表面波フィルタ
JP2000091881A (ja) 1998-09-08 2000-03-31 Toyo Commun Equip Co Ltd 縦結合二重モードｓａｗフィルタ

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Publication number Publication date
KR20060101487A (ko) 2006-09-25
CN1883113A (zh) 2006-12-20
US7501917B2 (en) 2009-03-10
US20070069837A1 (en) 2007-03-29
JPWO2005050837A1 (ja) 2007-06-14
JP4687462B2 (ja) 2011-05-25
WO2005050837A1 (ja) 2005-06-02
CN100508382C (zh) 2009-07-01

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