CN114467258A - 弹性波装置 - Google Patents

弹性波装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114467258A
CN114467258A CN202080066156.3A CN202080066156A CN114467258A CN 114467258 A CN114467258 A CN 114467258A CN 202080066156 A CN202080066156 A CN 202080066156A CN 114467258 A CN114467258 A CN 114467258A
Authority
CN
China
Prior art keywords
elastic wave
electrode
wave device
piezoelectric layer
silicon substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080066156.3A
Other languages
English (en)
Inventor
山根毅
木村哲也
永友翔
大门克也
岩本英树
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN114467258A publication Critical patent/CN114467258A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02149—Means for compensation or elimination of undesirable effects of ageing changes of characteristics, e.g. electro-acousto-migration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
    • H03H9/02031—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles consisting of ceramic
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02047—Treatment of substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02102—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02157—Dimensional parameters, e.g. ratio between two dimension parameters, length, width or thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02228—Guided bulk acoustic wave devices or Lamb wave devices having interdigital transducers situated in parallel planes on either side of a piezoelectric layer
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02614—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves
    • H03H9/02622—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves of the surface, including back surface
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • H03H9/132—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials characterized by a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/174—Membranes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/175—Acoustic mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/176—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of ceramic material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56—Monolithic crystal filters
    • H03H9/562—Monolithic crystal filters comprising a ceramic piezoelectric layer
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56—Monolithic crystal filters
    • H03H9/564—Monolithic crystal filters implemented with thin-film techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56—Monolithic crystal filters
    • H03H9/566—Electric coupling means therefor
    • H03H9/568—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

提供一种弹性波装置，能够应对高频化且能够提高线性度。弹性波装置(1)具备压电体层(4)、第一电极(51)以及第二电极(52)。第一电极(51)和第二电极(52)在与压电体层(4)的厚度方向(D1)交叉的方向(D2)上对置。弹性波装置(1)利用厚度剪切一阶模的体波。压电体层(4)的材料为铌酸锂或钽酸锂。压电体层(4)设置在硅基板(2)的第一主面(21)上。弹性波装置(1)还具有陷获区域(10)。陷获区域(10)设置在压电体层(4)的第二主面(42)侧。

Description

弹性波装置
技术领域
本发明一般涉及弹性波装置，更详细而言，涉及具备压电体层的弹性波装置。
背景技术
以往，已知一种具备支承基板、低声速膜、压电薄膜以及IDT电极的声表面波装置(例如参照专利文献1)。
支承基板的材料例如是硅。低声速膜的材料例如是氧化硅。压电薄膜的材料例如是LiTaO3。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2015/098678号
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1所公开的声表面波装置中，难以应对更进一步的高频化。另外，在专利文献1所公开的声表面波装置中，有时由于高次谐波失真、IMD(互调失真)等而引起线性度的降低。
本发明的目的在于，提供一种能够应对高频化且能够提高线性度的弹性波装置。
用于解决课题的手段
本发明的一方式的弹性波装置具备压电体层、第一电极以及第二电极。所述第一电极和所述第二电极在与所述压电体层的厚度方向交叉的方向上对置。所述弹性波装置利用厚度剪切一阶模的体波。所述弹性波装置还具备硅基板。所述硅基板具有相互对置的第一主面和第二主面。所述压电体层的材料为铌酸锂或钽酸锂。所述压电体层设置在所述硅基板的所述第一主面上。所述弹性波装置还具有设置于所述硅基板的陷获区域。
本发明的一方式的弹性波装置具备压电体层、第一电极以及第二电极。所述第一电极和所述第二电极在与所述压电体层的厚度方向交叉的方向上对置。所述第一电极和所述第二电极是彼此相邻的电极。在所述弹性波装置中，在沿着所述压电体层的厚度方向的任意的剖面中将所述第一电极与所述第二电极的中心线间距离设为p且将所述压电体层的厚度设为d时，d/p为0.5以下。所述弹性波装置还具备硅基板。所述硅基板具有相互对置的第一主面和第二主面。所述压电体层的材料为铌酸锂或钽酸锂。所述压电体层设置在所述硅基板的所述第一主面上。所述弹性波装置还具有设置于所述硅基板的陷获区域。
发明效果
在本发明的上述方式的弹性波装置中，能够应对高频化，并且能够提高线性度。
附图说明
图1是实施方式1的弹性波装置的俯视图。
图2是关于上述弹性波装置的图1的A-A线剖视图。
图3是关于上述弹性波装置的图1的B-B线剖视图。
图4是将上述弹性波装置的一部分剖切后的立体图。
图5是上述弹性波装置的主要部分俯视图。
图6A是兰姆波的说明图。图6B是厚度剪切一阶模的体波的说明图。
图7是实施方式1的弹性波装置的动作说明图。
图8是参考方式的弹性波装置的构造模型的说明图。
图9A是关于上述构造模型而示出厚度剪切模式的相对带宽与[压电体层的厚度]/[成对的两个电极的中心线间距离]之间的关系的坐标图。图9B是关于上述构造模型而示出厚度剪切模式的相对带宽与[压电体层的厚度]/[成对的两个电极的中心线间距离]之间的关系的坐标图，是将图9A的横轴的0～0.2的范围放大后的坐标图。
图10是关于上述构造模型而示出厚度剪切模式的相对带宽与标准化杂散电平之间的关系的坐标图。
图11是上述构造模型的阻抗-频率特性图。
图12是关于上述构造模型而用于说明[压电体层的厚度]/[成对的两个电极的中心线间距离]与构造参数的组合中的相对带宽的分布的图。
图13是实施方式1的弹性波装置的另一结构例的剖视图。
图14是实施方式1的变形例1的弹性波装置的俯视图。
图15是上述弹性波装置的等效电路图。
图16是实施方式1的变形例2的弹性波装置的俯视图。
图17是实施方式1的变形例3的弹性波装置的俯视图。
图18是实施方式2的弹性波装置的剖视图。
图19是实施方式2的弹性波装置的俯视图。
图20是关于上述弹性波装置的图19的A-A线剖视图。
图21是关于上述弹性波装置的图19的B-B线剖视图。
图22是实施方式2的变形例1的弹性波装置的俯视图。
图23是实施方式2的变形例2的弹性波装置的俯视图。
图24是实施方式2的变形例3的弹性波装置的俯视图。
图25是实施方式2的变形例4的弹性波装置的剖视图。
图26是实施方式2的变形例5的弹性波装置的俯视图。
图27A～图27D是示出弹性波装置的一对电极的另一形状的剖视图。
图28A～图28C是示出上述弹性波装置的另一结构例的剖视图。
具体实施方式
在以下的实施方式等中参照的图1～8、13、14、16～28C均是示意性的图，图中的各构成要素的大小或厚度各自的比不一定反映出实际的尺寸比。
(实施方式1)
以下，参照图1～5对实施方式1的弹性波装置1进行说明。
(1.1)弹性波装置的整体结构
如图1所示，实施方式1的弹性波装置1具备压电体层4、第一电极51及第二电极52。如图2所示，第一电极51和第二电极52在与压电体层4的厚度方向D1(以下也称为第一方向D1)交叉的方向D2(以下也称为第二方向D2)上对置。弹性波装置1是利用厚度剪切一阶模的体波的弹性波装置。第二方向D2与压电体层4的极化方向PZ1正交。厚度剪切一阶模的体波是通过压电体层4的厚度剪切振动将压电体层4的厚度方向D1作为传播方向的体波，并且是在压电体层4的厚度方向D1上节数成为1的体波。厚度剪切振动由第一电极51和第二电极52激励。厚度剪切振动在压电体层4中在从厚度方向D1的俯视下在第一电极51与第二电极52之间的规定区域45被激励。在弹性波装置1中，如果第二方向D2与压电体层4的极化方向PZ1正交，则厚度剪切一阶模的体波的机电耦合系数(以下也称为耦合系数)较大。这里，“正交”不仅仅限定于严格意义上的正交的情况，也可以是大致正交(第二方向D2与极化方向PZ1所成的角度例如为90°±10°)。
如图1和2所示，弹性波装置1包括多个第一电极51，并且包括多个第二电极52。即，在将第一电极51、第二电极52设为一对电极组的情况下，弹性波装置1具备多对第一电极51与第二电极52的电极组。在弹性波装置1中，多个第一电极51与多个第二电极52在第二方向D2上各一个交替地排列。如图1所示，弹性波装置1还具备与第一电极51连接的第一布线部61和与第二电极52连接的第二布线部62。第一布线部61与第一端子T1连接。第二布线部62与不同于第一端子T1的第二端子T2连接。在第一布线部61共同连接有多个第一电极51。在第二布线部62共同连接有多个第二电极52。
如图2所示，弹性波装置1具备硅基板2、压电体层4、多个第一电极51以及多个第二电极52。压电体层4设置在硅基板2上。作为一例，压电体层4隔着氧化硅膜7而设置在硅基板2上。多个第一电极51和多个第二电极52设置在压电体层4上。弹性波装置1具有包括第一电极51、第二电极52以及压电体层4的弹性波谐振器5作为谐振器。硅基板2包括与压电体层4的一部分对置的空洞26的至少一部分。空洞26在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下与多个第一电极51及多个第二电极52重叠。这里，空洞26在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下与多个第一电极51、多个第二电极52以及多个规定区域45重叠。多个规定区域45分别是相邻的第一电极51与第二电极52之间的部分。需要说明的是，第一电极51与第二电极52“相邻”是指第一电极51与第二电极52隔着间隔而对置的情况。
弹性波装置1还具有抑制电荷的移动的陷获区域10(参照图2～4)。
(1.2)弹性波装置的各构成要素
接着，参照附图对弹性波装置1的各构成要素进行说明。
(1.2.1)硅基板
如图2所示，硅基板2对压电体层4进行支承。在实施方式1的弹性波装置1中，硅基板2隔着氧化硅膜7对压电体层4和多个第一电极51及多个第二电极52进行支承。
硅基板2具有相互对置的第一主面21和第二主面22。第一主面21与第二主面22在硅基板2的厚度方向上相互对置。硅基板2的厚度方向是沿着压电体层4的厚度方向D1的方向。在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下，硅基板2的外周形状为长方形状，但不限于此，例如也可以为正方形状。
硅基板2的厚度例如为100μm以上且500μm以下。使用具有相互对置的第一主面和第二主面的单晶硅基板而形成硅基板2。单晶硅基板的第一主面的面方位例如能够采用(100)面、(110)面或(111)面。上述的体波的传播方位能够不被单晶硅基板的面方位制约而进行设定。单晶硅基板的电阻率例如为1kΩm以上，优选为2kΩcm以上，更优选为4kΩcm以上。
硅基板2的第一主面21包括粗糙面211。粗糙面211通过将单晶硅基板的第一主面粗糙面化而形成。在实施方式1的弹性波装置1中，硅基板2的第一主面21的整个区域为粗糙面211。粗糙面211在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下未与弹性波谐振器5重叠。硅基板2具有体区域2B和表面区域2S。体区域2B位于表面区域2S中的与压电体层4侧相反的一侧。表面区域2S例如是非晶硅层。非晶硅层例如通过在将单晶硅基板的第一主面粗糙面化时使单晶硅基板的格子构造劣化而形成。表面区域2S包括硅基板2的第一主面21。表面区域2S的厚度例如是1nm以上且700nm以下。体区域2B是单晶硅层。单晶硅层是在单晶硅基板上形成了表面区域2S时的单晶硅基板的剩余的部分。体区域2B包括硅基板2的第二主面22。在弹性波装置1中，陷获区域10包括表面区域2S。表面区域2S不限于非晶硅层，例如也可以为多晶硅层。表面区域2S例如能够通过从单晶硅基板的第一主面对单晶硅基板的一部分进行磨削而形成，但不限于此。表面区域2S也可以是堆积在构成体区域2B的单晶硅基板上的非晶硅层或多晶硅层。在硅基板2中，在表面区域2S是堆积在体区域2B上的非晶硅层或多晶硅层的情况下，硅基板2的第一主面21可以包括粗糙面211，也可以不包括粗糙面211。另外，表面区域2S例如也可以通过从单晶硅基板的第一主面向单晶硅基板注入从氩、硅、氧及碳的组中选择的至少一种元素的离子而形成。另外，表面区域2S例如也可以通过从单晶硅基板的第一主面向单晶硅基板照射放射线而形成。在通过离子注入或放射线照射形成表面区域2S的情况下，硅基板2的第一主面21可以包括粗糙面211，也可以不包括粗糙面211。
硅基板2包括与压电体层4的第二主面42对置的空洞26的至少一部分。空洞26隔着压电体层4位于与第一电极51及第二电极52相反的一侧。空洞26在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下与弹性波谐振器5重叠。在实施方式1的弹性波装置1中，空洞26在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下比弹性波谐振器5大，且与弹性波谐振器5的整体重叠。另外，在实施方式1的弹性波装置1中，空洞26在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下也与第一布线部61及第二布线部62各自的一部分重叠。从压电体层4的厚度方向D1的俯视下的空洞26的开口形状为长方形状，但不限于此。
(1.2.2)氧化硅膜
氧化硅膜7设置在硅基板2的第一主面21与压电体层4之间。在实施方式1的弹性波装置1中，氧化硅膜7在压电体层4的厚度方向D1上与硅基板2的第一主面21的整个区域重叠。在实施方式1的弹性波装置1中，第一主面21的整个区域为粗糙面211，因此，氧化硅膜7在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下与硅基板2的粗糙面211重叠。在实施方式1的弹性波装置1中，硅基板2与压电体层4隔着氧化硅膜7而接合。
氧化硅膜7的厚度例如为0.1μm以上且10μm以下。
(1.2.3)压电体层
如图2所示，压电体层4具有相互对置的第一主面41和第二主面42。第一主面41与第二主面42在压电体层4的厚度方向D1上对置。压电体层4设置在硅基板2的第一主面21上。这里，压电体层4在从厚度方向D1的俯视下与硅基板2的第一主面21及空洞26重叠。在压电体层4中，第一主面41和第二主面42中的第二主面42位于硅基板2侧。压电体层4的第一主面41是压电体层4中的与硅基板2侧相反的一侧的主面。压电体层4的第二主面42是压电体层4中的硅基板2侧的主面。
在弹性波装置1中，压电体层4的第一主面41与硅基板2的距离比压电体层4的第二主面42与硅基板2的距离长。压电体层4的材料为铌酸锂(LiNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)。压电体层4例如是Z切割LiNbO3或Z切割LiTaO3。关于压电体层4的欧拉角
Figure BDA0003556473890000071
Figure BDA0003556473890000072
为0°±10°，θ为0°±10°。ψ为任意的角度。从提高耦合系数的观点出发，压电体层4优选为Z切割LiNbO3或Z切割LiTaO3。压电体层4也可以为旋转Y切割LiNbO3、旋转Y切割LiTaO3、X切割LiNbO3、X切割LiTaO3。传播方位可以为相对于压电体层4的晶体构造定义的晶轴(X，Y，Z)中的Y轴方向，也可以为X轴方向，也可以为从X轴在±90°的范围内旋转的方向。压电体层4为单晶，但不限于此，例如也可以为双晶，也可以为陶瓷。
压电体层4的厚度例如是50nm以上且1000nm以下，作为一例，是400nm。
压电体层4具有规定区域45。规定区域45是如下的区域：在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下，在压电体层4中的第一电极51与第二电极52对置的方向上与第一电极51及第二电极52双方交叉，并位于第一电极51与第二电极52之间。
(1.2.4)电极
多个第一电极51和多个第二电极52设置在压电体层4的第一主面41上。
在弹性波装置1中，成对的第一电极51与第二电极52成为互不相同的电位。在弹性波装置1中，成对的第一电极51和第二电极52中的一方是在施加交流电压时成为信号电位的电极，另一方是成为接地电位的电极。
在弹性波装置1中，多个第一电极51与多个第二电极52各一个交替地相互隔开排列。因此，相邻的第一电极51与第二电极52分离。成对的第一电极51与第二电极52的中心线间距离例如为1μm以上且10μm以下，作为一例，为3μm。包括多个第一电极51和多个第二电极52的一组电极构成为多个第一电极51与多个第二电极52在第二方向D2上隔开排列即可，也可以构成为多个第一电极51与多个第二电极52没有交替地相互隔开排列。例如，也可以混合有第一电极51与第二电极52各一个隔开排列的区域、以及第一电极51或第二电极52在第二方向D2上排列有两个的区域。
如图1所示，多个第一电极51和多个第二电极52在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下是将与第二方向D2正交的第三方向D3作为长边方向且将第二方向D2作为宽度方向的长条状(直线状)。多个第一电极51各自的长度例如为20μm，但不限于此。多个第一电极51各自的宽度H1(第一电极宽度H1)例如为50nm以上至1000nm，作为一例，为500nm。多个第二电极52各自的长度例如为20μm，但不限于此。多个第二电极52各自的宽度H2(第二电极宽度H2)例如为50mn以上至1000nm，作为一例，为500nm。
多个第一电极51分别具有第一电极主部510。第一电极主部510是第一电极51中的、在第一电极51与第二电极52对置的方向上与第二电极52交叉的部分。另外，多个第二电极52分别具有第二电极主部520。第二电极主部520是第二电极52中的、在第一电极51与第二电极52对置的方向上与第一电极51交叉的部分。
在实施方式1的弹性波装置1中，多个第一电极51各自的第一电极宽度H1相同，但不限于此，也可以不同。另外，在实施方式1的弹性波装置1中，多个第二电极52各自的第二电极宽度H2相同，但不限于此，也可以不同。在实施方式1的弹性波装置1中，第一电极宽度H1与第二电极宽度H2相同，但不限于此，第一电极宽度H1与第二电极宽度H2也可以不同。
关于实施方式1的弹性波装置1，在图1中，将第一电极51和第二电极52各自的数量描绘成5个，但第一电极51和第二电极52各自的数量不限于5个，也可以为1个，也可以为2～4个，也可以为6个以上，也可以为50个以上。
相邻的第一电极51与第二电极52对置的第二方向D2优选与压电体层4的极化方向PZ1(参照图2)正交，但不限于此。例如，在压电体层4不是Z切割的压电体的情况下，第一电极51和第二电极52也可以在与作为长边方向的第三方向D3正交的方向上对置。需要说明的是，也存在第一电极51和第二电极52不是矩形的情况。在该情况下，作为长边方向的第三方向D3也可以是在俯视第一电极51和第二电极52的情况下与第一电极51及第二电极52外接的外接多边形的长边方向。需要说明的是，“与第一电极51及第二电极52外接的外接多边形”包括如下的多边形：在第一布线部61与第一电极51连接且第二布线部62与第二电极52连接的情况下，至少外接于第一电极51中除去与第一布线部61连接的部位的部分以及第二电极52中除去与第二布线部62连接的部位的部分。
如图2所示，多个第一电极51分别包括与压电体层4的厚度方向D1交叉的第一主面511和第二主面512、以及与第一电极51的宽度方向交叉的两个侧面513、513。在多个第一电极51的各个第一电极51中，第一主面511和第二主面512中的第二主面512位于压电体层4的第一主面41侧，以面状与压电体层4的第一主面41相接。
多个第二电极52分别包括与压电体层4的厚度方向D1交叉的第一主面521和第二主面522、以及与第二电极52的宽度方向交叉的两个侧面523、523。在多个第二电极52的各个第二电极52中，第一主面521和第二主面522中的第二主面522位于压电体层4的第一主面41侧，以面状与压电体层4的第一主面41相接。
多个第一电极51和多个第二电极52具有导电性。各第一电极51和各第二电极52的材料例如为A1(铝)、Cu(铜)、Pt(铂)、Au(金)、Ag(银)、Ti(钛)、Ni(镍)、Cr(铬)、Mo(钼)、W(钨)或者以这些金属中的任意一种为主体的合金等。另外，各第一电极51和各第二电极52也可以具有将包括这些金属或合金的多个金属膜层叠而成的构造。各第一电极51和各第二电极52例如包括紧贴膜和主电极膜的层叠膜，紧贴膜包括Ti膜，主电极膜包括形成在紧贴膜上的Al膜或AlCu膜。紧贴膜的厚度例如为10nm。另外，主电极膜的厚度例如为80nm。在AlCu膜中，Cu的浓度优选为1wt％以上且20wt％以下。
(1.2.5)第一布线部和第二布线部
第一布线部61包括第一汇流条611。第一汇流条611是用于使多个第一电极51成为相同电位的导体部。第一汇流条611是将第二方向D2作为长边方向的长条状(直线状)。第一汇流条611与多个第一电极51连接。与第一汇流条611连接的多个第一电极51朝向第二汇流条621延伸。在弹性波装置1中，包括多个第一电极51和第一汇流条611的第一导体部在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下为梳形状的形状。第一汇流条611与多个第一电极51一体形成，但不限于此。
第二布线部62包括第二汇流条621。第二汇流条621是用于使多个第二电极52成为相同电位的导体部。第二汇流条621是将第二方向D2作为长边方向的长条状(直线状)。第二汇流条621与多个第二电极52连接。与第二汇流条621连接的多个第二电极52朝向第一汇流条611延伸。在弹性波装置1中，包括多个第二电极52和第二汇流条621的第二导体部在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下为梳形状的形状。第二汇流条621与多个第二电极52一体形成，但不限于此。
第一汇流条611与第二汇流条621在第三方向D3上相对置。
第一布线部61和第二布线部62具有导电性。第一布线部61和第二布线部62的材料例如为Al、Cu、Pt、Au、Ag、Ti、Ni、Cr、Mo、W或者以这些金属中的任意一种为主体的合金等。另外，第一布线部61和第二布线部62也可以具有将包括这些金属或合金的多个金属膜层叠而成的构造。第一布线部61和第二布线部62例如包括紧贴膜和主布线膜的层叠膜，紧贴膜包括Ti膜，主布线膜包括形成在紧贴膜上的Al膜或AlCu膜。紧贴膜的厚度例如为10nm。另外，主布线膜的厚度例如为80nm。在AlCu膜中，Cu的浓度优选为1wt％以上且20wt％以下。
在弹性波装置1中，从第一汇流条611和第二汇流条621的低电阻化的观点等出发，在第一汇流条611和第二汇流条621各自的主布线膜上也可以包含金属膜。另外，第一布线部61和第二布线部62各自的厚度也可以比第一电极51和第二电极52的厚度厚。
(1.2.6)陷获区域
陷获区域10设置在压电体层4的第二主面42侧。陷获区域10设置于硅基板2。陷获区域10抑制电荷沿着硅基板2的第一主面21的移动。这里，在实施方式1的弹性波装置1中，陷获区域10抑制在第一布线部61与第二布线部62存在电位差时，硅基板2的第一主面21与氧化硅膜7的界面附近的电荷沿着硅基板2的第一主面21在第一布线部61与第二布线部62之间移动。
在实施方式1的弹性波装置1中，陷获区域10所包含的表面区域2S的陷获密度比体区域2B的陷获密度高。这里，陷获密度是陷获电荷(自由电荷载流子)的陷获的密度。另外，在陷获区域10中，表面区域2S的载流子移动度比体区域2B的载流子移动度低。在实施方式1的弹性波装置1中，硅基板2所包含的空洞26在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下与第一布线部61及第二布线部62各自的一部分重叠，并包含在陷获区域10中。即，在实施方式1的弹性波装置1中，陷获区域10包括硅基板2的表面区域2S和硅基板2的空洞26。
(1.3)弹性波装置的制造方法
在弹性波装置1的制造方法中，例如在准备了具有相互对置的第一主面和第二主面的单晶硅基板之后，进行第一工序～第六工序。在第一工序中，通过将单晶硅基板的第一主面粗糙面化而形成具有表面区域2S和体区域2B的硅基板2。在第二工序中，在硅基板2的第一主面21上形成氧化硅膜7。在第三工序中，隔着氧化硅膜7将成为压电体层4的基础的压电体基板与硅基板2接合。在第四工序中，通过减薄压电体基板而形成包括压电体基板的一部分的压电体层4。在第五工序中，在压电体层4的第一主面41上形成多个第一电极51、多个第二电极52、第一布线部61、第二布线部62、第一端子T1以及第二端子T2。在第六工序中，从硅基板2的第二主面22形成空洞26。在上述的第五工序中，利用光刻技术、蚀刻技术、薄膜形成技术等形成多个第一电极51、多个第二电极52、第一布线部61、第二布线部62、第一端子T1以及第二端子T2。另外，在上述的第六工序中，利用光刻技术和蚀刻技术等，对硅基板2中的空洞26的形成预定区域进行蚀刻。在第六工序中，将氧化硅膜7作为蚀刻阻挡层而进行硅基板2的蚀刻，之后，对氧化硅膜7的不需要部分进行蚀刻去除，由此使压电体层4的第二主面42的一部分露出。另外，在准备单晶硅基板时，准备单晶硅晶片，在第三工序中，将压电体晶片用作压电体基板。在弹性波装置1的制造方法中，通过对包括多个弹性波装置1的晶片进行切割而得到多个弹性波装置1(芯片)。
弹性波装置1的制造方法是一例，没有特别限定。例如，也可以利用成膜技术而形成压电体层4。在该情况下，弹性波装置1的制造方法具备使压电体层4成膜的工序代替第三工序和第四工序。通过成膜技术成膜的压电体层4例如可以为单晶，也可以为双晶。作为成膜技术，例如举出CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法，但不限于此。
(1.4)弹性波装置的动作和特性
实施方式1的弹性波装置1是利用厚度剪切一阶模的体波的弹性波装置。如上所述，厚度剪切一阶模的体波是通过压电体层4的厚度剪切振动将压电体层4的厚度方向D1作为传播方向的体波，并且是在压电体层4的厚度方向D1上节数成为1的体波。厚度剪切振动由第一电极51和第二电极52激励。厚度剪切振动在压电体层4中在从厚度方向D1的俯视下相邻的第一电极51与第二电极52之间的规定区域45被激励。厚度剪切振动例如能够通过FEM(Finite Element Method，有限元法)来确认。更详细而言，例如使用压电体层4的参数(材料、欧拉角及厚度等)、第一电极51和第二电极52的参数(材料、厚度、第一电极51与第二电极52的中心线间距离等)等，通过FEM对位移分布进行解析并对形变进行解析，由此能够确认厚度剪切振动。压电体层4的欧拉角能够通过分析而求出。
这里，参照图6A和6B来说明在以往的弹性波装置中利用的兰姆(Lamb)波与上述厚度剪切一阶模的体波的差异。
图6A是用于说明在专利文献1所记载的声表面波装置那样的以往的弹性波装置的压电薄膜传播的兰姆波的示意性正面剖视图。在以往的弹性波装置中，弹性波在压电薄膜400中如箭头所示那样传播。这里，压电薄膜400具有相互对置的第一主面401和第二主面402。在图6A中，与压电薄膜400不同地图示出Z方向和X方向。在图6A中，Z方向是将压电薄膜400的第一主面401与第二主面402连结的厚度方向。X方向是IDT电极的多个电极指排列的方向。在兰姆波中，弹性波是如图6A所示那样沿X方向传播的板波。因此，在以往的弹性波装置中，由于弹性波沿X方向传播，因此将两个反射器在IDT电极的两侧各配置一个而得到期望的谐振特性。因此，在以往的弹性波装置中，产生弹性波的传播损失，因此，在实现了小型化的情况下，即在减少了电极指的对数的情况下，Q值降低。
与此相对，在实施方式1的弹性波装置1中，振动位移为厚度剪切方向，因此，如图6B所示，弹性波大致沿着将压电体层4的第一主面41与第二主面42连结的方向即Z方向传播并发生谐振。即，弹性波的X方向成分显著小于Z方向成分。在实施方式1的弹性波装置1中，通过该Z方向的弹性波的传播得到谐振特性，因此，不一定需要反射器。因此，在实施方式1的弹性波装置1中，不产生弹性波在反射器传播时的传播损失。因此，在实施方式1的弹性波装置1中，即便为了推进小型化而减少了包括第一电极51和第二电极52的电极对的对数，也难以产生Q值的降低。
在实施方式1的弹性波装置1中，如图7所示，厚度剪切一阶模的体波的振宽度方向在压电体层4的规定区域45所包含的第一区域451和规定区域45所包含的第二区域452中相反。在图7中，以双点划线示意性示出在第一电极51与第二电极52之间施加了使第二电极52与第一电极51相比成为高电位的电压的情况下的体波。第一区域451是规定区域45中的与压电体层4的厚度方向D1正交且将压电体层4分为两部分的虚拟平面VP1与第一主面41之间的区域。第二区域452是规定区域45中的虚拟平面VP1与第二主面42之间的区域。
针对利用厚度剪切一阶模的体波的参考方式的弹性波装置的构造模型1r(参照图8)进行特性的仿真。关于构造模型1r，针对与实施方式1的弹性波装置1同样的构成要素标注相同的标记并省略说明。
构造模型1r在不具备第一布线部61、第二布线部62以及陷获区域10这一点与实施方式1的弹性波装置1不同。在仿真时，将第一电极51与第二电极52的对数设为无限大，将压电体层4设为120°旋转Y切割X传播LiNbO3。
在构造模型1r中，压电体层4为膜状物，压电体层4的第二主面42与空气接触。在构造模型1r中，在沿着压电体层4的厚度方向D1的任意的剖面(图8)中，将相邻的第一电极51与第二电极52的中心线间距离设为p，将压电体层4的厚度设为d。另外，在构造模型1r中，在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下，将第一电极主部510的面积设为S1，将第二电极主部520的面积设为S2，将规定区域45的面积设为S0，将由(S1+S2)/(S1+S2+S0)规定的构造参数设为MR。需要说明的是，在压电体层4上形成有多根第一电极51和第二电极52中的至少一方的情况下，上述中心线间距离p成为相邻的第一电极51与第二电极52的中心线间距离各自的距离。
图9A和9B是关于构造模型1r而示出向第一电极51和第二电极52赋予互不相同的电位的情况下的相对带宽与d/p之间的关系的坐标图。在图9A和9B中，横轴为d/p，纵轴为相对带宽。图9A和9B是压电体层4为120°旋转Y切割X传播LiNbO3的情况，但在为其他切割角的情况下也成为同样的趋势。另外，在弹性波装置的构造模型1r中，在压电体层4的材料为LiTaO3的情况下，相对带宽与d/p之间的关系也成为与图9A及9B同样的趋势。另外，在弹性波装置的构造模型1r中，与第一电极51和第二电极52的对数无关地，相对带宽与d/p之间的关系成为与图9A及9B同样的趋势。另外，在弹性波装置的构造模型1r中，不限于压电体层4的第二主面42与空气接触的情况，在与声反射层相接的情况下，相对带宽与d/p之间的关系也成为与图9A及9B同样的趋势。
根据图9A可知，在弹性波装置的构造模型1r中，相对带宽的值以d/p＝0.5为拐点而剧烈变化。在弹性波装置的构造模型1r中，在d/p＞0.5的情况下，在0.5＜d/p＜1.6的范围内无论如何变更d/p，耦合系数都较低，相对带宽都小于5％。另一方面，在弹性波装置的构造模型1r中，在d/p≤0.5的情况下，如果使d/p在0＜d/p≤0.5的范围内变化，则还能够提高耦合系数，使相对带宽成为5％以上。
另外，在弹性波装置的构造模型1r中，在d/p≤0.24的情况下，如果使d/p在0＜d/p≤0.24的范围内变化，则还能够进一步提高耦合系数，使相对带宽变得更加大。关于实施方式1的弹性波装置1，如图2所示，如果在沿着压电体层4的厚度方向D1的任意的剖面中，将第一电极51与第二电极52的中心线间距离设为p，将压电体层4的厚度设为d，则其相对带宽与d/p之间的关系也成为和弹性波装置的构造模型1r的相对带宽与d/p之间的关系同样的趋势。
此外，由图9A可知，在d/p≤0.10的情况下，如果使d/p在0＜d/p≤0.10的范围内变化，则还能够进一步提高耦合系数，使相对带宽变得更加大。
图9B是将图9A的一部分放大后的坐标图。如图9B所示，相对带宽以d/p＝0.096为拐点而变化，因此，在d/p≤0.096的情况下，如果使d/p在0＜d/p≤0.096的范围内变化，则与0.096＜d/p的情况相比，还能够进一步提高耦合系数，使相对带宽变得更加大。另外，如图9B所示，相对带宽以d/p＝0.072、0.048为拐点而变化，如果为0.048≤d/p≤0.072，则能够抑制因d/p的变化而引起的耦合系数的变化，能够使相对带宽成为大致固定的值。
图10是在利用厚度剪切模式的参考方式的弹性波装置的构造模型1r中，绘制出在改变了压电体层4的厚度d、第一电极51与第二电极52的中心线间距离p、第一电极宽度H1、第二电极宽度H2的情况下谐振频率与反谐振频率之间的频带中的杂散的电平的图。在图10中，横轴是相对带宽，纵轴是标准化杂散电平。标准化杂散电平是将即便改变了压电体层4的厚度d、第一电极51与第二电极52的中心线间距离p、第一电极宽度H1、第二电极宽度H2也使杂散的电平成为相同值的相对带宽(例如，22％)中的杂散电平设为1而将杂散的电平标准化得到的值。图10是作为压电体层4而采用了能够更加适当地激励厚度剪切模式的Z切割LiNbO3的情况，但在其他切割角的情况下也成为同样的趋势。另外，在弹性波装置的构造模型1r中，在压电体层4的材料为LiTaO3的情况下，标准化杂散电平与相对带宽之间的关系也成为与图10同样的趋势。另外，在弹性波装置的构造模型1r中，与第一电极51和第二电极52的对数无关地，标准化杂散电平与相对带宽之间的关系成为与图10同样的趋势。另外，在弹性波装置的构造模型1r中，不限于压电体层4的第二主面42与空气接触的情况，在与声反射层相接的情况下，标准化杂散电平与相对带宽之间的关系也成为与图10同样的趋势。
根据图10可知，在相对带宽超过17％的情况下，标准化杂散电平汇集为1。这表示在相对带宽为17％以上时，如图11所例示的阻抗的频率特性那样，在谐振频率与反谐振频率之间的频带中存在某些副谐振。图11是作为压电体层4而采用了欧拉角为(0°，0°，90°)的Z切割LiNbO3且设为d/p＝0.08、MR＝0.35的情况下的阻抗的频率特性。在图11中，由虚线包围副谐振的部分。
如上所述，当相对带宽超过17％时，即便改变压电体层4的厚度d、第一电极宽度H1、第二电极宽度H2，在谐振频率与反谐振频率之间的频带内也包含较大的杂散。这样的杂散通过平面方向主要是第一电极51与第二电极52的对置方向的谐波而产生。因此，从抑制频带内的杂散的观点出发，相对带宽优选为17％以下。实施方式1的弹性波装置1关于标准化杂散电平与相对带宽之间的关系也示出与弹性波装置的构造模型1r同样的趋势，因此，相对带宽优选为17％以下。
图12表示在如下的情况下将d/p和MR作为参数的相对带宽超过17％的第一分布区域DA1和相对带宽成为17％以下的第二分布区域DA2，该情况为，关于弹性波装置的构造模型1r，将Z切割LiNbO3用作压电体层4，并且改变了压电体层4的厚度d、第一电极51与第二电极52的中心线间距离p、第一电极宽度H1、第二电极宽度H2。在图12中，在第一分布区域DA1和第二分布区域DA2中，使点的密度不同，使第一分布区域DA1的点的密度高于第二分布区域DA2的点的密度。另外，在图12中，以虚线示出第一分布区域DA1与第二分布区域DA2的边界线的近似直线DL1。近似直线DL1由MR＝1.75×(d/p)+0.075的数式表示。因此，在弹性波装置的构造模型1r中，通过满足MR≤1.75×(d/p)+0.075的条件，容易使相对带宽成为17％以下。图12是作为压电体层4而采用了能够更加适当地激励厚度剪切模式的Z切割LiNbO3的情况，但在其他切割角的情况下也成为同样的趋势。另外，在弹性波装置的构造模型1r中，在压电体层4的材料为LiTaO3的情况下，近似直线DL1也相同。另外，在弹性波装置的构造模型1r中，与第一电极51和第二电极52的对数无关地，近似直线DL1相同。另外，在弹性波装置的构造模型1r中，不限于压电体层4的第二主面42与空气接触的情况，在与声反射层相接的情况下，近似直线DL1也相同。实施方式1的弹性波装置1与弹性波装置的构造模型1r同样地，通过满足MR≤1.75×(d/p)+0.075的条件，容易使相对带宽成为17％以下。需要说明的是，在图12中，与近似直线DL1(以下也称为第一近似直线DL1)区分地以单点划线示出的近似直线DL2(以下也称为第二近似直线DL2)是表示用于使相对带宽可靠地成为17％以下的边界的线。第二近似直线DL2由MR＝1.75×(d/p)+0.05的数式表示。因此，在弹性波装置的构造模型1r和实施方式1的弹性波装置1中，通过满足MR≤1.75×(d/p)+0.05的条件，能够使相对带宽可靠地成为17％以下。
(1.5)效果
实施方式1的弹性波装置1具备压电体层4、第一电极51及第二电极52。第一电极51和第二电极52在与压电体层4的厚度方向D1交叉的方向D2上对置。弹性波装置1利用厚度剪切一阶模的体波。弹性波装置1还具备硅基板2。硅基板2具有相互对置的第一主面21和第二主面22。压电体层4的材料为铌酸锂或钽酸锂。压电体层4设置在硅基板2的第一主面21上。弹性波装置1还具有设置于硅基板2的陷获区域10。
在以上说明的实施方式1的弹性波装置1中，能够应对高频化，并且能够提高线性度。
在实施方式1的弹性波装置1中，谐振频率不被相邻的第一电极51与第二电极52的中心线间距离制约，能够通过减薄压电体层4的厚度来提高谐振频率，因此，能够在不使弹性波装置1的平面尺寸大型化的状态下应对高频化。另外，在专利文献1所记载的声表面波装置中，当减少IDT电极的电极指的根数时，有时得不到足够的Q值。与此相对，在实施方式1的弹性波装置1中，即便减少第一电极51和第二电极52的对数，也能够得到足够的Q值，因此，能够在实现小型化的同时得到足够的Q值。另外，在实施方式1的弹性波装置1中，能够通过具备陷获区域10而提高线性度。
实施方式1的弹性波装置1相比于不具备陷获区域10而具有单晶硅基板与氧化硅膜的界面的比较例的弹性波装置，通过陷获区域10来抑制电荷沿着硅基板2的第一主面21的移动，因此能够提高线性度。
另外，实施方式1的弹性波装置1具备压电体层4、第一电极51及第二电极52。第一电极51和第二电极52在与压电体层4的厚度方向D1交叉的方向D2上对置。在弹性波装置1中，在沿着压电体层4的厚度方向D1的任意的剖面中将相邻的第一电极51与第二电极52的中心线间距离设为p且将压电体层4的厚度设为d时，d/p为0.5以下。弹性波装置1还具备硅基板2。硅基板2具有相互对置的第一主面21和第二主面22。压电体层4的材料为铌酸锂或钽酸锂。压电体层4设置在硅基板2的第一主面21上。弹性波装置1还具有设置于硅基板2的陷获区域10。
在以上说明的实施方式1的弹性波装置1中，能够应对高频化，并且能够提高线性度。
另外，在实施方式1的弹性波装置1中，硅基板2包括使压电体层4的第二主面42的一部分露出的空洞26的一部分。需要说明的是，“硅基板2包括空洞26的一部分”情况是指空洞26的一部分被硅基板2包围的情况。“空洞26的一部分被硅基板2包围的情况”例如不限于如后述的图13所示那样空洞26被硅基板2的第二主面22侧的基板20覆盖的情况，也包括空洞26未被硅基板2的第二主面侧的基板20覆盖的情况。这里，空洞26的一部分兼作在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下与第一布线部61和第二布线部62双方的一部分重叠的空隙27。而且，在实施方式1的弹性波装置1中，陷获区域10包括上述的表面区域2S和空隙27。由此，在实施方式1的弹性波装置1中，相比于陷获区域10不包括空隙27的情况，能够提高线性度。
(实施方式1的弹性波装置的另一结构例)
在弹性波装置1的另一结构例中，例如，如图13所示，也可以在硅基板2的与压电体层4相反的一侧，即，在硅基板2的第二主面22上层叠有其他的基板20，使得在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下与压电体层4重叠。作为上述其他的基板20的材料，例如举出硅。总之，在弹性波装置1中，也可以在作为硅基板2的第一硅基板2的第二主面22上接合包括上述其他的基板20的第二硅基板。需要说明的是，不限于硅基板2与其他的基板20层叠的情况，也可以由一张基板一体地形成。
(实施方式1的变形例1)
以下，参照图14和15对变形例1的弹性波装置1a进行说明。需要说明的是，关于变形例1的弹性波装置1a，针对与实施方式1的弹性波装置1同样的构成要素标注相同的标记并省略说明。
变形例1的弹性波装置1a是弹性波滤波器(这里，梯型滤波器)。弹性波装置1a具有输入端子15、输出端子16、设置在连结输入端子15与输出端子16的第一路径12上的多个(两个)串联臂谐振器RS1、以及在将第一路径12上的多个(两个)的节点N1、N2与接地(接地端子17、18)连结的多个(两个)第二路径13、14上各设置有一个的多个(两个)并联臂谐振器RS2。接地端子17、18也可以被共同化为一个接地。
在弹性波装置1a中，多个串联臂谐振器RS1和多个并联臂谐振器RS2分别是弹性波谐振器5。多个弹性波谐振器5分别是包括多个第一电极51和多个第二电极52的谐振器，但不限于此，是至少包括一个第一电极51和一个第二电极52的谐振器即可。在弹性波装置1a中，压电体层4在多个弹性波谐振器5中被兼用。并联臂谐振器RS2的谐振频率比串联臂谐振器RS1的谐振频率低。在构成并联臂谐振器RS2的弹性波谐振器5中，例如具备设置在压电体层4的第一主面41上的氧化硅膜，另一方面，在构成串联臂谐振器RS1的弹性波谐振器5中，在压电体层4的第一主面41上不具备氧化硅膜。在构成串联臂谐振器RS1的弹性波谐振器5中，也可以在压电体层4的第一主面41上具备氧化硅膜。在该情况下，使构成串联臂谐振器RS1的弹性波谐振器5的氧化硅膜的厚度比构成并联臂谐振器RS2的弹性波谐振器5的氧化硅膜的厚度薄即可。
在弹性波装置1a中，硅基板2包括在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下与多个弹性波谐振器5重叠的空洞26的一部分，但不限于此，也可以包括与多个弹性波谐振器5一一重叠的多个空洞26各自的一部分。
(实施方式1的变形例2)
以下，参照图16对变形例2的弹性波装置1j进行说明。关于变形例2的弹性波装置1j，针对与实施方式1的弹性波装置1同样的构成要素标注相同的标记并省略说明。
变形例2的弹性波装置1j未设置实施方式1的弹性波装置1的空隙27，硅基板2和氧化硅膜7在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下与第一布线部61和第二布线部62双方的一部分重叠。这里，在变形例2的弹性波装置1j中，与氧化硅膜7的整个区域重叠的表面区域2S在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下与第一布线部61和第二布线部62双方的一部分重叠。因此，在变形例2的弹性波装置1j中，陷获区域10所包含的表面区域2S被设置为在俯视下与多个外部连接端子(输入端子15、输出端子16、接地端子17、18)重叠。
(实施方式1的变形例3)
以下，参照图17对变形例3的弹性波装置1b进行说明。关于变形例2的弹性波装置1b，针对与实施方式1的弹性波装置1同样的构成要素标注相同的标记并省略说明。
变形例3的弹性波装置1b在还具备两个反射器8这一点与实施方式1的弹性波装置1不同。
两个反射器8分别是短路光栅。各反射器8并非为了反射一次剪切模式的体波，而是反射沿着压电体层4的第一主面41传播的不需要的声表面波。两个反射器8中的一个反射器8在沿着弹性波装置1b的不需要的声表面波的传播方向的方向上位于多个第一电极51中的位于端部的第一电极51的与第二电极52侧相反的一侧。两个反射器8中的剩余的一个反射器8在沿着弹性波装置1b的不需要的声表面波的传播方向的方向上位于多个第二电极52中的位于端部的第二电极52的与第一电极51侧相反的一侧。
各反射器8具有多个(例如四个)电极指81，多个电极指81的一端彼此被短路，另一端彼此被短路。在各反射器8中，电极指81的数量没有特别限定。
各反射器8具有导电性。各反射器8的材料例如是Al、Cu、Pt、Au、Ag、Ti、Ni、Cr、Mo、W或者以这些金属中的任意一种为主体的合金等。另外，各反射器8也可以具有将包括这些金属或合金的多个金属膜层叠而成的构造。各反射器8例如包括紧贴膜和主电极膜的层叠膜，紧贴膜包括形成在压电体层4上的Ti膜，主电极膜包括形成在紧贴膜上的Al膜。紧贴膜的厚度例如为10nm。另外，主电极膜的厚度例如为80nm。
另外，在变形例2的弹性波装置1b中，各反射器8为短路光栅，但不限于此，例如也可以为开放光栅、正负反射型光栅、短路光栅与开放光栅组合而成的光栅等。另外，在弹性波装置1b中，具备两个反射器8，但也可以为仅具备两个反射器8中的一个反射器的结构。
变形例2的弹性波装置1b中的两个反射器8也能够应用于变形例1的弹性波装置1a，例如，也可以按照变形例1的弹性波装置1a的每个各弹性波谐振器5而设置。
(实施方式2)
以下，参照图18对实施方式2的弹性波装置1c进行说明。关于实施方式2的弹性波装置1c，针对与实施方式1的弹性波装置1同样的构成要素标注相同的标记并省略说明。
实施方式2的弹性波装置1c具备直接形成在硅基板2的第一主面21上的作为绝缘膜的氮化硅膜11。因此，绝缘膜的氧重量比小于氧化硅的氧重量比。氮化硅膜11是通过溅射而形成的溅射薄膜。
在实施方式2的弹性波装置1c中，氧化硅膜7夹设在氮化硅膜11与压电体层4之间，与氮化硅膜11及压电体层4分别相接。因此，在实施方式2的弹性波装置1c中，在氧化硅膜7与硅基板2的体区域2B之间具有氮化硅膜11和表面区域2S。
在实施方式2的弹性波装置1c中，陷获区域10包括硅基板2的表面区域2S。
在实施方式2的弹性波装置1c中，与实施方式1的弹性波装置1同样地具有陷获区域10，因此能够提高线性度。
在实施方式2的弹性波装置1c中，氧化硅膜7不是必须的构成要素，氮化硅膜11与压电体层4也可以相接。
另外，在实施方式2的弹性波装置1c中，也可以构成为去除氮化硅膜11并通过溅射形成氧化硅膜7。
(实施方式3)
以下，参照图19～21对实施方式3的弹性波装置1d进行说明。关于实施方式3的弹性波装置1d，针对与实施方式1的弹性波装置1同样的构成要素标注相同的标记并省略说明。
如图20所示，实施方式3的弹性波装置1d在具备夹设在硅基板2与压电体层4之间的声反射层3且不具有实施方式1的弹性波装置1中的空洞26这一点与实施方式1的弹性波装置1不同。另外，在实施方式3的弹性波装置1d中，在硅基板2包括在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下与第一布线部61及第二布线部62各自的一部分重叠的两个空隙27(参照图19和21)各自的一部分这一点，与实施方式1的弹性波装置1不同。实施方式3的弹性波装置1d具有两个陷获区域10。两个陷获区域10分别包括空隙27。各陷获区域10在压电体层4的第二主面42侧设置于硅基板2，抑制电荷沿着硅基板2的第一主面21的移动。
在实施方式3的弹性波装置1d中，声反射层3设置在硅基板2的第一主面21上，压电体层4设置在声反射层3上。在弹性波装置1d中，弹性波谐振器5包括第一电极51、第二电极52以及压电体层4。在弹性波装置1d中，弹性波谐振器5还具有上述的声反射层3。
声反射层3在压电体层4的厚度方向D1上与多个第一电极51及多个第二电极52对置。
声反射层3具有抑制被第一电极51和第二电极52激励的体波(上述的厚度剪切一阶模的体波)向硅基板2泄漏的功能。弹性波装置1d通过具备声反射层3，能够提高弹性波能量向压电体层4内的封闭效果。因此，弹性波装置1d相比于不具备声反射层3的情况，能够减少损失，提高Q值。
声反射层3具有多个(三个)低声阻抗层31与多个(两个)高声阻抗层32在压电体层4的厚度方向D1上按照每一层交替排列的层叠构造。低声阻抗层31的声阻抗比高声阻抗层32的声阻抗低。
以下，为了方便说明，在声反射层3中，也有时将两个高声阻抗层32按照接近硅基板2的第一主面21的顺序称为第一高声阻抗层321、第二高声阻抗层322。另外，也有时将三个低声阻抗层31按照接近硅基板2的第一主面21的顺序称为第一低声阻抗层311、第二低声阻抗层312、第三低声阻抗层313。
在声反射层3中，从硅基板2侧起依次排列第一低声阻抗层311、第一高声阻抗层321、第二低声阻抗层312、第二高声阻抗层322以及第三低声阻抗层313。因此，声反射层3在第三低声阻抗层313与第二高声阻抗层322的界面、第二高声阻抗层322与第二低声阻抗层312的界面、第二低声阻抗层312与第一高声阻抗层321的界面、第一高声阻抗层321与第一低声阻抗层311的界面能够分别反射来自压电体层4的体波(厚度剪切一阶模的体波)。
多个高声阻抗层32的材料例如为Pt(铂)。另外，多个低声阻抗层31的材料例如为氧化硅。多个高声阻抗层32各自的厚度例如为94nm。另外，多个低声阻抗层31各自的厚度例如为188nm。声反射层3由于两个高声阻抗层32分别由铂形成，因此也包括两个导电层。
多个高声阻抗层32的材料不限于Pt，例如也可以为W(钨)、Ta(钽)等金属。另外，多个高声阻抗层32的材料不限于金属，例如也可以为绝缘体。
另外，多个高声阻抗层32不限于为彼此相同的材料的情况，例如也可以为互不相同的材料。另外，多个低声阻抗层31不限于为彼此相同的材料的情况，例如也可以为互不相同的材料。
另外，声反射层3中的高声阻抗层32和低声阻抗层31各自的数量不限于两个和三个，也可以为一个、三个以上及四个以上。另外，高声阻抗层32的数量和低声阻抗层31的数量不限于不同的情况，也可以相同，也可以是低声阻抗层31的数量比高声阻抗层32的数量少一个。另外，高声阻抗层32和低声阻抗层31各自的厚度根据弹性波装置1的设计频率、以及分别应用于高声阻抗层32和低声阻抗层31的材料而适当设定，使得在声反射层3得到良好的反射。
在实施方式3的弹性波装置1d中，空隙27形成在硅基板2和声反射层3的整体范围内，使压电体层4的第二主面42的一部分露出。
在弹性波装置1d的制造方法中，例如在准备了具有相互对置的第一主面21和第二主面22的硅基板2之后，进行第一工序～第五工序。在第一工序中，在硅基板2的第一主面21上形成声反射层3。在第二工序中，隔着声反射层3将成为压电体层4的基础的压电体基板与硅基板2接合。在第三工序中，通过减薄压电体基板而形成包括压电体基板的一部分的压电体层4。在第四工序中，在压电体层4上形成多个第一电极51、多个第二电极52、第一布线部61、第二布线部62、第一端子T1以及第二端子T2。在第五工序中，通过从硅基板2的第二主面22对硅基板2和声反射层3的一部分进行蚀刻而形成空隙27。需要说明的是，在第五工序中，也可以从硅基板2的第一主面21对硅基板2的一部分进行蚀刻。在第一工序～第五工序中，作为硅基板2而使用硅晶片。另外，在第二工序中，作为压电体基板而使用压电体晶片。在弹性波装置1d的制造方法中，通过对包括多个弹性波装置1d的晶片进行切割而得到多个弹性波装置1d(芯片)。
弹性波装置1d的制造方法是一例，没有特别限定。例如，也可以利用成膜技术而形成压电体层4。在该情况下，弹性波装置1d的制造方法具备使压电体层4成膜的工序代替第二工序和第三工序。通过成膜技术成膜的压电体层4例如可以为单晶，也可以为双晶。作为成膜技术，例如举出CVD法，但不限于此。
实施方式3的弹性波装置1d与实施方式1的弹性波装置1同样地利用厚度剪切一阶模的体波。由此，在实施方式3的弹性波装置1d中，谐振频率不被相邻的第一电极51与第二电极52的中心线间距离制约，能够通过减薄压电体层4的厚度来提高谐振频率，因此，能够在不使弹性波装置1d的平面尺寸大型化的状态下应对高频化。另外，实施方式3的弹性波装置1d与实施方式1的弹性波装置1同样地，能够通过具有陷获区域10而提高线性度。
弹性波装置1d具有在压电体层4的厚度方向D1上与第一布线部61的至少一部分重叠的陷获区域10、以及在压电体层4的厚度方向D1上与第二布线部62的至少一部分重叠的陷获区域10，但只要具有至少一方的陷获区域10，就能够提高线性度。
另外，实施方式3的弹性波装置1d在弹性波谐振器5中能够通过声反射层3来抑制无用波。另外，在实施方式3的弹性波装置1d中，压电体层4的材料为LiNbO3或LiTaO3，低声阻抗层31的材料为氧化硅。这里，LiNbO3和LiTaO3各自的频率温度特性具有负斜率，氧化硅的频率温度特性具有正斜率。因此，在实施方式3的弹性波装置1d中，能够减小TCF(Temperature Coefficient of Frequency，频率温度系数)的绝对值，能够改善频率温度特性。
(实施方式3的变形例1)
以下，参照图22对实施方式3的变形例1的弹性波装置1e进行说明。关于变形例1的弹性波装置1e，针对与实施方式3的弹性波装置1d同样的构成要素标注相同的标记并省略说明。
实施方式3的变形例1的弹性波装置1e与实施方式1的变形例1的弹性波装置1a同样地是弹性波滤波器(这里为梯型滤波器)。弹性波装置1e具有输入端子15、输出端子16、设置在连结输入端子15与输出端子16的第一路径12上的多个(两个)串联臂谐振器RS1、以及在将第一路径12上的多个(两个)节点N1、N2与接地(接地端子17、18)连结的多个(两个)第二路径13、14上各设置有一个的多个(两个)并联臂谐振器RS2。接地端子17、18也可以被共同化为一个接地。
在变形例1的弹性波装置1e中，多个串联臂谐振器RS1和多个并联臂谐振器RS2分别是弹性波谐振器5。多个弹性波谐振器5分别是包括第一电极51和第二电极52的谐振器。在弹性波装置1e中，压电体层4在多个弹性波谐振器5中被兼用。另外，在弹性波装置1e中，声反射层3在多个弹性波谐振器5中被兼用。并联臂谐振器RS2的谐振频率比串联臂谐振器RS1的谐振频率低。这里，在构成并联臂谐振器RS2的弹性波谐振器5中，例如具备设置在压电体层4的第一主面41上的氧化硅膜，另一方面，在构成串联臂谐振器RS1的弹性波谐振器5中，在压电体层4的第一主面41上不具备氧化硅膜。在构成串联臂谐振器RS1的弹性波谐振器5中，也可以在压电体层4的第一主面41上具备氧化硅膜，在该情况下，使构成串联臂谐振器RS1的弹性波谐振器5的氧化硅膜的厚度比构成并联臂谐振器RS2的弹性波谐振器5的氧化硅膜的厚度薄即可。
在变形例1的弹性波装置1e中，在多个弹性波谐振器5中兼用声反射层3，但多个高声阻抗层32中的最接近压电体层4的高声阻抗层32(第二高声阻抗层322)也可以按照每个弹性波谐振器5而分离。另外，在变形例1的弹性波装置1e中，如果第一高声阻抗层321按照每个弹性波谐振器5分离则更好。
在变形例1的弹性波装置1e中，在与多个弹性波谐振器5分别连接的第一布线部61和第二布线部62各自的一部分形成有空隙27，使得在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下重叠。在变形例1的弹性波装置1e中，空隙27在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下与多个外部连接端子(输入端子15、输出端子16、接地端子17、18)均不重叠。在变形例1的弹性波装置1e中，在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下，第一路径12的大部分与空隙27重叠，各第二路径13、14的大部分与空隙27重叠。在变形例1的弹性波装置1e中，与连接到串联臂谐振器RS1的第二布线部62重叠的空隙27和与连接到并联臂谐振器RS2的第二布线部62重叠的空隙27相接。由此，在变形例1的弹性波装置1e中，能够进一步抑制电荷沿着硅基板2的第一主面21的移动。由于变形例1的弹性波装置1e具有陷获区域10，因此能够提高线性度。
(实施方式3的变形例2)
以下，参照图23对实施方式3的变形例2的弹性波装置1f进行说明。关于变形例2的弹性波装置1f，针对与实施方式3的变形例1的弹性波装置1e同样的构成要素标注相同的标记并省略说明。
变形例2的弹性波装置1f在与变形例1的弹性波装置1e相比在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下在各第二路径13、14中与空隙27重叠的区域较小这一点，与变形例1的弹性波装置1e不同。在变形例2的弹性波装置1f中，与连接到串联臂谐振器RS1的第二布线部62重叠的空隙27和与连接到并联臂谐振器RS2的第二布线部62重叠的空隙27被分离。变形例2的弹性波装置1f与变形例1的弹性波装置1e相比，能够提高机械强度。
(实施方式3的变形例3)
以下，参照图24对实施方式3的变形例3的弹性波装置1g进行说明。关于变形例3的弹性波装置1g，针对与实施方式3的变形例1的弹性波装置1e同样的构成要素标注相同的标记并省略说明。
变形例3的弹性波装置1g具有形成在与变形例1的弹性波装置1e的空隙27不同的区域的空隙28。空隙28与空隙27同样地形成在硅基板2和声反射层3的整个范围内。空隙28的至少一部分在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下位于从与第一布线部61和第二布线部62中的至少一方的一部分重叠的区域起的规定距离L11、L12内。规定距离L11、L12是第一电极51及第二电极52与硅基板2之间的距离。陷获区域10包括空隙28。
由于变形例3的弹性波装置1g具有陷获区域10，因此能够提高线性度。
(实施方式3的变形例4)
以下，参照图25对实施方式3的变形例4的弹性波装置1h进行说明。关于变形例4的弹性波装置1h，针对与实施方式3的弹性波装置1d同样的构成要素标注相同的标记并省略说明。
变形例4的弹性波装置1h在声反射层3的各低声阻抗层31的材料与各高声阻抗层32的材料为互不相同的电介质这一点与实施方式3的弹性波装置1d不同。各低声阻抗层31的材料例如为氧化硅。各高声阻抗层32的材料例如为氮化硅、氮化铝、氧化铝及氧化钽中的任意一种。
变形例4的弹性波装置1h不具备实施方式3的弹性波装置1d的空隙27。在变形例4的弹性波装置1h中，硅基板2包括在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下与第一布线部61和第二布线部62中的至少一方的一部分重叠的表面区域2S。表面区域2S与第一布线部61和第二布线部62中的至少一方的一部分重叠即可。
在实施方式3的变形例4的弹性波装置1h中，硅基板2与实施方式1的弹性波装置1的硅基板2同样地包括体区域2B和表面区域2S。表面区域2S例如为非晶硅层。表面区域2S包括硅基板2的第一主面21的一部分。硅基板2的第一主面21在表面区域2S中包括粗糙面211。表面区域2S未形成于在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下与弹性波谐振器5重叠的区域。
在实施方式3的变形例4的弹性波装置1h中，陷获区域10包括表面区域2S。由于实施方式3的变形例4的弹性波装置1h具有陷获区域10，因此，能够提高线性度。
(实施方式3的变形例5)
以下，参照图26对实施方式3的变形例5的弹性波装置1i进行说明。关于变形例5的弹性波装置1i，针对与实施方式3的弹性波装置1d同样的构成要素标注相同的标记并省略说明。
实施方式3的变形例5的弹性波装置1i在与实施方式1的变形例2的弹性波装置1b(参照图17)同样地还具备两个反射器8这一点，与实施方式3的弹性波装置1d不同。各反射器8的结构与弹性波装置1b的各反射器8是同样的。
上述的实施方式1～3等只不过是本发明的各种实施方式中的一个实施方式。上述的实施方式1～3等只要能够实现本发明的目的即可，也能够根据设计等进行各种变更。
例如，在实施方式1的弹性波装置1中，压电体层4隔着氧化硅膜7而与硅基板2接合，但氧化硅膜7不是必须的构成要素。
另外，在实施方式1的弹性波装置1中，空洞26形成为沿硅基板2的厚度方向贯穿该硅基板2，但不限于此，也可以不贯穿硅基板2，而由形成在硅基板2的第一主面21上的凹部的内部空间构成。
另外，在弹性波装置1～1j中，第一电极51和第二电极52的剖面形状为长方形状，但不限于此。这里，剖面形状例如是与压电体层4的厚度方向D1及第二方向D2正交的剖面中的形状。第一电极51和第二电极52例如也可以如图27A～27D中的任意一个图那样是下端的宽度比上端的宽度宽的形状。由此，能够在不增大第一电极51的第一主面511(参照图2)和第二电极52的第一主面521(参照图2)的宽度的状态下，增大相邻的第一电极51与第二电极52之间的电容。
图27A所示的第一电极51和第二电极52在上端侧具有宽度大致固定的部分，在下端侧具有宽度逐渐变大的部分。另外，图27B所示的第一电极51和第二电极52是剖面呈梯形的形状。另外，图27C所示的第一电极51和第二电极52是末端扩展状的形状，宽度方向的两侧面是曲面。另外，图27D所示的第一电极51和第二电极52在上端侧具有剖面呈梯形的部分，在下端侧具有宽度比上端侧的剖面呈梯形的部分宽的剖面呈梯形的部分。
另外，如图28A～28C中的任意一个图所示，弹性波装置1～1j也可以具备覆盖压电体层4的第一主面41、第一主面41上的第一电极51及第二电极52的电介质膜9。弹性波装置1～1j通过具备电介质膜9，能够增大相邻的第一电极51与第二电极52之间的电容。在图28A中，电介质膜9的厚度比第一电极51和第二电极52的厚度薄，电介质膜9的表面具有沿着基底形状的凹凸形状。在图28B中，电介质膜9的表面被平坦化而成为平面状。在图28C中，电介质膜9的厚度比第一电极51和第二电极52的厚度厚，电介质膜9的表面具有沿着基底形状的凹凸形状。
另外，在弹性波装置1～1j中，第一电极51的剖面形状与第二电极52的剖面形状也可以不同。这里，剖面形状例如是与压电体层4的厚度方向D1及第二方向D2正交的剖面中的形状。
另外，在弹性波装置1～1j中，弹性波谐振器5具备多个第一电极51和多个第二电极52，但不限于此，具备至少一个第一电极51和一个第二电极52即可。
另外，在如实施方式1的变形例1的弹性波装置1a那样构成弹性波滤波器的情况下，第一电极51和第二电极52的形状也可以按照每个弹性波谐振器5而不同。另外，在构成串联臂谐振器RS1的弹性波谐振器5和构成并联臂谐振器RS2的弹性波谐振器5中，第一电极51和第二电极52的形状也可以不同。
另外，第一电极51和第二电极52不限于在从压电体层4的厚度方向D1的俯视下为直线状的情况。例如，第一电极51和第二电极52也可以为曲线状，也可以为包括直线状的部分和曲线状的部分的形状。
(方式)
根据以上说明的实施方式等，在本说明书中公开了以下的方式。
第一方式的弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)具备压电体层(4)、第一电极(51)以及第二电极(52)。第一电极(51)和第二电极(52)在与压电体层(4)的厚度方向(D1)交叉的方向(D2)上对置。弹性波装置(1；1a)利用厚度剪切一阶模的体波。弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)还具备硅基板(2)。硅基板(2)具有相互对置的第一主面(21)和第二主面(22)。压电体层(4)的材料为铌酸锂或钽酸锂。压电体层(4)设置在硅基板(2)的第一主面(21)上。弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)还具有设置于硅基板(2)的陷获区域(10)。
在第一方式的弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)中，能够应对高频化，并且能够提高线性度。
第二方式的弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)具备压电体层(4)、第一电极(51)以及第二电极(52)。第一电极(51)和第二电极(52)在与压电体层(4)的厚度方向(D1)交叉的方向(D2)上对置。第一电极(51)和第二电极(52)是彼此相邻的电极。在弹性波装置(1；1a)中，在沿着压电体层(4)的厚度方向(D1)的任意的剖面中将第一电极(51)与第二电极(52)的中心线间距离设为p且将压电体层(4)的厚度设为d时，d/p为0.5以下。弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)还具备硅基板(2)。硅基板(2)具有相互对置的第一主面(21)和第二主面(22)。压电体层(4)的材料为铌酸锂或钽酸锂。压电体层(4)设置在硅基板(2)的第一主面(21)上。弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)还具有设置于硅基板(2)的陷获区域(10)。
在第二方式的弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)中，能够应对高频化，并且能够提高线性度。
第三方式的弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)根据第二方式，其中，d/p为0.24以下。
在第三方式的弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)中，能够使相对带宽变得更加大。
第四方式的弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)根据第三方式，其中，第一电极(51)具有第一电极主部(510)，第二电极(52)具有第二电极主部(520)。第一电极主部(510)在第一电极(51)与第二电极(52)对置的方向(D2)上与第二电极(52)交叉。第二电极(52)在第一电极(51)与第二电极(52)对置的方向(D2)上与第一电极(51)交叉。压电体层(4)具有规定区域(45)。规定区域(45)是在从压电体层(4)的厚度方向(D1)的俯视下在压电体层(4)中的第一电极(51)与第二电极(52)对置的方向(D2)上与第一电极(51)和第二电极(52)双方交叉且位于第一电极(51)与第二电极(52)之间的区域。弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)满足下述的条件。条件为MR≤1.75×(d/p)+0.075。这里，S1是从压电体层(4)的厚度方向(D1)的俯视下的第一电极主部(510)的面积。S2是从压电体层(4)的厚度方向(D1)的俯视下的第二电极主部(520)的面积。S0是从压电体层(4)的厚度方向(D1)的俯视下的规定区域(45)的面积。MR是由(S1+S2)/(S1+S2+S0)规定的构造参数。
在第四方式的弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)中，能够抑制频带内的杂散。
第五方式的弹性波装置(1；1a；1h；1i；1j)根据第一方式～第四方式中的任意一个方式，其中，硅基板(2)的第一主面(21)的至少一部分为粗糙面(211)。硅基板(2)具有体区域(2B)和包括粗糙面(211)的表面区域(2S)。陷获区域(10)包括表面区域(2S)。
第六方式的弹性波装置(1；1a；1h；1i；1j)根据第一方式～第四方式中的任意一个方式，其中，硅基板(2)具有体区域(2B)和包括硅基板(2)的第一主面(21)的表面区域(2S)。表面区域(2S)是非晶硅层。陷获区域(10)包括表面区域(2S)。
第七方式的弹性波装置(1；1a；1h；1i；1j)根据第一方式～第四方式中的任意一个方式，其中，硅基板(2)具有体区域(2B)和包括硅基板(2)的第一主面(21)的表面区域(2S)。表面区域(2S)是多晶硅层。陷获区域(10)包括表面区域(2S)。
第八方式的弹性波装置(1；1a；1h；1i)根据第五方式，其中，粗糙面(211)在从压电体层(4)的厚度方向(D1)的俯视下未与包括第一电极(51)和第二电极(52)、以及压电体层(4)的一部分的弹性波谐振器(5)重叠。
第九方式的弹性波装置(1c)根据第一方式～第五方式、第八方式中的任意一个方式，其中，陷获区域(10)包括直接形成在硅基板(2)的第一主面(21)上的绝缘膜(氮化硅膜11)。绝缘膜(氮化硅膜11)的氧重量比小于氧化硅的氧重量比。
第十方式的弹性波装置(1c)根据第一方式～第五方式、第八方式中的任意一个方式，其中，陷获区域(10)包括直接形成在硅基板(2)的第一主面(21)上的绝缘膜(氮化硅膜11)。绝缘膜是氮化硅膜(11)。
第十一方式的弹性波装置(1c)根据第九方式或第十方式，其中，绝缘膜(氮化硅膜11)在从压电体层(4)的厚度方向(D1)的俯视下未与弹性波谐振器(5)重叠。弹性波谐振器(5)包括第一电极(51)和第二电极(52)、以及压电体层(4)的一部分。
在第十一方式的弹性波装置(1c)中，相比于绝缘膜(氮化硅膜11)与弹性波谐振器(5)重叠的情况，能够提高弹性波谐振器(5)的谐振特性的Q值。
第十二方式的弹性波装置(1；1a；1b；1c)根据第一方式～第十一方式中的任意一个方式，其中，硅基板(2)包括配置在隔着压电体层(4)而与第一电极(51)及第二电极(52)相反的一侧的空洞(26)的至少一部分。空洞(26)在从压电体层(4)的厚度方向(D1)的俯视下与弹性波谐振器(5)的整个区域重叠。弹性波谐振器(5)包括第一电极(51)和第二电极(52)、以及压电体层(4)的一部分。
第十三方式的弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1i)根据第一方式～第十二方式中的任意一个方式，其中，还具备第一布线部(61)和第二布线部(62)。第一布线部(61)与第一电极(51)连接。第二布线部(62)与第二电极(52)连接。硅基板(2)包括空隙(27)的至少一部分。空隙(27)在从压电体层(4)的厚度方向(D1)的俯视下与第一布线部(61)和第二布线部(62)中的至少一方的一部分重叠。陷获区域(10)包括空隙(27)。
第十四方式的弹性波装置(1d；1e；1f；1i)根据第一方式～第五方式、第八方式中的任意一个方式，其中，还具备第一布线部(61)、第二布线部(62)以及声反射层(3)。第一布线部(61)与第一电极(51)连接。第二布线部(62)与第二电极(52)连接。声反射层(3)设置在硅基板(2)的第一主面(21)与压电体层(4)之间。声反射层(3)具有至少一个高声阻抗层(32)和至少一个低声阻抗层(31)。至少一个低声阻抗层(31)的声阻抗比至少一个高声阻抗层(32)的声阻抗低。硅基板(2)包括空隙(27)的至少一部分。空隙(27)在从压电体层(4)的厚度方向(D1)的俯视下与第一布线部(61)和第二布线部(62)中的至少一方的一部分重叠。陷获区域(10)包括空隙(27)。
第十五方式的弹性波装置(1g)根据第一方式～第五方式、第八方式中的任意一个方式，其中，还具备第一布线部(61)和第二布线部(62)。第一布线部(61)与第一电极(51)连接。第二布线部(62)与第二电极(52)连接。硅基板(2)包括空隙(28)的至少一部分。空隙(28)包括在从压电体层(4)的厚度方向(D1)的俯视下位于从与第一布线部(61)和第二布线部(62)中的至少一方的一部分重叠的区域起的规定距离(L11、L12)内的部分。规定距离(L11、L12)是第一电极(51)及第二电极(52)与硅基板(2)之间的距离。陷获区域(10)包括空隙(28)。
第十六方式的弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)根据第十三方式～第十五方式中的任意一个方式，其中，包括多个第一电极(51)，并且包括多个第二电极(52)。多个第一电极(51)与多个第二电极(52)各一个交替地排列。多个第一电极(51)与第一布线部(61)共同连接。多个第二电极(52)与第二布线部(62)共同连接。
在第十六方式的弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)中，能够进一步提高Q值。
第十七方式的弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)根据第一方式～第十六方式中的任意一个方式，其中，还具备氧化硅膜(7)。氧化硅膜(7)设置在硅基板(2)与压电体层(4)之间。
第十八方式的弹性波装置(1a；1e；1f；1g；1j)根据第一方式～第十七方式中的任意个方式，其中，是具备多个弹性波谐振器(5)的弹性波滤波器。多个弹性波谐振器(5)分别是包括第一电极(51)和第二电极(52)的谐振器。压电体层(4)在多个弹性波谐振器(5)中被兼用。
第十九方式的弹性波装置(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f；1g；1h；1i；1j)根据第一方式～第十八方式中的任意一个方式，其中，压电体层(4)具有相互对置的第一主面(41)和第二主面(42)。压电体层(4)的第一主面(41)是压电体层(4)中的与硅基板(2)侧相反的一侧的主面。压电体层(4)的第二主面(42)是压电体层(4)中的硅基板(2)侧的主面。第一电极(51)与第二电极(52)在压电体层(4)的第一主面(41)上对置。
附图标记说明
1、1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i 弹性波装置；
1r 构造模型；
2 硅基板；
21 第一主面；
211 粗糙面；
22 第二主面；
26 空洞；
27 空隙；
28 空隙；
2B 体区域；
2S 表面区域；
3 声反射层；
31 低声阻抗层；
311 第一低声阻抗层(氧化硅膜)；
312 第二低声阻抗层；
313 第三低声阻抗层；
32 高声阻抗层；
321 第一高声阻抗层；
322 第二高声阻抗层；
4 压电体层；
41 第一主面；
42 第二主面；
45 规定区域；
451 第一区域；
452 第二区域；
5 弹性波谐振器；
51 第一电极；
510 第一电极主部；
511 第一主面；
512 第二主面；
513 侧面；
52 第二电极；
521 第一主面；
522 第二主面；
523 侧面；
61 第一布线部；
611 第一汇流条；
62 第二布线部；
621 第二汇流条；
7 氧化硅膜；
8 反射器；
81 电极指；
9 电介质膜；
10 陷获区域；
11 氮化硅膜(绝缘膜)；
12 第一路径；
13 第二路径；
14 第二路径；
15 输入端子；
16 输出端子；
17 接地端子；
18 接地端子；
20 基板；
400 压电薄膜；
401 第一主面；
402 第二主面；
D1 厚度方向(第一方向)；
D2 第二方向；
D3 第三方向；
DA1 第一分布区域；
DA2 第二分布区域；
DL1 近似直线(第一近似直线)；
DL2 近似直线(第二近似直线)；
HB1 突出尺寸；
HB2 突出尺寸；
HC1 突出尺寸；
HC2 突出尺寸；
L11 规定距离；
L12 规定距离；
MR 构造参数；
N1 节点；
N2 节点；
PZ1 极化方向；
RS1 串联臂谐振器；
RS2 并联臂谐振器；
VP1 虚拟平面；
d 压电体层的厚度；
p 中心线间距离。

Claims (19)

1.一种弹性波装置，具备：
压电体层；以及
第一电极和第二电极，其在与所述压电体层的厚度方向交叉的方向上对置，
所述弹性波装置利用厚度剪切一阶模的体波，
其中，
所述弹性波装置还具备硅基板，该硅基板具有相互对置的第一主面和第二主面，
所述压电体层的材料为铌酸锂或钽酸锂，
所述压电体层设置在所述硅基板的所述第一主面上，
所述弹性波装置还具有设置于所述硅基板的陷获区域。
2.一种弹性波装置，具备：
压电体层；以及
第一电极和第二电极，其在与所述压电体层的厚度方向交叉的方向上对置，
所述第一电极和所述第二电极是彼此相邻的电极，
在沿着所述压电体层的厚度方向的任意的剖面中将所述第一电极与所述第二电极的中心线间距离设为p且将所述压电体层的厚度设为d时，
d/p为0.5以下，
其中，
所述弹性波装置还具备硅基板，该硅基板具有相互对置的第一主面和第二主面，
所述压电体层的材料为铌酸锂或钽酸锂，
所述压电体层具有相互对置的第一主面和第二主面，且设置在所述硅基板的所述第一主面上，
所述弹性波装置还具有设置于所述硅基板的陷获区域。
3.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，
所述d/p为0.24以下。
4.根据权利要求3所述的弹性波装置，其中，
所述第一电极具有第一电极主部，该第一电极主部在所述第一电极与所述第二电极对置的方向上与所述第二电极交叉，
所述第二电极具有第二电极主部，该第二电极主部在所述第一电极与所述第二电极对置的方向上与所述第一电极交叉，
所述压电体层具有规定区域，该规定区域在从所述压电体层的厚度方向的俯视下，在所述压电体层中在所述第一电极与所述第二电极对置的方向上位于所述第一电极与所述第二电极之间，
在从所述压电体层的厚度方向的俯视下，
将所述第一电极主部的面积设为S1，
将所述第二电极主部的面积设为S2，
将所述规定区域的面积设为S0，
将由(S1+S2)/(S1+S2+S0)规定的构造参数设为MR时，
所述弹性波装置满足下述的条件，
所述条件是MR≤1.75×(d/p)+0.075。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述硅基板的所述第一主面的至少一部分为粗糙面，
所述硅基板具有：
体区域；以及
包括所述粗糙面的表面区域，
所述陷获区域包括所述表面区域。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述硅基板具有：
体区域；以及
表面区域，其包括所述硅基板的所述第一主面，
所述表面区域是非晶硅层，
所述陷获区域包括所述表面区域。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述硅基板具有：
体区域；以及
表面区域，其包括所述硅基板的所述第一主面，
所述表面区域是多晶硅层，
所述陷获区域包括所述表面区域。
8.根据权利要求5所述的弹性波装置，其中，
所述粗糙面在从所述压电体层的厚度方向的俯视下，未与包括所述压电体层的一部分以及所述第一电极和所述第二电极的弹性波谐振器重叠。
9.根据权利要求1至5、8中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述陷获区域包括绝缘膜，该绝缘膜直接形成在所述硅基板的所述第一主面上，
所述绝缘膜的氧重量比，小于氧化硅的氧重量比。
10.根据权利要求1至5、8中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述陷获区域包括绝缘膜，该绝缘膜直接形成在所述硅基板的所述第一主面上，
所述绝缘膜是氮化硅膜。
11.根据权利要求9或10所述的弹性波装置，其中，
所述绝缘膜在从所述压电体层的厚度方向的俯视下，未与包括所述压电体层的一部分以及所述第一电极和所述第二电极的弹性波谐振器重叠。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述硅基板包括配置在隔着所述压电体层而与所述第一电极及所述第二电极相反的一侧的空洞的至少一部分，
所述空洞在从所述压电体层的厚度方向的俯视下，与包括所述压电体层的一部分以及所述第一电极和所述第二电极的弹性波谐振器的整个区域重叠。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置还具备：
第一布线部，其与所述第一电极连接；以及
第二布线部，其与所述第二电极连接，
所述硅基板包括在从所述压电体层的厚度方向的俯视下与所述第一布线部和所述第二布线部中的至少一方的一部分重叠的空隙的至少一部分，
所述陷获区域包括所述空隙。
14.根据权利要求1至5、8中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置还具备：
第一布线部，其与所述第一电极连接；
第二布线部，其与所述第二电极连接；以及
声反射层，其设置在所述硅基板的所述第一主面与所述压电体层之间，
所述声反射层具有：
至少一个高声阻抗层；以及
至少一个低声阻抗层，其声阻抗比所述至少一个高声阻抗层的声阻抗低，
所述硅基板包括在从所述压电体层的厚度方向的俯视下与所述第一布线部和所述第二布线部中的至少一方的一部分重叠的空隙的至少一部分，
所述陷获区域包括所述空隙。
15.根据权利要求1至5、8中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置还具备：
第一布线部，其与所述第一电极连接；以及
第二布线部，其与所述第二电极连接，
所述硅基板包括配置在隔着所述压电体层而与所述第一电极及所述第二电极相反的一侧的空隙的至少一部分，
所述空隙包括在从所述压电体层的厚度方向的俯视下位于从与所述第一布线部和所述第二布线部中的至少一方的一部分重叠的区域起的规定距离内的部分，
所述规定距离是所述第一电极及所述第二电极与所述硅基板之间的距离，
所述陷获区域包括所述空隙。
16.根据权利要求13至15中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置包括多个所述第一电极，并且包括多个所述第二电极，
所述多个第一电极与所述多个第二电极各一个交替地排列，
所述多个第一电极与所述第一布线部共同连接，
所述多个第二电极与所述第二布线部共同连接。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置还具备氧化硅膜，该氧化硅膜设置在所述硅基板与所述压电体层之间。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置是具备多个弹性波谐振器的弹性波滤波器，
所述多个弹性波谐振器分别是包括所述第一电极和所述第二电极的谐振器，
所述压电体层在所述多个弹性波谐振器中被兼用。
19.根据权利要求1至18中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述压电体层具有相互对置的第一主面和第二主面，
所述压电体层的所述第一主面是所述压电体层中的与所述硅基板侧相反的一侧的主面，
所述压电体层的所述第二主面是所述压电体层中的所述硅基板侧的主面，
所述第一电极与所述第二电极在所述压电体层的所述第一主面上对置。
CN202080066156.3A 2019-09-27 2020-09-25 弹性波装置 Pending CN114467258A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019178097 2019-09-27
JP2019-178097 2019-09-27
PCT/JP2020/036401 WO2021060513A1 (ja) 2019-09-27 2020-09-25 弾性波装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114467258A true CN114467258A (zh) 2022-05-10

Family

ID=75166248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080066156.3A Pending CN114467258A (zh) 2019-09-27 2020-09-25 弹性波装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11621688B2 (zh)
JP (1) JP7103528B2 (zh)
KR (1) KR102479702B1 (zh)
CN (1) CN114467258A (zh)
WO (1) WO2021060513A1 (zh)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7205551B2 (ja) * 2018-12-06 2023-01-17 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN116601871A (zh) * 2020-10-06 2023-08-15 株式会社村田制作所 弹性波装置
WO2022224973A1 (ja) * 2021-04-21 2022-10-27 株式会社村田製作所 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法
WO2022255304A1 (ja) * 2021-06-01 2022-12-08 株式会社村田製作所 圧電バルク波装置及びその製造方法
CN117529883A (zh) * 2021-06-17 2024-02-06 株式会社村田制作所 弹性波装置
WO2023282264A1 (ja) * 2021-07-08 2023-01-12 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023286605A1 (ja) * 2021-07-13 2023-01-19 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN117678159A (zh) * 2021-07-20 2024-03-08 株式会社村田制作所 弹性波装置及其制造方法
WO2023002824A1 (ja) * 2021-07-20 2023-01-26 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023002790A1 (ja) * 2021-07-21 2023-01-26 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023013694A1 (ja) * 2021-08-03 2023-02-09 株式会社村田製作所 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法
WO2023017780A1 (ja) * 2021-08-11 2023-02-16 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023048256A1 (ja) * 2021-09-27 2023-03-30 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023090434A1 (ja) * 2021-11-19 2023-05-25 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023100608A1 (ja) * 2021-12-01 2023-06-08 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023136293A1 (ja) * 2022-01-13 2023-07-20 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023136294A1 (ja) * 2022-01-14 2023-07-20 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023140272A1 (ja) * 2022-01-19 2023-07-27 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023140354A1 (ja) * 2022-01-21 2023-07-27 株式会社村田製作所 弾性波装置及びフィルタ装置
WO2023157958A1 (ja) * 2022-02-18 2023-08-24 株式会社村田製作所 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法
WO2023167316A1 (ja) * 2022-03-04 2023-09-07 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023190610A1 (ja) * 2022-03-28 2023-10-05 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023190656A1 (ja) * 2022-03-29 2023-10-05 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023190700A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023195523A1 (ja) * 2022-04-08 2023-10-12 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023210764A1 (ja) * 2022-04-28 2023-11-02 株式会社村田製作所 弾性波素子および弾性波装置
WO2023219167A1 (ja) * 2022-05-13 2023-11-16 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2024029610A1 (ja) * 2022-08-03 2024-02-08 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2024043299A1 (ja) * 2022-08-25 2024-02-29 株式会社村田製作所 弾性波装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101067395B1 (ko) * 2003-11-21 2011-09-27 파나소닉 주식회사 탄성 표면파 필터
JP5179530B2 (ja) * 2009-03-03 2013-04-10 日本電波工業株式会社 弾性波デバイス及び電子部品
FI123640B (fi) 2010-04-23 2013-08-30 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Laajakaistainen akustisesti kytketty ohutkalvo-BAW-suodin
JP5835329B2 (ja) * 2011-07-29 2015-12-24 株式会社村田製作所 圧電デバイス、および、圧電デバイスの製造方法
JP6288110B2 (ja) 2013-12-27 2018-03-07 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP6358341B2 (ja) 2014-12-18 2018-07-18 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
US10530327B2 (en) 2015-08-25 2020-01-07 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Surface acoustic wave (SAW) resonator
FR3042649B1 (fr) 2015-10-20 2019-06-21 Soitec Procede de fabrication d'une structure hybride
FR3053532B1 (fr) * 2016-06-30 2018-11-16 Soitec Structure hybride pour dispositif a ondes acoustiques de surface
JP2019062441A (ja) 2017-09-27 2019-04-18 株式会社村田製作所 弾性波装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP7103528B2 (ja) 2022-07-20
WO2021060513A1 (ja) 2021-04-01
US11621688B2 (en) 2023-04-04
US20220216844A1 (en) 2022-07-07
KR20220044383A (ko) 2022-04-07
KR102479702B1 (ko) 2022-12-21
JPWO2021060513A1 (zh) 2021-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114467258A (zh) 弹性波装置
US20220216392A1 (en) Acoustic wave device
EP2128982A1 (en) Elastic wave device
CN102484467B (zh) 弹性波元件、和其使用的双工器及电子设备
CN111010130B (zh) 带温补层和电学层的体声波谐振器、滤波器及电子设备
US20220216845A1 (en) Acoustic wave device
US11799443B2 (en) Acoustic wave device
WO2021060508A1 (ja) 弾性波装置
KR20080009227A (ko) 탄성경계파 필터장치
US20220216854A1 (en) Acoustic wave device
JP5083469B2 (ja) 弾性表面波装置
US20220224305A1 (en) Acoustic wave device
CN112910433A (zh) 横向激励剪切模式的声学谐振器
US20230261634A1 (en) Acoustic wave device and ladder filter
CN111245392B (zh) 声波装置、滤波器和多路复用器
CN215072338U (zh) 一种厚度方向激励剪切模式的声学谐振器
US8222973B2 (en) Elastic wave resonator, ladder filter and duplexer
WO2023248636A1 (ja) 弾性波装置
CN215072337U (zh) 一种横向激励剪切模式的声学谐振器
CN215871345U (zh) 一种声波器件以及一种滤波装置
KR102670034B1 (ko) 탄성파 장치
WO2023140354A1 (ja) 弾性波装置及びフィルタ装置
CN114285390A (zh) 厚度方向激励剪切模式的声学谐振器
CN116961616A (zh) 单晶压电薄膜体声波谐振器、滤波器以及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination