WO2023190610A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2023190610A1
WO2023190610A1 PCT/JP2023/012689 JP2023012689W WO2023190610A1 WO 2023190610 A1 WO2023190610 A1 WO 2023190610A1 JP 2023012689 W JP2023012689 W JP 2023012689W WO 2023190610 A1 WO2023190610 A1 WO 2023190610A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
piezoelectric layer
wave device
electrode fingers
space
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/012689
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
徹 山路
直 山崎
博也 鈴木
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • the present disclosure relates to an elastic wave device.
  • Patent Document 1 describes an elastic wave device.
  • a through hole may be provided in the piezoelectric layer for the purpose of etching a sacrificial layer for forming a space between the support substrate and the piezoelectric layer.
  • the displacement of the piezoelectric layer in the portion that overlaps with the space interferes with the displacement of the piezoelectric layer around the through hole, so that cracks may occur in the piezoelectric layer starting from the through hole.
  • the present disclosure is intended to solve the above-mentioned problems, and aims to suppress the occurrence of cracks in the piezoelectric layer.
  • An elastic wave device includes a support member having a support substrate, a piezoelectric layer provided in a first direction of the support member that is a thickness direction of the support substrate, and a piezoelectric layer provided in the first direction of the piezoelectric layer. and a reinforcing film provided in the first direction of the piezoelectric layer, and the space is open to the piezoelectric layer side in the first direction in the support member. and an extraction passage extending outward from an edge in a second direction intersecting the first direction in the space, and located at a position that does not overlap with the functional electrode when viewed in plan in the first direction.
  • At least one through hole is arranged and communicates with the extraction passage and penetrates the piezoelectric layer, and the reinforcing film has a region between the through hole and the space when viewed in plan in the first direction.
  • the piezoelectric layer and the lead-out passage are provided so as to overlap at least a portion of an overlapping region.
  • FIG. 1A is a perspective view showing the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion taken along line II-II in FIG. 1A.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through a piezoelectric layer in a comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining a thickness shear primary mode bulk wave propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of the bulk wave of the thickness shear primary mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 1A is a perspective view showing the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion taken along line II-
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 6 shows that in the acoustic wave device of the first embodiment, when p is the distance between the centers of adjacent electrodes or the average distance between the centers, and d is the average thickness of the piezoelectric layer, d/2p and the resonator.
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing an example in which a pair of electrodes are provided in the acoustic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of the resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 9 shows the fractional band of the elastic wave device of the first embodiment when a large number of elastic wave resonators are configured, and the amount of phase rotation of spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of spurious.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional band.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing an example of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV.
  • FIG. 15 is a schematic plan view showing an example of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 16 is a schematic plan view showing an example of an elastic wave device according to the third embodiment.
  • FIG. 17 is a schematic plan view showing a first modification of the elastic wave device according to the third embodiment.
  • FIG. 18 is a schematic plan view showing a second modification of the elastic wave device according to the third embodiment.
  • FIG. 19 is a schematic plan view showing an example of an elastic wave device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view taken along line XX-XX in FIG. 19.
  • FIG. 1A is a perspective view showing the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • the elastic wave device 1 of the first embodiment has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may be made of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is a Z cut in the first embodiment.
  • the cut angle of LiNbO 3 or LiTaO 3 may be a rotational Y cut or an X cut.
  • the propagation directions of Y propagation and X propagation are ⁇ 30°.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, but is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less in order to effectively excite the thickness shear primary mode.
  • the piezoelectric layer 2 has a first main surface 2a and a second main surface 2b facing each other in the Z direction. Electrode fingers 3 and electrode fingers 4 are provided on the first main surface 2a.
  • the electrode finger 3 is an example of a "first electrode finger”
  • the electrode finger 4 is an example of a "second electrode finger”.
  • the plurality of electrode fingers 3 are a plurality of "first electrode fingers” connected to the first bus bar 5.
  • the plurality of electrode fingers 4 are a plurality of "second electrode fingers” connected to the second bus bar 6.
  • the plurality of electrode fingers 3 and the plurality of electrode fingers 4 are inserted into each other.
  • an IDT (Interdigital Transducer) electrode including the electrode finger 3, the electrode finger 4, the first bus bar 5, and the second bus bar 6 is configured.
  • the electrode fingers 3 and 4 have a rectangular shape and have a length direction. In the direction orthogonal to this length direction, the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 adjacent to the electrode fingers 3 are opposed to each other.
  • the length direction of the electrode fingers 3 and 4 and the direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 are directions intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2. Therefore, it can be said that the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 adjacent to the electrode fingers 3 face each other in the direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the thickness direction of the piezoelectric layer 2 is the Z direction (or the first direction)
  • the length direction of the electrode fingers 3 and 4 is the Y direction (or the second direction)
  • the electrode fingers 3 and 4 are referred to as the Y direction (or the second direction).
  • the direction orthogonal to each other is referred to as the X direction (or the third direction).
  • the length direction of the electrode fingers 3 and 4 may be replaced with the direction perpendicular to the length directions of the electrode fingers 3 and 4 shown in FIGS. 1A and 1B. That is, in FIGS. 1A and 1B, the electrode fingers 3 and 4 may be extended in the direction in which the first bus bar 5 and the second bus bar 6 extend. In that case, the first bus bar 5 and the second bus bar 6 will extend in the direction in which the electrode fingers 3 and 4 extend in FIGS. 1A and 1B. Then, a pair of adjacent electrode fingers 3 connected to one potential and electrode fingers 4 connected to the other potential are arranged in a direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4. Multiple pairs are provided.
  • the electrode fingers 3 and 4 when the electrode fingers 3 and 4 are adjacent to each other, it does not mean that the electrode fingers 3 and 4 are arranged so as to be in direct contact with each other, but when the electrode fingers 3 and 4 are arranged with a gap between them. This refers to the case where the In addition, when the electrode fingers 3 and 4 are adjacent to each other, there are other electrodes between the electrode fingers 3 and 4 that are connected to the hot electrode or the ground electrode, including other electrode fingers 3 and 4. is not placed. This logarithm does not need to be an integer pair, and may be 1.5 pairs or 2.5 pairs.
  • the distance between the centers of the electrode fingers 3 and 4, that is, the pitch, is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the center-to-center distance between the electrode fingers 3 and 4 refers to the center of the width dimension of the electrode fingers 3 in a direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3, and the center of the width dimension of the electrode fingers 3 in a direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 4. This is the distance between the center of the width dimension of the electrode finger 4 in the direction shown in FIG.
  • the electrode fingers 3 and 4 when there are multiple electrode fingers 3 and at least one of the electrode fingers 4 (when the electrode fingers 3 and 4 are considered as one pair of electrode sets, there are 1.5 or more pairs of electrode sets), the electrode fingers 3.
  • the distance between the centers of the electrode fingers 4 refers to the average value of the distance between the centers of adjacent electrode fingers 3 and electrode fingers 4 among 1.5 or more pairs of electrode fingers 3 and electrode fingers 4.
  • the width of the electrode fingers 3 and 4 that is, the dimension in the opposing direction of the electrode fingers 3 and 4, is preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the center-to-center distance between the electrode fingers 3 and 4 is the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode fingers 3 in the direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and the length of the electrode fingers 4. This is the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode finger 4 in the direction orthogonal to this direction.
  • a direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 is a direction perpendicular to the polarization direction of the piezoelectric layer 2. This is not the case when a piezoelectric material having a different cut angle is used as the piezoelectric layer 2.
  • “orthogonal” is not limited to strictly orthogonal, but approximately orthogonal (for example, the angle between the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 and the polarization direction is 90° ⁇ 10°).
  • a support substrate 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with an intermediate layer 7 interposed therebetween.
  • the intermediate layer 7 and the support substrate 8 have a frame-like shape, and have openings 7a and 8a, as shown in FIG. As a result, a space (air gap) 9 is formed.
  • the space 9 is provided so as not to hinder the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2. Therefore, the support substrate 8 is laminated on the second main surface 2b with the intermediate layer 7 interposed therebetween at a position that does not overlap with the portion where at least one pair of electrode fingers 3 and 4 are provided. Note that the intermediate layer 7 may not be provided. Therefore, the support substrate 8 can be laminated directly or indirectly on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the intermediate layer 7 is made of silicon oxide.
  • the intermediate layer 7 can be formed of an appropriate insulating material such as silicon nitride, alumina, etc. in addition to silicon oxide.
  • the support substrate 8 is made of Si.
  • the plane orientation of the Si surface on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111).
  • Si has a high resistivity of 4 k ⁇ or more.
  • the support substrate 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material. Examples of materials for the support substrate 8 include aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and star. Various ceramics such as tite and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, semiconductors such as gallium nitride, etc. can be used.
  • the plurality of electrode fingers 3, electrode fingers 4, first bus bar 5, and second bus bar 6 are made of an appropriate metal or alloy such as Al or AlCu alloy.
  • the electrode finger 3, the electrode finger 4, the first bus bar 5, and the second bus bar 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesive layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the plurality of electrode fingers 3 and the plurality of electrode fingers 4. More specifically, an AC voltage is applied between the first bus bar 5 and the second bus bar 6. Thereby, it is possible to obtain resonance characteristics using the bulk wave of the thickness shear primary mode excited in the piezoelectric layer 2.
  • d/p is set to be 0.5 or less. Therefore, the bulk wave of the thickness shear primary mode is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the electrode fingers 3 and 4 are When there are 1.5 or more pairs of electrode fingers 4, the distance between the centers of adjacent electrode fingers 3 and 4 is the average distance between the centers of each adjacent electrode finger 3 and electrode finger 4.
  • the elastic wave device 1 of the first embodiment has the above configuration, even if the logarithms of the electrode fingers 3 and 4 are made smaller in an attempt to achieve miniaturization, the Q value is unlikely to decrease. This is because the resonator does not require reflectors on both sides and has little propagation loss. Further, the reason why the reflector is not required is because the bulk wave of the thickness shear first mode is used.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating in a piezoelectric layer of a comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining a thickness shear primary mode bulk wave propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of the bulk wave of the thickness shear primary mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 3A shows an elastic wave device as described in Patent Document 1, in which Lamb waves propagate through a piezoelectric layer.
  • waves propagate in the piezoelectric layer 201 as indicated by arrows.
  • the piezoelectric layer 201 has a first main surface 201a and a second main surface 201b, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers 3 and 4 of the IDT electrode are lined up.
  • the Lamb wave the wave propagates in the X direction as shown.
  • the piezoelectric layer 201 vibrates as a whole, but since the wave propagates in the X direction, reflectors are placed on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, wave propagation loss occurs, and when miniaturization is attempted, that is, when the number of logarithms of electrode fingers 3 and 4 is decreased, the Q value decreases.
  • the vibration displacement is in the thickness sliding direction, so the waves are generated between the first principal surface 2a and the second principal surface of the piezoelectric layer 2. It propagates almost in the direction connecting the surface 2b, that is, in the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. Since resonance characteristics are obtained by the propagation of waves in the Z direction, a reflector is not required. Therefore, no propagation loss occurs when propagating to the reflector. Therefore, even if the number of pairs of electrodes consisting of the electrode fingers 3 and 4 is reduced in an attempt to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • the amplitude direction of the bulk wave of the thickness shear primary mode is the first region 251 included in the excitation region C (see FIG. 1B) of the piezoelectric layer 2 and the first region 251 included in the excitation region C.
  • the second area 252 is the opposite.
  • FIG. 4 schematically shows a bulk wave when a voltage is applied between the electrode fingers 3 and 4 such that the electrode fingers 4 have a higher potential than the electrode fingers 3.
  • the first region 251 is a region of the excitation region C between a virtual plane VP1 that is perpendicular to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and bisects the piezoelectric layer 2, and the first main surface 2a.
  • the second region 252 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second principal surface 2b.
  • the elastic wave device 1 at least one pair of electrodes consisting of an electrode finger 3 and an electrode finger 4 are disposed, but since the wave is not propagated in the X direction, There does not necessarily have to be a plurality of pairs of electrodes. That is, it is only necessary that at least one pair of electrodes be provided.
  • the electrode finger 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode finger 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • the electrode finger 3 may be connected to the ground potential
  • the electrode finger 4 may be connected to the hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential, as described above, and no floating electrode is provided.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • the design parameters of the elastic wave device 1 that obtained the resonance characteristics shown in FIG. 5 are as follows.
  • Piezoelectric layer 2 LiNbO 3 with Euler angles (0°, 0°, 90°) Thickness of piezoelectric layer 2: 400 nm
  • Length of excitation region C (see Figure 1B): 40 ⁇ m Number of pairs of electrodes consisting of electrode fingers 3 and 4: 21 pairs Center-to-center distance (pitch) between electrode fingers 3 and 4: 3 ⁇ m Width of electrode fingers 3 and 4: 500 nm d/p: 0.133
  • Support substrate 8 Si
  • the excitation region C (see FIG. 1B) is a region where the electrode fingers 3 and 4 overlap when viewed in the X direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and 4. .
  • the length of the excitation region C is a dimension along the length direction of the electrode fingers 3 and 4 of the excitation region C.
  • the excitation region C is an example of a "crossing region.”
  • the center-to-center distances of the electrode pairs consisting of the electrode fingers 3 and 4 were all made equal. That is, the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 were arranged at equal pitches.
  • d/p is 0.5 or less, more preferably 0. .24 or less. This will be explained with reference to FIG.
  • FIG. 6 shows d/2p and the resonator in the acoustic wave device of the first embodiment, where p is the distance between the centers of adjacent electrodes or the average distance between the centers, and d is the average thickness of the piezoelectric layer 2.
  • At least one pair of electrodes may be one pair, and in the case of one pair of electrodes, the above p is the distance between the centers of adjacent electrode fingers 3 and 4. Furthermore, in the case of 1.5 or more pairs of electrodes, the average distance between the centers of adjacent electrode fingers 3 and 4 may be set to p.
  • the thickness d of the piezoelectric layer 2 if the piezoelectric layer 2 has thickness variations, a value obtained by averaging the thicknesses may be adopted.
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing an example in which a pair of electrodes are provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • a pair of electrodes including electrode fingers 3 and electrode fingers 4 are provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • K in FIG. 7 is the intersection width.
  • the number of pairs of electrodes may be one. Even in this case, if the above-mentioned d/p is 0.5 or less, the bulk wave of the thickness shear primary mode can be excited effectively.
  • excitation is an area where any of the adjacent electrode fingers 3 and electrode fingers 4 overlap when viewed in the direction in which they are facing each other. It is desirable that the metallization ratio MR of the adjacent electrode fingers 3 and 4 with respect to the region C satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. In that case, spurious can be effectively reduced. This will be explained with reference to FIGS. 8 and 9.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of the resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • a spurious signal indicated by arrow B appears between the resonant frequency and the anti-resonant frequency.
  • d/p 0.08 and the Euler angles of LiNbO 3 (0°, 0°, 90°).
  • the metallization ratio MR was set to 0.35.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 1B.
  • This excitation region C refers to the electrode finger that overlaps the electrode finger 4 when the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are viewed in a direction perpendicular to the length direction of the electrode finger 3 and the electrode finger 4, that is, in the opposite direction. 3, a region of the electrode finger 4 overlapping with the electrode finger 3, and a region between the electrode finger 3 and the electrode finger 4 where the electrode finger 3 and the electrode finger 4 overlap.
  • the area of the electrode fingers 3 and 4 in the excitation region C with respect to the area of the excitation region C becomes the metallization ratio MR. That is, the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallized portion to the area of the excitation region C.
  • the ratio of the metallized portion included in the entire excitation region C to the total area of the excitation region C may be taken as MR.
  • FIG. 9 shows the fractional band of the elastic wave device of the first embodiment when a large number of elastic wave resonators are configured, and the amount of phase rotation of spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of spurious.
  • FIG. 9 shows the results when using the Z-cut piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 , the same tendency occurs even when piezoelectric layers 2 having other cut angles are used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more will affect the pass band even if the parameters that make up the fractional band are changed. Appear within. That is, as in the resonance characteristics shown in FIG. 8, a large spurious signal indicated by arrow B appears within the band. Therefore, it is preferable that the fractional band is 17% or less. In this case, by adjusting the thickness of the piezoelectric layer 2, the dimensions of the electrode fingers 3, 4, etc., the spurious can be reduced.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional band.
  • various elastic wave devices 1 having different d/2p and MR were configured, and the fractional bands were measured.
  • the hatched area on the right side of the broken line D in FIG. 10 is a region where the fractional band is 17% or less.
  • the fractional band can be reliably set to 17% or less.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • the hatched areas in FIG. 11 are regions where a fractional band of at least 5% or more can be obtained. When the range of the region is approximated, it becomes the range expressed by the following equations (1), (2), and (3).
  • the fractional band can be made sufficiently wide, which is preferable.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • the outer periphery of the space 9 is indicated by a broken line.
  • the elastic wave device of the present disclosure may utilize plate waves.
  • the elastic wave device 301 includes reflectors 310 and 311.
  • the reflectors 310 and 311 are provided on both sides of the electrode fingers 3 and 4 of the piezoelectric layer 2 in the elastic wave propagation direction.
  • a Lamb wave as a plate wave is excited.
  • the reflectors 310 and 311 are provided on both sides, resonance characteristics due to Lamb waves as plate waves can be obtained.
  • the elastic wave devices 1 and 101 utilize bulk waves in the primary thickness shear mode.
  • the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 are adjacent electrodes, and the thickness of the piezoelectric layer 2 is d, and the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 are adjacent electrodes.
  • d/p is set to be 0.5 or less.
  • the piezoelectric layer 2 is formed of lithium niobate or lithium tantalate.
  • the first main surface 2a or the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 has a first electrode finger 3 and a second electrode finger 4 facing each other in a direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2. It is desirable to cover the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 with a protective film.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing an example of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV.
  • the acoustic wave device 1A according to the first embodiment includes a support member 80, a piezoelectric layer 2, a functional electrode 30, a reinforcing film 14, and a protective film 19.
  • the elastic wave device 1A has a plurality of resonators R1 to R3.
  • each of the plurality of resonators R1 to R3 has one functional electrode 30.
  • the support member 80 has a support substrate 8.
  • the support member 80 includes the intermediate layer 7 and the support substrate 8.
  • the intermediate layer 7 is provided in the Z direction of the support substrate 8.
  • the support member 80 has a space 91 and a pullout passage 92.
  • the space 91 and the extraction passage 92 are spaces that are open to the piezoelectric layer 2 side of the support member 80.
  • the space 91 and the extraction passage 92 are located in the intermediate layer 7.
  • the space 91 and the extraction passage 92 penetrate the intermediate layer 7 in the Z direction. That is, it can be said that the space 91 and the extraction passage 92 are spaces between the piezoelectric layer 2 and the support substrate 8.
  • the space 91 and the extraction passage 92 are not limited to penetrating the intermediate layer 7 in the Z direction, and may be spaces on the piezoelectric layer 2 side of the intermediate layer 7.
  • the space 91 is a space for not disturbing the vibrations of the excitation regions of the resonators R1 to R3.
  • a plurality of spaces 91 are provided so as to be lined up in the X direction.
  • the space portions 91 are provided at positions overlapping at least a portion of the functional electrodes 30 of the resonators R1 to R3 when viewed from above in the Z direction.
  • the shape of the edge of the space 91 is rectangular.
  • the edge of the space 91 refers to a boundary between an area that overlaps with the space 91 and an area that does not overlap when viewed in plan in the Z direction.
  • the shape of the edge of the space 91 is rectangular means that the edge of the space 91 has two sides extending in the same direction and two sides extending in a direction orthogonal to the sides, For example, as shown in FIG. 13, the apex may be rounded.
  • the shape of the space 91 is a rectangle having edges in the Y direction (edges on both sides in the Y direction) and edges in the X direction (edges on both sides in the X direction).
  • the space 91 closest to the intersection of the X-direction edge and the Y-direction edge of the space 91 or the intersection of the extended line of the X-direction edge and the Y-direction edge of the space 91 will be described below.
  • a point on the edge will be described as a corner 91a. That is, the corner 91a is a point corresponding to the apex of the rectangle of the space 91.
  • the extraction passage 92 is a space extending outside the edge of the space 91 in the Y direction.
  • the pull-out passage 92 is a space that also extends outside the edge of the space 91 in the X direction. That is, one pullout passage 92 is provided on each side of the corner 91a of the space 91 that faces in a direction parallel to the Z direction.
  • the pull-out passage 92 communicates with the space 91.
  • at least one pullout passage 92 communicates with another pullout passage 92 that communicates with another space 91 adjacent to the space 91 with which the pullout passage 92 communicates.
  • the spaces 91 adjacent to each other in the X direction communicate with each other by connecting the two extraction passages 92 to each other.
  • the pull-out passage 92 is connected to another pull-out passage 92 at the end opposite to the space 91 in the Y direction. That is, the spaces 91 adjacent to each other in the X direction are connected to each other via two drawer passages 92 connected in a V-shape extending in the Y direction.
  • the position where the drawer passages 92 are connected may be described as a connection position.
  • the piezoelectric layer 2 is provided in the Z direction of the support member 80.
  • the piezoelectric layer 2 is provided on the intermediate layer 7 side of the support member 80.
  • the surface of the piezoelectric layer 2 on the support member 80 side may be referred to as the second main surface 2b, and the surface opposite to the second main surface 2b in the Z direction may be referred to as the first main surface 2a. .
  • the piezoelectric layer 2 has a through hole 2H.
  • the through hole 2H is a hole that penetrates the piezoelectric layer 2 in the Z direction.
  • the through hole 2H is provided at a position that does not overlap with the functional electrode 30 when viewed from above in the Z direction.
  • the through hole 2H is provided so as not to overlap the functional electrode 30, the reinforcing film 14, and the protective film 19 when viewed from above in the Z direction. That is, in the example of FIG. 13, the support substrate 8 is exposed when viewed from the Z direction.
  • the through hole 2H communicates with the extraction passage 92 in the Z direction.
  • the through hole 2H is located at the end of the extraction passage 92 on the side opposite to the space 91 in the Y direction. Therefore, the through hole 2H is connected to the space 91 via the extraction passage 92.
  • a plurality of through holes 2H are provided, and each of the through holes 2H is provided in each of the extraction passages 92. In the example of FIG. 13, when viewed from above in the Z direction, the through hole 2H is connected in a straight line to the other through hole 2H via the extraction passage 92 and the space 91.
  • the through hole 2H is provided at the connection position of the two extraction passages 92. That is, the through hole 2H communicates with the plurality of spaces 91. Thereby, the through holes 2H can be shared by a plurality of spaces 91, so the number of through holes 2H can be reduced, and cracks in the piezoelectric layer 2 caused by the through holes 2H can be suppressed.
  • the through holes 2H can be shared by a plurality of spaces 91, so the number of through holes 2H can be reduced, and cracks in the piezoelectric layer 2 caused by the through holes 2H can be suppressed.
  • the through hole 2H is provided in the Y direction of the non-space area E.
  • the non-spatial area E refers to an area that is located between adjacent spaces 91 in the X direction and does not overlap with the spaces 91 when viewed from above in the Z direction. That is, there is no space 91 in the X direction and Y direction of the through hole 2H.
  • the through hole 2H and the space 91 are not adjacent to each other in the X direction and the Y direction, so that the displacement of the piezoelectric layer 2 at a position overlapping the space 91 when viewed from above in the Z direction is caused by the displacement of the piezoelectric layer 2 around the through hole 2H. Interference with the displacement of the piezoelectric layer 2 can be further suppressed, and generation of cracks in the piezoelectric layer 2 can be further suppressed.
  • the functional electrode 30 is an IDT electrode having electrode fingers 3 and 4 and bus bars 5 and 6.
  • the functional electrode 30 is provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • a plurality of functional electrodes 30 are provided and share the bus bars 5 and 6. That is, it can be said that the plurality of resonators R1 to R3 are resonators parallel to each other.
  • the reinforcing film 14 is provided on the first main surface 2a side with respect to the piezoelectric layer 2.
  • the reinforcing film 14 is thicker than the electrode fingers 3 and 4.
  • the reinforcing film 14 is located in a region between the through hole 2H and the space 91 in the Y direction when viewed from above in the Z direction, and overlaps at least a part of the region where the piezoelectric layer 2 and the extraction passage 92 overlap. It is set up like this.
  • the reinforcing film 14 is provided so as to surround each through hole 2H when viewed in plan in the Z direction.
  • the space between the through hole 2H and the space 91 is reinforced by the reinforcing film 14, so that the displacement of the piezoelectric layer 2 at the position overlapping the space 91 when viewed in plan in the Z direction will cause the piezoelectric layer around the through hole 2H to Interference with the displacement of the layer 2 can be suppressed, and generation of cracks in the piezoelectric layer 2 can be suppressed.
  • the reinforcing film 14 is a metal layer, and is made of an alloy of Al and Cu, for example. Further, the reinforcing film 14 is laminated on a portion of the bus bars 5 and 6 of the functional electrode 30. Thereby, the reinforcing film 14 can be electrically connected to the bus bars 5 and 6, and by connecting the reinforcing film 14 to a bump or the like, the conductive wire to the functional electrode 30 can be drawn out to the outside of the acoustic wave device 1A.
  • the reinforcing film 14 is provided so as to overlap the corner 91a of the space 91 when viewed from above in the Z direction.
  • the reinforcing film 14 is provided so as to overlap the edge of the space 91 in the Y direction when viewed from above in the Z direction.
  • the protective film 19 is a film provided on the functional electrode 30.
  • the protective film 19 is made of silicon oxide, for example.
  • the protective film 19 is provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2, the functional electrode 30, and the reinforcing film 14.
  • the elastic wave device 1A includes the support member 80 having the support substrate 8 and the support member 80 in the first direction (Z direction) which is the thickness direction of the support substrate 8.
  • the piezoelectric layer 2 includes a piezoelectric layer 2 provided, at least one functional electrode 30 provided in a first direction of the piezoelectric layer 2, and a reinforcing film 14 provided in a first direction of the piezoelectric layer 2.
  • the support member 80 includes a space 91 that is open toward the piezoelectric layer 2 side in the first direction, and a pull-out passage that extends outward from the edge of the space 91 in the second direction (Y direction) that intersects with the first direction. There is 92.
  • the reinforcing film 14 is provided in a region between the through hole 2H and the space 91 when viewed in plan in the first direction, and is provided so as to overlap at least a part of the region where the piezoelectric layer 2 and the extraction passage 92 overlap. ing.
  • the space between the through hole 2H and the space 91 is reinforced by the reinforcing film 14, so that the displacement of the piezoelectric layer 2 at the position overlapping the space 91 when viewed in plan in the Z direction will cause the piezoelectric layer around the through hole 2H to Interference with the displacement of the layer 2 can be suppressed, and generation of cracks in the piezoelectric layer 2 can be suppressed.
  • the functional electrode 30 faces one of the plurality of first electrode fingers 3 extending in the second direction and the plurality of first electrode fingers 3 in a third direction (X direction) orthogonal to the second direction. and a plurality of second electrode fingers 4 extending in the second direction, and the reinforcing film 14 is thicker than the first electrode fingers 3 and the second electrode fingers 4 in the first direction. It is a thick metal layer.
  • the space between the through hole 2H and the space 91 is further reinforced by the reinforcing film 14, so that the displacement of the piezoelectric layer 2 at the position overlapping the space 91 when viewed in plan in the Z direction is caused by the displacement of the piezoelectric layer 2 around the through hole 2H. Interference with the displacement of the piezoelectric layer 2 can be further suppressed, and generation of cracks in the piezoelectric layer 2 can be further suppressed.
  • the IDT electrode further includes a first bus bar 5 that electrically connects the plurality of first electrode fingers 3 and a second bus bar 6 that electrically connects the plurality of second electrode fingers 4.
  • the reinforcing film 14 may be a metal layer provided so as to partially overlap the first bus bar 5 and the second bus bar 6. Even in this case, the displacement of the piezoelectric layer 2 at the position overlapping the space 91 when viewed from above in the Z direction can be suppressed from interfering with the displacement of the piezoelectric layer 2 around the through hole 2H, and cracks occur in the piezoelectric layer 2. can be suppressed.
  • a desirable embodiment further includes a plurality of IDT electrodes and a plurality of spaces 91 overlapping each of the IDT electrodes, and the adjacent spaces 91 are connected to each other by connecting two extraction passages 92, and the through holes are connected to each other. 2H is in a connecting position where the two drawer passages 92 are connected when viewed in plan in the first direction.
  • the electrode further includes a plurality of IDT electrodes and a plurality of spaces 91 overlapping each of the IDT electrodes, and the through hole 2H is arranged in the second direction of the non-space region E between the adjacent spaces 91. ing.
  • the through hole 2H and the space 91 are not adjacent to each other in the X direction and the Y direction, so that the displacement of the piezoelectric layer 2 at a position overlapping the space 91 when viewed from above in the Z direction is caused by the displacement of the piezoelectric layer 2 around the through hole 2H. Interference with the displacement of the piezoelectric layer 2 can be further suppressed, and generation of cracks in the piezoelectric layer 2 can be further suppressed.
  • the space 91 is rectangular when viewed in plan in the first direction, and the reinforcing film 14 is provided so as to overlap the corner 91a of the space 91 in plan view in the first direction. Thereby, concentration of stress on the piezoelectric layer 2 is further relaxed, and cracks in the piezoelectric layer 2 can be further suppressed.
  • d/p is 0.5 or less, where d is the thickness of the piezoelectric layer 2 and p is the center-to-center distance between adjacent first electrode fingers 3 and second electrode fingers 4. This makes it possible to effectively excite bulk waves in the first-order thickness shear mode.
  • d/p is 0.24 or less.
  • it is configured to be able to utilize thickness-shear mode bulk waves. This makes it possible to provide an elastic wave device that increases the coupling coefficient and provides good resonance characteristics.
  • an area where adjacent first electrode fingers 3 and second electrode fingers 4 overlap when viewed in the opposing direction is an excitation area, and a plurality of first electrodes with respect to the excitation area
  • the metallization ratio of the finger 3 and the second electrode finger 4 is MR, MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075 is satisfied.
  • the piezoelectric layer 2 contains lithium niobate or lithium tantalate, and the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the lithium niobate or lithium tantalate constituting the piezoelectric layer 2 are expressed by the following formula ( 1), formula (2) or formula (3).
  • the fractional band can be reliably set to 17% or less.
  • FIG. 15 is a schematic plan view showing an example of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • an elastic wave device 1B according to the second embodiment differs from the first embodiment in that the reinforcing film 14 has a protrusion 14a.
  • an elastic wave device according to a second embodiment will be described with reference to the drawings, but the same parts as in the first embodiment will be designated by reference numerals and explanations will be omitted.
  • the protruding portion 14a is a portion that protrudes into the non-spatial region E when viewed from above in the Z direction. That is, the protruding portion 14a is a portion of the reinforcing film 14 on the functional electrode 30 side in the Y direction. The protrusion 14a overlaps the corner 91a of the space 91 when viewed from above in the Z direction. Thereby, concentration of stress on the piezoelectric layer 2 is alleviated, and cracks in the piezoelectric layer 2 can be suppressed.
  • the shape of the protrusion 14a is a partially curved shape. More specifically, the outer shape of the protruding portion 14a has a curved shape in which a portion of the protruding portion 14a is convex on the side opposite to the functional electrode 30 in the Y direction. In the example of FIG. 15, the outer shape of the protrusion 14a is a bell-shaped curve. More specifically, the outer shape of the protrusion 14a is a curve in which the center in the X direction is convex toward the functional electrode 30 in the Y direction, and both sides of the curve in the X direction are opposite to the functional electrode 30 in the Y direction. It is a convex curve.
  • the outer shape of the reinforcing film 14 and the edge of the space 9 are not perpendicular to each other, so that the concentration of stress on the piezoelectric layer 2 is further alleviated, and cracks in the piezoelectric layer 2 can be further suppressed.
  • the space portion 91 is rectangular when viewed in plan in the first direction, and the reinforcing film 14 has a protrusion portion that protrudes into the non-spatial region E.
  • the protrusion 14a overlaps the corner 91a of the space 91 when viewed in plan in the first direction. Even in this case, concentration of stress on the piezoelectric layer 2 is alleviated, and cracks in the piezoelectric layer 2 can be suppressed.
  • the protrusion 14a is partially curved when viewed in plan in the first direction.
  • the outer shape of the reinforcing film 14 and the edge of the space 9 are not perpendicular to each other, so that the concentration of stress on the piezoelectric layer 2 is further alleviated, and cracks in the piezoelectric layer 2 can be further suppressed.
  • FIG. 16 is a schematic plan view showing an example of an elastic wave device according to the third embodiment.
  • an elastic wave device 1C according to the third embodiment differs from the first embodiment in that a functional electrode 30A has meandering electrode fingers 3A and 4A.
  • a functional electrode 30A has meandering electrode fingers 3A and 4A.
  • an elastic wave device 1C according to a third embodiment will be described with reference to the drawings, but the same parts as in the first embodiment will be designated by reference numerals and explanations will be omitted.
  • the end connected to the bus bars 5 and 6 will be referred to as the base end
  • the end in the Y direction opposite to the base end of the electrode fingers 3A and 4A will be referred to as the end.
  • the tip is sometimes explained as the tip.
  • a direction perpendicular to the Z direction and intersecting the X and Y directions will be described as a fourth direction U1
  • a direction in which the vector component in the X direction is opposite to that in the fourth direction U1 will be described as a fifth direction U2.
  • the electrode finger 3A is a meander-shaped first electrode finger.
  • the electrode finger 4A is a second electrode finger having a meander shape. Meandering refers to extending between the proximal end and the distal end so as to alternately bend on one side and the other in a direction intersecting a straight line passing through the proximal end and the distal end.
  • the electrode fingers 3A, 4A are bent at least once from one side to the other in the X direction and at least once from the other side to one side in the X direction between the base end and the tip.
  • the electrode fingers 3A, 4A extend in the fourth direction U1 at least once between the base end and the distal end, change direction at the tip and extend in the fifth direction U2, and at least once in the fifth direction U2. After extending in the direction U2, it changes direction and extends in the fourth direction U1.
  • the path for the crack to reach the bus bars 5 and 6 is long, so that the crack can reach the bus bars 5 and 6 in the X direction. This can prevent the base ends of the electrode fingers 3A, 4A and the bus bars 5, 6 from being cut and disconnected.
  • the length direction of the electrode fingers 3A, 4A refers to the direction along the straight line passing through the base end and the distal end, that is, the Y direction. Therefore, in the functional electrode 30A according to FIG. 16, the excitation region C is defined as the excitation region C when the electrode fingers 3A and 4A are viewed in the X direction orthogonal to the Y direction, which is the length direction of the electrode fingers 3A and 4A.
  • the shapes of the electrode fingers 3A and 4A are zigzag. That is, in the electrode fingers 3A and 4A according to FIG. 16, there is a straight line between the points where the direction changes between the fourth direction U1 and the fifth direction U2.
  • the elastic wave device 1C according to the third embodiment has been described above, the elastic wave device according to the third embodiment is not limited to that shown in FIG. 16.
  • modified examples will be explained with reference to the drawings.
  • FIG. 17 is a schematic plan view showing a first modification of the elastic wave device according to the third embodiment.
  • the shapes of the first electrode fingers 3B and the second electrode fingers 4B according to the first modification are wavy. That is, the electrode fingers 3B and 4B according to the first modification include a curve between the points where the direction changes between the fourth direction U1 and the fifth direction U2. Thereby, it is possible to suppress concentration of stress at the point where the electrode fingers 3 and 4 of the piezoelectric layer 2 change direction between the fourth direction U1 and the fifth direction U2.
  • the crack takes a longer route to reach the bus bars 5 and 6, the crack reaches the bus bars 5 and 6 and spreads in the X direction, cutting the base ends of the electrode fingers 3A and 4A and the bus bars 5 and 6, resulting in disconnection. You can control what you do.
  • FIG. 18 is a schematic plan view showing a second modification of the elastic wave device according to the third embodiment.
  • a portion including the base end and a portion including the tip extend in the second direction
  • the base portion and the second electrode finger 4C extend in the second direction.
  • the portion between the ends in the Y direction has a meander shape.
  • the electrode fingers 3C and 4C have a shape that extends linearly in the Y direction from the base end, extends in a meandering shape, and extends linearly in the Y direction to the tip.
  • the shape of the electrode fingers 3C and 4C becomes meandering only in the portion that overlaps with the central portion of the space portion 91 in the Y direction when viewed from above in the Z direction.
  • the path for the crack to reach the bus bars 5 and 6 is long, so the crack reaches the bus bars 5 and 6 and spreads in the X direction. , disconnection of the electrode fingers 3A, 4A can be suppressed.
  • the length of the space 91 in the X direction may be greater than the length in the Y direction.
  • cracks are likely to occur in the piezoelectric layer 2 at a portion that overlaps with the central portion of the space 91 in the Y direction when viewed from above in the Z direction, but since the functional electrode includes meandering electrode fingers, , disconnection of the electrode fingers can be suppressed.
  • the functional electrode 30A is connected to the first bus bar 5, the second bus bar 6 facing the first bus bar 5 in the second direction, and the functional electrode 30A to A plurality of first electrode fingers 3 have their base ends connected to one bus bar 5 and have their tips facing in a second direction with respect to the first bus bar 5;
  • This is an IDT electrode having a plurality of second electrode fingers 4 whose tips are provided in a second direction with respect to the second bus bar 6, and a plurality of first electrode fingers 3 and a plurality of second electrode fingers 4. At least one of them is a meandering electrode finger 3A, 4A extending so as to bend alternately on one side and the other side in a third direction (X direction) intersecting the second direction.
  • 3A and 4A are bent at least once from one side to the other in the third direction between the proximal end and the distal end, and are bent from the other side to one side at least once.
  • a crack occurs in the piezoelectric layer 2 at the end of the electrode fingers 3A, 4A in the X direction, even if the crack spreads in the direction in which the electrode fingers 3A, 4A extend, the Since the spread of the crack stops at the point where the direction changes, the crack spreads in the Y direction at the base end of the electrode fingers 3A, 4A, thereby preventing the electrode fingers 3A, 4A from breaking.
  • the meandering electrode fingers 3A, 4A may have a zigzag shape. Even in this case, since it is possible to suppress the crack from spreading, it is possible to suppress the electrode fingers 3A, 4A from being disconnected.
  • the meandering electrode fingers 3B and 4B have a waveform shape. Thereby, it is possible to suppress concentration of stress at the point where the electrode fingers 3 and 4 of the piezoelectric layer 2 change direction between the fourth direction U1 and the fifth direction U2.
  • the crack since the crack takes a longer route to reach the bus bars 5 and 6, the crack reaches the bus bars 5 and 6 and spreads in the X direction, cutting the base ends of the electrode fingers 3A and 4A and the bus bars 5 and 6, resulting in disconnection. You can control what you do.
  • the meandering electrode fingers 3C and 4C may have a portion including the base end and a portion including the tip extending in the second direction. Even in this case, since it is possible to suppress the crack from spreading, it is possible to suppress the electrode fingers 3A, 4A from being disconnected.
  • the length of the space 91 in the third direction may be larger than the length in the second direction. Even in this case, since it is possible to suppress the crack from spreading, it is possible to suppress the electrode fingers 3A, 4A from being disconnected.
  • FIG. 19 is a schematic plan view showing an example of an elastic wave device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view taken along line XX-XX in FIG. 19.
  • the elastic wave device 1F according to the fourth embodiment differs from the first embodiment in that it is a device that uses bulk waves, that is, a BAW (Bulk Acoustic Wave) element.
  • BAW Bulk Acoustic Wave
  • the piezoelectric layer 2 includes single crystal lithium niobate or lithium tantalate. This allows good use of bulk waves.
  • the functional electrode 30D includes an upper electrode 31 and a lower electrode 32.
  • the upper electrode 31 is a plate-shaped electrode provided on the first main surface 2 a of the piezoelectric layer 2 .
  • the lower electrode 32 is a plate-shaped electrode provided on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the excitation region refers to a region where the upper electrode 31 and the lower electrode 32 overlap when viewed in plan in the Z direction.
  • the upper electrode 31 is provided between the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 and the reinforcing film 14.
  • the lower electrode 32 is provided between the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 and the support member 80.
  • the reinforcing film 14 is provided on the first main surface 2a side with respect to the piezoelectric layer 2 and on the opposite side of the piezoelectric layer 2 of the upper electrode 31.
  • the reinforcing film 14 is thicker than the upper electrode 31 and the lower electrode 32. Thereby, it is possible to suppress the generation of cracks in the piezoelectric layer 2.
  • the functional electrode 30D includes the upper electrode 31 provided on one main surface (first main surface 2a) of the piezoelectric layer 2, and a lower electrode 32 provided on the other main surface (second main surface 2b).
  • Piezoelectric layer 2 includes single crystal lithium niobate or lithium tantalate.
  • the reinforcing film 14 is a metal layer that is thicker than the thickness of the upper electrode 31 and the lower electrode 32 in the first direction. Thereby, generation of cracks in the piezoelectric layer 2 can be suppressed.

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Abstract

圧電層のクラックを抑制する。支持基板を有する支持部材と、支持部材の、支持基板の厚み方向である第１方向に、設けられた圧電層と、圧電層の第１方向に設けられる少なくとも１つの機能電極と、圧電層の第１方向に設けられた補強膜と、を備える。支持部材に、第１方向の圧電層側に開口している空間部と、空間部における、第１方向に交差する第２方向の縁よりも外側に延びる引き出し通路と、がある。第１方向に平面視して、機能電極とは重ならない位置に配置され、引き出し通路と連通し、圧電層を貫通する少なくとも１つの貫通孔がある。補強膜は、第１方向に平面視して、貫通孔と空間部の間の領域にあって、圧電層と引き出し通路とが重なる領域の少なくとも一部に重なるように設けられている。

Description

弾性波装置
　本開示は、弾性波装置に関する。
　特許文献１には、弾性波装置が記載されている。
特開２０１２－２５７０１９号公報
　特許文献１に示す弾性波装置において、圧電層に、支持基板と圧電層との間の空間部を形成するための犠牲層をエッチングする目的で、貫通孔を設ける場合がある。この場合、空間部と重なる部分の圧電層の変位が、貫通孔周辺の圧電層の変位に干渉することで、圧電層に貫通孔を起点とするクラックが発生する可能性があった。
　本開示は、上述した課題を解決するものであり、圧電層のクラックの発生を抑制することを目的とする。
　一態様に係る弾性波装置は、支持基板を有する支持部材と、前記支持部材の、前記支持基板の厚み方向である第１方向に、設けられた圧電層と、前記圧電層の前記第１方向に設けられる少なくとも１つの機能電極と、前記圧電層の前記第１方向に設けられた補強膜と、を備え、前記支持部材に、前記第１方向の前記圧電層側に開口している空間部と、前記空間部における、前記第１方向に交差する第２方向の縁よりも外側に延びる引き出し通路と、があり、前記第１方向に平面視して、前記機能電極とは重ならない位置に配置され、前記引き出し通路と連通し、前記圧電層を貫通する少なくとも１つの貫通孔があり、前記補強膜は、前記第１方向に平面視して、前記貫通孔と前記空間部の間の領域にあって、前記圧電層と前記引き出し通路とが重なる領域の少なくとも一部に重なるように設けられている。
　本開示によれば、圧電層のクラックの発生を抑制することができる。
図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。 図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。 図２は、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿う部分の断面図である。 図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。 図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。 図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。 図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。 図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。 図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す模式的な平面図である。 図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。 図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。 図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。 図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。 図１２は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。 図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な平面図である。 図１４は、ＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿った断面図である。 図１５は、第２実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な平面図である。 図１６は、第３実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な平面図である。 図１７は、第３実施形態に係る弾性波装置の第１変形例を示す模式的な平面図である。 図１８は、第３実施形態に係る弾性波装置の第２変形例を示す模式的な平面図である。 図１９は、第４実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な平面図である。 図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿った断面図である。
　以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本開示が限定されるものではない。なお、本開示に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である変形例や第２実施形態以降では第１実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
　（第１実施形態）
　図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。
　第１実施形態の弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、第１実施形態では、Ｚカットである。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。
　圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下が好ましい。
　圧電層２は、Ｚ方向に対向し合う第１の主面２ａと、第２の主面２ｂとを有する。第１の主面２ａ上に、電極指３及び電極指４が設けられている。
　ここで電極指３が「第１の電極指」の一例であり、電極指４が「第２の電極指」の一例である。図１Ａ及び図１Ｂでは、複数の電極指３は、第１のバスバー５に接続されている複数の「第１の電極指」である。複数の電極指４は、第２のバスバー６に接続されている複数の「第２の電極指」である。複数の電極指３及び複数の電極指４は、互いに間挿し合っている。これにより、電極指３と、電極指４と、第１のバスバー５と、第２のバスバー６と、を備えるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極が構成される。
　電極指３及び電極指４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極指３と、電極指３と隣接する電極指４とが対向している。電極指３、４の長さ方向及び電極指３、４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極指３と、電極指３と隣接する電極指４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。以下の説明では、圧電層２の厚み方向をＺ方向（又は第１方向）とし、電極指３、電極指４の長さ方向をＹ方向（又は第２方向）とし、電極指３、電極指４の直交する方向をＸ方向（又は第３方向）として、説明することがある。
　また、電極指３、電極指４の長さ方向が図１Ａ及び図１Ｂに示す電極指３、電極指４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、第１のバスバー５及び第２のバスバー６が延びている方向に電極指３、電極指４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー５及び第２のバスバー６は、図１Ａ及び図１Ｂにおいて電極指３、電極指４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極指３と、他方電位に接続される電極指４とが隣り合う１対の構造が、上記電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。
　ここで電極指３と電極指４とが隣り合うとは、電極指３と電極指４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極指３と電極指４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極指３と電極指４とが隣り合う場合、電極指３と電極指４との間には、他の電極指３、電極指４を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対、２．５対等であってもよい。
　電極指３と電極指４との間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極指３と電極指４との間の中心間距離とは、電極指３の長さ方向と直交する方向における電極指３の幅寸法の中心と、電極指４の長さ方向と直交する方向における電極指４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。
　さらに、電極指３、電極指４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極指３、電極指４を一対の電極組とした場合に、１．５対以上の電極組がある場合）、電極指３、電極指４の中心間距離は、１．５対以上の電極指３、電極指４のうち隣り合う電極指３、電極指４それぞれの中心間距離の平均値を指す。
　また、電極指３、電極指４の幅、すなわち電極指３、電極指４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極指３と電極指４との間の中心間距離とは、電極指３の長さ方向と直交する方向における電極指３の寸法（幅寸法）の中心と、電極指４の長さ方向と直交する方向における電極指４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、第１実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、中間層７を介して支持基板８が積層されている。中間層７及び支持基板８は、枠状の形状を有し、図２に示すように、開口部７ａ、８ａを有する。それによって、空間部（エアギャップ）９が形成されている。
　空間部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持基板８は、少なくとも１対の電極指３、電極指４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに中間層７を介して積層されている。なお、中間層７は設けられずともよい。従って、支持基板８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接又は間接に積層され得る。
　中間層７は、酸化ケイ素で形成されている。もっとも、中間層７は、酸化ケイ素の他、窒化ケイ素、アルミナ等の適宜の絶縁性材料で形成することができる。
　支持基板８は、Ｓｉにより形成されている。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持基板８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持基板８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ダイヤモンド、ガラス等の誘電体、窒化ガリウム等の半導体等を用いることができる。
　上記複数の電極指３、電極指４及び第１のバスバー５、第２のバスバー６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金等の適宜の金属又は合金からなる。第１実施形態では、電極指３、電極指４及び第１のバスバー５、第２のバスバー６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極指３と、複数の電極指４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー５と第２のバスバー６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。
　また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極指３、電極指４のうちいずれかの隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　なお、第１実施形態のように電極指３、電極指４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極指３、電極指４を１対の電極組とした場合に電極指３、電極指４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離は、各隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離の平均距離となる。
　第１実施形態の弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極指３、電極指４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。
　図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。
　図３Ａでは、特許文献１に記載のような弾性波装置であり、圧電層をラム波が伝搬する。図３Ａに示すように、圧電層２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電層２０１には、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとがあり、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指３、４が並んでいる方向である。図３Ａに示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電層２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指３、４の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図３Ｂに示すように、第１実施形態の弾性波装置では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極指３、電極指４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２の励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）に含まれる第１領域２５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域２５２とで逆になる。図４では、電極指３と電極指４との間に、電極指４が電極指３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域２５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域２５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　弾性波装置１では、電極指３と電極指４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極指３、電極指４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極指３がホット電位に接続される電極であり、電極指４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極指３がグラウンド電位に、電極指４がホット電位に接続されてもよい。第１実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極又はグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。なお、図５に示す共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下のとおりである。
　圧電層２：オイラー角（０°、０°、９０°）のＬｉＮｂＯ３
　圧電層２の厚み：４００ｎｍ
　励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）の長さ：４０μｍ
　電極指３、電極指４からなる電極の対数：２１対
　電極指３と電極指４との間の中心間距離（ピッチ）：３μｍ
　電極指３、電極指４の幅：５００ｎｍ
　ｄ／ｐ：０．１３３
　中間層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜
　支持基板８：Ｓｉ
　なお、励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）とは、電極指３と電極指４の長さ方向と直交するＸ方向に視たときに、電極指３と電極指４とが重なっている領域である。励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極指３、電極指４の長さ方向に沿う寸法である。ここで、励振領域Ｃとは、「交差領域」の一例である。
　第１実施形態では、電極指３、電極指４からなる電極対の中心間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極指３と電極指４とを等ピッチで配置した。
　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極指３と電極指４との電極の中心間距離をｐとした場合、第１実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。
　図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層２の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。
　図６に示すように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。
　また、圧電層２の厚みｄについても、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。
　図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す模式的な平面図である。弾性波装置１０１では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極指３と電極指４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。
　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極指３、電極指４において、いずれかの隣り合う電極指３、電極指４が対向している方向に視たときに重なっている領域である励振領域Ｃに対する、上記隣り合う電極指３、電極指４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図８及び図９を参照して説明する。
　図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、０°、９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１Ｂを参照して説明する。図１Ｂの電極構造において、１対の電極指３、電極指４に着目した場合、この１対の電極指３、電極指４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が励振領域Ｃとなる。この励振領域Ｃとは、電極指３と電極指４とを、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに、電極指４と重なり合っている電極指３の領域、電極指３と重なり合っている電極指４の領域及び電極指３と電極指４とが重なり合っている電極指３と電極指４との間の領域である。そして、この励振領域Ｃの面積に対する、励振領域Ｃ内の電極指３及び電極指４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域Ｃの面積に対する比である。
　なお、複数対の電極指３、電極指４が設けられている場合、励振領域Ｃの面積の合計に対する全励振領域Ｃに含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。なお、比帯域については、圧電層２の膜厚や電極指３、電極指４の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層２を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極指３、電極指４の寸法等を調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。第１実施形態の弾性波装置１において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置１を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域である。領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）又は（０°±１０°、２０°～８０°、｛１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２｝～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、｛１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２｝～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
　従って、上記式（１）、式（２）又は式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
　図１２は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。図１２において、空間部９の外周縁を破線で示す。本開示の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。この場合、図１２に示すように、弾性波装置３０１は、反射器３１０、３１１を有する。反射器３１０、３１１は、圧電層２の電極指３、４の弾性波伝搬方向両側に設けられる。弾性波装置３０１では、空間部９上の電極指３、４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。このとき、反射器３１０、３１１が両側に設けられているため、板波としてのラム波による共振特性を得ることができる。
　以上説明したように、弾性波装置１、１０１では、厚み滑り１次モードのバルク波が利用されている。また、弾性波装置１、１０１では、第１の電極指３及び第２の電極指４は隣り合う電極同士であり、圧電層２の厚みをｄ、第１の電極指３及び第２の電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。これにより、弾性波装置が小型化しても、Ｑ値を高めることができる。
　弾性波装置１、１０１では、圧電層２がニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムで形成されている。圧電層２の第１の主面２ａ又は第２の主面２ｂには、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向する第１の電極指３及び第２の電極指４があり、第１の電極指３及び第２の電極指４の上を保護膜で覆うことが望ましい。
　図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な平面図である。図１４は、ＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿った断面図である。図１３及び図１４に示すように、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａは、支持部材８０と、圧電層２と、機能電極３０と、補強膜１４と、保護膜１９と、を備える。
　図１３に示すように、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａは、複数の共振子Ｒ１～Ｒ３を有する。図１３の例では、複数の共振子Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ機能電極３０を１つずつ有する。
　支持部材８０は、支持基板８を有する。第１実施形態では、支持部材８０は、中間層７と支持基板８とを備える。中間層７は、支持基板８のＺ方向に設けられる。支持部材８０には、空間部９１と、引き出し通路９２とがある。
　空間部９１及び引き出し通路９２は、支持部材８０の圧電層２側に開口している空間である。第１実施形態では、空間部９１及び引き出し通路９２は、中間層７にある。図１４の例では、空間部９１及び引き出し通路９２は、中間層７をＺ方向に貫通する。すなわち、空間部９１及び引き出し通路９２は、圧電層２と支持基板８との間にある空間であるといえる。なお、空間部９１及び引き出し通路９２は、中間層７をＺ方向に貫通することに限られず、中間層７の圧電層２側にある空間であってもよい。
　空間部９１は、共振子Ｒ１～Ｒ３の励振領域の振動を妨げないようにするための空間である。第１実施形態では、空間部９１は、Ｘ方向に並ぶように複数設けられる。図１３の例では、空間部９１は、Ｚ方向に平面視して、共振子Ｒ１～Ｒ３の機能電極３０と少なくとも一部と重なる位置にそれぞれ設けられる。
　第１実施形態では、空間部９１の縁の形状は、矩形である。ここで、空間部９１の縁とは、Ｚ方向に平面視して、空間部９１と重なる領域と、空間部９１と重ならない領域の境界を指す。また、空間部９１の縁の形状が矩形であるとは、空間部９１の縁が、同方向に延びる２つの辺と、該辺と直交する方向に延びる２つの辺とを有することをいい、例えば、図１３のように、頂点が丸められているものを含む。図１３の例では、空間部９１の形状は、Ｙ方向の縁（Ｙ方向の両側にある縁）と、Ｘ方向の縁（Ｘ方向の両側にある縁）とを有する矩形である。以下、空間部９１のＸ方向の縁とＹ方向の縁との交点、又は、空間部９１のＸ方向の縁の延長線とＹ方向の縁の延長線との交点に最も近い空間部９１の縁上の点を、角９１ａとして説明する。すなわち、角９１ａは、空間部９１の矩形の頂点に相当する点である。
　引き出し通路９２は、空間部９１のＹ方向の縁の外側に延びる空間である。第１実施形態では、引き出し通路９２は、空間部９１のＸ方向の縁の外側にも延びる空間である。すなわち、引き出し通路９２は、空間部９１の、Ｚ方向に平行な方向に対向する角９１ａの両側に１つずつ設けられる。これにより、弾性波装置１Ａの製造で空間部９１を形成する工程で、空間部９１内の犠牲層を溶解するエッチング液の流入経路及び流出経路が、直線状となるので、エッチング液の注入及び排出を容易にすることができる。
　引き出し通路９２は、空間部９１と連通している。第１実施形態では、少なくとも１つの引き出し通路９２は、該引き出し通路９２が連通する空間部９１と隣接する他の空間部９１と連通する、他の引き出し通路９２と連通している。換言すれば、Ｘ方向に隣り合う空間部９１は、２つの引き出し通路９２同士が接続されることで連通している。図１３の例では、引き出し通路９２は、Ｙ方向について空間部９１と反対側の端部で、他の引き出し通路９２と接続している。すなわち、Ｘ方向に隣り合う空間部９１同士は、Ｙ方向に延びたＶ字状に接続した２つの引き出し通路９２を介して繋がっている。以下、引き出し通路９２同士が接続している位置を接続位置として説明することがある。
　圧電層２は、支持部材８０のＺ方向に設けられる。第１実施形態では、圧電層２は、支持部材８０の中間層７側に設けられる。以下の説明では、圧電層２の支持部材８０側の面を第２の主面２ｂ、第２の主面２ｂとＺ方向の反対側の面を第１の主面２ａとして説明することがある。
　圧電層２には、貫通孔２Ｈがある。貫通孔２Ｈは、圧電層２をＺ方向に貫通する孔である。貫通孔２Ｈは、Ｚ方向に平面視して、機能電極３０と重ならない位置に設けられる。図１４の例では、貫通孔２Ｈは、Ｚ方向に平面視して、機能電極３０、補強膜１４、保護膜１９と重ならないように設けられる。すなわち、図１３の例では、Ｚ方向から平面視して、支持基板８が露出している。
　貫通孔２Ｈは、Ｚ方向で、引き出し通路９２と連通する。第１実施形態では、貫通孔２Ｈは、引き出し通路９２のＹ方向の空間部９１と反対側の端部にある。したがって、貫通孔２Ｈは、引き出し通路９２を介して、空間部９１と繋がっている。第１実施形態では、貫通孔２Ｈは、複数設けられ、引き出し通路９２のそれぞれに設けられる。図１３の例では、Ｚ方向に平面視して、貫通孔２Ｈは、引き出し通路９２及び空間部９１を介して、他の貫通孔２Ｈと一直線に繋がっている。これにより、貫通孔２Ｈ間の連通経路が一直線になるので、弾性波装置１Ａの製造で空間部９１をエッチングで形成する工程において、エッチング液が流れやすくなり、空間部９１内に残渣が残りにくくなる。
　第１実施形態では、貫通孔２Ｈは、２つの引き出し通路９２の接続位置に設けられる。すなわち貫通孔２Ｈは、複数の空間部９１と連通する。これにより、貫通孔２Ｈを複数の空間部９１で共有できるので、貫通孔２Ｈの数を少なくすることができ、貫通孔２Ｈに起因する圧電層２のクラック発生を抑制できる。また、図１３の例では、Ｚ方向に平面視して、隣接する空間部９１同士が、引き出し通路９２の接続位置で方向を転換したジグザグの経路によって繋がることとなるので、弾性波装置１Ａの製造で空間部９１をエッチングで形成する工程において、エッチング液が流れやすくなり、空間部９１内に残渣が残りにくくなる。
　貫通孔２Ｈは、非空間領域ＥのＹ方向に設けられる。ここで、非空間領域Ｅとは、隣り合う空間部９１のＸ方向の間にある、Ｚ方向に平面視して空間部９１と重ならない領域を指す。すなわち、貫通孔２ＨのＸ方向及びＹ方向には、空間部９１がない。これにより、貫通孔２Ｈと空間部９１とがＸ方向及びＹ方向で隣接しないので、Ｚ方向に平面視して空間部９１と重なる位置の圧電層２の変位が、貫通孔２Ｈ周辺の圧電層２の変位に干渉することをより抑制でき、圧電層２にクラックが生じることをより抑制できる。
　機能電極３０は、電極指３、４と、バスバー５、６とを有するＩＤＴ電極である。図１３の例では、機能電極３０は、圧電層２の第１の主面２ａに設けられる。図１３の例では、機能電極３０は複数設けられ、バスバー５、６を共有している。すなわち、複数の共振子Ｒ１～Ｒ３は、互いに並列な共振子であるといえる。
　補強膜１４は、圧電層２に対して第１の主面２ａ側に設けられる。補強膜１４は、電極指３、４より厚みが大きい。補強膜１４は、Ｚ方向に平面視して、貫通孔２Ｈと空間部９１とのＹ方向の間の領域にあって、圧電層２と引き出し通路９２とが、重なる領域の少なくとも一部に重なるように設けられる。第１実施形態では、補強膜１４は、Ｚ方向に平面視して、それぞれの貫通孔２Ｈを囲むように設けられる。これにより、貫通孔２Ｈと空間部９１との間が補強膜１４によって補強されるので、Ｚ方向に平面視して空間部９１と重なる位置の圧電層２の変位が、貫通孔２Ｈ周辺の圧電層２の変位に干渉することを抑制でき、圧電層２にクラックが生じることを抑制できる。
　第１実施形態では、補強膜１４は、金属層であり、例えばＡｌとＣｕの合金からなる。また、補強膜１４は、機能電極３０のバスバー５、６の一部に積層される。これにより、補強膜１４は、バスバー５、６と電気的に接続でき、補強膜１４をバンプ等に接続することで、機能電極３０への導線を弾性波装置１Ａの外部に引き出すことができる。
　補強膜１４は、Ｚ方向に平面視して、空間部９１の角９１ａと重なるように設けられる。図１３の例では、補強膜１４は、Ｚ方向に平面視して、空間部９１のＹ方向の縁と重なるように設けられる。これにより、圧電層２への応力の集中がより緩和され、圧電層２のクラックをより抑制できる。
　保護膜１９は、機能電極３０に設けられる膜である。保護膜１９は、例えば、酸化ケイ素からなる。図１４の例では、保護膜１９は、圧電層２の第１の主面２ａと、機能電極３０と、補強膜１４とに設けられる。
　以上説明したように、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａは、支持基板８を有する支持部材８０と、支持部材８０の、支持基板８の厚み方向である第１方向（Ｚ方向）に、設けられた圧電層２と、圧電層２の第１方向に設けられる少なくとも１つの機能電極３０と、圧電層２の第１方向に設けられた補強膜１４と、を備える。支持部材８０に、第１方向の圧電層２側に開口している空間部９１と、空間部９１における、第１方向に交差する第２方向（Ｙ方向）の縁よりも外側に延びる引き出し通路９２と、がある。第１方向に平面視して、機能電極３０とは重ならない位置に配置され、引き出し通路９２と連通し、圧電層２を貫通する少なくとも１つの貫通孔２Ｈがある。補強膜１４は、第１方向に平面視して、貫通孔２Ｈと空間部９１の間の領域にあって、圧電層２と引き出し通路９２とが重なる領域の少なくとも一部に重なるように設けられている。これにより、貫通孔２Ｈと空間部９１との間が補強膜１４によって補強されるので、Ｚ方向に平面視して空間部９１と重なる位置の圧電層２の変位が、貫通孔２Ｈ周辺の圧電層２の変位に干渉することを抑制でき、圧電層２にクラックが生じることを抑制できる。
　望ましい態様として、機能電極３０は、第２方向に延びる複数の第１の電極指３と、第２方向に直交する第３方向（Ｘ方向）に複数の第１の電極指３のいずれかと対向し、第２方向に延びる複数の第２の電極指４と、を有するＩＤＴ電極であり、補強膜１４は、第１の電極指３及び第２の電極指４の第１方向の厚みよりも厚い金属層である。これにより、貫通孔２Ｈと空間部９１との間が補強膜１４によってより補強されるので、Ｚ方向に平面視して空間部９１と重なる位置の圧電層２の変位が、貫通孔２Ｈ周辺の圧電層２の変位に干渉することをより抑制でき、圧電層２にクラックが生じることをより抑制できる。
　また、ＩＤＴ電極は、複数の第１の電極指３を電気的に接続する第１のバスバー５と、複数の第２の電極指４を電気的に接続する第２のバスバー６と、をさらに有し、補強膜１４は、第１のバスバー５及び第２のバスバー６の一部に重なるように設けられている金属層であってもよい。この場合でも、Ｚ方向に平面視して空間部９１と重なる位置の圧電層２の変位が、貫通孔２Ｈ周辺の圧電層２の変位に干渉することを抑制でき、圧電層２にクラックが生じることを抑制できる。
　望ましい態様として、複数のＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極のそれぞれに重なる複数の空間部９１と、をさらに備え、隣り合う空間部９１は、２つの引き出し通路９２が接続されることにより連通し、貫通孔２Ｈは、第１方向に平面視して、２つの引き出し通路９２が接続される接続位置にある。
　望ましい態様として、複数のＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極のそれぞれに重なる複数の空間部９１と、をさらに備え、貫通孔２Ｈは、隣り合う空間部９１間の非空間領域Ｅの第２方向に配置されている。これにより、貫通孔２Ｈと空間部９１とがＸ方向及びＹ方向で隣接しないので、Ｚ方向に平面視して空間部９１と重なる位置の圧電層２の変位が、貫通孔２Ｈ周辺の圧電層２の変位に干渉することをより抑制でき、圧電層２にクラックが生じることをより抑制できる。
　望ましい態様として、空間部９１は、第１方向に平面視して、矩形であり、補強膜１４は、第１方向に平面視して、空間部９１の角９１ａと重なるように設けられる。これにより、圧電層２への応力の集中がより緩和され、圧電層２のクラックをより抑制できる。
　望ましい態様として、圧電層２の膜厚をｄ、隣り合う第１の電極指３及び第２の電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。これにより、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。
　望ましい態様として、ｄ／ｐが０．２４以下である。これにより、厚み滑り１次モードのバルク波をより効果的に励振することができる。
　望ましい態様として、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている。これにより、結合係数が高まり、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、隣り合う第１の電極指３及び第２の電極指４が対向している方向に視たときに重なっている領域が励振領域であり、励振領域に対する、複数の第１の電極指３及び第２の電極指４のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす。これにより、スプリアスを効果的に小さくすることができる。
　望ましい態様として、圧電層２は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含み、圧電層２を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ、θ、ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある。この場合、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°、２０°～８０°、｛１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２｝～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、｛１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２｝～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
　（第２実施形態）
　図１５は、第２実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な平面図である。図１５に示すように、第２実施形態に係る弾性波装置１Ｂでは、補強膜１４が、突出部１４ａを有する点で第１実施形態と異なる。以下、図面を用いて第２実施形態に係る弾性波装置について説明するが、第１実施形態と同じ箇所については、符号を付して説明を省略する。
　突出部１４ａは、Ｚ方向に平面視して、非空間領域Ｅに突出する部分である。すなわち、突出部１４ａは、Ｙ方向について、補強膜１４の機能電極３０側の部分である。突出部１４ａは、Ｚ方向に平面視して、空間部９１の角９１ａと重なる。これにより、圧電層２への応力の集中が緩和され、圧電層２のクラックを抑制できる。
　突出部１４ａの形状は、一部が湾曲した形状である。より詳しくは、突出部１４ａの外形は、一部がＹ方向について機能電極３０と反対側に凸となる曲線を有する形状である。図１５の例では、突出部１４ａの外形は、釣鐘状の曲線（ベルカーブ）となっている。より詳しくは、突出部１４ａの外形は、Ｘ方向の中央がＹ方向について機能電極３０側に凸となる曲線であって、該曲線のＸ方向の両側がＹ方向について機能電極３０と反対側に凸となる曲線となっている。これにより、補強膜１４の外形と空間部９の縁とが直交しないので、圧電層２への応力の集中がより緩和され、圧電層２のクラックをより抑制できる。
　以上説明したように、第２実施形態に係る弾性波装置１Ｂでは、空間部９１は、第１方向に平面視して、矩形であり、補強膜１４は、非空間領域Ｅへ突出する突出部を有し、突出部１４ａは、第１方向に平面視して、空間部９１の角９１ａと重なる。この場合でも、圧電層２への応力の集中が緩和され、圧電層２のクラックを抑制できる。
　望ましい態様として、突出部１４ａは、第１方向に平面視して、一部が湾曲している。これにより、補強膜１４の外形と空間部９の縁とが直交しないので、圧電層２への応力の集中がより緩和され、圧電層２のクラックをより抑制できる。
　（第３実施形態）
　図１６は、第３実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な平面図である。図１６に示すように、第３実施形態に係る弾性波装置１Ｃでは、機能電極３０Ａが、ミアンダ状の電極指３Ａ、４Ａを有する点で第１実施形態と異なる。以下、図面を用いて第３実施形態に係る弾性波装置１Ｃについて説明するが、第１実施形態と同じ箇所については、符号を付して説明を省略する。以下、電極指３Ａ、４ＡのＹ方向の端部のうち、バスバー５、６に接続されている方の端部を基端、電極指３Ａ、４Ａの基端と反対側のＹ方向の端部を先端として説明することがある。また、Ｚ方向に垂直であって、Ｘ方向及びＹ方向と交差する方向を第４方向Ｕ１、第４方向Ｕ１とＸ方向のベクトルの成分が反対である方向を第５方向Ｕ２として説明することがある。
　電極指３Ａは、ミアンダ状である第１の電極指である。電極指４Ａは、ミアンダ状である第２の電極指である。ミアンダ状であるとは、基端と先端との間で、基端と先端とを通る直線と交差する方向について、一方と他方で交互に曲がるように延びることを指す。第３実施形態では、電極指３Ａ、４Ａは、基端と先端との間で、少なくとも１回、Ｘ方向について一方から他方に曲がり、少なくとも１回、Ｘ方向について他方から一方に曲がっている。換言すれば、電極指３Ａ、４Ａは、基端から先端までの間に、少なくとも１回、第４方向Ｕ１に延びた先で方向転換して第５方向Ｕ２に延び、少なくとも１回、第５方向Ｕ２に延びた先で方向転換して第４方向Ｕ１に延びている。これにより、圧電層２の電極指３、４の側面に沿ってクラックが発生しても、クラックがバスバー５、６に達するまでの経路が長いので、クラックがバスバー５、６に達してＸ方向に広がり、電極指３Ａ、４Ａの基端とバスバー５、６が切断されて断線することを抑制できる。
　第３実施形態では、電極指３Ａ、４Ａの長さ方向とは、基端と先端とを通る直線に沿った方向、すなわちＹ方向を指す。したがって、図１６に係る機能電極３０Ａにおいて励振領域Ｃとは、電極指３Ａと電極指４Ａとを、電極指３Ａ、４Ａの長さ方向であるＹ方向と直交するＸ方向に視たときに、電極指４Ａと重なっている電極指３Ａの領域、電極指３Ａと重なっている電極指４Ａの領域及び電極指３Ａと電極指４Ａとが重なり合っている電極指３Ａと電極指４Ａとの間の領域を指す。
　図１６の例では、電極指３Ａ、４Ａの形状は、ジグザグである。すなわち、図１６に係る電極指３Ａ、４Ａでは、第４方向Ｕ１と第５方向Ｕ２とで方向転換する点の間が直線である。
　以上、第３実施形態に係る弾性波装置１Ｃを説明したが、第３実施形態に係る弾性波装置は図１６に示すものに限られない。以下、図面により変形例を説明する。
　図１７は、第３実施形態に係る弾性波装置の第１変形例を示す模式的な平面図である。図１７に示すように、第１変形例に係る第１の電極指３Ｂ及び第２の電極指４Ｂの形状は、波状である。すなわち、第１変形例に係る電極指３Ｂ、４Ｂでは、第４方向Ｕ１と第５方向Ｕ２とで方向転換する点の間に曲線を含む。これにより、圧電層２の電極指３、４の第４方向Ｕ１と第５方向Ｕ２とで方向転換する点に応力が集中することを抑制できる。また、クラックがバスバー５、６に達するまでの経路がより長いので、クラックがバスバー５、６に達してＸ方向に広がり、電極指３Ａ、４Ａの基端とバスバー５、６が切断されて断線することをより抑制できる。
　図１８は、第３実施形態に係る弾性波装置の第２変形例を示す模式的な平面図である。図１８に示すように、第２変形例に係る第１の電極指３Ｃ及び第２の電極指４Ｃは、基端を含む部分及び先端を含む部分が、第２方向に延びており、基部と端部のＹ方向の間の部分がミアンダ状となっている。換言すれば、電極指３Ｃ、４Ｃは、基端からＹ方向に直線に延び、ミアンダ状に延び、先端までＹ方向に直線に延びた形状となっている。これにより、電極指３Ｃ、４Ｃの形状は、Ｚ方向に平面視して、空間部９１のＹ方向の中央部と重なる部分のみがミアンダ状となるので、圧電層２のクラックが、クラックが発生しやすい空間部９１のＹ方向の中央部と重なる部分で発生した際に、クラックがバスバー５、６に達するまでの経路が長いので、クラックがバスバー５、６に達してＸ方向に広がることで、電極指３Ａ、４Ａが断線することを抑制できる。
　また、空間部９１のＸ方向の長さは、Ｙ方向の長さより大きくてもよい。この場合、圧電層２のうち、Ｚ方向に平面視して、空間部９１のＹ方向の中央部と重なる部分でクラックが発生しやすくなるが、機能電極がミアンダ状の電極指を含むことで、電極指が断線することを抑制できる。
　以上説明したように、第３実施形態に係る弾性波装置１Ｃでは、機能電極３０Ａは、第１のバスバー５と、第２方向について第１のバスバー５と対向する第２のバスバー６と、第１のバスバー５に基端が接続され、第１のバスバー５に対して第２方向に先端が設けられる複数の第１の電極指３と、第２のバスバー６に基端が接続され、第２のバスバー６に対して第２方向に先端が設けられる複数の第２の電極指４と、を有するＩＤＴ電極であり、複数の第１の電極指３及び複数の第２の電極指４のうち、少なくとも１本は、第２方向に交差する第３方向（Ｘ方向）について、一方と他方とで交互に曲がるように延びたミアンダ状の電極指３Ａ、４Ａであり、ミアンダ状の電極指３Ａ，４Ａは、基端と先端との間で、少なくとも１回、第３方向について一方から他方に曲がり、少なくとも１回、他方から一方に曲がっている。これにより、電極指３Ａ、４ＡのＸ方向の端で圧電層２にクラックが発生した際に、クラックが電極指３Ａ、４Ａの延びている方向に広がっても、電極指３Ａ、４ＡのＸ方向について方向転換する点でクラックの広がりが止まるため、クラックが電極指３Ａ、４Ａの基端でＹ方向に広がることで、電極指３Ａ、４Ａが断線することを抑制できる。
　また、ミアンダ状の電極指３Ａ，４Ａの形状は、ジグザグであってもよい。この場合でも、クラックが広がることを抑制できるので、電極指３Ａ、４Ａが断線することを抑制できる。
　望ましい態様として、ミアンダ状の電極指３Ｂ、４Ｂの形状は、波形である。これにより、圧電層２の電極指３、４の第４方向Ｕ１と第５方向Ｕ２とで方向転換する点に応力が集中することを抑制できる。また、クラックがバスバー５、６に達するまでの経路がより長いので、クラックがバスバー５、６に達してＸ方向に広がり、電極指３Ａ、４Ａの基端とバスバー５、６が切断されて断線することをより抑制できる。
　また、ミアンダ状の電極指３Ｃ、４Ｃは、基端を含む部分及び先端を含む部分が、第２方向に延びていてもよい。この場合でも、クラックが広がることを抑制できるので、電極指３Ａ、４Ａが断線することを抑制できる。
　また、空間部９１の第３方向についての長さは、第２方向についての長さより大きくてもよい。この場合でも、クラックが広がることを抑制できるので、電極指３Ａ、４Ａが断線することを抑制できる。
　（第４実施形態）
　図１９は、第４実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な平面図である。図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿った断面図である。第４実施形態に係る弾性波装置１Ｆは、バルク波を利用する装置、すなわちＢＡＷ（Bulk　Acoustic　Wave）素子である点で第１実施形態と異なる。以下、図面を用いて第４実施形態に係る弾性波装置１Ｆについて説明するが、第１実施形態と同じ箇所については、符号を付して説明を省略する。
　第４実施形態において、圧電層２は、単結晶のニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む。これにより、バルク波を良好に利用可能となる。
　第４実施形態において、図１９及び図２０に示すように、機能電極３０Ｄは、上部電極３１と、下部電極３２とを有する。上部電極３１は、圧電層２の第１の主面２ａに設けられる板状の電極である。下部電極３２は、圧電層２の第２の主面２ｂに設けられる板状の電極である。第４実施形態において、励振領域とは、Ｚ方向に平面視して上部電極３１と、下部電極３２とが重畳する領域を指す。図２０の例では、上部電極３１は、圧電層２の第１の主面２ａと補強膜１４との間に設けられる。下部電極３２は、圧電層２の第２の主面２ｂと支持部材８０との間に設けられる。
　第４実施形態では、補強膜１４は、圧電層２に対して第１の主面２ａ側であって、上部電極３１の圧電層２と反対側に設けられる。補強膜１４は、上部電極３１及び下部電極３２より厚みが大きい。これにより、圧電層２にクラックが生じることを抑制できる。
　以上説明したように、第４実施形態に係る弾性波装置１Ｆにおいて、機能電極３０Ｄは、圧電層２の一方主面（第１の主面２ａ）に設けられた上部電極３１と、圧電層２の他方主面（第２の主面２ｂ）に設けられた下部電極３２とを含む。圧電層２は、単結晶のニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む。補強膜１４は、上部電極３１及び下部電極３２の第１方向の厚みよりも厚い金属層である。これにより、圧電層２のクラックの発生を抑制することができる。
　なお、上記した実施の形態は、本開示の理解を容易にするためのものであり、本開示を限定して解釈するためのものではない。本開示は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本開示にはその等価物も含まれる。
１、１Ａ～１Ｆ、１０１、３０１　弾性波装置
２　圧電層
２ａ　第１の主面
２ｂ　第２の主面
２Ｈ　貫通孔
３　電極指（第１の電極指）
３Ａ～３Ｃ　電極指（ミアンダ状の電極指）
４　電極指（第２の電極指）
４Ａ～４Ｃ　電極指（ミアンダ状の電極指）
５　第１のバスバー
６　第２のバスバー
７　中間層
７ａ　開口部
８　支持基板
８ａ　開口部
８０　支持部材
９、９１　空間部
９２　引き出し通路
９１ａ　角
１４　補強膜
１４ａ　突出部
１９　保護膜
３０、３０Ａ～３０Ｄ　機能電極
３１　上部電極
３２　下部電極
２０１　圧電層
２０１ａ　第１の主面
２０１ｂ　第２の主面
２５１　第１領域
２５２　第２領域
３１０、３１１　反射器
Ｃ　励振領域（交差領域）
Ｅ　非空間領域
Ｒ１～Ｒ３　共振子
ＶＰ１　仮想平面

Claims (14)

  1. 　支持基板を有する支持部材と、
    　前記支持部材の、前記支持基板の厚み方向である第１方向に、設けられた圧電層と、
    　前記圧電層の前記第１方向に設けられる少なくとも１つの機能電極と、
    　前記圧電層の前記第１方向に設けられた補強膜と、
    　を備え、
    　前記支持部材に、前記第１方向の前記圧電層側に開口している空間部と、前記空間部における、前記第１方向に交差する第２方向の縁よりも外側に延びる引き出し通路と、があり、
    　前記第１方向に平面視して、前記機能電極とは重ならない位置に配置され、前記引き出し通路と連通し、前記圧電層を貫通する少なくとも１つの貫通孔があり、
    　前記補強膜は、前記第１方向に平面視して、前記貫通孔と前記空間部の間の領域にあって、前記圧電層と前記引き出し通路とが重なる領域の少なくとも一部に重なるように設けられている、弾性波装置。
  2. 　前記機能電極は、前記第２方向に延びる複数の第１の電極指と、前記第２方向に交差する第３方向に複数の前記第１の電極指のいずれかと対向し、前記第２方向に延びる複数の第２の電極指と、を有するＩＤＴ電極であり、
    　前記補強膜は、前記第１の電極指及び前記第２の電極指の前記第１方向の厚みよりも厚い金属層である、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記ＩＤＴ電極は、複数の前記第１の電極指を電気的に接続する第１のバスバーと、複数の前記第２の電極指を電気的に接続する第２のバスバーと、をさらに有し、
    　前記補強膜は、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーの一部に重なるように設けられている金属層である、請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 　複数の前記ＩＤＴ電極と、
    　前記ＩＤＴ電極のそれぞれに重なる複数の前記空間部と、をさらに備え、
    　隣り合う前記空間部は、２つの前記引き出し通路が接続されることにより連通し、
    　前記貫通孔は、前記第１方向に平面視して、２つの前記引き出し通路が接続される接続位置にある、請求項２または３に記載の弾性波装置。
  5. 　複数の前記ＩＤＴ電極と、
    　前記ＩＤＴ電極のそれぞれに重なる複数の前記空間部と、をさらに備え、
    　前記貫通孔は、隣り合う空間部間の非空間領域の前記第２方向に配置されている、
    　請求項２または３に記載の弾性波装置。
  6. 　前記空間部は、前記第１方向に平面視して、矩形であり、
    　前記補強膜は、前記第１方向に平面視して、前記空間部の角と重なるように設けられる、請求項５に記載の弾性波装置。
  7. 　前記空間部は、前記第１方向に平面視して、矩形であり、
    　前記補強膜は、前記非空間領域へ突出する突出部を有し、
    　前記突出部は、前記第１方向に平面視して、前記空間部の角と重なる、請求項５に記載の弾性波装置。
  8. 　前記突出部は、前記第１方向に平面視して、一部が湾曲している、請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 　前記圧電層の膜厚をｄ、隣り合う前記第１の電極指及び前記第２の電極指の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である、請求項２から８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項９に記載の弾性波装置。
  11. 　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項２から１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  12. 　隣り合う前記第１の電極指及び前記第２の電極指が対向している方向に視たときに重なっている領域が励振領域であり、前記励振領域に対する、複数の前記第１の電極指及び前記第２の電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項２から１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　前記機能電極は、前記圧電層の一方主面に設けられた上部電極と、前記圧電層の他方主面に設けられた下部電極とを有し、
    　前記圧電層は、単結晶のニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含み、
    　前記補強膜は、前記上部電極及び前記下部電極の前記第１方向の厚みよりも厚い金属層である、請求項１に記載の弾性波装置。
  14. 　前記圧電層は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含み、
    　前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ、θ、ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項２から１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°、２０°～８０°、｛１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２｝～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°、｛１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２｝～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
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