WO2022118970A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2022118970A1 PCT/JP2021/044556 JP2021044556W WO2022118970A1 WO 2022118970 A1 WO2022118970 A1 WO 2022118970A1 JP 2021044556 W JP2021044556 W JP 2021044556W WO 2022118970 A1 WO2022118970 A1 WO 2022118970A1
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piezoelectric layer
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毅 山根
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • This disclosure relates to an elastic wave device.
  • Patent Document 1 describes an elastic wave device.
  • Patent Document 1 when the temperature of the elastic wave device itself or the surroundings of the elastic wave device changes, stress is concentrated on the end portion of the electrode on the piezoelectric layer side, and the polarization of the piezoelectric layer may be reversed. Therefore, it is required to relieve the stress at the end of the electrode on the piezoelectric layer side.
  • the present disclosure solves the above-mentioned problems, and aims to relieve the stress at the end of the electrode on the piezoelectric layer side.
  • the elastic wave device is a second main surface, which is opposite to the support substrate, the first main surface, and the first main surface, and is in the first direction with respect to the first main surface.
  • the piezoelectric layer having the main surface of the above, the first electrode main surface, and the opposite side of the first electrode main surface and in the first direction with respect to the first electrode main surface, said. It has a second electrode main surface in contact with the first main surface of the piezoelectric layer, faces the second electrode main surface intersecting the first direction, and is provided adjacent to the first main surface.
  • the cavity portion overlaps with at least a part of the at least one pair of functional electrodes when viewed in a plan view from the first direction, and the functional electrodes are the first electrode main surface and the second electrode. It further has a first side surface and a second side surface, which are two sides connecting the main surface, and the first side surface is an angle formed by the first side surface and the first main surface. Includes a first portion having a first angle, and a second portion having a second angle smaller than the first angle, which is an angle formed by the first side surface and the first main surface. The second portion is provided on the piezoelectric layer side with respect to the first portion.
  • the elastic wave device is a support substrate, a first main surface, and a first direction opposite to the first main surface and in a first direction with respect to the first main surface.
  • a piezoelectric layer having two main surfaces, a first electrode main surface, opposite to the first electrode main surface, and in the first direction with respect to the first electrode main surface. It has a second electrode main surface in contact with the first main surface of the piezoelectric layer, faces the second electrode main surface intersecting the first direction, and is provided adjacent to the first main surface. It is provided with at least one pair of functional electrodes provided with a cavity provided by a cavity provided in a part of the support substrate or a cavity provided by an air gap provided between the support substrate and the piezoelectric layer.
  • the cavity portion overlaps with at least a part of the at least one pair of functional electrodes when viewed in a plan view from the first direction, and the functional electrodes are the first electrode main surface and the second electrode. It further has a first side surface and a second side surface, which are two side surfaces connecting the electrode main surface, and the first side surface or the second side surface has a curved surface.
  • the stress at the end of the electrode on the piezoelectric layer side can be relieved.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1A along line II-II.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining a Lamb wave propagating in the piezoelectric layer of the comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining the bulk wave of the thickness slip primary mode propagating in the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of the bulk wave in the thickness slip primary mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1A along line
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 6 shows d / 2p as a resonator in the elastic wave apparatus of the first embodiment, where p is the center-to-center distance or the average distance between the centers of adjacent electrodes and d is the average thickness of the piezoelectric layer. It is explanatory drawing which shows the relationship with the specific band of.
  • FIG. 7 is a plan view showing an example in which a pair of electrodes is provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of the resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 9 shows the specific band of the elastic wave apparatus of the first embodiment when a large number of elastic wave resonators are configured, and the phase rotation amount of the impedance of the spurious standardized at 180 degrees as the size of the spurious.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d / 2p, the metallization ratio MR, and the specific band.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of the specific band with respect to Euler angles (0 °, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d / p is brought as close to 0 as possible.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d / 2p, the metallization ratio MR, and the specific band.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of the specific band with respect to Euler angles (0 °, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing an embodiment of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 14 is an example of an enlarged view of the area A of FIG. 13.
  • FIG. 15A is an explanatory diagram showing the relationship between the stress and the dimensions of the functional electrodes of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 15B is an explanatory diagram showing the relationship between the stress and the dimensions of the functional electrodes of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 16 is a first modification of an enlarged view of the area A of FIG. 13.
  • FIG. 17 is a second modification of the enlarged view in which the area A of FIG. 13 is enlarged.
  • FIG. 18 is a third modification of the enlarged view of the area A of FIG. 13.
  • FIG. 19 is a fourth modification of the enlarged view of the area A of FIG. 13.
  • FIG. 20 is an explanatory diagram showing the stress distribution of the functional electrodes of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • the elastic wave device 1 of the first embodiment has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may be made of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is a Z cut in the first embodiment.
  • the cut angle of LiNbO 3 or LiTaO 3 may be a rotary Y cut or an X cut. Propagation directions of Y propagation and X propagation ⁇ 30 ° are preferable.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, but is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less in order to effectively excite the thickness slip primary mode.
  • the piezoelectric layer 2 has a first main surface 2a facing each other in the Z direction and a second main surface 2b.
  • the electrode 3 and the electrode 4 are provided on the first main surface 2a.
  • the electrode 3 is an example of the "first electrode”
  • the electrode 4 is an example of the "second electrode”.
  • a plurality of electrodes 3 are connected to the first bus bar electrode 5.
  • the plurality of electrodes 4 are connected to the second bus bar electrode 6.
  • the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4 are interleaved with each other. This constitutes an IDT electrode including the electrode 3 and the electrode 4.
  • the electrode 3 and the electrode 4 have a rectangular shape and have a length direction.
  • the electrode 3 and the electrode 4 adjacent to the electrode 3 face each other in a direction orthogonal to the length direction.
  • the length direction of the electrode 3 and the electrode 4 and the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the electrode 4 are all directions intersecting with each other in the thickness direction of the piezoelectric layer 2. Therefore, it can be said that the electrode 3 and the electrode 4 adjacent to the electrode 3 face each other in a direction intersecting with each other in the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the thickness direction of the piezoelectric layer 2 is the Z direction (or the first direction)
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 is the Y direction (or the second direction)
  • the electrodes 3 and 4 are orthogonal to each other.
  • the direction may be described as the X direction (or the third direction).
  • the length directions of the electrodes 3 and 4 may be replaced with the directions orthogonal to the length directions of the electrodes 3 and 4 shown in FIGS. 1A and 1B. That is, in FIGS. 1A and 1B, the electrodes 3 and 4 may be extended in the direction in which the first bus bar electrode 5 and the second bus bar electrode 6 are extended. In that case, the first bus bar electrode 5 and the second bus bar electrode 6 extend in the direction in which the electrodes 3 and 4 extend in FIGS. 1A and 1B. Then, a plurality of pairs of structures in which the electrode 3 connected to one potential and the electrode 4 connected to the other potential are adjacent to each other are provided in a direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4. ing.
  • the case where the electrode 3 and the electrode 4 are adjacent to each other does not mean that the electrode 3 and the electrode 4 are arranged so as to be in direct contact with each other, but that the electrode 3 and the electrode 4 are arranged so as to be spaced apart from each other. Point to. Further, when the electrode 3 and the electrode 4 are adjacent to each other, the electrode connected to the hot electrode or the ground electrode, including the other electrode 3 and the electrode 4, is not arranged between the electrode 3 and the electrode 4. This logarithm does not have to be an integer pair, and may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, or the like.
  • the distance between the centers between the electrode 3 and the electrode 4, that is, the pitch is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the center-to-center distance between the electrode 3 and the electrode 4 is the center of the width dimension of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the electrode 4 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 4. It is the distance connecting the center of the width dimension of.
  • the electrodes 3 and 4 when there are a plurality of at least one of the electrodes 3 and 4 (when the electrodes 3 and 4 are a pair of electrodes and there are 1.5 or more pairs of electrodes), the electrodes 3 and 4
  • the center-to-center distance refers to the average value of the center-to-center distances of 1.5 pairs or more of the electrodes 3, the adjacent electrodes 3 and the electrodes 4.
  • the width of the electrode 3 and the electrode 4, that is, the dimensions of the electrode 3 and the electrode 4 in the facing direction are preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the center-to-center distance between the electrode 3 and the electrode 4 is a direction orthogonal to the center of the dimension (width dimension) of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the length direction of the electrode 4. It is the distance connected to the center of the dimension (width dimension) of the electrode 4 in.
  • the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 is the direction orthogonal to the polarization direction of the piezoelectric layer 2. This does not apply when a piezoelectric material having another cut angle is used as the piezoelectric layer 2.
  • “orthogonal” is not limited to the case of being strictly orthogonal, and is substantially orthogonal (the angle formed by the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 and the polarization direction is, for example, 90 ° ⁇ 10 °). ) May be.
  • a support substrate 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 via a dielectric film 7.
  • the dielectric film 7 and the support substrate 8 have a frame-like shape, and as shown in FIG. 2, have openings 7a and 8a. As a result, the cavity 9 (air gap) 9 is formed.
  • the cavity 9 is provided so as not to interfere with the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2. Therefore, the support substrate 8 is laminated on the second main surface 2b via the dielectric film 7 at a position where it does not overlap with the portion where the at least one pair of electrodes 3 and the electrodes 4 are provided.
  • the dielectric film 7 may not be provided. Therefore, the support substrate 8 can be directly or indirectly laminated on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the dielectric film 7 is made of silicon oxide.
  • the dielectric film 7 can be formed of an appropriate insulating material such as silicon nitride or alumina in addition to silicon oxide.
  • the support substrate 8 is made of Si.
  • the plane orientation of Si on the surface of the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111).
  • high resistance Si having a resistivity of 4 k ⁇ or more is desirable.
  • the support substrate 8 can also be configured by using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • the material of the support substrate 8 include piezoelectric materials such as aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, and crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mulite, and steer.
  • Various ceramics such as tight and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, and semiconductors such as gallium nitride can be used.
  • the plurality of electrodes 3, the electrode 4, the first bus bar electrode 5, and the second bus bar electrode 6 are made of an appropriate metal or alloy such as Al or AlCu alloy.
  • the electrode 3, the electrode 4, the first bus bar electrode 5, and the second bus bar electrode 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. An adhesive layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4. More specifically, an AC voltage is applied between the first bus bar electrode 5 and the second bus bar electrode 6. As a result, it is possible to obtain resonance characteristics using the bulk wave of the thickness slip primary mode excited in the piezoelectric layer 2.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 when the thickness of the piezoelectric layer 2 is d, the distance between the centers of the plurality of pairs of electrodes 3, the adjacent electrodes 3 of the electrodes 4, and the electrodes 4 is p, d / p is It is said to be 0.5 or less. Therefore, the bulk wave in the thickness slip primary mode is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d / p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the electrodes 3 and 4 are 1.5 pairs.
  • the distance p between the centers of the adjacent electrodes 3 and 4 is the average distance between the centers of the adjacent electrodes 3 and 4.
  • the elastic wave device 1 of the first embodiment has the above configuration, the Q value is unlikely to decrease even if the logarithm of the electrodes 3 and 4 is reduced in order to reduce the size. This is because it is a resonator that does not require reflectors on both sides and has little propagation loss. Further, the reason why the above reflector is not required is that the bulk wave of the thickness slip primary mode is used.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining a Lamb wave propagating in the piezoelectric layer of the comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining the bulk wave of the thickness slip primary mode propagating in the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of the bulk wave in the thickness slip primary mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 3A is an elastic wave device as described in Patent Document 1, in which a ram wave propagates in a piezoelectric layer.
  • the wave propagates in the piezoelectric layer 201 as indicated by an arrow.
  • the piezoelectric layer 201 has a first main surface 201a and a second main surface 201b, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction. ..
  • the X direction is the direction in which the electrodes 3 and 4 of the IDT electrodes are lined up.
  • the wave propagates in the X direction as shown in the figure.
  • the piezoelectric layer 201 vibrates as a whole because it is a plate wave, the wave propagates in the X direction, so reflectors are arranged on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, wave propagation loss occurs, and the Q value decreases when the size is reduced, that is, when the logarithm of the electrodes 3 and 4 is reduced.
  • the wave is generated by the first main surface 2a and the second main surface 2a of the piezoelectric layer 2. It propagates substantially in the direction connecting the surface 2b, that is, in the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. And since the resonance characteristic is obtained by the propagation of the wave in the Z direction, the reflector is not required. Therefore, there is no propagation loss when propagating to the reflector. Therefore, even if the logarithm of the electrode pair consisting of the electrodes 3 and 4 is reduced in order to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • the amplitude directions of the bulk waves in the thickness slip primary mode are the first region 451 included in the excitation region C (see FIG. 1B) of the piezoelectric layer 2 and the first region 451 included in the excitation region C.
  • FIG. 4 schematically shows a bulk wave when a voltage at which the electrode 4 has a higher potential than that of the electrode 3 is applied between the electrode 3 and the electrode 4.
  • the first region 451 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 orthogonal to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and dividing the piezoelectric layer 2 into two, and the first main surface 2a.
  • the second region 452 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second main surface 2b.
  • the elastic wave device 1 At least one pair of electrodes consisting of the electrode 3 and the electrode 4 is arranged, but since the wave is not propagated in the X direction, the logarithm of the electrode pair consisting of the electrode 3 and the electrode 4 Does not necessarily have to be multiple pairs. That is, it is only necessary to provide at least one pair of electrodes.
  • the electrode 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • the electrode 3 may be connected to the ground potential and the electrode 4 may be connected to the hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential as described above, and is not provided with a floating electrode.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of the resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • the design parameters of the elastic wave device 1 that has obtained the resonance characteristics shown in FIG. 5 are as follows.
  • Piezoelectric layer 2 LiNbO 3 with Euler angles (0 °, 0 °, 90 °) Piezoelectric layer 2 thickness: 400 nm
  • Excitation region C (see FIG. 1B) length: 40 ⁇ m
  • Dielectric film 7 1 ⁇ m thick silicon oxide film
  • the excitation region C (see FIG. 1B) is a region where the electrode 3 and the electrode 4 overlap when viewed in the X direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the electrode 4.
  • the length of the excitation region C is a dimension along the length direction of the electrodes 3 and 4 of the excitation region C.
  • the distance between the electrodes of the electrode pair consisting of the electrodes 3 and 4 is the same for the plurality of pairs. That is, the electrodes 3 and 4 are arranged at equal pitches.
  • d / p is 0.5 or less, more preferably 0.24. It is as follows. This will be described with reference to FIG.
  • FIG. 6 shows d / 2p and a resonator in the elastic wave apparatus of the first embodiment, where p is the center-to-center distance or the average distance between the centers of adjacent electrodes and d is the average thickness of the piezoelectric layer 2. It is explanatory drawing which shows the relationship with the specific band as.
  • the ratio band is less than 5% even if d / p is adjusted.
  • the specific band can be set to 5% or more by changing d / p within that range. That is, a resonator having a high coupling coefficient can be constructed.
  • the specific band can be increased to 7% or more.
  • a resonator having a wider specific band can be obtained, and a resonator having a higher coupling coefficient can be realized. Therefore, it can be seen that by setting d / p to 0.5 or less, a resonator having a high coupling coefficient can be configured by using the bulk wave of the thickness slip primary mode.
  • At least one pair of electrodes may be one pair, and in the case of a pair of electrodes, p is the distance between the centers of the adjacent electrodes 3 and 4. In the case of 1.5 pairs or more of electrodes, the average distance between the centers of the adjacent electrodes 3 and 4 may be p.
  • the thickness d of the piezoelectric layer 2 if the piezoelectric layer 2 has a thickness variation, a value obtained by averaging the thickness may be adopted.
  • FIG. 7 is a plan view showing an example in which a pair of electrodes is provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • a pair of electrodes having an electrode 3 and an electrode 4 is provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • K in FIG. 7 is an intersection width.
  • the logarithm of the electrodes may be one pair. Even in this case, if the d / p is 0.5 or less, the bulk wave in the thickness slip primary mode can be effectively excited.
  • the excitation region C which is a region in which any of the adjacent electrodes 3 and 4 are overlapped when viewed in the opposite direction, is provided. It is desirable that the metallization ratio MR of the adjacent electrodes 3 and 4 satisfies MR ⁇ 1.75 (d / p) +0.075. In that case, spurious can be effectively reduced. This will be described with reference to FIGS. 8 and 9.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of the resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • the spurious indicated by the arrow B appears between the resonance frequency and the antiresonance frequency.
  • the metallization ratio MR will be described with reference to FIG. 1B.
  • the excitation region C is a region in the electrode 4 where the electrode 3 and the electrode 4 overlap with the electrode 4 in the electrode 3 when viewed in a direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the electrode 4, that is, in an opposite direction. It is a region where the electrode 3 overlaps and a region where the electrode 3 and the electrode 4 overlap in the region between the electrode 3 and the electrode 4.
  • the metallization ratio MR is a ratio of the area of the metallization portion to the area of the excitation region C.
  • the ratio of the metallization portion included in the total excitation region C to the total area of the excitation region C may be MR.
  • FIG. 9 shows the specific band of the elastic wave apparatus of the first embodiment when a large number of elastic wave resonators are configured, and the phase rotation amount of the impedance of the spurious standardized at 180 degrees as the size of the spurious. It is explanatory drawing which shows the relationship of.
  • the specific band was adjusted by variously changing the film thickness of the piezoelectric layer 2 and the dimensions of the electrodes 3 and 4. Further, FIG. 9 shows the result when the piezoelectric layer 2 made of Z-cut LiNbO 3 is used, but the same tendency is obtained when the piezoelectric layer 2 having another cut angle is used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the specific band exceeds 0.17, that is, when it exceeds 17%, the pass band even if a large spurious having a spurious level of 1 or more changes the parameters constituting the specific band. Appears in. That is, as shown in the resonance characteristic of FIG. 8, a large spurious indicated by an arrow B appears in the band. Therefore, the specific band is preferably 17% or less. In this case, the spurious can be reduced by adjusting the film thickness of the piezoelectric layer 2, the dimensions of the electrodes 3 and 4, and the like.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d / 2p, the metallization ratio MR, and the specific band.
  • various elastic wave devices 1 having different MRs from d / 2p were configured, and the specific band was measured.
  • the portion shown with hatching on the right side of the broken line D in FIG. 10 is a region having a specific band of 17% or less.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of the specific band with respect to Euler angles (0 °, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d / p is brought as close to 0 as possible.
  • the portion shown with hatching in FIG. 11 is a region where a specific band of at least 5% or more can be obtained. When the range of the region is approximated, it becomes the range represented by the following equations (1), (2) and (3).
  • Equation (1) (0 ° ⁇ 10 °, 20 ° -80 °, 0 ° -60 ° (1- ( ⁇ -50) 2/900) 1/2 ) or (0 ° ⁇ 10 °, 20 ° -80 °, [180] ° -60 ° (1- ( ⁇ -50) 2/900) 1/2 ] -180 °).
  • Equation (2) (0 ° ⁇ 10 °, [180 ° -30 ° (1- ( ⁇ 90) 2/8100) 1/2 ] to 180 °, arbitrary ⁇ ).
  • the specific band can be sufficiently widened, which is preferable.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • the outer peripheral edge of the cavity 9 is shown by a broken line.
  • the elastic wave device of the present disclosure may utilize a plate wave.
  • the elastic wave device 301 has reflectors 310 and 311.
  • the reflectors 310 and 311 are provided on both sides of the electrodes 3 and 4 of the piezoelectric layer 2 in the elastic wave propagation direction.
  • a lamb wave as a plate wave is excited by applying an AC electric field to the electrodes 3 and 4 on the cavity 9.
  • the reflectors 310 and 311 are provided on both sides, the resonance characteristic of the lamb wave as a plate wave can be obtained.
  • the bulk wave in the thickness slip primary mode is used.
  • the first electrode 3 and the second electrode 4 are adjacent electrodes, the thickness of the piezoelectric layer 2 is d, and the distance between the centers of the first electrode 3 and the second electrode 4 is p.
  • d / p is set to 0.5 or less.
  • the piezoelectric layer 2 is formed of lithium niobate or lithium tantalate.
  • the first main surface 2a or the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 has a first electrode 3 and a second electrode 4 facing each other in a direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2, and the first electrode 3 and the second electrode 4 It is desirable to cover the second electrode 4 with a protective film.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing an embodiment of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • the elastic wave device 1A according to the first embodiment includes at least one pair of functional electrodes 30 on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • the cavity 9 is provided in the support substrate 8, and is the surface of the support substrate 8 on the opposite side in the Z direction (the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2) and the dielectric film 7.
  • the space is surrounded by the surface on the Z-direction side of the above, but the space is not limited to this, and the cavity 9 may be an air gap provided between the support substrate 8 and the piezoelectric layer 2.
  • FIG. 14 is an example of an enlarged view of the area A of FIG. 13.
  • the functional electrode 30 is an electrode including the electrode 3 or the electrode 4.
  • the functional electrode 30 has a first electrode main surface 30a, a second electrode main surface 30b, and a first side surface 30c as a surface extending in the X direction, that is, in the same direction as the length direction of the functional electrode 30. It has a second side surface 30d.
  • the cross section of the functional electrode 30 is a cross-sectional view of a plane perpendicular to the length direction (hereinafter referred to as an XZ plane), the first electrode main surface 30a, the second electrode main surface 30b, and the like. It is surrounded by a first side surface 30c and a second side surface 30d.
  • the first electrode main surface 30a is a surface that does not contact the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 and is the farthest surface from the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • the second electrode main surface 30b is on the opposite side of the first electrode main surface 30a and in the Z direction with respect to the second electrode main surface 30b among the surfaces of the functional electrode 30, and is a piezoelectric layer. It is a surface in contact with the first main surface 2a of 2.
  • the maximum length of the first electrode main surface 30a in the Y direction is smaller than the maximum length of the second electrode main surface 30b in the Y direction.
  • the functional electrode 30 is viewed in a plan view from the Z direction, and the first electrode main surface 30a and the second electrode main surface 30b are parallel to the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2. It is a flat surface and is linear in the cross-sectional view shown in FIG.
  • the first side surface 30c is one surface that connects the first electrode main surface 30a and the second electrode main surface 30b of the functional electrode 30.
  • the second side surface 30d is the other surface connecting the first electrode main surface 30a and the second electrode main surface 30b of the functional electrode 30.
  • the second side surface 30d has the same shape as the first side surface 30c, but is not limited to this and may have a different shape.
  • the first side surface 30c and the second side surface 30d are planar, and are linear in the cross-sectional view shown in FIG.
  • the maximum length of the first electrode main surface 30a in the Y direction is Ls ( ⁇ m)
  • the maximum length of the second electrode main surface 30b in the Y direction is Lb ( ⁇ m)
  • the first of the piezoelectric layer 2 is
  • Tg in the first direction from the main surface 2a to the cavity 9 is Tg ( ⁇ m)
  • Te refers to the maximum length in the Z direction from the first electrode main surface 30a to the second electrode main surface 30b.
  • Tg is the thickness of the layer including the piezoelectric layer 2 covering the cavity 9, and Te is the thickness of the functional electrode 30.
  • 0.5 (Lb-Ls) / Tg can be said to be the ratio of the average length of the first side surface 30c and the second side surface 30d to Tg in the Y direction.
  • FIG. 15A is an explanatory diagram showing the relationship between the stress and the dimensions of the functional electrodes of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 15B is an explanatory diagram showing the relationship between the stress and the dimensions of the functional electrodes of the elastic wave device according to the first embodiment. More specifically, FIG. 15A is a diagram showing the relationship between the value of 0.5 (Lb-Ls) / Tg and the stress strength when Tg is 500 ⁇ m, and FIG. 15B is a diagram showing the relationship between Tg of 1 ⁇ m. It is a figure which showed the relationship between the value of 0.5 (Lb-Ls) / Tg and the strength of stress in the case of. As shown in FIG.
  • the stress decreases and 0.5 (Lb-Ls) /.
  • the value of Tg is 0.009 or more, the stress is further reduced, and when the value of 0.5 (Lb-Ls) / Tg is 0.02 or more, it can be seen that the stress is stable at a low value. ..
  • the value of 1/2 of the difference between Ls and Lb is preferably 0.2% or more of Tg, more preferably 0.9% or more of Tg, and 2% of Tg.
  • the value of 0.5 (Lb-Ls) exceeds Te, it becomes difficult to manufacture the functional electrode 30, so that the value of 0.5 (Lb-Ls) / Tg is preferably Te or less.
  • the functional electrode 30 can be composed of conductors such as Cu, Ti, Mo, W, Pt, Ni, and Cr. Further, the first electrode main surface 30a, the first side surface 30c or the second side surface 30d of the functional electrode 30 may be covered with a protective film such as silicon oxide.
  • FIG. 16 is a first modification of an enlarged view of the area A of FIG. 13.
  • the first modification is different from FIG. 14 in that the first side surface 30c is composed of the first portion 31c and the second portion 32c.
  • the first portion 31c is a plane having a first angle ⁇ .
  • the first angle ⁇ is an angle formed by the first portion 31c and the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2, and more specifically, the first portion 31c and the first electrode main surface 30a. It is defined as the angle formed by the tangent of the first portion 31c at the intersection P1 and the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • the second portion 32c is a plane provided in the Z direction from the first portion 31c and having a second angle ⁇ smaller than the first angle ⁇ .
  • the second angle ⁇ is an angle formed by the second portion 32c and the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2, and more specifically, the second portion 32c and the second electrode main surface 30b. It is defined as the angle formed by the tangent of the second portion 32c at the intersection P2 and the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • the second portion 32c is provided on the piezoelectric layer 2 side with respect to the first portion 31c. In the example of FIG. 16, the second portion 32c is provided in the Z direction with respect to the first portion 31c.
  • the stress at the end of the functional electrode 30 on the piezoelectric layer 2 side in the Y direction is dispersed, and the polarization reversal of the piezoelectric layer 2 can be suppressed.
  • FIG. 17 is a second modification of the enlarged view of the area A of FIG. 13.
  • the functional electrode 30 when the first side surface 30c includes the first portion 31c and the second portion 32c, the functional electrode 30 has a multilayer structure including the first layer 33 and the second layer 34 made of different materials. It may be.
  • the first layer 33 is a layer in contact with the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 among the constituent layers of the functional electrode 30.
  • the second layer 34 is a layer laminated on the first layer 33 among the constituent layers of the functional electrode 30. As a result, the reliability and adhesion of the functional electrode 30 can be improved.
  • the boundary between the first layer 33 and the second layer 34 preferably overlaps with the boundary between the first portion 31c and the second portion 32c, but is not essential.
  • the layer of the functional electrode 30 is not limited to the first layer 33 and the second layer 34, and may be composed of three or more layers.
  • the first layer 33 preferably contains any one of Cu, Ti, Mo, W, Pt, Ni, and Cr as a main component, and the first layer 33 preferably contains any of Cu, Ti, Mo, W, Pt, Ni, and Cr.
  • the two layers 34 preferably contain Al as a main component. As a result, the functional electrode 30 can have a desired resistance value.
  • FIG. 18 is a third modification of an enlarged view of the area A of FIG. 13.
  • the boundary portion between the first portion 31c and the second portion 32c may be a curved surface. That is, in the XZ cross-sectional view, the first portion 31c and the second portion 32c may be connected by a curve.
  • the boundary between the first portion 31c and the second portion 32c passes through the intersection of the tangent of the first portion 31c at the point P1 and the tangent of the second portion 32c at the point P2, and is the first of the piezoelectric layer 2. It is the intersection of the straight line parallel to the main surface 2a and the first side surface 30c.
  • FIG. 19 is a fourth modification of the enlarged view of the area A in FIG. 13.
  • the first side surface 30c may have a curved surface in whole or in part. That is, in the XZ cross-sectional view, the first side surface 30c may be entirely or partially curved.
  • the shape of the curved surface is preferably a concave surface. That is, it is preferable that the first side surface 30c is a concave curve with respect to the line segment connecting the points P1 and P2 in the XZ cross-sectional view.
  • FIG. 20 is an explanatory diagram showing the stress distribution of the functional electrodes of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • Example 1 is a comparative example, and the functional electrode 30 has a rectangular cross section in the XZ cross-sectional view.
  • Example 2 which is a comparative example, corresponds to the first modification, in which the first angle ⁇ is 90 ° and the second angle ⁇ is 45 °.
  • Example 2 which is an embodiment, it can be seen that the stress on the end point of the functional electrode 30 on the piezoelectric layer 2 side is relaxed.
  • Example 3 corresponds to the fourth modification, and a part of the side surface is a concave surface. In Example 3, it can be seen that the stress on the end point of the functional electrode 30 on the piezoelectric layer 2 side is further relaxed.
  • the elastic wave device 1A is on the opposite side of the support substrate 8, the first main surface 2a, and the first main surface 2a, and is the first main surface.
  • the piezoelectric layer 2 having the second main surface 2b in the first direction (Z direction) with respect to 2a, the first electrode main surface 30a, and the opposite side of the first electrode main surface 30a.
  • a second electrode main surface 30b that is in the first direction with respect to the first electrode main surface 30a and is in contact with the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 and intersects the first direction.
  • a cavity 9 or a cavity 9 provided in a part of the support substrate 8 is provided with at least one pair of functional electrodes 30 which are opposed to each other in the direction (Y direction) and are provided adjacent to each other on the first main surface 2a.
  • a cavity 9 due to an air gap provided between the support substrate 8 and the piezoelectric layer 2 is provided, and the cavity 9 is at least one of a pair of functional electrodes 30 when viewed in a plan view from the first direction.
  • the functional electrode 30 further overlaps the first side surface 30c and the second side surface 30d, which are two side surfaces connecting the first electrode main surface 30a and the second electrode main surface 30b.
  • the first side surface 30c has a first portion 31c having a first angle ⁇ , which is an angle formed by the first side surface 30c and the first main surface 2a, and the first side surface 30c and the first main surface.
  • the angle formed by the surface 2a includes the second portion 32c having a second angle ⁇ smaller than the first angle ⁇ , and the second portion 32c is provided on the piezoelectric layer 2 side with respect to the first portion 31c. Be done.
  • the elastic wave device 1A according to the first embodiment is the end of the electrodes 3 and 4 on the piezoelectric layer 2 side. The stress of the part can be relieved.
  • the first portion 31c and the second portion 32c may be connected by a curved surface. This makes it possible to relieve the stress at the end of the electrode on the piezoelectric layer 2 side.
  • the elastic wave device 1A is on the opposite side of the support substrate 8, the first main surface 2a, and the first main surface 2a, and with respect to the first main surface 2a.
  • the piezoelectric layer 2 having the second main surface 2b in the first direction (Z direction), the first electrode main surface 30a, and the opposite side of the first electrode main surface 30a, and the first one. It has a second electrode main surface 30b that is in the first direction with respect to the electrode main surface 30a and is in contact with the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2, and has a second direction (Y direction) that intersects the first direction.
  • the first main surface 2a is provided with at least one pair of functional electrodes 30 provided adjacent to each other, and the cavity portion 9 or the support substrate 8 having a cavity provided in a part of the support substrate 8.
  • a cavity 9 due to an air gap provided between the piezoelectric layer 2 and the cavity 9 is provided, and the cavity 9 overlaps with at least a part of at least a pair of functional electrodes 30 when viewed in a plan view from the first direction.
  • the functional electrode 30 further has a first side surface 30c and a second side surface 30d, which are two side surfaces connecting the first electrode main surface 30a and the second electrode main surface 30b.
  • the side surface 30c of 1 or the second side surface 30d may have a curved surface. This makes it possible to relieve the stress at the end of the electrode on the piezoelectric layer 2 side.
  • the functional electrode 30 includes at least the first layer 33 and the first layer 33 laminated on the first layer 33 in the first direction. As a result, the elastic wave device 1A can obtain a desired resistance value.
  • the first layer 33 contains any one of copper, titanium, molybdenum, tungsten, platinum, nickel, and chromium as a main component, and the first layer 33 contains aluminum.
  • the elastic wave device 1A can obtain a desired resistance value.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is 0.05 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less. Thereby, the thickness slip primary mode can be effectively excited.
  • a dielectric film 7 is provided between the piezoelectric layer 2 and the support substrate 8. This makes it possible to prevent the piezoelectric layer 2 and the support substrate 8 from conducting each other.
  • the functional electrode 30 includes a plurality of first electrodes 3, a plurality of second electrodes 4, a first bus bar electrode 5 to which the plurality of first electrodes 3 are connected, and a plurality of second electrodes 4.
  • a second bus bar electrode 6 connected is provided.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is the case where the distance between the centers between the adjacent first electrode 3 and the second electrode 4 among the plurality of first electrodes 3 and the plurality of second electrodes 4 is p. It is 2p or less. As a result, the elastic wave device 1A can be miniaturized and the Q value can be increased.
  • lithium niobate or lithium tantalate is included. This makes it possible to provide an elastic wave device 1A that can obtain good resonance characteristics.
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate or lithium tantalate constituting the piezoelectric layer 2 are in the range of the following equations (1), (2) or (3). It is in. In this case, the specific band can be sufficiently widened.
  • Equation (1) (0 ° ⁇ 10 °, 20 ° -80 °, 0 ° -60 ° (1- ( ⁇ -50) 2/900) 1/2 ) or (0 ° ⁇ 10 °, 20 ° -80 °, [180] ° -60 ° (1- ( ⁇ -50) 2/900) 1/2 ] -180 °).
  • Equation (2) (0 ° ⁇ 10 °, [180 ° -30 ° (1- ( ⁇ 90) 2/8100) 1/2 ] to 180 °, arbitrary ⁇ ).
  • the elastic wave device 1A is configured to enable the use of bulk waves in the thickness slip mode. As a result, it is possible to provide the elastic wave device 1A in which the coupling coefficient is increased and good resonance characteristics can be obtained.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is d, and the distance between the centers of the adjacent electrodes 3 and 4 is p, d / p ⁇ 0.5.
  • the elastic wave device 1 can be miniaturized and the Q value can be increased.
  • d / p is 0.24 or less.
  • the elastic wave device 1 can be miniaturized and the Q value can be increased.
  • the region where the adjacent electrodes 3 and 4 overlap in the opposite direction is the excitation region C and the metallization ratio of the plurality of electrodes 3 and 4 with respect to the excitation region C is MR.
  • MR ⁇ 1.75 (d / p) +0.075 is satisfied.
  • the specific band can be surely reduced to 17% or less.
  • the functional electrode 30 is an IDT electrode, and is configured to be able to use plate waves. This makes it possible to provide an elastic wave device 1A that can obtain good resonance characteristics.

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Abstract

電極の圧電層側の端部の応力を緩和する。弾性波装置は、支持基板と、第1の主面と第2の主面とを有する圧電層と、第1の電極主面と第2の電極主面とを有し、第2方向において対向し、第1の主面に、隣り合って設けられた少なくとも1対の機能電極と、を備え、支持基板の一部に設けられる空洞による空洞部または支持基板と圧電層との間に設けられるエアギャップによる空洞部が設けられており、空洞部は、第1方向から平面視した場合に、機能電極の少なくとも一部と重なっており、機能電極は、第1の電極主面と第2の電極主面とを接続する2つの側面である、第1の側面と、第2の側面と、をさらに有し、第1の側面は、第1の側面と第1の主面とがなす角度である第1角度を有する第1部分と、第1の側面と第1の主面とがなす角度であって、第1角度よりも小さい第2角度を有する第2部分とを含み、第2部分は、第1部分に対して圧電層側に設けられる。

Description

弾性波装置
 本開示は、弾性波装置に関する。
 特許文献1には、弾性波装置が記載されている。
特開2012-257019号公報
 特許文献1において、弾性波装置自身や弾性波装置の周囲の温度が変化すると、電極の圧電層側の端部に応力が集中し、圧電層の分極反転が生じる可能性がある。そのため、電極の圧電層側の端部の応力を緩和することが求められる。
 本開示は、上述した課題を解決するものであり、電極の圧電層側の端部の応力を緩和することを目的とする。
 一態様に係る弾性波装置は、支持基板と、第1の主面と、前記第1の主面の反対側であって、かつ前記第1の主面に対して第1方向にある第2の主面とを有する圧電層と、第1の電極主面と、前記第1の電極主面の反対側であって、かつ前記第1の電極主面に対して第1方向にあり、前記圧電層の前記第1の主面と接する第2の電極主面と、を有し、前記第1方向に交差する第2方向において対向し、前記第1の主面に、隣り合って設けられた少なくとも1対の機能電極と、を備え、前記支持基板の一部に設けられる空洞による空洞部または前記支持基板と前記圧電層との間に設けられるエアギャップによる空洞部が設けられており、前記空洞部は、前記第1方向から平面視した場合に、前記少なくとも1対の機能電極の少なくとも一部と重なっており、前記機能電極は、前記第1の電極主面と前記第2の電極主面とを接続する2つの側面である、第1の側面と第2の側面とをさらに有し、前記第1の側面は、前記第1の側面と前記第1の主面とがなす角度である第1角度を有する第1部分と、前記第1の側面と前記第1の主面とがなす角度であって、前記第1角度よりも小さい第2角度を有する第2部分とを含み、前記第2部分は、前記第1部分に対して前記圧電層側に設けられる。
 他の態様に係る弾性波装置は、支持基板と、第1の主面と、前記第1の主面の反対側であって、かつ前記第1の主面に対して第1方向にある第2の主面とを有する圧電層と、第1の電極主面と、前記第1の電極主面の反対側であって、かつ前記第1の電極主面に対して第1方向にあり、前記圧電層の前記第1の主面と接する第2の電極主面と、を有し、前記第1方向に交差する第2方向において対向し、前記第1の主面に、隣り合って設けられた少なくとも1対の機能電極と、を備え、前記支持基板の一部に設けられる空洞による空洞部または前記支持基板と前記圧電層との間に設けられるエアギャップによる空洞部が設けられており、前記空洞部は、前記第1方向から平面視した場合に、前記少なくとも1対の機能電極の少なくとも一部と重なっており、前記機能電極は、前記第1の電極主面と前記第2の電極主面とを接続する2つの側面である、第1の側面と第2の側面とをさらに有し、前記第1の側面または前記第2の側面は、曲面を有する。
 本開示によれば、電極の圧電層側の端部の応力を緩和することができる。
図1Aは、第1実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。 図1Bは、第1実施形態の電極構造を示す平面図である。 図2は、図1AのII-II線に沿う部分の断面図である。 図3Aは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。 図3Bは、第1実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り1次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。 図4は、第1実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り1次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。 図5は、第1実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。 図6は、第1実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離または中心間距離の平均距離をp、圧電層の平均厚みをdとした場合、d/2pと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。 図7は、第1実施形態の弾性波装置において、1対の電極が設けられている例を示す平面図である。 図8は、第1実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。 図9は、第1実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての180度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。 図10は、d/2pと、メタライゼーション比MRと、比帯域との関係を示す説明図である。 図11は、d/pを限りなく0に近づけた場合のLiNbOのオイラー角(0°、θ、ψ)に対する比帯域のマップを示す説明図である。 図12は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。 図13は、第1実施形態に係る弾性波装置の実施例を示す断面図である。 図14は、図13の領域Aを拡大した拡大図の一例である。 図15Aは、第1実施形態に係る弾性波装置の機能電極の応力と寸法の関係を示す説明図である。 図15Bは、第1実施形態に係る弾性波装置の機能電極の応力と寸法の関係を示す説明図である。 図16は、図13の領域Aを拡大した拡大図の第1変形例である。 図17は、図13の領域Aを拡大した拡大図の第2変形例である。 図18は、図13の領域Aを拡大した拡大図の第3変形例である。 図19は、図13の領域Aを拡大した拡大図の第4変形例である。 図20は、第1実施形態に係る弾性波装置の機能電極の応力分布を示す説明図である。
 以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本開示が限定されるものではない。なお、本開示に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能である変形例や第2実施の形態以降では第1の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
 (第1実施形態)
 図1Aは、第1実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。図1Bは、第1実施形態の電極構造を示す平面図である。
 第1実施形態の弾性波装置1は、LiNbOからなる圧電層2を有する。圧電層2は、LiTaOからなるものであってもよい。LiNbOやLiTaOのカット角は、第1実施形態では、Zカットである。LiNbOやLiTaOのカット角は、回転YカットやXカットであってもよい。好ましくは、Y伝搬及びX伝搬±30°の伝搬方位が好ましい。
 圧電層2の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り1次モードを効果的に励振するには、50nm以上、1000nm以下が好ましい。
 圧電層2は、Z方向に対向し合う第1の主面2aと、第2の主面2bとを有する。第1の主面2a上に、電極3及び電極4が設けられている。
 ここで電極3が「第1電極」の一例であり、電極4が「第2電極」の一例である。図1A及び図1Bでは、複数の電極3が、第1のバスバー電極5に接続されている。複数の電極4は、第2のバスバー電極6に接続されている。複数の電極3及び複数の電極4は、互いに間挿し合っている。これにより、電極3と、電極4とを備えるIDT電極が構成される。
 電極3及び電極4は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極3と、電極3と隣接する電極4とが対向している。電極3、電極4の長さ方向、及び、電極3、電極4の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層2の厚み方向に交差する方向である。このため、電極3と、電極3と隣接する電極4とは、圧電層2の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。以下の説明では、圧電層2の厚み方向をZ方向(または第1方向)とし、電極3、電極4の長さ方向をY方向(または第2方向)とし、電極3、電極4の直交する方向をX方向(または第3方向)として、説明することがある。
 また、電極3、電極4の長さ方向が図1A及び図1Bに示す電極3、電極4の長さ方向に直交する方向と入れ替わっても良い。すなわち、図1A及び図1Bにおいて、第1のバスバー電極5及び第2のバスバー電極6が延びている方向に電極3、電極4を延ばしてもよい。その場合、第1のバスバー電極5及び第2のバスバー電極6は、図1A及び図1Bにおいて電極3、電極4が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極3と、他方電位に接続される電極4とが隣り合う1対の構造が、上記電極3、電極4の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。
 ここで電極3と電極4とが隣り合うとは、電極3と電極4とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極3と電極4とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極3と電極4とが隣り合う場合、電極3と電極4との間には、他の電極3、電極4を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、1.5対や2.5対などであってもよい。
 電極3と電極4との間の中心間距離すなわちピッチは、1μm以上、10μm以下の範囲が好ましい。また、電極3と電極4との間の中心間距離とは、電極3の長さ方向と直交する方向における電極3の幅寸法の中心と、電極4の長さ方向と直交する方向における電極4の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。
 さらに、電極3、電極4の少なくとも一方が複数本ある場合(電極3、電極4を一対の電極組とした場合に、1.5対以上の電極組がある場合)、電極3、電極4の中心間距離は、1.5対以上の電極3、電極4のうち隣り合う電極3、電極4それぞれの中心間距離の平均値を指す。
 また、電極3、電極4の幅、すなわち電極3、電極4の対向方向の寸法は、150nm以上、1000nm以下の範囲が好ましい。なお、電極3と電極4との間の中心間距離とは、電極3の長さ方向と直交する方向における電極3の寸法(幅寸法)の中心と、電極4の長さ方向と直交する方向における電極4の寸法(幅寸法)の中心とを結んだ距離となる。
 また、第1実施形態では、Zカットの圧電層を用いているため、電極3、電極4の長さ方向と直交する方向は、圧電層2の分極方向に直交する方向となる。圧電層2として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交(電極3、電極4の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば90°±10°)でもよい。
 圧電層2の第2の主面2b側には、誘電体膜7を介して支持基板8が積層されている。誘電体膜7及び支持基板8は、枠状の形状を有し、図2に示すように、開口部7a、8aを有する。それによって、空洞部(エアギャップ)9が形成されている。
 空洞部9は、圧電層2の励振領域Cの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持基板8は、少なくとも1対の電極3、電極4が設けられている部分と重ならない位置において、第2の主面2bに誘電体膜7を介して積層されている。なお、誘電体膜7は設けられずともよい。従って、支持基板8は、圧電層2の第2の主面2bに直接または間接に積層され得る。
 誘電体膜7は、酸化ケイ素で形成されている。もっとも、誘電体膜7は、酸化ケイ素の他、窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料で形成することができる。
 支持基板8は、Siにより形成されている。Siの圧電層2側の面における面方位は(100)や(110)であってもよく、(111)であってもよい。好ましくは、抵抗率4kΩ以上の高抵抗のSiが望ましい。もっとも、支持基板8についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持基板8の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
 上記複数の電極3、電極4及び第1のバスバー電極5、第2のバスバー電極6は、Al、AlCu合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。第1実施形態では、電極3、電極4及び第1のバスバー電極5、第2のバスバー電極6は、Ti膜上にAl膜を積層した構造を有する。なお、Ti膜以外の密着層を用いてもよい。
 駆動に際しては、複数の電極3と、複数の電極4との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第1のバスバー電極5と第2のバスバー電極6との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層2において励振される厚み滑り1次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。
 また、弾性波装置1では、圧電層2の厚みをd、複数対の電極3、電極4のうちいずれかの隣り合う電極3、電極4の中心間距離をpとした場合、d/pは0.5以下とされている。そのため、上記厚み滑り1次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、d/pは0.24以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
 なお、第1実施形態のように電極3、電極4の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極3、電極4を1対の電極組とした場合に電極3、電極4が1.5対以上ある場合、隣り合う電極3、電極4の中心間距離pは、各隣り合う電極3、電極4の中心間距離の平均距離となる。
 第1実施形態の弾性波装置1では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極3、電極4の対数を小さくしたとしても、Q値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り1次モードのバルク波を利用していることによる。
 図3Aは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。図3Bは、第1実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り1次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図4は、第1実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り1次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。
 図3Aでは、特許文献1に記載のような弾性波装置であり、圧電層をラム波が伝搬する。図3Aに示すように、圧電層201中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電層201には、第1の主面201aと、第2の主面201bとがあり、第1の主面201aと第2の主面201bとを結ぶ厚み方向がZ方向である。X方向は、IDT電極の電極3、4が並んでいる方向である。図3Aに示すように、ラム波では、波が図示のように、X方向に伝搬していく。板波であるため、圧電層201が全体として振動するものの、波はX方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極3、4の対数を少なくした場合、Q値が低下する。
 これに対して、図3Bに示すように、第1実施形態の弾性波装置では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層2の第1の主面2aと第2の主面2bとを結ぶ方向、すなわちZ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のX方向成分がZ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このZ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極3、電極4からなる電極対の対数を減らしたとしても、Q値の低下が生じ難い。
 なお、厚み滑り1次モードのバルク波の振幅方向は、図4に示すように、圧電層2の励振領域C(図1B参照)に含まれる第1領域451と、励振領域Cに含まれる第2領域452とで逆になる。図4では、電極3と電極4との間に、電極4が電極3よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第1領域451は、励振領域Cのうち、圧電層2の厚み方向に直交し圧電層2を2分する仮想平面VP1と、第1の主面2aとの間の領域である。第2領域452は、励振領域Cのうち、仮想平面VP1と、第2の主面2bとの間の領域である。
 弾性波装置1では、電極3と電極4とからなる少なくとも1対の電極が配置されているが、X方向に波を伝搬させるものではないため、この電極3、電極4からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも1対の電極が設けられてさえおればよい。
 例えば、上記電極3がホット電位に接続される電極であり、電極4がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極3がグラウンド電位に、電極4がホット電位に接続されてもよい。第1実施形態では、少なくとも1対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
 図5は、第1実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。なお、図5に示す共振特性を得た弾性波装置1の設計パラメータは以下の通りである。
 圧電層2:オイラー角(0°、0°、90°)のLiNbO
 圧電層2の厚み:400nm
 励振領域C(図1B参照)の長さ:40μm
 電極3、電極4からなる電極の対数:21対
 電極3と電極4との間の中心間距離(ピッチ):3μm
 電極3、電極4の幅:500nm
 d/p:0.133
 誘電体膜7:1μmの厚みの酸化ケイ素膜
 支持基板8:Si
 なお、励振領域C(図1B参照)とは、電極3と電極4の長さ方向と直交するX方向に視たときに、電極3と電極4とが重なっている領域である。励振領域Cの長さとは、励振領域Cの電極3、電極4の長さ方向に沿う寸法である。
 第1実施形態では、電極3、電極4からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極3と電極4とを等ピッチで配置した。
 図5から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が12.5%である良好な共振特性が得られている。
 ところで、上記圧電層2の厚みをd、電極3と電極4との電極の中心間距離をpとした場合、第1実施形態では、d/pは0.5以下、より好ましくは0.24以下である。これを、図6を参照して説明する。
 図5に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しd/2pを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図6は、第1実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離または中心間距離の平均距離をp、圧電層2の平均厚みをdとした場合、d/2pと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。
 図6に示すように、d/2pが0.25を超えると、すなわちd/p>0.5では、d/pを調整しても、比帯域は5%未満である。これに対して、d/2p≦0.25、すなわちd/p≦0.5の場合には、その範囲内でd/pを変化させれば、比帯域を5%以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、d/2pが0.12以下の場合、すなわちd/pが0.24以下の場合には、比帯域を7%以上と高めることができる。加えて、d/pをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、d/pを0.5以下とすることにより、上記厚み滑り1次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
 なお、少なくとも1対の電極は、1対でもよく、上記pは、1対の電極の場合、隣り合う電極3、電極4の中心間距離とする。また、1.5対以上の電極の場合には、隣り合う電極3、電極4の中心間距離の平均距離をpとすればよい。
 また、圧電層2の厚みdについても、圧電層2が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。
 図7は、第1実施形態の弾性波装置において、1対の電極が設けられている例を示す平面図である。弾性波装置101では、圧電層2の第1の主面2a上において、電極3と電極4とを有する1対の電極が設けられている。なお、図7中のKが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置では、電極の対数は1対であってもよい。この場合においても、上記d/pが0.5以下であれば、厚み滑り1次モードのバルク波を効果的に励振することができる。
 弾性波装置1では、好ましくは、複数の電極3、電極4において、いずれかの隣り合う電極3、電極4が対向している方向に視たときに重なっている領域である励振領域Cに対する、上記隣り合う電極3、電極4のメタライゼーション比MRが、MR≦1.75(d/p)+0.075を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図8及び図9を参照して説明する。
 図8は、第1実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Bで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、d/p=0.08として、かつLiNbOのオイラー角(0°、0°、90°)とした。また、上記メタライゼーション比MR=0.35とした。
 メタライゼーション比MRを、図1Bを参照して説明する。図1Bの電極構造において、1対の電極3、電極4に着目した場合、この1対の電極3、電極4のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が励振領域Cとなる。この励振領域Cとは、電極3と電極4とを、電極3、電極4の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに電極3における電極4と重なり合っている領域、電極4における電極3と重なり合っている領域、及び、電極3と電極4との間の領域における電極3と電極4とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域Cの面積に対する、励振領域C内の電極3、電極4の面積が、メタライゼーション比MRとなる。すなわち、メタライゼーション比MRは、メタライゼーション部分の面積の励振領域Cの面積に対する比である。
 なお、複数対の電極3、電極4が設けられている場合、励振領域Cの面積の合計に対する全励振領域Cに含まれているメタライゼーション部分の割合をMRとすればよい。
 図9は、第1実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての180度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。なお、比帯域については、圧電層2の膜厚や電極3、電極4の寸法を種々変更し、調整した。また、図9は、ZカットのLiNbOからなる圧電層2を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層2を用いた場合においても、同様の傾向となる。
 図9中の楕円Jで囲まれている領域では、スプリアスが1.0と大きくなっている。図9から明らかなように、比帯域が0.17を超えると、すなわち17%を超えると、スプリアスレベルが1以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図8に示す共振特性のように、矢印Bで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は17%以下であることが好ましい。この場合には、圧電層2の膜厚や電極3、電極4の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
 図10は、d/2pと、メタライゼーション比MRと、比帯域との関係を示す説明図である。第1実施形態の弾性波装置1において、d/2pと、MRが異なる様々な弾性波装置1を構成し、比帯域を測定した。図10の破線Dの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が17%以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、MR=3.5(d/2p)+0.075で表される。すなわち、MR=1.75(d/p)+0.075である。従って、好ましくは、MR≦1.75(d/p)+0.075である。その場合には、比帯域を17%以下としやすい。より好ましくは、図10中の一点鎖線D1で示すMR=3.5(d/2p)+0.05の右側の領域である。すなわち、MR≦1.75(d/p)+0.05であれば、比帯域を確実に17%以下にすることができる。
 図11は、d/pを限りなく0に近づけた場合のLiNbOのオイラー角(0°、θ、ψ)に対する比帯域のマップを示す説明図である。図11のハッチングを付して示した部分が、少なくとも5%以上の比帯域が得られる領域である。領域の範囲を近似すると、下記の式(1)、式(2)及び式(3)で表される範囲となる。
 (0°±10°、0°~20°、任意のψ)  …式(1)
 (0°±10°、20°~80°、0°~60°(1-(θ-50)/900)1/2)または(0°±10°、20°~80°、[180°-60°(1-(θ-50)/900)1/2]~180°)  …式(2)
 (0°±10°、[180°-30°(1-(ψ-90)/8100)1/2]~180°、任意のψ)  …式(3)
 従って、上記式(1)、式(2)または式(3)のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
 図12は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。図12において、空洞部9の外周縁を破線で示す。本開示の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。この場合、図12に示すように、弾性波装置301は、反射器310、311を有する。反射器310、311は、圧電層2の電極3、4の弾性波伝搬方向両側に設けられる。弾性波装置301では、空洞部9上の電極3、4に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。このとき、反射器310、311が両側に設けられているため、板波としてのラム波による共振特性を得ることができる。
 以上説明したように、弾性波装置1、101では、厚み滑り1次モードのバルク波が利用されている。また、弾性波装置1、101では、第1電極3及び第2電極4は隣り合う電極同士であり、圧電層2の厚みをd、第1電極3及び第2電極4の中心間距離をpとした場合、d/pが0.5以下とされている。これにより、弾性波装置が小型化しても、Q値を高めることができる。
 弾性波装置1、101では、圧電層2がニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムで形成されている。圧電層2の第1の主面2aまたは第2の主面2bには、圧電層2の厚み方向に交差する方向において対向する第1電極3及び第2電極4があり、第1電極3及び第2電極4の上を保護膜で覆うことが望ましい。
 図13は、第1実施形態に係る弾性波装置の実施例を示す断面図である。図13に示すように、第1実施例に係る弾性波装置1Aは、圧電層2の第1の主面2aに、少なくとも1対の機能電極30を備える。なお、図13の例において、空洞部9は、支持基板8に設けられ、支持基板8のZ方向反対側の面(圧電層2の第2の主面2b側)の面と誘電体膜7のZ方向側の面に囲まれた空間となっているが、これに限られず、空洞部9は、支持基板8と圧電層2との間に設けられるエアギャップであってもよい。
 図14は、図13の領域Aを拡大した拡大図の一例である。機能電極30は、電極3または電極4を含む電極である。機能電極30は、X方向、すなわち機能電極30の長さ方向と同じ方向に延びた面として、第1の電極主面30aと、第2の電極主面30bと、第1の側面30cと、第2の側面30dとを有する。図14の例では、機能電極30の断面は、その長さ方向と垂直な面(以下XZ平面)での断面図において、第1の電極主面30aと、第2の電極主面30bと、第1の側面30cと、第2の側面30dとから囲まれている。
 第1の電極主面30aは、圧電層2の第1の主面2aと接しない面であって、圧電層2の第1の主面2aから最も遠い面であるといえる。第2の電極主面30bは、機能電極30が有する面のうち、第1の電極主面30aの反対側であって、かつ第2の電極主面30bに対してZ方向にあり、圧電層2の第1の主面2aと接する面である。第1実施形態に係る機能電極30において、第1の電極主面30aのY方向の最大長さは、第2の電極主面30bのY方向の最大長さに比べて小さい。図14の例においては、機能電極30は、Z方向から平面視して、第1の電極主面30aと第2の電極主面30bは、圧電層2の第1の主面2aと平行な平面であり、図14に示す断面図においては直線状となっている。
 第1の側面30cは、機能電極30の第1の電極主面30aと第2の電極主面30bとを接続する一方の面である。第2の側面30dは、機能電極30の第1の電極主面30aと第2の電極主面30bとを接続する他方の面である。第1実施形態に係る機能電極30において、第2の側面30dは、第1の側面30cと同様の形状であるが、これに限られず異なる形状であってもよい。図14の例では、第1の側面30cと第2の側面30dは、平面状であり、図14に示す断面図においては直線状となっている。
 以降においては、第1の電極主面30aのY方向の最大長さをLs(μm)、第2の電極主面30bのY方向の最大長さをLb(μm)、圧電層2の第1の主面2aから空洞部9までの第1方向の最大長さTgをTg(μm)、機能電極30の第1方向の最大長さをTe(μm)とする。ここで、図14において、Tgは、圧電層2の第1の主面2aから誘電体膜7の空洞部9に露出している面までの、Z方向の最大長さを指す。また、Teは第1の電極主面30aから第2の電極主面30bまでZ方向の最大長さを指す。すなわち、Tgは、空洞部9を覆う圧電層2を含む層の厚さであるといえ、Teは、機能電極30の厚さであるといえる。このとき、0.5(Lb-Ls)/Tgは、Tgに対する、第1の側面30cと第2の側面30dとのY方向の平均長さの比率であるといえる。なお、空洞部9が、支持基板8と圧電層2との間に設けられるエアギャップであって、機能電極30と空洞部9との間に誘電体膜7が積層されていない場合、Tgは、圧電層2の第1の主面2aから第2の主面2bの厚さ(Z方向の最大の長さ)となる。
 図15Aは、第1実施形態に係る弾性波装置の機能電極の応力と寸法の関係を示す説明図である。図15Bは、第1実施形態に係る弾性波装置の機能電極の応力と寸法の関係を示す説明図である。より詳しくは、図15Aは、Tgが500μmである場合の、0.5(Lb-Ls)/Tgの値と、応力の強さとの関係を示した図であり、図15Bは、Tgが1μmである場合の、0.5(Lb-Ls)/Tgの値と、応力の強さとの関係を示した図である。図15Aに示すように、Tgが500μmである場合において、0.5(Lb-Ls)/Tgの値が0.002以上であると、応力が低下し、0.5(Lb-Ls)/Tgの値が0.009以上であるとさらに応力が低下し、0.5(Lb-Ls)/Tgの値が0.02以上であると、応力が低い値で安定していることがわかる。また、図15Bに示すように、Tgが1μmである場合には、安定して低い応力を得ることができる。以上の結果より、LsとLbとの差分の1/2の値は、Tgの0.2%以上であることが好ましく、Tgの0.9%以上であることがより好ましく、Tgの2%以上であることがさらに好ましい。なお、0.5(Lb-Ls)の値がTeを超えると、機能電極30の製造が難しくなるため、0.5(Lb-Ls)/Tgの値は、Te以下であることが好ましい。以上の条件を満たすことで、弾性波装置1A自身や弾性波装置1Aの周囲の温度が変化しても、機能電極30の圧電層2側のY方向の端部の応力を緩和することができる。
 機能電極30は、Cu、Ti、Mo、W、Pt、Ni、Crなどの導体で構成することができる。また、機能電極30の第1の電極主面30a、第1の側面30cまたは第2の側面30dは、酸化ケイ素などの保護膜で覆われていてもよい。
 以上、第1実施形態に係る弾性波装置1Aについて説明したが、機能電極30の形状及び構成は、図14に示すものに限られない。以下図面を用いて他変形例を説明する。
 図16は、図13の領域Aを拡大した拡大図の第1変形例である。第1変形例は、第1の側面30cが、第1部分31cと、第2部分32cからなる点で図14と異なる。第1部分31cは、第1角度αを有する平面である。第1角度αは、第1部分31cと、圧電層2の第1の主面2aとがなす角度であって、より具体的には、第1部分31cと第1の電極主面30aとの交点P1における第1部分31cの接線と、圧電層2の第1の主面2aとがなす角度と定義される。第2部分32cは、第1部分31cよりZ方向に設けられた、第1角度αより小さい第2角度βを有する平面である。第2角度βは、第2部分32cと、圧電層2の第1の主面2aとがなす角度であって、より具体的には、第2部分32cと第2の電極主面30bとの交点P2における第2部分32cの接線と、圧電層2の第1の主面2aとがなす角度と定義される。第2部分32cは、第1部分31cに対して圧電層2側に設けられる。図16の例では、第2部分32cは、第1部分31cに対してZ方向に設けられる。第1の側面30cをこの形状とすることで、機能電極30の圧電層2側のY方向の端部の応力が分散され、圧電層2の分極反転を抑制することができる。
 図17は、図13の領域Aを拡大した拡大図の第2変形例である。図17に示すように、第1の側面30cが、第1部分31cと第2部分32cを含む場合、機能電極30は、異なる材料からなる第1層33と第2層34とを含む多層構造であってもよい。第1層33は、機能電極30の構成層のうち、圧電層2の第1の主面2aに接している層である。第2層34は、機能電極30の構成層のうち、第1層33に積層している層である。これにより、機能電極30の信頼性及び密着力を向上することができる。なお、第1層33と第2層34との境界は、第1部分31cと第2部分32cとの境界と重なることが好ましいが、必須ではない。また、機能電極30の層は第1層33及び第2層34に限られず、3層以上の層からなるものであってもよい。
 機能電極30が第1層33と第2層34とを含む場合、第1層33は、Cu、Ti、Mo、W、Pt、Ni、Crのいずれかを主成分として含むことが好ましく、第2層34は、Alを主成分として含むことが好ましい。これにより、機能電極30を所望の抵抗値とすることができる。
 図18は、図13の領域Aを拡大した拡大図の第3変形例である。図18に示すように、第1部分31cと第2部分32cとの境界部分は曲面であってもよい。すなわち、XZ断面図において、第1部分31cと第2部分32cとは、曲線で接続されていてもよい。この場合、第1部分31cと第2部分32cとの境界は、点P1における第1部分31cの接線と、点P2における第2部分32cの接線との交点を通り、圧電層2の第1の主面2aに平行な直線と、第1の側面30cとの交点となる。
 図19は、図13の領域Aを拡大した拡大図の第4変形例である。図19に示すように、第1の側面30cは、その全体または一部が曲面を有してもよい。すなわち、XZ断面図において、第1の側面30cは、その全体または一部が曲線であってもよい。このとき、曲面の形状は、凹面であることが好ましい。すなわち、第1の側面30cは、XZ断面図において、点P1と点P2とを結ぶ線分に対して凹な曲線であることが好ましい。これにより、機能電極30の圧電層2側のY方向の端部の応力が分散され、圧電層2の分極反転を抑制することができる。
 図20は、第1実施形態に係る弾性波装置の機能電極の応力分布を示す説明図である。例1は、比較例であり、機能電極30は、XZ断面図において、断面が矩形となっている。例1では、機能電極30の圧電層2側のY方向の端部に応力が集中していることが分かる。比較例である例2は、第1変形例に相当し、第1角度αが90°で、第2角度βが45°である。実施例である例2では、機能電極30の圧電層2側の端点への応力が緩和されていることが分かる。例3は、第4変形例に相当し、側面の一部が、凹面となっている。実施例である例3では、機能電極30の圧電層2側の端点への応力がより緩和されていることが分かる。
 以上説明したように、第1実施形態に係る弾性波装置1Aは、支持基板8と、第1の主面2aと、第1の主面2aの反対側であって、かつ第1の主面2aに対して第1方向(Z方向)にある第2の主面2bとを有する圧電層2と、第1の電極主面30aと、第1の電極主面30aの反対側であって、かつ第1の電極主面30aに対して第1方向にあり、圧電層2の第1の主面2aと接する第2の電極主面30bと、を有し、第1方向に交差する第2方向(Y方向)において対向し、第1の主面2aに、隣り合って設けられた少なくとも1対の機能電極30と、を備え、支持基板8の一部に設けられる空洞による空洞部9または支持基板8と圧電層2との間に設けられるエアギャップによる空洞部9が設けられており、空洞部9は、第1方向から平面視した場合に、少なくとも1対の機能電極30の少なくとも一部と重なっており、機能電極30は、第1の電極主面30aと第2の電極主面30bとを接続する2つの側面である、第1の側面30cと第2の側面30dとをさらに有し、第1の側面30cは、第1の側面30cと第1の主面2aとがなす角度である第1角度αを有する第1部分31cと、第1の側面30cと第1の主面2aとがなす角度であって、第1角度αよりも小さい第2角度βを有する第2部分32cとを含み、第2部分32cは、第1部分31cに対して圧電層2側に設けられる。
 この構成とすることで、弾性波装置1A自身や弾性波装置1Aの周囲の温度が変化しても、第1実施形態に係る弾性波装置1Aは、電極3、4の圧電層2側の端部の応力を緩和することができる。
 また、第1実施形態に係る弾性波装置1Aは、第1部分31cと第2部分32cは、曲面によって接続されてもよい。これにより、電極の圧電層2側の端部の応力を緩和することができる。
 また、第1実施形態に係る弾性波装置1Aは、支持基板8と、第1の主面2aと、第1の主面2aの反対側であって、かつ第1の主面2aに対して第1方向(Z方向)にある第2の主面2bとを有する圧電層2と、第1の電極主面30aと、第1の電極主面30aの反対側であって、かつ第1の電極主面30aに対して第1方向にあり、圧電層2の第1の主面2aと接する第2の電極主面30bと、を有し、第1方向に交差する第2方向(Y方向)において対向し、第1の主面2aに、隣り合って設けられた少なくとも1対の機能電極30と、を備え、支持基板8の一部に設けられる空洞による空洞部9または支持基板8と圧電層2との間に設けられるエアギャップによる空洞部9が設けられており、空洞部9は、第1方向から平面視した場合に、少なくとも1対の機能電極30の少なくとも一部と重なっており、機能電極30は、第1の電極主面30aと第2の電極主面30bとを接続する2つの側面である、第1の側面30cと第2の側面30dとをさらに有し、第1の側面30cまたは第2の側面30dは、曲面を有してもよい。これにより、電極の圧電層2側の端部の応力を緩和することができる。
 望ましい態様として、機能電極30は、少なくとも第1層33と、第1方向に第1層33に積層される第1層33とを含む。これにより、弾性波装置1Aは、所望の抵抗値を得ることができる。
 さらに望ましい態様として、第1層33は、銅、チタン、モリブデン、タングステン、白金、ニッケル、クロムのいずれかを主成分として含み、第1層33は、アルミニウムを含む。これにより、弾性波装置1Aは、所望の抵抗値を得ることができる。
 望ましい態様として、圧電層2の厚さは、0.05μm以上1μm以下である。これにより、厚み滑り1次モードを効果的に励振することができる。
 望ましい態様として、圧電層2と支持基板8との間には誘電体膜7が設けられている。これにより、圧電層2と支持基板8とが導通することを防ぐことができる。
 望ましい態様として、機能電極30は、複数の第1電極3と、複数の第2電極4と、複数の第1電極3が接続された第1のバスバー電極5と、複数の第2電極4が接続された第2のバスバー電極6と、を備える。これにより、第1実施形態に係る弾性波装置1Aは、電極の圧電層2側の端部の応力を緩和することができる。
 望ましい態様として、圧電層2の厚みは、複数の第1電極3と複数の第2電極4のうち、隣り合う第1電極3と第2電極4との間の中心間距離をpとした場合に2p以下である。これにより、弾性波装置1Aを小型化でき、かつQ値を高めることができる。
 望ましい態様として、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む。これにより、良好な共振特性が得られる弾性波装置1Aを提供することができる。
 さらに望ましい態様として、圧電層2を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角(φ、θ、ψ)が、以下の式(1)、式(2)または式(3)の範囲にある。この場合、比帯域を十分に広くすることができる。
 (0°±10°、0°~20°、任意のψ)  …式(1)
 (0°±10°、20°~80°、0°~60°(1-(θ-50)/900)1/2) または (0°±10°、20°~80°、[180°-60°(1-(θ-50)/900)1/2]~180°)  …式(2)
 (0°±10°、[180°-30°(1-(ψ-90)/8100)1/2]~180°、任意のψ)  …式(3)
 望ましい態様として、弾性波装置1Aは、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている。これにより、結合係数が高まり、良好な共振特性が得られる弾性波装置1Aを提供することができる。
 望ましい態様として、機能電極30は、互いに対向し合う少なくとも1対の電極3、4を含み、圧電層2の厚みをd、隣り合う電極3、4の中心間距離をpとした場合、d/p≦0.5である。これにより、弾性波装置1を小型化でき、かつQ値を高めることができる。
 さらに望ましい態様として、d/pは0.24以下である。これにより、弾性波装置1を小型化でき、かつQ値を高めることができる。
 望ましい態様として、隣り合う電極3、4が対向している方向において重なっている領域が励振領域Cであり、励振領域Cに対する、複数の電極3、4のメタライゼーション比をMRとしたときに、MR≦1.75(d/p)+0.075を満たす。この場合、比帯域を確実に17%以下にすることができる。
 望ましい態様として、機能電極30がIDT電極であり、板波を利用可能に構成されている。これにより、良好な共振特性が得られる弾性波装置1Aを提供することができる。
 なお、上記した実施の形態は、本開示の理解を容易にするためのものであり、本開示を限定して解釈するためのものではない。本開示は、その趣旨を逸脱することなく、変更/改良され得るとともに、本開示にはその等価物も含まれる。
1、1A、101、301 弾性波装置
2 圧電層
2a 第1の主面
2b 第2の主面
3 電極
4 電極
5 第1のバスバー電極
6 第2のバスバー電極
7 誘電体膜
8 支持基板
7a、8a 開口部
9 空洞部
30 機能電極
30a 第1の電極主面
30b 第2の電極主面
30c 第1の側面
31c 第1部分
32c 第2部分
30d 第2の側面
33 第1層
34 第2層
201 圧電層
201a 第1の主面
201b 第2の主面
310、311 反射器
451 第1領域
452 第2領域
C 励振領域
P1、P2 点
VP1 仮想平面

Claims (16)

  1.  支持基板と、
     第1の主面と、前記第1の主面の反対側であって、かつ前記第1の主面に対して第1方向にある第2の主面とを有する圧電層と、
     第1の電極主面と、前記第1の電極主面の反対側であって、かつ前記第1の電極主面に対して第1方向にあり、前記圧電層の前記第1の主面と接する第2の電極主面と、を有し、前記第1方向に交差する第2方向において対向し、前記第1の主面に、隣り合って設けられた少なくとも1対の機能電極と、
     を備え、
     前記支持基板の一部に設けられる空洞による空洞部または前記支持基板と前記圧電層との間に設けられるエアギャップによる空洞部が設けられており、
     前記空洞部は、前記第1方向から平面視した場合に、前記少なくとも1対の機能電極の少なくとも一部と重なっており、
     前記機能電極は、
     前記第1の電極主面と前記第2の電極主面とを接続する2つの側面である、第1の側面と第2の側面とをさらに有し、
     前記第1の側面は、前記第1の側面と前記第1の主面とがなす角度である第1角度を有する第1部分と、前記第1の側面と前記第1の主面とがなす角度であって、前記第1角度よりも小さい第2角度を有する第2部分とを含み、前記第2部分は、前記第1部分に対して前記圧電層側に設けられる、弾性波装置。
  2.  前記第1部分と前記第2部分は、曲面によって接続される、請求項1に記載の弾性波装置。
  3.  支持基板と、
     第1の主面と、前記第1の主面の反対側であって、かつ前記第1の主面に対して第1方向にある第2の主面とを有する圧電層と、
     第1の電極主面と、前記第1の電極主面の反対側であって、かつ前記第1の電極主面に対して第1方向にあり、前記圧電層の前記第1の主面と接する第2の電極主面と、を有し、前記第1方向に交差する第2方向において対向し、前記第1の主面に、隣り合って設けられた少なくとも1対の機能電極と、
     を備え、
     前記支持基板の一部に設けられる空洞による空洞部または前記支持基板と前記圧電層との間に設けられるエアギャップによる空洞部が設けられており、
     前記空洞部は、前記第1方向から平面視した場合に、前記少なくとも1対の機能電極の少なくとも一部と重なっており、
     前記機能電極は、
     前記第1の電極主面と前記第2の電極主面とを接続する2つの側面である、第1の側面と第2の側面とをさらに有し、
     前記第1の側面または前記第2の側面は、曲面を有する、弾性波装置。
  4.  前記機能電極は、少なくとも第1層と、第1方向に前記第1層に積層される第2層と、を含む請求項1から3のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  5.  前記第1層は、銅、チタン、モリブデン、タングステン、白金、ニッケル、クロムのいずれかを主成分として含み、
     前記第2層は、アルミニウムを含む、請求項4に記載の弾性波装置。
  6.  前記圧電層の厚さは、0.05μm以上1μm以下である、請求項1から5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  7.  前記圧電層と前記支持基板との間には誘電体膜が設けられている、請求項1から6のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  8.  前記機能電極は、複数の第1電極と、複数の第2電極と、前記複数の第1電極が接続された第1のバスバー電極と、前記複数の第2電極が接続された第2のバスバー電極と、を含む、請求項1から7のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  9.  前記圧電層の厚みは、前記複数の第1電極と前記複数の第2電極のうち、隣り合う第1電極と第2電極との間の中心間距離をpとした場合に2p以下である、請求項8に記載の弾性波装置。
  10.  前記圧電層は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む、請求項1から9のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  11.  前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角(φ、θ、ψ)が、以下の式(1)、式(2)または式(3)の範囲にある、請求項10に記載の弾性波装置。
     (0°±10°、0°~20°、任意のψ)  …式(1)
     (0°±10°、20°~80°、0°~60°(1-(θ-50)/900)1/2) または (0°±10°、20°~80°、[180°-60°(1-(θ-50)/900)1/2]~180°)  …式(2)
     (0°±10°、[180°-30°(1-(ψ-90)/8100)1/2]~180°、任意のψ)  …式(3)
  12.  厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項10または11に記載の弾性波装置。
  13.  前記機能電極は、互いに対向し合う少なくとも1対の電極を含み、
     前記圧電層の厚みをd、隣り合う前記電極の中心間距離をpとした場合、d/p≦0.5である、請求項12に記載の弾性波装置。
  14.  前記d/pが0.24以下である、請求項13に記載の弾性波装置。
  15.  隣り合う電極が対向している方向において重なっている領域が励振領域であり、前記励振領域に対する、複数の複数電極のメタライゼーション比をMRとしたときに、MR≦1.75(d/p)+0.075を満たす、請求項13または14に記載の弾性波装置。
  16.  前記機能電極がIDT電極であり、板波を利用可能に構成されている、請求項1から9のいずれか1項に記載の弾性波装置。
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