JP6358341B2 - 弾性波装置及びその製造方法 - Google Patents

弾性波装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6358341B2
JP6358341B2 JP2016564747A JP2016564747A JP6358341B2 JP 6358341 B2 JP6358341 B2 JP 6358341B2 JP 2016564747 A JP2016564747 A JP 2016564747A JP 2016564747 A JP2016564747 A JP 2016564747A JP 6358341 B2 JP6358341 B2 JP 6358341B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wave device
elastic wave
electrode
main surface
piezoelectric substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016564747A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2016098526A1 (ja
Inventor
大村　正志
正志 大村
木村　哲也
哲也 木村
諭卓 岸本
諭卓 岸本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of JPWO2016098526A1 publication Critical patent/JPWO2016098526A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6358341B2 publication Critical patent/JP6358341B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538—Formation
    • H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02047—Treatment of substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02228—Guided bulk acoustic wave devices or Lamb wave devices having interdigital transducers situated in parallel planes on either side of a piezoelectric layer
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/021—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the air-gap type

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

本発明は、弾性波装置及びその製造方法に関する。
板波を用いた弾性波装置が種々提案されている。下記の特許文献１や下記の特許文献２には、板波を利用しており、かつ空洞を有する弾性波装置が開示されている。特許文献１では、空洞を形成するにあたり、あらかじめ犠牲層が形成される。この犠牲層上に圧電薄膜が積層される。圧電薄膜には、エッチング用貫通孔が形成されている。このエッチング用貫通孔からエッチングすることにより、犠牲層を除去している。それによって、空洞を形成している。特許文献２においても、同様のエッチング用貫通孔が、反射器の外側の領域に設けられている。
特開２０１４−１３９９１号公報 ＷＯ２０１２／０７３８７１ Ａ１
特許文献１や特許文献２に記載のように、エッチング用貫通孔が設けられている場合、その分だけ圧電薄膜の面積が大きくなっていた。また、犠牲層の面積も大きくなっていた。圧電薄膜の面積や犠牲層の面積が大きくなると、最終的に、圧電基板を含む弾性波装置のサイズが大きくなる。従って、圧電薄膜の面積や犠牲層の面積を小さくすることが、弾性波装置の小型化を図る上での課題となっていた。
本発明の目的は、エッチング用貫通孔の位置を工夫することにより、小型化を図り得る弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明に係る弾性波装置は、上面に凹部が設けられている支持基板と、対向し合う第１の主面及び第２の主面を有し、前記第２の主面側から前記支持基板の前記凹部を覆うように積層された圧電基板と、前記圧電基板の前記第１の主面及び前記第２の主面の内の一方に設けられており、少なくとも、弾性波を励振するためのＩＤＴ電極を含み、弾性波が伝搬する弾性波装置用機能電極と、を備え、前記支持基板の前記凹部が前記圧電基板により覆われて空洞が構成されており、前記圧電基板の前記第１の主面と前記第２の主面とを貫通する貫通部が、前記圧電基板に設けられており、該貫通部は、前記空洞につながっており、前記圧電基板の前記第１の主面側から平面視した場合に、前記弾性波装置用機能電極が形成されている領域の外周を包含する、最小の矩形領域内に前記貫通部の少なくとも一部が位置している。
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記貫通部の少なくとも一部が、前記矩形領域内の弾性波伝搬方向における端部に位置している。この場合には、弾性波の励振効率の低下が生じ難い。
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記弾性波装置用機能電極が、反射器を有しない。このように、本発明は、反射器を有しない弾性波装置であってもよい。
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記貫通部が、前記ＩＤＴ電極における隣り合う電極指間の領域に配置されている。隣り合う電極指間の領域に貫通部が配置されているため、ＩＤＴ電極による弾性波励振効率の低下が生じ難い。
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記弾性波装置用機能電極は、さらに、前記ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に配置された一対の反射器を含む。このように、本発明の弾性波装置では、ＩＤＴ電極の両側に、反射器が備えられていてもよい。
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記貫通部が、前記ＩＤＴ電極における隣り合う電極指間の領域及び前記反射器における隣り合う電極指間の領域の内の少なくとも一方に配置されている。この場合には、ＩＤＴ電極及び／または反射器の機能が低下し難い。
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極が、対向し合う第１及び第２のバスバーと、前記第１及び第２のバスバーにそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極指とを有し、前記第１及び第２のバスバーが、弾性波伝搬方向と交差する方向に延びている。このように、第１及び第２のバスバーは、弾性波伝搬方向と平行でなく、交差する方向に延びていてもよい。
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記矩形領域が、前記弾性波装置用機能電極が設けられている領域よりも大きく、前記貫通部の少なくとも一部が、前記弾性波装置用機能電極の外側に配置されている。この場合には、弾性波装置用機能電極の機能が低下し難い。
本発明に係る弾性波装置の製造方法は、対向し合う第１及び第２の主面を有する圧電基板の前記第１の主面上に、弾性波を励振するためのＩＤＴ電極を含み、弾性波が伝搬する弾性波装置用機能電極を形成する工程と、前記圧電基板の前記第２の主面上に、犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層に接するように、支持基板を、前記圧電基板の前記第２の主面側に積層する工程と、前記圧電基板に貫通部を形成する工程と、前記貫通部を通してエッチングにより前記犠牲層を消失させて空洞を形成する工程と、を備え、前記貫通部を形成する工程において、前記圧電基板の前記第１の主面側から平面視した場合に、前記弾性波装置用機能電極が形成されている領域の外周を包含する、最小の矩形領域内に、前記貫通部の少なくとも一部が位置するように、前記貫通部を形成する。
本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、前記弾性波装置用機能電極は、さらに、前記ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に配置された一対の反射器を含む。
本発明に係る弾性波装置及びその製造方法によれば、貫通部の少なくとも一部が上記最小の矩形領域内に位置しているため、弾性波装置の小型化を図ることができる。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図及び部分切欠正面断面図である。 図２は、本発明の第２の実施形態の弾性波装置におけるＩＤＴ電極に設けられている部分の模式的平面図である。 図３は、本発明の第３の実施形態の弾性波装置におけるＩＤＴ電極に設けられている部分の模式的平面図である。 図４は、本発明の第４の実施形態の弾性波装置におけるＩＤＴ電極に設けられている部分の模式的平面図である。 図５は、本発明の第５の実施形態の弾性波装置におけるＩＤＴ電極に設けられている部分の模式的平面図である。 図６は、本発明の第６の実施形態の弾性波装置におけるＩＤＴ電極に設けられている部分の模式的平面図である。 図７は、本発明の第７の実施形態の弾性波装置におけるＩＤＴ電極に設けられている部分の模式的平面図である。 図８は、本発明の第８の実施形態の弾性波装置におけるＩＤＴ電極に設けられている部分の模式的平面図である。 図９（ａ）〜図９（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造工程を説明するための各正面断面図である。 図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造工程を説明するための各正面断面図である。 図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造工程を説明するための各正面断面図である。 図１２（ａ）は、比較例の弾性波装置の要部を示す模式的平面図であり、図１２（ｂ）は、第１の実施形態の弾性波装置の要部の模式的平面図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図及び部分切欠正面断面図である。
弾性波装置１は、板波としてのラム波を利用した弾性波装置である。弾性波装置１は、支持基板２を有する。支持基板２は、上面２ａ及び下面２ｂを有する。上面２ａに、上面２ａに向かって開いた凹部２ｃが設けられている。支持基板２は酸化ケイ素、窒化アルミニウムまたはアルミナなどの適宜の誘電体、またはＳｉなどにより形成することができる。
支持基板２の下面２ｂには、補強基板３が積層されている。補強基板３は必須ではない。支持基板２の強度が十分に高ければ、補強基板３は省略してもよい。補強基板３は、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどの適宜の誘電体、あるいはＳｉなどの半導体により構成することができる。
支持基板２の上面２ａ上には、圧電基板４が積層されている。圧電基板４は、薄く、例えば、厚み０．０５λ〜１λ程度の薄膜状である。それによって、板波を十分に励振させることが可能とされている。なお、基板材料や構造、板波のモードによって圧電基板の最適な厚みの値は異なる。
上記圧電基板４は、ＬｉＴａＯ３からなる。なお、圧電基板４は、他の圧電単結晶からなるものであってもよい。
圧電基板４は、対向し合う第１の主面４ａ及び第２の主面４ｂを有する。圧電基板４は、第２の主面４ｂ側から支持基板２の上面２ａ上に積層されている。従って、凹部２ｃを覆うように圧電基板４が設けられている。そのため、凹部２ｃと圧電基板４とで囲まれた空洞５が形成されている。
圧電基板４の第１の主面４ａ上には、弾性波装置用機能電極として、ＩＤＴ電極６が設けられている。ＩＤＴ電極６は、適宜の金属もしくは合金からなる。このような金属もしくは合金としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｎｉなどの金属、あるいはこれらの金属を含む合金を用いることができる。好ましくは、ＡｌもしくはＡｌを主体とする合金からなることが望ましい。なお、Ａｌを主体とする合金とは、５０重量％を超えてＡｌを含む合金であることを意味する。なお、ＩＤＴ電極６は、これらの金属を積層したものであってもよい。
ＷＯ２０１２／０７３８７１号に開示されているように、このような構造では、ＬｉＴａＯ３のオイラー角を特定の範囲に選択することにより、板波の二次モードを効率よく励振させることができる。
弾性波装置１の特徴は、この圧電基板４において、貫通部４ｄ，４ｅが特定の領域に設けられていることにある。それによって、弾性波装置１では、平面積を小さくすることができ、小型化を図ることができる。これを、以下において詳述する。
ＩＤＴ電極６は、第１のバスバー６ａと、第１のバスバー６ａと対向している第２のバスバー６ｂとを有する。第１のバスバー６ａに、複数本の第１の電極指６ｃの一端が接続されている。第２のバスバー６ｂには、複数本の第２の電極指６ｄの一端が接続されている。第１の電極指６ｃと、第２の電極指６ｄとは、互いに間挿し合っている。
また、第２の電極指６ｄの先端とギャップを隔てて、第１のダミー電極指６ｅが設けられている。第１のダミー電極指６ｅの一端が、第１のバスバー６ａに接続されている。同様に、第１の電極指６ｃの先端とギャップを隔てて、第２のダミー電極指６ｆが設けられている。第２のダミー電極指６ｆの一端は、第２のバスバー６ｂに接続されている。
弾性波装置１において、弾性波伝搬方向は、上記第１及び第２の電極指６ｃ，６ｄが延びる方向と直交する方向である。貫通部４ｄ，４ｅは、弾性波伝搬方向において、隣り合う電極指間の領域に設けられている。
ここで、隣り合う電極指は、第１及び第２の電極指６ｃ、６ｄだけでなく、第１及び第２のダミー電極指６ｅ，６ｆをも含むものとする。
より具体的には、貫通部４ｄは、弾性波伝搬方向最外側の第１のダミー電極指６ｅと、その内側に位置している第１の電極指６ｃとの間の領域に設けられている。貫通部４ｅは、弾性波伝搬方向最外側の第１のダミー電極指６ｅとその内側の第１の電極指６ｃとの間の領域に設けられている。
上記貫通部４ｄ，４ｅは、空洞５を設けるための工程において、エッチングホールとして用いられる。後述する製造方法から明らかなように、凹部２ｃを充填するように犠牲層を形成しておき、圧電基板４を積層したのちに、貫通部４ｄ，４ｅからエッチャントを進入させ、犠牲層を除去する。
前述した特許文献１や特許文献２では、エッチングホールとしての貫通孔が、ＩＤＴ電極や反射器が形成されている領域の外周を包含する、最小の矩形領域の外側の領域に設けられていた。従って、圧電基板や犠牲層等の面積が大きくなってしまい、結果として、弾性波装置１のサイズが大きくなってしまっていた。
これに対して、弾性波装置１では、貫通部４ｄ，４ｅは、弾性波装置用機能電極としてのＩＤＴ電極６が形成されている領域の外周を包含する、最小の矩形領域Ａ内に位置している。図１２（ａ）に示す比較例と、図１２（ｂ）に示す本実施形態とを対比すれば明らかなように、従来例に相当の比較例に比べて、本実施形態によれば、弾性波装置の小型化を図ることができる。なお、図１２（ａ）に示す比較例の弾性波装置１０１では、貫通部１０４ｄ，１０４ｅは最小の矩形領域Ａの外側に位置している。
特に、弾性波装置１では、貫通部４ｄ，４ｅは、ＩＤＴ電極を包含する最小の矩形領域Ａ内において、隣り合う電極指間の領域に設けられており、電極指が存在する領域には存在していない。従って、貫通部４ｄ，４ｅを設けたとしても、ＩＤＴ電極６の電極としての機能も阻害されがたい。よって、板波の励振効率をさほど低めることなく、小型化を図ることが可能となる。
なお、弾性波装置１のように、第１のバスバー６ａ及び第２のバスバー６ｂが、弾性波伝搬方向と平行の場合、上記最小の矩形領域ＡはＩＤＴ電極６の外周を結んだ領域になる。この場合、第１のバスバー６ａ及び第２のバスバー６ｂの外側の辺（弾性波伝搬方向と直交する方向における外側の辺）が、矩形領域Ａの一対の辺を構成している。そして、第１のバスバー６ａ及び第２のバスバー６ｂの外側の辺の一端同士を結ぶ辺と、他端同士を結ぶ辺とが、矩形領域Ａの残りの一対の辺を構成している。従って、特に限定されるわけではないが、最小の矩形領域Ａは、弾性波伝搬方向と平行な一対の辺を有する。
なお、一般的に、ＩＤＴ電極の電極指長手方向に直行する方向が、弾性波の伝搬方向となる。
さらに、弾性波のエネルギーは、弾性波伝搬方向において、ＩＤＴ電極６の内側にいくほど高くなり、外側にいくほど低くなる。したがって、第１の実施形態の方が後述する第２の実施形態よりも励振効率は高くなりやすい。これは後述する第３〜第８の実施形態でも同様であり、エッチング用貫通部をＩＤＴ電極の外側（矩形領域Ａ内の弾性波伝搬方向端部側）の方向に置いたほうが、励振効率が良くなる。
さらに、第１の実施形態では、２つの貫通部４ｄ，４ｅが設けられているが、貫通部は１つであってもよいし、３つ以上あってもよい。これは、後述する第２〜第８の実施形態、及び、弾性波装置１の製造工程でも同様である。
以下、図２〜図８を参照して、第２〜第８の実施形態の弾性波装置を説明する。
図２〜図８では、弾性波装置用機能電極としてのＩＤＴ電極、あるいはＩＤＴ電極及び反射器が構成されている部分を模式的に平面図で示す。
第２の実施形態の弾性波装置２１では、図２に示すように、第１の実施形態と同様のＩＤＴ電極６が圧電基板４上に設けられている。異なるところは、貫通部４ｄに代えて、貫通部４ｇが、ＩＤＴ電極６を包含する最小の矩形領域Ａ内において、弾性波伝搬方向において最も外側の電極指間の領域よりも内側の電極指間の領域に設けられていることにある。その他の点については、弾性波装置２１は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様である。
貫通部４ｇのように、貫通部はＩＤＴ電極６を包含する最小の矩形領域Ａ内に設けることができる。
また、貫通部４ｇは交差領域の外側部分に存在するので、弾性波の励振効率をさほど低めることなく、小型化を図ることができる。
図３は、第３の実施形態の弾性波装置３１のＩＤＴ電極６が設けられている領域を示す模式的平面図である。第３の実施形態の弾性波装置３１では、圧電基板４上にＩＤＴ電極６が設けられている。このＩＤＴ電極６を包含する最小の矩形領域Ａにおいて、弾性波伝搬方向端部に貫通部４ｈが設けられている。貫通部４ｈが設けられている部分において、第１のダミー電極指６ｅの一部が欠落している。しかしながら、第１のダミー電極指６ｅの一部が欠落していたとしても、ＩＤＴ電極６による励振効率はさほど低下しない。
また、貫通部４ｈは、その全体が矩形領域Ａ内に位置しておらず、貫通部４ｈの少なくとも一部分が矩形領域Ａ内に位置している。なお、貫通部４ｈの過半部分が矩形領域Ａ内にある場合の方が、貫通部４ｈの過半部分が矩形領域Ａの外にある場合と比べて、より小型化を図ることができる。したがって、小型化を図るためには、貫通部４ｈの過半部分が矩形領域Ａ内にある場合の方が好ましい。ただし、励振効率の観点では、貫通部４ｈの過半部分が矩形領域Ａ外にある場合の方が好ましい。
なお、図３では、１個の貫通部４ｈを設けたが、エッチングホールとして用いる場合、さらに１個以上の貫通部が設けられていることが望ましい。
図４は、第４の実施形態における弾性波装置４１のＩＤＴ電極４２が設けられている部分を示す模式的平面図である。弾性波装置４１では、圧電基板４上に、ＩＤＴ電極４２が設けられている。ＩＤＴ電極４２は、第１のバスバー４２ａと、第２のバスバー４２ｂとを有する。第１のバスバー４２ａに、第１の電極指４２ｃの一端が接続されている。第２のバスバー４２ｂに、第２の電極指４２ｄの一端が接続されている。また、本実施形態においても、第１及び第２のダミー電極指４２ｅ，４２ｆが、それぞれ、第２，第１の電極指４２ｄ，４２ｃの先端とギャップを隔てて設けられている。
本実施形態の弾性波装置４１が、弾性波装置１と異なるところは、第１のバスバー４２ａ及び第２のバスバー４２ｂが、弾性波伝搬方向と平行ではないことにある。より具体的には、第１のバスバー４２ａは、弾性波伝搬方向と交差する方向に延び、弾性波伝搬方向一端からＩＤＴ電極４２の中央に近づくにつれて、電極指の延びる方向の外側にいくように傾斜している第１バスバー部４２ａ１を有する。第１バスバー部４２ａ１に第２バスバー部４２ａ２が連なっている。第２バスバー部４２ａ２は、ＩＤＴ電極４２の弾性波伝搬方向中央から、弾性波伝搬方向端部に向かうにつれて、電極指の延びる方向中央に近づくように延ばされている。
第１バスバー部４２ａ１と、第２バスバー部４２ａ２とは、ＩＤＴ電極４２の弾性波伝搬方向中心を通り、電極指の延びる方向に通る中心線に対して、線対称とされている。
第２のバスバー４２ｂも、同様に、第１バスバー部４２ｂ１及び第２バスバー部４２ｂ２を有する。従って、ＩＤＴ電極４２は、外形が略菱形状とされている。
ＩＤＴ電極４２を包含する最小の矩形領域Ａを一点鎖線で示す。この矩形領域Ａ内に、貫通部４ｉが設けられている。図４から明らかなように、ＩＤＴ電極４２の外形が菱形であるため、第２バスバー部４２ａ２の外側に、ある程度の大きさのスペースが存在する。従って、貫通部４ｉをこのスペースに配置することができる。この場合においても、ＩＤＴ電極４２を包含する最小の矩形領域Ａ内に、貫通部４ｉが設けられているため、小型化を図ることができる。
また、本実施形態においても、貫通部４ｉは、矩形領域Ａ内の弾性波伝搬方向端部に位置している。よって、第３の実施形態の弾性波装置３１と同様に、励振効率をさほど妨げることなく、小型化を図ることができる。
なお、第１〜第４の実施形態の弾性波装置１，２１，３１，４１では、ＩＤＴ電極６，４２が交差幅重み付けされていた。もっとも、本発明においては、ＩＤＴ電極は、交差幅重み付けが施されておらずともよい。
また、貫通部４ｉは、ＩＤＴ電極４２内にある、隣り合う電極指間の領域に設けられてもよい。
さらに、第１〜第４の実施形態の弾性波装置１，２１，３１，４１は、ＩＤＴ電極６またはＩＤＴ電極４２を有しており、反射器を有していなかった。本発明の弾性波装置では、ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に反射器が設けられていてもよい。
図５は、第５の実施形態の弾性波装置において、ＩＤＴ電極及び反射器が設けられている領域を示す模式的平面図である。
弾性波装置５１では、ＩＤＴ電極５２の弾性波伝搬方向両側に反射器５３，５４が設けられている。ＩＤＴ電極５２は、弾性波伝搬方向と平行に延びる第１及び第２のバスバー部５２ａ，５２ｂを有する。第１のバスバー部５２ａに、複数本の第１の電極指５２ｃの一端が接続されている。第２のバスバー５２ｂに複数本の第２の電極指５２ｄの一端が接続されている。複数本の第１の電極指５２ｃと、複数本の第２の電極指５２ｄとが、互いに間挿し合っている。ＩＤＴ電極５２は、交差幅重み付けが施されていない、正規型のＩＤＴ電極である。
反射器５３，５４は、それぞれ、複数本の電極指５３ａ，５４ａの両端を短絡してなるグレーティング反射器である。
圧電基板４上に、弾性波装置用機能電極として、ＩＤＴ電極５２と、反射器５３，５４とが設けられている。弾性波装置用機能電極とは、弾性波が伝搬するように機能している電極を広く含むものとする。従って、弾性波を励振するためのＩＤＴ電極５２だけでなく、弾性波が伝搬し、反射させる反射器５３，５４も弾性波装置用機能電極に含まれる。
弾性波装置５１では、矩形領域Ａは、ＩＤＴ電極５２と、反射器５３，５４とが設けられている部分を包含する最小の矩形領域である。
弾性波装置５１では、貫通部４ｊが、反射器５４の設けられている領域内に位置している。貫通部４ｊが上記矩形領域Ａ内に設けられているので、弾性波装置５１においても、小型化を図ることができる。
特に、貫通部４ｊは、電極指上ではなく、反射器５４における隣り合う電極指間の領域に位置している。従って、弾性波の伝搬特性にも影響を与え難い。
さらに、貫通部４ｊは反射器の外側すなわち、矩形領域Ａ内の弾性波伝搬方向端部側の方向に置かれているので、反射効率は良い。
貫通部４ｊは、反射器５３が設けられている領域内に設けてもよい。さらに、貫通部４ｊは、ＩＤＴ電極５２が設けられている領域内に設けてもよい。
なお、ＩＤＴ電極５２内に貫通部４ｊを設ける場合も、電極指上ではなく、隣り合う電極指間の領域に配置することで、弾性波の伝搬特性にも影響を与え難いように設計することができる。
図６は、第６の実施形態に係る弾性波装置６１の弾性波装置用機能電極が設けられている部分を示す模式的平面図である。弾性波装置６１では、ＩＤＴ電極５２及び反射器５３，５４が、弾性波装置５１と同様に構成されている。弾性波装置６１が、弾性波装置５１と異なるところは、貫通部４ｋが、矩形領域Ａの境界部分（矩形領域Ａの外側から矩形領域Ａ内に至る部分）に設けられていることにある。すなわち、貫通部４ｋは、その一部が矩形領域Ａ内に位置している。このように、貫通部４ｋの一部のみが矩形領域Ａ内に位置していてもよい。このような例としては、例えば、反射器５３または５４の一部すなわち、矩形領域Ａ内の弾性波伝搬方向端部側部分をダミー電極にした構造が挙げられ、この場合には、ダミー電極の一部を欠落させ、欠落させた部分に貫通部４ｋを設けてもよい。
図７に示す、第７の実施形態の弾性波装置７１では、一方の反射器５３Ａが、長さの異なる電極指５３ａ１，５３ａ２，５３ａ３の両端を短絡した形を有する。従って、反射器５３Ａの電極指の延びる方向一端側において、短絡している部分５３ｂが、弾性波伝搬方向と斜め方向に交差する方向に延びている。よって、反射器５３Ａは、電極指５３ａ１，５３ａ３を上底及び下底とする台形の形状を有している。従って、短絡している部分５３ｂの外側であって、かつ矩形領域Ａ内に、ある程度の大きさのスペースが存在する。このスペースに貫通部４ｍが設けられている。
このように、反射器５３Ａのように、外形が矩形ではない反射器を用いてもよい。その場合には、最小の矩形領域Ａ内に反射器５３Ａの外側に貫通部４ｍを容易に形成することができる。
また、貫通部４ｍは、ＩＤＴ電極５２内にある、隣り合う電極指間の領域に設けられてもよいし、反射器５３Ａまたは反射器５４内にある、隣り合う電極指間の領域に設けられてもよい。
図８は、第８の実施形態に係る弾性波装置８１の弾性波装置用機能電極が設けられている部分を示す模式的平面図である。弾性波装置８１では、ＩＤＴ電極８２の弾性波伝搬方向両側に反射器８３，８４が設けられている。ＩＤＴ電極８２は、交差幅重み付けが施されていない。
第１のバスバー８２ａと、第２のバスバー８２ｂとが、弾性波伝搬方向と交差する斜め方向に延びている。複数本の第１の電極指８２ｃと、複数本の第２の電極指８２ｄが互いに間挿し合っている。第１の電極指８２ｃ及び第２の電極指８２ｄとが延びる方向と直交する方向が弾性波伝搬方向となる。第１及び第２のバスバー８２ａ，８２ｂでは、第１の電極指８２ｃ及び第２の電極指８２ｄの一端が接続される内側の辺と、外側の辺とのいずれもが、弾性波伝搬方向と斜め方向に交差する方向に延びている。反射器８３，８４においても、複数本の電極指を短絡しているバスバー部分８３ａ，８４ａは、第１のバスバー８２ａの延びる方向の延長上に存在する。また、バスバー部分８３ｂ，８４ｂは、第２のバスバー８２ｂの弾性波伝搬方向の延長上に存在する。従って、反射器８３，８４の短絡しているバスバー部分８３ａ，８３ｂ，８４ａ，８４ｂもまた、弾性波伝搬方向と斜め方向に交差している。このような、ＩＤＴ電極８２及び反射器８３，８４を有する弾性波装置用機能電極の場合、弾性波装置用機能電極を包含する最小の矩形領域Ａは一点鎖線で示す通りとなる。本実施形態においても、最小の矩形領域Ａは、弾性波伝搬方向と平行に延びる一対の辺を有している。
上記最小の矩形領域Ａ内に貫通部４ｎ、４ｐが設けられている。ここでは、最小の矩形領域Ａは、弾性波伝搬方向に延びる一対の長辺と、一対の長辺の両端同士を結ぶ一対の短辺とを有することとなる。反射器８３，８４においては、上記最小の矩形領域Ａの一方の長辺との間に比較的大きなスペースが存在する。従って、このスペースに、図示のように、貫通部４ｎ，４ｐを容易に位置させることができる。
なお、貫通部４ｎ，４ｐは、矩形領域Ａ内の弾性波伝搬方向端部に位置している。従って、本実施形態においても、弾性波の励振効率をさほど低めることなく、小型化を図ることができる。
なお、ＩＤＴ電極を含む弾性波装置用機能電極は、圧電基板４の第１の主面４ａに形成されていたが、第２の主面４ｂに形成されていてもよい。これについては、第１〜第７の実施形態についても同様である。
また、貫通部４ｎ，４ｐは、ＩＤＴ電極８２内にある、隣り合う電極指間の領域に設けられてもよいし、反射器８３または反射器８４内にある、隣り合う電極指間の領域に設けられてもよい。
次に、第１の実施形態の弾性波装置の製造方法を例にとり、本発明の弾性波装置の製造方法を説明する。
まず、図９（ａ）に示すように、ＬｉＴａＯ３からなるウエハ４Ａを用意する。ウエハ４Ａの一方主面に犠牲層９１を形成する。犠牲層９１は、例えばＣｕを蒸着することにより形成することができる。犠牲層９１は、エッチングにより消失する適宜の材料により形成することができる。
次に、図９（ｂ）に示すように、犠牲層９１を形成した後に、支持基板を構成するために、スパッタリングなどにより、酸化ケイ素膜９２を形成する。
次に、図９（ｃ）に示すように、酸化ケイ素膜９２を研磨し、支持基板２を得る。それによって、支持基板２において、上面２ａに向かって開いた凹部２ｃに、犠牲層９１が充填されていることとなる。
次に、図１０（ａ）に示すように、補強基板３を支持基板２に接合する。ウエハ４ＡのＩＤＴ電極６が形成されることが予定されている側の面を研磨装置で研磨する。研磨に際しては、図１０（ａ）の破線Ｂで示す位置まで研磨し、それによってウエハ４Ａを薄くする。このようにして、図１０（ｂ）に示すように、支持基板２上に、圧電薄膜からなる圧電基板４が積層された構造が得られる。
しかる後、図１１（ａ）に示すように、圧電基板４上にＩＤＴ電極６を含む電極構造を形成する。
次に、図１１（ｂ）に示すように、圧電基板４を貫通するように、レーザー等による穴あけ加工を行う。このようにして、貫通部４ｄ，４ｅを設ける。しかる後、犠牲層９１を除去するエッチャントにより、犠牲層９１を除去する。このようにして、図１１（ｃ）に示すように、弾性波装置１を得ることができる。
なお、本発明の弾性波装置を製造する方法は本実施形態の製造方法に限定されるものではない。また、本発明が対象とする弾性波装置は、板波を利用したものに限定されず、他の波を利用したものであってもよい。さらに、弾性波共振子に限らず、複数の弾性波共振子が接続されている弾性波フィルタなどの様々な回路構成の弾性波装置に本発明を適用することができる。
さらに、本発明の弾性波装置は、様々な電子機器や通信機器に広く用いられる。電子機器としては、例えば、センサーがある。通信機器としては、例えば、本発明の弾性波装置を含むデュプレクサ、本発明の弾性波装置とＰＡ（Ｐｏｗｅｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）及び／またはＬＮＡ（Ｌｏｗ Ｎｏｉｓｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）及び／またはＳＷ（Ｓｗｉｔｃｈ）を含む通信モジュール機器、その通信モジュール機器を含む移動体通信機器やヘルスケア通信機器等がある。移動体通信機器としては、携帯電話、スマートフォン、カーナビゲーション等がある。ヘルスケア通信機器としては、体重計や体脂肪計等がある。ヘルスケア通信機器や移動体通信機器は、アンテナ、ＲＦモジュール、ＬＳＩ、ディスプレイ、入力部、電源等を備えている。
１，２１，３１，４１，５１，６１，７１，８１…弾性波装置
２…支持基板
２ａ…上面
２ｂ…下面
２ｃ…凹部
３…補強基板
４…圧電基板
４Ａ…ウエハ
４ａ…第１の主面
４ｂ…第２の主面
４ｄ，４ｅ，４ｇ，４ｈ，４ｉ，４ｊ，４ｋ，４ｍ，４ｎ，４ｐ…貫通部
５…空洞
６，４２…ＩＤＴ電極
６ａ…第１のバスバー
６ｂ…第２のバスバー
６ｃ…第１の電極指
６ｄ…第２の電極指
６ｅ…第１のダミー電極指
６ｆ…第２のダミー電極指
４２ａ…第１のバスバー
４２ａ１，４２ｂ１…第１バスバー部
４２ａ２，４２ｂ２…第２バスバー部
４２ｂ…第２のバスバー
４２ｃ…第１の電極指
４２ｄ…第２の電極指
４２ｅ…第１のダミー電極指
４２ｆ…第２のダミー電極指
５２…ＩＤＴ電極
５２ａ…第１のバスバー部
５２ｂ…第２のバスバー部
５２ｃ…第１の電極指
５２ｄ…第２の電極指
５３，５３Ａ，５４…反射器
５３ａ，５４ａ，５３ａ，５３ａ１，５３ａ２，５３ａ３…電極指
５３ｂ…短絡している部分
８２…ＩＤＴ電極
８２ａ…第１のバスバー
８２ｂ…第２のバスバー
８２ｃ…第１の電極指
８２ｄ…第２の電極指
８３，８４…反射器
８３ａ，８３ｂ，８４ａ，８４ｂ…バスバー部分
９１…犠牲層
９２…酸化ケイ素膜
Ａ…矩形領域

Claims (10)

  1. 上面に凹部が設けられている支持基板と、
    対向し合う第１の主面及び第２の主面を有し、前記第２の主面側から前記支持基板の前記凹部を覆うように積層された圧電基板と、
    前記圧電基板の前記第１の主面及び前記第２の主面の内の一方に設けられており、少なくとも、弾性波を励振するためのＩＤＴ電極を含み、弾性波が伝搬する弾性波装置用機能電極と、
    を備え、
    前記支持基板の前記凹部が前記圧電基板により覆われて空洞が構成されており、
    前記圧電基板の前記第１の主面と前記第２の主面とを貫通する貫通部が、前記圧電基板に設けられており、
    該貫通部は、前記空洞につながっており、
    前記圧電基板の前記第１の主面側から平面視した場合に、前記弾性波装置用機能電極が形成されている領域の外周を包含する、最小の矩形領域内に前記貫通部の少なくとも一部が位置している、弾性波装置。
  2. 前記貫通部の少なくとも一部が、前記矩形領域内の弾性波伝搬方向における端部に位置している、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 前記弾性波装置用機能電極が、反射器を有しない、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 前記貫通部が、前記ＩＤＴ電極における隣り合う電極指間の領域に配置されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 前記弾性波装置用機能電極は、さらに、前記ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に配置された一対の反射器を含む、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  6. 前記貫通部が、前記ＩＤＴ電極における隣り合う電極指間の領域及び前記反射器における隣り合う電極指間における領域の内の少なくとも一方に配置されている、請求項５に記載の弾性波装置。
  7. 前記ＩＤＴ電極が、対向し合う第１及び第２のバスバーと、前記第１及び第２のバスバーにそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極指とを有し、
    前記第１及び第２のバスバーが、弾性波伝搬方向と交差する方向に延びている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 前記矩形領域が、前記弾性波装置用機能電極が設けられている領域よりも大きく、
    前記貫通部の少なくとも一部が、前記弾性波装置用機能電極の外側に配置されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 対向し合う第１及び第２の主面を有する圧電基板の前記第１の主面上に、弾性波を励振するためのＩＤＴ電極を含み、弾性波が伝搬する弾性波装置用機能電極を形成する工程と、
    前記圧電基板の前記第２の主面上に、犠牲層を形成する工程と、
    前記犠牲層に接するように、支持基板を、前記圧電基板の前記第２の主面側に積層する工程と、
    前記圧電基板に貫通部を形成する工程と、
    前記貫通部を通してエッチングにより前記犠牲層を消失させて空洞を形成する工程と、を備え、
    前記貫通部を形成する工程において、
    前記圧電基板の前記第１の主面側から平面視した場合に、前記弾性波装置用機能電極が形成されている領域の外周を包含する、最小の矩形領域内に、前記貫通部の少なくとも一部が位置するように、前記貫通部を形成する、弾性波装置の製造方法。
  10. 前記弾性波装置用機能電極は、さらに、前記ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に配置された一対の反射器を含む、請求項９に記載の弾性波装置の製造方法。
JP2016564747A 2014-12-18 2015-11-20 弾性波装置及びその製造方法 Active JP6358341B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014256263 2014-12-18
JP2014256263 2014-12-18
PCT/JP2015/082764 WO2016098526A1 (ja) 2014-12-18 2015-11-20 弾性波装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016098526A1 JPWO2016098526A1 (ja) 2017-07-27
JP6358341B2 true JP6358341B2 (ja) 2018-07-18

Family

ID=56126424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016564747A Active JP6358341B2 (ja) 2014-12-18 2015-11-20 弾性波装置及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10469053B2 (ja)
JP (1) JP6358341B2 (ja)
WO (1) WO2016098526A1 (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111149294B (zh) * 2017-09-27 2023-04-25 株式会社村田制作所 弹性波装置
US10715939B2 (en) * 2018-09-13 2020-07-14 Wisconsin Alumni Research Foundation Eardrum transducer with nanoscale membrane
JP6856820B2 (ja) * 2018-11-14 2021-04-14 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
CN109831172B (zh) * 2018-12-20 2022-03-01 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 一种体声波谐振器的制备方法
JP2020145530A (ja) * 2019-03-05 2020-09-10 京セラ株式会社 弾性波装置
US20210119595A1 (en) * 2019-06-27 2021-04-22 Resonant Inc. Xbar frontside etch process using polysilicon sacrificial layer
WO2021060513A1 (ja) * 2019-09-27 2021-04-01 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2021222433A1 (en) * 2020-04-29 2021-11-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device and ladder filter
CN115428330B (zh) 2020-04-29 2023-09-12 株式会社村田制作所 弹性波器件
CN116547910A (zh) * 2020-12-04 2023-08-04 株式会社村田制作所 声波设备
CN116941183A (zh) * 2021-03-01 2023-10-24 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN117044105A (zh) * 2021-03-01 2023-11-10 株式会社村田制作所 弹性波装置
WO2022211087A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2022244746A1 (ja) * 2021-05-20 2022-11-24 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
WO2022255482A1 (ja) * 2021-06-03 2022-12-08 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN118077144A (zh) * 2021-10-08 2024-05-24 株式会社村田制作所 弹性波装置以及弹性波装置的制造方法
WO2023136292A1 (ja) * 2022-01-13 2023-07-20 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023140331A1 (ja) * 2022-01-24 2023-07-27 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023195409A1 (ja) * 2022-04-06 2023-10-12 株式会社村田製作所 弾性波装置および弾性波装置の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006217458A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子、弾性表面波素子の製造方法
JP4743258B2 (ja) * 2008-10-31 2011-08-10 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
JP5212484B2 (ja) * 2009-01-15 2013-06-19 株式会社村田製作所 圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法
WO2011052551A1 (ja) * 2009-10-30 2011-05-05 株式会社村田製作所 圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法
JP5471379B2 (ja) * 2009-12-04 2014-04-16 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
WO2012073871A1 (ja) * 2010-11-30 2012-06-07 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP5772256B2 (ja) * 2011-06-08 2015-09-02 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP2013214954A (ja) * 2012-03-07 2013-10-17 Taiyo Yuden Co Ltd 共振子、周波数フィルタ、デュプレクサ、電子機器及び共振子の製造方法
JP6092535B2 (ja) * 2012-07-04 2017-03-08 太陽誘電株式会社 ラム波デバイスおよびその製造方法
JP6460111B2 (ja) * 2014-08-05 2019-01-30 株式会社村田製作所 圧電共振器の製造方法および圧電共振器
CN110024286B (zh) * 2016-11-22 2024-02-06 株式会社村田制作所 弹性波装置、前端电路以及通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20170250671A1 (en) 2017-08-31
WO2016098526A1 (ja) 2016-06-23
US10469053B2 (en) 2019-11-05
JPWO2016098526A1 (ja) 2017-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6358341B2 (ja) 弾性波装置及びその製造方法
JP6497435B2 (ja) 弾性波装置及びその製造方法
JP5563739B2 (ja) 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置
JP5013227B2 (ja) 圧電薄膜フィルタ
KR102157602B1 (ko) 탄성파 장치
JP5689080B2 (ja) 圧電薄膜共振子、通信モジュール、通信装置
JP4944145B2 (ja) 圧電薄膜共振子、フィルタ、通信モジュール、通信装置
WO2016104598A1 (ja) 弾性波装置
JPWO2018154950A1 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP2008109414A (ja) 圧電薄膜共振器およびフィルタ
JP2010068132A (ja) フィルタ、デュープレクサ、および通信装置
WO2017068828A1 (ja) 弾性波装置
JP2006311181A (ja) 圧電薄膜共振器およびフィルタ
JP2015119249A (ja) 圧電薄膜共振器およびその製造方法、フィルタ並びにデュプレクサ
JP6464735B2 (ja) 弾性波装置及びその製造方法
JP2015073207A (ja) 弾性波共振器
US10910546B2 (en) Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same
JP2011041136A (ja) 弾性波デバイスおよびその製造方法
JP2018006919A (ja) 弾性波デバイス
JP2013157839A (ja) アンテナ共用器とその製造方法
JP2011176644A (ja) 弾性波デバイス
JP5591977B2 (ja) 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置
JP2009188939A (ja) 薄膜バルク波共振器
JP2006333296A (ja) 弾性表面波デバイス
JPWO2018235731A1 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路および通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170412

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180522

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180604

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6358341

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150