JP6497435B2

JP6497435B2 - 弾性波装置及びその製造方法

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Publication number: JP6497435B2
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Inventors: 諭卓岸本; 木村　哲也; 哲也木村
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Description

本発明は、弾性波装置及びその製造方法に関する。

従来、表面波、バルク波、板波などのさまざまな弾性波を用いた弾性波装置が提案されている。例えば、下記の特許文献１には、板波を利用した弾性波装置が開示されている。

特許文献１には、圧電基板が支持体により支持された弾性波装置が記載されている。特許文献１では、上記圧電基板の支持体側に空洞が形成されている。

特許第４６３６２９２号公報

しかしながら、特許文献１の弾性波装置のように、圧電基板の支持体側に空洞が設けられている構成は、空洞の影響により外力に弱くなってしまうため、圧電基板の破壊が生じやすいという問題があった。

本発明の目的は、中空構造をもつ弾性波装置において、圧電基板の破壊が生じ難い弾性波装置及び該弾性波装置の製造方法を提供することにある。

本発明に係る弾性波装置は、上面に凹部を有する支持基板と、前記支持基板上に配置されている、薄膜と、第１の主面と、該第１の主面と対向している第２の主面と、を有し、前記第１の主面側が、前記薄膜上に配置されている、圧電基板と、前記圧電基板の前記第２の主面上に設けられている、ＩＤＴ電極と、を備え、前記支持基板と、前記薄膜及び前記圧電基板のうち少なくとも前記薄膜と、で囲まれた空洞が形成されており、前記圧電基板の前記第１の主面上の領域であって、前記支持基板と前記薄膜を介して接合されている領域、並びに、前記空洞の上方の領域の少なくとも一部分の領域に、前記薄膜が配置されている。

本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記薄膜が、前記圧電基板の前記第１の主面の全面に配置されていてもよい。この場合には、圧電基板の破壊をより一層生じ難くすることができる。

本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記空洞の上方の領域の少なくとも一部分の領域とは、前記支持基板と前記薄膜を介して接合されている領域よりも空洞側の領域である。この場合、圧電基板の破壊がより一層生じ難い。

本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記空洞の上方の領域の少なくとも一部分の領域とは、前記弾性波装置を平面視した場合に、前記ＩＤＴ電極が配置されている領域である。この場合、放熱性がより一層向上する。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記薄膜が、誘電体膜、半導体膜又は金属膜である。前記薄膜が誘電体膜の場合、温度特性を改善することができる。前記薄膜が、半導体膜又は金属膜の場合、放熱性をより一層向上させることができる。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記薄膜は、誘電体膜であって、前記誘電体膜の膜厚が、前記圧電基板の厚みの３倍以下である。この場合には、帯域内におけるスプリアスを抑制することができ、インピーダンス比の低下が生じ難い。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記誘電体膜が、ＳｉＯ_２により構成されている。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記圧電基板及び前記薄膜を貫通している貫通孔が設けられている。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、伝搬する弾性波として板波を利用している。

本発明に係る弾性波装置の製造方法は、圧電基板の第１の主面上に薄膜を形成する工程と、前記圧電基板の前記第１の主面と対向する第２の主面上に、ＩＤＴ電極を形成する工程と、前記薄膜の前記圧電基板と接している側とは反対側の主面に、犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層を覆うように、上面に凹部を有する支持基板を形成する工程と、前記圧電基板及び前記薄膜に、前記圧電基板の前記第２の主面側から前記犠牲層に至る貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を利用して、エッチングにより前記犠牲層を除去し、前記犠牲層が設けられている部分を空洞とする工程と、を備え、前記圧電基板の前記第１の主面上の領域であって、前記支持基板と前記薄膜を介して接合される領域、並びに、前記空洞の上方の領域の少なくとも一部分の領域に前記薄膜を形成する。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、前記薄膜が誘電体膜であり、該誘電体膜の膜厚が、前記圧電基板の厚みの３倍以下である。この場合には、帯域内におけるスプリアスを抑制することができ、インピーダンス比の低下が生じ難い。

本発明に係る弾性波装置では、上記のように、圧電基板の第１の主面上の領域であって、支持基板と前記薄膜を介して接合されている領域、並びに、空洞の上方の領域の少なくとも一部分の領域が、薄膜により覆われている。

従って、本発明によれば、中空構造をもつ弾性波装置において、圧電基板の破壊が生じ難い弾性波装置を提供することが可能となる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置を示す模式的平面図である。図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ線に沿う略図的正面断面図であり、図２（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ線に沿う略図的断面図である。図３は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置を示す略図的正面断面図である。図４（ａ）〜図４（ｄ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための各略図的正面断面図である。図５（ａ）〜図５（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための各略図的正面断面図である。図６（ａ）〜図６（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための各略図的正面断面図である。図７は、実験例で作製した弾性波装置におけるＳｉＯ_２膜の膜厚とインピーダンス比（Ｚａ／Ｚｒ）との関係を示す図である。図８は、実験例で作製した弾性波装置において、ＳｉＯ_２膜の膜厚が、圧電基板の厚みの１倍のときの、共振特性を示す図である。図９は、実験例で作製した弾性波装置において、ＳｉＯ_２膜の膜厚が、圧電基板の厚みの３．２倍のときの、共振特性を示す図である。図１０は、Ｓ_０モードの弾性波の伝搬状態を示す図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置を示す模式的平面図である。また、図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ線に沿う略図的正面断面図であり、図２（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ線に沿う略図的断面図である。なお、図１中、破線は、空洞９が設けられている部分を示し、斜線は、貫通孔１０を示すものとする。

弾性波装置１は、伝搬する弾性波として板波を利用した弾性波装置である。弾性波装置１は、支持基板２を有する。支持基板２は、上面２ａ及び下面２ｂを有する。支持基板２の上面２ａに、上面２ａに向かって開いた凹部２ｃが設けられている。

支持基板２の下面２ｂには、補強基板３が積層されている。もっとも、補強基板３は、支持基板２の強度が十分に高ければ、設けなくともよい。従って、補強基板３は必須の構成要素ではない。

支持基板２及び補強基板３は、酸化ケイ素、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムなどの適宜の誘電体、あるいはＳｉなどの半導体などの材料より構成することができる。なお、これらの材料は、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。また、支持基板２及び補強基板３は、同じ材料により構成されていてもよいし、他の材料により構成されていてもよい。

支持基板２の上面２ａ上には、薄膜６が積層されている。薄膜６としては、特に限定されないが、誘電体膜、半導体膜又は金属膜を用いることができる。なお、薄膜６は、複数層設けてもよい。

上記誘電体膜を構成する材料としては、例えば、酸化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素又は五酸化タンタルなどを用いることができる。

上記半導体膜を構成する材料としては、例えば、ケイ素、炭化ケイ素又は窒化ガリウムなどの材料を用いることができる。

上記金属膜を構成する材料としては、例えば、チタン、アルミニウム、銅、プラチナ又はタングステンなどの材料を用いることができる。薄膜６として、金属膜を用いた場合、放熱性をより一層向上させることができる。

なお、薄膜６を構成する材料は、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。

薄膜６は、支持基板２の凹部２ｃを閉成するように設けられている。それによって、凹部２ｃが、支持基板２と、薄膜６とで囲まれた空洞９を構成している。

薄膜６上には、圧電基板４が積層されている。圧電基板４は、薄く、例えば、厚み１０００ｎｍ以下の薄膜状である。それによって、板波をより一層励振させることが可能とされている。

圧電基板４は、ＬｉＴａＯ_３からなる基板である。もっとも、圧電基板４としては、ＬｉＮｂＯ_３などの他の圧電単結晶からなる基板を用いてもよいし、圧電セラミックスからなる基板を用いてもよい。

圧電基板４は、対向し合う第１の主面４ａ及び第２の主面４ｂを有する。圧電基板４は、第１の主面４ａを下にして、薄膜６上に積層されている。すなわち、圧電基板４の第１の主面４ａ側が、支持基板２側に配置されている。

他方、圧電基板４の第２の主面４ｂ上には、ＩＤＴ電極５が設けられている。よって、ＩＤＴ電極５に交番電界を印加すると、ＩＤＴ電極５が励振する。弾性波装置１は、上記のようにＩＤＴ電極５が励振することによって発生する弾性波として板波を利用している。

本実施形態においては、図示を省略しているが、本発明においては、ＩＤＴ電極５を覆うように、温度調整膜としてのＳｉＯ_２膜を設けてもよい。

図１に示すように、ＩＤＴ電極５は、第１及び第２のバスバーと、複数本の第１及び第２の電極指とを有する。複数本の第１の電極指と、複数本の第２の電極指とは、互いに間挿し合っている。また、複数本の第１の電極指は、第１のバスバーに接続されており、複数本の第２の電極指は、第２のバスバーに接続されている。

圧電基板４の第２の主面４ｂ上には、電極ランド７ａ，７ｂが形成されている。電極ランド７ａ，７ｂは、ＩＤＴ電極５に電気的に接続されるように設けられている。

ＩＤＴ電極５及び電極ランド７ａ，７ｂはＣｕ、Ｎｉ、ＮｉＣｒ、ＡｌＣｕ合金、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｔなどの適宜の金属または合金からなる。また、ＩＤＴ電極５及び電極ランド７ａ，７ｂは、複数の金属膜を積層してなる積層金属膜により構成されていてもよい。

電極ランド７ａ，７ｂ上には、２層目配線８ａ，８ｂが設けられている。２層目配線８ａ，８ｂは、電極ランド７ａ，７ｂと電気的に接続されている。従って、この２層目配線８ａ，８ｂ上には、金属バンプ等を接合してもよい。

２層目配線８ａ，８ｂは、Ｃｕ、Ｎｉ、ＮｉＣｒ、ＡｌＣｕ合金、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｔなどの適宜の金属もしくは合金により構成することができる。２層目配線８ａ，８ｂは、複数の金属膜を積層してなる積層金属膜により構成されていてもよい。

圧電基板４及び薄膜６には、貫通孔１０が設けられている。貫通孔１０は、圧電基板４の第２の主面４ｂから、空洞９に向かって貫通している。貫通孔１０は、後述する製造工程においてエッチングホールとして利用される。貫通孔１０は、凹部２ｃにより形成される空洞９と外気とを接続している。

本実施形態においては、圧電基板４の第１の主面４ａの全面を覆うように、薄膜６が設けられており、圧電基板４の機械的強度が高められている。そのため、中空構造をもつ弾性波装置において、圧電基板４の破壊が生じ難い。また、圧電基板４の第１の主面４ａに薄膜６が設けられていることから、電圧印加時の放熱性を高めることも可能となる。

また、本発明においては、薄膜６として金属膜、半導体膜を用いた場合には、放熱性を一層向上させることができる。

また、本発明においては、薄膜６として誘電体膜を用いた場合には、温度特性を改善させることができる。

また、本発明においては、薄膜６として誘電体膜を用いた場合、該誘電体膜の膜厚は、圧電基板４の厚みの３倍以下とすることが好ましい。上記誘電体膜の膜厚が厚すぎると、帯域内にスプリアスが混入し、インピーダンス比が低下することがある。インピーダンス比の低下をより一層抑制する観点からは、上記誘電体膜の膜厚は、圧電基板４の厚みの３倍より小さくすることがより好ましい。

以下、ＦＥＭ（有限要素法)による実験例を用いてより詳細に説明する。

実験例においては、下記の条件により弾性波装置１を作製した。ただし、λは弾性波の波長である。

ＩＤＴ電極５…Ａｌにより構成、デュ−ティー：０．５、膜厚：０．０７λ
圧電基板４…ＬｉＮｂＯ_３｛オイラー角（９０，９０，４０）｝、膜厚：０．１λ
薄膜６…誘電体膜（ＳｉＯ_２膜）、膜厚：０〜０．３４λ

なお、本実験例においては、音速５０００〜６０００ｍ／秒のモード（周波数が、５〜６ＧＨｚ近傍となる波）を利用した。ここで主に励振されているモードは、ＬｉＮｂＯ_３の圧電基板４中に図１０に示す変位を持ったＳ_０モードの弾性波である。また、本実験例では、λ＝１μｍである。

図７は、作製した弾性波装置におけるＳｉＯ_２膜の膜厚とインピーダンス比（Ｚａ／Ｚｒ）との関係を示す図である。なお、図７においては、ＳｉＯ_２膜の膜厚を圧電基板の厚みで除した値（ＳｉＯ_２膜の膜厚／圧電基板の厚み）を横軸としている。

図７より、ＳｉＯ_２膜の膜厚が、圧電基板４の厚みの３倍より大きい場合、インピーダンス比（Ｚａ／Ｚｒ）が急激に低下していることがわかる。

図８は、作製した弾性波装置において、ＳｉＯ_２膜の膜厚が、圧電基板の厚みの１倍のときの、共振特性を示す図である。また、図９は、作製した弾性波装置において、ＳｉＯ_２膜の膜厚が、圧電基板の厚みの３．２倍のときの、共振特性を示す図である。なお、図８及び図９においては、インピーダンス比と共振波形（ｌｏｇ｜Ｚ｜）とを、ＦＥＭ（有限要素法）を用いて計算した結果をプロットしたものである。

図９より、ＳｉＯ_２膜の膜厚が、圧電基板の厚みの３．２倍のとき、周波数５〜６ＧＨｚ付近において、スプリアスが混入していることがわかる。他方、図８より、ＳｉＯ_２膜の膜厚が、圧電基板の厚みの１倍のとき、周波数が５〜６ＧＨｚ付近において、スプリアスが混入していないことがわかる。これらの結果より、ＳｉＯ_２膜の膜厚が、圧電基板の厚みの３倍以下のとき、帯域内のスプリアスをより一層抑制することができ、インピーダンス比がより一層低下し難いことを確認できた。なお、帯域内のスプリアスをより一層抑制し、インピーダンス比の低下をより一層抑制する観点から、ＳｉＯ_２膜の膜厚は、圧電基板の厚みの３倍より小さくすることがより好ましい。

なお、本発明においては、圧電基板４の第１の主面４ａの全面ではなく、圧電基板４の中で最も折れやすい部位である、支持基板２と薄膜６を介して接合されている領域及び支持基板２と薄膜６を介して接合されている領域よりも空洞９側の領域にのみ薄膜６を形成してもよい。この場合、費用対効果の観点で、圧電基板４を効率よく保護することもできる。

（第２の実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置を示す略図的正面断面図である。弾性波装置２１では、圧電基板４の第１の主面４ａ上において、支持基板２と薄膜６を介して接合されている領域と、弾性波装置２１を平面視した場合にＩＤＴ電極５が配置されている領域とに薄膜６が設けられている。そのため、凹部２ｃは、支持基板２と、薄膜６及び圧電基板４により囲まれた空洞９を形成することとなる。その他の点は、第１の実施形態と同様である。

なお、薄膜６は、圧電基板４の第１の主面４ａの全面を覆うように設けられていてもよい。

第２の実施形態においては、圧電基板４の第１の主面４ａ上の領域であって、支持基板２と薄膜６を介して接合されている領域と、弾性波装置２１を平面視した場合にＩＤＴ電極５が配置されている領域とに薄膜６が設けられており、圧電基板４の機械的強度が高められている。そのため、圧電基板４の破壊が生じ難い。さらに、薄膜６が設けられているため、電圧印加時の放熱性も高めることが可能となる。

なお、本発明においては、弾性波装置２１を平面視した場合に、ＩＤＴ電極５が配置されている領域、圧電基板４の中で最も折れやすい部位である、支持基板２と薄膜６を介して接合されている領域及び支持基板２と薄膜６を介して接合されている領域よりも空洞９側の領域に薄膜６を形成してもよい。この場合、圧電基板４の保護と放熱性を兼ね備えた構造にすることもできる。

（製造方法）
弾性波装置１の製造方法は、特に限定されないが、一例を図４〜図６を参照して説明する。

まず、図４（ａ）に示すように、圧電基板４を得るための圧電板４Ａの一方側主面上の全面に薄膜６を形成する。

圧電板４Ａとしては、ＬｉＴａＯ_３からなる板が用いられる。もっとも、圧電板４Ａとしては、ＬｉＮｂＯ_３などの他の圧電単結晶からなる板を用いてもよいし、圧電セラミックスからなる板を用いてもよい。

薄膜６を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、スパッタリングにより形成することができる。

次に、図４（ｂ）に示すように、薄膜６上に、犠牲層１１を形成する。犠牲層１１は、後述するエッチングにより除去され得る適宜の材料からなる。このような材料としては、ＺｎＯ、Ｃｕなどを挙げることができる。

犠牲層１１は、例えば、以下の方法により形成することができる。まず、スパッタリング法により、膜厚がおよそ１〜３μｍのＺｎＯ膜を形成する。その後、レジスト塗布、露光及び現像をこの順に行う。次に、酢酸、リン酸及び水の混合液（酢酸：リン酸：水＝１：１：１０）を用いて、ウエットエッチングを行い犠牲層１１のパターンを形成する。なお、犠牲層１１は、他の方法により形成してもよい。

次に、図４（ｃ）に示すように、犠牲層１１を覆うように、支持基板２を得るための平坦化用膜２Ａを形成する。本実施形態では、平坦化用膜２Ａとして、ＳｉＯ_２膜を形成した。平坦化用膜２Ａは、例えば、スパッタリング法により形成することができる。平坦化用膜２Ａの膜厚としては、２μｍ以上、８μｍ以下とすることが好ましい。

次に、図４（ｄ）に示すように、ＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）により、平坦化用膜２Ａの平坦化研磨を行った。それによって、凹部を有する支持基板２を得た。

次に、図５（ａ）に示すように、支持基板２の下面に補強基板３を接合する。支持基板２及び補強基板３の接合は、例えば、樹脂接着剤により接合することができる。なお、補強基板３は設けられなくともよい。もっとも、補強基板３を設けることにより、圧電板４Ａの平滑化処理を容易に行うことができる。

次に、圧電板４Ａの薄板化を行った。それによって、図５（ｂ）に示す積層体を得た。上記積層体は、補強基板３、上面に凹部２ｃを有する支持基板２、凹部２ｃに充填されている犠牲層１１、薄膜６及び圧電基板４を備える。なお、圧電基板４は、第１の主面４ａ側から、薄膜６に積層されている。

圧電板４Ａの薄板化は、スマートカット法や研磨などで行うことができる。圧電板４Ａの薄板化により得られた圧電基板４の厚みは、１０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下とすることが好ましい。板波の励振効率をより一層効果的に高める観点からは、圧電基板４の厚みは、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下とすることがより好ましい。

次に、図５（ｃ）に示すように、圧電基板４の第２の主面４ｂ上に、ＩＤＴ電極５及び電極ランド７ａ，７ｂを形成した。ＩＤＴ電極５及び電極ランド７ａ，７ｂは、例えば、蒸着リフトオフ法により形成することができる。ＩＤＴ電極５及び電極ランド７ａ，７ｂの厚みは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下とすることが好ましい。

本実施形態においてＩＤＴ電極５は、Ｔｉ、及びＡｌをこの順に積層した積層金属膜により形成されている。ＩＤＴ電極５は、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、ＡｌＣｕ合金、ＮｉＣｒ、Ｎｉなどの適宜の金属もしくは合金により構成することができる。

次に、図６（ａ）に示すように、圧電基板４の第２の主面４ｂ上に、２層目配線８ａ，８ｂを形成した。２層目配線８ａ，８ｂは、蒸着リフトオフ法により形成することもできる。２層目配線８ａ，８ｂの厚みは、１００ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下とすることが好ましい。

本実施形態において、２層目配線８ａ，８ｂは、Ｔｉ及びＡｌをこの順に積層した積層金属膜により構成されている。なお、２層目配線８ａ，８ｂは、他の適宜の金属もしくは合金により形成されていてもよい。

次に、図６（ｂ）に示すように、圧電基板４及び薄膜６に、貫通孔１０を形成する。なお、貫通孔１０は、犠牲層１１に至るように設ける。貫通孔１０は、例えば、ドライエッチング法（ＩＣＰ−ＲＩＥ（ＩｎｄｕｃｔｉｖｅＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ− ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ））により形成することができる。

最後に、貫通孔１０を利用して、犠牲層１１を除去し、図６（ｃ）に示す弾性波装置１（犠牲層型のメンブレン板波共振器）を得る。犠牲層１１の材料がＺｎＯであった場合は、例えば、酢酸、リン酸及び水の混合溶液（酢酸：リン酸：水＝１：１：１０）を用い、ウエットエッチングにより除去することができる。本実施形態においては、圧電基板４の第１の主面４ａに薄膜６が設けられているため、犠牲層１１をエッチングし乾燥した後に、スティッキングが生じ難い。

弾性波装置２１の製造方法についても、特に限定されない。例えば、薄膜６の形成位置を除いては、弾性波装置１の製造方法と同様の方法で製造することができる。薄膜６は、支持基板２と薄膜６を介して接合されている領域と、弾性波装置２１を平面視した場合にＩＤＴ電極５が配置されている領域とに形成するものとする。例えば、圧電基板４の第１の主面４ａに全面に薄膜６を形成した後、ドライエッチング法やウエットエッチング法で図３に示した薄膜パターンを形成する。本実施形態においても、圧電基板４の第１の主面４ａに薄膜６が設けられているため、犠牲層１１をエッチングし乾燥した後に、スティッキングが生じ難い。

上記のように、本発明に係る弾性波装置の製造方法においては、複雑なパターニングやエッチング処理を必要としない。そのため、本発明の弾性波装置は、簡便に製造することができる。

本発明においては、圧電基板の第１の主面の、少なくとも、圧電基板及び支持基板により挟まれる領域、並びにＩＤＴ電極の下方の領域が薄膜によって覆われており、機械的強度が高められている。そのため、圧電基板の破壊を抑制し、圧電基板と支持基板との境界における強度を高めることが可能となる。また、圧電基板の第１の主面に薄膜が設けられているため、電圧印加時の放熱性を高めることも可能となる。

本発明の弾性波装置は、様々な電子機器や通信機器に広く用いられる。電子機器としては、例えば、センサーがある。通信機器としては、例えば、本発明の弾性波装置を含むデュプレクサ、本発明の弾性波装置とＰＡ（ＰｏｗｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒ）及び／またはＬＮＡ（ＬｏｗＮｏｉｓｅＡｍｐｌｉｆｉｅｒ）及び／またはＳＷ（Ｓｗｉｔｃｈ）を含む通信モジュール機器、その通信モジュール機器を含む移動体通信機器やヘルスケア通信機器等がある。移動体通信機器としては、携帯電話、スマートフォン、カーナビ等がある。ヘルスケア通信機器としては、体重計や体脂肪計等がある。ヘルスケア通信機器や移動体通信機器は、アンテナ、ＲＦモジュール、ＬＳＩ、ディスプレイ、入力部、電源等を備えている。

１，２１…弾性波装置
２…支持基板
２ａ…上面
２ｂ…下面
２ｃ…凹部
２Ａ…平坦化用膜
３…補強基板
４…圧電基板
４ａ，４ｂ…第１，第２の主面
４Ａ…圧電板
５…ＩＤＴ電極
６…薄膜
７ａ，７ｂ…電極ランド
８ａ，８ｂ…２層目配線
９…空洞
１０…貫通孔
１１…犠牲層

Claims

上面に凹部を有する支持基板と、
前記支持基板上に配置されている、薄膜と、
第１の主面と、該第１の主面と対向している第２の主面と、を有し、前記第１の主面側が前記薄膜上に配置されている、圧電基板と、
前記圧電基板の前記第２の主面上に設けられている、ＩＤＴ電極と、
を備え、
前記支持基板と、前記薄膜及び前記圧電基板のうち少なくとも前記薄膜と、で囲まれた空洞が形成されており、
前記圧電基板の前記第１の主面上の領域であって、前記支持基板と前記薄膜を介して接合されている領域、並びに、前記空洞の上方の領域の少なくとも一部分の領域に、前記薄膜が配置されており、
前記圧電基板の材料は、ＬｉＮｂＯ _３であり、
前記薄膜は、ＳｉＯ _２膜であり、
前記薄膜の厚みは、前記圧電基板の厚みの３倍以下であり、
前記圧電基板を伝搬する弾性波が、音速５０００〜６０００ｍ／秒である、Ｓ _０モードの弾性波である、弾性波装置。
前記薄膜が、前記圧電基板の前記第１の主面の全面に配置されている、請求項１に記載の弾性波装置。
前記空洞の上方の領域の少なくとも一部分の領域とは、前記支持基板と前記薄膜を介して接合されている領域よりも空洞側の領域である、請求項１又は２に記載の弾性波装置。
前記空洞の上方の領域の少なくとも一部分の領域とは、前記弾性波装置を平面視した場合に、前記ＩＤＴ電極が配置されている領域のみである、請求項１又は２に記載の弾性波装置。
前記圧電基板及び前記薄膜を貫通している貫通孔が設けられている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
圧電基板の第１の主面上に薄膜を形成する工程と、
前記圧電基板の前記第１の主面と対向する第２の主面上に、ＩＤＴ電極を形成する工程と、
前記薄膜の前記圧電基板と接している側とは反対側の主面に、犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層を覆うように、上面に凹部を有する支持基板を形成する工程と、
前記圧電基板及び前記薄膜に、前記圧電基板の前記第２の主面側から前記犠牲層に至る貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を利用して、エッチングにより前記犠牲層を除去し、前記犠牲層が設けられている部分を空洞とする工程と、
を備え、
前記圧電基板の前記第１の主面上の領域であって、前記支持基板と前記薄膜を介して接合される領域、並びに、前記空洞の上方の領域の少なくとも一部分の領域に前記薄膜を形成し、
前記圧電基板の材料は、ＬｉＮｂＯ _３であり、
前記薄膜は、ＳｉＯ _２膜であり、
前記薄膜の厚みは、前記圧電基板の厚みの３倍以下であり、
前記圧電基板を伝搬する弾性波が、音速５０００〜６０００ｍ／秒である、Ｓ _０モードの弾性波である、弾性波装置の製造方法。