WO2023234321A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2023234321A1
WO2023234321A1 PCT/JP2023/020181 JP2023020181W WO2023234321A1 WO 2023234321 A1 WO2023234321 A1 WO 2023234321A1 JP 2023020181 W JP2023020181 W JP 2023020181W WO 2023234321 A1 WO2023234321 A1 WO 2023234321A1
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WO
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insulating film
component insulating
main surface
component
pair
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/020181
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English (en)
French (fr)
Inventor
徹 山路
直 山崎
博也 鈴木
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Publication of WO2023234321A1 publication Critical patent/WO2023234321A1/ja

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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • the present disclosure relates to an elastic wave device.
  • Patent Document 1 describes an elastic wave device.
  • a protective film may be laminated on the functional electrode in order to obtain desired frequency characteristics.
  • the frequency characteristics may vary due to moisture absorption in the protective film or deterioration of the protective film due to exposure to plasma during the manufacturing process of the acoustic wave device.
  • the present disclosure is intended to solve the above-mentioned problems, and aims to suppress fluctuations in frequency characteristics.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other in a first direction, and at least one of the first main surface and the second main surface.
  • a protective film that covers at least a portion of the pair of electrodes; the protective film includes an insulating film of a first component in contact with the pair of electrodes; a second component insulating film, the first component insulating film has higher moisture resistance than the second component insulating film, and the second component insulating film has a higher moisture resistance than the first component insulating film. It has higher plasma resistance.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other in a first direction, and at least one of the first main surface and the second main surface. at least one pair of electrodes provided on one side; a protective film covering at least a portion of the pair of electrodes; the protective film includes an insulating film of a first component in contact with the pair of electrodes; the first component insulating film is a silicon nitride film, and the second component insulating film is a silicon oxynitride film.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other in a first direction, and at least one of the first main surface and the second main surface. at least one pair of electrodes provided on one side; a protective film covering at least a portion of the pair of electrodes; the protective film includes an insulating film of a first component in contact with the pair of electrodes; the first component insulating film is a silicon nitride film, and the second component insulating film is a silicon oxide film.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other in a first direction, and at least one of the first main surface and the second main surface. at least one pair of electrodes provided on one side; a protective film covering at least a portion of the pair of electrodes; the protective film includes an insulating film of a first component in contact with the pair of electrodes; the first component insulating film and the second component insulating film are silicon oxynitride films, and the second component insulating film is the first component insulating film.
  • the oxygen content is higher than that of the insulating film.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other in a first direction, and at least one of the first main surface and the second main surface. at least one pair of electrodes provided on one side; a protective film covering at least a portion of the pair of electrodes; the protective film includes an insulating film of a first component in contact with the pair of electrodes; the first component insulating film is a silicon oxynitride film, and the second component insulating film is a silicon oxide film.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other in a first direction, and at least one of the first main surface and the second main surface. at least one pair of electrodes provided on one side; a protective film covering at least a portion of the pair of electrodes; the protective film includes an insulating film of a first component in contact with the pair of electrodes; the first component insulating film and the second component insulating film are aluminum oxide films, and the second component insulating film is the first component insulating film. It has a higher oxygen content than the membrane.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other in a first direction, and at least one of the first main surface and the second main surface. at least one pair of electrodes provided on one side; a protective film covering at least a portion of the pair of electrodes; the protective film includes an insulating film of a first component in contact with the pair of electrodes; the first component insulating film and the second component insulating film are titanium oxide films, and the second component insulating film is the first component insulating film. It has a higher oxygen content than the membrane.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other in a first direction, and at least one of the first main surface and the second main surface. at least one pair of electrodes provided on one side; a protective film covering at least a portion of the pair of electrodes; the protective film includes an insulating film of a first component in contact with the pair of electrodes; the first component insulating film and the second component insulating film are tantalum oxide films, and the second component insulating film is the first component insulating film. It has a higher oxygen content than the membrane.
  • FIG. 1A is a perspective view showing the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion taken along line II-II in FIG. 1A.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through a piezoelectric layer in a comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining a thickness shear primary mode bulk wave propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of the bulk wave of the thickness shear primary mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 1A is a perspective view showing the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion taken along line II-
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 6 shows that in the acoustic wave device of the first embodiment, when p is the distance between the centers of adjacent electrodes or the average distance between the centers, and d is the average thickness of the piezoelectric layer, d/2p and the resonator.
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing an example in which a pair of electrodes are provided in the acoustic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of the resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 9 shows the fractional band of the elastic wave device of the first embodiment when a large number of elastic wave resonators are configured, and the amount of phase rotation of spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of spurious.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional band.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing an example of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. 13.
  • FIG. 15 is a sectional view taken along line XV-XV in FIG. 13.
  • FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view of region E in FIG. 14.
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view illustrating the sacrificial layer forming step of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view illustrating the intermediate layer forming step of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 19 is a schematic cross-sectional view illustrating the bonding process of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 20 is a schematic cross-sectional view illustrating the thinning process of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 21 is a schematic cross-sectional view illustrating an electrode forming step of the method for manufacturing an acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 22 is a schematic cross-sectional view illustrating an insulating film forming step of the first component of the method for manufacturing an acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 23 is a schematic cross-sectional view illustrating the insulating film forming step of the second component of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 24 is a schematic cross-sectional view illustrating the through-hole forming step of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 25 is a schematic cross-sectional view illustrating the etching process of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 26 is a schematic cross-sectional view showing an example of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 1A is a perspective view showing the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • the elastic wave device 1 of the first embodiment has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may be made of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is a Z cut in the first embodiment.
  • the cut angle of LiNbO 3 or LiTaO 3 may be a rotational Y cut or an X cut.
  • the propagation directions of Y propagation and X propagation are ⁇ 30°.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, but is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less in order to effectively excite the thickness shear primary mode.
  • the electrode fingers 3 and 4 may be provided on the second main surface 2b.
  • the piezoelectric layer 2 has a first main surface 2a and a second main surface 2b facing each other in the Z direction. Electrode fingers 3 and electrode fingers 4 are provided on the first main surface 2a.
  • the electrode finger 3 is an example of a "first electrode finger”
  • the electrode finger 4 is an example of a "second electrode finger”.
  • the plurality of electrode fingers 3 are a plurality of "first electrode fingers” connected to the first bus bar 5.
  • the plurality of electrode fingers 4 are a plurality of "second electrode fingers” connected to the second bus bar 6.
  • the plurality of electrode fingers 3 and the plurality of electrode fingers 4 are inserted into each other.
  • an IDT (Interdigital Transducer) electrode including the electrode finger 3, the electrode finger 4, the first bus bar 5, and the second bus bar 6 is configured.
  • the electrode fingers 3 and 4 have a rectangular shape and have a length direction. In the direction orthogonal to this length direction, the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 adjacent to the electrode fingers 3 are opposed to each other.
  • the length direction of the electrode fingers 3 and 4 and the direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 are directions intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2. Therefore, it can be said that the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 adjacent to the electrode fingers 3 face each other in the direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the thickness direction of the piezoelectric layer 2 is the Z direction (or the first direction)
  • the length direction of the electrode fingers 3 and 4 is the Y direction (or the second direction)
  • the electrode fingers 3 and 4 are referred to as the Y direction (or the second direction).
  • the direction orthogonal to each other is referred to as the X direction (or the third direction).
  • the length direction of the electrode fingers 3 and 4 may be replaced with the direction perpendicular to the length directions of the electrode fingers 3 and 4 shown in FIGS. 1A and 1B. That is, in FIGS. 1A and 1B, the electrode fingers 3 and 4 may be extended in the direction in which the first bus bar 5 and the second bus bar 6 extend. In that case, the first bus bar 5 and the second bus bar 6 will extend in the direction in which the electrode fingers 3 and 4 extend in FIGS. 1A and 1B. Then, a pair of adjacent electrode fingers 3 connected to one potential and electrode fingers 4 connected to the other potential are arranged in a direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4. Multiple pairs are provided.
  • the electrode fingers 3 and 4 when the electrode fingers 3 and 4 are adjacent to each other, it does not mean that the electrode fingers 3 and 4 are arranged so as to be in direct contact with each other, but when the electrode fingers 3 and 4 are arranged with a gap between them. This refers to the case where the In addition, when the electrode fingers 3 and 4 are adjacent to each other, there are other electrodes between the electrode fingers 3 and 4 that are connected to the hot electrode or the ground electrode, including other electrode fingers 3 and 4. is not placed. This logarithm does not need to be an integer pair, and may be 1.5 pairs or 2.5 pairs.
  • the distance between the centers of the electrode fingers 3 and 4, that is, the pitch, is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the center-to-center distance between the electrode fingers 3 and 4 refers to the center of the width dimension of the electrode fingers 3 in a direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3, and the center of the width dimension of the electrode fingers 3 in a direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 4. This is the distance between the center of the width dimension of the electrode finger 4 in the direction shown in FIG.
  • the electrode fingers 3 and 4 when there are multiple electrode fingers 3 and at least one of the electrode fingers 4 (when the electrode fingers 3 and 4 are considered as one pair of electrode sets, there are 1.5 or more pairs of electrode sets), the electrode fingers 3.
  • the distance between the centers of the electrode fingers 4 refers to the average value of the distance between the centers of adjacent electrode fingers 3 and electrode fingers 4 among 1.5 or more pairs of electrode fingers 3 and electrode fingers 4.
  • the width of the electrode fingers 3 and 4 that is, the dimension in the opposing direction of the electrode fingers 3 and 4, is preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the center-to-center distance between the electrode fingers 3 and 4 is the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode fingers 3 in the direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and the length of the electrode fingers 4. This is the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode finger 4 in the direction orthogonal to this direction.
  • a direction perpendicular to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 is a direction perpendicular to the polarization direction of the piezoelectric layer 2. This is not the case when a piezoelectric material having a different cut angle is used as the piezoelectric layer 2.
  • “orthogonal” is not limited to strictly orthogonal, but approximately orthogonal (for example, the angle between the direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and 4 and the polarization direction is 90° ⁇ 10°).
  • a support substrate 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with an intermediate layer 7 interposed therebetween. Intermediate layer 7 and support substrate 8 form a support member.
  • the intermediate layer 7 and the support substrate 8 have a frame-like shape, and have openings 7a and 8a, as shown in FIG. As a result, a space (air gap) 9 is formed.
  • the support substrate 8 may have a shape having a recessed portion. Further, the space 9 may be formed by a recess provided in the intermediate layer.
  • the space 9 is provided so as not to hinder the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2. Therefore, the support substrate 8 is laminated on the second main surface 2b with the intermediate layer 7 interposed therebetween at a position that does not overlap with the portion where at least one pair of electrode fingers 3 and 4 are provided. Note that the support substrate 8 may be laminated directly or indirectly on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2. That is, the intermediate layer 7 may not be provided. In that case, the support substrate 8 forms the support member.
  • the intermediate layer 7 is made of silicon oxide.
  • the intermediate layer 7 can be formed of an appropriate insulating material such as silicon nitride, alumina, etc. in addition to silicon oxide.
  • the support substrate 8 is made of Si.
  • the plane orientation of the Si surface on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111).
  • Si has a high resistivity of 4 k ⁇ or more.
  • the support substrate 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material. Examples of materials for the support substrate 8 include aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and star. Various ceramics such as tite and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, semiconductors such as gallium nitride, etc. can be used.
  • the plurality of electrode fingers 3, electrode fingers 4, first bus bar 5, and second bus bar 6 are made of an appropriate metal or alloy such as Al or AlCu alloy.
  • the electrode finger 3, the electrode finger 4, the first bus bar 5, and the second bus bar 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesive layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the plurality of electrode fingers 3 and the plurality of electrode fingers 4. More specifically, an AC voltage is applied between the first bus bar 5 and the second bus bar 6. Thereby, it is possible to obtain resonance characteristics using the bulk wave of the thickness shear primary mode excited in the piezoelectric layer 2.
  • d/p is set to be 0.5 or less. Therefore, the bulk wave of the thickness shear primary mode is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the electrode fingers 3 and 4 are When there are 1.5 or more pairs of electrode fingers 4, the distance between the centers of adjacent electrode fingers 3 and 4 is the average distance between the centers of each adjacent electrode finger 3 and electrode finger 4.
  • the elastic wave device 1 of the first embodiment has the above configuration, even if the logarithms of the electrode fingers 3 and 4 are made smaller in an attempt to achieve miniaturization, the Q value is unlikely to decrease. This is because the resonator does not require reflectors on both sides and has little propagation loss. Further, the reason why the reflector is not required is because the bulk wave of the thickness shear first mode is used.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating in a piezoelectric layer of a comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining a thickness shear primary mode bulk wave propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of the bulk wave of the thickness shear primary mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 3A shows an elastic wave device as described in Patent Document 1, in which Lamb waves propagate through a piezoelectric layer.
  • waves propagate in the piezoelectric layer 201 as indicated by arrows.
  • the piezoelectric layer 201 has a first main surface 201a and a second main surface 201b, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers 3 and 4 of the IDT electrode are lined up.
  • the Lamb wave the wave propagates in the X direction as shown.
  • the piezoelectric layer 201 vibrates as a whole, but since the wave propagates in the X direction, reflectors are placed on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, wave propagation loss occurs, and when miniaturization is attempted, that is, when the number of logarithms of electrode fingers 3 and 4 is decreased, the Q value decreases.
  • the vibration displacement is in the thickness sliding direction, so the waves are generated between the first principal surface 2a and the second principal surface of the piezoelectric layer 2. It propagates almost in the direction connecting the surface 2b, that is, in the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. Since resonance characteristics are obtained by the propagation of waves in the Z direction, a reflector is not required. Therefore, no propagation loss occurs when propagating to the reflector. Therefore, even if the number of pairs of electrodes consisting of the electrode fingers 3 and 4 is reduced in an attempt to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • the amplitude direction of the bulk wave of the thickness shear primary mode is the first region 251 included in the excitation region C (see FIG. 1B) of the piezoelectric layer 2 and the first region 251 included in the excitation region C.
  • the second area 252 is the opposite.
  • FIG. 4 schematically shows a bulk wave when a voltage is applied between the electrode fingers 3 and 4 such that the electrode fingers 4 have a higher potential than the electrode fingers 3.
  • the first region 251 is a region of the excitation region C between a virtual plane VP1 that is perpendicular to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and bisects the piezoelectric layer 2, and the first main surface 2a.
  • the second region 252 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second principal surface 2b.
  • the elastic wave device 1 at least one pair of electrodes consisting of an electrode finger 3 and an electrode finger 4 are disposed, but since the wave is not propagated in the X direction, There does not necessarily have to be a plurality of pairs of electrodes. That is, it is only necessary that at least one pair of electrodes be provided.
  • the electrode finger 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode finger 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • the electrode finger 3 may be connected to the ground potential
  • the electrode finger 4 may be connected to the hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential, as described above, and no floating electrode is provided.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • the design parameters of the elastic wave device 1 that obtained the resonance characteristics shown in FIG. 5 are as follows.
  • Piezoelectric layer 2 LiNbO 3 with Euler angles (0°, 0°, 90°) Thickness of piezoelectric layer 2: 400 nm
  • Length of excitation region C (see Figure 1B): 40 ⁇ m Number of pairs of electrodes consisting of electrode fingers 3 and 4: 21 pairs Center-to-center distance (pitch) between electrode fingers 3 and 4: 3 ⁇ m Width of electrode fingers 3 and 4: 500 nm d/p: 0.133
  • Support substrate 8 Si
  • the excitation region C (see FIG. 1B) is a region where the electrode fingers 3 and 4 overlap when viewed in the X direction orthogonal to the length direction of the electrode fingers 3 and 4. .
  • the length of the excitation region C is a dimension along the length direction of the electrode fingers 3 and 4 of the excitation region C.
  • the excitation region C is an example of a "crossing region.”
  • the center-to-center distances of the electrode pairs consisting of the electrode fingers 3 and 4 were all made equal. That is, the electrode fingers 3 and the electrode fingers 4 were arranged at equal pitches.
  • d/p is 0.5 or less, more preferably 0. .24 or less. This will be explained with reference to FIG.
  • FIG. 6 shows d/2p and the resonator in the acoustic wave device of the first embodiment, where p is the distance between the centers of adjacent electrodes or the average distance between the centers, and d is the average thickness of the piezoelectric layer 2.
  • At least one pair of electrodes may be one pair, and in the case of one pair of electrodes, the above p is the distance between the centers of adjacent electrode fingers 3 and 4. Furthermore, in the case of 1.5 or more pairs of electrodes, the average distance between the centers of adjacent electrode fingers 3 and 4 may be set to p.
  • the thickness d of the piezoelectric layer 2 if the piezoelectric layer 2 has thickness variations, a value obtained by averaging the thicknesses may be adopted.
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing an example in which a pair of electrodes are provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • a pair of electrodes including electrode fingers 3 and electrode fingers 4 are provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • K in FIG. 7 is the intersection width.
  • the number of pairs of electrodes may be one. Even in this case, if the above-mentioned d/p is 0.5 or less, the bulk wave of the thickness shear primary mode can be excited effectively.
  • excitation is an area where any of the adjacent electrode fingers 3 and electrode fingers 4 overlap when viewed in the direction in which they are facing each other. It is desirable that the metallization ratio MR of the adjacent electrode fingers 3 and 4 with respect to the region C satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. In that case, spurious can be effectively reduced. This will be explained with reference to FIGS. 8 and 9.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of the resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • a spurious signal indicated by arrow B appears between the resonant frequency and the anti-resonant frequency.
  • d/p 0.08 and the Euler angles of LiNbO 3 (0°, 0°, 90°).
  • the metallization ratio MR was set to 0.35.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 1B.
  • This excitation region C refers to the electrode finger that overlaps the electrode finger 4 when the electrode finger 3 and the electrode finger 4 are viewed in a direction perpendicular to the length direction of the electrode finger 3 and the electrode finger 4, that is, in the opposite direction. 3, a region of the electrode finger 4 overlapping with the electrode finger 3, and a region between the electrode finger 3 and the electrode finger 4 where the electrode finger 3 and the electrode finger 4 overlap.
  • the area of the electrode fingers 3 and 4 in the excitation region C with respect to the area of the excitation region C becomes the metallization ratio MR. That is, the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallized portion to the area of the excitation region C.
  • the ratio of the metallized portion included in the entire excitation region C to the total area of the excitation region C may be taken as MR.
  • FIG. 9 shows the fractional band of the elastic wave device of the first embodiment when a large number of elastic wave resonators are configured, and the amount of phase rotation of spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of spurious.
  • FIG. 9 shows the results when using the Z-cut piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 , the same tendency occurs even when piezoelectric layers 2 having other cut angles are used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more will affect the pass band even if the parameters that make up the fractional band are changed. Appear within. That is, as in the resonance characteristics shown in FIG. 8, a large spurious signal indicated by arrow B appears within the band. Therefore, it is preferable that the fractional band is 17% or less. In this case, by adjusting the thickness of the piezoelectric layer 2, the dimensions of the electrode fingers 3, 4, etc., the spurious can be reduced.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional band.
  • various elastic wave devices 1 having different d/2p and MR were configured, and the fractional bands were measured.
  • the hatched area on the right side of the broken line D in FIG. 10 is a region where the fractional band is 17% or less.
  • the fractional band can be reliably set to 17% or less.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • the hatched areas in FIG. 11 are regions where a fractional band of at least 5% or more can be obtained. When the range of the region is approximated, it becomes the range expressed by the following equations (1), (2), and (3).
  • the fractional band can be made sufficiently wide, which is preferable.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the embodiment of the present disclosure.
  • the outer periphery of the space 9 is indicated by a broken line.
  • the elastic wave device of the present disclosure may utilize plate waves.
  • the elastic wave device 301 includes reflectors 310 and 311.
  • the reflectors 310 and 311 are provided on both sides of the electrode fingers 3 and 4 of the piezoelectric layer 2 in the elastic wave propagation direction.
  • a Lamb wave as a plate wave is excited.
  • the reflectors 310 and 311 are provided on both sides, resonance characteristics due to Lamb waves as plate waves can be obtained.
  • the elastic wave devices 1 and 101 utilize bulk waves in the primary thickness shear mode.
  • the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 are adjacent electrodes, and the thickness of the piezoelectric layer 2 is d, and the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 are adjacent electrodes.
  • d/p is set to be 0.5 or less.
  • the piezoelectric layer 2 is formed of lithium niobate or lithium tantalate.
  • the first main surface 2a or the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 has a first electrode finger 3 and a second electrode finger 4 facing each other in a direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2. It is desirable to cover the first electrode finger 3 and the second electrode finger 4 with a protective film.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing an example of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. 13.
  • FIG. 15 is a sectional view taken along line XV-XV in FIG. 13.
  • FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view of region E in FIG. 14.
  • the protective film 19 is omitted, and the range where an insulating film 19a of the first component, which will be described later, is provided is shown with a two-dot chain line.
  • the acoustic wave device 1A according to the first embodiment includes a support member 80, a piezoelectric layer 2, a functional electrode 30, a wiring electrode 14, and a protective film 19.
  • the support member 80 has a support substrate 8.
  • the support member 80 includes the intermediate layer 7 and the support substrate 8.
  • the intermediate layer 7 is provided on the piezoelectric layer 2 side of the support substrate 8 in the Z direction.
  • the support member 80 has a space 9.
  • the space 9 is a space that is open to the piezoelectric layer 2 side of the support member 80.
  • the space 9 is located in the intermediate layer 7.
  • the space 9 is located on the piezoelectric layer side of the intermediate layer 7 in the Z direction. That is, it can be said that the space 9 is a space between the piezoelectric layer 2 and the support substrate 8.
  • the space portion 9 may be a space that penetrates the intermediate layer 7 in the Z direction.
  • the edges of the space 9 have a rectangular shape in which both sides in the X direction protrude outward in the X direction.
  • the edge of the space 9 refers to a boundary between an area that overlaps with the space 9 and an area that does not overlap when viewed in plan in the Z direction.
  • the edges of the space 9 on both sides in the Y direction are two straight lines extending in the X direction, and the edges of the space 9 on both sides in the X direction protrude outward in the X direction. It has a shape.
  • the portion of the space 9 that protrudes outward in the X direction will be referred to as a drawer portion.
  • the piezoelectric layer 2 is provided on the space 9 side of the support member 80 in the Z direction.
  • the piezoelectric layer 2 is provided on the intermediate layer 7 side of the support member 80.
  • the surface of the piezoelectric layer 2 on the support member 80 side may be referred to as the second main surface 2b, and the surface opposite to the second main surface 2b in the Z direction may be referred to as the first main surface 2a. .
  • the piezoelectric layer 2 has a through hole 2H.
  • the through hole 2H is a hole that penetrates the piezoelectric layer 2 in the Z direction.
  • the through hole 2H is provided at a position that does not overlap with the functional electrode 30 when viewed from above in the Z direction.
  • the through hole 2H is provided at a position that does not overlap with the functional electrode 30 and the wiring electrode 14 and overlaps with the space 9 when viewed in plan in the Z direction. That is, the through hole 2H communicates with the space 9.
  • the through hole 2H is provided at a position that overlaps with the lead-out portion of the space 9 when viewed from above in the Z direction. Note that the position of the through hole 2H is not limited to this, and the through hole 2H may be provided in the Y direction of the electrode fingers 3 and 4 and surrounded by the wiring electrode 14.
  • the electrode fingers 3 and the first bus bar 5 correspond to the first electrode
  • the electrode fingers 4 and the second bus bar 6 correspond to the second electrode.
  • the number of functional electrodes 30 is not particularly limited, as long as at least one is provided.
  • the bus bars 5 and 6 are provided so as to overlap the corner 9a of the space 9 when viewed in plan in the Z direction.
  • the corners 9a of the space 9 are the intersections of the edges of the space 9 on both sides in the X direction and the edges of the space 9 on both sides in the Y direction, or the intersections of the edges of the space 9 on both sides in the X direction. It refers to the point on the edge of the space 9 that is closest to the intersection of the extension line and the extension lines of the edges of the space 9 on both sides in the Y direction. That is, the corner 9a is a point corresponding to the apex of the edge of the space 9. Thereby, concentration of stress on the piezoelectric layer 2 is alleviated, and generation of cracks in the piezoelectric layer 2 can be suppressed.
  • the protective film 19 is a film provided on the functional electrode 30.
  • the protective film 19 is provided over the entire first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 so as to cover the functional electrode 30 and the wiring electrode 14.
  • the protective film 19 includes a first component insulating film 19a in contact with the functional electrode 30 and a second component insulating film 19b on the surface layer.
  • the first component insulating film 19a is in contact with the functional electrode 30. Being in contact with the functional electrode 30 includes being in contact with a part of the functional electrode 30. In the first embodiment, the first component insulating film 19a is provided at a position overlapping the space 9 when viewed in plan in the Z direction. In the examples of FIGS. 14 and 15, the first component insulating film 19a is provided to cover the functional electrode 30 and the wiring electrode 14 on the opposite side of the piezoelectric layer 2.
  • the second component insulating film 19b is on the surface layer of the protective film 19. That is, the second component insulating film 19b is provided to cover the first component insulating film 19a. In the first embodiment, the second component insulating film 19b is provided over the entire first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 so as to cover the first component insulating film 19a.
  • the protective film 19 includes a part including the first component insulating film 19a and a second component insulating film 19b, and a part that is a single layer of the second component insulating film 19b, when viewed in plan in the Z direction. and has. In the example of FIG.
  • the second component insulating film 19b is in contact with the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 in the single layer portion of the second component insulating film 19b. Thereby, the first component insulating film 19a is protected by the second component insulating film 19b on the surface layer.
  • the first component insulating film 19a has higher moisture resistance than the second component insulating film 19b. That is, the first component insulating film 19a absorbs moisture in the air more easily than the second component insulating film 19b. Thereby, it is possible to suppress the first component insulating film 19a in contact with the electrode fingers 3 and 4 from absorbing moisture in the air, and therefore it is possible to suppress fluctuations in frequency characteristics.
  • the level of moisture resistance can be determined by the following method. First, the first component insulating film 19a and the second component insulating film 19b are left to absorb moisture for 100 hours in an atmosphere at a temperature of 85° C. and a humidity of 85%, for example. Then, the amount of water released from the first component insulating film 19a and the second component insulating film 19b is measured by thermal desorption gas analysis. At this time, if the second component insulating film 19b releases more moisture than the first component insulating film 19a, the first component insulating film 19a has higher moisture resistance than the second component insulating film 19b. It can be said.
  • the second component insulating film 19b has higher plasma resistance than the first component insulating film 19a. That is, the second component insulating film 19b is less likely to oxidize when exposed to plasma than the first component insulating film 19a. Thereby, it is possible to suppress oxidation of the second component insulating film 19b on the surface layer when exposed to plasma in the manufacturing process of the acoustic wave device, and therefore it is possible to suppress fluctuations in frequency characteristics.
  • the level of plasma resistance can be determined by the following method. First, the first component insulating film 19a and the second component insulating film 19b are exposed to plasma. The plasma exposure is performed, for example, under the same conditions as the plasma ashing performed for removing the resists R1 and R2 in the through-hole forming step or etching step, which will be described later. Then, the composition ratio of oxygen contained in the first component insulating film 19a and the second component insulating film 19b is measured by a TEM-EDX method, an XPS method, or an RBS (Rutherford backscattering analysis method).
  • the second component insulating film 19b is the first component insulating film. It can be said that the plasma resistance is higher than that of the film 19a.
  • the second component insulating film 19b is thinner than the first component insulating film 19a.
  • the thickness of the first component insulating film 19a can be 15 nm, and the thickness of the second component insulating film 19b can be 5 nm.
  • the first component insulating film 19a may have a different thickness for each functional electrode 30 in contact with it.
  • the first component insulating film 19a is a silicon nitride (SiN) film
  • the second component insulating film 19b is a silicon oxynitride (SiON) film.
  • the first component insulating film 19a can have higher moisture resistance than the second component insulating film 19b
  • the second component insulating film 19b can have higher moisture resistance than the first component insulating film 19a. Since plasma resistance can be increased, fluctuations in frequency characteristics can be suppressed.
  • the elastic wave device 1A according to the first embodiment has been described above, the elastic wave device according to the first embodiment is not limited to what has been described above.
  • the combination of materials for the first component insulating film 19a and the second component insulating film 19b is not limited to those described above.
  • the oxygen content of the insulating film refers to the composition ratio of oxygen contained in the insulating film.
  • the first component insulating film 19a is a silicon nitride (SiN) film
  • the second component insulating film 19b is a silicon oxide (SiO 2 ) film.
  • the first component insulating film 19a can have higher moisture resistance than the second component insulating film 19b
  • the second component insulating film 19b can have higher moisture resistance than the first component insulating film 19a. Since plasma resistance can also be increased, fluctuations in frequency characteristics can be suppressed.
  • the first component insulating film 19a is a silicon oxynitride (SiON) film
  • the second component insulating film 19b is a silicon oxide (SiO 2 ) film.
  • the first component insulating film 19a can have higher moisture resistance than the second component insulating film 19b
  • the second component insulating film 19b can have higher moisture resistance than the first component insulating film 19a. Since plasma resistance can also be increased, fluctuations in frequency characteristics can be suppressed.
  • the first component insulating film 19a and the second component insulating film 19b are aluminum oxide films (Al 2 O 3 ).
  • the second component insulating film 19b has a higher oxygen content than the first component insulating film 19a.
  • the first component insulating film 19a can have higher moisture resistance than the second component insulating film 19b, and the second component insulating film 19b can have higher moisture resistance than the first component insulating film 19a. Since plasma resistance can also be increased, fluctuations in frequency characteristics can be suppressed.
  • the first component insulating film 19a and the second component insulating film 19b are tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) films.
  • the second component insulating film 19b has a higher oxygen content than the first component insulating film 19a.
  • the first component insulating film 19a can have higher moisture resistance than the second component insulating film 19b, and the second component insulating film 19b can have higher moisture resistance than the first component insulating film 19a. Since plasma resistance can also be increased, fluctuations in frequency characteristics can be suppressed.
  • the elastic wave device 1A includes the piezoelectric layer 2 having the first main surface 2a and the second main surface 2b facing each other in the first direction, and the first main surface 2a. and at least one pair of electrodes (electrode fingers 3, 4) provided on at least one of the second main surfaces 2b, and a protective film 19 that covers at least a portion of the pair of electrodes.
  • the protective film 19 includes a first component insulating film 19a in contact with the pair of electrodes, and a second component insulating film 19b on the surface layer.
  • the first component insulating film 19a has higher moisture resistance than the second component insulating film 19b.
  • the second component insulating film 19b has higher plasma resistance than the first component insulating film 19a.
  • the first component insulating film 19a in contact with the electrode fingers 3 and 4 can be suppressed from absorbing moisture in the air, and the second component insulating film 19b on the surface layer can be exposed to plasma during the manufacturing process of the acoustic wave device. Since it is possible to suppress oxidation when exposed to, it is possible to suppress fluctuations in frequency characteristics.
  • the first component insulating film 19a is a silicon nitride film
  • the second component insulating film 19b is a silicon oxynitride film.
  • the first component insulating film 19a can have higher moisture resistance than the second component insulating film 19b
  • the second component insulating film 19b can have higher moisture resistance than the first component insulating film 19a. Since plasma resistance can be increased, fluctuations in frequency characteristics can be suppressed.
  • the first component insulating film 19a is a silicon nitride film
  • the second component insulating film 19b is a silicon oxide film.
  • the first component insulating film 19a can have higher moisture resistance than the second component insulating film 19b
  • the second component insulating film 19b can have higher moisture resistance than the first component insulating film 19a. Since plasma resistance can be increased, fluctuations in frequency characteristics can be suppressed.
  • the first component insulating film 19a and the second component insulating film 19b are silicon oxynitride films, and the second component insulating film 19b has a higher oxygen content than the first component insulating film 19a. is large.
  • the first component insulating film 19a can have higher moisture resistance than the second component insulating film 19b, and the second component insulating film 19b can have higher moisture resistance than the first component insulating film 19a. Since plasma resistance can be increased, fluctuations in frequency characteristics can be suppressed.
  • the first component insulating film 19a is a silicon oxynitride film
  • the second component insulating film 19b is a silicon oxide film.
  • the first component insulating film 19a can have higher moisture resistance than the second component insulating film 19b
  • the second component insulating film 19b can have higher moisture resistance than the first component insulating film 19a. Since plasma resistance can be increased, fluctuations in frequency characteristics can be suppressed.
  • the first component insulating film 19a and the second component insulating film 19b are aluminum oxide films, and the second component insulating film 19b has a higher oxygen content than the first component insulating film 19a. big.
  • the first component insulating film 19a can have higher moisture resistance than the second component insulating film 19b, and the second component insulating film 19b can have higher moisture resistance than the first component insulating film 19a. Since plasma resistance can be increased, fluctuations in frequency characteristics can be suppressed.
  • the first component insulating film 19a and the second component insulating film 19b are titanium oxide films, and the second component insulating film 19b has a higher oxygen content than the first component insulating film 19a. big.
  • the first component insulating film 19a can have higher moisture resistance than the second component insulating film 19b, and the second component insulating film 19b can have higher moisture resistance than the first component insulating film 19a. Since plasma resistance can be increased, fluctuations in frequency characteristics can be suppressed.
  • the first component insulating film 19a and the second component insulating film 19b are tantalum oxide films, and the second component insulating film 19b has a higher oxygen content than the first component insulating film 19a. big.
  • the first component insulating film 19a can have higher moisture resistance than the second component insulating film 19b, and the second component insulating film 19b can have higher moisture resistance than the first component insulating film 19a. Since plasma resistance can be increased, fluctuations in frequency characteristics can be suppressed.
  • the pair of electrodes includes a first bus bar 5 and a second bus bar 6 facing each other in a second direction intersecting the first direction, and a second bus bar 6 whose base end is connected to the first bus bar 5, and a second bus bar 6 that faces each other in a second direction intersecting the first direction.
  • An IDT electrode including at least one first electrode finger 3 extending in the direction, and at least one second electrode finger 4 whose base end is connected to the second bus bar 6 and extending in the second direction. be. This provides good resonance characteristics.
  • a support member 80 having a support substrate 8 is further provided.
  • the piezoelectric layer 2 is provided in the first direction of the support member 80, which is the thickness direction of the support substrate 8.
  • the support member 80 is provided with a space 9 that is open toward the piezoelectric layer 2 in the first direction. At least a portion of the pair of electrodes overlaps with the space 9 in plan view from the first direction. This provides good resonance characteristics.
  • the protective film 19 in the region overlapping with the space 9 in the first direction includes a first component insulating film 19a in contact with the pair of electrodes and a second component insulating film 19b on the surface layer.
  • the protective film 19 has a portion including the first component insulating film 19a and the second component insulating film 19b, and a portion including only the second component insulating film 19b.
  • the second component insulating film 19b is in direct contact with the piezoelectric layer 2.
  • the first component insulating film 19a is protected by the second component insulating film 19b on the surface layer, so the first component insulating film 19a can be protected from plasma during the manufacture of the acoustic wave device 1A, so that the frequency characteristics can be improved. Fluctuations can be further suppressed.
  • the protective film 19 in the region that does not overlap with the space portion 9 in the first direction includes only the second component insulating film 19b, and the second component insulating film 19b in the non-overlapping region includes a piezoelectric layer. Direct contact with 2.
  • the first component insulating film 19a is protected by the second component insulating film 19b on the surface layer, so the first component insulating film 19a can be protected from plasma during the manufacture of the acoustic wave device 1A, so that the frequency characteristics can be improved. Fluctuations can be further suppressed.
  • the pair of electrodes includes a first bus bar 5 and a second bus bar 6 facing each other in a second direction intersecting the first direction, and a second bus bar 6 whose base end is connected to the first bus bar 5, and a second bus bar 6 that faces each other in a second direction intersecting the first direction.
  • An IDT electrode including at least one first electrode finger 3 extending in the direction, and at least one second electrode finger 4 whose base end is connected to the second bus bar 6 and extending in the second direction. be.
  • the first bus bar 5 or the second bus bar 6 is provided so as to overlap the corner 9a of the space 9 when viewed in plan in the first direction. Thereby, concentration of stress on the piezoelectric layer 2 is alleviated, and generation of cracks in the piezoelectric layer 2 can be suppressed.
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate or lithium tantalate constituting the piezoelectric layer 2 fall within the range of the following formula (1), formula (2), or formula (3). be.
  • the fractional band can be reliably set to 17% or less.
  • the pair of electrodes includes a first bus bar 5 and a second bus bar 6 facing each other in a second direction intersecting the first direction, and a second bus bar 6 whose base end is connected to the first bus bar 5, and a second bus bar 6 that faces each other in a second direction intersecting the first direction.
  • An IDT electrode including at least one first electrode finger 3 extending in the direction, and at least one second electrode finger 4 whose base end is connected to the second bus bar 6 and extending in the second direction. be.
  • d/p is 0.24 or less.
  • the pair of electrodes includes a first bus bar 5 and a second bus bar 6 facing each other in a second direction intersecting the first direction, and a second bus bar 6 whose base end is connected to the first bus bar 5, and a second bus bar 6 that faces each other in a second direction intersecting the first direction.
  • An IDT electrode including at least one first electrode finger 3 extending in the direction, and at least one second electrode finger 4 whose base end is connected to the second bus bar 6 and extending in the second direction. be.
  • the area where adjacent first electrode fingers 3 and second electrode fingers 4 overlap when viewed in the opposing direction is an excitation area.
  • it is configured to be able to utilize thickness-shear mode bulk waves. This makes it possible to provide an elastic wave device that increases the coupling coefficient and provides good resonance characteristics.
  • it is configured such that plate waves can be used. Thereby, it is possible to provide an elastic wave device that can obtain good resonance characteristics.
  • the manufacturing method of the acoustic wave device 1A according to the first embodiment includes a sacrificial layer forming step, an intermediate layer forming step, a bonding step, a thinning step, an electrode forming step, and a first component insulating film forming step. , a second component insulating film forming step, a through hole forming step, and an etching step.
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view illustrating the sacrificial layer forming step of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • the sacrificial layer forming step is a step of forming a sacrificial layer 7S on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the formation of the sacrificial layer 7S is performed, for example, by forming the sacrificial layer 7S on the entire second main surface 2b of the piezoelectric layer 2, and then removing a part of the sacrificial layer 7S of the piezoelectric layer 2 by resist patterning. It will be held in The resist is removed after the sacrificial layer 7S is formed.
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view illustrating the intermediate layer forming step of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • the intermediate layer forming step is a step of forming the intermediate layer 7 on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 so as to cover the sacrificial layer 7S.
  • the formation of the intermediate layer 7 is performed, for example, by forming the intermediate layer 7 on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 and grinding the main surface of the intermediate layer 7 on the opposite side of the piezoelectric layer 2 in the Z direction. be exposed.
  • FIG. 19 is a schematic cross-sectional view illustrating the joining process of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • the bonding process is a process of bonding the support substrate 8 to the opposite side of the piezoelectric layer 2 of the intermediate layer 7 in the Z direction.
  • a support member 80 including the intermediate layer 7 and the support substrate 8 is formed.
  • FIG. 20 is a schematic cross-sectional view illustrating the thinning process of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • the thinning process is a process of grinding the piezoelectric layer 2 to make the piezoelectric layer 2 thinner. Thereby, the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 is formed.
  • FIG. 21 is a schematic cross-sectional view illustrating the electrode forming step of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • the electrode forming step is a step of forming a functional electrode 30 on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • the functional electrode 30 is formed, for example, by lift-off.
  • the wiring electrode 14 is provided on the functional electrode 30.
  • the first component insulating film 19a has higher moisture resistance than the second component insulating film 19b, which will be described later, it is possible to suppress moisture absorption of the protective film 19 in subsequent steps, and to prevent fluctuations in frequency characteristics. It can be suppressed.
  • FIG. 23 is a schematic cross-sectional view illustrating the insulating film forming step of the second component of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • a second component insulating film 19b is formed on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 so as to cover the first component insulating film 19a. It is a process.
  • the second component insulating film 19b is provided over the entire first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • the first component insulating film 19a of the first component is protected by the second component insulating film 19b.
  • FIG. 24 is a schematic cross-sectional view illustrating the through-hole forming step of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • the through hole forming step is a step of providing through holes 2H in the piezoelectric layer 2.
  • the through holes 2H are formed by forming a resist R1 on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 and removing a portion of the piezoelectric layer 2.
  • the resist R1 is removed by plasma ashing after the through holes 2H are formed.
  • the second component insulating film 19b which has higher plasma resistance than the first component insulating film 19a, is provided, oxidation of the protective film 19 during plasma ashing can be suppressed, and the frequency characteristics may vary. can be restrained from doing so.
  • FIG. 25 is a schematic cross-sectional view illustrating the etching process of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • the etching process is a process of etching the sacrificial layer 7S to form the space 9. Removal of the sacrificial layer 7S is performed by forming a resist R2 on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2, and injecting an etching solution from the through hole 2H to remove the sacrificial layer 7S. The resist R2 is removed by performing plasma ashing after etching the sacrificial layer 7S.
  • the second component insulating film 19b which has higher plasma resistance than the first component insulating film 19a, is provided, oxidation of the protective film 19 during plasma ashing can be suppressed, and the frequency characteristics may vary. can be restrained from doing so.
  • the elastic wave device 1A according to the first embodiment can be manufactured.
  • the method for manufacturing the elastic wave device 1A according to the first embodiment described above is an example, and is not limited thereto.
  • the second component The thickness of the second component insulating film 19b may be adjusted after the formation of the insulating film 19b.
  • FIG. 26 is a schematic cross-sectional view showing an example of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • the elastic wave device 1B according to the second embodiment differs from the first embodiment in that it is a device that uses bulk waves, that is, a BAW (Bulk Acoustic Wave) element.
  • the functional electrode 30A includes a first electrode 31 and a second electrode 32.
  • the first electrode 31 is an electrode provided on the first main surface 2a, and is also referred to as an upper electrode.
  • the second electrode 32 is an electrode provided on the second main surface 2b, and is also referred to as a lower electrode.
  • FIG. 26 is a schematic cross-sectional view showing an example of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • the elastic wave device 1B according to the second embodiment differs from the first embodiment in that it is a device that uses bulk waves, that is, a BAW (Bulk Acoustic Wave) element.
  • the functional electrode 30A includes a first electrode 31 and a second electrode 32.
  • the first electrode 31 is
  • the protective film 19 is provided over the entire first main surface 2a and second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 so as to cover the functional electrode 30 and the wiring electrode (not shown). .
  • the protective film 19 may be provided on either the first main surface 2a or the second main surface 2b.
  • the structure of the protective film 19 may be made different between the first main surface 2a and the second main surface 2b.
  • the first main surface 2a has an insulating film 19a of the first component and While the two-component insulating film 19b is provided, only the second component insulating film 19b may be provided on the second main surface 2b.
  • the pair of electrodes include the first electrode 31 provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2; and a second electrode 32 provided on the second main surface 2b. Even in this case, fluctuations in frequency characteristics can be suppressed.
  • the present invention can also take the following aspects.
  • a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other in a first direction; and at least one pair of electrodes provided on at least one of the first main surface and the second main surface. and a protective film covering at least a portion of the pair of electrodes,
  • the protective film includes a first component insulating film in contact with the pair of electrodes and a second component insulating film on the surface layer,
  • the first component insulating film has higher moisture resistance than the second component insulating film
  • the second component insulating film has higher plasma resistance than the first component insulating film.
  • the acoustic wave device according to ⁇ 1>, wherein the first component insulating film is a silicon nitride film, and the second component insulating film is a silicon oxynitride film.
  • the first component insulating film is a silicon nitride film
  • the second component insulating film is a silicon oxide film.
  • the first component insulating film and the second component insulating film are silicon oxynitride films, and the second component insulating film has a higher oxygen content than the first component insulating film. 1>.
  • the acoustic wave device according to ⁇ 1>, wherein the first component insulating film is a silicon oxynitride film, and the second component insulating film is a silicon oxide film.
  • the first component insulating film and the second component insulating film are aluminum oxide films, and the second component insulating film has a higher oxygen content than the first component insulating film, ⁇ 1.
  • the first component insulating film and the second component insulating film are titanium oxide films, and the second component insulating film has a higher oxygen content than the first component insulating film, ⁇ 1.
  • the first component insulating film and the second component insulating film are tantalum oxide films, and the second component insulating film has a higher oxygen content than the first component insulating film, ⁇ 1.
  • the protective film includes a first component insulating film in contact with the pair of electrodes and a second component insulating film on the surface layer,
  • the acoustic wave device wherein the first component insulating film is a silicon nitride film, and the second component insulating film is a silicon oxynitride film.
  • a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other in a first direction; and at least one pair of electrodes provided on at least one of the first main surface and the second main surface.
  • the protective film includes a first component insulating film in contact with the pair of electrodes and a second component insulating film on the surface layer,
  • the first component insulating film is a silicon nitride film
  • the second component insulating film is a silicon oxide film.
  • the protective film includes a first component insulating film in contact with the pair of electrodes and a second component insulating film on the surface layer,
  • the first component insulating film and the second component insulating film are silicon oxynitride films, and the second component insulating film has a higher oxygen content than the first component insulating film.
  • wave device. ⁇ 12> a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other in a first direction; and at least one pair of electrodes provided on at least one of the first main surface and the second main surface.
  • the protective film includes a first component insulating film in contact with the pair of electrodes and a second component insulating film on the surface layer,
  • the first component insulating film is a silicon oxynitride film
  • the second component insulating film is a silicon oxide film.
  • the protective film includes a first component insulating film in contact with the pair of electrodes and a second component insulating film on the surface layer,
  • the first component insulating film and the second component insulating film are aluminum oxide films, and the second component insulating film has a higher oxygen content than the first component insulating film.
  • Device. ⁇ 14> a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other in a first direction; and at least one pair of electrodes provided on at least one of the first main surface and the second main surface.
  • the protective film includes a first component insulating film in contact with the pair of electrodes and a second component insulating film on the surface layer,
  • the first component insulating film and the second component insulating film are titanium oxide films, and the second component insulating film has a higher oxygen content than the first component insulating film.
  • Device. ⁇ 15> a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other in a first direction; and at least one pair of electrodes provided on at least one of the first main surface and the second main surface.
  • the protective film includes a first component insulating film in contact with the pair of electrodes and a second component insulating film on the surface layer,
  • the first component insulating film and the second component insulating film are tantalum oxide films, and the second component insulating film has a higher oxygen content than the first component insulating film.
  • the pair of electrodes includes a first bus bar and a second bus bar that face each other in a second direction intersecting the first direction, and a base end connected to the first bus bar and extending in the second direction.
  • the elastic wave device according to any one of > to ⁇ 15>.
  • ⁇ 17> further comprising a support member having a support substrate;
  • the piezoelectric layer is provided in the first direction of the support member, which is the thickness direction of the support substrate,
  • the support member is provided with a space portion that is open toward the piezoelectric layer side in the first direction, At least a portion of the pair of electrodes overlaps with the space when viewed in plan from the first direction.
  • the elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 16>.
  • the protective film in the region overlapping with the space in the first direction includes an insulating film of the first component in contact with the pair of electrodes, and an insulating film of the second component in a surface layer.
  • the protective film is a portion including the first component insulating film and the second component insulating film; a portion including only the insulating film of the second component; A portion including the first component insulating film and the second component insulating film overlaps the space portion in the first direction,
  • the protective film in a region that does not overlap with the space in the first direction includes only the second component insulating film, and the second component insulating film in the non-overlapping region is directly on the piezoelectric layer.
  • the pair of electrodes includes a first bus bar and a second bus bar that face each other in a second direction intersecting the first direction, and a base end connected to the first bus bar and extending in the second direction.
  • the elastic wave device according to ⁇ 16>, wherein the first bus bar or the second bus bar is provided so as to overlap a corner of the space when viewed in plan in the first direction.
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate or lithium tantalate constituting the piezoelectric layer are within the range of the following formula (1), formula (2), or formula (3), ⁇ 1
  • the elastic wave device according to any one of > to ⁇ 21>.
  • the pair of electrodes includes a first bus bar and a second bus bar that face each other in a second direction intersecting the first direction, and a base end connected to the first bus bar and extending in the second direction.
  • the elastic wave device includes a first bus bar and a second bus bar that face each other in a second direction intersecting the first direction, and a base end connected to the first bus bar and extending in the second direction.
  • Device. ⁇ 26> The elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 25>, which is configured to be able to utilize bulk waves in thickness-shear mode.
  • the elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 20>, configured to be able to utilize plate waves.
  • the pair of electrodes includes a first electrode provided on the first main surface of the piezoelectric layer and a second electrode provided on the second main surface, ⁇ 1> to ⁇ 15>.

Abstract

周波数特性の変動を抑制する。第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、第１の主面および第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、１対の電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、を備える。保護膜は、１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含む。第１成分の絶縁膜は、第２成分の絶縁膜よりも耐湿性が高い。第２成分の絶縁膜は、第１成分の絶縁膜よりも耐プラズマ性が高い。

Description

弾性波装置
　本開示は、弾性波装置に関する。
　特許文献１には、弾性波装置が記載されている。
特開２０１２－２５７０１９号公報
　特許文献１に示す弾性波装置において、所望の周波数特性を得る目的で、機能電極に保護膜を積層する場合がある。この場合、保護膜の吸湿や、弾性波装置の製造工程でのプラズマの曝露による保護膜の変質により、周波数特性が変動する可能性があった。
　本開示は、上述した課題を解決するものであり、周波数特性の変動を抑制することを目的とする。
　一態様に係る弾性波装置は、第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、を備え、前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、前記第１成分の絶縁膜は、前記第２成分の絶縁膜よりも耐湿性が高く、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも耐プラズマ性が高い。
　他の態様に係る弾性波装置は、第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、を備え、前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、前記第１成分の絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸窒化膜である。
　他の態様に係る弾性波装置は、第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、を備え、前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、前記第１成分の絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸化膜である。
　他の態様に係る弾性波装置は、第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、を備え、前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい。
　他の態様に係る弾性波装置は、第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、を備え、前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、前記第１成分の絶縁膜は、シリコン酸窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸化膜である。
　他の態様に係る弾性波装置は、第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、を備え、前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、アルミニウム酸化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい。
　他の態様に係る弾性波装置は、第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、を備え、前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、チタン酸化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい。
　他の態様に係る弾性波装置は、第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、を備え、前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、タンタル酸化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい。
　本開示によれば、周波数特性の変動を抑制することができる。
図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。 図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。 図２は、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿う部分の断面図である。 図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。 図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。 図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。 図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。 図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。 図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す模式的な平面図である。 図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。 図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。 図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。 図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。 図１２は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。 図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な平面図である。 図１４は、図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿った断面図である。 図１５は、図１３のＸＶ－ＸＶ線に沿った断面図である。 図１６は、図１４の領域Ｅの拡大断面図である。 図１７は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の犠牲層形成工程を説明する模式的な断面図である。 図１８は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の中間層形成工程を説明する模式的な断面図である。 図１９は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の接合工程を説明する模式的な断面図である。 図２０は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の薄化工程を説明する模式的な断面図である。 図２１は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の電極形成工程を説明する模式的な断面図である。 図２２は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の第１成分の絶縁膜形成工程を説明する模式的な断面図である。 図２３は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の第２成分の絶縁膜形成工程を説明する模式的な断面図である。 図２４は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の貫通孔形成工程を説明する模式的な断面図である。 図２５は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法のエッチング工程を説明する模式的な断面図である。 図２６は、第２実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な断面図である。
　以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本開示が限定されるものではない。なお、本開示に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である変形例や第２実施形態以降では第１実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
（第１実施形態）
　図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。
　第１実施形態の弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、第１実施形態では、Ｚカットである。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。
　圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下が好ましい。なお、電極指３及び電極指４は、第２の主面２ｂ上に設けられていてもよい。
　圧電層２は、Ｚ方向に対向し合う第１の主面２ａと、第２の主面２ｂとを有する。第１の主面２ａ上に、電極指３及び電極指４が設けられている。
　ここで電極指３が「第１の電極指」の一例であり、電極指４が「第２の電極指」の一例である。図１Ａ及び図１Ｂでは、複数の電極指３は、第１のバスバー５に接続されている複数の「第１の電極指」である。複数の電極指４は、第２のバスバー６に接続されている複数の「第２の電極指」である。複数の電極指３及び複数の電極指４は、互いに間挿し合っている。これにより、電極指３と、電極指４と、第１のバスバー５と、第２のバスバー６と、を備えるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極が構成される。
　電極指３及び電極指４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極指３と、電極指３と隣接する電極指４とが対向している。電極指３、４の長さ方向及び電極指３、４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極指３と、電極指３と隣接する電極指４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。以下の説明では、圧電層２の厚み方向をＺ方向（又は第１方向）とし、電極指３、電極指４の長さ方向をＹ方向（又は第２方向）とし、電極指３、電極指４の直交する方向をＸ方向（又は第３方向）として、説明することがある。
　また、電極指３、電極指４の長さ方向が図１Ａ及び図１Ｂに示す電極指３、電極指４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、第１のバスバー５及び第２のバスバー６が延びている方向に電極指３、電極指４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー５及び第２のバスバー６は、図１Ａ及び図１Ｂにおいて電極指３、電極指４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極指３と、他方電位に接続される電極指４とが隣り合う１対の構造が、上記電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。
　ここで電極指３と電極指４とが隣り合うとは、電極指３と電極指４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極指３と電極指４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極指３と電極指４とが隣り合う場合、電極指３と電極指４との間には、他の電極指３、電極指４を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対、２．５対等であってもよい。
　電極指３と電極指４との間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極指３と電極指４との間の中心間距離とは、電極指３の長さ方向と直交する方向における電極指３の幅寸法の中心と、電極指４の長さ方向と直交する方向における電極指４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。
　さらに、電極指３、電極指４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極指３、電極指４を一対の電極組とした場合に、１．５対以上の電極組がある場合）、電極指３、電極指４の中心間距離は、１．５対以上の電極指３、電極指４のうち隣り合う電極指３、電極指４それぞれの中心間距離の平均値を指す。
　また、電極指３、電極指４の幅、すなわち電極指３、電極指４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極指３と電極指４との間の中心間距離とは、電極指３の長さ方向と直交する方向における電極指３の寸法（幅寸法）の中心と、電極指４の長さ方向と直交する方向における電極指４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、第１実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、中間層７を介して支持基板８が積層されている。中間層７及び支持基板８は、支持部材を形成する。中間層７及び支持基板８は、枠状の形状を有し、図２に示すように、開口部７ａ、８ａを有する。それによって、空間部（エアギャップ）９が形成されている。なお、支持基板８は、凹部を有する形状であってもよい。また、空間部９は、中間層に設けられた凹部によって形成されていてもよい。
　空間部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持基板８は、少なくとも１対の電極指３、電極指４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに中間層７を介して積層されている。なお、支持基板８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接又は間接に積層され得る。すなわち、中間層７は設けられずともよい。その場合、支持基板８が、支持部材を形成する。
　中間層７は、酸化ケイ素で形成されている。もっとも、中間層７は、酸化ケイ素の他、窒化ケイ素、アルミナ等の適宜の絶縁性材料で形成することができる。
　支持基板８は、Ｓｉにより形成されている。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持基板８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持基板８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ダイヤモンド、ガラス等の誘電体、窒化ガリウム等の半導体等を用いることができる。
　上記複数の電極指３、電極指４及び第１のバスバー５、第２のバスバー６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金等の適宜の金属又は合金からなる。第１実施形態では、電極指３、電極指４及び第１のバスバー５、第２のバスバー６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極指３と、複数の電極指４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー５と第２のバスバー６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。
　また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極指３、電極指４のうちいずれかの隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　なお、第１実施形態のように電極指３、電極指４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極指３、電極指４を１対の電極組とした場合に電極指３、電極指４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離は、各隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離の平均距離となる。
　第１実施形態の弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極指３、電極指４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。
　図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。
　図３Ａでは、特許文献１に記載のような弾性波装置であり、圧電層をラム波が伝搬する。図３Ａに示すように、圧電層２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電層２０１には、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとがあり、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指３、４が並んでいる方向である。図３Ａに示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電層２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指３、４の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図３Ｂに示すように、第１実施形態の弾性波装置では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極指３、電極指４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２の励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）に含まれる第１領域２５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域２５２とで逆になる。図４では、電極指３と電極指４との間に、電極指４が電極指３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域２５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域２５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　弾性波装置１では、電極指３と電極指４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極指３、電極指４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極指３がホット電位に接続される電極であり、電極指４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極指３がグラウンド電位に、電極指４がホット電位に接続されてもよい。第１実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極又はグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。なお、図５に示す共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下のとおりである。
　圧電層２：オイラー角（０°、０°、９０°）のＬｉＮｂＯ３
　圧電層２の厚み：４００ｎｍ
　励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）の長さ：４０μｍ
　電極指３、電極指４からなる電極の対数：２１対
　電極指３と電極指４との間の中心間距離（ピッチ）：３μｍ
　電極指３、電極指４の幅：５００ｎｍ
　ｄ／ｐ：０．１３３
　中間層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜
　支持基板８：Ｓｉ
　なお、励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）とは、電極指３と電極指４の長さ方向と直交するＸ方向に視たときに、電極指３と電極指４とが重なっている領域である。励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極指３、電極指４の長さ方向に沿う寸法である。ここで、励振領域Ｃとは、「交差領域」の一例である。
　第１実施形態では、電極指３、電極指４からなる電極対の中心間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極指３と電極指４とを等ピッチで配置した。
　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極指３と電極指４との電極の中心間距離をｐとした場合、第１実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。
　図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離又は中心間距離の平均距離をｐ、圧電層２の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。
　図６に示すように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極指３、電極指４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。
　また、圧電層２の厚みｄについても、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。
　図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す模式的な平面図である。弾性波装置１０１では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極指３と電極指４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。
　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極指３、電極指４において、いずれかの隣り合う電極指３、電極指４が対向している方向に視たときに重なっている領域である励振領域Ｃに対する、上記隣り合う電極指３、電極指４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図８及び図９を参照して説明する。
　図８は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、０°、９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１Ｂを参照して説明する。図１Ｂの電極構造において、１対の電極指３、電極指４に着目した場合、この１対の電極指３、電極指４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が励振領域Ｃとなる。この励振領域Ｃとは、電極指３と電極指４とを、電極指３、電極指４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに、電極指４と重なり合っている電極指３の領域、電極指３と重なり合っている電極指４の領域及び電極指３と電極指４とが重なり合っている電極指３と電極指４との間の領域である。そして、この励振領域Ｃの面積に対する、励振領域Ｃ内の電極指３及び電極指４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域Ｃの面積に対する比である。
　なお、複数対の電極指３、電極指４が設けられている場合、励振領域Ｃの面積の合計に対する全励振領域Ｃに含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図９は、第１実施形態の弾性波装置の、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す説明図である。なお、比帯域については、圧電層２の膜厚や電極指３、電極指４の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層２を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極指３、電極指４の寸法等を調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す説明図である。第１実施形態の弾性波装置１において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置１を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°、θ、ψ）に対する比帯域のマップを示す説明図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域である。領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）又は（０°±１０°、２０°～８０°、｛１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２｝～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、｛１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２｝～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
　従って、上記式（１）、式（２）又は式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
　図１２は、本開示の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。図１２において、空間部９の外周縁を破線で示す。本開示の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。この場合、図１２に示すように、弾性波装置３０１は、反射器３１０、３１１を有する。反射器３１０、３１１は、圧電層２の電極指３、４の弾性波伝搬方向両側に設けられる。弾性波装置３０１では、空間部９上の電極指３、４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。このとき、反射器３１０、３１１が両側に設けられているため、板波としてのラム波による共振特性を得ることができる。
　以上説明したように、弾性波装置１、１０１では、厚み滑り１次モードのバルク波が利用されている。また、弾性波装置１、１０１では、第１の電極指３及び第２の電極指４は隣り合う電極同士であり、圧電層２の厚みをｄ、第１の電極指３及び第２の電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。これにより、弾性波装置が小型化しても、Ｑ値を高めることができる。
　弾性波装置１、１０１では、圧電層２がニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムで形成されている。圧電層２の第１の主面２ａ又は第２の主面２ｂには、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向する第１の電極指３及び第２の電極指４があり、第１の電極指３及び第２の電極指４の上を保護膜で覆うことが望ましい。
　図１３は、第１実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な平面図である。図１４は、図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿った断面図である。図１５は、図１３のＸＶ－ＸＶ線に沿った断面図である。図１６は、図１４の領域Ｅの拡大断面図である。なお、図１３では、保護膜１９を省いて記載しており、後述する第１成分の絶縁膜１９ａが設けられる範囲を二点鎖線で記載している。図１３から図１５に示すように、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａは、支持部材８０と、圧電層２と、機能電極３０と、配線電極１４と、保護膜１９と、を備える。
　支持部材８０は、支持基板８を有する。第１実施形態では、支持部材８０は、中間層７と支持基板８とを備える。中間層７は、支持基板８のＺ方向の圧電層２側に設けられる。
　支持部材８０には、空間部９がある。空間部９は、支持部材８０の圧電層２側に開口している空間である。第１実施形態では、空間部９は、中間層７にある。図１４及び図１５の例では、空間部９は、中間層７のＺ方向の圧電層側にある。すなわち、空間部９は、圧電層２と支持基板８との間にある空間であるといえる。なお、空間部９は、中間層７をＺ方向に貫通する空間であってもよい。
　図１３に示すように、第１実施形態では、空間部９の縁は、矩形のＸ方向の両側がＸ方向の外側に突出した形状となっている。空間部９の縁とは、Ｚ方向に平面視して、空間部９と重なる領域と、空間部９と重ならない領域の境界を指す。図１３の例では、Ｙ方向の両側にある空間部９の縁は、Ｘ方向に延びる２つの直線となっており、Ｘ方向の両側にある空間部９の縁は、Ｘ方向の外側に突出した形状となっている。以下の説明では、空間部９のＸ方向の外側に突出した部分を引き出し部として説明する。
　圧電層２は、支持部材８０のＺ方向の空間部９側に設けられる。第１実施形態では、圧電層２は、支持部材８０の中間層７側に設けられる。以下の説明では、圧電層２の支持部材８０側の面を第２の主面２ｂ、第２の主面２ｂとＺ方向の反対側の面を第１の主面２ａとして説明することがある。
　圧電層２には、貫通孔２Ｈがある。貫通孔２Ｈは、圧電層２をＺ方向に貫通する孔である。貫通孔２Ｈは、Ｚ方向に平面視して、機能電極３０と重ならない位置に設けられる。第１実施形態では、貫通孔２Ｈは、Ｚ方向に平面視して、機能電極３０、配線電極１４と重ならない位置であって、空間部９と重なる位置に設けられる。すなわち、貫通孔２Ｈは、空間部９と連通している。図１３の例では、貫通孔２Ｈは、Ｚ方向に平面視して、空間部９の引き出し部と重なる位置に設けられる。なお、貫通孔２Ｈの位置はこれに限られず、貫通孔２Ｈが、電極指３、４のＹ方向に設けられ、配線電極１４に囲まれるように設けられてもよい。
　機能電極３０は、電極指３、４と、バスバー５、６とを有するＩＤＴ電極である。図１３の例では、機能電極３０は、圧電層２の第１の主面２ａに設けられる。機能電極３０は、１対の電極の一例である。１対の電極とは、Ｚ方向に交差する方向において対向し、圧電層２の主面の上に隣り合って設けられる、第１の電極及び第２の電極からなる１組の電極を指す。ここで、第１の電極と第２の電極とが隣り合うとは、圧電層２の同一の主面において、第１の電極と第２の電極の間に他の電極が設けられていないことを指す。第１実施形態では、電極指３及び第１のバスバー５が、第１の電極に相当し、電極指４及び第２のバスバー６が第２の電極に相当する。なお、機能電極３０の数は、特に限られず、少なくとも１つ設けられていればよい。
　第１実施形態では、バスバー５、６は、Ｚ方向に平面視して、空間部９の角９ａと重なるように設けられている。空間部９の角９ａとは、Ｘ方向の両側にある空間部９の縁とＹ方向の両側にある空間部９の縁との交点、又は、Ｘ方向の両側にある空間部９の縁の延長線とＹ方向の両側にある空間部９の縁の延長線との交点に最も近い空間部９の縁上の点を指す。すなわち、角９ａは、空間部９の縁の頂点に相当する点である。これにより、圧電層２への応力の集中が緩和され、圧電層２にクラックが発生することを抑制できる。
　配線電極１４は、圧電層２に対して第１の主面２ａ側に設けられる。第１実施形態では、配線電極１４は、金属層であり、例えばＡｌとＣｕの合金からなる。配線電極１４は、機能電極３０のバスバー５、６の一部に積層される。
　保護膜１９は、機能電極３０に設けられる膜である。図１４の例では、保護膜１９は、機能電極３０と、配線電極１４とを覆うように、圧電層２の第１の主面２ａの全面に亘って設けられる。図１６に示すように、保護膜１９は、機能電極３０に接する第１成分の絶縁膜１９ａと、表層の第２成分の絶縁膜１９ｂとを含む。
　第１成分の絶縁膜１９ａは、機能電極３０に接する。機能電極３０に接するとは、機能電極３０の一部と接触していることを含む。第１実施形態では、第１成分の絶縁膜１９ａは、Ｚ方向に平面視して、空間部９と重畳する位置に設けられる。図１４及び図１５の例では、第１成分の絶縁膜１９ａは、機能電極３０及び配線電極１４の圧電層２の反対側を覆うように設けられる。
　第２成分の絶縁膜１９ｂは、保護膜１９の表層にある。すなわち、第２成分の絶縁膜１９ｂは、第１成分の絶縁膜１９ａを覆うように設けられる。第１実施形態では、第２成分の絶縁膜１９ｂは、第１成分の絶縁膜１９ａを覆うように、圧電層２の第１の主面２ａの全面に亘って設けられる。換言すれば、保護膜１９は、Ｚ方向に平面視して、第１成分の絶縁膜１９ａ及び第２成分の絶縁膜１９ｂを含む部分と、第２成分の絶縁膜１９ｂの単層である部分とを有する。図１４の例では、第２成分の絶縁膜１９ｂの単層である部分では、第２成分の絶縁膜１９ｂは、圧電層２の第１の主面２ａに接している。これにより、第１成分の絶縁膜１９ａが表層の第２成分の絶縁膜１９ｂによって保護される。
　第１成分の絶縁膜１９ａは、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性が高い。すなわち、第１成分の絶縁膜１９ａは、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも空気中の水分を吸収しにくい。これにより、電極指３、４に接する第１成分の絶縁膜１９ａが空気中の水分を吸収することを抑制できるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　耐湿性の高低は、以下の方法で判別できる。まず、第１成分の絶縁膜１９ａと第２成分の絶縁膜１９ｂを、例えば、温度８５℃湿度８５％の雰囲気中で、１００時間放置することで吸湿させる。そして、第１成分の絶縁膜１９ａと第２成分の絶縁膜１９ｂを昇温脱離ガス分析で放出する水分量を測定する。このとき、第２成分の絶縁膜１９ｂが第１成分の絶縁膜１９ａよりも放出する水分量が多ければ、第１成分の絶縁膜１９ａは、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性が高いといえる。
　第２成分の絶縁膜１９ｂは、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性が高い。すなわち、第２成分の絶縁膜１９ｂは、第１成分の絶縁膜１９ａよりもプラズマに曝露されたときに酸化しにくい。これにより、弾性波装置の製造工程で表層の第２成分の絶縁膜１９ｂがプラズマに曝された際に酸化することを抑制できるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　耐プラズマ性の高低は、以下の方法で判別できる。まず、第１成分の絶縁膜１９ａと第２成分の絶縁膜１９ｂを、プラズマに曝露させる。プラズマの曝露は、例えば、後述する貫通孔形成工程又はエッチング工程における、レジストＲ１、Ｒ２の除去でされるプラズマアッシングと同様の条件で行われる。そして、第１成分の絶縁膜１９ａと第２成分の絶縁膜１９ｂに含まれる酸素の組成比をＴＥＭ－ＥＤＸ法、ＸＰＳ法またはＲＢＳ（ラザフォード後方散乱分析法）で測定する。このとき、第２成分の絶縁膜１９ｂが第１成分の絶縁膜１９ａよりも、プラズマの曝露前に対する酸素の組成比の増大が小さければ、第２成分の絶縁膜１９ｂは、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性が高いといえる。
　第１実施形態では、第２成分の絶縁膜１９ｂは、第１成分の絶縁膜１９ａよりも薄い。例えば、第１成分の絶縁膜１９ａの厚みは１５ｎｍ、第２成分の絶縁膜１９ｂの厚みは５ｎｍとすることができる。これにより、第２成分の絶縁膜１９ｂの吸湿による周波数特性の変動を抑制しつつ、弾性波装置１Ａの製造工程で第１成分の絶縁膜１９ａをプラズマから保護することができる。なお、弾性波装置１Ａが複数の機能電極３０を有する場合、第１成分の絶縁膜１９ａは、接する機能電極３０ごとに厚みを異ならせてもよい。
　第１実施形態では、第１成分の絶縁膜１９ａは、シリコン窒化（ＳｉＮ）膜であり、第２成分の絶縁膜１９ｂは、シリコン酸窒化（ＳｉＯＮ）膜である。これにより、第１成分の絶縁膜１９ａを、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性を高くすることができ、かつ、第２成分の絶縁膜１９ｂを、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性を高くすることができるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　以上、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａについて説明したが、第１実施形態に係る弾性波装置は、上記で説明したものに限られない。
　例えば、第１成分の絶縁膜１９ａ及び第２成分の絶縁膜１９ｂの材料の組み合わせは、上記で説明したものに限られない。以下の説明において、絶縁膜の酸素の含有率とは、絶縁膜に含まれる酸素の組成比を指す。
　第１変形例に係る弾性波装置では、第１成分の絶縁膜１９ａは、シリコン窒化（ＳｉＮ）膜であり、第２成分の絶縁膜１９ｂは、シリコン酸化（ＳｉＯ２）膜である。この場合でも、第１成分の絶縁膜１９ａを、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性を高くすることができ、かつ、第２成分の絶縁膜１９ｂを、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性を高くすることができるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　第２変形例に係る弾性波装置では、第１成分の絶縁膜１９ａ及び第２成分の絶縁膜１９ｂは、シリコン酸窒化（ＳｉＯＮ）膜である。ここで、第２成分の絶縁膜１９ｂは、第１成分の絶縁膜１９ａよりも酸素の含有率が大きい。この場合でも、第１成分の絶縁膜１９ａを、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性を高くすることができ、かつ、第２成分の絶縁膜１９ｂを、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性を高くすることができるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　第３変形例に係る弾性波装置では、第１成分の絶縁膜１９ａは、シリコン酸窒化（ＳｉＯＮ）膜であり、第２成分の絶縁膜１９ｂは、シリコン酸化（ＳｉＯ２）膜である。この場合でも、第１成分の絶縁膜１９ａを、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性を高くすることができ、かつ、第２成分の絶縁膜１９ｂを、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性を高くすることができるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　第４変形例に係る弾性波装置では、第１成分の絶縁膜１９ａ及び第２成分の絶縁膜１９ｂは、アルミニウム酸化膜（Ａｌ２Ｏ３）膜である。ここで、第２成分の絶縁膜１９ｂは、第１成分の絶縁膜１９ａよりも酸素の含有率が大きい。この場合でも、第１成分の絶縁膜１９ａを、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性を高くすることができ、かつ、第２成分の絶縁膜１９ｂを、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性を高くすることができるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　第５変形例に係る弾性波装置では、第１成分の絶縁膜１９ａ及び第２成分の絶縁膜１９ｂは、チタン酸化膜（ＴｉＯ２）膜である。ここで、第２成分の絶縁膜１９ｂは、第１成分の絶縁膜１９ａよりも酸素の含有率が大きい。この場合でも、第１成分の絶縁膜１９ａを、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性を高くすることができ、かつ、第２成分の絶縁膜１９ｂを、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性を高くすることができるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　第６変形例に係る弾性波装置では、第１成分の絶縁膜１９ａ及び第２成分の絶縁膜１９ｂは、タンタル酸化膜（Ｔａ２Ｏ５）膜である。ここで、第２成分の絶縁膜１９ｂは、第１成分の絶縁膜１９ａよりも酸素の含有率が大きい。この場合でも、第１成分の絶縁膜１９ａを、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性を高くすることができ、かつ、第２成分の絶縁膜１９ｂを、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性を高くすることができるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　以上説明したように、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａは、第１方向において対向する第１の主面２ａおよび第２の主面２ｂを有する圧電層２と、第１の主面２ａおよび第２の主面２ｂの少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極（電極指３、４）と、１対の電極の少なくとも一部とを覆う保護膜１９と、を備える。保護膜１９は、１対の電極に接する第１成分の絶縁膜１９ａと、表層の第２成分の絶縁膜１９ｂとを含む。第１成分の絶縁膜１９ａは、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性が高い。第２成分の絶縁膜１９ｂは、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性が高い。これにより、電極指３、４に接する第１成分の絶縁膜１９ａが空気中の水分を吸収することを抑制でき、かつ、弾性波装置の製造工程で表層の第２成分の絶縁膜１９ｂがプラズマに曝された際に酸化することを抑制できるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　望ましい態様として、第１成分の絶縁膜１９ａは、シリコン窒化膜であり、第２成分の絶縁膜１９ｂは、シリコン酸窒化膜である。これにより、第１成分の絶縁膜１９ａを、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性を高くすることができ、かつ、第２成分の絶縁膜１９ｂを、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性を高くすることができるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　望ましい態様として、第１成分の絶縁膜１９ａは、シリコン窒化膜であり、第２成分の絶縁膜１９ｂは、シリコン酸化膜である。これにより、第１成分の絶縁膜１９ａを、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性を高くすることができ、かつ、第２成分の絶縁膜１９ｂを、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性を高くすることができるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　望ましい態様として、第１成分の絶縁膜１９ａ及び第２成分の絶縁膜１９ｂは、シリコン酸窒化膜であり、第２成分の絶縁膜１９ｂは、第１成分の絶縁膜１９ａよりも酸素の含有率が大きい。これにより、第１成分の絶縁膜１９ａを、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性を高くすることができ、かつ、第２成分の絶縁膜１９ｂを、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性を高くすることができるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　望ましい態様として、第１成分の絶縁膜１９ａは、シリコン酸窒化膜であり、第２成分の絶縁膜１９ｂは、シリコン酸化膜である。これにより、第１成分の絶縁膜１９ａを、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性を高くすることができ、かつ、第２成分の絶縁膜１９ｂを、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性を高くすることができるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　望ましい態様として、第１成分の絶縁膜１９ａ及び第２成分の絶縁膜１９ｂは、アルミニウム酸化膜であり、第２成分の絶縁膜１９ｂは、第１成分の絶縁膜１９ａよりも酸素の含有率が大きい。これにより、第１成分の絶縁膜１９ａを、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性を高くすることができ、かつ、第２成分の絶縁膜１９ｂを、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性を高くすることができるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　望ましい態様として、第１成分の絶縁膜１９ａ及び第２成分の絶縁膜１９ｂは、チタン酸化膜であり、第２成分の絶縁膜１９ｂは、第１成分の絶縁膜１９ａよりも酸素の含有率が大きい。これにより、第１成分の絶縁膜１９ａを、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性を高くすることができ、かつ、第２成分の絶縁膜１９ｂを、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性を高くすることができるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　望ましい態様として、第１成分の絶縁膜１９ａ及び第２成分の絶縁膜１９ｂは、タンタル酸化膜であり、第２成分の絶縁膜１９ｂは、第１成分の絶縁膜１９ａよりも酸素の含有率が大きい。これにより、第１成分の絶縁膜１９ａを、第２成分の絶縁膜１９ｂよりも耐湿性を高くすることができ、かつ、第２成分の絶縁膜１９ｂを、第１成分の絶縁膜１９ａよりも耐プラズマ性を高くすることができるので、周波数特性が変動することを抑制できる。
　望ましい態様として、１対の電極は、第１方向と交差する第２方向において互いに対向する第１のバスバー５と、第２のバスバー６と、第１のバスバー５に基端が接続され第２方向に延伸する少なくとも１本の第１の電極指３と、第２のバスバー６に基端が接続され第２方向に延伸する少なくとも１本の第２の電極指４と、を含むＩＤＴ電極である。これにより、良好な共振特性が得られる。
　望ましい態様として、支持基板８を有する支持部材８０をさらに備える。支持部材８０の、支持基板８の厚み方向である第１方向に、圧電層２が設けられている。支持部材８０に、第１方向の圧電層２側に開口している空間部９が設けられている。第１方向から見た平面視で、１対の電極の少なくとも一部が、空間部９と重なり合っている。これにより、良好な共振特性が得られる。
　より望ましい態様として、第１方向に空間部９と重畳する領域の保護膜１９は、１対の電極に接する第１成分の絶縁膜１９ａと、表層の第２成分の絶縁膜１９ｂとを含む。これにより、第１成分の絶縁膜１９ａの膜厚調整により、周波数特性を良好なものとすることができる。
　さらに望ましい態様として、保護膜１９は、第１成分の絶縁膜１９ａ及び第２成分の絶縁膜１９ｂを含む部分と、第２成分の絶縁膜１９ｂのみを含む部分とを有する。第１成分の絶縁膜１９ａ及び第２成分の絶縁膜１９ｂを含む部分は、第１方向に空間部９と重畳する。第２成分の絶縁膜１９ｂのみを含む部分では、第２成分の絶縁膜１９ｂは、圧電層２に直接接触する。これにより、第１成分の絶縁膜１９ａが表層の第２成分の絶縁膜１９ｂによって保護されるので、弾性波装置１Ａの製造で第１成分の絶縁膜１９ａをプラズマから保護できるので、周波数特性が変動することをより抑制できる。
　さらに望ましい態様として、第１方向に空間部９と未重畳の領域の保護膜１９は、第２成分の絶縁膜１９ｂのみを含み、未重畳の領域の第２成分の絶縁膜１９ｂは、圧電層２に直接接触する。これにより、第１成分の絶縁膜１９ａが表層の第２成分の絶縁膜１９ｂによって保護されるので、弾性波装置１Ａの製造で第１成分の絶縁膜１９ａをプラズマから保護できるので、周波数特性が変動することをより抑制できる。
　望ましい態様として、１対の電極は、第１方向と交差する第２方向において互いに対向する第１のバスバー５と、第２のバスバー６と、第１のバスバー５に基端が接続され第２方向に延伸する少なくとも１本の第１の電極指３と、第２のバスバー６に基端が接続され第２方向に延伸する少なくとも１本の第２の電極指４と、を含むＩＤＴ電極である。第１のバスバー５または第２のバスバー６は、第１方向に平面視して、空間部９の角９ａと重なるように設けられる。これにより、圧電層２への応力の集中が緩和され、圧電層２にクラックが発生することを抑制できる。
　望ましい態様として、圧電層２を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ、θ、ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある。この場合、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
　望ましい態様として、１対の電極は、第１方向と交差する第２方向において互いに対向する第１のバスバー５と、第２のバスバー６と、第１のバスバー５に基端が接続され第２方向に延伸する少なくとも１本の第１の電極指３と、第２のバスバー６に基端が接続され第２方向に延伸する少なくとも１本の第２の電極指４と、を含むＩＤＴ電極である。圧電層２の膜厚をｄ、隣り合う第１の電極指３及び第２の電極指４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。これにより、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。
　より望ましい態様として、ｄ／ｐが０．２４以下である。これにより、厚み滑り１次モードのバルク波をより効果的に励振することができる。
　望ましい態様として、１対の電極は、第１方向と交差する第２方向において互いに対向する第１のバスバー５と、第２のバスバー６と、第１のバスバー５に基端が接続され第２方向に延伸する少なくとも１本の第１の電極指３と、第２のバスバー６に基端が接続され第２方向に延伸する少なくとも１本の第２の電極指４と、を含むＩＤＴ電極である。隣り合う第１の電極指３及び第２の電極指４が対向している方向に視たときに重なっている領域が励振領域であり、励振領域に対する、複数の第１の電極指３及び第２の電極指４のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす。これにより、スプリアスを効果的に小さくすることができる。
　望ましい態様として、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている。これにより、結合係数が高まり、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　望ましい態様として、板波を利用可能に構成されている。これにより、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　以下、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法について説明する。第１実施形態に係る弾性波装置１Ａの製造方法は、犠牲層形成工程と、中間層形成工程と、接合工程と、薄化工程と、電極形成工程と、第１成分の絶縁膜形成工程と、第２成分の絶縁膜形成工程と、貫通孔形成工程と、エッチング工程とを含む。
　図１７は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の犠牲層形成工程を説明する模式的な断面図である。図１７に示すように、犠牲層形成工程は、圧電層２の第２の主面２ｂに犠牲層７Ｓを形成する工程である。犠牲層７Ｓの形成は、例えば、圧電層２の第２の主面２ｂの全面に犠牲層７Ｓを成膜した後に、レジストパターンニングによって、圧電層２の犠牲層７Ｓの一部を除去することで行われる。レジストは、犠牲層７Ｓの形成後に除去される。
　図１８は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の中間層形成工程を説明する模式的な断面図である。図１８に示すように、中間層形成工程は、圧電層２の第２の主面２ｂに、犠牲層７Ｓを覆うように中間層７を形成する工程である。中間層７の形成は、例えば、圧電層２の第２の主面２ｂに中間層７を成膜し、中間層７の圧電層２とＺ方向の反対側の主面を研削することで行われる。
　図１９は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の接合工程を説明する模式的な断面図である。図１９に示すように、接合工程は、中間層７の圧電層２とＺ方向の反対側に支持基板８を接合する工程である。これにより、中間層７と、支持基板８とを含む支持部材８０が形成される。
　図２０は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の薄化工程を説明する模式的な断面図である。図２０に示すように、薄化工程は、圧電層２を研削して、圧電層２を薄化する工程である。これにより、圧電層２の第１の主面２ａが形成される。
　図２１は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の電極形成工程を説明する模式的な断面図である。図２１に示すように、電極形成工程は、圧電層２の第１の主面２ａに機能電極３０を形成する工程である。機能電極３０の形成は、例えば、リフトオフにより行われる。機能電極３０の形成後、機能電極３０に配線電極１４が設けられる。
　図２２は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の第１成分の絶縁膜形成工程を説明する模式的な断面図である。図２２に示すように、第１成分の絶縁膜形成工程は、圧電層２の第１の主面２ａに、機能電極３０を覆うように第１成分の絶縁膜１９ａを形成する工程である。図２２の例では、第１成分の絶縁膜１９ａは、Ｚ方向に平面視して、空間部９と重畳する位置に設けられる。第１成分の絶縁膜１９ａの形成後、弾性波装置１Ａの周波数特性が所望の周波数特性となるように、第１成分の絶縁膜１９ａの膜厚の調整がされる。ここで、第１成分の絶縁膜１９ａは、後述する第２成分の絶縁膜１９ｂより耐湿性が高いので、以降の工程で保護膜１９が吸湿することを抑制でき、周波数特性が変動することを抑制できる。
　図２３は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の第２成分の絶縁膜形成工程を説明する模式的な断面図である。図２３に示すように、第２成分の絶縁膜形成工程は、圧電層２の第１の主面２ａに、第１成分の絶縁膜１９ａを覆うように第２成分の絶縁膜１９ｂを形成する工程である。図２３の例では、第２成分の絶縁膜１９ｂは、圧電層２の第１の主面２ａの全面に亘って設けられる。これにより、第１成分の第１成分の絶縁膜１９ａが、第２成分の絶縁膜１９ｂにより保護される。
　図２４は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法の貫通孔形成工程を説明する模式的な断面図である。図２４に示すように、貫通孔形成工程は、圧電層２に貫通孔２Ｈを設ける工程である。貫通孔２Ｈの形成は、圧電層２の第１の主面２ａにレジストＲ１を形成し、圧電層２の一部を除去することで行われる。レジストＲ１は、貫通孔２Ｈの形成後にプラズマアッシングを行うことで除去される。このとき、第１成分の絶縁膜１９ａより耐プラズマ性の高い第２成分の絶縁膜１９ｂが設けられているので、プラズマアッシングの際に保護膜１９が酸化することを抑制でき、周波数特性が変動することを抑制できる。
　図２５は、第１実施形態に係る弾性波装置の製造方法のエッチング工程を説明する模式的な断面図である。図２５に示すように、エッチング工程は、犠牲層７Ｓをエッチングして空間部９を形成する工程である。犠牲層７Ｓの除去は、圧電層２の第１の主面２ａにレジストＲ２を形成し、エッチング液を貫通孔２Ｈから注入して犠牲層７Ｓを除去することで行われる。レジストＲ２は、犠牲層７Ｓのエッチング後にプラズマアッシングを行うことで除去される。このとき、第１成分の絶縁膜１９ａより耐プラズマ性の高い第２成分の絶縁膜１９ｂが設けられているので、プラズマアッシングの際に保護膜１９が酸化することを抑制でき、周波数特性が変動することを抑制できる。
　以上の工程により、第１実施形態に係る弾性波装置１Ａを製造できる。なお、以上で説明した第１実施形態に係る弾性波装置１Ａの製造方法は、一例であり、これに限定されない。
　例えば、弾性波装置１Ａの周波数特性が所望の周波数特性となるように、第１成分の絶縁膜１９ａの形成後に第１成分の絶縁膜１９ａの膜厚を調整することに代えて、第２成分の絶縁膜１９ｂの形成後に第２成分の絶縁膜１９ｂの膜厚を調整してもよい。
（第２実施形態）
　図２６は、第２実施形態に係る弾性波装置の一例を示す模式的な断面図である。第２実施形態に係る弾性波装置１Ｂは、バルク波を利用する装置、すなわちＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）素子である点で第１実施形態と異なる。図２６に示すように、第２実施形態では、機能電極３０Ａは、第１の電極３１と、第２の電極３２とを備える。第１の電極３１は、第１の主面２ａに設けられた電極であり、上部電極ともいう。第２の電極３２は、第２の主面２ｂに設けられた電極であり、下部電極ともいう。図２６の例では、保護膜１９は、機能電極３０と、図示しない配線電極とを覆うように、圧電層２の第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂの全面に亘って設けられる。なお、保護膜１９は、第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂのいずれか一方に設けられてもよい。また、第１の主面２ａと第２の主面２ｂとで、保護膜１９の構成を異ならせてもよく、例えば、第１の主面２ａには、第１成分の絶縁膜１９ａ及び第２成分の絶縁膜１９ｂが設けられる一方で、第２の主面２ｂには、第２成分の絶縁膜１９ｂのみが設けられてもよい。
　以上説明したように、第２実施形態に係る弾性波装置１Ｂにおいて、１対の電極（機能電極３０Ａ）は、圧電層２の第１の主面２ａに設けられた第１の電極３１と、第２の主面２ｂに設けられた第２の電極３２とを含む。この場合でも、周波数特性の変動を抑制できる。
　なお、上記した実施の形態は、本開示の理解を容易にするためのものであり、本開示を限定して解釈するためのものではない。本開示は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本開示にはその等価物も含まれる。
　また、本発明は、以下の態様を取ることもできる。
　＜１＞
　第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部とを覆う保護膜と、を備え、
　前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、
　前記第１成分の絶縁膜は、前記第２成分の絶縁膜よりも耐湿性が高く、
　前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも耐プラズマ性が高い、
　弾性波装置。
＜２＞
　前記第１成分の絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸窒化膜である、＜１＞に記載の弾性波装置。
＜３＞
　前記第１成分の絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸化膜である、＜１＞に記載の弾性波装置。
＜４＞
　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい、＜１＞に記載の弾性波装置。
＜５＞
　前記第１成分の絶縁膜は、シリコン酸窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸化膜である、＜１＞に記載の弾性波装置。
＜６＞
　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、アルミニウム酸化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい、＜１＞に記載の弾性波装置。
＜７＞
　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、チタン酸化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい、＜１＞に記載の弾性波装置。
＜８＞
　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、タンタル酸化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい、＜１＞に記載の弾性波装置。
＜９＞
　第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部とを覆う保護膜と、を備え、
　前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、
　前記第１成分の絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸窒化膜である、の弾性波装置。
＜１０＞
　第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部とを覆う保護膜と、を備え、
　前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、
　前記第１成分の絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸化膜である、弾性波装置。
＜１１＞
　第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部とを覆う保護膜と、を備え、
　前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、
　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい、弾性波装置。
＜１２＞
　第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部とを覆う保護膜と、を備え、
　前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、
　前記第１成分の絶縁膜は、シリコン酸窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸化膜である、弾性波装置。
＜１３＞
　第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部とを覆う保護膜と、を備え、
　前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、
　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、アルミニウム酸化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい、弾性波装置。
＜１４＞
　第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部とを覆う保護膜と、を備え、
　前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、
　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、チタン酸化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい、弾性波装置。
＜１５＞
　第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部とを覆う保護膜と、を備え、
　前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、
　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、タンタル酸化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい、弾性波装置。
＜１６＞
　前記１対の電極は、前記第１方向と交差する第２方向において互いに対向する第１のバスバーと、第２のバスバーと、前記第１のバスバーに基端が接続され前記第２方向に延伸する少なくとも１本の第１の電極指と、前記第２のバスバーに基端が接続され前記第２方向に延伸する少なくとも１本の第２の電極指と、を含むＩＤＴ電極である、＜１＞から＜１５＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
＜１７＞
　支持基板を有する支持部材をさらに備え、
　前記支持部材の、前記支持基板の厚み方向である前記第１方向に、前記圧電層が設けられており、
　前記支持部材に、前記第１方向の前記圧電層側に開口している空間部が設けられており、
　前記第１方向から見た平面視で、前記１対の電極の少なくとも一部が、前記空間部と重なり合っている、
　＜１＞から＜１６＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
＜１８＞
　前記第１方向に前記空間部と重畳する領域の前記保護膜は、前記１対の電極に接する前記第１成分の絶縁膜と、表層の前記第２成分の絶縁膜とを含む、
　＜１７＞に記載の弾性波装置。
＜１９＞
　前記保護膜は、
　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜を含む部分と、
　前記第２成分の絶縁膜のみを含む部分と
　を有し、
　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜を含む部分は、前記第１方向に前記空間部と重畳し、
　前記第２成分の絶縁膜のみを含む部分では、前記第２成分の絶縁膜は、前記圧電層に直接接触する、＜１８＞に記載の弾性波装置。
＜２０＞
　前記第１方向に前記空間部と未重畳の領域の前記保護膜は、前記第２成分の絶縁膜のみを含み、前記未重畳の領域の前記第２成分の絶縁膜は、前記圧電層に直接接触する、＜１８＞に記載の弾性波装置。
＜２１＞
　前記１対の電極は、前記第１方向と交差する第２方向において互いに対向する第１のバスバーと、第２のバスバーと、前記第１のバスバーに基端が接続され前記第２方向に延伸する少なくとも１本の第１の電極指と、前記第２のバスバーに基端が接続され前記第２方向に延伸する少なくとも１本の第２の電極指と、を含むＩＤＴ電極であり、
　前記第１のバスバーまたは前記第２のバスバーは、前記第１方向に平面視して、前記空間部の角と重なるように設けられる、＜１６＞に記載の弾性波装置。
＜２２＞
　前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ、θ、ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、＜１＞から＜２１＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
＜２３＞
　前記１対の電極は、前記第１方向と交差する第２方向において互いに対向する第１のバスバーと、第２のバスバーと、前記第１のバスバーに基端が接続され前記第２方向に延伸する少なくとも１本の第１の電極指と、前記第２のバスバーに基端が接続され前記第２方向に延伸する少なくとも１本の第２の電極指と、を含むＩＤＴ電極であり、
　前記圧電層の膜厚をｄ、隣り合う前記第１の電極指及び前記第２の電極指の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である、＜１＞から＜２２＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
＜２４＞
　前記ｄ／ｐが０．２４以下である、＜２３＞に記載の弾性波装置。
＜２５＞
　前記１対の電極は、前記第１方向と交差する第２方向において互いに対向する第１のバスバーと、第２のバスバーと、前記第１のバスバーに基端が接続され前記第２方向に延伸する少なくとも１本の第１の電極指と、前記第２のバスバーに基端が接続され前記第２方向に延伸する少なくとも１本の第２の電極指と、を含むＩＤＴ電極であり、
　隣り合う前記第１の電極指及び前記第２の電極指が対向している方向に視たときに重なっている領域が励振領域であり、前記励振領域に対する、複数の前記第１の電極指及び前記第２の電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、＜１＞から＜２４＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
＜２６＞
　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、＜１＞から＜２５＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
＜２７＞
　板波を利用可能に構成されている、＜１＞から＜２０＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
＜２８＞
　前記１対の電極は、前記圧電層の前記第１の主面に設けられた第１の電極と、前記第２の主面に設けられた第２の電極とを含む、＜１＞から＜１５＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
１、１Ａ、１Ｂ、１０１、３０１　弾性波装置
２　圧電層
２ａ　第１の主面
２ｂ　第２の主面
２Ｈ　貫通孔
３　電極指（第１の電極指）
４　電極指（第２の電極指）
５　第１のバスバー
６　第２のバスバー
７　中間層
７ａ　開口部
８　支持基板
８ａ　開口部
８０　支持部材
９　空間部
９ａ　角
１４　配線電極
１９　保護膜
１９ａ　第１成分の絶縁膜
１９ｂ　第２成分の絶縁膜
３０、３０Ａ　機能電極
３１　第１の電極
３２　第２の電極
２０１　圧電層
２０１ａ　第１の主面
２０１ｂ　第２の主面
２５１　第１領域
２５２　第２領域
３１０、３１１　反射器
Ｃ　励振領域（交差領域）
Ｒ１、Ｒ２　レジスト
ＶＰ１　仮想平面

Claims (28)

  1. 　第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、を備え、
    　前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、
    　前記第１成分の絶縁膜は、前記第２成分の絶縁膜よりも耐湿性が高く、
    　前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも耐プラズマ性が高い、
    　弾性波装置。
  2. 　前記第１成分の絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸窒化膜である、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記第１成分の絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸化膜である、請求項１に記載の弾性波装置。
  4. 　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい、請求項１に記載の弾性波装置。
  5. 　前記第１成分の絶縁膜は、シリコン酸窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸化膜である、請求項１に記載の弾性波装置。
  6. 　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、アルミニウム酸化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい、請求項１に記載の弾性波装置。
  7. 　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、チタン酸化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい、請求項１に記載の弾性波装置。
  8. 　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、タンタル酸化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい、請求項１に記載の弾性波装置。
  9. 　第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、を備え、
    　前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、
    　前記第１成分の絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸窒化膜である、の弾性波装置。
  10. 　第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、を備え、
    　前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、
    　前記第１成分の絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸化膜である、弾性波装置。
  11. 　第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、を備え、
    　前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、
    　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい、弾性波装置。
  12. 　第１方向において対向する第１の主面とおよび第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、を備え、
    　前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、
    　前記第１成分の絶縁膜は、シリコン酸窒化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、シリコン酸化膜である、弾性波装置。
  13. 　第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、を備え、
    　前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、
    　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、アルミニウム酸化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい、弾性波装置。
  14. 　第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくとも一部を覆う保護膜と、を備え、
    　前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、
    　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、チタン酸化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい、弾性波装置。
  15. 　第１方向において対向する第１の主面および第２の主面を有する圧電層と、前記第１の主面および前記第２の主面の少なくともいずれか一方に設けられた少なくとも１対の電極と、前記１対の電極の少なくともいずれか一部を覆う保護膜と、を備え、
    　前記保護膜は、前記１対の電極に接する第１成分の絶縁膜と、表層の第２成分の絶縁膜とを含み、
    　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜は、タンタル酸化膜であり、前記第２成分の絶縁膜は、前記第１成分の絶縁膜よりも酸素の含有率が大きい、弾性波装置。
  16. 　前記１対の電極は、前記第１方向と交差する第２方向において互いに対向する第１のバスバーと、第２のバスバーと、前記第１のバスバーに基端が接続され前記第２方向に延伸する少なくとも１本の第１の電極指と、前記第２のバスバーに基端が接続され前記第２方向に延伸する少なくとも１本の第２の電極指と、を含むＩＤＴ電極である、請求項１から１５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  17. 　支持基板を有する支持部材をさらに備え、
    　前記支持部材の、前記支持基板の厚み方向である前記第１方向に、前記圧電層が設けられており、
    　前記支持部材に、前記第１方向の前記圧電層側に開口している空間部が設けられており、
    　前記第１方向から見た平面視で、前記１対の電極の少なくとも一部が、前記空間部と重なり合っている、
    　請求項１から１６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  18. 　前記第１方向に前記空間部と重畳する領域の前記保護膜は、前記１対の電極に接する前記第１成分の絶縁膜と、表層の前記第２成分の絶縁膜とを含む、
    　請求項１７に記載の弾性波装置。
  19. 　前記保護膜は、
    　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜を含む部分と、
    　前記第２成分の絶縁膜のみを含む部分と
    　を有し、
    　前記第１成分の絶縁膜及び前記第２成分の絶縁膜を含む部分は、前記第１方向に前記空間部と重畳し、
    　前記第２成分の絶縁膜のみを含む部分では、前記第２成分の絶縁膜は、前記圧電層に直接接触する、請求項１８に記載の弾性波装置。
  20. 　前記第１方向に前記空間部と未重畳の領域の前記保護膜は、前記第２成分の絶縁膜のみを含み、前記未重畳の領域の前記第２成分の絶縁膜は、前記圧電層に直接接触する、請求項１８に記載の弾性波装置。
  21. 　前記１対の電極は、前記第１方向と交差する第２方向において互いに対向する第１のバスバーと、第２のバスバーと、前記第１のバスバーに基端が接続され前記第２方向に延伸する少なくとも１本の第１の電極指と、前記第２のバスバーに基端が接続され前記第２方向に延伸する少なくとも１本の第２の電極指と、を含むＩＤＴ電極であり、
    　前記第１のバスバーまたは前記第２のバスバーは、前記第１方向に平面視して、前記空間部の角と重なるように設けられる、請求項１７に記載の弾性波装置。
  22. 　前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ、θ、ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項１から２１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°、０°～２０°、任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°、２０°～８０°、０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°、２０°～８０°、［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°、［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°、任意のψ）　　…式（３）
  23. 　前記１対の電極は、前記第１方向と交差する第２方向において互いに対向する第１のバスバーと、第２のバスバーと、前記第１のバスバーに基端が接続され前記第２方向に延伸する少なくとも１本の第１の電極指と、前記第２のバスバーに基端が接続され前記第２方向に延伸する少なくとも１本の第２の電極指と、を含むＩＤＴ電極であり、
    　前記圧電層の膜厚をｄ、隣り合う前記第１の電極指及び前記第２の電極指の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である、請求項１から２２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  24. 　前記ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項２３に記載の弾性波装置。
  25. 　前記１対の電極は、前記第１方向と交差する第２方向において互いに対向する第１のバスバーと、第２のバスバーと、前記第１のバスバーに基端が接続され前記第２方向に延伸する少なくとも１本の第１の電極指と、前記第２のバスバーに基端が接続され前記第２方向に延伸する少なくとも１本の第２の電極指と、を含むＩＤＴ電極であり、
    　隣り合う前記第１の電極指及び前記第２の電極指が対向している方向に視たときに重なっている領域が励振領域であり、前記励振領域に対する、複数の前記第１の電極指及び前記第２の電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項１から２４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  26. 　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項１から２５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  27. 　板波を利用可能に構成されている、請求項１から２０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  28. 　前記１対の電極は、前記圧電層の前記第１の主面に設けられた第１の電極と、前記第２の主面に設けられた第２の電極とを含む、請求項１から１５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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