JP5637136B2 - 弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る弾性波デバイスの構成を示す側面断面図である。
弾性波デバイスは、LT等の圧電単結晶を材料とする1μm程度の厚みからなる圧電薄膜10を有する。なお、圧電薄膜10には、LT以外に、LNやLBO(Li2B4O7)やランガサイト(La3Ga5SiO14)、KN(KNbO3)、KLN(K3Li2Nb5O15)等、圧電性を有し、スマートカットが利用可能な材料であれば良い。
図3、図4は、図2に示す製造フローで形成される弾性波デバイスの製造過程を模式的に示す図である。
図6は、図5に示す製造フローで形成される弾性波デバイスの製造過程における第1の実施形態とは異なる特徴的な工程を模式的に示す図である。
Claims (9)
- IDT電極が形成された圧電薄膜と、該圧電薄膜の一方主面側に配設された支持体とを備える弾性波デバイスであって、
少なくとも前記IDT電極に対向する領域における前記圧電薄膜と前記支持体との間には、
前記圧電薄膜の前記一方主面上に形成されており、前記IDT電極から電気的に独立している無機層と、
該無機層の前記圧電薄膜と反対側の面に配設された弾性体層と、
を備え、
前記無機層は、前記圧電薄膜の一方主面の全面を覆うとともに、前記弾性体層の前記圧電薄膜側の主面の全面を覆っており、
前記無機層は、前記弾性体層よりも大きい弾性率と硬度とを有する、シリコン酸化物、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物、タンタル酸化物、マグネシウム酸化物、イットリウム酸化物、ガラス系材料のうちのいずれかの材料からなる、弾性波デバイス。 - 前記無機層は、前記圧電薄膜よりも熱伝導率が大きい、請求項1に記載の弾性波デバイス。
- 前記弾性体層は、前記圧電薄膜および前記無機層よりも熱伝導率が大きい、請求項1または請求項2に記載の弾性波デバイス。
- 前記無機層は、前記圧電薄膜よりも線膨張係数が小さい、請求項1〜請求項3のいずれかに記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電薄膜は、第1族元素を含む材料からなる請求項1〜請求項4のいずれかに記載の弾性波デバイス。
- 請求項1〜請求項5のいずれかに記載した弾性波デバイスの製造方法であって、
圧電基板にイオンを注入することで、イオン注入層を形成するイオン注入工程と、
前記圧電基板のイオン注入層側の主面に前記無機層を直接形成する無機層形成工程と、
前記無機層の前記圧電基板と反対側の面に前記弾性体層を配設する弾性体層配設工程と、
前記弾性体層に前記支持体を貼り合わせる貼合工程と、
前記イオン注入層が形成された前記圧電基板から前記圧電薄膜を剥離形成する剥離工程と、
を有する弾性波デバイスの製造方法。 - 請求項1〜請求項5のいずれかに記載した弾性波デバイスの製造方法であって、
圧電基板にイオンを注入することで、イオン注入層を形成するイオン注入工程と、
前記圧電基板のイオン注入層側の主面に無機層を直接形成する無機層形成工程と、
前記支持体の表面に前記弾性体層を配設する弾性体層配設工程と、
前記無機層と前記弾性体層とを貼り合わせる貼合工程と、
前記イオン注入層が形成された前記圧電基板から前記圧電薄膜を剥離形成する剥離工程と、
を有する弾性波デバイスの製造方法。 - 前記貼合工程を減圧雰囲気下で行う請求項6または請求項7に記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記無機層形成工程を減圧雰囲気下で行う請求項6〜請求項8のいずれかに記載の弾性波デバイスの製造方法。
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