JP7061005B2

JP7061005B2 - 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ

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Publication number: JP7061005B2
Application number: JP2018081065A
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Inventors: 直輝柿田; 治川内; 怜及川
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Description

本発明は、弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関し、例えば一対の櫛型電極を有する弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関する。

スマートフォン等の通信機器に用いられる弾性波共振器として、弾性表面波共振器が知られている。弾性表面波共振器を形成する圧電基板を支持基板に張り付けることが知られている。圧電基板と支持基板の表面にアモルファス層を形成し、常温において圧電基板と支持基板とを接合することが知られている（例えば特許文献１）。常温接合した圧電基板の厚さを弾性表面波の波長以下とすることが知られている（例えば特許文献２）。

特開２００５－２５２５５０号公報特開２０１７－０３４３６３号公報

圧電基板を支持基板に接合することにより、弾性表面波共振器の温度特性が向上する。さらに、圧電基板の厚さを弾性表面波の波長以下とすることにより、スプリアスが抑制できる。しかしながら、損失の抑制が十分ではない。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、弾性波共振器の特性を向上させることを目的とする。

本発明は、支持基板と、前記支持基板上に設けられた圧電基板と、前記支持基板に接し前記支持基板の構成元素を主成分とする第１アモルファス層と、前記圧電基板と前記第１アモルファス層とに接し、前記圧電基板の構成元素を主成分とし、前記第１アモルファス層より薄く、１ｎｍ以下の厚さを有する第２アモルファス層と、前記圧電基板の前記支持基板とは反対の面上に設けられ、各々複数の電極指を備える一対の櫛型電極と、を備え、前記圧電基板の厚さは前記一対の櫛型電極のうち一方の櫛型電極の電極指の平均ピッチの２倍以下である弾性波共振器である。

上記構成において、前記圧電基板の厚さは前記一対の櫛型電極のうち一方の櫛型電極の電極指の平均ピッチより小さい構成とすることができる。

上記構成において、前記圧電基板は単結晶であり、前記支持基板は、単結晶、多結晶または焼結体である構成とすることができる。

上記構成において、前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板であり、前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板、シリコン基板、水晶基板、石英基板、またはアルミナ基板である構成とすることができる。

上記構成において、前記第１アモルファス層における、前記支持基板の構成元素のうち酸素以外の元素の原子濃度は、前記圧電基板の構成元素のうち酸素以外の元素の原子濃度より高く、前記第２アモルファス層における、前記圧電基板の構成元素のうち酸素以外の元素の原子濃度は、前記支持基板の構成元素のうち酸素以外の元素の原子濃度より高い構成とすることができる。

上記構成において、前記第２アモルファス層の厚さは前記第１アモルファス層の厚さの０．８倍以下である構成とすることができる。

上記構成において、前記一対の櫛型電極はＳＨ波を励振する構成とすることができる。

本発明は、上記弾性波共振器を含むフィルタである。

本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。

本発明によれば、弾性波共振器の特性を向上させることができる。

図１は、実施例１に係る弾性波共振器の斜視図である。図２（ａ）は、実施例１における弾性波共振器の平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ－Ａ断面図である。図３（ａ）から図３（ｄ）は、実施例１における支持基板と圧電基板との接合方法を示す模式図である。図４は、実施例１におけるフィルタを示す平面図である。図５は、Ａｒイオンの電流値と厚さＴ１ａおよびＴ２ａとの関係を示す図である。図６は、実験１に用いたフィルタの通過特性を示す図である。図７は、実験１における厚さＴ２ａに対する損失を示す図である。図８（ａ）および図８（ｂ）は、実験１における厚さＴ１ａに対する損失を示す図である。図９は、実施例１の変形例１に係る弾性波共振器の断面図である。図１０は、実施例２に係るデュプレクサの回路図である。

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。

図１は、実施例１に係る弾性波共振器の斜視図、図２（ａ）は、実施例１における弾性波共振器の平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ－Ａ断面図である。電極指の配列方向をＸ方向、電極指の延伸方向をＹ方向、支持基板および圧電基板の積層方向をＺ方向とする。Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向は、圧電基板の結晶方位のＸ軸方向およびＹ軸方向とは必ずしも対応しない。

図１、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、支持基板１０上に圧電基板１２が接合されている。支持基板１０と圧電基板１２との間にはアモルファス層１１が設けられている。アモルファス層１１はアモルファス層１０ａおよび１２ａを備える。アモルファス層１０ａは支持基板１０上に設けられ支持基板１０の構成元素を主成分とする。アモルファス層１２ａは圧電基板１２の下面に設けられ圧電基板１２の構成元素を主成分とする。支持基板１０、アモルファス層１０ａ、１２ａおよび圧電基板１２の厚さをそれぞれＴ１、Ｔ１ａ、Ｔ２ａおよびＴ２とする。

圧電基板１２上に弾性波共振器２０が設けられている。弾性波共振器２０はＩＤＴ２２および反射器２４を有する。反射器２４はＩＤＴ２２のＸ方向の両側に設けられている。ＩＤＴ２２および反射器２４は、圧電基板１２上の金属膜１４により形成される。

ＩＤＴ２２は、対向する一対の櫛型電極１８を備える。櫛型電極１８は、複数の電極指１５と、複数の電極指１５が接続されたバスバー１６と、を備える。一対の櫛型電極１８の電極指１５が交差する領域が交差領域２５である。交差領域２５の長さが開口長である。一対の櫛型電極１８は、交差領域２５の少なくとも一部において電極指１５がほぼ互い違いとなるように、対向して設けられている。交差領域２５において複数の電極指１５が励振する弾性波は、主にＸ方向に伝搬する。同じ櫛型電極１８の電極指１５のピッチがほぼ弾性波の波長λとなる。ピッチは電極指１５の２本分のピッチとなる。反射器２４は、ＩＤＴ２２の電極指１５が励振した弾性波（弾性表面波）を反射する。これにより弾性波はＩＤＴ２２の交差領域２５内に閉じ込められる。

圧電基板１２としては、例えば、単結晶タンタル酸リチウム（ＴａＬｉＯ_３）基板または単結晶ニオブ酸リチウム（ＮｂＬｉＯ_３）基板であり、例えば回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板または回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板である。支持基板１０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、シリコン基板、水晶基板、石英基板またはアルミナ基板である。サファイア基板は単結晶Ａｌ_２Ｏ_３基板であり、スピネル基板は多結晶ＭｇＡｌ_２Ｏ_３基板であり、シリコン基板は単結晶Ｓｉ基板であり、水晶基板は単結晶ＳｉＯ_２基板であり、石英基板は多結晶ＳｉＯ_２基板であり、アルミナ基板はＡｌ_２Ｏ_３の焼結体（焼結セラミックス）基板である。支持基板１０のＸ方向の線熱膨張係数は圧電基板１２のＸ方向の線熱膨張係数より小さい。これにより、弾性波共振器の周波数温度依存性を小さくできる。

金属膜１４は、例えばＡｌ（アルミニウム）またはＣｕ（銅）を主成分とする膜であり、例えばＡｌ膜またはＣｕ膜である。電極指１５と圧電基板１２との間にＴｉ（チタン）膜またはＣｒ（クロム）膜等の密着膜が設けられていてもよい。密着膜は電極指１５より薄い。電極指１５を覆うように絶縁膜が設けられていてもよい。絶縁膜は保護膜または温度補償膜として機能する。

厚さＴ１は例えば５０μｍから５００μｍである。厚さＴ２は例えば０．５μｍから５μｍであり、例えば弾性波の波長λ以下である。厚さＴ１ａおよびＴ２ａは例えば各々０．１ｎｍから１０ｎｍでありＴ２ａ＜Ｔ１ａである。

支持基板１０上面に圧電基板１２の下面を貼り付ける方法について説明する。図３（ａ）から図３（ｄ）は、実施例１における支持基板と圧電基板との接合方法を示す模式図である。図３（ａ）に示すように、支持基板１０では、支持基板１０を構成する元素の原子５０ａが規則的に配列されている。支持基板１０の上面に自然酸化膜１０ｂが形成されている。自然酸化膜１０ｂは原子５０ａと酸素とから構成される。図３（ｂ）に示すように、圧電基板１２では、圧電基板１２を構成する元素の原子５２ａが規則的に配列されている。圧電基板１２の下面に自然酸化膜１２ｂが形成されている。自然酸化膜１２ｂは原子５２ａと酸素とから構成される。

図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、真空中において、支持基板１０の上面および圧電基板１２の下面にイオン５４等を照射する。イオン５４は例えばＡｒ（アルゴン）イオン等の不活性元素（例えば希ガス元素）のイオンである。イオン５４等をイオンビーム、中性化したビームまたはプラズマとして、照射する。これにより、支持基板１０の上面および圧電基板１２の下面が活性化される。Ａｒイオンを用いる場合、例えばＡｒイオンの電流を２５ｍＡから２００ｍＡとし、Ａｒイオンの照射時間を３０秒から１２０秒程度とする。

図３（ｃ）に示すように、支持基板１０の上面および圧電基板１２の下面に、それぞれアモルファス層１０ａおよび１２ａが形成される。アモルファス層１０ａは支持基板１０の構成元素の原子５０ａとイオン５４とを含む。アモルファス層１２ａは圧電基板１２の構成元素の原子５２ａとイオン５４とを含む。アモルファス層１０ａおよび１２ａの表面には未結合の結合手が形成される（すなわち活性化される）。

図３（ｄ）に示すように、真空を維持した状態で、アモルファス層１０ａと１２ａとを張り合わせると、未結合手同士が結合し、強固な結合となる。これにより、支持基板１０と圧電基板１２とがアモルファス層１１を介し接合される。このような接合は常温（例えば１００℃以下かつ－２０℃以上、好ましくは８０℃以下かつ０℃以上）で行われるため熱応力を抑制できる。

このように、支持基板１０と圧電基板１２とを接合すると、圧電基板１２がタンタル酸リチウム基板のとき、アモルファス層１２ａは、Ｔａ（タンタル）、Ｌｉ（リチウム）およびＯ（酸素）を主成分とし、Ａｒを含む。圧電基板１２がニオブ酸リチウム基板のとき、アモルファス層１２ａは、Ｎｂ（ニオブ）、ＬｉおよびＯを主成分とし、Ａｒを含む。アモルファス層１２ａは、支持基板１０の構成元素のうち酸素以外のＡｌ、ＳｉまたはＭｇをほとんど含まない。

支持基板１０がサファイア基板またはアルミナ基板のとき、アモルファス層１０ａは、ＡｌおよびＯを主成分とし、Ａｒを含む。支持基板１０がスピネル基板のとき、アモルファス層１０ａは、Ｍｇ（マグネシウム）、ＡｌおよびＯを主成分とし、Ａｒを含む。支持基板１０がシリコン基板のとき、アモルファス層１０ａはＳｉ（シリコン）を主成分とし、Ａｒを含む。支持基板１０が水晶基板および石英基板のとき、アモルファス層１０ａは、ＳｉおよびＯを主成分とし、Ａｒを含む。アモルファス層１０ａは、圧電基板１２の構成元素のうちＯ以外のＴａ、ＮｂおよびＬｉをほとんど含まない。

図４は、実施例１におけるフィルタを示す平面図である。図４に示すように、圧電基板１２上に複数の弾性波共振器２０、配線２６およびパッド２７が設けられている。複数の弾性波共振器２０は、直列共振器Ｓ１からＳ４および並列共振器Ｐ１からＰ３を含む。配線２６は、弾性波共振器２０の間および弾性波共振器２０とパッド２７とを電気的に接続する。パッド２７上にはバンプ２８が形成される。複数のパッド２７は、入力端子に接続される入力パッドＰｉｎ、出力端子に接続される出力パッドＰｏｕｔ、およびグランド端子に接続されるグランドパッドＰｇｎｄを含む。直列共振器Ｓ１からＳ４は、入力パッドＰｉｎと出力パッドＰｏｕｔとの間に配線２６を介し直列に接続されている。並列共振器Ｐ１からＰ３は、入力パッドＰｉｎと出力パッドＰｏｕｔとの間に配線２６を介し並列に接続されている。直列共振器および並列共振器の個数は任意に設計可能である。フィルタとしてラダー型フィルタの例を説明したがフィルタは多重モード型フィルタでもよい。

ＩＤＴ２２が弾性表面波を励振するときに、圧電基板１２内にバルク波が励振される。バルク波はアモルファス層１１において反射されるとスプリアスの原因となる。また、バルク波の発生によりエネルギーの損失が生じる。そこで、特許文献２に記載されているように、圧電基板１２の厚さＴ２を弾性波の波長λより小さくする。これにより、バルク波の圧電基板１２の厚さ方向の伝搬が抑制されるものと考えられる。よって、スプリアスが抑制されかつ損失が向上する。

圧電基板１２の厚さＴ２が小さくなると、アモルファス層１２ａの厚さＴ２ａが損失に影響しやすくなることが分かった。以下、実験について説明する。

［実験１］
アモルファス層１０ａおよび１２ａの厚さＴ１ａおよびＴ２ａの異なるラダー型フィルタを作製し損失を測定した。作製したラダー型フィルタの条件は以下である。
支持基板１０：Ｔ１＝４００μｍの多結晶スピネル基板
圧電基板１２：Ｔ２＝３．５μｍの４２°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板
ラダー型フィルタ：ＬＴＥ（Long Term Evolution）バンド２６（受信帯域：８１４から８４９ＭＨｚ）の送信フィルタ、６段（直列共振器が６個および並列共振器が５個）
電極指１５のデュティ比：５０％

図３（ａ）および図３（ｂ）において、Ａｒイオンビームを支持基板１０の上面および圧電基板１２の下面に照射した。Ａｒイオンの電流値を変化させることで、アモルファス層１０ａおよび１２ａの厚さＴ１ａおよびＴ２ａを変えた。Ａｒイオンの照射時間は４５秒で一定とした。

図５は、Ａｒイオンの電流値と厚さＴ１ａおよびＴ２ａとの関係を示す図である。ドットは測定点、直線は近似直線を示す。図５に示すように、Ａｒイオンの電流値と厚さＴ１ａおよびＴ２ａとはほぼ比例する。厚さＴ１ａおよびＴ２ａは、ＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）により測定した。ＴＥＭ観察では、支持基板１０および圧電基板１２は原子配列が規則的であり、アモルファス層１０ａおよび１２ａは原子配列がランダムである。アモルファス層１０ａと１２ａとはコントラストが異なる。これにより、ＴＥＭ観察で厚さＴ１ａおよびＴ２ａを決定できる。以下の実験では、Ａｒイオンの電流値より図５を用い厚さＴ１ａおよびＴ２ａを決定した。

図６は、実験１に用いたフィルタの通過特性を示す図である。図６のように、ＬＴＥバンド２６の受信帯域（８１４から８４９ＭＨｚ）が通過帯域となっている。バンド２６の受信帯域において最も小さい損失（図６のマーカーＭ）を各サンプルで比較した。

図７は、実験１における厚さＴ２ａに対する損失を示す図である。アモルファス層１０ａの厚さＴ１ａを０．４７ｎｍで一定とした。損失はバンド２６の受信帯域において最も小さな損失である。図７に示すように、厚さＴ２ａが小さいサンプルでは損失が小さくなる。Ｔ２ａが約０．５ｎｍのサンプルは、Ｔ２ａが約１．５ｎｍのサンプルより損失が０．０５ｄＢよい。

図８（ａ）および図８（ｂ）は、実験１における厚さＴ１ａに対する損失を示す図である。図８（ａ）および図８（ｂ）は、アモルファス層１２ａの厚さＴ２ａをそれぞれ０．８ｎｍおよび１．４７ｎｍで一定とした。図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、Ｔ１ａが大きいサンプルは損失が小さくなるように見える。しかし、サンプル数が少なくかつサンプル間の損失差が小さいため、Ｔ１ａは損失に影響していない可能性もある。なお、図７、図８（ａ）および図８（ｂ）の図同士は、実験バッチが異なる。このため、他の要因が影響しているため、図７から図８（ｂ）の間では損失を単純には比較できない。

実験１より、アモルファス層１２ａの厚さＴ２ａが小さいと損失が小さくなる。アモルファス層１０ａの厚さＴ１ａは損失に影響しないか厚さＴ１ａが大きいと損失が小さくなる。

［実験２］
支持基板１０として単結晶サファイア基板を用い実験１と同様にラダー型フィルタを作製した。アモルファス層１０ａおよび１２ａの厚さＴ１ａおよびＴ２ａはＴＥＭにより測定した。表１は、Ｔ１ａ、Ｔ２ａおよび損失を示す表である。

表１に示すように、アモルファス層１２ａの厚さＴ２ａが小さいサンプルは損失が小さい。実験２では、Ｔ２ａの小さいサンプルはＴ１ａも小さい。実験１の結果からＴ１ａは損失にほとんど影響しない、またはＴ１ａが大きいと損失が小さくなるとすると、表１から支持基板１０をサファイア基板としてもＴ２ａが小さいと損失は小さくなると考えられる。

アモルファス層１２ａの厚さＴ２ａが損失に影響する理由は明確ではないが、例えば以下のように考えられる。圧電基板１２が薄くなると、弾性表面波はアモルファス層１１まで達する。アモルファス層１２ａの厚さＴ２ａが大きいと、支持基板１０との界面付近における圧電基板１２の圧電性が低下する。これにより、弾性表面波がアモルファス層１２ａの影響を受け損失が低下するものと考えられる。

アモルファス層１１の厚さが小さくなると、支持基板１０と圧電基板１２との接合が弱くなる。よって、アモルファス層１０ａの厚さＴ１ａは大きいことが好ましい。

弾性表面波がアモルファス層１２ａの影響を受け損失が低下すると考えると、圧電基板１２および支持基板１０はどのような材料であっても、厚さＴ２ａは小さい方がよい。

以上の知見から実施例１では、一対の櫛型電極１８は、圧電基板１２の支持基板１０と反対の面に設けられ、各々複数の電極指１５を備える。アモルファス層１０ａ（第１アモルファス層）は、支持基板１０に接する。アモルファス層１２ａ（第２アモルファス層）は、圧電基板１２とアモルファス層１０ａと接する。

アモルファス層１０ａは、支持基板１０の構成元素を主成分とする。アモルファス層１２ａは、圧電基板１２の構成元素を主成分とする。主成分とは、図３（ａ）および図３（ｂ）において活性化のために用いた元素（例えばＡｒ）および意図しない不純物を除く成分である。例えば、アモルファス層１０ａは支持基板１０の構成元素（例えばスピネル基板の場合Ａｌ、ＭｇおよびＯ）を合計で５０原子％以上含み、アモルファス層１２ａは圧電基板１２の構成元素（例えばタンタル酸リチウム基板の場合Ｔａ、ＬｉおよびＯ）を合計で５０原子％以上含む。

このような弾性波共振器２０において、アモルファス層１２ａをアモルファス層１０ａより薄くする。これにより、損失等の特性を改善できる。アモルファス層１２ａの厚さＴ２ａはアモルファス層１０ａの厚さＴ１ａの０．９倍以下が好ましく、０．８倍以下がより好ましく、０．７倍以下がさらに好ましい。アモルファス層１２ａが薄すぎると、圧電基板１２の下面は活性がされない。このことから、アモルファス層１２ａの厚さＴ２ａはアモルファス層１０ａの厚さＴ１ａの０．１倍以上が好ましい。

アモルファス層１２ａの厚さＴ２ａが大きいと損失が悪化することからＴ２ａは、３ｎｍ以下が好ましく、２ｎｍ以下がより好ましく、１ｎｍ以下がさらに好ましい。圧電基板１２の下面を活性するため、厚さＴ２ａは０．１ｎｍ以上が好ましく、０．２ｎｍ以上がより好ましい。

支持基板１０と圧電基板１２との接合強度の観点から、アモルファス層１０ａの厚さＴ１ａは、０．５ｎｍ以上が好ましく、１ｎｍ以上がより好ましく、２ｎｍ以上がさらに好ましい。厚さＴ２ａは１０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がより好ましい。

圧電基板１２の厚さＴ１は、弾性表面波がアモルファス層１２ａの影響を受ける程度に薄ければよく、例えばＴ１は２λ以下でもよい。例えば、圧電基板１２の厚さＴ１を一方の櫛型電極１８の電極指１５の平均ピッチ（すなわち波長λ）より小さくする。これにより、バルク波に起因する損失を抑制できる。また、圧電基板１２が薄いと櫛型電極１８が励振する弾性表面波がアモルファス層１２ａの影響を受けやすくなる。よって、アモルファス層１２ａを薄くすることが好ましい。

圧電基板１２の厚さＴ２は電極指１５の平均ピッチの０．９倍以下が好ましく、０．８倍以下がより好ましく、０．７倍以下がさらに好ましい。これにより、スプリアスを抑制しかつ損失を向上できる。厚さＴ２は電極指１５の平均ピッチの０．１倍以上が好ましく、０．２倍以上がより好ましい。電極指１５の平均ピッチは、弾性波共振器２０のＸ方向の長さを電極指１５の対数（電極指１５の本数の１／２）で除することにより算出できる。例えば波長λを５μｍとすると、圧電基板１２の厚さＴ２は例えば０．５μｍから５μｍである。

圧電基板１２は、単結晶であることが好ましい。これにより、弾性表面波を効率よく励振できる。単結晶圧電基板１２としては、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板を用いることができる。支持基板１０は、単結晶、多結晶または焼結体であり、例えば、サファイア基板、スピネル基板、シリコン基板、水晶基板、石英基板、またはアルミナ基板である。

アモルファス層１０ａにおける、支持基板１０の構成元素のうち酸素以外の元素の原子濃度は、圧電基板１２の構成元素のうち酸素以外の元素の原子濃度より高い。アモルファス層１２ａにおける、圧電基板１２の構成元素のうち酸素以外の元素の原子濃度は、支持基板１０の構成元素のうち酸素以外の元素の原子濃度より高い。これにより、損失等の特性を改善できる。

ＩＤＴ２２がＳＨ（Shear Horizontal）波を励振する場合、ＩＤＴ２２はバルク波を励振しやすい。よって、ＩＤＴ２２はＳＨ波を励振することが好ましい。このため、圧電基板１２は、２０°から４８°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板であることが好ましい。

［実施例１の変形例１］
図９は、実施例１の変形例１に係る弾性波共振器の断面図である。図９に示すように、支持基板１０は、積層された複数の支持基板１０ｃおよび１０ｄを備えていてもよい。支持基板１０ｃおよび１０ｄは例えば実施例１の支持基板１０と同じ基板である。支持基板１０ｃの厚さは例えば５０μｍから５００μmであり、支持基板１０ｄの厚さは例えば０．５μｍから１００μｍである。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

図１０は、実施例２に係るデュプレクサの回路図である。図１０に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ４０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ４２が接続されている。送信フィルタ４０は、送信端子Ｔｘから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ４２は、共通端子Ａｎｔから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ４０および受信フィルタ４２の少なくとも一方を図４のフィルタとすることができる。フィルタとしては、ラダー型フィルタまたは多重モード型フィルタとすることができる。

マルチプレクサとしてデュプレクサを例に説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０支持基板
１０ａ、１１、１２ａアモルファス層
１２圧電基板
１５電極指
１８櫛型電極
２０弾性波共振器
２２ＩＤＴ

Claims

支持基板と、
前記支持基板上に設けられた圧電基板と、
前記支持基板に接し前記支持基板の構成元素を主成分とする第１アモルファス層と、
前記圧電基板と前記第１アモルファス層とに接し、前記圧電基板の構成元素を主成分とし、前記第１アモルファス層より薄く、１ｎｍ以下の厚さを有する第２アモルファス層と、
前記圧電基板の前記支持基板とは反対の面上に設けられ、各々複数の電極指を備える一対の櫛型電極と、
を備え、
前記圧電基板の厚さは前記一対の櫛型電極のうち一方の櫛型電極の電極指の平均ピッチの２倍以下である弾性波共振器。
前記圧電基板の厚さは前記一対の櫛型電極のうち一方の櫛型電極の電極指の平均ピッチより小さい請求項１に記載の弾性波共振器。
前記圧電基板は単結晶であり、
前記支持基板は、単結晶、多結晶または焼結体である請求項１または２に記載の弾性波共振器。
前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板であり、
前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板、シリコン基板、水晶基板、石英基板、またはアルミナ基板である請求項３に記載の弾性波共振器。
前記第１アモルファス層における、前記支持基板の構成元素のうち酸素以外の元素の原子濃度は、前記圧電基板の構成元素のうち酸素以外の元素の原子濃度より高く、
前記第２アモルファス層における、前記圧電基板の構成元素のうち酸素以外の元素の原子濃度は、前記支持基板の構成元素のうち酸素以外の元素の原子濃度より高い請求項４に記載の弾性波共振器。
前記第２アモルファス層の厚さは前記第１アモルファス層の厚さの０．８倍以下である請求項１から５のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
前記一対の櫛型電極はＳＨ波を励振する請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
請求項１から７のいずれか一項に記載の弾性波共振器を含むフィルタ。
請求項８に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。