JP2017041525A - ウエーハの分割方法 - Google Patents
ウエーハの分割方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017041525A JP2017041525A JP2015161919A JP2015161919A JP2017041525A JP 2017041525 A JP2017041525 A JP 2017041525A JP 2015161919 A JP2015161919 A JP 2015161919A JP 2015161919 A JP2015161919 A JP 2015161919A JP 2017041525 A JP2017041525 A JP 2017041525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- dividing
- metal layer
- divided
- remaining portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 116
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 116
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】表面に格子状の分割予定ライン(13)で区画されたデバイス層(11)を形成し、裏面に金属層(12)が形成されたウエーハ(W)を、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であり、ウエーハの表面から金属層に達しない所定の残し量の残存部分(17)を残すように分割溝(15)を形成する分割溝形成工程と、ウエーハの表面に保護テープ(42)を貼着する保護テープ貼着工程と、分割予定ラインに沿って外力を加えてウエーハの残存部分を分割すると共に金属層を分割する分割工程とを有する構成にした。
【選択図】図6
Description
12 金属層
13 分割予定ライン
14 デバイス
15 分割溝
17 残存部分
42 保護テープ
52 スキージ
W ウエーハ
Claims (4)
- 表面が格子状の分割予定ラインで区画されデバイスを形成し、裏面に金属層を備えるウエーハを、該分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
表面から該金属層に達しない所定の残し量を残して分割溝を形成する分割溝形成工程と、
表面もしくは裏面のどちらかに保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
該分割溝形成工程の後、該分割予定ラインに沿って外力を加えて該残し量を残したウエーハを分割するとともに該金属層を分割する分割工程と、
からなるウエーハの分割方法。 - 該分割溝形成工程は、プラズマエッチングで該分割溝を形成する請求項1記載のウエーハの分割方法。
- 該分割工程での外力は、少なくともウエーハの径以上の長さのスキージを該分割予定ラインに沿ってウエーハに押付けることで加えられる請求項1または2記載のウエーハの分割方法。
- 該分割溝形成工程の該残し量を、5μm以上30μm以下とする請求項1から3のいずれかに記載のウエーハの分割方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015161919A JP6576735B2 (ja) | 2015-08-19 | 2015-08-19 | ウエーハの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015161919A JP6576735B2 (ja) | 2015-08-19 | 2015-08-19 | ウエーハの分割方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017041525A true JP2017041525A (ja) | 2017-02-23 |
JP6576735B2 JP6576735B2 (ja) | 2019-09-18 |
Family
ID=58203150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015161919A Active JP6576735B2 (ja) | 2015-08-19 | 2015-08-19 | ウエーハの分割方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6576735B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018181904A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2018181930A (ja) * | 2017-04-05 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
WO2019082736A1 (ja) * | 2017-10-27 | 2019-05-02 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | メタル膜付き基板の分断方法 |
JP2019096812A (ja) * | 2017-11-27 | 2019-06-20 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP2019149472A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びダイシング方法 |
JP2019192873A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
WO2020066408A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | メタル膜付き基板の分断方法 |
CN111916356A (zh) * | 2012-09-26 | 2020-11-10 | 三星钻石工业股份有限公司 | 金属积层陶瓷基板的分断方法 |
EP4290566A1 (en) | 2022-06-07 | 2023-12-13 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS559438A (en) * | 1978-07-05 | 1980-01-23 | Nec Home Electronics Ltd | Method of manufacturing semiconductor device |
JPS6388405U (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | ||
JPH08236484A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハのブレーキング方法および装置 |
JP2002198327A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2006066539A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Canon Machinery Inc | ウェーハ分割方法およびダイボンダー |
JP2006344910A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Canon Machinery Inc | ウェーハ分割方法およびウェーハ分割治具 |
JP2007220703A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Enzan Seisakusho Co Ltd | 半導体チップ分離装置 |
JP2007242804A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
JP2008112754A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 加工対象物切断方法 |
JP2014090117A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Rohm Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の実装構造、および半導体装置の製造方法 |
-
2015
- 2015-08-19 JP JP2015161919A patent/JP6576735B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS559438A (en) * | 1978-07-05 | 1980-01-23 | Nec Home Electronics Ltd | Method of manufacturing semiconductor device |
JPS6388405U (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | ||
JPH08236484A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハのブレーキング方法および装置 |
JP2002198327A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2006066539A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Canon Machinery Inc | ウェーハ分割方法およびダイボンダー |
JP2006344910A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Canon Machinery Inc | ウェーハ分割方法およびウェーハ分割治具 |
JP2007220703A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Enzan Seisakusho Co Ltd | 半導体チップ分離装置 |
JP2007242804A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
JP2008112754A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 加工対象物切断方法 |
JP2014090117A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Rohm Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の実装構造、および半導体装置の製造方法 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111916356A (zh) * | 2012-09-26 | 2020-11-10 | 三星钻石工业股份有限公司 | 金属积层陶瓷基板的分断方法 |
TWI733994B (zh) * | 2017-04-04 | 2021-07-21 | 日商迪思科股份有限公司 | 加工方法 |
JP2018181904A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2018181930A (ja) * | 2017-04-05 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JPWO2019082736A1 (ja) * | 2017-10-27 | 2020-11-12 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | メタル膜付き基板の分断方法 |
WO2019082736A1 (ja) * | 2017-10-27 | 2019-05-02 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | メタル膜付き基板の分断方法 |
CN111263974A (zh) * | 2017-10-27 | 2020-06-09 | 三星钻石工业股份有限公司 | 附金属膜衬底的分断方法 |
JP2019096812A (ja) * | 2017-11-27 | 2019-06-20 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP2019149472A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びダイシング方法 |
JP7214306B2 (ja) | 2018-04-27 | 2023-01-30 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP2019192873A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP7418013B2 (ja) | 2018-09-26 | 2024-01-19 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | メタル膜付き基板の分断方法 |
WO2020066408A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | メタル膜付き基板の分断方法 |
JPWO2020066408A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2021-09-09 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | メタル膜付き基板の分断方法 |
KR20210048530A (ko) * | 2018-09-26 | 2021-05-03 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 메탈막 부착 기판의 분단 방법 |
KR102557292B1 (ko) * | 2018-09-26 | 2023-07-18 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 메탈막 부착 기판의 분단 방법 |
CN112740365B (zh) * | 2018-09-26 | 2024-01-09 | 三星钻石工业股份有限公司 | 附金属膜衬底的分断方法 |
CN112740365A (zh) * | 2018-09-26 | 2021-04-30 | 三星钻石工业股份有限公司 | 附金属膜衬底的分断方法 |
EP4290566A1 (en) | 2022-06-07 | 2023-12-13 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6576735B2 (ja) | 2019-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6576735B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5637331B1 (ja) | 半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および画像形成装置 | |
JP2006344816A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP2015029063A (ja) | 半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および電子装置、ならびに基板のダイシング方法 | |
JP6519638B2 (ja) | 脆性基板の製造方法 | |
CN105810576B (zh) | 切割晶圆的方法及半导体芯片 | |
KR101779053B1 (ko) | 적층 세라믹 기판의 분단 방법 | |
KR20160054415A (ko) | 반도체편의 제조 방법 | |
US9219011B2 (en) | Separation of chips on a substrate | |
CN111916356A (zh) | 金属积层陶瓷基板的分断方法 | |
JP2012089721A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置 | |
JP6509614B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP6314047B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
TW201622041A (zh) | 基板之分斷方法及分斷裝置 | |
JP2019057595A (ja) | 半導体デバイス製造装置、及び、半導体デバイス製造方法 | |
KR102557292B1 (ko) | 메탈막 부착 기판의 분단 방법 | |
JP6288260B2 (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
WO2018230297A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2017147289A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
US9421640B2 (en) | Dicing method | |
JP6288293B2 (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP2009130324A (ja) | 半導体素子の製造方法および半導体素子 | |
JP5509051B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP7385908B2 (ja) | 貼り合わせ基板の分断方法および応力基板の分断方法 | |
US10056297B1 (en) | Modified plasma dicing process to improve back metal cleaving |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190312 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190509 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190730 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190821 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6576735 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |