JP2019057595A - 半導体デバイス製造装置、及び、半導体デバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】熱割断プロセスにより半導体ウェハを割断して、複数の半導体デバイスに個片化する。【解決手段】半導体デバイス製造装置は、複数の半導体デバイスが形成された半導体ウェハの一方の面に、前記複数の半導体デバイスを個片化するための溝を形成する、溝形成部と、前記溝を加熱する、加熱部と、前記加熱部で前記溝を加熱した後に、前記溝を冷却し、前記溝で前記半導体ウェハを割断する、冷却部と、を備える。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体デバイス製造装置、及び、半導体デバイス製造方法に関する。
従来より、ガラスに代表される脆性材料を割断する手法として、熱割断プロセスが存在している。この熱割断プロセスは、ガラス等の脆性材料に切削工具で溝を掘った後に、火で溝の部分の加熱を行い、水を含んだ布で急速冷却をすることにより、溝の部分で脆性材料の割断を行う。
このような熱割断プロセスを用いて、複数の半導体デバイスが形成された半導体ウェハを、個々の半導体デバイスに割断することができれば、高い硬度を有する半導体ウェハを、高い処理能力で個片化することができ、技術的に有益である。
本実施形態の目的は、熱割断プロセスにより半導体ウェハを割断して、複数の半導体デバイスに個片化する、半導体デバイス製造装置、及び、半導体チップ製造方法を提供することにある。
本実施形態に係る半導体デバイス製造装置は、複数の半導体デバイスが形成された半導体ウェハの一方の面に、前記複数の半導体デバイスを個片化するための溝を形成する、溝形成部と、前記溝を加熱する、加熱部と、前記加熱部で前記溝を加熱した後に、前記溝を冷却し、前記溝で前記半導体ウェハを割断する、冷却部と、を備える。
また、本実施形態に係る半導体デバイス製造装置は、複数の半導体デバイスが形成された半導体ウェハの一方の面に、前記複数の半導体デバイスを個片化するための溝を形成する、溝形成部と、前記半導体ウェハを冷却する、第1冷却部と、前記溝を追加的に冷却する、第2冷却部と、前記第2冷却部で前記溝を冷却した後に、前記溝を加熱し、前記溝で前記半導体ウェハを割断する、加熱部と、を備える。
本実施形態に係る半導体デバイス製造方法は、複数の半導体デバイスが形成された半導体ウェハの一方の面に、前記複数の半導体デバイスを個片化するための溝を形成する工程と、前記溝を加熱する工程と、前記溝を加熱した後に、前記溝を冷却し、前記溝で前記半導体ウェハを割断する工程と、を備える。
また、複数の半導体デバイスが形成された半導体ウェハの一方の面に、前記複数の半導体デバイスを個片化するための溝を形成する工程と、前記半導体ウェハを冷却する工程と、前記溝を追加的に冷却する工程と、前記溝を冷却した後に、前記溝を加熱し、前記溝で前記半導体ウェハを割断する工程と、を備える半導体デバイス製造方法。
以下、図面を参照しながら、本実施形態に係る半導体デバイス製造装置及び半導体デバイス製造方法を説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行うこととする。
〔第1実施形態〕
第1実施形態に係る半導体デバイス製造装置は、複数の半導体デバイスが形成された半導体ウェハの一方の面に、複数の半導体デバイスを個片化するための溝を形成し、この溝を加熱した後に冷却することにより、溝の部分で半導体ウェハを割断するようにしたものである。以下に、その詳細を説明する。
第1実施形態に係る半導体デバイス製造装置は、複数の半導体デバイスが形成された半導体ウェハの一方の面に、複数の半導体デバイスを個片化するための溝を形成し、この溝を加熱した後に冷却することにより、溝の部分で半導体ウェハを割断するようにしたものである。以下に、その詳細を説明する。
図1は、本実施形態に係る半導体デバイス製造装置1の概略的構成を説明するブロック図であり、図2は、この半導体デバイス製造装置1で割断される半導体ウェハ2の一例を示す平面図である。
図1に示すように、本実施形態に係る半導体デバイス製造装置1は、溝形成部10と、加熱部20と、冷却部30と、進行部40と、制御部50とを備えて構成されている。この半導体デバイス製造装置1は、例えば、半導体ウェハ2に半導体デバイスを形成する製造プロセスを備えた工場に設置される。
溝形成部10は、進行部40に載置された半導体ウェハ2に溝を形成する装置である。本実施形態においては、この溝形成部10は、例えば、波長の短いパルスレーザーを照射するパルスレーザー照射装置や、電子ビームを照射する電子ビーム照射装置により、構成されており、パルスレーザーや電子ビームにより、半導体ウェハ2に溝を形成する。
また、溝形成部10は、純水若しくは液体窒素を半導体ウェハ2に噴霧する噴霧装置も備えている。噴霧装置が純水若しくは液体窒素を噴霧することにより、パルスレーザーや電子ビームにより溝を形成した半導体ウェハ2を冷却する。
加熱部20は、進行部40に載置された半導体ウェハ2の溝を加熱する装置である。本実施形態においては、この加熱部20は、例えば、レーザーを照射するレーザー装置により構成されている。そして、このレーザー装置がレーザーを半導体ウェハ2に照射することにより、溝を加熱する。
冷却部30は、進行部40に載置された半導体ウェハ2の溝を冷却する装置である。本実施形態においては、この冷却部30は、例えば、液体窒素を噴霧する噴霧装置により構成されている。そして、この噴霧装置が液体窒素を半導体ウェハ2に噴霧することにより、溝を冷却する。
進行部40は、図2に示すような半導体ウェハ2が載置されて、所定の方向に進行する装置である。この進行部は、半導体ウェハ2を所定の方向に搬送する半導体ウェハ搬送装置により構成されている。この半導体ウェハ搬送装置が、半導体ウェハ2を載せたまま所定の方向に移動することにより、半導体ウェハ2も所定の方向に進行する。
制御部50は、この半導体デバイス製造装置1の全体的な制御を行う装置であり、本実施形態においては、特に、上述した溝形成部10と、加熱部20と、冷却部30と、進行部40の動作制御を行う。この制御部50は、例えば、コンピュータにより構成されてもよいし、或いは、ASIC及び記憶装置などを有する専用の制御装置などにより構成されてもよい。
図3(a)乃至図3(d)は、本実施形態に係る半導体デバイス製造装置1を用いて、複数の半導体デバイスが形成された半導体ウェハ2から、これら複数の半導体デバイスを個片化する製造プロセスの一例を説明する図である。これら図3(a)乃至図3(d)においては、半導体ウェハ2の模式的な断面図であり、図2の半導体ウェハ2の平面図から半導体デバイスの数を削減して理解が容易なようにしている。
まず、図3(a)に示すように、本実施形態に係る半導体ウェハ2には、ダイボンディング膜100が形成されている。このダイボンディング膜100は、はんだ膜とも呼ばれ、本実施形態においては、半導体ウェハ2に半導体デバイスを形成する製造プロセスでスパッタリング等により形成される。なお、このダイボンディング膜100は、半導体ウェハ2に半導体デバイスを形成する製造プロセスの一部としてではなく、製造プロセス後の組立工程で形成することも可能である。但し、製造プロセスの一部として、スパッタリング等によりダイボンディング膜100を形成した方が、10μm程度の高度な薄膜化が可能となり、高い精度で均一な膜厚に制御することができる。
また、本実施形態においては、ダイボンディング膜100は、金属膜101を介して、半導体ウェハ2の一方の面に形成されている。すなわち、半導体ウェハ2の一方の面には、金属膜101が形成されており、この金属膜101の上にダイボンディング膜100が形成されている。金属膜101は、例えば、高融点金属材料で構成されており、半導体ウェハ2とダイボンディング膜100との間の電気抵抗を低減している。
この半導体ウェハ2におけるダイボンディング膜100が形成されていない面に、粘着力の比較的弱い、第1の粘着力を有する第1のシート102を貼り付ける。この第1のシート102は、半導体ウェハ2の複数の半導体デバイスを個片化した際に、個々の半導体デバイスが離散しないようにする役割を果たす。
次に、図3(b)に示すように、半導体ウェハ割断処理により、半導体ウェハ2に形成された複数の半導体デバイスを、個々の半導体デバイスDEに個片化する。これにより、半導体デバイスDEは、別個独立したばらばらの状態となる。但し、第1のシート102が予め貼り付けてあることから、半導体デバイスDEが離散することはない。
次に、図3(c)に示すように、半導体ウェハ2の第1のシート102が貼り付けられていない面、つまり、ダイボンディング膜100が形成された面に、粘着力の比較的強い、第2の粘着力を有する第2のシート104を貼り付ける。この第2のシート104は、半導体デバイスDEを組み立てに使用するシートである。
次に、図3(d)に示すように、第1のシート102を半導体デバイスDEから引き剥がす。このため、第1のシート102の第1の粘着力は、第2のシート104の第2の粘着力よりも、弱くなければならない。さらに、第2のシート104の第2の粘着力も、半導体デバイスDEの組み立て工程で半導体デバイスDEから引き剥がすことができる程度の粘着力でなければならない。
図4は、図3(b)の半導体ウェハ割断処理の内容を詳しく説明するフローチャートを示す図である。この半導体ウェハ割断処理は、図1に示した半導体デバイス製造装置1における制御部50により、実行制御される処理である。以下、図1及び図2を参照しつつ、図4の半導体ウェハ割断処理について説明する。
図4に示すように、まず、半導体デバイス製造装置1は、進行部40に半導体ウェハ2を載置し、進行部40における半導体ウェハ2の位置設定を行う(ステップS10)。例えば、図2の半導体ウェハ2には位置合わせ用のマークが形成されており、この位置合わせ用のマークを基準に、進行部40に載置した半導体ウェハ2の位置合わせを行う。
次に、図4に示すように、半導体デバイス製造装置1の溝形成部10は、半導体ウェハ2の溝掘りを行う(ステップS12)。すなわち、図5に示すように、半導体ウェハ2に形成された半導体デバイスDEの個片化を行うために、ダイボンディング膜100と金属膜101とを分離し、半導体ウェハ2に溝GVを形成する。
図2に示すように、この溝GVは、個々の半導体デバイスDEを分離するために、半導体ウェハ2上に格子状に形成される。このため、本実施形態に係るステップS12においては、溝GVを1本ずつ形成するので、この溝掘りの処理も、溝GVの本数だけ順次行うこととなる。但し、この溝掘りは、1本ではなく複数本の溝を同時に半導体ウェハ2の表面に形成するようにすることもできる。
図6は、本実施形態における半導体デバイス製造装置1の溝形成部10が半導体ウェハ2に溝を形成する手法を説明する図である。この図6に示すように、溝形成部10は、レーザーを照射して、ダイボンディング膜100と金属膜101とを個々の半導体デバイスDEに沿って分離するとともに、半導体ウェハ2に溝を形成する。つまり、ダイボンディング膜100と金属膜101の個片化と、半導体ウェハ2の溝掘りを、レーザーにより同時に行う。また、レーザーで半導体ウェハ2に溝を形成した後に、溝形成部10は、純水の噴霧、若しくは、液体窒素の噴霧を行い、ダイボンディング膜100の溶融を防止する。
溝形成部10がこれらレーザーの照射と純水若しくは液体窒素の噴霧をしながら、進行部40は半導体ウェハ2を図6の進行方向に進行させる。これにより、個々の半導体デバイスDEに沿った個片化のための溝GVが形成されていく。
次に、図4に示すように、半導体デバイス製造装置1の加熱部20が溝GVの加熱を行い(ステップS14)、その後に、冷却部30が溝GVの冷却を行うことにより、溝GVで半導体ウェハ2を割断する(ステップS16)。この割断は、熱割断と呼ばれる技術であり、急激な温度変化による熱衝撃により材料を割断する。
図7は、本実施形態に係る半導体デバイス製造装置1の加熱部20と冷却部30が、半導体ウェハ2の溝GVを加熱して冷却することにより割断する手法を説明する図である。この図7に示すように、加熱部20がレーザー照射を行い、溝GVを加熱した直後に、冷却部30が液体窒素を噴霧して溝GVを冷却する。
本実施形態においては、この半導体ウェハ2は、例えば、脆性材料の一種であるSiCにより構成されている。SiCの耐熱衝撃性は、温度差450℃であるが、ステップS12における溝掘りにより、溝GVに応力が集中することから、溝GVにおける耐熱衝撃性を365℃以下まで低下させている。このため、本実施形態においては、例えば、加熱部20のレーザー照射により溝GVを180℃まで加熱する。この180℃という温度では、ダイボンディング膜100は溶融しない。そして、加熱部20が溝GVを加熱したのに追随して、冷却部30により溝GVを液体窒素の噴霧により、−186℃まで冷却する。その温度差は、180℃+186℃=366℃となり、耐熱衝撃性の温度である365℃を超えている。このため、半導体ウェハ2は溝GVで割断されるのである。なお、加熱部20のレーザー照射により生成される180℃の温度が本実施形態に係る第1の温度に相当しており、冷却部30の液体窒素の噴霧により生成される−186℃の温度が本実施形態に係る第2の温度に相当する。
このことから分かるように、加熱部20で加熱した後に、冷却部30が冷却をするまでの時間は短いほど望ましい。これは、レーザー照射により加熱された溝GVも、時間が経過するに従って温度が低下してしまい、冷却部30による冷却で熱割断に必要な温度差を形成することができなくなってしまうからである。また、冷却部30による液体窒素が噴霧された際には、核沸騰による熱伝達が発生しており、半導体ウェハ2を急激に冷却することが可能となる。
本実施形態においては、この加熱部20による加熱と冷却部30による冷却を溝に対して行いながら、進行部40により、進行方向に半導体ウェハ2が進行する。このため、溝GVに沿って半導体ウェハ2が順次割断され、割断面SFが形成されてゆく。この割断を図2の半導体ウェハ2に形成した全ての溝GVに対して行うことにより、ステップS14及びステップS16は終了する。これにより、半導体ウェハ2に形成された複数の半導体デバイスDEが互いに分離されて個片化される。
次に、図4に示すように、半導体デバイス製造装置1の制御部50は、用意されているすべての半導体ウェハ2に対する割断処理が完了したかどうかを判断する(ステップS18)。すべての半導体ウェハ2の割断処理が完了していない場合(ステップS18:No)には、次の半導体ウェハ2を進行部40に載置して、上述したステップS10の位置設定から繰り返す。一方、すべての半導体ウェハ2に対する割断処理が完了した場合には、この図4に示す半導体ウェハ割断処理を終了する。
以上のように、本実施形態に係る半導体デバイス製造装置1によれば、半導体ウェハ2の一方の面に複数の半導体デバイスDEを個片化するための溝GVを形成し、その溝を加熱部20により加熱した後に、冷却部30で冷却することにより、溝GVで半導体ウェハ2を割断することとした。このため、熱割断プロセスにより、高硬度の半導体ウェハ2を割断して、個々の半導体デバイスDEに個片化することができる。
また、このように半導体ウェハ2を温度差により熱割断することにより、高い品質で、且つ、高い精度で、半導体ウェハ2に形成された複数の半導体デバイスDEを個片化することができる。さらに、従来のダイシングソーを用いて半導体ウェハ2を切断する処理よりも、高い処理能力を有しており、このため、高いスループットを実現することができる。
(第2実施形態)
上述した第1実施形態においては、半導体ウェハ2に形成された溝GVを加熱部20で加熱した後に、冷却部30で冷却することにより、溝GVにて半導体ウェハ2を割断する熱割断プロセスを行ったが、本実施形態においては、溝GVを冷却してから加熱することにより、その温度差で、半導体ウェハ2を溝GVで割断する熱割断プロセスを行うようにしたものである。以下、上述した第1実施形態と異なる部分を説明する。
上述した第1実施形態においては、半導体ウェハ2に形成された溝GVを加熱部20で加熱した後に、冷却部30で冷却することにより、溝GVにて半導体ウェハ2を割断する熱割断プロセスを行ったが、本実施形態においては、溝GVを冷却してから加熱することにより、その温度差で、半導体ウェハ2を溝GVで割断する熱割断プロセスを行うようにしたものである。以下、上述した第1実施形態と異なる部分を説明する。
図8は、本実施形態に係る半導体デバイス製造装置1の構成を説明するブロック図であり、上述した第1実施形態における図1に対応する図である。この図8に示すように、本実施形態に係る半導体デバイス製造装置1は、冷却部30に代えて、第1冷却部60と、第2冷却部70とを備えている。
第1冷却部60は、半導体ウェハ2の全体を冷却する冷却装置により構成されており、本実施形態においては、液体窒素を用いて−186℃まで半導体ウェハ2を冷却する能力を有している。第2冷却部70は、半導体ウェハ2に形成された溝を追加的に冷却する冷却装置により構成されており、例えば、液体窒素を噴霧する噴霧装置により構成されている。それ以外の構成は、上述した第1実施形態における半導体デバイス製造装置1と同様の構成である。
図9は、本実施形態に係る半導体ウェハ割断処理の内容を詳しく説明するフローチャートを示す図であり、上述した第1実施形態における図4に対応する図である。この図9に示すように、本実施形態に係る半導体ウェハ割断処理は、ステップS10の位置設定、及び、ステップS12の溝掘りまでは、上述した第1実施形態と同様である。
この溝掘り処理(ステップS12)の後、本実施形態においては、半導体デバイス製造装置1の第1冷却部60が、半導体ウェハ2の全体的な冷却を行う(ステップS30)。本実施形態においては、この第1冷却部60の冷却により、半導体ウェハ2は−186℃まで冷却される。
次に、図9に示すように、半導体デバイス製造装置1の第2冷却部70は、半導体ウェハ2の溝GVを追加的に冷却して、溝GVの温度を−186℃に維持する(ステップS32)。続いて、半導体デバイス製造装置1の加熱部20は、溝GVの加熱を行う(ステップS34)。本実施形態においては、レーザーによる加熱で、180℃まで加熱を行う。これにより、耐熱衝撃性を超える温度差である366℃(186℃+180℃)を形成し、溝GVで半導体ウェハ2の熱割断を行う。
この熱割断プロセスは、第1実施形態と同様に、進行部40により半導体ウェハ2を搬送しながら、溝GVに沿って行われる。そして、進行部40に載置された半導体ウェハ2の全ての溝GVの熱割断を行った後に、半導体ウェハ2に形成された複数の半導体ウェハの個片化が終わった後に、第1実施形態と同様に、用意された全ての半導体ウェハ2の熱割断が完了したかどうかの判断を行う(ステップS18)。
図10は、本実施形態における半導体デバイス製造装置1の第1冷却部60と第2冷却部70とが半導体ウェハ2の冷却を行い、その直後に、加熱部20が半導体ウェハ2の加熱を行うことにより、溝GVにて熱割断を行う手法を説明するための図である。
この図10に示すように、第1冷却部60は、半導体ウェハ2の全体を液体窒素により−186℃まで冷却する。次に、第2冷却部70は、半導体ウェハ2に形成された溝GVを追加的に冷却して、その温度を−186℃に維持する。そして、加熱部20が、レーザー照射により、溝GVを180℃まで加熱する。溝GVが形成されていることから、溝GVに応力が集中し、脆性材料の一種であるSiCにより形成された半導体ウェハ2を、溝GVの位置で割断することができる。なお、第2冷却部70が半導体ウェハ2の冷却を行った直後に、加熱部20が半導体ウェハ2の加熱を行いながら、進行部40が半導体ウェハ2を進行させることにより、溝GVに沿って冷却と加熱が連続的に行われるのは、上述した第1実施形態と同様である。
以上のように、本実施形態に係る半導体デバイス製造装置1によっても、半導体ウェハ2の一方の面に複数の半導体デバイスDEを個片化するための溝GVを形成し、第1冷却部60で予め冷却した後に、第2冷却部70が溝GVを追加的に冷却し、加熱部20で加熱することにより、溝GVで半導体ウェハ2の割断をすることとした。このため、熱割断プロセスにより、高硬度の半導体ウェハ2を割断して、個々の半導体デバイスDEに個片化することができる。
(第1実施形態及び第2実施形態の変形例)
上述した第1実施形態及び第2実施形態においては、半導体ウェハ2の一方の面にダイボンディング膜100を形成することとしたが、このダイボンディング膜100は熱割断プロセスの際に、必ずしも形成されている必要はない。すなわち、第1実施形態においては、図11に示すように、ダイボンディング膜100が形成されていない半導体ウェハ2の一方の面に溝GVを形成し、加熱部20により溝GVを加熱した後に、冷却部30により溝GVにより冷却して、熱割断を行うようにしてもよい。
上述した第1実施形態及び第2実施形態においては、半導体ウェハ2の一方の面にダイボンディング膜100を形成することとしたが、このダイボンディング膜100は熱割断プロセスの際に、必ずしも形成されている必要はない。すなわち、第1実施形態においては、図11に示すように、ダイボンディング膜100が形成されていない半導体ウェハ2の一方の面に溝GVを形成し、加熱部20により溝GVを加熱した後に、冷却部30により溝GVにより冷却して、熱割断を行うようにしてもよい。
また、第2実施形態においては、図12に示すように、ダイボンディング膜100が形成されていない半導体ウェハ2の一方の面に溝GVを形成し、第1冷却部60により半導体ウェハ2全体を冷却し、第2冷却部70で溝GVを追加的に冷却した後に、加熱部20により溝GVを加熱して、熱割断を行うようにしてもよい。これらの場合において、金属膜101は、半導体ウェハ2の一方の面に形成されていてもよいし、或いは、形成されていなくてもよい。
以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な装置および方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した装置および方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。
例えば、上述した実施形態においては、半導体ウェハ2を形成する脆性材料として、SiCを例示したが、GaN等の他の脆性材料で半導体ウェハ2を形成した場合にも、上述した実施形態で説明した熱割断プロセスにより、半導体ウェハ2を割断することができる。
1:半導体デバイス製造装置、2:半導体ウェハ、10:溝形成部、20:加熱部、30:冷却部、40:進行部、50:制御部、100:ダイボンディング膜、101:金属膜、102:第1のシート、104:第2のシート
Claims (10)
- 複数の半導体デバイスが形成された半導体ウェハの一方の面に、前記複数の半導体デバイスを個片化するための溝を形成する、溝形成部と、
前記溝を加熱する、加熱部と、
前記加熱部で前記溝を加熱した後に、前記溝を冷却し、前記溝で前記半導体ウェハを割断する、冷却部と、
を備える半導体デバイス製造装置。 - 前記加熱部は、第1の温度で、前記溝を加熱し、
前記冷却部は、第2の温度で、前記溝を冷却するとともに、
前記第1の温度と前記第2の温度との間の温度差が、前記半導体デバイスの前記溝における耐熱衝撃性を超える温度である、
請求項1に記載の半導体デバイス製造装置。 - 前記半導体ウェハの前記一方の面には、金属膜が形成されており、
前記金属膜の上には、ダイボンディング膜が形成されており、
前記溝形成部は、前記溝を形成する際に、前記ダイボンディング膜と前記金属膜とを個片化する、請求項1又は請求項2に記載の半導体デバイス製造装置。 - 前記冷却部は、液体窒素を用いて、前記溝を冷却する、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体デバイス製造装置。
- 前記加熱部は、レーザーを用いて、前記溝を加熱する、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の半導体デバイス製造装置。
- 前記加熱部は、前記溝に沿って加熱を行い、
前記冷却部は、前記加熱部が加熱した後を追随して冷却を行う、
請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の半導体デバイス製造装置。 - 前記半導体ウェハを割断する前記溝の方向に沿って、前記半導体ウェハを進行させる進行部をさらに備えており、
前記半導体ウェハが、前記進行部により前記溝の方向に沿って進行し、これにより、前記加熱部により前記溝を加熱する位置と、前記冷却部により前記溝を冷却する位置とが、前記溝に沿って進行する、請求項6に記載の半導体デバイス製造装置。 - 複数の半導体デバイスが形成された半導体ウェハの一方の面に、前記複数の半導体デバイスを個片化するための溝を形成する、溝形成部と、
前記半導体ウェハを冷却する、第1冷却部と、
前記溝を追加的に冷却する、第2冷却部と、
前記第2冷却部で前記溝を冷却した後に、前記溝を加熱し、前記溝で前記半導体ウェハを割断する、加熱部と、
を備える半導体デバイス製造装置。 - 複数の半導体デバイスが形成された半導体ウェハの一方の面に、前記複数の半導体デバイスを個片化するための溝を形成する工程と、
前記溝を加熱する工程と、
前記溝を加熱した後に、前記溝を冷却し、前記溝で前記半導体ウェハを割断する工程と、
を備える半導体デバイス製造方法。 - 複数の半導体デバイスが形成された半導体ウェハの一方の面に、前記複数の半導体デバイスを個片化するための溝を形成する工程と、
前記半導体ウェハを冷却する工程と、
前記溝を追加的に冷却する工程と、
前記溝を冷却した後に、前記溝を加熱し、前記溝で前記半導体ウェハを割断する工程と、
を備える半導体デバイス製造方法。
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