CN115000249A - 一种hit电池的生产工艺 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种HIT电池的生产工艺，涉及太阳能电池生产技术领域。HIT电池的生产工艺包括以下步骤：对硅片的一表面进行激光开槽形成切割槽；对激光开槽后的硅片进行清洗制绒；对清洗制绒后的硅片进行镀膜；对镀膜后的硅片进行急速冷却至所述硅片沿所述切割槽裂片成小片；同时对多片所述小片进行栅线印刷。本申请实施例的HIT电池的生产工艺通过工艺改变，能够降低甚至规避HIT电池制作组件时的激光切损。
Description
技术领域
本申请涉及太阳能电池生产技术领域，具体而言，涉及一种HIT电池的生产工艺。
背景技术
随着硅片尺寸不断增加，太阳能电池的面积越来越大，相应的，太阳能电池输出的电流也不断升高，而在太阳能电池组件发电时，高电流输出会产生较多的串阻损耗。根据公式P＝I2×R，当组件串阻一定，电流降低50％，串阻损耗即降低为原来的25％，因此目前常规的PERC(Passivated Emitter Rear Cell，发射极及背面钝化)电池制作的组件的电池片都是将原料硅片经过制绒、CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)、PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)、栅线印刷等工序后，再利用激光切割将镀膜后的电池片一分为二，并将切片进行串焊在一起形成组件。
HIT电池为一种异质结电池，由于HIT电池结构比较特殊，激光切割会对镀膜后的电池片本身造成比较大损伤，以此电池片切片制作组件，会大大降低HIT电池的CTM(CellTo Module，组件输出功率与电池片功率总和的百分比)。
因此需要一种新型的HIT电池的生产工艺来规避HIT电池制作组件时的激光切损。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种HIT电池的生产工艺，通过工艺改变，能够降低甚至规避HIT电池制作组件时的激光切损。
第一方面，本申请实施例提供了一种HIT电池的生产工艺，其包括以下步骤：
对硅片的一表面进行激光开槽形成切割槽；
对激光开槽后的硅片进行清洗制绒；
对清洗制绒后的硅片进行镀膜；
对镀膜后的硅片进行急速冷却至硅片沿切割槽裂片成小片；
同时对多片小片进行栅线印刷。
在上述技术方案中，通过改变HIT电池的生产工艺，在清洗制绒前进行一道激光切割(预切割)，再经过后续的清洗制绒、镀膜等工序后，利用经过镀膜后硅片的高温状态，将高温的硅片急速冷却，通过热应力使硅片沿预切割的切割槽自然分裂，实现了硅片低损耗甚至是无损耗的分割。正是由于该新生产工艺能够降低甚至规避HIT电池制作组件时的激光切损，从而能够保证HIT电池的CTM，同时可以进一步降低组件的串阻损耗和热斑效应。
在一种可能的实现方式中，激光开槽是利用激光在硅片的一表面形成至少一道贯通的切割槽，切割槽的槽型呈V型，深度为硅片厚度的1/4-1/3，切割槽的夹角为50°-70°。
在上述技术方案中，先在原料硅片的一表面加工出V型的切割槽，保证开槽后的硅片仍能保持为一个整体，以顺利进行后续各工序(清洗制绒、镀膜)的处理，不会在后续的工艺制程和搬运过程中自然开裂；而且经过急速冷却就能沿该切割槽自然分裂，实现低损甚至无损裂片。如果切割槽的深度或夹角过大，则硅片容易在激光开槽后至急速冷却之前的各工序过程中发生分裂，无法正常进行各工序处理；如果切割槽的深度或夹角太小，则无法保证硅片通过急速冷却实现自然分裂。
在一种可能的实现方式中，激光开槽采用的是振镜激光器，工作功率为50-100W，发射的激光光斑的直径为15-30μm。
在上述技术方案中，通过振镜激光器的工作参数设定，实现硅片表面特定规格切割槽的加工。
在一种可能的实现方式中，镀膜的方法包括：先采用PECVD在硅片表面生成PN结，再采用PVD在硅片表面镀导电膜。
在一种可能的实现方式中，通过对离开镀膜腔室的硅片喷射干冰实现急速冷却。
在上述技术方案中，通过对离开镀膜腔室的高温硅片喷射干冰，就能实现急速冷却，相较于对电池片切割(先激光开槽，再升温、急速冷却)的方式，操作简单，节约能源。
在一种可能的实现方式中，急速冷却是使硅片在0.2S的时间内由120-160℃降至10-20℃。
在上述技术方案中，一定冷却速率和冷却程度，能够保证硅片在热应力作用下自然分裂，如果冷却速率过缓或冷却程度不足，则无法保证硅片能够自然分裂；如果冷却速率过快或冷却程度过大，则容易发生切割槽以外位置的分裂。
在一种可能的实现方式中，同时印刷栅线的方法是将由同一片硅片分裂形成的小片精确对位并同步传送至印刷机下方进行印刷。
在上述技术方案中，每片硅片裂片形成的小片排列状态是杂乱不齐整的，经过精确对位并同步传送至印刷机下方后，实现了一次印刷多个小片的功能，相较于常规将每片硅片先印刷成电池片后分片的方式，保证了印刷的产能。
在一种可能的实现方式中，先同时在所有小片的背面印刷细栅、烘干、印刷主栅、烘干，将所有小片翻面后，再同时在小片的正面印刷细栅、烘干、印刷主栅、烘干，最后固化。
在一种可能的实现方式中，硅片的尺寸为180mm以上。
在上述技术方案中，本申请实施例的生产工艺能够规避大尺寸HIT电池制作组件时的激光切损。
在一种可能的实现方式中，还包括将印刷所得的多片电池片组装形成组件的步骤。
在上述技术方案中，将上述获得的多片电池片串焊在一起组装制作组件，能够保证CTM。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的一种HIT电池的生产工艺的工艺流程图；
图2为硅片进行激光开槽后的结构示意图；
图3为图2中A部分的截面图。
图标：100-硅片；110-切割槽。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
下面对本申请实施例的HIT电池的生产工艺进行具体说明。
请参看图1，本申请实施例提供一种HIT电池的生产工艺，其包括以下步骤：
S1、请参看图2，对硅片100的一表面进行激光开槽形成切割槽110。
本申请实施例中，硅片100的尺寸通常为180mm以上，比如182mm或210mm，甚至更大的尺寸，硅片100是指原料硅片100，具体是指表面未经镀膜的硅片100。
请结合参看图3(图3为图2中A部分沿所示的箭头方向的截面图)，激光开槽是利用激光在硅片100的单面形成至少一道贯通的切割槽110，切割槽110贯通硅片100一表面的相对两边，通常情况是在硅片100的表面形成2-4道间隔设置且相互平行的切割槽110，切割槽110的槽型呈V型，具体是指由槽口至槽底的宽度逐渐减小，切割槽110的槽底可以为尖角或圆角，深度为硅片100厚度的1/4-1/3，切割槽110的夹角α为50°-70°。
激光开槽采用的是振镜激光器，工作功率为50-100W，发射的激光光斑的直径为15-30μm，发射的激光路径为切割槽110的长度方向，在硅片100上重复扫描至少8次就可以形成切割槽110。
S2、对激光开槽后的硅片进行清洗制绒。
通常情况下，清洗制绒是将硅片转移至各个工艺槽内进行硅片的湿法工艺，工艺包包括但不限于臭氧工艺槽、盛放不同药水的溢流槽、SDE槽、制绒槽、清洗槽等。
S3、对清洗制绒后的硅片进行镀膜。
本申请实施例中，镀膜的方法包括：先采用PECVD在硅片表面生成PN结，再采用PVD在硅片表面镀导电膜。
作为一种实施方式，PECVD的工序是：I层镀膜(工艺原料为氢气、硅烷)——翻面——I层镀膜(工艺原料为氢气、硅烷)——N层镀膜(工艺原料为氢气、硅烷、磷烷)——翻面——P层镀膜(工艺原料为氢气、硅烷、硼烷、TMB)。
PVD的工序是：先正面镀膜(工艺气体为氢气、氧气、氩气)，再背面镀膜(工艺气体为氢气、氧气、氩气)。
S4、对镀膜后的硅片进行急速冷却至硅片沿切割槽裂片成小片。
本申请实施例中，通过对离开镀膜腔室、处于高温状态的硅片喷射干冰实现急速冷却，急速冷却一般是使硅片在0.2S的时间内由120-160℃降至10-20℃，利用硅片材料的热胀冷缩，瞬间的热量交换，使硅片按照激光切割的切割槽分裂。当然还可以采用其他手段，比如水冷、风冷等方法实现急速冷却，只需要能够实现硅片仅仅沿切割槽自然分裂即可。
S5、同时对多片小片进行栅线印刷。
本申请实施例中，同时印刷栅线的方法是将由同一片硅片分裂形成的小片精确对位并同步传送至印刷机下方进行印刷。
作为一种实施方式，先同时在所有小片的背面印刷细栅、烘干、印刷主栅、烘干，将所有小片翻面后，再同时在小片的正面印刷细栅、烘干、印刷主栅、烘干，最后固化。在上述过程中，印刷的刮刀压力一般为50-75N，烘干温度一般为110-125℃，固化温度一般为160-180℃。为了实施上述过程，可以通过设置4个印刷转台和4台烘箱、1台固化炉实现栅线印刷，每个印刷转台配备一台用来印刷特定栅线的印刷机。
S6、将印刷所得的多片电池片组装形成组件。
通常是将电池片先进行光注入增效、分选，再将合格的电池片串焊、组装形成组件。
以下结合实施例对本申请的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
本实施例提供一种HIT电池，其按照以下生产工艺过程进行制备：
(1)将厚度120μm的210mm正方片硅片放入激光设备的上料片盒内，取片机构吸取硅片后将硅片放置于传送同步带上，传送同步带将硅片运载至视觉识别工位，以获得硅片的中心坐标及偏移角度，并将视觉获得的信息的传递给机械手。
(2)机械手根据视觉传递的中心坐标和偏移角度调整机械手姿态，将硅片转移到切割平台上，切割平台开启负压吸附硅片，保证硅片在切割平台上保持精准对位姿态。
(3)开启振镜激光器，工作功率为80W，激光光斑20μm，激光路径为预设路径(三道切割槽)，沿每道预设路径在硅片上重复扫描10次，切割出可以将硅片四等分的三道切割槽，槽型为夹角约64°的V型槽，槽深约32μm。
(4)切割后的硅片由另一个机械手放置于下料同步带上，由下料机构将硅片插入花篮，插满花篮后，花篮退出下料机构，在花篮上安装好花篮压杆。
(5)将花篮4个一组放置在清洗制绒设备的上料台上，上料皮带将一组花篮转移到机械臂的勾取区域，通过机械手将每组花篮转移至各个工艺槽内进行硅片的湿法工艺。
1#槽为臭氧工艺槽，药液为HF、HCL、臭氧水、去离子水，室温下对硅片进行约3min处理，主要目的是去除硅片表面的激光切割残渣、有机物、无机物颗粒及金属离子。
2#槽为溢流槽，药液为去离子水，室温下氮气鼓泡，对硅片进行约3min处理，主要目的是清洗掉上个槽体药液残留，保证硅片不会影响下一个槽体的溶液浓度。
3#槽是SDE槽，药液为氢氧化钾和去离子水，约80℃的温度下，对硅片进行约对硅片进行约3min处理，主要目的是对硅片做去除硅片表面损伤层。
4#槽为溢流槽，药液为去离子水，室温下氮气鼓泡，对硅片进行约3min处理，主要目的是清洗掉上个槽体药液残留，保证硅片不会影响下一个槽体的溶液浓度。
5#槽为预清洗槽，药液为氢氧化钾、双氧水、去离子水，约80℃下对硅片进行约3min处理，主要目的是进一步对硅片表面进行清洗。
6#槽为溢流槽，药液为去离子水，室温下氮气鼓泡，对硅片进行约3min处理，主要目的是清洗掉上个槽体药液残留，保证硅片不会影响下一个槽体的溶液浓度。
7#槽为制绒槽，药液为氢氧化钾、制绒添加剂、去离子水，85℃下对硅片进行约3min处理，主要目的是利用碱溶液对硅片刻蚀的各向异性，使硅片表面生成绒面。
8#槽为溢流槽，药液为去离子水，室温下氮气鼓泡，对硅片进行约3min处理，主要目的是清洗掉上个槽体药液残留，保证硅片不会影响下一个槽体的溶液浓度。
9#槽为后清洗槽，药液为氢氧化钾、双氧水、去离子水，80℃下对硅片进行约3min处理，主要目的是清洗硅片表面的绒面。
10#槽为溢流槽，药液为去离子水，室温下氮气鼓泡，对硅片进行约3min处理，主要目的是清洗掉上个槽体药液残留，保证硅片不会影响下一个槽体的溶液浓度。
11#槽为抛光槽，药液为氢氟酸、盐酸、臭氧水、去离子水，25℃下对硅片进行约3min处理，主要目的是清洗硅片表面的绒面。
12#槽为溢流槽，药液为去离子水，室温下氮气鼓泡，对硅片进行约3min处理，主要目的是清洗掉上个槽体药液残留，保证硅片不会影响下一个槽体的溶液浓度。
13#槽为酸洗槽，药液为盐酸、双氧水、去离子水，65℃下对硅片进行约3min处理，主要目的是清洗硅片表面的绒面。
14#槽为溢流槽，药液为去离子水，室温下氮气鼓泡，对硅片进行约3min处理，主要目的是清洗掉上个槽体药液残留，保证硅片不会影响下一个槽体的溶液浓度。
15#槽为预脱水槽，药液为氢氟酸、去离子水，室温下对硅片进行约3min处理，主要目的是提高硅片表面的脱水能力。
16#槽为溢流槽，药液为去离子水，室温下氮气鼓泡，对硅片进行约3min处理，主要目的是清洗掉上个槽体药液残留，保证硅片不会影响下一个槽体的溶液浓度。
17#槽为烘干槽，氮气加热后对硅片表面和花篮进行烘干处理，烘干时间约6min。
(6)花篮和硅片烘干后，通过机械手将一组花篮运送至下料台上，拆除花篮压杆后转移到下一道工序。
(7)将清洗制绒后的硅片放入PECVD设备中镀膜生成PN结，镀膜顺序为：I层镀膜(工艺原料为氢气、硅烷，压力设定为1mabar，工艺温度为210摄氏度，等离子设定功率为1000W)——翻面——I层镀膜(工艺原料为氢气、硅烷，压力设定为1mabar，工艺温度为210摄氏度，等离子设定功率为1000W)——N层镀膜(工艺原料为氢气、硅烷、磷烷，压力设定为1.5mabar，工艺温度为220摄氏度，等离子设定功率为500W)——翻面——P层镀膜(工艺原料为氢气、硅烷、硼烷、TMB，压力设定为1.5mabar，工艺温度为220摄氏度，等离子设定功率为800W)，镀膜完成后的硅片通过自动化设备进入花篮，准备进入PVD设备。
(8)将硅片放入PVD托盘后，再放入PVD设备中进行PVD镀膜，正面镀膜的靶材功率为7KW，工艺气体为氢气、氧气、氩气，工艺温度为190℃，腔体压力为0.1Pa；背面镀膜靶材功率为6KW，工艺气体为氢气、氧气、氩气，工艺温度为190℃，腔体压力为0.1Pa。
(9)待PVD设备镀膜完成后，在PVD托盘承载硅片离开镀膜腔体后，立马对硅片喷射干冰冷却，使硅片温度从140℃骤降到15℃左右，使硅片沿三道切割槽分裂成四个小片。
(10)将分裂的小片自动化输送进入花篮，准备印刷。
(11)将花篮进入印刷上料机后，小片自动化传出，每片硅片分裂的小片为一组，进入背面细栅印刷站点：当小片随运输皮带到达相机工位时，拍照获得各个小片的位置和姿态信息后，调整机械手姿态进行抓取，并整齐排列到该印刷转台的台面上，并旋转至配套的印刷机下方进行印刷，印刷时的刮刀压力设置约为60N；印刷完成后小片进入烘箱进行烘干，烘干温度约120℃，烘干时间约3min。烘干完毕准备进入下一个印刷站点。
(12)每组小片离开烘箱后，进入背面主栅印刷站点：当小片随运输皮带到达相机工位时，拍照获得各个小片的位置和姿态信息后，调整机械手姿态进行抓取，并整齐排列到该印刷转台的台面上，并旋转至配套的印刷机下方进行印刷，印刷时刮刀压力设置约为60N；印刷完成后小片进入烘箱进行烘干，烘干温度约120℃，烘干时间约3min。烘干完毕准备进入下一个印刷站点。
(13)每组小片离开烘箱后，小片翻面，进入正面细栅印刷站点：当小片随运输皮带到达相机工位时，拍照获得各个小片的位置和姿态信息后，调整机械手姿态进行抓取，并整齐排列到该印刷转台的台面上，并进行印刷，印刷时刮刀压力设置约为60N；印刷完成后硅片进入烘箱进行烘干，烘干温度约120℃，烘干时间约3min。烘干完毕准备进入下一个印刷站点。
(14)每组小片离开烘箱后，进入正面主栅印刷站点。当小片随运输皮带到达相机工位时，拍照获得各个小片的位置和姿态信息后，调整机械手姿态进行抓取，并整齐排列到该印刷转台的台面上，并进行印刷，在印刷过程中，刮刀压力设置约为60N；印刷完成后硅片进入烘箱进行烘干。烘干温度约120℃，烘干时间约3min。
(15)烘干完毕后将所有小片送入固化炉，使印刷的浆料完全固化，固化温度约170℃，固化时间约6min，获得电池片。
(16)将烘干完毕后的电池片进入光注入炉进行光注入增效，光照强度约10个sun(1sun＝1000W/m2)，温度约150℃，工艺时间约6min。
(17)光注入增效完毕后将电池片进入电池分选机进行EL不良检测和效率测试并分档，至此HIT电池生产流程完毕。
实施例2
本实施例提供一种HIT电池，其生产工艺过程与实施例1的不同之处在于：
开启振镜激光器，在硅片单面切割出可以将硅片三等分的两道切割槽，槽型为夹角约55°的V型槽，槽深约38μm。
实施例3
本实施例提供一种HIT电池，其生产工艺过程与实施例1的不同之处在于：
待PVD设备镀膜完成后，在PVD托盘承载硅片离开镀膜腔体后，立马对硅片喷射干冰冷却，使硅片温度从160℃骤降到20℃左右，使硅片沿两道切割槽分裂成三个小片。
对比例1
本对比例提供一种HIT电池，其按照以下生产工艺过程进行制备：
(1)将厚度120μm的210mm正方片硅片插入花篮，插满花篮后，在花篮上安装好花篮压杆。
(2)将花篮4个一组放置在清洗制绒设备的上料台上，上料皮带将一组花篮转移到机械臂的勾取区域，通过机械手将每组花篮转移至各个工艺槽内进行硅片的湿法工艺，该施法工艺过程与实施例1相同。
(3)花篮和硅片烘干后，通过机械手将一组花篮运送至下料台上，拆除花篮压杆后转移到下一道工序。
(4)将清洗制绒后的硅片放入PECVD设备中镀膜生成PN结，镀膜工艺过程与实施例1相同，镀膜完成后的硅片通过自动化设备进入花篮，准备进入PVD设备。
(5)将硅片放入PVD托盘后，再放入PVD设备中进行PVD镀膜，镀膜工艺过程与实施例1相同，不再赘述。
(6)将完成镀膜的小片自动化输送进入花篮，准备印刷。
(7)将花篮进入印刷上料机后，硅片自动化传出，依次进入背面细栅印刷站点：当硅片随运输皮带到达相机工位时，拍照获得该硅片的位置和姿态信息后，调整机械手姿态进行抓取，并精准放置到该印刷转台的台面上，并旋转至配套的印刷机下方进行印刷，印刷完成后硅片进入烘箱进行烘干，印刷和烘干的工艺条件与实施例1基本相同。
(8)硅片离开烘箱后，依次进入背面主栅印刷站点：当硅片随运输皮带到达相机工位时，拍照获得该硅片的位置和姿态信息后，调整机械手姿态进行抓取，并精准放置到该印刷转台的台面上，并旋转至配套的印刷机下方进行印刷，印刷完成后硅片进入烘箱进行烘干，印刷和烘干的工艺条件与实施例1基本相同。
(9)硅片离开烘箱后，将硅片翻面，进入正面细栅印刷站点：当硅片随运输皮带到达相机工位时，拍照获得该硅片的位置和姿态信息后，调整机械手姿态进行抓取，并精准放置到该印刷转台的台面上，并进行印刷，印刷完成后硅片进入烘箱进行烘干，印刷和烘干的工艺条件与实施例1基本相同。
(10)硅片离开烘箱后，进入正面主栅印刷站点：当硅片随运输皮带到达相机工位时，拍照获得该硅片的位置和姿态信息后，调整机械手姿态进行抓取，并精准放置到该印刷转台的台面上，并进行印刷，印刷完成后硅片进入烘箱进行烘干，印刷和烘干的工艺条件与实施例1基本相同。
(11)烘干完毕后将所有硅片送入固化炉，使印刷的浆料完全固化，固化的工艺条件与实施例1相同，获得电池片。
(12)将电池片放置于传送同步带上，传送同步带将硅片运载至视觉识别工位，以获得电池片的中心坐标及偏移角度，并将视觉获得的信息的传递给机械手。
(13)机械手根据视觉传递的中心坐标和偏移角度调整机械手姿态，将硅片转移到切割平台上，切割平台开启负压吸附硅片，保证硅片在切割平台上保持精准对位姿态。
(14)开启振镜激光器，工作功率为90W，激光光斑20μm，激光路径为预设路径(三道切割槽)，沿每道预设路径在硅片上重复扫描12次，切割出可以将硅片四等分的三道切割槽，槽型为夹角约64°的V型槽，槽深约58μm。
(15)将切割后的电池片先加热至140℃，再立马对硅片喷射干冰冷却，使硅片温度从140℃骤降到15℃左右，使硅片沿三道切割槽分裂成四个电池片小片。
(16)将电池片小片进入光注入炉进行光注入增效，光注入的工艺条件与实施例1基本相同。
(17)将光注入增效完毕后将电池片小片进入电池分选机进行EL不良检测和效率测试并分档，至此HIT电池生产流程完毕。
对比例2
本对比例提供一种HIT电池，其生产工艺过程与实施例1的不同之处在于：
开启振镜激光器，在硅片单面切割出可以将硅片三等分的两道切割槽，槽型为夹角约55°的V型槽，槽深约45μm。
虽然硅片可以裂片成小片，但是小片温度过低后吸收空气中的水分，导致污染的不良。
对比例3
本对比例提供一种HIT电池，其生产工艺过程与实施例1的不同之处在于：
待PVD设备镀膜完成后，在PVD托盘承载硅片离开镀膜腔体后，立马对硅片喷射干冰冷却，使硅片温度从185℃骤降到10℃左右，很多硅片分裂成碎片，成为废片。
以下分别对实施例1-3和对比例1的HIT电池的CTM进行检测，结果如下表所示。
表1不同HIT电池的CTM结果
| CTM(％) | |
| 实施例1 | 99 |
| 实施例2 | 97.6 |
| 实施例3 | 97.6 |
| 对比例1 | 92 |
由表1可以看出：实施例1-3的HIT电池的CTM要明显大于对比例1的HIT电池的CTM，说明本申请实施例的新型生产工艺可以有效降低电池片的激光切损。
综上所述，本申请实施例的HIT电池的生产工艺通过工艺改变，能够降低甚至规避HIT电池制作组件时的激光切损。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种HIT电池的生产工艺，其特征在于，其包括以下步骤：
对硅片的一表面进行激光开槽形成切割槽；
对激光开槽后的硅片进行清洗制绒；
对清洗制绒后的硅片进行镀膜；
对镀膜后的硅片进行急速冷却至所述硅片沿所述切割槽裂片成小片；
同时对多片所述小片进行栅线印刷。
2.根据权利要求1所述的HIT电池的生产工艺，其特征在于，所述激光开槽是利用激光在所述硅片的一表面形成至少一道贯通的所述切割槽，所述切割槽的槽型呈V型，深度为所述硅片厚度的1/4-1/3，所述切割槽的夹角为50°-70°。
3.根据权利要求1或2所述的HIT电池的生产工艺，其特征在于，所述激光开槽采用的是振镜激光器，工作功率为50-100W，发射的激光光斑的直径为15-30μm。
4.根据权利要求1所述的HIT电池的生产工艺，其特征在于，所述镀膜的方法包括：先采用PECVD在所述硅片表面生成PN结，再采用PVD在所述硅片表面镀导电膜。
5.根据权利要求1所述的HIT电池的生产工艺，其特征在于，通过对离开镀膜腔室的所述硅片喷射干冰实现急速冷却。
6.根据权利要求1或5所述的HIT电池的生产工艺，其特征在于，所述急速冷却是使所述硅片在0.2S的时间内由120-160℃降至10-20℃。
7.根据权利要求1所述的HIT电池的生产工艺，其特征在于，同时印刷栅线的方法是将由同一片所述硅片分裂形成的所述小片精确对位并同步传送至印刷机下方进行印刷。
8.根据权利要求7所述的HIT电池的生产工艺，其特征在于，先同时在所有所述小片的背面印刷细栅、烘干、印刷主栅、烘干，将所有所述小片翻面后，再同时在所述小片的正面印刷细栅、烘干、印刷主栅、烘干，最后固化。
9.根据权利要求1所述的HIT电池的生产工艺，其特征在于，所述硅片的尺寸为180mm以上。
10.根据权利要求1所述的HIT电池的生产工艺，其特征在于，还包括将印刷所得的多片电池片组装形成组件的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210626208.9A CN115000249A (zh) | 2022-06-02 | 2022-06-02 | 一种hit电池的生产工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202210626208.9A CN115000249A (zh) | 2022-06-02 | 2022-06-02 | 一种hit电池的生产工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115000249A true CN115000249A (zh) | 2022-09-02 |
Family
ID=83030838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210626208.9A Pending CN115000249A (zh) | 2022-06-02 | 2022-06-02 | 一种hit电池的生产工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115000249A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130337633A1 (en) * | 2012-06-18 | 2013-12-19 | Michael J. Seddon | Semiconductor die singulation method |
| US20190088548A1 (en) * | 2017-09-20 | 2019-03-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| CN111326606A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-06-23 | 苏州光汇新能源科技有限公司 | N型分片太阳能电池结构及其制作方法 |
-
2022
- 2022-06-02 CN CN202210626208.9A patent/CN115000249A/zh active Pending
Patent Citations (3)
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