JP6417828B2 - パターニング基板のブレイク方法並びにブレイク装置 - Google Patents
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Description
図1、図2に示すように、分断すべきパターニング基板Wをダイシングリング1に張設された伸縮可能なエキスパンドテープ(一般的にはダイシングテープともいう)2に貼り付け、焦点Pを基板内部に合わせてレーザ光をパターニング基板Wに照射して、基板内部に多光子吸収による改質領域の分断起点5を分断予定ラインLに沿って形成する。
次いで、図9、図10に示すように、パターニング基板Wを上側にした状態でエキスパンドテープ2を昇降台16’上に載せ、昇降台16’を上昇させてエキスパンドテープ2を伸張(エキスパンド)させることにより、エキスパンドテープ2に貼り付けたパターニング基板Wに引張応力を生じさせて、分断起点5からパターニング基板Wを分断する。
分断起点の形成は、レーザ(例えば、紫外線(UV)レーザ)照射による基板表面でのアブレーション(溝形成)や改質領域の形成、基板内部での改質領域の形成によって行ってもよいし、レーザ(例えば、赤外線(IR)レーザ)による加熱と冷却とによる熱応力亀裂伸展によって行ってもよい。
なお、本発明では、上記したように、レーザ光により形成された多光子吸収による基板表面又は内部に形成された改質領域、アブレーションにより形成された溝並びに熱応力分布による亀裂を含め、総称して「分断起点」という。
しかし、このブレイク方法では、図5(a)の平面図並びに図5(b)の断面図に示すように、分断予定ラインL、すなわち、レーザ光を照射するストリート上にTEG等のパターン13があると、レーザ光の透過を阻害して充分な分断起点を形成することができない場合がある。したがって、次のエキスパンドブレイク工程でエキスパンドテープ2を伸張させたときに、未分離が生じたり、あるいは分断予定ラインL以外で枝状クラックや分断が生じたり、電子回路パターンが破損したりするなどのダメージが発生するといった問題点があった。
ここで、「TEG」とは、加工プロセスによって所望のデバイスが形成できているかを評価するために、本体デバイスとは別に作られる半導体素子のことである。TEGには、配線抵抗測定、ビアホール抵抗測定、パーティクルによるパターン欠損測定、ダイオード特性測定、ショート、リーク測定など種々のものがある。
本明細書において、指定箇所に外圧を加えて「パターニング基板を撓ませること」には、例えば、指定箇所をブレイクバーで叩くように押圧して「パターニング基板を屈曲させること」も含まれるものとし、以下についても同様とする。
また、前記分断起点は、前記パターニング基板表面に対してレーザ光を走査しながら照射加熱するとともに、これに追従して冷却機構のノズルから加熱領域に冷媒を噴射することによって、先行の加熱によって生じる圧縮応力と、次の急冷によって生じる引張応力とによる基板厚み方向の応力分布により、前記パターニング基板の表面に亀裂を生じさせることによって形成するようにしてもよい。
すなわち、分断起点の形成は、レーザ(例えば、紫外線(UV)レーザ)照射による基板表面でのアブレーション(溝形成)や改質領域の形成、基板内部での改質領域の形成によるものであってもよいし、レーザ(例えば、赤外線(IR)レーザ)による加熱と冷却とによる熱応力亀裂伸展によるものであってもよい。
本発明のブレイク方法及びブレイク装置では、ガラスやセラミック、シリコン等の脆性材料基板の表面に、電子回路やTEG等のパターンが形成されたパターニング基板Wがブレイク対象となる。
すなわち、図3に示すように、エキスパンドテープ2に貼り付けたパターニング基板Wの表面に対してレーザ照射部4からレーザ光を走査しながら照射加熱するとともに、これに追従して冷却機構のノズル6から加熱領域に冷媒を噴射する。このときの加熱による圧縮応力と、次の急冷による引張応力とによる基板厚み方向の熱応力分布(温度分布)によって、パターニング基板Wの表面に分断予定ラインLに沿って初期亀裂(クラック)が伸展、すなわち、分断起点5となる連続して伸展する亀裂を形成することができる。
指定箇所ブレイク装置Bの台盤7の中間部分は中空に形成されており、この中空部9に、平らな上面を有する受刃11が上下位置調整可能に配置されている。受刃11は、パターニング基板Wの分断すべき分断予定ラインL、すなわち、分断起点5を挟んでその両脇部分を受ける左右一対の受刃11a、11bを形成する。また、左右の受刃11a、11bの上方には、先端を尖らせた板状のブレイク刃12が昇降可能に配置されている。なお、受刃11並びにブレイク刃12は、同調して中空部9内で図4の左右方向(矢印方向)に移動してその位置を変えることができるように形成されている。
そして、図6に示すように、ブレイク刃12を下降させて、ブレイク刃12と受刃11a、11bとによる3点曲げモーメントによってパターニング基板Wを叩くように押圧することにより屈曲させて指定箇所をブレイクする。なお、このブレイク時には、パターニング基板Wの下側表面に柔軟な保護シート8を配置しておくのが好ましい。
図7はエキスパンドブレイク装置Cを示すものであって、ダイシングリング1を載置固定するための台盤14を備えている。台盤14の中間部分は中空に形成されており、この中空部15にパターニング基板Wを受ける昇降台16が配置されている。昇降台16はシリンダ等の昇降機構17によって上下に昇降できるように形成されている。
また、エキスパンドテープ2を伸張させた状態で、パターニング基板W(個々に分断された単位デバイス)を他のダイシングリング(エキスパンドテープ)に貼り付け直してもよい。この場合、伸張されていない状態の新たなエキスパンドテープに個々に分断された単位デバイスが貼り付けられた状態となるので、エキスパンドテープからの個々に分断された単位デバイスの取り出し(ピックアップ)が容易になる。
まず、エキスパンドテープ2に貼り付けたパターニング基板Wを観測して分断予定ラインL上にあるTEGの位置を確認する(S1)。パターニング基板Wの観測は、エキスパンドテープ2に貼り付ける前であってもよい。
続いて、本実施例では、分断予定ライン上にTEGがある箇所をブレイク刃12によるブレイク指定箇所として加工レシピを作成する(S2)。
次いで、レーザ加工により分断予定ラインLに沿った分断起点5を加工する(S3)。
続いて、加工レシピに基づいて、ブレイク刃12により指定箇所をブレイクする(S4)。
次いで、エキスパンドブレイク装置Cでエキスパンドテープ2を伸張させ、パターニング基板Wをエキスパンドすることにより分断起点5から全ての分断予定ラインLを同時にブレイクする(S5)。
例えば、上記実施例では、ブレイク工程において、エキスパンドテープ2に貼り付けられたパターニング基板Wを受刃11で支持する形態としたが、通常のテーブルで支持する形態としても実施可能である。なお、パターニング基板をテーブルで支持する場合には、テーブル表面に弾性体を配置し、弾性体を介して支持することが好ましい。
B 指定箇所ブレイク装置
C エキスパンドブレイク装置
L 分断予定ライン
W パターニング基板
1 ダイシングリング
2 エキスパンドテープ
5 分断起点
11 受刃
12 ブレイク刃
13 TEGパターン
16 昇降台
Claims (5)
- 脆性材料基板の表面に電子回路パターンが形成されたパターニング基板のブレイク方法であって、
分断すべきパターニング基板を伸縮性のあるエキスパンドテープに貼り付け、前記パターニング基板の表面に対してレーザ光を照射することにより分断予定ラインに沿った複数の分断起点を形成するレーザ加工工程と、
前記分断予定ライン上に跨がってレーザ光の透過を阻害するパターンが形成されている箇所を指定箇所とし、この指定箇所に外圧を加えて前記パターニング基板を撓ませることによりブレイクする指定箇所ブレイク工程と、
前記エキスパンドテープを伸張させることにより前記パターニング基板に引張応力を負荷させて、前記分断起点から全ての分断予定ラインを分断するエキスパンドブレイク工程とからなるパターニング基板のブレイク方法。 - 前記分断起点は、レーザ光の焦点を前記パターニング基板の内部に合わせて照射して、基板内部に多光子吸収による改質領域を生じさせることにより形成されている請求項1に記載のパターニング基板のブレイク方法。
- 前記分断起点は、前記パターニング基板表面に対してレーザ光を走査しながら照射加熱するとともに、これに追従して冷却機構のノズルから加熱領域に冷媒を噴射することによって、先行の加熱によって生じる圧縮応力と、次の急冷によって生じる引張応力とによる基板厚み方向の応力分布により、前記パターニング基板の表面に亀裂を生じさせることにより形成するようにした請求項1に記載のパターニング基板のブレイク方法。
- 前記指定箇所ブレイク工程は、先端を尖らせた板状のブレイク刃を、指定箇所の分断予定ラインに押し付けることにより前記パターニング基板を撓ませて前記分断予定ラインから分断するようにした請求項1〜請求項3のいずれかに記載のパターニング基板のブレイク方法。
- 脆性材料基板の表面に電子回路パターンが形成されたパターニング基板のブレイク装置であって、
エキスパンドテープに貼り付けた前記パターニング基板の表面に対し、レーザ光を照射して分断予定ラインに沿った複数の分断起点を形成するレーザ照射部を備えたレーザ加工装置と、
前記分断予定ライン上に跨がってレーザ光の透過を阻害するパターンが形成されている箇所を指定箇所とし、この指定箇所を押圧して前記パターニング基板を撓ませることによりブレイクするブレイク刃を備えた指定箇所ブレイク装置と、
前記エキスパンドテープを伸張させることにより前記パターニング基板に引張応力を負荷させて、前記分断起点から全ての分断予定ラインを分断するエキスパンドブレイク装置とからなるパターニング基板のブレイク装置。
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