TWI655046B - Method for disconnecting patterned substrate and disconnecting device - Google Patents

Method for disconnecting patterned substrate and disconnecting device Download PDF

Info

Publication number
TWI655046B
TWI655046B TW104122533A TW104122533A TWI655046B TW I655046 B TWI655046 B TW I655046B TW 104122533 A TW104122533 A TW 104122533A TW 104122533 A TW104122533 A TW 104122533A TW I655046 B TWI655046 B TW I655046B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
patterned substrate
breaking
designated portion
laser
substrate
Prior art date
Application number
TW104122533A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201611929A (en
Inventor
武田真和
宮川學
Original Assignee
日商三星鑽石工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商三星鑽石工業股份有限公司 filed Critical 日商三星鑽石工業股份有限公司
Publication of TW201611929A publication Critical patent/TW201611929A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI655046B publication Critical patent/TWI655046B/zh

Links

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)

Abstract

提供一種不發生未分離和基板損傷的採用伸展方式的圖案化基板的斷開方法及斷開裝置。其是在脆性材料基板的表面形成有電子電路圖案的圖案化基板的斷開方法及裝置,包括:雷射加工步驟(雷射加工裝置(A)),將圖案化基板(W)黏貼於伸展膠帶(2),對圖案化基板(W)的表面照射雷射而形成沿著預定斷開線(L)的複數個斷開起點(5);指定部位斷開步驟(指定部位斷開裝置(B)),將需在雷射加工步驟中形成的斷開起點(5)不完全的部分作為指定部位,對該指定部位施加外壓而使圖案化基板(W)撓曲,使之斷開;及伸展斷開步驟(伸展斷開裝置(C)),使伸展膠帶(2)拉伸而對圖案化基板(W)施加拉張應力,將所有的預定斷開線(L)斷開。

Description

圖案化基板的斷開方法及斷開裝置
本發明有關將在玻璃、陶瓷或矽等脆性材料基板的表面形成有精細的電子電路圖案的圖案化基板斷開為一個個器件的斷開方法及斷開裝置。
先前技術中,例如,專利文獻1等中披露了一種下述的斷開方法,其中,通過對基板的表面照射雷射並使其焦點合於基板內部,從而沿著預定斷開線在基板內部形成因多光子吸收而形成的改性區域(裂縫區域、熔融處理區域、折射率變化區域),然後,對基板施加拉張應力,以改性區域為起點而使基板斷開,該方法即所謂的“伸展(expand)方式”的斷開方法。
參照圖1、圖2及圖9、圖10,對該“伸展方式”的斷開方法進行說明。
如圖1、圖2所示,將需斷開的圖案化基板W黏貼在張設於切割環1的可伸縮伸展膠帶(一般也稱為切割膠帶)2上,使焦點P合於基板內部來對圖案化基板W照射雷射,從而沿著預定斷開線L,在基板內部形成因多光子吸收而形成的改性區域的斷開起點5。
接下來,如圖9、圖10所示,在使圖案化基板W位於上側的狀態下,將伸展膠帶2置於升降台16’上,使升 降台16’上升而使伸展膠帶2拉伸(伸展),從而使得黏貼於伸展膠帶2的圖案化基板W上產生拉張應力,從斷開起點5將圖案化基板W斷開。
斷開起點的形成也可以通過利用熱應力分布的初始裂紋擴展方法形成。如圖3所示,這種方法是對黏貼於伸展膠帶2的圖案化基板W的表面形成初始裂紋(trigger crack),從初始裂紋開始邊掃描雷射邊照射加熱,並隨之從冷卻機構的噴嘴6向加熱區域噴射冷卻劑。通過此時的加熱引起的壓縮應力、以及接下來的速冷引起的拉張應力所致的基板厚度方向的熱應力分布(溫度分布),從而使初始裂紋(crack)沿著預定斷開線在圖案化基板W的表面擴展。可以將該擴展的裂紋作為斷開起點5。
斷開起點的形成也可以通過利用雷射(例如,紫外線(UV)雷射)照射而在基板表面形成消融(形成槽)、改性區域、在基板內部形成改性區域來進行,還可以通過藉助雷射(例如,紅外線(IR)雷射)的加熱和冷卻所引起的熱應力裂紋擴展來進行。
需要說明的是,在本發明中,如上所述,包含因利用雷射所形成的多光子吸收而在基板表面或內部形成的改性區域、通過消融形成的槽、以及根據熱應力分布形成的裂紋在內地將它們統稱為“斷開起點”。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1:日本特開2003-334812號公報。
上述“伸展方式”的斷開方法中,通過使伸展膠帶拉伸而將沿著預定斷開線形成的斷開起點斷開,因此,能夠以較小的力同時將多條預定斷開線斷開。
然而,採用這種斷開方法的話,如圖5的(a)的俯視圖和圖5的(b)的剖面圖所示,當在預定斷開線L、即照射雷射的道(street)上存在TEG等圖案13時,其有時會阻礙雷射的透過而不能形成充分的斷開起點。因此,在下一伸展斷開步驟中使伸展膠帶2拉伸時,會產生下述問題:亦即,發生未分離、或在預定斷開線L以外產生枝狀裂紋或斷開、或電子電路圖案破損等損傷將會發生等。
在此,“TEG”是指,為了評價是否已根據加工工程形成了期望的器件而與主體器件分開製作的半導體元件。TEG中有布線電阻測定、通孔電阻測定、微粒所致的圖案缺損測定、二極體特性測定、短路、洩漏測定等各種元素。
本發明的目的在於,提供一種可解決上述先前技術問題、且不會發生未分離和基板損傷的新的斷開方法及斷開裝置。
為了達到上述目的,本發明中採取了下述的技術方案。即,本發明的斷開方法是圖案化基板的斷開方法,其中,所述圖案化基板在玻璃、陶瓷、或矽等脆性材料基板的表面形成有電子電路圖案,所述斷開方法包括:雷射加 工步驟,將需斷開的圖案化基板黏貼於具有伸縮性的伸展膠帶,通過對所述圖案化基板的表面照射雷射,從而形成沿著預定斷開線的複數個斷開起點;指定部位斷開步驟,將需在所述雷射加工步驟中形成的斷開起點形成得不完全的部分作為指定部位,並對該指定部位施加外壓而使所述圖案化基板撓曲,從而使該指定部位斷開;以及伸展斷開步驟,通過使所述伸展膠帶拉伸而對所述圖案化基板施加拉張應力,從而從所述斷開起點開始,將所有的預定斷開線斷開。
在本說明書中,對指定部位施加外壓而“使圖案化基板撓曲”也包括例如用斷開棒以敲擊方式壓指定部位而“使圖案化基板彎曲”,以下也同樣。
而且,本發明是一種圖案化基板的斷開裝置,其中,所述圖案化基板在脆性材料基板的表面形成有電子電路圖案,所述斷開裝置的特徵也在於下述構成:亦即,包括:雷射加工裝置,具有對黏貼於伸展膠帶的所述圖案化基板的表面照射雷射而形成沿著預定斷開線的複數個斷開起點的雷射照射部;指定部位斷開裝置,具有將需由所述雷射加工裝置形成的斷開起點形成得不完全的部分作為指定部位並壓該指定部位而使所述圖案化基板撓曲、從而使該指定部位斷開的斷開刀片;以及伸展斷開裝置,通過使所述伸展膠帶拉伸而對所述圖案化基板施加拉張應力,從而從所述斷開起點開始,將所有的預定斷開線斷開。
所述斷開起點可以通過使雷射的焦點合於所述圖案化 基板的內部來進行照射、從而在基板內部產生因多光子吸收所致的改性區域而形成。
而且,所述斷開起點也可以通過對所述圖案化基板表面邊掃描雷射,邊照射加熱,並隨之從冷卻機構的噴嘴對加熱區域噴射冷卻劑,從而通過因前面的加熱而產生的壓縮應力、和因後面的速冷而產生的拉張應力所致的基板厚度方向的應力分布,使所述圖案化基板的表面產生裂紋而形成。
也就是說,斷開起點既可以通過利用雷射(例如,紫外線(UV)雷射)照射而在基板表面形成消融(形成槽)、改性區域、在基板內部形成改性區域來形成,還可以通過藉助雷射(例如,紅外線(IR)雷射)的加熱和冷卻所引起的熱應力裂紋擴展來形成。
根據本發明的斷開方法,將需在前面的雷射加工步驟中形成的斷開起點形成得不完全而可能在後續的伸展斷開步驟中發生未分離的部分作為指定部位,並對該指定部位施加外壓而使圖案化基板撓曲,從而將該指定部位先行斷開。由此,可以防止在接下來的伸展斷開步驟中使伸展膠帶拉伸而使圖案化基板斷開時產生未分離的指定部位,並能抑制在預定斷開線以外產生枝狀裂紋或斷開、或電子電路破損等損傷的發生,可以得到端面強度優異的高精度的單位器件。
在上述指定部位斷開步驟中,較佳通過將前端尖的板 狀的斷開刀片壓抵於指定部位的預定斷開線而使所述圖案化基板撓曲(彎曲),從而從所述預定斷開線斷開。由此,可以將圖案化基板可靠地從指定部位斷開。
A‧‧‧雷射加工裝置
B‧‧‧指定部位斷開裝置
C‧‧‧伸展斷開裝置
L‧‧‧預定斷開線
W‧‧‧圖案化基板
P‧‧‧焦點
1‧‧‧切割環
2‧‧‧伸展膠帶
3‧‧‧工作台
4‧‧‧雷射照射部
5‧‧‧斷開起點
6‧‧‧噴嘴
7‧‧‧台座
8‧‧‧保護片
9‧‧‧中空部
11、11a、11b‧‧‧定刀片
12‧‧‧斷開刀片
13‧‧‧TEG等圖案
14‧‧‧台座
15‧‧‧中空部
16、16’‧‧‧升降台
17‧‧‧升降機構
圖1是示出將作為斷開對象的圖案化基板黏貼於了切割環的伸展膠帶的狀態的立體圖。
圖2是示出斷開起點的加工例的說明圖。
圖3是示出斷開起點的另一加工例的說明圖。
圖4是簡要示出指定部位斷開裝置的剖面圖。
圖5的(a)和(b)是示出在圖案化基板的預定斷開線上具有TEG圖案的狀態的俯視圖和剖面圖。
圖6是示出利用指定部位斷開裝置使指定部位斷開的狀態的剖面圖。
圖7的(a)和(b)是簡要示出伸展斷開裝置的剖面圖。
圖8是本發明的斷開方法的流程圖。
圖9是說明以往的伸展方式下的斷開方法的剖面圖。
圖10是示出使圖9的升降台上升後的伸展膠帶的拉伸狀態的剖面圖。
以下,根據附圖,對本發明有關的斷開方法和斷開裝置的詳情進行詳細的說明。
本發明的斷開方法和斷開裝置以在玻璃、陶瓷、或矽等脆性材料基板的表面形成有電子電路、TEG等圖案的圖案化基板W為斷開對象。
如圖1、圖2所示,圖案化基板W被黏貼於由切割環1支撑的具有伸縮性的伸展膠帶2,並被放置在雷射加工裝置A的工作台3上。然後,從雷射照射部4,使焦點P合於基板內部地對圖案化基板W的表面照射雷射,沿著X方向(或Y方向)的預定斷開線L在基板內部形成因多光子吸收而形成的改性區域(變脆弱的熔融處理區域等)、即斷開起點5。沿所有X方向的預定斷開線形成斷開起點5之後,使工作台3旋轉等,從而沿著Y方向的預定斷開線L形成斷開起點5(雷射加工步驟)。
如上所述,通過利用熱應力分布的方法也可以加工形成斷開起點5。
即,如圖3所示,從雷射照射部4對黏貼於伸展膠帶2的圖案化基板W的表面邊掃描雷射,邊照射加熱,並隨之從冷卻機構的噴嘴6對加熱區域噴射冷卻劑。通過此時的加熱引起的壓縮應力、以及接下來的速冷引起的拉張應力所致的基板厚度方向的熱應力分布(溫度分布),從而能夠使初始裂紋(crack)沿著預定斷開線L在圖案化基板W的表面擴展,也就是說,可以形成作為斷開起點5的連續擴展的裂紋。
接下來,如圖4所示,在使圖案化基板W位於下側的狀態下,將切割環1放置固定於指定部位斷開裝置B的台座7上。
指定部位斷開裝置B的台座7的中間部分形成為中空,在該中空部9配置有可上下調整位置的具有平的上表 面的定刀片11。定刀片11形成有左右一對的定刀片11a、11b,該左右一對的定刀片11a、11b以夾著圖案化基板W的需斷開的預定斷開線L、即夾著斷開起點5的方式承接其兩側部分。而且,在左右的定刀片11a、11b的上方以可升降的方式配置有前端尖的板狀的斷開刀片12。需要說明的是,定刀片11及斷開刀片12形成為能夠同步地在中空部9內沿圖4的左右方向(箭頭方向)移動而改變其位置。
在上述的雷射加工步驟中,如圖5所示,當在圖案化基板W的預定斷開線L、即照射雷射的道(street)上存在例如TEG等圖案13時,其會在照射雷射時阻礙雷射的透過而無法形成充分的斷開起點,往往會形成得不完全而留有殘餘。由於可以通過觀察需加工的圖案化基板W來預先確認位於預定斷開線L上的TEG等圖案13的位置,因此,將該位置作為指定部位,首先用斷開刀片12進行斷開。也就是說,制訂指定部位加工處方,並將該資料輸入附帶的計算機,從而基於該指定部位加工處方使斷開刀片12及定刀片11a、11b的位置移動。
於是,如圖6所示,使斷開刀片12下降,通過由斷開刀片12和定刀片11a、11b形成的三點彎矩,以敲擊方式壓圖案化基板W而使其彎曲,將指定部位斷開。需要說明的是,在進行這樣的斷開時,較佳在圖案化基板W的下側表面配置柔軟的保護片8。
接下來,通過伸展斷開裝置C進行伸展斷開步驟,使所有的預定斷開線L斷開。
圖7示出了伸展斷開裝置C,其具有用於放置固定切割環1的台座14。台座14的中間部分形成為中空,在該中空部15配置有接收圖案化基板W的升降台16。升降台16形成為可藉助氣缸等升降機構17而上下升降。
在進行伸展斷開步驟時,如圖7的(a)所示,將切割環1翻轉而使其以圖案化基板W朝上的狀態放置固定於台座14上。
此時,先去除保護片8。然後,如圖7的(b)所示,利用升降機構17使升降台16上升而使伸展膠帶2拉伸。通過該拉伸,黏貼於伸展膠帶2的圖案化基板W如箭頭所示,受到向外的拉張應力而從斷開起點5斷開,所有的預定斷開線L均被斷開。斷開成單個的單位器件在黏貼於伸展膠帶2的狀態下被取出。
而且,也可以在拉伸伸展膠帶2的狀態下將圖案化基板W(斷開成單個的單位器件)重新黏貼在其它的切割環(伸展膠帶)上。在這種情况下,由於狀態變為斷開成單個的單位器件被黏貼在未拉伸狀態的新的伸展膠帶上,因此,可以容易地從伸展膠帶取出(拾取)被斷開成單個的單位器件。
如圖8所示,以流程圖簡要地示出上述斷開方法的步驟。
首先,對黏貼在伸展膠帶2上的圖案化基板W進行觀察,確認位於預定斷開線L上的TEG的位置(S1)。圖案化基板W的觀察也可以在黏貼於伸展膠帶2之前進行。
接下來,在本實施例中,將預定斷開線L上有TEG的部位作為用斷開刀片12進行處理的斷開指定部位,並制訂加工處方(S2)。
接下來,通過雷射加工,加工沿著預定斷開線L的斷開起點5(S3)。
接下來,根據加工處方,用斷開刀片12將指定部位斷開(S4)。
接下來,通過伸展斷開裝置C使伸展膠帶2拉伸而使圖案化基板W伸展,從而從斷開起點5開始,同時將所有的預定斷開線L斷開(S5)。
如上所述,根據本斷開方法,將需在前面的雷射加工步驟中形成在圖案化基板W上的斷開起點5形成得不完全而可能在後續的伸展斷開步驟中發生未分離的部分作為指定部位,並用斷開刀片12施加外壓而使圖案化基板W撓曲,從而將該指定部位先行斷開。由此,可以防止在接下來的伸展斷開步驟中使伸展膠帶2拉伸時產生未分離部位,並能抑制在預定斷開線以外產生枝狀裂紋或斷開、或電子電路圖案破損等損傷的發生,可以得到端面強度優異的高精度的單位器件。
以上,對本發明的代表性實施例進行了說明,但本發明並不僅限於上述的實施例結構,可在達到其目的且不脫離權利要求書的範圍內適當進行修改、變更。
例如,上述實施例中,在斷開步驟中採用的是以定刀片11支撑黏貼於伸展膠帶2的圖案化基板W的方式,但 也可以採用用普通工作台支撑的方式來加以實施。需要說明的是,在用工作台支撑圖案化基板的情况下,較佳在工作台表面配置彈性體,經由彈性體來進行支撑。
(產業可利用性)
本發明適用於以伸展方式使在玻璃、陶瓷等脆性材料基板的表面形成有電子電路圖案、薄膜的圖案化基板斷開。

Claims (5)

  1. 一種圖案化基板的斷開方法,前述圖案化基板在脆性材料基板的表面形成有電子電路圖案,前述圖案化基板的斷開方法包括:雷射加工步驟,將需斷開的前述圖案化基板黏貼於具有伸縮性的伸展膠帶,通過對前述圖案化基板的表面照射雷射,從而形成沿著預定斷開線的複數個斷開起點;指定部位斷開步驟,將跨越前述預定斷開線上地形成有阻礙前述雷射的透過的圖案的部位作為指定部位,並對該指定部位施加外壓而使前述圖案化基板撓曲,從而使該指定部位斷開;以及伸展斷開步驟,通過使前述伸展膠帶拉伸而對前述圖案化基板施加拉張應力,從而從前述斷開起點開始,將所有的前述預定斷開線斷開。
  2. 如請求項1所記載的圖案化基板的斷開方法,其中,前述斷開起點是通過使前述雷射的焦點合於前述圖案化基板的內部來進行照射、從而在基板內部產生因多光子吸收所致的改性區域而形成的。
  3. 如請求項1所記載的圖案化基板的斷開方法,其中,前述斷開起點是通過對前述圖案化基板的前述表面邊掃描前述雷射,邊照射加熱,並隨之從冷卻機構的噴嘴對加熱區域噴射冷卻劑,從而通過因前面的加熱而產生的壓縮應力、和因後面的速冷而產生的拉張應力所 致的基板厚度方向的應力分布,使前述圖案化基板的前述表面產生裂紋而形成的。
  4. 如請求項1至3中任一項所記載的圖案化基板的斷開方法,其中,在前述指定部位斷開步驟中,通過將前端尖的板狀的斷開刀片壓抵於前述指定部位的預定斷開線而使前述圖案化基板撓曲,從而從前述指定部位的前述預定斷開線斷開。
  5. 一種圖案化基板的斷開裝置,其中,前述圖案化基板在脆性材料基板的表面形成有電子電路圖案,前述圖案化基板的斷開裝置包括:雷射加工裝置,具有對黏貼於伸展膠帶的前述圖案化基板的表面照射雷射而形成沿著預定斷開線的複數個斷開起點的雷射照射部;指定部位斷開裝置,具有將跨越前述預定斷開線上地形成有阻礙前述雷射的透過的圖案的部位作為指定部位並按壓該指定部位而使前述圖案化基板撓曲,從而使該指定部位斷開的斷開刀片;以及伸展斷開裝置,通過使前述伸展膠帶拉伸而對前述圖案化基板施加拉張應力,從而從前述斷開起點開始,將所有的前述預定斷開線斷開。
TW104122533A 2014-09-30 2015-07-13 Method for disconnecting patterned substrate and disconnecting device TWI655046B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-200116 2014-09-30
JP2014200116A JP6417828B2 (ja) 2014-09-30 2014-09-30 パターニング基板のブレイク方法並びにブレイク装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201611929A TW201611929A (en) 2016-04-01
TWI655046B true TWI655046B (zh) 2019-04-01

Family

ID=55597644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104122533A TWI655046B (zh) 2014-09-30 2015-07-13 Method for disconnecting patterned substrate and disconnecting device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6417828B2 (zh)
KR (1) KR20160038714A (zh)
CN (1) CN105459277B (zh)
TW (1) TWI655046B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7340838B2 (ja) 2019-04-26 2023-09-08 三星ダイヤモンド工業株式会社 ウエハーのブレイク方法並びにブレイク装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003334675A (ja) * 2002-03-12 2003-11-25 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2006173520A (ja) * 2004-12-20 2006-06-29 Canon Inc レーザ割断方法および該方法により割断可能な被割断部材
JP2011165766A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100546004C (zh) * 2005-01-05 2009-09-30 Thk株式会社 工件的截断方法和装置、划线和截断方法、以及带截断功能的划线装置
US7858902B2 (en) * 2007-02-13 2010-12-28 Disco Corporation Wafer dividing method and laser beam processing machine
JP5163358B2 (ja) * 2008-03-26 2013-03-13 日立化成株式会社 半導体ウエハのダイシング方法
JP2010050175A (ja) * 2008-08-20 2010-03-04 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法及びレーザー加工装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003334675A (ja) * 2002-03-12 2003-11-25 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2006173520A (ja) * 2004-12-20 2006-06-29 Canon Inc レーザ割断方法および該方法により割断可能な被割断部材
JP2011165766A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201611929A (en) 2016-04-01
CN105459277A (zh) 2016-04-06
KR20160038714A (ko) 2016-04-07
CN105459277B (zh) 2020-03-17
JP2016068393A (ja) 2016-05-09
JP6417828B2 (ja) 2018-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI364339B (zh)
TWI629249B (zh) Method for cutting tempered glass sheets
US8890027B2 (en) Laser processing method and laser processing system
TWI510321B (zh) Laser processing method
CN105470198B (zh) 图案化基板的断开方法及断开装置
TWI429604B (zh) Method for breaking the brittle material substrate
US20160039044A1 (en) Laser processing method
TW201601867A (zh) 雷射加工裝置及雷射加工方法
TWI529790B (zh) Breaking device
JP2004001076A (ja) レーザ加工方法
TW201117901A (en) Method for cutting object to be processed
JP2006199553A (ja) 基板分断装置及び基板分断方法
TWI650292B (zh) 脆性材料基板之分斷方法及分斷裝置
CN101279403A (zh) 激光加工方法
CN108028189A (zh) 激光加工方法
TWI655047B (zh) Method for disconnecting patterned substrate and disconnecting device
TWI655046B (zh) Method for disconnecting patterned substrate and disconnecting device
JP4509719B2 (ja) レーザ加工方法
JP2010116272A (ja) ガラス基板切断装置およびガラス基板切断方法
JP2018122596A (ja) パターニング基板のブレイク方法並びにブレイク装置
JP5995195B2 (ja) 板ガラスの切断方法
TWI725201B (zh) 基板分斷裝置、及基板分斷方法
TW202039138A (zh) SiC基板之分斷方法及分斷裝置
TW201715596A (zh) 附銲球之半導體晶片之製造裝置及製作方法
JP2023079907A (ja) 基板の切断方法、及び、基板小片の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees