TWI364339B - - Google Patents
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Description
1364339 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於脆性材料基板之分割方法及基板分割系 統,其係使用雷射光束以未滿炫融溫度之溫度加敎由玻 璃、燒結材料之陶究、單晶石夕、藍寶石、半導體晶圓、以 及陶究基板等脆性材料所構成的母基板,更詳細而言係 將彼此交又之二方向垂直裂痕形成在脆性材料基板上、再 a上述三方向進行分割之脆性材料基板的分割方法及基板 9 分割系統。 【先前技術】 以往,係將讀等壓接滾動於脆性材料基板來形成劃 線,再沿所形成之劃線於垂直方向緊壓來使其裂斷,藉此 分割該基板。 例如,在液晶顯示器等面板之製造領域中,係對貼合 有2片玻璃基板之母基板,分別於相互正交之第工方向及 第2方向依序形成單數或複數條劃線(以下稱為交叉劃 擊線),再沿所形成之各劃線來裂斷母基板,藉此切成小尺寸 之單位基板。 在使用刀輪依序將彼此正交之第1及第2劃線形成於 玻璃基板等脆性材料基板時,為了防止交叉點跳開(在形成 與第i劃線正交之第2劃線時,在交又點附近產生未形成 劃線的「跳開」現象)之情形產生,而在形成第2劃線時增 大劃線壓力(參照專利文獻丨所揭示者)。 又’近年來,已有-種方法被實用化,其係使用雷射 1364339 光束以未滿基板熔融溫度之溫度來加熱基板,以在基板形 成垂直裂痕後分割基板。使用雷射光束來分割脆性材料基 板之方法,係使形成於脆性材料基板之加工起點的缺口部 分(稱為觸發)’利用雷射光束之照射所產生的熱應力來使 其成長,使雷射光束沿劃線預定線移動,藉此將垂直裂痕 誘導至加工終點。
通常’在使用刀輪來進行基板之劃線時,容易因刀輪 所施予於脆性材料基板之機械應力導致基板之缺口產生, 而在進行裂斷時產生起因於上述缺口之破裂等。 相較於此,在使用雷射光束來進行.脆性材料基板之劃 線時,由於係利用熱應力而不是將工具直接緊壓於基板, 因此其分割面係缺口較少之平滑面,可維持基板的強度。 亦即,使用雷射光束之脆性材料基板的劃線,由於是非接 觸加工’因此能抑制上述之潛在缺σ產生,在進行裂斷時, 可抑制於脆性材料基板產生之破裂等損傷。 在藉由雷射光束來形成交叉劃線時,已有揭示一種方 :則If帛1方向形成第1劃線後,在第2方向形成較第 畫!線淺之垂直裂痕所構成的第2劃線,藉此防止在第! 文線與第2方向劃線之交叉點產生異常裂痕(參照專利 專利文獻1 :日本特公平5_35689號公報 專利文獻2 :曰本專利第3370310號公報 【發明内容】 圖1〇係一說明習知例之圖 係說明藉由雷射光束照射 1364339 在母基板形成劃線之後、沿所形成之劃線來裂斷母基板之 步驟。圖10(a)中,係於第1方向以速度v掃描雷射光束 而在母基板G形成第1劃線S1|、Sl2。其次,如圖i〇(b) 所示,沿與第1劃線S1 ,、s 12正交之第2方向以速度v掃 描雷射光束,來形成第2劃線S2,、S22。此外,在形成此 等劃線時之雷射光束的輸出為一定,於基板端形成有觸 發。 其次,如圖10(c)所示,沿第2劃線S2,、S22對母基 板G施予負載F,進行第1裂斷B1i、bi2。此時,母基板 G較容易沿第2劃線S2,、S2a斷開(分離)。亦即,由於在 形成於母基板G之劃線S2^ S2Z的一側端部形成有作為觸 發之缺口’因此能以較小之負載來分割。 其次’如圖10(d)所示,沿第1劃線si i、si2進行第2 裂斷B2】、B22。此時,基板Gl、G2、G3中,於基板G1 具有在劃線形成前即形成於基板端之觸發,且於基板G3 具有在形成劃線時自然地形成於基板端的觸發。 據此,即使利用與圖10(c)所示之第1裂斷Bll、Bl2 日守相同的方法以負載F來進行裂斷,由於在分割成3個之 母基板Gl、G2、G3中、至少於分割母基板G2不存在有 觸發,因此無法容易地沿第1劃線Sli、Sl2來分割。若欲 勉強沿第1劃線S1 ,、s 12裂斷母基板G2,即必須施予在 載重F以上之較大載重來進行第2裂斷B2i、B22。特別是 在基板之板厚較大時(雖依基板材質而有所不同,但例如板 厚為2mm以上之情形),在進行裂斷時即有較大的負載。 1364339 通常,在進行裂斷時之負載,係設定在能破實分割之 载重範圍且儘可能較小,藉此來抑制對基板造成的衝擊, 防止在裂斷時產生缺口等損傷。若對分割母基板G1〜G3 她加較載重F大之載重來進行裂斷,將會使衝擊增大,容 易在母基板G之分割面(第2方向分割面)造成缺口等損傷。 另一方面’若欲以較深裂痕形成第1劃線sii、si2時, 則須使雷射光束之移動速度降低或增加雷射輸出,導致在 實用上無法確保充分之雷射光束移動速度、或在裂斷後之 分割面的品質大幅下降等問題。 因此’本發明之目的,係提供脆性材料基板之分割方 法及基板分割系統,其能在分割脆性材料基板時,大幅降 低產生於分割面之缺口等損傷,獲得良好的基板分割面。 ^為解決上述問題,本發明之脆性材料基板之分割方法, 係對脆性材料基板上相互交叉之帛i方向及第2方向,依 序使雷射光束沿各方向相對移動來照射以未滿炫融溫度 之恤度來加熱,在藉由產生於該基板之熱應力依序形成由 垂直裂痕構成之第1方向及第2方向的劃線後,沿該等劃 t裂斷4基板’其特徵在於,具備以下之步驟。 (a)第1方向劃線步驟,係調整雷射光束的相對移動速 :及/或輸出’以在第i方向劃線附近產生局部體積收縮, “ &拉伸應力來形成第1方向劃線。通常,構成第1 方向劃線之垂直裂痕為係盲裂痕。 ()第2方向劃線步驟,係在第1方向劃線步驟後利 用產生於第1古1 万向d線附近之拉伸應力,來於第2方向劃 1364339 線上之與第1方向劃線的交叉點附近局部地形成裂斷用觸 發裂痕’以作為在進行第2方向之裂斷時的起點,且形成 第2方向劃線。通常,構成第2方向劃線之裂斷用觸發裂 痕。卩分以外之部分的垂直裂痕為盲裂痕,而裂斷用觸發裂 痕則疋可見裂痕。例如’將在形成第1方向劃線時之雷射 光束之相對移動速度及/或輸出,調整為使能量密度[=雷 射輸出(w卜光束面積(劃線速度達到既定 的令限值以上,藉此,能一邊局部地形成裂斷用觸發裂痕、 -邊形成第2方向劃線。具體而言,在形成第i方向劃線 時’係在能形成劃線之能量密度範圍内、以較既定臨限值 圍的能量密度來形成第1方向劃線,藉此可在形成 !方向劃線時形成裂斷用觸發裂痕。雖無特別限制,作 =性材料基板為鈉玻璃等之玻璃基板時,形成第ι方向 / 2之雷射光束的能量密度[=雷射輸出(W)+光束面積 一第二方向劃線之深= 亦可較深。是w Λ 劃線之深度淺, 量密度,可較形成第=劃線時之雷射光束的能 () 。」線時更為減少,或亦可增加。 〃⑷第1方向裂斷步驟,係在第2 第1方向劃線來裂斷該基板。 _ ” 4 ,沿 (d)第2方向裂斷步驟,係在 第2方向劃線來裂斷該基板H ° ;斷步驟後,沿 步驟時對該基板所施予之負載等=行第2方向裂斷 方向裂斷步驟時所施予之負載,、等於或小於在進行第1 1364339 又’以下之基板分割系統亦包含於本發明。 基板分割系統’其特徵在於,具備: (A) 劃線形成部,具備用以照射雷射光束之雷射光束照 射部、使雷射光束照射部相對脆性材料基板進行移動之雷 射光束掃描部、以及改變雷射光束對該基板之掃描方向的 雷射光束掃描方向變更部,藉此使雷射光束一邊掃描該基 板一邊進行照射,來形成劃線; (B) 裂斷部,係沿形成於該基板之劃線裂斷該基板;以 及 (C) 控制部,係控制劃線形成部與裂斷部; 控制。卩’係對劃線形成部進行控制’俾使其在形成第 1方向劃線時’調整雷射光束之相對移動速度及/或輸出 、在基板產生局部體積收縮,藉此產生拉伸應力來形成第 1方向劃線’其後藉由雷射光束掃描方向變更部來改變雷 射光束的掃描方向,以在與帛1方向交叉之第2方向形成 劃線,接著,對裂斷部進行控制,俾使其在沿第1方向劃 線進行裂斷後沿第2方向劃線進行裂斷。 此處,作為脆性材料基板,玻璃基板為其典型,但除 此以外亦包含例如燒結材料之陶瓷、$晶矽、藍寶石、半 導體晶圓 '及陶瓷基板等。 八作為上述脆性材料基板,包含單板或貼合基板,亦包 :附有形成電路圖案或電極之金屬膜或樹脂膜的基板。本 毛月例如在習知分割方法中,在劃線後之裂斷時須施加 較大之加壓力來分割基板時’具有良好效果。一般而言, 1364339 鈉玻璃基板,以雷射來進行劃線後之裂斷較容易,但用於 電漿顯不面板(PDP)之厚度達2mm以上(例如2〜5mm)的鈉 玻璃基板,在習知之分割方法中須在裂斷時施以較大的加 壓力。 本發明之脆性材料基板的分割方法及分割系統所適用 之脆性材料基板的具體用途,係有液晶顯示面板、電漿顯 不面板(PDP)、有機EL顯示面板、投影機用基板等平面面 板顯示器用的面板。本發明巾,「基板之局部體積收縮」, 係指玻璃之類的非晶質材料從原本具有之準穩定狀態經熱 處理等而使其體積收縮的現象。產生局部體積收縮之基板 係從表面開始冷卻,藉此於基板内部產生拉伸應力。 本發明中,「相互交又之第i方向與第2方向」,最 好係彼此正交之2個方向’但並不侷限於此,其要點在於, 只要是形成有交又點之2個方向即可。 雷射光束之相對移動,可係使雷射光束側移動,或亦 可係使基板側移動,或亦可在χγ二維正交座標系統中使 雷射光束側在X方向方向)移動,使基板側在Υ方向(X 方向)移動。 利用熱應力之垂直裂痕的產生,可在雷射光束照射之 加熱後,藉由進行自然放置之氣冷來使其自然產生,但最 好係藉由吹附冷媒來強制冷卻之方式來積極地使熱應力產 生’使其可更確實地產生。 例如可藉由沿劃線緊壓、並以劃線為轴施加弯曲力 矩來進行裂斷。施以緊壓之較佳方式,雖可使用具有直線 11
I 1364339 Λ 接觸基板之壓件的裂斷桿來施予剪力,但並不限於此。例 如,亦可在以裂斷桿緊壓之同時將基板彎曲,而使基板之 緊壓側形成一凹部,以達實質緊壓效果。 根據本發明,首先,在上述第1方向劃線步驟(a)中, 調整雷射光束掃描時之相對移動速度與雷射光束輸出之至 少一項參數’並照射雷射光束,藉此形成第1劃線。雷射 光束掃描時之相對移動速度(劃線速度),例如可係5〇〜 150mm/s。又,雷射輸出例如可係100〜2〇〇 w。又,雷 ® 射光束之能量密度[=雷射輸出(W)+光束面積劃線速 度(mm/s)) ’例如可係〇·〇ΐ 6〜0.022J/mm3。此時,即在 第1方向劃線附近產生局部體積收縮,藉此於該部位產生 拉伸應力。藉由此拉伸應力來形成第丨劃線。此裂痕通常 係形成為盲裂痕。 在進行用以形成該第丨劃線之雷射光束的照射加熱 時,須藉由調整上述雷射光束相對移動速度或雷射光束輸 Φ 出,來將基板表面溫度控制成不超過熔融溫度,進一步地, 作為強化上述拉伸應力之產生的條件,較佳方式為,在該 溫度範圍條件下使加熱區域儘可能地呈高溫,亦即在可進 仃劃線之範圍内儘可能地提高雷射光束照射之能量密度(調 整成既定臨限值以上) 其次,在第2方向劃線步驟(b)中,進行第2方向劃線, 利用—在第1方向劃線附近產生之拉伸應力,來將在進行後 述第2方向之裂斷時作為裂斷起點的裂斷用觸發裂 部性地形成於第2方向劃線上之與第】方向劃線的^又點 12 附近。 線,:!時:藉由往第2方向進行劃線來形成第2方向劃 時構成第2方向劃線之盘第1 附近區域一 方向剔線之交又點 "* P存在有拉伸應力之位置)的裂广 從第2方向書mu.卜 痕、以及構成 力位置)的逃父叉點離開之區域(不存在有拉伸應 裂痕,兩者之裂痕性狀係相異。 2方2 之第1⑽附近區域巾,由於藉由第 1方向劃線而產生之裂痕,使存在於第",線附近^第 伸應力被開放,因此此區域之裂痕未完入關門而-之 狀態殘留H血 衮展未凡王關閉而以開放 成為一叙可辨識之可見裂痕。 2見裂痕’係具有在進行裂斷時之觸發的功能。 绫的二方面’後者之裂痕’係形成與第1劃線相同之气 線的裂痕(通常為盲裂痕 - ’據此僅有在父又點附近之第 α -1線所產生的局部裂痕部分成為裂斷用觸發裂痕。 著:第1方向裂斷步驟⑷中,首先係沿第1方向劃 線來裂斷έ亥基板。亦即,床/命π』 第卩“與形成有裂斷用觸發裂痕之 s 目 '的第1方向進行裂斷’藉此來分別於分 d後之各基板部分的端部殘留裂斷用觸發裂痕。 最後在第2方向裂斷步驟⑷中,以裂斷用觸發裂疳 為起點沿第2方向劃線裂斷該基板。 又 ”根據本發明之分割方法,能沿第2方向之劃線’以較 習知小之負載來裂斷脆性材料基板。據此,能得到不易於 基板產生缺口等之良姑夕# llL,, ' 好之跪性材料基板的分割面。 又,根據本發明之分割方法,由於在形成第2劃線之
13 1364339 步驟中,能同時形成在第2方向裂斷步驟時之裂斷用 裂痕,因此無須另外加入形成裂斷用觸發裂:之斷用觸發 驟,相較於包含形成裂斷用觸發裂痕之步驟的他步 理,能簡化步驟。 、々割處 上述刀割方法甲,構成第1方向劃線及第2方 斷用觸發裂痕以外的部分)之垂直裂痕亦可係盲裂°/線(裂 斷用觸發裂痕則為可見裂痕。藉此,在進行第2 =而裂 斷時,能以較小負載之來進行, 向之裂 士細々 且此以目視來確認有Απ 成觸發(可見裂痕之有無),因此可容易地檢查有 ^ 發。 〜成觸 又’上述分割方法中 施予該基板之實質負載, 裂斷步驟時所施予的負載 ,在進行第2方向之裂斷步 亦可相等或小於在進行第丨方向 藉此,能防止在裂斷時於分割面產生缺口等不良狀況。
又,從其他觀點來看,為解決上述問題而提出之本發 明的基板分割系統,係相當適用於實施上述分割方法之系 統’其具備以下的構成。亦即,具備:⑷劃線形成部,具 備以所5又疋之輸出照射雷射光束的雷射光束照射部、以所 設定之移動速度使雷射光束照射部相對脆性材料基板進行 移動之雷射光束掃描部、以及改變雷射光束對該基板之掃 描方向的雷射光束掃描方向變更部,藉此使雷射光束一邊 掃描該基板一邊進行照射,來形成劃線;(Β)裂斷部,係以 形成於該基板之劃線為軸來施加彎曲力矩,以沿形成於該 基板之劃線裂斷該基板;以及(c)控制部,係控制劃線形成 丄叶 部與裂斷部;控制部, 州喟線形成部進行控制,俾以經 調整(調整成可在基板產 ._ ^ ^ k ± 生局邓體積收縮並藉此產生拉伸庳 力)之由射光束的相對移動 〜 1 ά) Ψ ^ 又/或雷射光束輸出來於第 ° γ ,藉由雷射光束掃描方向變更部來改變 :::束的!描方向,以在…方向交又之第2 = Μ丨❹接者,對裂斷部進行控制,俾使其先在沿第1方 向劃線進行裂斷後沿第2方向劃線進行裂斷。 【實施方式】
以下使用圖式說明本發明之脆性材料基板的 法、及實施該分割方法之基板分割系統。 方 (裝置構成) 圖1’係顯示實施本發明一實施形態之分割方法時所 使用之基板分割系'統刚的概略構成方塊圖。該基板分割 系統100,係由劃線形成部細、裂斷部3〇〇、以及用以控 制上述整體之控制部400構成。劃線形成部200與裂斷: 300雖能作成-體構造,但在本實施例中係分離構造。因 此,係以控制部400來將由周知機械臂構成之基板搬送部 5〇0控制成介於兩者之間’藉此可將基板從劃線形成部200 搬送至裂斷部300,且可反轉。 劃線形成部200,係在控制部4〇〇之控制下執行—連 串動作。若依照功能塊來分開說明執行此等動作之劃線形 成部200的裝置構成,則其構成中具備有雷射光束照射部 2〇1、雷射光束掃描部202、以及雷射光束掃描方向變更部 15 1364339 軌21以外,尚於紙面内側具有相同形狀的導軌21)支撐成 可μ動。各導轨2 1,係沿與滑動台12所滑動之方向(即Y 方向)正乂的X方向所配置。又,於各導軌21的中間部, 置有與各導轨21成平行之滾珠螺桿22,滾珠螺桿22可 藉由馬達23來進行正轉與反轉。 滾珠螺桿22係以螺合有滾珠螺帽24之狀態來加以安 裝。滾珠螺帽24係以無法旋轉之狀態一體安裝於台座19, ^可藉由滾珠螺桿22之正轉及反轉來沿滾珠螺桿22移動 於正反兩方向。藉此’台座19可沿各導執21移動於正反 方向承上所述,由上述各部來構成γ軸驅動機構。 ,在台座19上,以水平狀態設有用以裝載母基板G的 平〇 26。母基板G,例如係以吸引夾頭來固定於平台% =。於平台26設定有與X軸方向位置相關連之未圖示基 準裝載位置,被正確地裝載於基準裝載位置之母基板〇, 可藉由上述滑動機構(x軸驅動機構)正確地沿χ軸方向移 動。再者,馬達23之旋轉速度係可調整,可藉由改變旋 轉速度來調整平台26在X軸方向之移動速度。 又於台座19上設有由未圖示馬達所驅動之旋轉機構 25,藉由該旋轉機構25能改變裝載於平台26上之母基板 G的方向。本實施形態中,係能將裝載於基準裝載位置之 母基板G逐次旋轉90度。 在平台26的上方,與平台26的表面隔著適當間隔配 置有劃線頭31。劃線頭31,係在配置成垂直狀態之光學 保持具33的下端部,以水平狀態被支撐成可藉由未圖2 17 升降機構來進行升降。光 子保持具3 3之上端部,係安裝 於支撐在架台U上之忠炙上墒。丨你女裝 ^ ^ « 、口 32的下面。於安裝台32上 έ又有用以發出雷射光束 丄而雷射振羞盗34(例如C〇2雷射), 由苗射振蘯器34發出夕+ 士 雷射光束,係透過支持於光學保 符具33内之透鏡井聲盔 規尤干系統35照射至母基板G。 於劃線頭3 1 —端容租亡、人" 钿文裝有冷部部40。冷卻部40,係由 冷媒源41 (氦氣、n、c〇翕<1*笙、 ' 2轧體荨)、以及用以喷射由冷媒 源41所供應之冷媒翁於 ;風體的嘴42,藉由局部地急速冷卻被 雷射光束照射而加執的母美你r …幻甘基板G,來使熱應力產生,促 裂痕的產生。 丨線頭3 1之與女裝有冷卻部4〇側相反之側的一端 安裝有觸發形成部45(例如刀輪),其係以機械方式將作為 裂痕2起點的觸發形成於母基& G❹。該㈣形成部 45田母基板G之端部位於正下方時,即暫時降下劃線頭 31來壓接,藉此於母基板G端部形成觸發(缺口)。 劃線形成部200,由於具有上述之具體構成,因此與 先剛說明之功能塊構成具有以下的關係。 亦即’光學保持具33、雷射振盪器34、以及透鏡光學 系統35 ’係與雷射光束照射部2〇1對應。又,由台座19、 滾珠螺桿22、馬達23、以及滚珠螺帽24構成之X方向驅 動機構’係對應雷射光束掃描部2〇2,其用以掃描從劃線 頭31照射至基板〇之雷射光束。又,旋轉機構25,由於 能藉由旋轉母基板G來改變雷射光束對母基板G的掃描方 向’因此係對應雷射光束掃描方向變更部203。 18 1364339 再者,由滑動台i 2、乎砝 轉之未圖示馬# 錢珠螺桿u旋
嫌^ 凌珠螺帽16構成的y方向n動I 構’係在使母基板G滑動於γ方向 Μ動機 次彼此平行之書彳嚷動# & ° 方向進行複數 」線動作時所驅動。亦即 僅進行-次掃描,而是在同一方向掃描2 .欠個方向 基板G分割成3個(或 而Μ將母 〜诅罝移位於γ方向。 又,於光學保持具33之橫方向設有由咖 39構成之位置讀取播椹 攝如機38, ,八係藉由拍攝刻印於母基板G之 對準標§己、亦即% ^田 《 〈
曰 明之衫像識別方式,來識別對準P 記之位置。可藉由兮仞里# 两乃〗對準才示 «由4位置讀取機構求出裝載 之母基板G的位置。介ΡΠ 戰、十σ 26上 ^ 亦即,只要使用位置讀取機構所取得 之基板位置資料,以卜、+. ν + 傅听取仔 ^上述Χ方向驅動機構、γ =旋:_來進行位置調整,即能自動進=板機 u之疋位。此外,由姐" 由CCD攝衫機38 39所攝得 藉由監視器48, 49來禮% B ± 僻仔之衫像,可 涊,即使係以手動操作亦可進行母 基板G的定位。 可 其次’說明裂斷部3〇〇。 二圖=二斷:(裂斷裝置)300,^^ 二制邛400的控制下進行一連串的動作。 依照功能塊來分開句昍批* 構成,則其構:動作之裂斷部3°。的裝置 驅動部302。 有裂斷桿位置調整部301及裂斷桿 其中’裂斷桿位置調整部301,係調整裂斷桿71之相 1364339 對位置(當有複數個劃線時係依序沿該等劃線來移動),俾 穸斷挣71之壓件72(參照後述的圖3),可沿著與在母基 板G劃線形成面的相反側之面之劃線對應的直線上或直線 附近。 裂斷桿驅動部302,係藉由驅動裂斷桿71來將裂斷桿 1之壓件72抵接於母基板G,以對母基板G施予負載。 处”人以具體裝置構成來說明上述裂斷部300之各功
此塊。圖3,係顯示本發明一實施形態之裂斷部遍(裂斷 裝置)的具體構造。 二於架。51上之平台52上以水平狀態配置有台座59。 台座59’係被平行配置於平台以之—對導執叫除了圖 不之導執61以外,尚於紙面内側具有相同形狀的導軌川 支撐成可滑動。各導執61 ’係沿χ方向(左右方向)所配置。 又’於各導執61的中間部,置有與各導軌61成平行之 滾珠螺桿62 ’滚珠螺桿62可藉由馬達63來進行正轉與反 壯滾珠螺桿62係以螺合有滾珠螺帽料之狀態來加以安 衣”袞珠螺帽64係以無法旋轉之狀態—體安裝於台座 =可藉由滾珠螺桿62之正轉及反轉來沿滾珠螺桿Μ移動 二正反兩方向。藉此’台座59可沿各導執Η移動於X方 °。承上所述,由上述各部來構成χ軸驅動機構。 在台S 59上’以水平狀態設有用以裝载母基板〇的 十。66。母基板G,例如係以吸引夾頭來固定於平台% 上。於平纟66設定有與χ軸方向位置相關連之未圖示基 1364339 ,被正確地裝載於基準裝載位置之母基板g, 動。述滑動機構(X軸驅動機構)正確地沿x轴方向移 65,:由:t座59上設有由未圖示馬達所驅動之旋轉機構 错由該㈣機構65能改變裝載於平台 G的方向。本實施形態中 之母基板 母基板G逐次旋轉⑻度⑽裝载於基準裝載位置之 置有= 台66的上方’與平台66的表面隔著適當間隔配 置有裂斷桿。裂斷桿7丨,係 該裂斷桿7卜係安裝於切在、桿構件構成。 宾护^山 保在框茱73之升降機構74的活 二,藉由二降機構74之驅動而移動於上下方向, 。2 *的T ^部分,係形成經銳化而呈刀刀狀的壓件 ,當升降機構74作動而使壓件72下降後,即緊壓 裝載於平台66上之母基板Ge 降後即緊壓 於f斷桿71之橫方向設有由CCD攝影機78, 79構成 之位置讀取機構,其係藉由拍攝刻印於母基板G之對準俨 =在形成劃料形成於端部之觸發、料藉由所謂之^ 像識別方式’來識別對準標記或觸發之位置。可藉由兮位 置讀取機構求出裝載於平台66上之母基板g的位置二 根據位置讀取機構80所拍攝之影像來驅動X軸驅動機構, 藉此使壓件72沿著母基板G之劃線。 此外Φ CCD攝影機78,79所攝得之影像,可 監測器98, 99、或以目才見來確認其位置。 裂斷部300,由於具有上述之具體構成,因此與先前
21 1364339 6兒明之功能塊之構成具有以下的關係。亦即,由A座5 9 滚珠螺桿62、馬達63、滾珠螺帽64構成之γ *爻X方向驅動機 稱、以及由旋轉機構65、CCD攝影機78,79爐β从 ^ ,傅攻的位置 機構80,係與用以將壓件72之位置調整成沿著劃線 之裂斷桿位置調整部301對應。 又’升降機構74,係對應於用以將裂斷桿71緊壓於 母基板G之裂斷桿驅動部3〇2。 ' 接著說明控制部400。控制部400由包含cpu、―己情 體等微電腦系統所構成,用以實施儲存於記憶體内之應用 程式,據以控制上述劃線形成部200及裂斷部3〇〇之各部, 以實施本發明之分割方法的動作(將參照圖4之流程圖而詳 述於後)。 又,本實施形態中,係使用用以將基板從劃線形成部 2〇〇反轉搬送至裂斷部300的基板搬送部5〇〇,控制部4〇〇 藉由對該基板搬送部500所進行之控制,而使母基板G從 劃線形成部200的基準裝載位置反轉搬送至裂斷部3〇〇的 基準裝載位置。 (動作例) 接著,使用圖4的流程圖及圖5的步驟說明圖說明上 述構成之基板分割系統的基板分割動作。 預先设疋雷射光束照射部20 1之雷射輸出與雷射光束 掃描部202的移動速度的參數。該設定係經由實驗所求出, 俾以設定能使雷射光束所照射之區域之基板G的最高到達 溫度儘可能高溫(亦即使雷射光束照射之能量密度儘可能高 22 的條件)的條件、且低於 & 可丞板G之熔融溫度(可劃線的範 圍)的條件。此處,雷射 a. ^ ^ ψ 尤采之相對移動速度及/或雷射光 束之輸出’係設定成在形 能在第1方向劃線81、t 方向劃線sll、sl2時, ^ .. ' 2附近產生局部的體積收縮,藉 而月b在刚述部位產生拉伸應力。 之母臭柘:光束的參數值設定已結束之狀態下,將待分割 以雷在_料部_的基準裝載位置,然後 光=部201 一邊照射雷射光束、-邊藉由雷射 j 2〇2如圖5(a)如示般在破璃基板G上掃描於第 、"二以形成第1方向劃,線Sl1、Sl2(Sl〇1)。此時,除了 开=線叫、…形成盲裂痕外,亦在其附近如圖6所示般 形成殘留有拉伸應力的F祕 應力的£域Η。此外,在雷射光束之掃描 ^亦在掃描開始敎母基板G端部,藉㈣2之觸發形 成部45形成觸發Trli、Trl2。 其後,藉由旋轉機構25之驅動,將母基板G與平台26 一起往右旋轉9〇《,進行往與第1方向正交之第2方向 之劃線步驟的準備。 接著’以完全與在第i方向劃線時相同的順序,將雷 射光束往帛2方向進行掃描,藉此即如圖5⑻所示般形成 第2方向劃線S2】、S22(sl〇2)。藉此,除了沿劃線叫、叫 形成盲裂痕外,亦在母基板G的端部形成觸發Τα,、η、。 再者’如圖5與圖6所示,在劃、線S1】、si2與劃線叫、叫 彼此正交之交又點附近之殘留有拉伸應力的區域Η内,形 成有發揮觸發功能之可見裂痕vc。 23 1364339 其後,將已形成劃線Sli、Sl 以基板搬送系統500搬送至穿㈣、*、S22之母基板G, 準備進入裂斷步驟。 斷部3〇0的基準載置位置’ 接著,藉由裂斷桿位置調整 置,使母基…第丨方向::二來調整*…位 件聯照® 3)之正下方以—,:丨'^斷桿71的* 進行動作而緊壓於母基板C之後’使裂斷桿驅動部302 義板G… 進行裂斷作業_3)。母 1開。由於在母1ΠΙ載’而沿第1方向之裂斷線叫斷 Μ,因此能…/部形成有在形成劃、線Sl·時所須的 ㈣地予= 裂斷,而能以較小的負載 接者藉由裂斷桿位置調整邙λΛ1忠俅 母基板G位移於X軸方向,對第^調整。Ρ 301來使 樣之裂斷,藉此即可使母 丄“12亦施以同 果,使母基板G成為部分^;^ =斷線Bl2斷開。其結 G3。 刀割之長方形分割母基板G1、G2、 G 2、: 3後朝右藉:::桿位置調整部3 °1使分割母基板CH、 ^朝右旋轉9〇度 向之劃線步驟的準備。 …方向正父之第2方 敕其次’進一步藉由裂斷桿位置調整部301 m 整成分割母基板G1、G2 ,卩3〇1’將位置調 裂斷桿之屢件72的正 向劃線%會來到
Gr _)。分割母基板G G3,以進行裂斷 之裂斷線叫斷開。此時由於被施予負載,而沿第2方向 2鞒4此時,由於在裂斷之母基板G1、G2、 G 3端部形成有作為 分割母純G1、G2斷用觸發之可見裂痕VC,因此3個 裂痕。據此,能以,广,均在基板端存在有作為觸發之 ^ 較小之負載容易且簡單地加以分割。 者藉由裂斷桿位置調整部3〇1將分割母基板⑴、 、G3位移於χ軸 行裂斷,使分判… 向劃線%亦同樣進 便刀。J母基板GhGhW沿裂斷線%斷開。 :在刀割母基板G1、G2、G3端部形成有作為裂斷用觸
>可見裂痕VC,因此還是能以較小的負載容易且簡單 地予以分割。 f 藉由以上的步驟,能在不對基板之分割面施加較大負 載的狀態下予以分割’此所製得之9個單位基板,幾乎不 會在端面產生缺口等損傷。 實施例 如上所述,在實施本發明之分割方法的情況下,進行 劃線步驟時須在母基板形成裂斷用觸發裂痕。以下根據實 驗資料,說明是否有產生該裂斷用觸發裂痕。 圖7之資料,係顯示分別改變在第u向之劃線步驟(第 1劃線)時的雷射光束移動速度(圖7之列方向資料)、以及 在第2方向之劃線步驟(第2劃線)時的雷射光束移動速度 (圖7之行方向資料)的情況下可見裂痕的產生範圍。雷射 光束的移動速度’在第1劃線、第2劃線時均在9〇〜1 60mm / s的範圍内變化。 此時所使用之基板材質係鈉玻璃,厚度為2 8mm。雷 射輸出則固定在1 70w。此外,對任一者之設定條件,均 25 1364339 是設定在最高到達溫度絕不會到達基板溶融溫度之範圍 内。 圖中’「〇」表示產生可見裂痕的情形,「X」表示產 生盲裂痕的情形。從圖式可清楚得知,當第丨劃線時的雷 射光束速度為90mm/ s、I00mm/ s時,亦即,當雷射光 束照射區域之溫度未滿基板炫融溫度、而最高到達溫度較 高時,即不受第2劃線時之雷射光束移動速度影響,而隨 時產生可見裂痕。由此點可知’基本上’基板被加熱至高 _ 溫而使殘留應力較大時,由於在第2劃線時產生裂痕,而 藉由此裂痕使殘留應力開放,因此使裂痕並不關閉而在保 持開啟之狀態下殘留。 此外,當第1劃線之雷射光束移動速度為n〇mm/s 時,雖僅在第2方向移動速度為14〇mm/s、15〇mm/s、 U〇mm/s之3個點產生可見裂痕,但此係將第2方向之 移動速度依照160mm/s、150mm/sl4〇mm/s的順序遞 #降時進行測定時所致。若將第2方向之移動速度從9〇麵 /s開始測定,並依循1()〇匪/8、UGmm/s的順序而遞 增,則僅會於90mm/s、100mm/s、u〇mm/s這3個點 產生可見裂痕。 ★此點,係因在測定時,當第i劃線為U()mm/s時的 資料,皆係依序對1條較長之第i劃線進行第2劃線(穿過 第!劃線之劃線)而取得之故。亦即,由於增加對i條割線 進行之第2劃線的次數,而使殘留於i條第(劃線之拉伸 應力逐漸緩和而變小,在本實施例中,第4次後之第2劃 26 1364339 裂斷用觸發裂痕(可見裂痕)所須之第1劃線之雷射光束的 照射能量密度(可交又劃線之能量密度)的關係。由圖9可 知’至少在雷射輸出為150〜210 W的範圍内,為了要進 行劃線,雷射光束的照射能量密度需要在〇.〇12〜〇 〇22】 / mm3。另一方面,為了要在第2劃線時產生用於裂斷之 觸發裂痕(可見裂痕),在第1劃線時的雷射光束之照射能 里役度必須為0.016〜0.022 J / mm3 〇 本發明’能利用於不致使脆性材料基板產生缺口等損 傷而得到良好基板分割面的分割作業。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示本發明一實施形態之基板分割系統構成的 方塊圖。 圖2係顯示圖丨之基板分割系統中劃線形成部之構成 圖0 圖3係顯示圖1之基板分割系統中裂斷部的構成圖。 圖4係執行本發明一實施形態之脆性材料基板分割方 法的流程圖。 圖5係說明本發明一實施形態之脆性材料基板分割方 法的步驟圖。 圖6係說明劃線步驟中可見裂痕之產生狀態的圖。 圖7係說明將劃線步驟時之雷射光束移動速度作為參 數時可見裂痕之產生範圍的圖。 圖8係顯示可見裂痕之產生狀態之照片。 圖9係顯示可劃線之能量密度、與可交叉劃線之能量 28 1364339 密度的圖。 圖1 〇係說明習知脆性材料基板之分割方法之步驟的 圖。 【主要元件符號說明】 11 架台 12 滑動台 13 滾珠螺桿 14, 15, 21,61 導軌 Φ 16, 24, 64滚珠螺帽 19, 59 台座 22,62 滾珠螺桿 23, 63 馬達 25, 65 旋轉機構 26, 52, 66 平台 31 劃線頭 33 光學保持具 ® 34雷射振盪器 35 透鏡光學系統 37, 80 位置讀取機構 38, 39, 78, 79 CCD 攝影機 40 冷卻部 41 冷媒源 42 嘴 45 觸發形成部(刀輪) 29 1364339 71 裂斷桿 72 壓件 74 升降機構 100 基板分割系統 200 劃線形成部 201 雷射光束照射部 202 雷射光束掃描部 205 雷射光束掃描方向變更部
300 裂斷部 301 裂斷桿位置調整部 302 裂斷桿驅動部 400 控制部 500 基板搬送部
30
Claims (1)
1364339 十、申請專利範圍: 冑脆ι±材料基板之分割方法,係對脆性材料基板 方1 目互交叉之第1方向及第2方向,依序使雷射光束沿各 相對移動來照射’以未滿炫融溫度之溫度來加熱,在 错產生於該基板之熱應力依序形成由垂直裂痕構成之第 =第2方向的劃線後,沿該等劃線裂斷該基 将徵在於,具備·· 戶及H1方向劃線步驟,係調整雷射光束的相對移動速 ;此:或輸出’以在第1方向劃線附近產生局部體積收縮, 糟此產生拉伸應力來形成第!方向劃線; 用產方向劃線步驟,係在第1方向劃線步驟後,利 線上*第v/r附近之拉伸應力,來於第2 _ 裂 °丄線的父又點附近局部地形成裂斷用觸發 二:作為在進行第2方向之裂斷時的起點 2方向劃線; 取弟 (:第1方向裂斷步驟,係在第2方向劃線步驟 第1方向劃、線來裂斷該基板;以及 ° (:第2方向裂斷步驟,係在第丨方向裂斷 第2方向劃線來裂斷該基板。 ° * 2:1申請專利範圍第1項之脆性材料基板之分割方 / /、 係將在形成第1方向劃線時之雷射光 移動迷度及π 先束之相對 光束面穑…"、出’調整為使能量密度[=雷射輸出(W)-上。_ )十(劃線速度(麵〆0]達到既定的臨限值以 31 3 ·如申請專利範圍第 —, 項之脆性材料基板之分判方 法,其中,構成第1方命查,丨括 刀。】方 方内線之垂直裂痕、以及 方向劃線之裂斷用觸發裂# a 2 痕,裂斷用觸發裂痕則係可見裂痕。 f盲裂 ::申請專利範圍第丨項:脆性材料基板之"方 裳’: 仃第2方向裂斷步驟時施予該基板之負裁, 等或小於在進㈣1方向裂斷步驟時所施予之負载。 :5·如申請專利範圍第1項之脆性材料基板之分割方 ”巾脆|±材料基板係玻璃基板,在形成第1方向劃 線k之雷射光束的能吾 被度[=雷射輸出(W卜光束面積 (麵隱線速度(mm/s)]為0016〜0 022一。積 法 法 較 ^如申請專利範圍第!項之脆性材料基板之分割方 其中,第2方向劃線的深度較第i方向劃線的深度深。 申°月專利知圍帛1項之脆性材料基板之分割方 其中,,與形成第1方向劃線時之雷射光束能量密度相 成第2方向劃線時之雷射光束的能量密度更大。 8.種基板分割系統,其特徵在於,具備: 立⑷劃線形成部,具備用以照射雷射光束之雷射光束照 使雷射光束照射部相對脆性材料基板進行移動之雷 …束掃描°卩、以及改變雷射光束對該基板之掃描方向的 、光束掃描方向變更部,藉此使雷射光束一邊掃描該基 板-邊進行照射,來形成劃線; 及(B)裂斷部’係沿形成於該基板之劃線裂斷該基板;以 32 (C)控制部,係控制 該控制部,係對成部與裂斷部; 1方向劃線時,調整雷射=㈣㈣’使其在形成第 以在美射光束之相對移動速度及/或輸出 以在基板產生局部體積收 ,. 藉此產生拉伸應力來形成第 束掃描方向變更部來改變雷 射光束的掃描方向,以在盥坌 ΦΙ /、弟1方向交又之第2方向形成 刎線;接著,對裂斷部進行控制,复% 進行裂斷後沿第2方向劃線進行裂斷。 深 十一、圖式: 如次頁 33
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
TWI757649B (zh) * | 2018-10-30 | 2022-03-11 | 日商三星鑽石工業股份有限公司 | 基板分斷裝置及基板分斷方法 |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8780343B2 (en) | 2006-07-28 | 2014-07-15 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Wafer screening device and methods for wafer screening |
WO2008013547A2 (en) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Midwest Research Institute | Screening of silicon wafers used in photovoltaics |
JP5102557B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2012-12-19 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | サファイア基板の分断方法 |
KR100949152B1 (ko) | 2007-11-23 | 2010-03-25 | 삼성코닝정밀유리 주식회사 | 유리 기판 레이저 절단 장치 |
JP5090897B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-12-05 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
KR100890764B1 (ko) | 2008-01-25 | 2009-03-26 | 삼성코닝정밀유리 주식회사 | 가공 테이블 일체형 유리 기판 브레이킹 장치 |
CN101530951B (zh) * | 2008-03-13 | 2012-03-14 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 激光切割脆性基板的方法及脆性基板 |
JP5170668B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2013-03-27 | 株式会社ジャパンディスプレイセントラル | 基板装置およびその製造方法 |
JP2009294461A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP5127669B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2013-01-23 | パナソニック株式会社 | 半導体ウェハ |
KR101041137B1 (ko) * | 2009-03-25 | 2011-06-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법 |
KR20100107253A (ko) * | 2009-03-25 | 2010-10-05 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법 |
US8932510B2 (en) * | 2009-08-28 | 2015-01-13 | Corning Incorporated | Methods for laser cutting glass substrates |
JP5795000B2 (ja) * | 2009-11-30 | 2015-10-14 | コーニング インコーポレイテッド | ガラス基板のレーザスクライブおよび分離方法 |
US8946590B2 (en) | 2009-11-30 | 2015-02-03 | Corning Incorporated | Methods for laser scribing and separating glass substrates |
US20110127242A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-02 | Xinghua Li | Methods for laser scribing and separating glass substrates |
JP5129826B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2013-01-30 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板のブレイク方法 |
JP5210356B2 (ja) * | 2010-06-14 | 2013-06-12 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板のスクライブ方法 |
DE102010032029B4 (de) * | 2010-07-21 | 2012-09-13 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | Verfahren zum Trennen einer runden Planplatte aus sprödbrüchigem Material in mehrere rechteckige Einzelplatten mittels Laser |
US8720228B2 (en) | 2010-08-31 | 2014-05-13 | Corning Incorporated | Methods of separating strengthened glass substrates |
JP5202595B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2013-06-05 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザ割断装置 |
DE112012003162T5 (de) * | 2011-07-29 | 2014-04-17 | Ats Automation Tooling Systems Inc. | Systeme und Verfahren zum Herstellen dünner Siliziumstäbe |
JP5353978B2 (ja) * | 2011-09-05 | 2013-11-27 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 分断装置 |
JP2013071335A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | マザー基板の分断方法 |
US8677783B2 (en) * | 2011-11-28 | 2014-03-25 | Corning Incorporated | Method for low energy separation of a glass ribbon |
JP6047874B2 (ja) * | 2011-12-06 | 2016-12-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2013136074A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 分断装置、被加工物の分断方法、および光学素子パターン付き基板の分断方法 |
US9938180B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-04-10 | Corning Incorporated | Methods of cutting glass using a laser |
KR20150035577A (ko) * | 2012-06-28 | 2015-04-06 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 유리 기판의 절단 방법 및 유리 기판의 제조 방법 |
US9610653B2 (en) | 2012-09-21 | 2017-04-04 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for separation of workpieces and articles produced thereby |
US20140084039A1 (en) * | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for separating workpieces |
JP6035127B2 (ja) * | 2012-11-29 | 2016-11-30 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
CN105592994B (zh) | 2013-08-07 | 2018-10-12 | 通快激光与系统工程有限公司 | 用于加工板状工件的方法和装置及由这类工件制成的产品 |
JP2015050953A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | ブロードビュー株式会社 | 海苔レーザー加工装置及び海苔レーザー加工方法 |
US9154138B2 (en) * | 2013-10-11 | 2015-10-06 | Palo Alto Research Center Incorporated | Stressed substrates for transient electronic systems |
KR101484091B1 (ko) * | 2013-11-04 | 2015-01-19 | 코닝정밀소재 주식회사 | 강화유리 절단방법 및 강화유리 절단장치 |
KR101536983B1 (ko) * | 2014-02-25 | 2015-07-15 | 삼목강업주식회사 | 스프링용 레이저 마킹 시스템 |
JP2017532274A (ja) * | 2014-08-20 | 2017-11-02 | コーニング インコーポレイテッド | フレキシブル薄型ガラスの切断において高エッジ強度を生み出す方法および装置 |
US20160172243A1 (en) * | 2014-12-11 | 2016-06-16 | Nxp B.V. | Wafer material removal |
TWI627010B (zh) * | 2015-04-24 | 2018-06-21 | 納諾股份有限公司 | 脆性物件切斷裝置 |
TWI543834B (zh) * | 2015-04-24 | 2016-08-01 | 納諾股份有限公司 | 脆性物件切斷裝置及其切斷方法 |
JP6229072B2 (ja) * | 2015-06-10 | 2017-11-08 | 坂東機工株式会社 | ガラス板の切り出し及び切り出したガラス板の位置決め方法及びその装置 |
DE102015120950B4 (de) * | 2015-12-02 | 2022-03-03 | Schott Ag | Verfahren zum lasergestützten Ablösen eines Teilstücks von einem flächigen Glas- oder Glaskeramikelement, flächiges zumindest teilweise keramisiertes Glaselement oder Glaskeramikelement und Kochfläche umfassend ein flächiges Glas- oder Glaskeramikelement |
JP6638400B2 (ja) * | 2016-01-05 | 2020-01-29 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 基板分断方法 |
US10903173B2 (en) | 2016-10-20 | 2021-01-26 | Palo Alto Research Center Incorporated | Pre-conditioned substrate |
CN106526941A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-03-22 | 惠科股份有限公司 | 显示面板加工工艺的改善方法、显示面板加工设备 |
CN107379292B (zh) * | 2017-09-15 | 2019-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板的切割方法、系统和存储介质 |
US10717669B2 (en) | 2018-05-16 | 2020-07-21 | Palo Alto Research Center Incorporated | Apparatus and method for creating crack initiation sites in a self-fracturing frangible member |
CN111390399B (zh) * | 2020-03-12 | 2022-02-15 | 上海柏楚电子科技股份有限公司 | 基于冷却点的切割控制方法、系统、电子设备与介质 |
KR102216298B1 (ko) * | 2020-04-28 | 2021-02-18 | 주식회사 아이티아이 | 세라믹 절단법 및 장비 |
EP4144472A4 (en) * | 2020-04-28 | 2024-03-27 | Iti Co., Ltd. | CERAMIC CUTTING METHOD AND EQUIPMENT |
KR102216294B1 (ko) * | 2020-07-22 | 2021-02-18 | 주식회사 아이티아이 | 세라믹 절단법 및 장비 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5325997A (en) * | 1977-07-06 | 1978-03-10 | Toshiba Corp | Laser scribing method |
JPH0437492A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-07 | Shunichi Maekawa | 脆性材料の切断法 |
JPH09150286A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-06-10 | Corning Inc | 脆弱性材料切断方法および装置 |
JP3923526B2 (ja) * | 1995-08-31 | 2007-06-06 | コーニング インコーポレイテッド | 壊れやすい材料の分断方法および装置 |
KR100626983B1 (ko) * | 1999-06-18 | 2006-09-22 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 레이저를 이용한 스크라이브 방법 |
JP2002153984A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-28 | Seiko Epson Corp | 基板分割方法及びこれを用いた液晶装置の製造方法 |
US6812430B2 (en) * | 2000-12-01 | 2004-11-02 | Lg Electronics Inc. | Glass cutting method and apparatus with controlled laser beam energy |
CN1264768C (zh) * | 2001-07-18 | 2006-07-19 | 三星钻石工业股份有限公司 | 脆性材料基片的划线装置以及划线方法 |
TW568809B (en) * | 2001-09-21 | 2004-01-01 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | Method for scribing substrate of brittle material and scriber |
JP2004223796A (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Kyoto Seisakusho Co Ltd | 脆性材料の割断加工方法 |
-
2005
- 2005-12-27 TW TW094146668A patent/TW200633808A/zh not_active IP Right Cessation
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI757649B (zh) * | 2018-10-30 | 2022-03-11 | 日商三星鑽石工業股份有限公司 | 基板分斷裝置及基板分斷方法 |
Also Published As
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TW200633808A (en) | 2006-10-01 |
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