CN111263974A - 附金属膜衬底的分断方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种可较佳地分断附金属膜衬底的方法。分断附金属膜衬底的方法具备如下步骤：在特定的分断预定位置，刻划未设金属膜的第1主面侧而形成划片槽，且使垂直裂纹沿分断预定位置向衬底内部扩展；通过使裂断杆从设有金属膜的第2主面侧对附金属膜衬底进行抵接而使垂直裂纹进一步扩展，由此，在分断预定位置将金属膜以外的部分分断；及通过使裂断杆从第1主面侧对附金属膜衬底进行抵接，而在分断预定位置将金属膜分断。

Description

附金属膜衬底的分断方法
技术领域
本发明涉及一种半导体器件用衬底的分断，尤其涉及一种在一主面形成有器件图案，在另一主面形成有金属膜的衬底的分断。
背景技术
作为将例如SiC(碳化硅)衬底等半导体器件用衬底分断的方法，已知有诸如以下的方法，进行在半导体器件用衬底的一主面形成划片槽，使垂直裂纹从该划片槽扩展的刻划步骤后，进行通过施加外力使所述裂纹在衬底厚度方向上进一步扩展，由此将半导体器件用衬底裂断的裂断步骤(例如参照专利文献1)。
划片槽的形成是通过使刻划轮(切割轮)沿分断预定位置压接滚动而进行。
裂断是通过在半导体器件用衬底的另一主面侧，使裂断刀(裂断杆)的刀尖沿分断预定位置抵接于半导体器件用衬底后，将该刀尖进一步压入而进行。
另外，这些划片槽的形成及裂断是在将具有粘附性的切割胶带贴附在另一主面的状态下进行，且在裂断后，通过使所述切割胶带伸展的展开步骤而使对向的分断面分隔。
作为将半导体器件用衬底分断的一形态，包括将母板分断(单片化)成各个器件单位，所述母板是在一主面形成有二维地重复有包含半导体层或电极等的半导体器件的单位图案所得的器件图案，且在另一主面形成有金属膜。
以如专利文献1中揭示的以往方法进行所述分断的情况下，有时在裂断步骤后，产生金属膜在应被分断的部位未被完全分断而仍保持连续的所谓薄膜残留之类的状态。
另外，即便产生此种薄膜残留的部分，仍可通过随后的展开步骤将该部分金属膜分断(破断)，但存在即便已实施分断，也容易在所述分断部位出现金属膜剥落之类问题。
背景技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2012-146879号公报
发明内容
本发明是鉴于所述问题而完成者，目的在于提供一种可较佳地分断附金属膜衬底的方法。
为解决所述问题，本发明第1形态的特征在于：其是将附金属膜衬底分断的方法，且具备：刻划步骤，通过利用刻划工具在特定的分断预定位置，刻划附金属膜衬底的未设金属膜的第1主面侧而形成划片槽，且使垂直裂纹从所述划片槽沿所述分断预定位置向所述附金属膜衬底的内部扩展；第1裂断步骤，通过使裂断杆从所述附金属膜衬底的设有所述金属膜的第2主面侧对所述附金属膜衬底进行抵接，而使所述垂直裂纹进一步扩展，由此在所述分断预定位置，将所述附金属膜衬底的所述金属膜以外的部分分断；及第2裂断步骤，通过使所述裂断杆从所述第1主面侧对所述附金属膜衬底进行抵接，而在所述分断预定位置将所述金属膜分断。
本发明的第2形态是根据第1形态的附金属膜衬底的分断方法，其特征在于：所述裂断杆的刀尖前端部的曲率半径为5μm～25μm。
本发明的第3形态是根据第2形态的附金属膜衬底的分断方法，特征在于：所述特定的分断预定位置是以特定间隔d1确定多个，所述第1裂断步骤及所述第2裂断步骤在由水平方向上分隔的一对保持部从下方支撑所述附金属膜衬底的状态下，在自所述一对保持部各自等效的位置进行，且将所述一对保持部的分隔距离d2在所述第1裂断步骤中设为d2＝0.5d1～1.25d1，在所述第2裂断步骤中设为d2＝1.0d1～1.75d1。
本发明的第4形态是根据第1至第3形态中任一项的附金属膜衬底的分断方法，其特征在于：在将粘附性胶带贴附在所述金属膜的状态下，进行所述刻划步骤、所述第1裂断步骤、及所述第2裂断步骤，且在所述第1裂断步骤中，将所述金属膜以外的部分分断，并且在所述金属膜及所述粘附性胶带的相当于所述分断预定位置的位置形成皱褶。
本发明的第5形态是根据第1至第4形态中任一项的附金属膜衬底的分断方法，其特征在于：所述第1裂断步骤是使所述附金属膜衬底的姿势与所述刻划步骤时上下颠倒后进行，所述第2裂断步骤是使所述附金属膜衬底的姿势与所述第1裂断步骤时上下颠倒后进行。
根据本发明的第1至第5形态，可不使金属膜中产生剥离而较佳地分断附金属膜衬底。
附图说明
图1是示意性表示实施方式的方法中作为分断对象的衬底(母板)10的构成的侧视图。
图2是示意性表示刻划处理执行前的状况的图。
图3是示意性表示刻划处理执行过程中的状况的图。
图4是示意性表示第1裂断处理执行前的状况的图。
图5是示意性表示第1裂断处理执行过程中的状况的图。
图6是示意性表示第1裂断处理执行后的状况的图。
图7是示意性表示第2裂断处理执行前的状况的图。
图8是示意性表示第2裂断处理执行过程中的状况的图。
图9是示意性表示执行第2裂断处理后的衬底10的图。
图10是表示用于以往的分断处理的衬底10的状况的拍摄图像。
图11是表示用于以往的分断处理的衬底10的状况的拍摄图像。
图12是与以实施方式的方法对衬底10进行多个部位分断后结果所得的多个单片相关的金属膜3的表面的拍摄图像。
具体实施方式
＜半导体用器件衬底＞
图1是示意性表示本实施方式的方法中作为分断对象的衬底(母板)10的构成的侧视图。衬底10是预定通过所述分断获得的单片各自成为半导体器件的半导体器件用衬底。在本实施方式中，所述衬底10具有：基材1；器件图案2，形成在该基材1的一主面侧，且二维地重复有包含半导体层或电极等的半导体器件的单位图案而成；及金属膜3，形成在基材1的另一主面侧。换言之，衬底10可称为附金属膜衬底。
基材1是SiC或Si等单晶或陶瓷等多晶衬底。其材质、或厚度及平面尺寸等根据需要制作的半导体器件的种类、用途、功能等适当选择、设定。作为所述基材1，可例示例如厚度为100μm～600μm左右且直径为2～6英吋的SiC衬底等。
器件图案2是主要与作为制作对象的半导体器件中呈现其功能或特性相关且包含半导体层、绝缘层、电极等的部位。器件图案2的具体构成因半导体器件的种类而异，但在本实施方式中，假设器件图案2包括形成在基材1的一主面的整面上的薄膜层2a、及一部分形成在该薄膜层2a的上表面的电极2b的情况。此处，薄膜层2a既可为单层也可为多层，电极2b也既可为单层电极又可为多层电极。另外，也可为取代薄膜层2a覆盖基材1的整面而露出基材1的一部分的形态。或者，又可在1个单位图案中设置多个电极2b。
薄膜层2a与电极2b的材质或尺寸根据需要制作的半导体器件的种类、用途、功能等适当选择、设定。例如，作为薄膜层2a的材质，可例示氮化物(例如GaN、AlN)、氧化物(例如Al2O3、SiO2)、例如金属间化合物(例如GaAs)、有机化合物(例如聚酰亚胺)等。电极2b的材质可从普通电极材料中适当选择。可例示例如Ti、Ni、Al、Cu、Ag、Pd、Au、Pt等金属、或其等的合金等。另外，薄膜层2a及电极2b的厚度通常小于基材1的厚度。
假设金属膜3主要用作背面电极。然而，本实施方式的方法是将所述金属膜3形成在基材1的另一主面的整面上(更详细而言至少跨过分断预定位置)。金属膜3也与电极2b同样地既可为单层也可为多层，且其材质也与电极2b同样地可从Ti、Ni、Al、Cu、Ag、Pd、Au、Pt等金属、或其等的合金等普通电极材料中适当选择。另外，金属膜3的厚度通常也小于基材1的厚度。
在本实施方式中，以上构成的衬底10设为至少在面内的特定方向上以特定的间隔确定的分断预定位置P上沿厚度方向进行分断。分断预定位置P被视为衬底10的沿厚度方向的虚设面。此外，为获得俯视矩形的半导体器件，也可在与该方向正交的方向上，以适当的间隔确定分断预定位置。
此外，图1中，以超出衬底10延伸的单点划线表示图面俯视左右方向上以间隔(间距)d1相互分隔的3个分断预定位置P，但实际上，可在一方向上规定更多的分断预定位置P。d1为例如1.5mm～5mm左右，且至少为0.5mm以上。
＜刻划处理＞
以下，对于本实施方式的分断方法中对衬底10实施的分断处理的具体内容，依序进行说明。首先，对衬底10进行刻划处理。此外，本实施方式中进行的刻划处理是与以往普通的刻划处理同样的处理。
图2是示意性表示刻划处理执行前的状况的图。图3是示意性表示刻划处理执行过程中的状况的图。
在本实施方式中，刻划处理是使用刻划装置100进行。刻划装置100具备：载台101，载置刻划对象物；及刻划轮102，将刻划对象物从上方进行刻划。
载台101构成为具有水平上表面作为被载置面，且可通过未图示的吸引机构吸引固定载置在所述被载置面上的刻划对象物。另外，载台101可通过未图示的驱动机构进行水平面内的二轴移动动作或旋转动作。
另一方面，刻划轮102是外周面上具有剖视等腰三角形状的刀尖102e，且直径为2mm～3mm的圆板状部件(刻划工具)。至少刀尖102e由钻石形成。另外，刀尖102e的角度(刀尖角)δ优选为100°～150°(例如110°)。所述刻划轮102通过铅直方向上可升降地设置的未图示的保持机构，在与载台101的一水平移动方向平行的铅直面内，自由旋转地保持在载台101的上方。
只要具有类似以上的功能，则作为刻划装置100，可适应众所周知的刻划装置。
如图2所示，刻划处理是在衬底10的金属膜3侧，贴附具有比衬底10的平面尺寸更大的平面尺寸的粘附性切割胶带(展开胶带)4之后进行。此外，在以下的说明中，有时对于贴附有所述切割胶带4的状态的衬底，也简称为衬底10。切割胶带4中可适应厚度为80μm～150μm左右(例如100μm)的众所周知的切割胶带。
具体而言，首先，如图2所示，以使所述切割胶带4与载台101的被载置面接触的形态，将衬底10载置在载台101上吸引固定。即，衬底10以器件图案2侧朝向上方的姿势载置固定在载台101。此时，刻划轮102配置在不与衬底10接触的高度上。
将衬底10固定后，接下来，通过使载台101适当地动作，而将分断预定位置P与刻划轮102的旋转面定位为位于同一铅直面内。通过进行所述定位，如图2所示，刻划轮102的刀尖102e位于分断预定位置P的器件图案侧端部Pa的上方。更详细而言，分断预定位置P的器件图案侧端部Pa成为直线状，且定位以刻划轮102位于该一端部侧的上方的方式进行。
进行所述定位后，刻划轮102利用未图示的保持机构，如图2中以箭头AR1所示，朝向铅直下方下降直至刀尖102e压接于分断预定位置P的器件图案侧端部Pa为止。
进行压接时，刀尖102e对衬底10施加的负载(刻划负载)、或载台101的移动速度(刻划速度)可根据衬底10的构成材料、其中尤其基材1的材质或厚度等适当决定。例如，若基材1包含SiC，则刻划负载为1N～10N左右(例如3.5N)即可，且刻划速度为100mm/s～300mm/s(例如100mm/s)即可。
实施所述压接后，维持着所述压接状态，将刻划轮102在分断预定位置P的器件图案侧端部Pa的延伸方向(图2中为垂直于图面的方向)上移动。由此，可使刻划轮102在该方向上(朝向器件图案侧端部Pa的另一端部)相对地滚动。
接下来，以所述形态沿着器件图案侧端部Pa进行刻划轮102的压接滚动后，如图3所示，在衬底10的器件图案2侧不断地形成划片槽SL，并且垂直裂纹VC从所述划片槽SL沿分断预定位置P朝铅直下方，从器件图案2侧扩展到基材1。根据最终良好地实施分断之类观点，垂直裂纹VC优选至少扩展到基材1之中的程度。
利用所述刻划处理形成垂直裂纹VC是在所有的分断预定位置P进行。
＜第1裂断处理＞
如上所述地形成有垂直裂纹VC的衬底10接下来用于第1裂断处理。图4是示意性表示第1裂断处理执行前的状况的图。图5是示意性表示第1裂断处理执行过程中的状况的图。图6是示意性表示第1裂断处理执行后的状况的图。
本实施方式中，第1裂断处理是使用裂断装置200进行。裂断装置200具备：保持部201，被载置裂断对象物；及裂断杆200，负责裂断处理。
保持部201包含一对单位保持部201a与201b。单位保持部201a与201b在水平方向上以特定的距离(分隔距离)d2相互分隔设置，且位于相同高度位置的两者的水平上表面被整体用作一裂断对象物的被载置面。换言之，裂断对象物以使局部在下方露出的状态载置在保持部201上。保持部201包含例如金属。
另外，保持部201可使水平面内预定的一方向(保持部进退方向)上的一对单位保持部201a与201b进行接近及分开动作。即，在裂断装置200中，分隔距离d2设为可变。图4中，图面俯视左右方向为保持部进退方向。
此外，保持部201中，可通过未图示的驱动机构，进行载置在被载置面的裂断对象物在水平面内的对准动作。
裂断杆202是设置为剖视等腰三角形状的刀尖202e在刀片长度方向上延伸的板状金属制(例如超硬合金制)部件。图4中，以使刀片长度方向成为垂直于图面的方向的方式表示裂断杆202。刀尖202e的角度(刀尖角)θ为5°～90°，优选为5°～30°(例如15°)。所述优选的刀尖角θ小于以往普通裂断处理中使用的裂断杆的刀尖角即60°～90°。
此外，更详细而言，刀尖202e最前端部分成为曲率半径为5μm到30μm左右(例如15μm)的微小曲面。所述曲率半径也小于以往普通裂断处理中使用的裂断杆的曲率半径即50μm～100μm。
所述裂断杆202设置成在保持部进退方向上的一对单位保持部201a与201b的中间位置(自这些中间位置起等效的位置)上方，可通过未图示的保持机构，在与保持部进退方向垂直的铅直面内沿铅直方向进行升降。
如图4所示，使用具有以上构成的裂断装置200的第1裂断处理是在以贴附有切割胶带4的状态的刻划处理后的衬底10的将器件图案2侧的面及侧部覆盖的形态，贴附保护膜5后进行。以下的说明中，对于贴附有所述保护膜5的状态者，有时也简称为衬底10。保护膜5中可适用厚度为10μm～75μm左右(例如25μm)的众所周知的保护膜。
具体而言，首先，如图4所示，以使保护膜5与保持部201的被载置面接触的形态，将衬底10载置在保持部201上。即，衬底10是以器件图案2侧成为下方，金属膜3侧成为上方的姿势、即与刻划处理时上下颠倒的姿势载置在保持部201上。此时，裂断杆202配置在不与衬底10接触的高度。
此外，如本实施方式所示，以特定的间隔(间距)d1确定多个分断预定位置时，在以分隔距离d2与衬底10的分断预定位置P的间隔(间距)d1相等的方式，配置着一对单位保持部201a与201b的状态下，将衬底10载置在保持部201上。这是与普通裂断处理时采用的d2＝1.5d1(d2为d1的(3/2)倍)的条件相比，成为将一对单位保持部201a与201b间隔缩窄的条件。此外，在实际处理中，成为d2＝0.5d1～1.25d1的范围内即可。
载置衬底10后，接下来，通过使驱动机构适当动作而进行衬底10的定位。具体而言，使刻划处理中设置有划片槽SL乃至垂直裂纹VC的衬底10的分断预定位置P的延伸方向与裂断杆202的刀片长度方向一致。通过进行所述定位，如图4所示，裂断杆202的刀尖202e位于分断预定位置P的金属膜侧端部Pb的上方。
进行所述定位后，如图4中以箭头AR2所示，裂断杆202使刀尖202e朝向分断预定位置P的金属膜侧端部Pb(更详细而言为切割胶带4的上表面)下降至铅直下方。
裂断杆202使该刀尖202e抵接于分断预定位置P的金属膜侧端部Pb后仍下降特定距离。即，对衬底10以特定的压入量进行压入。所述压入量优选为0.05mm～0.2mm(例如0.1mm)。
如此一来，如图5所示，对于衬底10，产生以裂断杆202的刀尖202e为作用点且以一对单位保持部201a、201b各自的被载置面的内侧端部f(fa、fb)为支点的三点弯曲的状况。由此，如图5中以箭头AR3所示，在相反的2个方向上拉伸应力作用于衬底10，其结果，使垂直裂纹VC进一步扩展，并且基材1及器件图案2暂时地分隔成左右2个部分，且在两部分之间形成间隙G。
然而，金属膜3在该时点尚未分隔，而仅停留在被刀尖202e压入而弯折。即，压入裂断杆202时，在金属膜3、及位于刀尖202e与金属膜3之间的切割胶带4形成弯折部B。
随后，如图6中以AR4所示，使裂断杆202上升解除衬底10的压入后，间隙G闭合成为左右2个部分的端部抵接的分断面D。另一方面，在金属膜3与切割胶带4中残存弯折部B。在金属膜3中，弯折部B与其他平坦的金属膜3的部分相比，成为材料强度较弱的部分。所述弯折部B被辨认为皱褶。
以如上形态进行的第1裂断处理是意图使基材1及器件图案2中确实地产生分断，并且在金属膜3中，确实地形成可辨认为皱褶的弯折部B。而且，作为用以较佳地实现这些意图的条件，在第1裂断处理中，与普通裂断处理不同，将一对单位保持部201a与201b的相隔距离d2设为与分断预定位置P的间隔d1相等，将刀尖202e的最前端部分的曲率半径设为5μm～30μm。另外，刀尖角θ优选为5°～30°。
＜第2裂断处理＞
当利用第1裂断处理进行基材1与器件图案2的分断、及对金属膜3与切割胶带4形成弯折部B后，接下来进行第2裂断处理。第2裂断处理是与第1裂断处理同样地使用裂断装置200进行。
图7是示意性表示第2裂断处理执行前的状况的图。图8是示意性表示第2裂断处理执行过程中的状况的图。图9是示意性表示第2裂断处理执行后的衬底10的图。
进行第2裂断处理时，首先，如图7所示，与普通裂断处理同样地，在以d2＝1.5d1(d2为d1的(3/2)倍)的方式配置着一对单位保持部201a与201b的状态下，以使切割胶带4与保持部201的被载置面接触的形态，将衬底10载置在保持部201上。即，衬底10以与第1裂断处理时上下颠倒的姿势载置在保持部201上。在d1为例如2.11mm～2.36mm左右的情况下，d2为3.165mm～3.54mm。此外，在实际处理中，成为d2＝1.0d1～1.75d1的范围即可。另外，优选地，第2裂断处理中的d2大于第1裂断处理中的d2。此时，裂断杆202配置在不与衬底10接触的高度。
载置衬底10后，接下来通过使驱动机构适当动作而进行衬底10的定位。具体而言，使分断面D及弯折部B的延伸方向与裂断杆202的刀片长度方向一致。此时，可将形成在金属膜3且可辨认的弯折部B有效地用作对准的指标。通过进行所述定位，而如图7所示，裂断杆202的刀尖202e位于原本为分断预定位置P的器件图案侧端部Pa的分断面D的上端部上方。
进行所述定位后，如图7中以箭头AR5所示，裂断杆202使刀尖202e朝向分断预定位置P的器件图案侧端部Pa(更详细而言为保护膜5的上表面)下降至铅直下方。
如图8所示，所述裂断杆202的下降是进行到刀尖202e隔着保护膜5以特定压入量将器件图案2压入为止。此时，器件图案2及基材1已被分断成2个，且对所述分断面D从上方施加力。其结果，如箭头AR6所示，金属膜3中，拉伸应力在相反的2个方向上作用于分断面D的下方。如上所述，因金属膜3的弯折部B与其他部分相比材料强度较弱，所以最终如图9所示，可容易且确实地实现甚至金属膜3也在弯折部B之处分断而形成分断面D，且仅在切割胶带4残存弯折部B的状态。
所述第2裂断处理的所述压入量优选为第1裂断处理中的压入量的一半左右的0.02mm～0.1mm(例如0.05mm)。这是为了防止因被分断的2个部分接触而出现破损之故。此外，虽设为d2＝1.5d1，但这是意图即便以如此较小的压入量也将金属膜3在弯折部B之处较佳地分断。
第2裂断处理结束后，如图9以箭头AR7所示，切割胶带4因使拉伸应力在面内方向上作用于切割胶带4而伸展，使衬底10在分断面D之处分隔为2个部分10A、10B。由此，将衬底10分断成2个。
＜与以往方法的对比＞
图10及图11是表示用于以往的分断处理的衬底10的状况的拍摄图像。更详细而言，图10(a)是切割胶带所进行的伸展前的衬底10的剖面的拍摄图像，图10(b)是该部分R的放大图像。图11是进行所述伸展后的金属膜3表面的拍摄图像。另外，图12是与对衬底10以本实施方式的方法进行多个部位中的分断后结果获得的多个单片相关的金属膜3表面的拍摄图像。
此处，所谓以往的分断处理是以与图2及图3所示同样的形态进行刻划装置100的刻划处理后，以衬底10的姿势设为与本实施方式中的第1裂断处理相同，但d2为d1的(3/2)倍且裂断杆202的刀尖角θ设为比本实施方式的刀尖角θ的范围大的60°～90°(例如获得图10及图11所示的结果时为θ＝60°)将裂断装置200中的裂断处理仅进行一次。
在所述情况下，如图10(b)中以箭头AR8所示，产生裂断处理后的金属膜3未被分断的部位。即便是存在此种部位的状况，若使切割胶带4伸展，则金属膜也被分断。然而，在利用分断所得的单片的端部中，如图11中以箭头AR9所示，产生金属膜3剥落。
相对于此，在适用本实施方式的方法的情况下，如图12所示，尽管在多个部位进行分断，却未确认到图11所示的金属膜3剥落。此外，图12中在各个单片的边缘部分存在较亮的部分是因金属膜的表面形状与其他部分不同而引起，并非在该部分中产生剥落。
如以上所说明，根据本实施方式，在利用刻划处理与裂断处理的组合，进行在基材的一主面具有器件图案且在另一主面具有金属膜的半导体器件用衬底的分断的情况下，可不使金属膜中产生剥离而良好地进行分断。
＜变化例＞
在所述实施方式中，通过刻划轮进行刻划处理，但只要较佳地实现划片槽的形成及裂纹的扩展，那么也可为由钻石头等刻划轮以外的工具形成划片槽的形态。
另外，因在第1裂断步骤中已在基材1形成了垂直裂纹VC，且在金属膜3形成了弯折部B，所以在第2裂断步骤中，可使用具有与以往的分断处理同样的刀尖角θ与前端中的曲率半径的裂断杆。
另外，第1裂断处理、第2裂断处理中使用的裂断装置具备包含水平方向上分隔特定距离的一对单位保持部201a与201b的保持部201，但也可取而代之地使用具备与衬底整面接触进行保持的含弹性体的保持部的裂断装置。在此情况下，也优选地，第1裂断处理中的压入量为0.05mm～0.2mm(例如0.1mm)，第2裂断处理中的压入量为第1裂断处理中的压入量的一半左右的0.02mm～0.1mm(例如0.05mm)。

Claims (5)

1.一种附金属膜衬底的分断方法，其特征在于：其是将附金属膜衬底分断的方法，且具备：
刻划步骤，通过利用刻划工具在特定的分断预定位置，刻划附金属膜衬底的未设金属膜的第1主面侧而形成划片槽，且使垂直裂纹从所述划片槽沿所述分断预定位置向所述附金属膜衬底的内部扩展；
第1裂断步骤，通过使裂断杆从所述附金属膜衬底的设有所述金属膜的第2主面侧对所述附金属膜衬底进行抵接，而使所述垂直裂纹进一步扩展，由此在所述分断预定位置，将所述附金属膜衬底的所述金属膜以外的部分分断；及
第2裂断步骤，通过使所述裂断杆从所述第1主面侧对所述附金属膜衬底进行抵接，而在所述分断预定位置将所述金属膜分断。
2.根据权利要求1所述的附金属膜衬底的分断方法，其特征在于，
所述裂断杆的刀尖前端部的曲率半径为5μm～30μm。
3.根据权利要求2所述的附金属膜衬底的分断方法，其特征在于，
所述特定的分断预定位置是以特定间隔d1确定有多个，
所述第1裂断步骤及所述第2裂断步骤在由水平方向上分隔的一对保持部从下方支撑所述附金属膜衬底的状态下，在自所述一对保持部各自等效的位置进行，且
将所述一对保持部的分隔距离d2
在所述第1裂断步骤中设为d2＝0.5d1～1.25d1，
在所述第2裂断步骤中设为d2＝1.0d1～1.75d1。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的附金属膜衬底的分断方法，其特征在于，
在将粘附性胶带贴附在所述金属膜的状态下，进行所述刻划步骤、所述第1裂断步骤、及所述第2裂断步骤，且
在所述第1裂断步骤中，将所述金属膜以外的部分分断，并且在所述金属膜及所述粘附性胶带的相当于所述分断预定位置的位置形成皱褶。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的附金属膜衬底的分断方法，其特征在于，
所述第1裂断步骤是使所述附金属膜衬底的姿势与所述刻划步骤时上下颠倒后进行，
所述第2裂断步骤是使所述附金属膜衬底的姿势与所述第1裂断步骤时上下颠倒后进行。
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