TWI661999B

TWI661999B - 貼合基板之分斷方法及分斷刀

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Publication number: TWI661999B
Application number: TW104114607A
Authority: TW
Inventors: 武田真和; 村上健二; 田村健太; 秀島護; 橋本多市; 栗山規由; 五十川久司
Original assignee: 日商三星鑽石工業股份有限公司
Priority date: 2014-07-22
Filing date: 2015-05-07
Publication date: 2019-06-11
Also published as: CN105269693B; JP6365056B2; TW201604158A; KR102351832B1; CN105269693A; JP2016022669A; KR20160011566A

Abstract

本發明提供一種可適當地分斷貼合基板之方法。

本發明之分斷方法包括：劃線形成步驟，其係於一主面側之分斷預定位置設置劃線；槽部形成步驟，其係藉由在另一主面側以使包含分斷預定位置之特定寬度之區域露出之態樣設置保護層，而設置槽部；及分斷步驟，其係於利用特定之支持體自下方支持一主面朝向下方之貼合基板之狀態下，使上刀之前端一面抵接於隔著分斷預定位置於水平方向上隔開存在並且形成槽部之側部的保護層之2個端部一面下降，藉此，利用分別作用於2個端部之第1力與伴隨著第1力之作用而自支持體作用於貼合基板之第2力實現四點彎曲之狀態，藉此，將貼合基板分斷。

Description

貼合基板之分斷方法及分斷刀

本發明係關於一種將貼合2片脆性材料基板而成之貼合基板、例如貼合包含不同材料之2片脆性材料基板而成之貼合基板分斷之方法，尤其是關於一種於基板之一主面形成保護層而成之貼合基板之分斷方法。

利用接著劑(樹脂)貼合2片脆性材料基板而成之貼合基板、尤其是利用接著劑貼合包含不同材料之2片脆性材料基板而成之貼合基板(不同種材料貼合基板)被用作各種元件之基板。例如有將於一主面形成特定元件(例如CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)感測器等)用圖案而成之單晶矽基板等半導體基板之另一主面貼合於作為支持基板之玻璃基板而成者等。此種元件係藉由在利用接著劑將二維地重複形成電路圖案而成之作為母基板之單晶矽晶圓上與玻璃基板貼合之後，分斷成特定尺寸之短條狀或格子狀之單片(晶片)，而製作成(例如，參照專利文獻1)。

又，如下裝置(分斷機(breaker))亦已經公知，該裝置係將預先於一主面形成有劃線之脆性材料基板藉由利用三點彎曲方式使裂縫自該劃線延展而分斷(例如，參照專利文獻2)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2010-40621號公報

[專利文獻2]日本專利特開2014-83821號公報

本發明者等人嘗試了如下方法作為於一脆性材料基板(矽基板)形成圖案而成之(不同種材料)貼合基板之分斷(單片化)方法，即，於以保護膜(樹脂等)被覆該圖案之後，於另一脆性材料基板(玻璃基板)側形成劃線，其後，利用如專利文獻2所揭示之分斷機沿著該劃線進行分斷。

然而，於利用該方法進行分斷之情形時，因接著劑層介於2片脆性材料基板之間，或於劃線形成面之相反面設置有保護膜等原因，故而有時會產生如下不良情況，即，裂縫自劃線之延展方向自基板之厚度方向傾斜地偏移。該不良情況之產生成為降低晶片之良率之主要原因，因此欠佳。

本發明係鑒於上述問題而完成者，目的在於提供一種可將貼合基板、尤其是不同種材料貼合基板較佳地分斷之方法。

為了解決上述問題，技術方案1之發明之特徵在於：其係將貼合2片脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置分斷之方法，且包括：劃線形成步驟，其係於上述貼合基板之一主面側之上述分斷預定位置設置劃線；槽部形成步驟，其係藉由在上述貼合基板之另一主面側以使包含上述分斷預定位置之特定寬度之區域露出之態樣設置保護層，而於上述貼合基板之上述另一主面側設置槽部；支持步驟，其係以使上述劃線之形成部位位於在水平方向上以大於上述槽部之寬度之距離相互隔開之2個下刀(支承刀)之間之方式，利用上述2個下刀自下方支持上述一主面朝向下方之上述貼合基板；及分斷步驟，其係於利用上述2個下刀自下方支持上述貼合基板之狀態下，使上刀 (分斷刀)之前端一面抵接於上述保護層之2個端部(事實上僅抵接於2個端部)一面下降，藉此使裂縫自上述劃線延展而將上述貼合基板分斷；上述保護層之2個端部隔著上述分斷預定位置於水平方向上隔開存在並且形成上述槽部之側部。

技術方案2之發明之特徵在於：其係將貼合2片脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置分斷之方法，且包括：劃線形成步驟，其係於上述貼合基板之一主面側之上述分斷預定位置設置劃線；槽部形成步驟，其係藉由在上述貼合基板之另一主面側以使包含上述分斷預定位置之特定寬度之區域露出之態樣設置保護層，而於上述貼合基板之上述另一主面側設置槽部；支持步驟，其係利用彈性體自下方支持上述一主面朝向下方之上述貼合基板；及分斷步驟，其係於利用上述彈性體自下方支持上述貼合基板之狀態下，使上刀(分斷刀)之前端一面抵接於上述保護層之2個端部(事實上僅抵接於2個端部)一面下降，藉此使裂縫自上述劃線延展而將上述貼合基板分斷；上述保護層之2個端部隔著上述分斷預定位置於水平方向上隔開存在並且形成上述槽部之側部。

技術方案3之發明之特徵在於：其係將貼合2片基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置分斷之方法，且包括：劃線形成步驟，其係於上述貼合基板之一主面側之上述分斷預定位置設置劃線；槽部形成步驟，其係藉由在上述貼合基板之另一主面側以使包含上述分斷預定位置之特定寬度之區域露出之態樣設置保護層，而於上述貼合基板之上述另一主面側設置槽部；及分斷步驟，其係於利用特定之支持體自下方支持上述一主面朝向下方之上述貼合基板之狀態下，使上刀(分斷刀)之前端一面抵接於隔著上述分斷預定位置於水平方向上隔開存在並且形成上述槽部之側部的上述保護層之2個端部(事實上僅抵接於2個端部)一面下降，藉此利用分別作用於上述2個端部之第1力與伴隨著上述第1力之作用而自上述支持體作用於上述貼合基板之第2力實現四點彎曲之狀態，藉此使裂縫自上述劃線延展而將上述貼合基板分斷。

技術方案4之發明之特徵在於：其係將貼合2片脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置分斷之方法，且上述貼合基板係於一主面側在上述分斷預定位置形成有劃線，且於另一主面側設置有保護層，且於上述保護層以使包含上述分斷預定位置之特定寬度之區域露出之態樣設置有槽部，且上述一主面朝向下方，以使上述劃線之形成部位位於在水平方向上以大於上述槽部之寬度之距離相互隔開之2個下刀之間之方式，利用上述2個下刀自下方支持上述貼合基板，於該狀態下，使上刀之前端一面抵接於上述保護層之2個端部一面下降，藉此將上述貼合基板分斷；上述保護層之2個端部隔著上述分斷預定位置於水平方向上隔開存在並且形成上述槽部之側部。

技術方案5之發明之特徵在於：其係將貼合2片脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置分斷之方法，且上述貼合基板係於一主面側在上述分斷預定位置形成有劃線，且於另一主面側設置有保護層，且於上述保護層以使包含上述分斷預定位置之特定寬度之區域露出之態樣設置有槽部，且上述一主面朝向下方，於利用彈性體自下方支持上述貼合基板之狀態下，使上刀之前端一面抵接於上述保護層之2個端部一面下降，藉此將上述貼合基板分斷；上述保護層之2個端部隔著上述分斷預定位置於水平方向上隔開存在並且形成上述槽部之側部。

技術方案6之發明之特徵在於：其係將貼合2片脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置分斷之方法，且上述貼合基板係於一主面側在上述分斷預定位置形成有劃線，且於另一主面側設置有保護層，且於上述保護層以使包含上述分斷預定位置之特定寬度之區域露出之態樣設置有槽部，且上述一主面朝向下方，於利用特定之支持體自下方支持上述貼合基板之狀態下，使上刀之前端一面抵接於隔著上述分斷預定位置於水平方向上隔開存在並且形成上述槽部之側部的上述保護層之2個端部一面下降，藉此利用分別作用於上述2個端部之第1力與伴隨著上述第1力之作用而自上述支持體作用於上述貼合基板之第2力實現四點彎曲之狀態，藉此將上述貼合基板分斷。

技術方案7之發明係如技術方案1至6中任一項之分斷方法，其特徵在於：上述上刀之沿長度方向形成之上述前端係經R倒角而形成。

技術方案8之發明係一種分斷刀，該分斷刀之沿長度方向形成之前端係經R倒角，且於如技術方案1至6中任一項之分斷方法中被用作上述上刀。

根據本發明，可藉由利用四點彎曲方式或實質上可視為利用四點彎曲方式之裂縫自劃線之延展，而將貼合基板、尤其是不同種材料基板之貼合基板適當地分斷。而且，由於上刀(分斷刀)僅與保護層接觸，而不與貼合基板接觸，故而可使上刀不損傷貼合基板地進行分斷。

1‧‧‧玻璃基板

2‧‧‧半導體基板

3‧‧‧接著層

4‧‧‧保護層

4a、4b‧‧‧(保護層之)端部

10‧‧‧貼合基板

101A、101B‧‧‧下刀

101a、101b‧‧‧(下刀之)端部

102‧‧‧上刀

102e‧‧‧(上刀之)前端

201‧‧‧支持體

201a、201b‧‧‧彈性力集中部位

A‧‧‧分斷預定位置

AR‧‧‧箭頭

CR‧‧‧裂縫

F1a、F1b‧‧‧力

F2a、F2b‧‧‧彈性力

F3a、F3b‧‧‧力

G‧‧‧槽部

RE‧‧‧帶狀區域

S‧‧‧劃線

w‧‧‧寬度

圖1(a)~(d)係概略性地表示第1實施形態之分斷方法之處理流程的圖。

圖2係表示第1實施形態中之貼合基板10之分斷情況的圖。

圖3係表示第2實施形態中之貼合基板10之分斷情況的圖。

<第1實施形態>

圖1係概略性地表示本發明之第1實施形態之分斷方法之處理流程的圖。本實施形態之分斷方法係將不同種材料之貼合基板(以下簡稱為貼合基板)10作為對象者。圖1(a)係表示分斷前之貼合基板10之構成之模式剖視圖。於本實施形態中，均將作為脆性材料基板之一種之如圖1(a)所示般利用包含接著劑之接著層3將玻璃基板1與半導體基板(例如矽基板)2接著而成之貼合基板10作為分斷之對象。

玻璃基板1及半導體基板2之厚度、進而貼合基板10之平面尺寸並無特別限制，可鑒於分斷及前後步驟中之操作容易性或處理效率等，而選擇適當之大小。

又，對於接著劑之材質，只要可確保玻璃基板1與半導體基板2之間之接著強度，另一方面能夠較佳地進行分斷，則並無特別限制，例如較佳地使用紫外線(UV)硬化接著劑等。又，就能夠較佳地實現本實施形態之分斷方法之觀點而言，接著層3之厚度較佳為5μm~200μm左右。

亦可於半導體基板2之非接著面側形成特定元件(例如CMOS感測器等)用圖案，於該情形時，將保護該圖案之保護層4設置於半導體基板2之非接著面側。又，保護層4亦可為根據本實施形態之分斷方法之前步驟或後續步驟中之必要性而設置之態樣。或者，於未形成此種圖案之情形時，於本實施形態中，亦於分斷之前預先於半導體基板2之非接著面側設置保護層4。其原因在於：如下所述，於本實施形態中，於分斷時必需保護層4。

保護層4較佳為包含例如抗蝕劑等樹脂。就能夠較佳地實現本實施形態之分斷方法之觀點而言，保護層4較佳形成為5μm~200μm左右之厚度。

為了將具有如上所述之構成之貼合基板10分斷，首先，沿著預先規定之分斷預定位置A於玻璃基板1之非接著面形成劃線S。圖1(b)表示形成劃線S之後之貼合基板10。於圖1(b)中表示分斷預定位置A及劃線S沿與圖式垂直之方向延伸之情形。劃線S係沿玻璃基板1之厚度方向延展之裂縫(微小裂縫)於玻璃基板1之非接著面上呈線狀連續而成者。

再者，於圖1(b)中，為了簡單地圖示，僅表示有一個分斷預定位置A及劃線S，但例如於將貼合基板10分斷為短條狀或格子狀等在複數個部位進行分斷而獲得多個單片之情形時，對所有分斷預定位置A形成劃線S。以後，雖事先不作特別說明，但於該情形時，後段之處理亦係針對所有分斷預定位置A進行。

劃線S之形成可應用公知之技術。例如，既可為藉由使由超硬合金、燒結金剛石、單晶金剛石等構成、呈圓板狀且於外周部分具備作為刀而發揮功能之脊線之切割輪(劃線輪)沿著分斷預定位置A壓接滾動，而形成劃線S之態樣，亦可為藉由利用金剛石頭沿著分斷預定位置A劃線而形成劃線S之態樣，亦可為藉由利用雷射(例如紫外線(UV)雷射)照射引起之剝蝕或形成變質層而形成劃線S之態樣，亦可為藉由利用雷射(例如紅外線(IR)雷射)進行之加熱與冷卻而利用熱應力形成劃線S之態樣。

於形成劃線S之後，其次，針對如圖1(c)所示之自保護層4側俯視貼合基板10之情形時之隔著劃線S之形成位置(亦即分斷預定位置A)之特定寬度w之區域(帶狀區域)RE，去除保護層4。藉此，如圖1(d)所示，形成寬度w之槽部G。於去除該保護層4之一部分(槽加工)時，可應用利用切割輪或金剛石頭等進行之刻劃、或利用切片機進行之切割等機械性方法、或雷射照射、或者光微影製程等各種方法，可根據保護層4之材質等適當地選擇。

再者，既可於在保護層4形成槽部G之後沿著分斷預定位置A形成劃線S，亦可藉由在形成保護層4時預先利用掩膜等使保護層4不形成於區域RE，而設置槽部G。又，既可於形成劃線S之後形成保護層4，且形成槽部G，亦可於形成劃線S之後於形成保護層4時設置槽部G。

於本實施形態中，將以如上所述之態樣設置劃線S及槽部G而成之貼合基板10作為對象，進行分斷預定位置A處之分斷。分斷係如圖1(d)所示般藉由使裂縫自劃線S如箭頭AR所示般朝向槽部G延展而進行。

圖2係表示本實施形態中之貼合基板10之分斷情況之圖。於本實施形態中，於將貼合基板10分斷時，首先，如圖2所示，以使劃線S之形成部位位於在水平方向上以大於槽部G之寬度w之距離相互隔開之2個下刀(支承刀)101A、101B之間之態樣，換言之，以使劃線S於相互平行地配置之2個下刀101A、101B之間分別平行於2個下刀101A、101B地配置之態樣，利用2個下刀101A、101B自下方支持使玻璃基板1側朝向下方之貼合基板10。然後，於該支持狀態下，使上刀(分斷刀)102自上方朝向分斷預定位置A下降而抵接於貼合基板10，進而以將上刀102壓入之方式使其下降。

更詳細而言，如圖2所示，使上刀102之可微觀地視為具有特定曲率半徑之曲面之前端(係經R倒角之前端)102e僅抵接於隔著分斷預定位置A於水平方向上隔開存在並且形成槽部G之側部之保護層4之2個端部4a、4b，而不與成為槽部G之底部(露出)之半導體基板2接觸，於該狀態下，使上刀102下降。即，本實施形態之分斷方法於使上刀102抵接於(剖視圖上)2點(事實上沿2條直線抵接)之方面，與使上刀僅抵接於(剖視圖上)1點(事實上僅沿1條直線抵接)之先前之三點彎曲方式不同。

再者，上刀102僅與保護層4接觸，而不與半導體基板2接觸，亦指可使上刀102不損傷半導體基板2(貼合基板10)地進行分斷。

於以上述態樣將上刀102壓入之情形時，如圖2所示，對上刀102抵接之保護層4之2個端部4a、4b，分別施加朝向下方之力F1a、F1b，並且作為相對於該等力F1a、F1b之反作用力，自2個下刀101A及101B 各自之相對之端部101a及101b朝向貼合基板10產生向上之力F2a、F2b。然後，藉由該等力F1a、F1b、F2a、F2b發揮作用，而於貼合基板10中，力(彎曲力矩)F3a、F3b沿對稱且相互背離之方向作用於分斷預定位置A。藉由該等力F3a、F3b發揮作用，從而裂縫CR自劃線S沿厚度方向(更詳細而言係沿與貼合基板10之主面垂直之方向)延展。而且，該裂縫CR之延展於存在於貼合基板10之內部之異相界面(玻璃基板1與接著層3之界面、接著層3與半導體基板2之界面)亦得以維持。最終，該裂縫CR到達至槽部G，藉此，貼合基板10與主面垂直地被分斷。

此種一面利用2個下刀101A、101B支持一面使上刀102抵接於2點之本實施形態中之貼合基板10之分斷方法可以說是利用四點彎曲方式進行之分斷。

於採用該四點彎曲方式進行分斷之情形時，相反方向之力F3a、F3b對於分斷預定位置A一面對稱地平衡一面作用於該位置，藉此，實現裂縫CR易沿厚度方向延展之狀態。換言之，於本實施形態中進行之利用四點彎曲方式之分斷方法中，裂縫CR自該垂直方向偏移而傾斜地延展之情況於原理上不易發生。至少可較佳地抑制產生超過槽部G之範圍般之傾斜延展之情況。

根據該點，推測於三點彎曲方式之分斷中易發生裂縫向傾斜方向延展之原因在於：於三點彎曲方式之情形時，在分斷中途相當於力F3a、F3b之力之平衡易破壞。

另一方面，由於使寬度w過大則必須使下刀101A、101B之間隔亦隨之變大，除此以外，元件之獲取個數會變少等，故而欠佳。又，於針對沿同一方向延伸之複數條劃線S進行分斷之情形時，必須亦考慮其等之間隔。實用上最多約500μm以下便足夠。

如以上所說明般，於本實施形態中，於將利用接著劑貼合2片脆性材料基板、尤其是包含不同種材料之2片脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置分斷時，首先，於貼合基板之一主面側之分斷預定位置設置劃線。又，於另一主面側，以使包含分斷預定位置之特定寬度之區域露出之態樣設置保護層，藉此，形成以該露出部分作為底部之槽部。但是，劃線之形成、與保護層之形成及槽部之形成不限定先後。然後，以使劃線之形成部位位於在水平方向上以大於槽部之寬度之距離相互隔開之2個下刀之間之態樣，利用2個下刀自下方支持使劃線形成面朝向下方之貼合基板。於該支持狀態下，使上刀之前端僅抵接於隔著分斷預定位置於水平方向上隔開存在並且形成槽部之側部的保護層之2個端部，另一方面不與成為槽部之底部之部分接觸，而使上刀下降。藉此，藉由在四點彎曲之狀態下使裂縫自劃線延展，而將貼合基板分斷。根據該方法，儘管存在異相界面，但仍能夠使裂縫不傾斜地延展，而將貼合基板與厚度方向垂直地分斷。

即，根據本實施形態，藉由利用四點彎曲方式之裂縫自劃線之延展，可將不同種材料基板之貼合基板較佳地分斷。而且，由於上刀僅與保護層接觸，而不與貼合基板接觸，故而可使上刀不損傷貼合基板地進行分斷。

<第2實施形態>

於上述第1實施形態中，於利用四點彎曲方式進行分斷時，藉由2個下刀101A、101B支持貼合基板10，但貼合基板10之支持方式並不限定於此。

圖3係表示本發明之第2實施形態之貼合基板10之分斷情況的圖。於圖3所示之第2實施形態中，代替2個下刀101A、101B，而於由彈性體構成之支持體201上載置已設置有劃線及槽部G之貼合基板10。作為支持體201之材質，較佳為例如聚矽氧橡膠等。

於本實施形態中，亦與圖2所示之第1實施形態之情形相同，使上刀102之前端102e僅抵接於隔著分斷預定位置A於水平方向上隔開存在並且形成槽部G之側部的保護層4之2個端部4a、4b，而不與成為槽部G之底部(露出)之半導體基板2接觸，於該狀態下，使上刀102下降。如此一來，亦與圖2所示之情形相同，對上刀102抵接之保護層4之2個端部4a、4b分別施加朝向下方之力F1a、F1b。

再者，關於上刀102僅與保護層4接觸，而不與半導體基板2接觸之方面，亦與第1實施形態相同，因此，於本實施形態中，於分斷時上刀102亦不會損傷半導體基板2(貼合基板10)。

此時，該等力F1a、F1b係以將貼合基板10向下方壓下之方式發揮作用，但由支持體201自下方支持之貼合基板10如圖3所示般自支持體201受到向上之彈性力F2a、F2b作為相對於該等力F1a、F1b之反作用力。該等彈性力F2a、F2b作用於支持體201與貼合基板10之接觸面，但其分佈並不均勻，存在特別集中地發揮作用之部位(彈性力集中部位)201a、201b。因此，於圖3所示之情形時，亦藉由作用於保護層4之2個端部4a、4b之力F1a、F1b、與主要作用於彈性力集中部位201a、201b之彈性力F2a、F2b實質上實現四點彎曲之狀態。其結果為，於本實施形態中，在貼合基板10中，力(彎曲力矩)F3a、F3b亦沿對稱且相互背離之方向作用於分斷預定位置A。然後，裂縫CR自劃線S沿厚度方向延展，最終該裂縫CR到達至槽部G，藉此，貼合基板10與主面垂直地被分斷。

再者，於本實施形態中，隨著裂縫CR延展，彈性力集中部位201a、201b分別向相互背離之方向移位，隨之，彈性力F2a、F2b之方向亦發生變化，但該等情況係以使裂縫CR更有效率地延展之方式發揮作用，結果有助於進一步提高裂縫CR延展之直進性。

如以上所說明般，於利用作為彈性體之支持體支持貼合基板之本實施形態中，亦與第1實施形態相同，可藉由實質上可視為四點彎曲方式之裂縫自劃線之延展，而將貼合基板、尤其是不同種材料基板之貼合基板較佳地分斷。而且，關於可使上刀不損傷貼合基板地進行分斷之方面亦相同。

<變化例>

作為上述實施形態之脆性材料基板，除了可例示玻璃基板、矽基板以外，還能夠例示各種半導體基板、藍寶石基板、氧化鋁基板等陶瓷基板、玻璃陶瓷基板(所謂之LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics，低溫共燒陶瓷)基板)等。

於不同種材料貼合基板之情形時，較佳為於具有易被分斷之性狀(高脆性、小厚度)之脆性材料基板側形成保護層(槽)，於具有不易被分斷之性狀(低脆性、大厚度)之脆性材料基板側形成劃線。

於本說明書及申請專利範圍中，使用有上刀、下刀、上方、下方、水平方向之用語，但只不過是為了方便說明相對之位置關係之表達，例如，應理解為處於上下相反之位置關係之情形亦包含於本發明。

於下刀位於貼合基板之上方之情形時，基板可由其他支持機構(例如貼合於由特定之支持機構支持之晶圓環上所鋪設之切割片)支持。

Claims

一種貼合基板之分斷方法，其特徵在於：其係將貼合2片脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置分斷之方法，且包括：劃線形成步驟，其係於上述貼合基板之一主面側之上述分斷預定位置設置劃線；槽部形成步驟，其係藉由在上述貼合基板之另一主面側以使包含上述分斷預定位置之特定寬度之區域露出之態樣設置保護層，而於上述貼合基板之上述另一主面側設置槽部；支持步驟，其係以使上述劃線之形成部位位於在水平方向上以大於上述槽部之寬度之距離相互隔開之2個下刀之間之方式，利用上述2個下刀自下方支持上述一主面朝向下方之上述貼合基板；及分斷步驟，其係於利用上述2個下刀自下方支持上述貼合基板之狀態下，使上刀之前端一面抵接於上述保護層之2個端部一面下降，藉此將上述貼合基板分斷；上述保護層之2個端部隔著上述分斷預定位置於水平方向上隔開存在並且形成上述槽部之側部。
如請求項1之貼合基板之分斷方法，其中上述上刀之沿長度方向形成之上述前端係經R倒角而形成。
一種貼合基板之分斷方法，其特徵在於：其係將貼合2片脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置分斷之方法，且包括：劃線形成步驟，其係於上述貼合基板之一主面側之上述分斷預定位置設置劃線；槽部形成步驟，其係藉由在上述貼合基板之另一主面側以使包含上述分斷預定位置之特定寬度之區域露出之態樣設置保護層，而於上述貼合基板之上述另一主面側設置槽部；支持步驟，其係利用彈性體自下方支持上述一主面朝向下方之上述貼合基板；及分斷步驟，其係於利用上述彈性體自下方支持上述貼合基板之狀態下，使上刀之前端一面抵接於上述保護層之2個端部一面下降，藉此將上述貼合基板分斷；上述保護層之2個端部隔著上述分斷預定位置於水平方向上隔開存在並且形成上述槽部之側部。
如請求項3之貼合基板之分斷方法，其中上述上刀之沿長度方向形成之上述前端係經R倒角而形成。
一種貼合基板之分斷方法，其特徵在於：其係將貼合2片脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置分斷之方法，且包括：劃線形成步驟，其係於上述貼合基板之一主面側之上述分斷預定位置設置劃線；槽部形成步驟，其係藉由在上述貼合基板之另一主面側以使包含上述分斷預定位置之特定寬度之區域露出之態樣設置保護層，而於上述貼合基板之上述另一主面側設置槽部；及分斷步驟，其係於利用特定之支持體自下方支持上述一主面朝向下方之上述貼合基板之狀態下，使上刀之前端一面抵接於隔著上述分斷預定位置於水平方向上隔開存在並且形成上述槽部之側部的上述保護層之2個端部一面下降，藉此利用分別作用於上述2個端部之第1力與伴隨著上述第1力之作用而自上述支持體作用於上述貼合基板之第2力實現四點彎曲之狀態，藉此，將上述貼合基板分斷。
如請求項5之貼合基板之分斷方法，其中上述上刀之沿長度方向形成之上述前端係經R倒角而形成。
一種貼合基板之分斷方法，其特徵在於：其係將貼合2片脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置分斷之方法，且上述貼合基板係於一主面側在上述分斷預定位置形成有劃線，且於另一主面側設置有保護層，且於上述保護層以使包含上述分斷預定位置之特定寬度之區域露出之態樣設置有槽部，且上述一主面朝向下方，以使上述劃線之形成部位位於在水平方向上以大於上述槽部之寬度之距離相互隔開之2個下刀之間之方式，利用上述2個下刀自下方支持上述貼合基板，於該狀態下，使上刀之前端一面抵接於上述保護層之2個端部一面下降，藉此將上述貼合基板分斷；上述保護層之2個端部隔著上述分斷預定位置於水平方向上隔開存在並且形成上述槽部之側部。
如請求項7之貼合基板之分斷方法，其中上述上刀之沿長度方向形成之上述前端係經R倒角而形成。
一種貼合基板之分斷方法，其特徵在於：其係將貼合2片脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置分斷之方法，且上述貼合基板係於一主面側在上述分斷預定位置形成有劃線，且於另一主面側設置有保護層，且於上述保護層以使包含上述分斷預定位置之特定寬度之區域露出之態樣設置有槽部，且上述一主面朝向下方，於利用彈性體自下方支持上述貼合基板之狀態下，使上刀之前端一面抵接於上述保護層之2個端部一面下降，藉此將上述貼合基板分斷；上述保護層之2個端部隔著上述分斷預定位置於水平方向上隔開存在並且形成上述槽部之側部。
如請求項9之貼合基板之分斷方法，其中上述上刀之沿長度方向形成之上述前端係經R倒角而形成。
一種貼合基板之分斷方法，其特徵在於：其係將貼合2片脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置分斷之方法，且上述貼合基板係於一主面側在上述分斷預定位置形成有劃線，且於另一主面側設置有保護層，且於上述保護層以使包含上述分斷預定位置之特定寬度之區域露出之態樣設置有槽部，且上述一主面朝向下方，於利用特定之支持體自下方支持上述貼合基板之狀態下，使上刀之前端一面抵接於隔著上述分斷預定位置於水平方向上隔開存在並且形成上述槽部之側部的上述保護層之2個端部一面下降，藉此利用分別作用於上述2個端部之第1力與伴隨著上述第1力之作用而自上述支持體作用於上述貼合基板之第2力實現四點彎曲之狀態，藉此將上述貼合基板分斷。
如請求項11之貼合基板之分斷方法，其中上述上刀之沿長度方向形成之上述前端係經R倒角而形成。
一種分斷刀，其係於如請求項1、3、5、7、9、11中任一項之分斷方法中被用作上述上刀之分斷刀，上述分斷刀係沿長度方向形成，且該分斷刀之前端以僅抵接於形成上述槽部之側部之上述保護層之2個端部，而不與成為上述槽部之底部之上述貼合基板接觸之方式被R倒角。