TWI686279B - 貼合基板之分斷方法及分斷裝置 - Google Patents

貼合基板之分斷方法及分斷裝置 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種可適切地分斷貼合基板之方法及裝置。
本發明係將貼合2個脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置進行分斷之方法，該方法具備：劃線形成步驟，其係於上述貼合基板之一主面側之上述分斷預定位置設置劃線；保持帶貼附步驟，其係於設有上述劃線之上述貼合基板之上述一主面貼附保持帶；載置步驟，其係將貼附有上述保持帶之上述貼合基板以上述一主面整面接觸之方式載置於彈性體上；及分斷步驟，其係於將上述貼合基板載置於上述彈性體之狀態下，使上刀片之前端一面抵接於上述分斷預定位置一面下降，藉此使裂痕自上述劃線伸展而將上述貼合基板分斷。

Description

貼合基板之分斷方法及分斷裝置
本發明係關於一種將貼合2個脆性材料基板而成之貼合基板、例如貼合包含不同材料之2個脆性材料基板而成之貼合基板進行分斷之方法及用於該方法之裝置。
利用接著劑(樹脂)貼合2個脆性材料基板而成之貼合基板、尤其利用接著劑貼合包含不同材料之2個脆性材料基板而成之貼合基板(異種材料貼合基板)被用作各種元件之基板。例如，有以下之基板等：將於一主面形成特定之元件(例如CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體)感測器等)用圖案而成之單晶矽基板等半導體基板之另一主面貼合於作為支持基板之玻璃基板，以此而形成。此種元件係藉由在將二維地重複形成電路圖案而成之作為母基板之單晶矽晶圓上與玻璃基板利用接著劑(樹脂)貼合之後，分斷成特定之尺寸之短條狀或格子狀之單片(晶片)，從而製作而成(例如參照專利文獻1)。
又，對預先於一主面形成有劃線之脆性材料基板藉由利用三點彎曲方式使裂痕自該劃線伸展而進行分斷之裝置(破碎機)亦已公知(例如參照專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-40621號公報
[專利文獻2]日本專利特開2014-83821號公報
作為於一脆性材料基板(矽基板)形成圖案而成之(異種材料)貼合基板之分斷(單片化)方法，本發明者等人嘗試如下方法：於形成有該圖案之面貼附保護膜後，於另一脆性材料基板(玻璃基板)側形成劃線，之後利用如專利文獻2所揭示之破碎機沿該劃線進行折斷。
然而，於利用該方法進行折斷之情形時，存在如下情況：由於在2個脆性材料基板之間介存接著劑之層等，而產生裂痕自劃線之伸展方向從基板之厚度方向傾斜地偏離之不良狀況。又，由於利用破碎機之上刀片自上方之壓入量(自上刀片抵接於貼合基板或保護膜至折斷完成為止的上刀片之下降距離)較大，因此亦存在容易產生貼合基板之位置偏移之不良狀況。該等不良狀況之產生成為產生晶片之品質劣化等降低晶片之良率之主要原因，因此不佳。
本發明係鑒於上述問題而完成者，目的在於提供一種可較佳地分斷貼合基板、尤其異種材料貼合基板之方法。
為了解決上述問題，技術方案1及2之發明之特徵在於：其係將貼合2個脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置進行分斷之方法，且具備：劃線形成步驟，其係於上述貼合基板之一主面側之上述分斷預定位置設置劃線；基板貼附步驟，其係將設有上述劃線之上述貼合基板之上述一主面貼附於保持帶；保護膜貼附步驟，其係視需要於上述貼合基板之另一主面貼附保護膜；載置步驟，其係將貼附於上述保持帶且視需要貼附有上述保護帶之上述貼合基板以上述一主面側整面接觸之方式載置於彈性體上；及分斷步驟，其係於將上述貼合基板載置於上述彈性體之狀態下，藉由使上刀片之前端一面抵接 於上述分斷預定位置一面下降(使裂痕自上述劃線伸展)，而將上述貼合基板分斷。
又，技術方案3之發明之特徵在於：其係將貼合2個脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置進行分斷之方法，且上述貼合基板於一主面側之上述分斷預定位置形成有劃線且上述一主面朝向下方，於利用彈性體自下方支持上述貼合基板之狀態下，藉由使上刀片之前端一面抵接於上述分斷預定位置一面下降，而將上述貼合基板分斷。
又，技術方案4之發明之特徵在於：其係將貼合2個脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置進行分斷之裝置，且具備：劃線形成機構，其於上述貼合基板之一主面側之上述分斷預定位置設置劃線；基板貼附機構，其將設有上述劃線之上述貼合基板之上述一主面貼附於保持帶；載置機構，其將貼附有上述保持帶之上述貼合基板以上述一主面側整面接觸之方式載置於彈性體上；及分斷機構，其於將上述貼合基板載置於上述彈性體之狀態下，藉由使上刀片之前端一面抵接於上述分斷預定位置一面下降，而將上述貼合基板分斷。
又，技術方案5之發明之特徵在於：其係將貼合2個脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置進行分斷之裝置，且具備：彈性體，其自下方支持上述貼合基板，上述貼合基板於一主面側之上述分斷預定位置形成有劃線且上述一主面朝向下方；及分斷機構，其藉由使設於上述彈性體上方之上刀片之前端一面抵接於上述分斷預定位置一面下降，而將上述貼合基板分斷。
根據本發明，以較先前之三點彎曲方式少之上刀片之壓入量便能將包含異相界面之貼合基板較佳地分斷。而且，可實現利用分斷獲得之單片不產生位置偏移之良好分斷。
1‧‧‧玻璃基板
2‧‧‧半導體基板
3‧‧‧接著層
4‧‧‧保護膜
5‧‧‧保持帶
10‧‧‧貼合基板
10a‧‧‧(分斷貼合基板獲得之)單片
10b‧‧‧(分斷貼合基板獲得之)單片
10c‧‧‧(分斷貼合基板獲得之)單片
101A、101B‧‧‧下刀片
101a、101b‧‧‧端部
102‧‧‧上刀片
201‧‧‧彈性體
201a、201b‧‧‧彈性力集中部位
201s‧‧‧接觸面
202‧‧‧支持體
A‧‧‧分斷預定位置
AR1、AR2‧‧‧箭頭
AR11~AR14‧‧‧箭頭
C‧‧‧虛線部
CR‧‧‧裂痕
F1‧‧‧力
F2‧‧‧力
F2a、F2b‧‧‧彈性力
F3a、F3b‧‧‧力
F11a、F11b‧‧‧力
F12a、F12b‧‧‧力
F13a、F13b‧‧‧力
F14a、F14b‧‧‧摩擦力
G‧‧‧間隙
S‧‧‧劃線
α‧‧‧間隙角度
β‧‧‧間隙角度
圖1係表示成為本發明之實施形態之分斷方法之對象的貼合基板10之構成的模式剖視圖。
圖2係表示形成有劃線S之貼合基板10之模式剖視圖。
圖3(a)~(c)係表示形成有劃線S之貼合基板10之利用三點彎曲方式之折斷步驟之模式剖視圖。
圖4(a)~(c)係表示本實施形態中之貼合基板10之分斷情況之圖。
圖5(a)、(b)係表示藉由分斷獲得之單片自保持帶5脫離時之情況之圖。
圖6係例示被實施有用以防止產生單片自保持帶脫離之不良狀況之措施的彈性體201之圖。
圖7(a)、(b)係表示對彈性體201之接觸面201s實施平滑化處理時之分斷情況之圖。
圖1係表示成為本發明之實施形態之分斷方法之對象的異種材料之貼合基板(以下簡稱為貼合基板)10之構成的模式剖視圖。圖2係表示形成有劃線S之貼合基板10之模式剖視圖。本實施形態中，將利用包含接著劑之接著層3接著均為脆性材料基板之一種的玻璃基板1與半導體基板(例如矽基板)2而成之貼合基板10作為分斷對象。
玻璃基板1及半導體基板2之厚度、進而貼合基板10之平面尺寸並無特別限制，可鑒於分斷及前後步驟之操作容易性或處理效率等，選擇適當大小。
又，關於接著劑之材質，只要確保玻璃基板1與半導體基板2之間之接著強度，另一方面可適切地進行分斷，則無特別限制，例如可適切地使用紫外線(UV)硬化樹脂等。又，就可較佳地實現本實施形態之分斷方法之觀點而言，接著層3之厚度較佳為5μm~200μm左右， 通常為5μm~50μm左右。
於半導體基板2之非接著面側，亦可形成特定之元件(例如CMOS感測器等)用圖案。
於分斷具有如上所述之構成之貼合基板10時，首先，如圖2所示，沿預先規定之分斷預定位置A，於玻璃基板1之非接著面形成劃線S。於圖2中，表示分斷預定位置A及劃線S沿與圖面垂直之方向延伸之情形。劃線S係沿玻璃基板1之厚度方向伸展之裂痕(微小裂痕)於玻璃基板1之非接著面上呈線狀連續而成。
再者，於圖2中，為了進行簡單圖示，僅示出一分斷預定位置A及劃線S，於例如將貼合基板10呈短條狀或格子狀分斷等在複數個部位進行分斷而獲得多個單片之情形時，針對所有之分斷預定位置A形成劃線S。以下，若無特別說明，則於該情形時，亦針對所有之分斷預定位置A實施後段之處理。
形成劃線S可應用公知技術。例如，可為如下態樣：藉由使刀輪(刻劃輪)沿分斷預定位置A進行壓接轉動而形成劃線S，上述刀輪(刻劃輪)包含超硬合金、燒結金剛石、單晶金剛石等，呈圓板狀且於外周部分具備作為刀片發揮功能之稜線；可為如下態樣：藉由利用金剛石尖沿分斷預定位置A畫線，而形成劃線S；可為如下態樣：藉由利用雷射(例如紫外線(UV)雷射)照射產生之燒蝕或變質層之形成，而形成劃線S；亦可為如下態樣：藉由因雷射(例如紅外線(IR)雷射)引起之加熱與冷卻產生之熱應力而形成劃線S。
於本實施形態中，將如此般設置劃線S而成之貼合基板10作為對象，進行在分斷預定位置A之分斷。概略而言，藉由使裂痕CR(參照圖4)自劃線S於厚度方向上(更詳細而言，於與貼合基板10之主面垂直之方向上)伸展，而將貼合基板10分斷。
圖3係表示為了進行比較而例示之利用先前之三點彎曲方式之貼 合基板10之分斷情況之圖。於先前之分斷方法中，首先，如圖3(a)所示，於貼合基板10之玻璃基板1側貼附具有黏著性之保持帶5。再者，保持帶5用於以藉由分斷獲得之晶片(單片)不會飛散等之方式保持該晶片。作為保持帶5，例如可較佳地使用利用切片機切割時以相同目的使用之所謂切割帶。如圖3所示，亦可視需要於半導體基板2之表面貼附保護膜4。藉由於半導體基板4之表面貼附保護膜4，可防止因基板與折斷用刀片接觸所致之基板之破壞。
然後，於使劃線S之形成部位位於在水平方向上隔開之2個下刀片101A、101B之間之態樣中，換言之，於相互平行配置之2個下刀片101A、101B之間使劃線S分別平行地配置之態樣中，利用2個下刀片101A、101B自下方支持使玻璃基板1側朝向下方之貼合基板10。然後，於該支持狀態下，使上刀片102自上方向劃線S之形成位置(亦即分斷預定位置A)下降而抵接於貼合基板10或隔著保護膜4抵接，進而使上刀片102以壓入之方式下降。再者，下刀片101A、101B係以與貼合基板10相比充分具有剛性之構件設置。
該態樣中，於壓入上刀片102之情形時，如圖3(a)所示，對保護膜4之上刀片102所抵接之部位施加朝向下方之力F1，並且作為對於該力F1之反作用力(對抗因力F1及貼合基板10之自重引起之壓縮之力)，自2個下刀片101A及101B各自之端部101a及101b朝向貼合基板10產生向上之力F2a、F2b。隨著裂痕CR之伸展，如圖3(b)所示，貼合基板10被逐漸分斷之左右2個部分以端部101a及101b為支點傾斜。伴隨於此，剖視時呈楔形狀之間隙G自曾經形成有劃線S之部位逐漸擴展。 裂痕CR之伸展在存在於貼合基板10內部之異相界面(玻璃基板1與接著層3之界面、接著層3與半導體基板2之界面)亦得以維持，因此最終如圖3(c)所示，貼合基板10被垂直於主面地分斷。再者，將分斷完成時由分斷產生之2個分斷面所成之角度(間隙角度)設為α。
如上所述之態樣之先前之分斷方法可以說大致為如下方法：藉由使力F1及力F2a、F2b發揮作用，產生以2個下刀片101A及101B各自之端部101a及101b為支點之相反方向之力矩，使藉此被逐漸分斷之左右2個部分產生相反方向之旋動，藉此進行分斷。於該方法中，相當於藉由壓入上刀片102而對貼合基板10賦予之能量之部分消耗於旋動上。
圖4係表示本實施形態中之貼合基板10之分斷情況之圖。本實施形態中分斷貼合基板10之情形亦與先前之方法相同，首先，於貼合基板10之玻璃基板1側貼附具有黏著性之保持帶5。
其次，如圖4(a)所示，以貼附有保持帶5之側之主面側朝下之姿勢，將該貼合基板10以該主面整面接觸之方式載置於彈性體201上。於本實施形態中，彈性體201係指硬度為65°~95°、較佳為70°~90°、例如為80°之材質者。作為該彈性體201，例如可較佳地使用聚矽氧橡膠等。再者，如圖4(a)所示，彈性體201亦可由平台等支持體202支持。於自彈性體201及支持體202側觀察(識別)劃線之情形時，彈性體201及支持體202較佳為透明。
於本實施形態中，於該載置狀態下進行分斷。具體而言，為了使裂痕CR自劃線S於厚度方向上伸展，藉由使上刀片102自上方朝向劃線S之形成位置(亦即分斷預定位置A)下降，而抵接於貼合基板10，進而使上刀片102以壓入之方式下降。
於該態樣中，當壓入上刀片102時，如圖4(a)所示，對保護膜4之上刀片102所抵接之部位施加朝向下方之力F1。於是，作為對於該力F1之反作用力(對抗因力F1及貼合基板10之自重引起之壓縮之力)，自彈性體201朝向貼合基板10，以上刀片102之抵接位置之正下方之位置為中心產生向上之彈性力F2，其後，貼合基板10被逐漸分斷之左右2個部分立即開始傾斜，裂痕CR自劃線S伸展，如圖4(b)所示，剖視時 呈楔形狀之間隙G逐漸擴展。於本實施形態之分斷方法之情形也是，裂痕CR之伸展在存在於貼合基板10內部之異相界面(玻璃基板1與接著層3之界面、接著層3與半導體基板2之界面)亦獲維持。因此，最終如圖4(c)所示，貼合基板10被垂直於主面地分斷。
更詳細而言，當裂痕CR開始伸展而開始形成間隙G時，彈性力F2a、F2b作用於貼合基板10將被分斷之左右2個部分各自與彈性體201之抵接面。而且，與先前之方法相同，隨著裂痕CR之伸展，如圖4(b)所示，剖視時呈楔形狀之間隙G自曾經形成有劃線S之部位逐漸擴展。
再者，此時，實質上如圖4(b)所示，形成間隙G之左右2個分斷面之附近分別成為彈性力F2a、F2b集中地發揮作用之彈性力集中部位201a、201b，因此可以說本實施形態之分斷方法亦係依據三點彎曲方式。
然而，於該本實施形態之分斷方法之情形時，與上述先前之分斷方法不同，隨著間隙G逐漸擴展，彈性力集中部位201a、201b如箭頭AR1、AR2所示般移位，但貼合基板10整體上支持於彈性體201，因此於貼合基板10不易產生以彈性力集中部位201a、201b為支點之力矩。此意味著，本實施形態之分斷方法中，藉由壓入上刀片102而對貼合基板10賦予之能量更有效率地有助於分斷。具體而言，於貼合基板10之分斷預定位置(裂痕CR之伸展對象位置)產生之相互反方向之力F3a、F3b與先前方法相比變大。該力F3a、F3b對裂痕CR之伸展、尤其對接著層3之分斷(撕裂)有效地發揮作用。
結果，於該本實施形態之分斷方法之情形時，即便使上刀片102之壓入量不如先前那般大，亦可較佳地分斷貼合基板10。又，於將本實施形態之分斷方法中之間隙角度之大小設為β時，β<α成立。因此，由於先前之分斷方法之情形時產生之間隙角度α變大而於貼合基 板10產生位置偏移之不良狀況，於本實施形態之分斷方法中被較佳地抑制。
<防止分斷後脫離>
如上所述，貼合基板10藉由以彈性體201進行支持，而可利用三點彎曲方式進行分斷。然而，將一貼合基板10於複數個部位進行分斷而獲得多個單片之情形時，根據彈性體201與貼附貼合基板10之保持帶5之組合，有時由分斷獲得之單片會自保持帶5脫離。圖5係表示產生該脫離時之情況之圖。再者，於圖5中簡化貼合基板10之圖示，並且省略上刀片102及支持體202之圖示。
於圖5(a)中表示利用之前之分斷獲得單片10a後，繼而欲獲得單片10b時作用於保持帶5之力。
首先，如上所述，當為了獲得單片10b而自上刀片102對貼合基板10施加力F1時，間隙G之形成進展，此時，自相互間逐漸剝離之單片10b及貼合基板之剩餘部分(以下，為方便起見亦將其稱為單片)10c對與該等單片接著之保持帶5，作用有欲將該保持帶5沿著彈性體201之表面向外側拉伸之力F11a、F11b。再者，該等力F11a、F11b亦包含作用於單片10b及部分10c與保持帶5之間之接著力在該方向上之成分。該力F11a、F11b相當於使保持帶5追隨分斷時產生之單片向外側之移動之力。
但，對於該力F11a、F11b所作用之保持帶5，在其與彈性體201之間，摩擦力F12a、F12b在與該等力F11a、F11b相反之方向上沿著彈性體201之表面發揮作用。此處，摩擦力F12a、F12b係將最大靜止摩擦力作為最大值之力，靜止摩擦係數越大，則該摩擦力F12a、F12b取得越大之值。該靜止摩擦係數越大，則保持帶5由相對於彈性體201越不易滑動之材質形成。
進而，於保持帶5，伴隨著壓入上刀片102而彈性體201壓縮，欲 沿以該保持帶為中心之方向拉伸之F13a、F13b亦發揮作用。再者，利用上刀片102進行壓縮時，彈性體201亦於與保持帶5相同之方向受力而移位，因此藉由力F13a、13b發揮作用，不會在兩者之間產生摩擦力。
結果，於進行分斷之期間，對於保持帶5，力F11a、F11b向外側發揮作用，力F12a、F12b及力F13a、13b向中心發揮作用。
因此，為了良好地進行分斷，要求力F11a、F11b分別超過F12a、F13a為最大值時之合力F12a+F13a及合力F12b+F13b。假設保持帶5由相對於彈性體201不易滑動之材質形成，因此力F11a、F11b分別不超過該等合力F12a+F13a及合力F12b+F13b之情形時，相較於單片10b欲拉伸保持帶5之朝向外側之力，朝向內側之力更大，因此如圖5(b)中以虛線部C所示，單片10b與保持帶5不再維持接著狀態，而可能引起分斷中途之單片10b自保持帶5脫離。即，可能引起藉由分斷貼合基板10而獲得之單片10b自保持帶5脫離。再者，雖自重大於單片10b之單片10c不易產生此種脫離，但原理上可能引起相同狀況。
圖6係例示被實施有用以防止產生此種不良狀況之措施之彈性體201之圖。
具體而言，為了降低保持帶5與彈性體201之間之靜止摩擦係數，亦即為了使保持帶5相對於彈性體201容易滑動，對彈性體201與保持帶5之接觸面201s實施平滑化處理。此處，所謂平滑化處理，例如例示膜貼附或塗佈等。
圖7係表示對彈性體201之接觸面201s實施平滑化處理時之分斷情況之圖。再者，於圖7中，亦與圖5同樣地，簡化貼合基板10之圖示，並且省略上刀片102及支持體202之圖示。
首先，於圖7(a)中，與圖5(a)同樣地，表示利用之前之分斷獲得單片10a後，繼而欲獲得單片10b時作用於保持帶5之力。該情形時作 用於保持帶5之力之種類與圖5(a)所示之情況相同，但此時，由於對接觸面201s實施平滑化處理而降低靜止摩擦係數，因此保持帶5自彈性體201受到之摩擦力F14a、F14b之最大值小於圖5(a)所示之摩擦力F12a、F12b之最大值。結果，於力F11a、F11b分別大於摩擦力F14a、F14b為最大靜止摩擦力時之合力F14a+F13a及合力F14b+F13b之值之情形時，如圖7(b)所示，被上刀片102壓住中心部分之保持帶5於單片10b及10c欲向外側移動時追隨該移動。此時，保持帶5產生如箭頭AR11~AR14所示之伸展，單片10b未脫離而被分斷。
再者，更詳細而言，保持帶5追隨單片10b及10c之移動時作用於保持帶5與彈性體201之間之摩擦力F14a、F14b為動摩擦力，該動摩擦力係依存於動摩擦係數之值，但於對彈性體201之接觸面201s實施有平滑化處理之情形時，不僅靜止摩擦係數降低，該動摩擦係數亦會降低，因此若實施平滑化處理，則可較佳地抑制單片10b之脫離。
如以上所說明般，根據本實施形態，於將利用接著劑貼合2個脆性材料基板、尤其包含異種材料之2個脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置進行分斷時，首先，於貼合基板之一主面側之分斷預定位置設置劃線。然後，將形成該劃線之側之主面貼附於保持帶，視需要於另一主面貼附保護膜後，以該保持帶之側為下方而將貼合基板載置於彈性體上。於該載置狀態下，使上刀片自上方相對於貼合基板之分斷預定位置下降。藉此，以較先前之三點彎曲方式少之上刀片之壓入量便可將包含異相界面之貼合基板較佳地分斷。而且，可實現利用分斷獲得之單片不產生位置偏移之良好分斷。
又，藉由對彈性體之表面預先實施平滑化處理，可較佳地抑制由分斷獲得之單片自保持帶脫離。
<變化例>
作為上述實施形態之脆性材料基板，除玻璃基板、矽基板以 外，亦可例示各種半導體基板、藍寶石基板、氧化鋁基板等陶瓷基板、玻璃陶瓷基板(所謂LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic，低溫共燒陶瓷)基板)等。
於異種材料貼合基板之情形時，較佳為於具有易分斷之性狀(高脆性、小厚度)之脆性材料基板側視需要形成保護膜，且於具有不易分斷之性狀(低脆性、大厚度)之脆性材料基板側形成劃線。
1‧‧‧玻璃基板
2‧‧‧半導體基板
3‧‧‧接著層
4‧‧‧保護膜
5‧‧‧保持帶
10‧‧‧貼合基板
102‧‧‧上刀片
201‧‧‧彈性體
201a、201b‧‧‧彈性力集中部位
202‧‧‧支持體
AR1、AR2‧‧‧箭頭
CR‧‧‧裂痕
F1‧‧‧力
F2‧‧‧力
F2a、F2b‧‧‧彈性力
F3a、F3b‧‧‧力
G‧‧‧間隙
S‧‧‧劃線
β‧‧‧間隙角度

Claims (5)

  1. 一種貼合基板之分斷方法，其特徵在於：其係將貼合2個脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置進行分斷之方法，且具備：劃線形成步驟，其係於上述貼合基板之一主面側之上述分斷預定位置設置劃線；基板貼附步驟，其係將設有上述劃線之上述貼合基板之上述一主面貼附於保持帶；載置步驟，其係將貼附有上述保持帶之上述貼合基板以上述一主面側整面接觸之方式載置於彈性體上；及分斷步驟，其係於將上述貼合基板載置於上述彈性體之狀態下，藉由使上刀片之前端自上述貼合基板之另一主面側一面抵接於上述分斷預定位置一面下降，而將上述貼合基板分斷；其中，上述保持帶與上述彈性體之間之靜止摩擦係數較上述貼合基板之上述一主面與上述保持帶之間之靜止摩擦係數低。
  2. 如請求項1之貼合基板之分斷方法，其中至少於上述劃線形成步驟之後且上述分斷步驟之前具備保護膜貼附步驟，該保護膜貼附步驟係於上述貼合基板之另一主面貼附保護膜。
  3. 一種貼合基板之分斷方法，其特徵在於：其係將貼合2個脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置進行分斷之方法，且上述貼合基板於一主面側之上述分斷預定位置形成有劃線且上述一主面朝向下方， 於利用彈性體自下方支持上述貼合基板之狀態下，藉由使上刀片之前端自上述貼合基板之另一主面側一面抵接於上述分斷預定位置一面下降，而將上述貼合基板分斷；其中，上述保持帶與上述彈性體之間之靜止摩擦係數較上述貼合基板之上述一主面與上述保持帶之間之靜止摩擦係數低。
  4. 一種貼合基板之分斷裝置，其特徵在於：其係將貼合2個脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置進行分斷之裝置，且具備：劃線形成機構，其於上述貼合基板之一主面側之上述分斷預定位置設置劃線；基板貼附機構，其將設有上述劃線之上述貼合基板之上述一主面貼附於保持帶；載置機構，其將貼附有上述保持帶之上述貼合基板以上述一主面側整面接觸之方式載置於彈性體上；及分斷機構，其於將上述貼合基板載置於上述彈性體之狀態下，藉由使上刀片之前端自上述貼合基板之另一主面側一面抵接於上述分斷預定位置一面下降，而將上述貼合基板分斷；其中，上述保持帶與上述彈性體之間之靜止摩擦係數較上述貼合基板之上述一主面與上述保持帶之間之靜止摩擦係數低。
  5. 一種貼合基板之分斷裝置，其特徵在於：其係將貼合2個脆性材料基板而成之貼合基板於特定之分斷預定位置進行分斷之裝置，且具備：彈性體，其自下方支持上述貼合基板，上述貼合基板於一主面側之上述分斷預定位置形成有劃線且上述一主面朝向下方；及分斷機構，其藉由使設於上述彈性體上方之上刀片之前端自 上述貼合基板之另一主面側一面抵接於上述分斷預定位置一面下降，而將上述貼合基板分斷；其中，上述保持帶與上述彈性體之間之靜止摩擦係數較上述貼合基板之上述一主面與上述保持帶之間之靜止摩擦係數低。
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