JP2018181904A - 加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】金属を含む積層体が切断予定ラインに重ねて形成された板状の被加工物を加工する際に、加工の品質を維持しながら加工の速度を高められる加工方法を提供する。【解決手段】金属を含む積層体が切断予定ラインに重ねて形成された板状の被加工物を加工する加工方法であって、被加工物の積層体側を第１保持テーブルで保持する第１保持ステップと、切断予定ラインを除く領域に設けられたマスク材を介して被加工物にドライエッチングを施すことで切断予定ラインに沿って積層体を残すようにエッチング溝を形成するドライエッチングステップと、被加工物の積層体側又は積層体とは反対側を第２保持テーブルで保持する第２保持ステップと、切削ブレードでエッチング溝の底部を切削して被加工物を積層体とともに切断予定ラインに沿って切断する切削ステップと、を含み、切削ステップでは、被加工物に有機酸と酸化剤とを含む切削液を供給しつつ切削を遂行する。【選択図】図３

Description

本発明は、金属を含む積層体が切断予定ラインに重ねて形成された板状の被加工物を加工するための加工方法に関する。
携帯電話機やパーソナルコンピュータに代表される電子機器では、電子回路等のデバイスを備えるデバイスチップが必須の構成要素になっている。デバイスチップは、例えば、シリコン等の半導体材料でなるウェーハの表面を複数の切断予定ライン（ストリート）で区画し、各領域にデバイスを形成した後、この切断予定ラインに沿ってウェーハを切断することによって得られる。
近年では、上述のようなウェーハの切断予定ライン上に、デバイスの電気的特性を評価するためのＴＥＧ（Test Elements Group）と呼ばれる評価用の素子を形成することが多い（例えば、特許文献１，２等参照）。切断予定ライン上にＴＥＧを形成することで、デバイスチップの取り数を最大限に確保できるとともに、評価後の不要なＴＥＧをウェーハの切断と同時に除去できる。
特開平６−３４９９２６号公報 特開２００５−２１９４０号公報
しかしながら、結合材に砥粒が分散されてなる切削ブレードでＴＥＧのような金属を含む積層体を切削、除去しようとすると、積層体に含まれる金属が切削の際に伸び、バリと呼ばれる突起が発生し易くなる。そして、切削ブレードによる加工の速度が高くなると、発熱量が増えてバリも大きくなる。そのため、この方法では、加工の品質を低下させないように、加工の速度を低く抑える必要があった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、金属を含む積層体が切断予定ラインに重ねて形成された板状の被加工物を加工する際に、加工の品質を維持しながら加工の速度を高められる加工方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、金属を含む積層体が切断予定ラインに重ねて形成された板状の被加工物を加工する加工方法であって、被加工物の該積層体側を第１保持テーブルで保持する第１保持ステップと、該第１保持ステップを実施した後、該切断予定ラインを除く領域に設けられたマスク材を介して被加工物にドライエッチングを施すことで該切断予定ラインに沿って該積層体を残すようにエッチング溝を形成するドライエッチングステップと、該ドライエッチングステップを実施した後、被加工物の該積層体側又は該積層体とは反対側を第２保持テーブルで保持する第２保持ステップと、該第２保持ステップを実施した後、切削ブレードで該エッチング溝の底部を切削して被加工物を該積層体とともに該切断予定ラインに沿って切断する切削ステップと、を備え、該切削ステップでは、被加工物に有機酸と酸化剤とを含む切削液を供給しつつ切削を遂行する加工方法が提供される。
本発明の一態様において、該切削ステップでは、該エッチング溝の幅より厚みの薄い該切削ブレードを使用することが好ましい。
本発明の一態様に係る加工方法では、金属を含む積層体を切削ブレードで切断する際に、有機酸と酸化剤とを含む切削液を供給するので、有機酸と酸化剤とで金属を改質してその延性を低下させながら切断を遂行できる。これにより、加工の速度を高めてもバリの発生を抑制できる。すなわち、加工の品質を維持しながら加工の速度を高められる。
また、本発明の一態様に係る加工方法では、切断予定ラインを除く領域に設けられたマスク材を介してドライエッチングを施すことで、全ての切断予定ラインに沿って被加工物を一度に加工してエッチング溝を形成できるので、切断予定ラインの数が多い被加工物を加工する場合等には、加工の品質を維持しながら１本の切断予定ライン当たりの加工に要する時間を短縮できる。すなわち、加工の品質を維持しながら加工の速度を高められる。
図１（Ａ）は、被加工物の構成例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、被加工物にダイシングテープ等が貼付された状態を模式的に示す斜視図である。 図２（Ａ）は、マスク材形成ステップを説明するための一部断面側面図であり、図２（Ｂ）は、ドライエッチング装置を模式的に示す図である。 図３（Ａ）は、ドライエッチングステップにおいて被加工物にエッチング溝が形成された状態を模式的に示す一部断面側面図であり、図３（Ｂ）は、第２保持ステップを説明するための一部断面側面図である。 切削ステップを説明するための一部断面側面図である。 切削液を供給するための別の態様のノズルを示す側面図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係る加工方法は、金属を含む積層体が切断予定ラインに重ねて形成された板状の被加工物を加工するための加工方法であって、マスク材形成ステップ（図２（Ａ）参照）、第１保持ステップ（図２（Ｂ）参照）、ドライエッチングステップ（図３（Ａ）参照）、第２保持ステップ（図３（Ｂ）参照）、及び切削ステップ（図４参照）を含む。
マスク材形成ステップでは、被加工物の積層体とは反対側にマスク材を形成する。このマスク材は、切断予定ラインを除く領域に形成される。第１保持ステップでは、マスク材が露出するように、被加工物の積層体側をドライエッチング装置の静電チャック（第１保持テーブル）で保持する。ドライエッチングステップでは、マスク材を介して被加工物にドライエッチングを施し、切断予定ラインに沿って積層体を残すようにエッチング溝を形成する。
第２保持ステップでは、被加工物の積層体側を切削装置のチャックテーブル（第２保持テーブル）で保持する。切削ステップでは、有機酸と酸化剤とを含む切削液を供給しながら切削ブレードでエッチング溝の底部を切削し、被加工物を積層体とともに切断予定ラインに沿って切断する。以下、本実施形態に係る加工方法について詳述する。
図１（Ａ）は、本実施形態に係る加工方法で加工される被加工物１１の構成例を模式的に示す斜視図である。図１（Ａ）に示すように、本実施形態の被加工物１１は、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料を用いて円盤状に形成されたウェーハであり、その表面１１ａ側は、中央のデバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域とに分けられる。
デバイス領域は、格子状に配列された切断予定ライン（ストリート）１３で更に複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ（Integrated Circuit）等のデバイス１５が形成されている。また、被加工物１１の裏面１１ｂ側には、金属を含む積層体１７が設けられている。この積層体１７は、例えば、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等でなる厚みが数μｍ程度の多層金属膜であり、電極等として機能する。この積層体１７は、切断予定ライン１３と重なる領域にも形成されている。
なお、本実施形態では、シリコン等の半導体材料でなる円盤状のウェーハを被加工物１１としているが、被加工物１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。同様に、デバイス１５や積層体１７の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。例えば、電極として機能する積層体１７が切断予定ライン１３に沿って形成されたパッケージ基板等を被加工物１１として用いることもできる。
図１（Ｂ）は、被加工物１１にダイシングテープ２１等が貼付された状態を模式的に示す斜視図である。図２（Ａ）に示すように、本実施形態の加工方法を実施する前には、被加工物１１よりも径の大きいダイシングテープ２１を被加工物１１の裏面１１ｂ側（積層体１７）に貼付する。また、ダイシングテープ２１の外周部分には、環状のフレーム２３を固定する。
これにより、被加工物１１は、ダイシングテープ２１を介して環状のフレーム２３に支持される。なお、本実施形態では、ダイシングテープ２１を介して環状のフレーム２３に支持された状態の被加工物１１を加工する例について説明するが、ダイシングテープ２１やフレーム２３を用いずに被加工物１１を加工することもできる。
本実施形態に係る加工方法では、まず、被加工物１１の表面１１ａ側（積層体１７とは反対側）を覆うドライエッチング用のマスク材を形成するマスク材形成ステップを行う。図２（Ａ）は、マスク材形成ステップを説明するための一部断面側面図であり、被加工物１１の表面１１ａ側にマスク材２５が形成された状態を模式的に示している。
このマスク材２５は、例えば、フォトリソグラフィ等の方法で形成され、少なくとも後のドライエッチングに対してある程度の耐性を有している。また、図２（Ａ）に示すように、マスク材２５は、切断予定ライン１３（切削溝１９ａ）が露出するように形成される。すなわち、マスク材２５は、切断予定ライン１３（切削溝１９ａ）を除く領域に設けられる。
マスク材形成ステップの後には、被加工物１１をドライエッチング装置（プラズマエッチング装置）の静電チャック（第１保持テーブル）で保持する第１保持ステップを行う。図２（Ｂ）は、ドライエッチング装置（プラズマエッチング装置）２２を模式的に示す図である。ドライエッチング装置２２は、内部に処理用の空間が形成された真空チャンバ２４を備えている。真空チャンバ２４の側壁には、被加工物１１を搬入、搬出するための開口２４ａが形成されている。
開口２４ａの外部には、開口２４ａを開閉するためのゲート２６が設けられている。ゲート２６には、開閉機構（不図示）が連結されており、この開閉機構によってゲート２６は開閉される。ゲート２６を開いて開口２４ａを露出させることで、開口２４ａを通じて被加工物１１を真空チャンバ２４の内部の空間に搬入し、又は、被加工物１１を真空チャンバ２４の内部の空間から搬出できる。
真空チャンバ２４の底壁には、排気口２４ｂが形成されている。この排気口２４ｂは、真空ポンプ等の排気ユニット２８に接続されている。真空チャンバ２４の空間内には、下部電極３０が配置されている。下部電極３０は、導電性の材料を用いて円盤状に形成されており、真空チャンバ２４の外部において高周波電源３２に接続されている。
下部電極３０の上面には、静電チャック３４が配置されている。静電チャック３４は、例えば、互いに絶縁された複数の電極３６ａ，３６ｂを備え、各電極３６ａ，３６ｂと被加工物１１との間に発生する電気的な力によって被加工物１１を吸着、保持する。なお、本実施形態の静電チャック３４は、電極３６ａに直流電源３８ａの正極を接続でき、電極３６ｂに直流電源３８ｂの負極を接続できるように構成されている。
真空チャンバ２４の天井壁には、導電性の材料を用いて円盤状に形成された上部電極４０が絶縁材を介して取り付けられている。上部電極４０の下面側には、複数のガス噴出孔４０ａが形成されており、このガス噴出孔４０ａは、上部電極４０の上面側に設けられたガス供給孔４０ｂ等を介してガス供給源４２に接続されている。これにより、ドライエッチング用の原料ガスを真空チャンバ２４の空間内に供給できる。この上部電極４０も、真空チャンバ２４の外部において高周波電源４４に接続されている。
第１保持ステップでは、まず、開閉機構によってゲート２６を下降させる。次に、開口２４ａを通じて被加工物１１を真空チャンバ２４の空間内に搬入し、静電チャック３４に載せる。具体的には、被加工物１１の裏面１１ｂ側（積層体１７）に貼付されたダイシングテープ２１を静電チャック３４の上面に接触させる。その後、静電チャック３４を作動させれば、被加工物１１は、表面１１ａ側のマスク材２５が上方に露出した状態で静電チャック３４に吸着、保持される。
第１保持ステップの後には、マスク材２５を介して被加工物１１にドライエッチング（プラズマエッチング）を施すことで、切断予定ライン１３に沿って積層体１７を残すようにエッチング溝を形成するドライエッチングステップを行う。ドライエッチングステップは、引き続きドライエッチング装置２２を用いて行われる。
具体的には、まず、開閉機構によってゲート２６を上昇させて、真空チャンバ２４の空間を密閉する。更に、排気ユニット２８を作動させて、空間内を減圧する。この状態で、ガス供給源４２からドライエッチング用の原料ガスを所定の流量で供給しつつ、高周波電源３２，４４で下部電極３０及び上部電極４０に適切な高周波電力を供給すると、下部電極３０と上部電極４０との間にラジカルやイオン等を含むプラズマが発生する。
これにより、マスク材２５で覆われていない被加工物１１の表面１１ａ側（すなわち、切断予定ライン１３（切削溝１９ａ））をプラズマに曝し、被加工物１１を加工できる。なお、ガス供給源４２から供給されるドライエッチング用の原料ガスは、被加工物１１の材質等に応じて適切に選択される。このドライエッチングにより、積層体１７を貫通しない所望の深さのエッチング溝が形成される。すなわち、このエッチング溝は、切断予定ライン１３に沿って積層体１７を残すように形成される。
図３（Ａ）は、ドライエッチングステップにおいて被加工物１１にエッチング溝１９ａが形成された状態を模式的に示す一部断面側面図である。なお、被加工物１１を適切に除去できる条件のドライエッチングでは、通常、金属を含む積層体１７を殆ど除去できない。よって、ドライエッチングの時間が多少長くなっても、切断予定ライン１３と重なる積層体１７が失われてしまうことはない。
このドライエッチングステップでは、全ての切断予定ライン１３に沿って被加工物１１を一度に加工してエッチング溝１９ａを形成できるので、切断予定ライン１３の数が多い被加工物１１を加工する場合等には、加工の品質を維持しながら１本の切断予定ライン１３当たりの加工に要する時間を短縮できる。なお、ドライエッチングステップの後には、アッシング等の方法でマスク材２５を除去する。
ドライエッチングステップの後には、被加工物１１を切削装置のチャックテーブル（第２保持テーブル）で保持する第２保持ステップを行う。図３（Ｂ）は、第２保持ステップを説明するための一部断面側面図である。第２保持ステップは、例えば、図３（Ｂ）に示す切削装置２を用いて行われる。切削装置２は、被加工物１１を吸引、保持するためのチャックテーブル（第２保持テーブル）４を備えている。
チャックテーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４の下方には、加工送り機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル４は、この加工送り機構によって加工送り方向に移動する。
チャックテーブル４の上面の一部は、被加工物１１（ダイシングテープ２１）を吸引、保持するための保持面４ａになっている。保持面４ａは、チャックテーブル４の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面４ａに作用させることで、被加工物１１は、チャックテーブル４に吸引、保持される。このチャックテーブル４の周囲には、環状のフレーム２３を固定するための複数のクランプ６が設けられている。
第２保持ステップでは、まず、被加工物１１の裏面１１ｂ側（積層体１７）に貼付されているダイシングテープ２１をチャックテーブル４の保持面４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、クランプ６でフレーム２３を固定する。これにより、被加工物１１は、表面１１ａ側の積層体１７が上方に露出した状態で、チャックテーブル４及びクランプ６に保持される。
第２保持ステップの後には、エッチング溝１９ａの底部を切削し、被加工物１１を積層体１７とともに切断予定ライン１３に沿って切断する切削ステップを行う。図４は、切削ステップを説明するための一部断面側面図である。切削ステップは、引き続き切削装置２を用いて行われる。図４に示すように、切削装置２は、チャックテーブル４の上方に配置された切削ユニット８を更に備えている。
切削ユニット８は、加工送り方向に対して概ね垂直な回転軸となるスピンドル（不図示）を備えている。スピンドルの一端側には、結合材に砥粒が分散されてなる環状の切削ブレード１０が装着されている。スピンドルの他端側には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、スピンドルの一端側に装着された切削ブレード１０は、この回転駆動源から伝わる力によって回転する。なお、本実施形態の切削ステップでは、エッチング溝１９ａの幅より厚みの薄い切削ブレード１０を使用する。
また、スピンドルは、移動機構（不図示）に支持されている。切削ブレード１０は、この移動機構によって、加工送り方向に垂直な割り出し送り方向、及び鉛直方向（加工送り方向及び割り出し送り方向に垂直な方向）に移動する。切削ブレード１０の側方には、一対のノズル１２が切削ブレード１０を挟むように配置されている。ノズル１２は、切削ブレード１０や被加工物１１に対して切削液１４を供給できるように構成される。
切削ステップでは、まず、チャックテーブル４を回転させて、対象となるエッチング溝１９ａ（切断予定ライン１３）の伸長する方向を切削装置２の加工送り方向に合わせる。また、チャックテーブル４及び切削ユニット８を相対的に移動させて、対象となるエッチング溝１９ａ（切断予定ライン１３）の延長線上に切削ブレード１０の位置を合わせる。そして、切削ブレード１０の下端を積層体１７の下面より低い位置まで移動させる。
その後、切削ブレード１０を回転させながら加工送り方向にチャックテーブル４を移動させる。併せて、ノズル１２から、切削ブレード１０及び被加工物１１に対し、有機酸と酸化剤とを含む切削液１４を供給する。これにより、対象のエッチング溝１９ａ（切断予定ライン１３）に沿って切削ブレード１０を切り込ませ、被加工物１１を積層体１７とともに完全に切断してカーフ（切り口）１９ｂを形成できる。
本実施形態のように、切削液１４に有機酸を含ませることで、積層体１７中の金属を改質して、その延性を抑えることができる。また、切削液１４に酸化剤を含ませることで、積層体１７中の金属の表面が酸化し易くなる。その結果、積層体１７中の金属の延性を十分に下げて加工性を高められる。
切削液１４に含まれる有機酸としては、例えば、分子内に少なくとも１つのカルボキシル基と少なくとも１つのアミノ基とを有する化合物を用いることができる。この場合、アミノ基のうち少なくとも１つは、２級又は３級のアミノ基であると好ましい。また、有機酸として用いる化合物は、置換基を有していてもよい。
有機酸として用いることのできるアミノ酸としては、グリシン、ジヒドロキシエチルグリシン、グリシルグリシン、ヒドロキシエチルグリシン、Ｎ−メチルグリシン、β−アラニン、Ｌ−アラニン、Ｌ−２−アミノ酪酸、Ｌ−ノルバリン、Ｌ−バリン、Ｌ−ロイシン、Ｌ−ノルロイシン、Ｌ−アロイソロイシン、Ｌ−イソロイシン、Ｌ−フェニルアラニン、Ｌ−プロリン、サルコシン、Ｌ−オルニチン、Ｌ−リシン、タウリン、Ｌ−セリン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−アロトレオニン、Ｌ−ホモセリン、Ｌ−チロキシン、Ｌ−チロシン、３，５−ジヨード−Ｌ−チロシン、β−（３，４−ジヒドロキシフェニル）−Ｌ−アラニン、４−ヒドロキシ−Ｌ−プロリン、Ｌ−システィン、Ｌ−メチオニン、Ｌ−エチオニン、Ｌ−ランチオニン、Ｌ−シスタチオニン、Ｌ−シスチン、Ｌ−システィン酸、Ｌ−グルタミン酸、Ｌ−アスパラギン酸、Ｓ−（カルボキシメチル）−Ｌ−システィン、４−アミノ酪酸、Ｌ−アスパラギン、Ｌ−グルタミン、アザセリン、Ｌ−カナバニン、Ｌ−シトルリン、Ｌ−アルギニン、δ−ヒドロキシ−Ｌ−リシン、クレアチン、Ｌ−キヌレニン、Ｌ−ヒスチジン、１−メチル−Ｌ−ヒスチジン、３−メチル−Ｌ−ヒスチジン、Ｌ−トリプトファン、アクチノマイシンＣ１、エルゴチオネイン、アパミン、アンギオテンシンＩ、アンギオテンシンＩＩ及びアンチパイン等が挙げられる。中でも、グリシン、Ｌ−アラニン、Ｌ−プロリン、Ｌ−ヒスチジン、Ｌ−リシン、ジヒドロキシエチルグリシンが好ましい。
また、有機酸として用いることのできるアミノポリ酸としては、イミノジ酢酸、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ニトリロトリスメチレンホスホン酸、エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチレンスルホン酸、１，２−ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸（ＳＳ体）、β−アラニンジ酢酸、Ｎ−（２−カルボキシラートエチル）−Ｌ−アスパラギン酸、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジ酢酸等が挙げられる。
更に、有機酸として用いることのできるカルボン酸としては、ギ酸、グリコール酸、プロピオン酸、酢酸、酪酸、吉草酸、ヘキサン酸、シュウ酸、マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、リンゴ酸、コハク酸、ピメリン酸、メルカプト酢酸、グリオキシル酸、クロロ酢酸、ピルビン酸、アセト酢酸、グルタル酸等の飽和カルボン酸や、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、フマル酸、マレイン酸、メサコン酸、シトラコン酸、アコニット酸等の不飽和カルボン酸、安息香酸類、トルイル酸、フタル酸類、ナフトエ酸類、ピロメット酸、ナフタル酸等の環状不飽和カルボン酸等が挙げられる。
切削液１４に含まれる酸化剤としては、例えば、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、セリウム酸塩、バナジン酸塩、オゾン水および銀（ＩＩ）塩、鉄（ＩＩＩ）塩や、その有機錯塩等を用いることができる。
また、切削液１４には、防食剤が混合されても良い。防食剤を混合することで、被加工物１１に含まれる金属の腐食（溶出）を防止できる。防食剤としては、例えば、分子内に３つ以上の窒素原子を有し、且つ、縮環構造を有する複素芳香環化合物、又は、分子内に４つ以上の窒素原子を有する複素芳香環化合物を用いることが好ましい。更に、芳香環化合物は、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基を含むことが好ましい。具体的には、テトラゾール誘導体、１，２，３−トリアゾール誘導体、及び１，２，４−トリアゾール誘導体であることが好ましい。
防食剤として用いることのできるテトラゾール誘導体としては、テトラゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ、テトラゾールの５位に、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、又は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも１つの置換基で置換されたアルキル基が導入されたものが挙げられる。
また、防食剤として用いることのできる１，２，３−トリアゾール誘導体としては、１，２，３−トリアゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ、１，２，３−トリアゾールの４位及び／又は５位に、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、或いは、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも１つの置換基で置換されたアルキル基又はアリール基が導入されたものが挙げられる。
また、防食剤として用いることのできる１，２，４−トリアゾール誘導体としては、１，２，４−トリアゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ、１，２，４−トリアゾールの２位及び／又は５位に、スルホ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、或いは、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも１つの置換基で置換されたアルキル基又はアリール基が導入されたものが挙げられる。
上述の手順を繰り返し、全てのエッチング溝１９ａ（切断予定ライン１３）に沿ってカーフ１９ｂが形成されると、切削ステップは終了する。本実施形態では、有機酸と酸化剤とを含む切削液１４を被加工物１１に供給しながら切削を遂行するので、積層体１７に含まれる金属を改質してその延性を低下させながら切削を遂行できる。これにより、加工の速度を高めてもバリの発生を抑制できる。
また、本実施形態では、エッチング溝１９ａの幅より厚みの薄い切削ブレード１０を使用しているので、エッチング溝１９ａと切削ブレード１０との間に切削液１４が溜まりやすい。その結果、積層体１７に十分な量の切削液１４を供給できるようになり、被加工物１１の加工性を更に高めることができる。
以上のように、本実施形態に係る加工方法では、金属を含む積層体１７を切削ブレード１０で切断する際に、有機酸と酸化剤とを含む切削液１４を供給するので、有機酸と酸化剤とで金属を改質してその延性を低下させながら切断を遂行できる。これにより、加工の速度を高めてもバリの発生を抑制できる。すなわち、加工の品質を維持しながら加工の速度を高められる。
また、本実施形態に係る加工方法では、切断予定ライン１３を除く領域に設けられたマスク材２５を介してドライエッチングを施すことで、全ての切断予定ライン１３に沿って被加工物１１を一度に加工してエッチング溝１９ａを形成できるので、切断予定ライン１３の数が多い被加工物１１を加工する場合等には、加工の品質を維持しながら１本の切断予定ライン１３当たりの加工に要する時間を短縮できる。すなわち、加工の品質を維持しながら加工の速度を高められる。
なお、本発明は、上記実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、金属を含む積層体１７が裏面１１ｂ側に形成された被加工物１１を加工しているが、金属を含む積層体が表面側に形成された被加工物を加工することもできる。なお、このような被加工物としては、例えば、ＴＥＧ（Test Elements Group）等と呼ばれる評価用の素子を含む積層体を表面側の切断予定ラインと重なる位置に備えたウェーハ等を挙げることができる。
また、上記実施形態では、被加工物１１の表面１１ａ側から切削ブレード１０を切り込ませているが、被加工物１１の裏面１１ｂ側から切削ブレード１０を切り込ませることもできる。ただし、この場合には、ダイシングテープ２１を剥離した上で被加工物１１の表面１１ａ側をチャックテーブル４で保持し、被加工物１１の裏面１１ｂ側を上方に露出させる必要がある。
また、上述した切削ステップでは、切削ブレード１０を挟む一対のノズル１２から切削液１４を供給しているが、切削液１４を供給するためのノズルの態様に特段の制限はない。図５は、切削液１４を供給するための別の態様のノズルを示す側面図である。図５に示すように、変形例に係る切削ユニット８は、切削ブレード１０及び一対のノズル１２に加え、切削ブレード１０の前方（又は後方）に配置されるノズル（シャワーノズル）１６を有している。
このノズル１６から切削液１４を供給することで、カーフ（切り口）１９ｂに切削液１４が供給され易くなって、積層体１７中の金属をより効果的に改質できるようになる。特に、図５に示すように、ノズル１６の噴射口を斜め下方（例えば、切削ブレード１０の加工点付近）に向けると、カーフ１９ｂに多くの切削液１４を供給、充填して、積層体１７中の金属を更に効果的に改質できるので好ましい。なお、図５では、一対のノズル１２とともにノズル１６を用いているが、ノズル１６のみを単独で用いても良い。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
１１ 被加工物
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１３ 切断予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
１７ 積層体
１９ａ エッチング溝
１９ｂ カーフ（切り口）
２１ ダイシングテープ
２３ フレーム
２５ マスク材
２ 切削装置
４ チャックテーブル（第２保持テーブル）
４ａ 保持面
６ クランプ
８ 切削ユニット
１０ 切削ブレード
１２ ノズル
１４ 切削液
１６ ノズル（シャワーノズル）
２２ ドライエッチング装置（プラズマエッチング装置）
２４ 真空チャンバ
２４ａ 開口
２４ｂ 排気口
２６ ゲート
２８ 排気ユニット
３０ 下部電極
３２ 高周波電源
３４ 静電チャック（第１保持テーブル）
３６ａ，３６ｂ 電極
３８ａ，３８ｂ 直流電源
４０ 上部電極
４０ａ ガス噴出孔
４０ｂ ガス供給孔
４２ ガス供給源
４４ 高周波電源

Claims (2)

  1. 金属を含む積層体が切断予定ラインに重ねて形成された板状の被加工物を加工する加工方法であって、
    被加工物の該積層体側を第１保持テーブルで保持する第１保持ステップと、
    該第１保持ステップを実施した後、該切断予定ラインを除く領域に設けられたマスク材を介して被加工物にドライエッチングを施すことで該切断予定ラインに沿って該積層体を残すようにエッチング溝を形成するドライエッチングステップと、
    該ドライエッチングステップを実施した後、被加工物の該積層体側又は該積層体とは反対側を第２保持テーブルで保持する第２保持ステップと、
    該第２保持ステップを実施した後、切削ブレードで該エッチング溝の底部を切削して被加工物を該積層体とともに該切断予定ラインに沿って切断する切削ステップと、を備え、
    該切削ステップでは、被加工物に有機酸と酸化剤とを含む切削液を供給しつつ切削を遂行することを特徴とする加工方法。
  2. 該切削ステップでは、該エッチング溝の幅より厚みの薄い該切削ブレードを使用することを特徴とする請求項１に記載の加工方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021027183A (ja) * 2019-08-06 2021-02-22 株式会社ディスコ チップの製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113990748B (zh) * 2021-12-28 2022-08-30 江苏长晶浦联功率半导体有限公司 晶圆切割保护方法及具有切割保护环的晶圆

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231658A (ja) * 2001-01-30 2002-08-16 Takemoto Denki Seisakusho:Kk 半導体ウエハーの切断方法
JP2005142399A (ja) * 2003-11-07 2005-06-02 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング方法
JP2015177089A (ja) * 2014-03-17 2015-10-05 株式会社ディスコ 切削方法
JP2015532532A (ja) * 2012-09-28 2015-11-09 プラズマ − サーム、エルエルシー バック・メタルを有する基板をダイシングするための方法
JP2016054182A (ja) * 2014-09-03 2016-04-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2016139739A (ja) * 2015-01-28 2016-08-04 株式会社東芝 デバイスの製造方法
JP2017041525A (ja) * 2015-08-19 2017-02-23 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6349926A (ja) 1986-08-20 1988-03-02 Nec Corp 複数ソ−ト処理の並行実行方式
JPH06349926A (ja) 1993-06-12 1994-12-22 Hitachi Ltd 半導体装置
US5461008A (en) * 1994-05-26 1995-10-24 Delco Electronics Corporatinon Method of preventing aluminum bond pad corrosion during dicing of integrated circuit wafers
JPH0832110A (ja) * 1994-07-19 1996-02-02 Oki Electric Ind Co Ltd 端面発光型ｌｅｄ、端面発光型発光素子の製造方法、端面発光型発光素子の発光特性測定方法
US5904548A (en) * 1996-11-21 1999-05-18 Texas Instruments Incorporated Trench scribe line for decreased chip spacing
JP2001338927A (ja) * 2000-05-29 2001-12-07 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US7087452B2 (en) * 2003-04-22 2006-08-08 Intel Corporation Edge arrangements for integrated circuit chips
JP4231349B2 (ja) 2003-07-02 2009-02-25 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP4751634B2 (ja) * 2005-03-31 2011-08-17 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
US20080191318A1 (en) * 2007-02-09 2008-08-14 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor device and method of sawing semiconductor device
CN102623373B (zh) * 2007-05-25 2015-07-15 浜松光子学株式会社 切断用加工方法
JP2009016420A (ja) 2007-07-02 2009-01-22 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP5605033B2 (ja) * 2010-07-09 2014-10-15 豊田合成株式会社 発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオード
IT1402530B1 (it) * 2010-10-25 2013-09-13 St Microelectronics Srl Circuiti integrati con retro-metallizzazione e relativo metodo di produzione.
JP5473879B2 (ja) 2010-12-06 2014-04-16 パナソニック株式会社 半導体ウェハのダイシングライン加工方法および半導体チップの製造方法
US8952413B2 (en) * 2012-03-08 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Etched trenches in bond materials for die singulation, and associated systems and methods
US8652940B2 (en) * 2012-04-10 2014-02-18 Applied Materials, Inc. Wafer dicing used hybrid multi-step laser scribing process with plasma etch
JP2014120494A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP6219565B2 (ja) * 2012-12-26 2017-10-25 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP5637331B1 (ja) * 2013-07-01 2014-12-10 富士ゼロックス株式会社 半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および画像形成装置
US9224650B2 (en) 2013-09-19 2015-12-29 Applied Materials, Inc. Wafer dicing from wafer backside and front side
JP2015095508A (ja) 2013-11-11 2015-05-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN104766793B (zh) * 2014-01-03 2017-10-31 北大方正集团有限公司 一种酸槽背面硅腐蚀方法
JP6262006B2 (ja) * 2014-02-10 2018-01-17 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法および加工装置
JP6385085B2 (ja) * 2014-03-14 2018-09-05 株式会社ディスコ バイト切削方法
JP6377449B2 (ja) 2014-08-12 2018-08-22 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP6521815B2 (ja) * 2015-09-25 2019-05-29 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231658A (ja) * 2001-01-30 2002-08-16 Takemoto Denki Seisakusho:Kk 半導体ウエハーの切断方法
JP2005142399A (ja) * 2003-11-07 2005-06-02 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング方法
JP2015532532A (ja) * 2012-09-28 2015-11-09 プラズマ − サーム、エルエルシー バック・メタルを有する基板をダイシングするための方法
JP2015177089A (ja) * 2014-03-17 2015-10-05 株式会社ディスコ 切削方法
JP2016054182A (ja) * 2014-09-03 2016-04-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2016139739A (ja) * 2015-01-28 2016-08-04 株式会社東芝 デバイスの製造方法
JP2017041525A (ja) * 2015-08-19 2017-02-23 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021027183A (ja) * 2019-08-06 2021-02-22 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP7442927B2 (ja) 2019-08-06 2024-03-05 株式会社ディスコ チップの製造方法

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