JP2002231658A - 半導体ウエハーの切断方法 - Google Patents
半導体ウエハーの切断方法Info
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- JP2002231658A JP2002231658A JP2001021390A JP2001021390A JP2002231658A JP 2002231658 A JP2002231658 A JP 2002231658A JP 2001021390 A JP2001021390 A JP 2001021390A JP 2001021390 A JP2001021390 A JP 2001021390A JP 2002231658 A JP2002231658 A JP 2002231658A
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハーを回転ブレードで切断する際
に膜ダレ現象を起こすことなく確実に切断分離すること
のできる切断方法を提供する。 【解決手段】 シリコン等の半導体層２の裏面にアルミ
等の金属膜３をコーティング加工等の手段により積層さ
せた半導体ウエハー１を薄板状のシート材４に保持させ
て切削装置Ａのチャックテーブル上に載置し、回転ブレ
ード５で半導体ウエハーを所定の切削ラインに沿って切
断するに際して、先ず一回目の送り操作で半導体層２の
大半を切断し、２回目の送り操作で金属膜３を含んだ全
体を切断するようにし、これにより金属膜３を切断する
際の回転ブレード５の刃先に係る負荷や金属膜にかかる
テンションを軽減して無理なく確実に金属膜を切断分離
させるようにした。
に膜ダレ現象を起こすことなく確実に切断分離すること
のできる切断方法を提供する。 【解決手段】 シリコン等の半導体層２の裏面にアルミ
等の金属膜３をコーティング加工等の手段により積層さ
せた半導体ウエハー１を薄板状のシート材４に保持させ
て切削装置Ａのチャックテーブル上に載置し、回転ブレ
ード５で半導体ウエハーを所定の切削ラインに沿って切
断するに際して、先ず一回目の送り操作で半導体層２の
大半を切断し、２回目の送り操作で金属膜３を含んだ全
体を切断するようにし、これにより金属膜３を切断する
際の回転ブレード５の刃先に係る負荷や金属膜にかかる
テンションを軽減して無理なく確実に金属膜を切断分離
させるようにした。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、シリコン等の半導
体層の裏面にアルミ等の金属膜をコーティング加工した
半導体ウエハーを小さな四角形のチップに切断する切断
方法に関する。
体層の裏面にアルミ等の金属膜をコーティング加工した
半導体ウエハーを小さな四角形のチップに切断する切断
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハーを小さな四角形に
切断するのに、図１に示すように切削装置Ａのチャック
テーブル６に半導体ウエハー１を載置し、回転ブレード
５に対して台板９を移動させて所定の切削ラインに沿っ
て切断している。この場合、切断加工される半導体ウエ
ハー１は切断後に各チップが分散しないように略円盤状
のシート材４で保持されている。
切断するのに、図１に示すように切削装置Ａのチャック
テーブル６に半導体ウエハー１を載置し、回転ブレード
５に対して台板９を移動させて所定の切削ラインに沿っ
て切断している。この場合、切断加工される半導体ウエ
ハー１は切断後に各チップが分散しないように略円盤状
のシート材４で保持されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この切断にあたって、
従来では回転ブレード５を切削ラインにそって一回走行
させるだけで、即ち一度切りで行われている。しかし、
このような一度切りではしばしば図４に示すように金属
膜３が回転ブレード５の刃先に沿ってたれ下がって左右
の金属膜３が完全に切断されなかったり、或いは切断時
に無理な応力がかかってチップ損傷の原因となったり、
ブレードを損傷したりする等の問題点があった。このよ
うな現象は各チップを分離して検査等の後処理工程を行
う際に大きな弊害となると共に不良品の発生原因ともな
る。
従来では回転ブレード５を切削ラインにそって一回走行
させるだけで、即ち一度切りで行われている。しかし、
このような一度切りではしばしば図４に示すように金属
膜３が回転ブレード５の刃先に沿ってたれ下がって左右
の金属膜３が完全に切断されなかったり、或いは切断時
に無理な応力がかかってチップ損傷の原因となったり、
ブレードを損傷したりする等の問題点があった。このよ
うな現象は各チップを分離して検査等の後処理工程を行
う際に大きな弊害となると共に不良品の発生原因ともな
る。
【０００４】そこで本発明は、このような膜ダレ現象を
なくして確実に半導体ウエハーを切断分離できる切断方
法を提供し、もって上記従来課題の解決を図ることを主
たる目的とするものである。
なくして確実に半導体ウエハーを切断分離できる切断方
法を提供し、もって上記従来課題の解決を図ることを主
たる目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】該目的を達成するために
本発明では次のような技術的手段を講じた。即ち本発明
に係る切断方法にあっては、シリコン等の半導体層２の
裏面にアルミ等の金属膜３を積層させた半導体ウエハー
１を薄板状のシート材４に保持させて切削装置Ａのチャ
ックテーブル上に載置し、回転ブレード５で半導体ウエ
ハーを所定の切削ラインに沿って切断するに際して、先
ず一回目の送り操作で半導体層２の大半を切断し、２回
目の送り操作で金属膜３を含んだ全体を切断するように
したものである。これにより金属膜３を切断する際の回
転ブレード５の刃先に係る負荷やテンションを軽減して
無理なく確実に金属膜を切断分離させることができる。
本発明では次のような技術的手段を講じた。即ち本発明
に係る切断方法にあっては、シリコン等の半導体層２の
裏面にアルミ等の金属膜３を積層させた半導体ウエハー
１を薄板状のシート材４に保持させて切削装置Ａのチャ
ックテーブル上に載置し、回転ブレード５で半導体ウエ
ハーを所定の切削ラインに沿って切断するに際して、先
ず一回目の送り操作で半導体層２の大半を切断し、２回
目の送り操作で金属膜３を含んだ全体を切断するように
したものである。これにより金属膜３を切断する際の回
転ブレード５の刃先に係る負荷やテンションを軽減して
無理なく確実に金属膜を切断分離させることができる。
【０００６】前記半導体ウエハー１を保持するシート材
４は切断ブレード５が容易に食い込むことが可能な材料
で形成される。また回転ブレード５による半導体ウエハ
ー１の切断時には切削液を切断箇所に噴射させながら行
い、同時に切削完了側の半導体ウエハー表面にエアーを
噴射させて切削屑が混入した汚水を吹き飛ばすようにす
るのがよい。
４は切断ブレード５が容易に食い込むことが可能な材料
で形成される。また回転ブレード５による半導体ウエハ
ー１の切断時には切削液を切断箇所に噴射させながら行
い、同時に切削完了側の半導体ウエハー表面にエアーを
噴射させて切削屑が混入した汚水を吹き飛ばすようにす
るのがよい。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下本発明の詳細を図に示した実
施図面に基づいて説明する。図において符号１は切断さ
れる半導体ウエハーであって、シリコン等の半導体層２
の裏面にアルミ等の金属膜３をコーティング加工等の手
段により積層して形成されている。またこの半導体ウエ
ハー１は小さな多数のチップに切断したときに分散しな
いようにその裏面に薄板状のシート材４で保持されてい
る。このシート材４は形態を維持できるに十分な強度を
有するものでありながら後記の回転ブレード５の刃先が
容易に食い込むことができる材料、例えば塩化ビニール
樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフイン系
樹脂等で形成されている。
施図面に基づいて説明する。図において符号１は切断さ
れる半導体ウエハーであって、シリコン等の半導体層２
の裏面にアルミ等の金属膜３をコーティング加工等の手
段により積層して形成されている。またこの半導体ウエ
ハー１は小さな多数のチップに切断したときに分散しな
いようにその裏面に薄板状のシート材４で保持されてい
る。このシート材４は形態を維持できるに十分な強度を
有するものでありながら後記の回転ブレード５の刃先が
容易に食い込むことができる材料、例えば塩化ビニール
樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフイン系
樹脂等で形成されている。
【０００８】図１における符号Ａは本発明の切断方法に
使用される切削装置であって、上記半導体ウエハー１を
上面に吸着保持するチャックテーブル６と、スピンドル
７に保持された回転横軸８に着脱自在に取り付けられた
回転刃５とを備えている。前記チャックテーブル６は垂
直な軸の周りで９０度毎に回転固定できるようになって
おり、且つ台板９と共に回転刃５の回転横軸８に対して
直交する方向に移動できるようになっている。また前記
スピンドル７は予め割り出された間隔づつスピンドル軸
方向に沿って移動できるようになっている。これによ
り、台板９をチャックテーブル６と共に回転刃５に向か
って移動させることにより、チャックテーブル６上の半
導体ウエハー１を所定の切削ラインに沿って格子状に切
削できるように構成されている。また上記切削の際に回
転刃５の加熱を押さえて滑らかに切断できるように回転
刃５の切削部分に切削液を噴射する切削液噴射ノズル１
０が回転刃５の両側でブレードカバー１１に取り付けら
れており、更に切削液の噴射に起因して被加工物表面に
残留する切削液を切削屑と共に吹き飛ばすエアー噴射ノ
ズル１２が、前記ブレードカバー１１又はこれに連なる
部分に取り付けられている。
使用される切削装置であって、上記半導体ウエハー１を
上面に吸着保持するチャックテーブル６と、スピンドル
７に保持された回転横軸８に着脱自在に取り付けられた
回転刃５とを備えている。前記チャックテーブル６は垂
直な軸の周りで９０度毎に回転固定できるようになって
おり、且つ台板９と共に回転刃５の回転横軸８に対して
直交する方向に移動できるようになっている。また前記
スピンドル７は予め割り出された間隔づつスピンドル軸
方向に沿って移動できるようになっている。これによ
り、台板９をチャックテーブル６と共に回転刃５に向か
って移動させることにより、チャックテーブル６上の半
導体ウエハー１を所定の切削ラインに沿って格子状に切
削できるように構成されている。また上記切削の際に回
転刃５の加熱を押さえて滑らかに切断できるように回転
刃５の切削部分に切削液を噴射する切削液噴射ノズル１
０が回転刃５の両側でブレードカバー１１に取り付けら
れており、更に切削液の噴射に起因して被加工物表面に
残留する切削液を切削屑と共に吹き飛ばすエアー噴射ノ
ズル１２が、前記ブレードカバー１１又はこれに連なる
部分に取り付けられている。
【０００９】上記回転ブレード５によって半導体ウエハ
ー１を所定の切削ラインに沿って切断するに際して、本
発明では先ず一回目の送り操作で、図２に示すように半
導体層２の大半を切断し、２回目の送り操作で図３に示
すように金属膜３を含んだ全体を切断するようにした。
これにより２回目の送り操作で金属膜３を切断する際の
回転ブレード５の刃先に係る負荷やテンションが軽減さ
れて、従来のような膜ダレ現象を生じることなく確実に
金属膜を切断分離させることができる。またエアー噴射
ノズル１２からのエアーによって切削屑の混ざった汚水
をウエハー半導体表面から効果的に除去して、品質の向
上と不良品の発生を軽減して製品の歩留まりを高めるこ
とができ、これにより高価な半導体ウエハーの有効利用
が可能となって製品コストの低減化を図ることができ
る。加えて、エアー噴射によって半導体ウエハー表面か
ら切削水が殆ど吹き飛ばされるので、乾燥等の後工程処
理も楽になって加工時間が短縮される。
ー１を所定の切削ラインに沿って切断するに際して、本
発明では先ず一回目の送り操作で、図２に示すように半
導体層２の大半を切断し、２回目の送り操作で図３に示
すように金属膜３を含んだ全体を切断するようにした。
これにより２回目の送り操作で金属膜３を切断する際の
回転ブレード５の刃先に係る負荷やテンションが軽減さ
れて、従来のような膜ダレ現象を生じることなく確実に
金属膜を切断分離させることができる。またエアー噴射
ノズル１２からのエアーによって切削屑の混ざった汚水
をウエハー半導体表面から効果的に除去して、品質の向
上と不良品の発生を軽減して製品の歩留まりを高めるこ
とができ、これにより高価な半導体ウエハーの有効利用
が可能となって製品コストの低減化を図ることができ
る。加えて、エアー噴射によって半導体ウエハー表面か
ら切削水が殆ど吹き飛ばされるので、乾燥等の後工程処
理も楽になって加工時間が短縮される。
【００１０】以上本発明の代表的な実施例について説明
したが、本発明は必ずしも上記の実施例構造のみに特定
されるものではない。例えば切断される対象物が半導体
ウエハーに代えて半導体デバイス用ガラスや半導体デバ
イス用プラスチックであってもよい。また回転ブレード
５の回転方向が、図２における矢印方向とは反対の方向
にしてもよい、その他本発明では、その構成要件を備
え、且つ効果を有する範囲内で適宜変更して実施できる
ことは勿論である。
したが、本発明は必ずしも上記の実施例構造のみに特定
されるものではない。例えば切断される対象物が半導体
ウエハーに代えて半導体デバイス用ガラスや半導体デバ
イス用プラスチックであってもよい。また回転ブレード
５の回転方向が、図２における矢印方向とは反対の方向
にしてもよい、その他本発明では、その構成要件を備
え、且つ効果を有する範囲内で適宜変更して実施できる
ことは勿論である。
【００１１】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明では、先ず一回
目の送り操作で半導体層の大半を切断し、２回目の送り
操作で金属膜を含む全体を切断するようにしたから、金
属膜を切断する際の回転ブレードの刃先に係る負荷が軽
減されて、従来のような膜ダレ現象を生じることなく確
実に金属膜を切断分離させることができ、これにより後
処理工程を容易にすると共に不良品の発生を軽減して製
品の歩留まりを高めることができ、高価な半導体ウエハ
ーの有効利用が可能となって製品コストの低減化を図る
ことができ、加えて回転ブレードの負荷も軽減してブレ
ードの損傷を押さえることが出来る。
目の送り操作で半導体層の大半を切断し、２回目の送り
操作で金属膜を含む全体を切断するようにしたから、金
属膜を切断する際の回転ブレードの刃先に係る負荷が軽
減されて、従来のような膜ダレ現象を生じることなく確
実に金属膜を切断分離させることができ、これにより後
処理工程を容易にすると共に不良品の発生を軽減して製
品の歩留まりを高めることができ、高価な半導体ウエハ
ーの有効利用が可能となって製品コストの低減化を図る
ことができ、加えて回転ブレードの負荷も軽減してブレ
ードの損傷を押さえることが出来る。
【００１２】また請求項２の方法とすることにより、上
記効果に加えて、エアー噴射ノズルからのエアーによっ
て切削屑の混ざった汚水を半導体ウエハー表面から効果
的に除去して不良品の発生を更に軽減すると共に、半導
体ウエハー表面から切削水が殆ど吹き飛ばされるので、
乾燥等の後工程処理も楽になって加工時間が短縮される
といった効果がある。
記効果に加えて、エアー噴射ノズルからのエアーによっ
て切削屑の混ざった汚水を半導体ウエハー表面から効果
的に除去して不良品の発生を更に軽減すると共に、半導
体ウエハー表面から切削水が殆ど吹き飛ばされるので、
乾燥等の後工程処理も楽になって加工時間が短縮される
といった効果がある。
【図１】本発明に係る切削装置の要部の斜視図。
【図２】上記切削装置の回転刃部分の作動を示す拡大側
面図。
面図。
【図３】上記切削装置の回転刃部分の作動を示す拡大側
面図。
面図。
【図４】従来の切削装置の回転刃部分を示す拡大縦断面
図。
図。
１ 半導体ウエハー ２ 半導体層 ３ 金属膜 ４ シート材 ５ 回転ブレード ６ チャックテーブル １０ 切削液噴射ノズル １２ エアー噴射ノズル Ａ 切削装置
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン等の半導体層(2)の裏面にアル
ミ等の金属膜(3)を積層させた半導体ウエハー(1)を薄板
状のシート材(4)に保持させて切削装置(A)のチャックテ
ーブル(6)上に載置し、回転ブレード(5)で半導体ウエハ
ー(1)を所定の切削ラインに沿って切断するに際して、
先ず一回目の送り操作で半導体層(2)の大半を切断し、
２回目の送り操作で金属膜(3)を含んだ全体を切断する
ようにしたことを特徴とする半導体ウエハーの切断方
法。 - 【請求項２】 回転ブレード(5)と半導体ウエハー(1)と
の切削箇所にむかって切削液噴射ノズル(10)から切削液
を噴射させると同時に、切削屑の混ざった汚水を半導体
ウエハー表面から飛散除去するエアーをエアー噴射ノズ
ル(12)から噴射させながら半導体ウエハー(1)を切断す
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハーの
切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001021390A JP2002231658A (ja) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | 半導体ウエハーの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001021390A JP2002231658A (ja) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | 半導体ウエハーの切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002231658A true JP2002231658A (ja) | 2002-08-16 |
Family
ID=18886957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001021390A Pending JP2002231658A (ja) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | 半導体ウエハーの切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002231658A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103855058A (zh) * | 2012-12-03 | 2014-06-11 | 东和株式会社 | 电子元件制造装置及制造方法 |
| JP2016004831A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の切削方法 |
| JP2016046485A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
| CN108695247A (zh) * | 2017-04-04 | 2018-10-23 | 株式会社迪思科 | 板状被加工物的加工方法 |
| JP2018181904A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
| JP2018181905A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
| JP2018181906A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
-
2001
- 2001-01-30 JP JP2001021390A patent/JP2002231658A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103855058A (zh) * | 2012-12-03 | 2014-06-11 | 东和株式会社 | 电子元件制造装置及制造方法 |
| JP2014108491A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Towa Corp | 電子部品製造用の切断装置及び切断方法 |
| CN103855058B (zh) * | 2012-12-03 | 2016-09-07 | 东和株式会社 | 电子元件制造装置及制造方法 |
| TWI551414B (zh) * | 2012-12-03 | 2016-10-01 | Towa Corp | Electronic component manufacturing apparatus and manufacturing method thereof |
| JP2016004831A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の切削方法 |
| JP2016046485A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
| CN108695247A (zh) * | 2017-04-04 | 2018-10-23 | 株式会社迪思科 | 板状被加工物的加工方法 |
| JP2018181904A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
| JP2018181905A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
| JP2018181906A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
| JP2018181900A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 板状被加工物の加工方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040323 |