CN103855058A - 电子元件制造装置及制造方法 - Google Patents
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Abstract
在旋转刀的外周部能够从作为最上层的基板的表面(上表面)朝向内侧切入的一方向上使旋转刀旋转的状态下,使工作台在+X方向上移动并用旋转刀切削基板。其次,在旋转刀的外周部能够从作为最下层的封装树脂的表面(下表面)朝向内侧切入的状态下,通过使工作台在-X方向上移动并用旋转刀切削封装树脂,从而切断由基板和封装树脂构成的双层结构的树脂封装体。由此,抑制使用旋转刀一起切断树脂封装体时有可能产生的卷边和“毛刺”。
Description
技术领域
本发明涉及一种切断具有基板、多个芯片状元件和封装树脂的树脂封装体以制造多个电子元件时使用的电子元件制造装置及制造方法。
背景技术
当制造电子元件时,通过使用旋转刀(刀片)切断树脂封装体从而单片化(singulation)为多个电子元件的技术被广泛实施(例如,参照专利文献1)。作为切断对象物的树脂封装体具有:基板,具有多个区域;多个芯片状元件,安装在基板的多个区域中;和封装树脂,以一起覆盖基板的多个区域的方式平板状地形成在基板上。如此,树脂封装体为安装有多个芯片状元件的基板和封装树脂层叠而成的复合材料。
基板具备由铜及铁系合金等构成的引线框和以环氧玻璃纤维层压板、覆铜聚酰亚胺薄膜层压板等为基体材料的印刷基板(印刷配线板)。进一步,基板具备以氧化铝、碳化硅和蓝宝石等为基体材料的陶瓷基板、以铜或铝等金属为基体材料的金属基底基板和以聚酰亚胺薄膜等为基体材料的薄膜基底基板。芯片状元件例如由半导体集成电路(以下简称IC)、光半导体元件、晶体管、二极管、电阻、电容器和热敏电阻等构成。在基板的各区域可以安装有一个芯片状元件,也可以安装有多个芯片状元件。进一步,安装在一个区域上的多个芯片状元件可以是同一种类,也可以是不同种类。作为封装树脂,例如,使用使环氧树脂、硅酮树脂等热硬化性树脂硬化而成的硬化树脂。
专利文献1:特开2003-168697号公报(第2至4页)
专利文献2:特开2003-124149号公报(第2至7页、图3至图9)
专利文献3:特开2003-179004号公报(第2页、第4至6页、图6)
一般使用一个旋转刀一起切断上述的树脂封装体,但近几年,由于基板的材料及封装树脂的材料多样化,在一次切断中可能发生下面的问题。第一问题为在被切断面附近的切片中产生卷边(缺损)(例如,参照专利文献3的段落[0090])。第二问题为在被切断的切片的端面(以下,将该端面称作被切断面)中,产生由基板(也包括设置在基板上的铜箔等金属箔)及封装树脂构成的“毛刺”(例如,参照专利文献2的段落[0011]至[0012]、专利文献3的段落[0012])。
图1是表示使用旋转刀切断树脂封装体1的现有方法的概要剖视图。此外,封装树脂1被切削且最终被切断的切断对象物,树脂封装体1通过被切断为多个而成为多个电子元件。另外,本申请说明书的任一张图为了易于理解均进行适当省略或夸张以示意性地描述。另外,在各图中,对相同的结构要素使用相同的附图标记,并适当省略说明。
如图1所示,树脂封装体1具有:基板2、安装在基板2所具有的多个区域3中的多个芯片状元件(未图示)和以一起覆盖多个区域3的方式平板状地形成的封装树脂4。在图1中,基板2所具有的多个区域3由虚拟的分界线5划分为矩形状。在图1所示的例中,基板2为由铜构成的引线框。基板2具有电极部6。电极部6作为用于将树脂封装体1被切断而成的多个电子元件分别与外部电连接的外部电极发挥功能。
树脂封装体1在封装树脂4朝向图中下侧的状态下,由胶带7固定在工作台8的上面。工作台8通过驱动机构(未图示)沿图中X方向、Y方向及Z方向移动。在图1中,工作台8在+X方向上以移动速度(进给速度)v移动。旋转刀9例如安装在电动式心轴(未图示)所具有的旋转轴10上。在旋转刀9的表面露出有例如,用于切削切断对象物的由金刚石粒子构成的抛光粉。在旋转刀9和树脂封装体1接触的部分(以下,称作接触部)的附近设置有管嘴11。在旋转刀9切削树脂封装体1的工序中,从管嘴11朝向接触部喷出切削液12。作为切削液12,除纯水外,可使用在纯水里加入添加剂的液体、在纯水里溶解二氧化碳(CO2)气体的液体等。
参照图1对上述的第一问题(“卷边”的发生)和第二问题(“毛刺”的发生)进行说明。首选,对第一问题进行说明。在旋转刀9从位于树脂封装体1的最下层的封装树脂4的内侧穿透封装树脂4的表面(图中的封装树脂4的下表面)并朝向树脂外侧旋转的地方发生卷边。在旋转刀9和封装树脂4的切点中,将切线方向的分力f1和相对于切线垂直方向的分力f2合成而成的力f3相当于作用于切点的力。作用于切点的力(力f3)相对于封装树脂4的表面沿斜向下作用。基于此,在切点处的封装树脂4的表面朝向其表面所接触的胶带7承受斜向下的力f3。因此,该切点的封装树脂4的表面处容易发生卷边。
下面,对第二问题进行说明。“毛刺”产生在下面的部位。即,在位于封装体1的最上层的基板2的电极部6(铜制)与旋转刀9接触的部分中,在电极部6产生“毛刺”。如图1所示,由于在该接触部分中旋转刀9和电极部6在短距离接触旋转刀9的表面温度上升,因此电极部6(铜)和旋转刀9的表面的金刚石粒子容易熔接。由此金刚石粒子的切削功能下降,从而在该部位(电极部6)容易发生“毛刺”。为了抑制电极部6中的“毛刺”的发生,也考虑降低工作台8在X方向上移动的进给速度v,但这样一来,引起操作效率下降的其他问题。
作为解决这些问题的对策,以往提议有下面的第一、第二对策。在第一对策中,作为切断刀,使用与主要构成树脂封装体的两种材料相应的两个切断刀(例如,参照专利文献2的段落[0028]至[0039]、图3至5等)。在第二对策中,作为切断刀,使用由与构成树脂封装体的多个不同的材料对应的多个不同特性的材料构成的一个刀片(例如,参照专利文献3的段落[0037]至[0054]、图3至6)。
然而,在第一对策中,由于驱动两个切断刀,因此发生切断装置变复杂及两个切断刀的驱动控制变复杂的不能令人满意的问题。另一方面,在第二对策中,虽然切断刀维持为一个刀,但是发生一个切断刀(刀片)的结构变复杂及需要准备与构成树脂封装体的不同的多个材料的组合相应的多种类的刀片的不能令人满意的问题。
鉴于上述的问题,本发明的目的在于提供使用一个旋转刀能够抑制将树脂封装体一起切断时有可能产生的卷边和“毛刺”的电子元件制造装置及制造方法。
发明内容
为了解决上述的问题,本发明所涉及的电子元件制造装置,将具有:具有多个区域的基板、分别安装在所述多个区域上的芯片状元件和封装安装在所述基板上的所述芯片状元件的封装树脂的树脂封装体,沿所述多个区域的分界线切断,以制造多个电子元件,所述电子元件制造装置具备:
工作台,固定所述树脂封装体;
心轴,具有旋转轴;
旋转刀,固定在所述旋转轴上;
驱动机构,使所述工作台和所述心轴相对移动;
控制部,至少控制由所述驱动机构引起的移动和所述旋转轴的旋转;
管嘴,对所述旋转刀和所述树脂封装体接触的部分喷出切削液,
所述电子元件制造装置的特征在于,所述控制部以执行下面的动作(1)至(7)的方式,至少控制由所述驱动机构引起的移动和所述旋转轴的旋转。
(1)在将由所述基板和所述封装树脂中的一个构成的所述树脂封装体的最下层朝向工作台侧并将所述树脂封装体固定在所述工作台上的状态下,使所述工作台和所述心轴相对移动至所述旋转刀到达第一位置,在所述第一位置所述旋转刀与所述分界线重合并且由所述基板和所述封装树脂中的另一个构成的所述树脂封装体的最上层能够被所述旋转刀切削。
(2)在所述旋转刀位于所述第一位置的状态下,使所述旋转刀沿在所述旋转刀的外周部能够从所述最上层的表面朝向所述最上层的内侧切入的旋转方向上旋转。
(3)使所述切削液从所述管嘴朝向所述旋转刀能够与所述最上层接触的第一接触部喷出。
(4)在所述动作(2)及(3)之后,沿在所述旋转方向上旋转的所述旋转刀的外周部能够从所述最上层的表面朝向所述最上层的内侧沿所述分界线切入的第一方向,使所述工作台和所述心轴相对移动,以用所述旋转刀至少切削所述最上层。
(5)在至少切削所述最上层之后,使所述工作台和所述心轴相对移动至所述旋转刀到达第二位置,在所述第二位置所述旋转刀与所述分界线重合并且所述最下层能够被所述旋转刀切削,并且在所述旋转方向上旋转的所述旋转刀的外周部能够从所述最下层的表面朝向所述最下层的内侧切入。
(6)使所述切削液从所述管嘴朝向所述旋转刀能够与所述最下层接触的第二接触部喷出。
(7)在所述动作(5)及(6)之后,沿在所述旋转方向上旋转的所述旋转刀的外周部能够从所述最下层的表面朝向所述最下层的内侧沿所述分界线切入并且与所述第一方向相反的第二方向,使所述工作台和所述心轴相对移动的同时用所述旋转刀至少切削所述最下层,以切断所述树脂封装体。
另外,本发明所涉及的电子元件制造装置在上述的电子元件制造装置中,所述管嘴在所述旋转刀所具有的一面侧设置单个,并且所述管嘴朝向所述第一接触部和所述第二接触部同时喷出所述切削液。
另外,本发明所涉及的电子元件制造装置在上述的电子元件制造装置中,所述管嘴在所述旋转刀所具有的一面侧设置单个,并且所述管嘴设置为能够朝向所述第一接触部的附近和所述第二接触部的附近移动。
另外,本发明所涉及的电子元件制造装置在上述的电子元件制造装置中,所述管嘴在所述旋转刀所具有的一面侧设置多个,并且由所述多个管嘴中的至少一个构成的一个管嘴群朝向所述第一接触部喷出所述切削液,
在所述多个管嘴中由除所述一个管嘴群以外的至少一个构成的另一个管嘴群,朝向所述第二接触部喷出所述切削液。
另外,本发明所涉及的电子元件制造装置在上述的电子元件制造装置中,
所述树脂封装体在所述最下层和所述最上层之间进一步具有中间层,
所述控制部以执行下面的三个动作(8)至(10)中的任一动作的方式,至少控制由所述驱动机构引起的移动和所述旋转轴的旋转。
(8)将所述第一位置设为能够用所述旋转刀切削所述最上层和所述中间层的位置之后,使所述旋转刀沿所述第一方向移动以用所述旋转刀切削所述最上层和所述中间层,并且将所述第二位置设为能够用所述旋转刀切削所述最下层的位置之后,使所述旋转刀沿所述第二方向移动以用所述旋转刀切削所述最下层。
(9)将所述第一位置设为能够用所述旋转刀切削所述最上层的位置之后,使所述旋转刀沿所述第一方向移动以用所述旋转刀切削所述最上层,并且将所述第二位置设为能够用所述旋转刀切削所述中间层和所述最下层的位置之后,使所述旋转刀沿所述第二方向移动以用所述旋转刀切削所述中间层和所述最下层。
(10)将所述第一位置设为能够用所述旋转刀切削所述最上层和所述中间层的位置之后,使所述旋转刀沿所述第一方向移动以用所述旋转刀切削所述最上层和所述中间层,并且将所述第二位置设为能够用所述旋转刀切削所述中间层和所述最下层的位置之后,使所述旋转刀沿所述第二方向移动以用所述旋转刀切削所述中间层和所述最下层。
为了解决上述的问题,本发明所涉及的电子元件制造方法将具有:具有多个区域的基板、分别安装在所述多个区域上的芯片状元件和封装安装在所述基板上的所述芯片状元件的封装树脂的树脂封装体,沿所述多个区域的分界线切断,以制造多个电子元件,所述电子元件制造方法包括:
将由所述基板和所述封装树脂中的一个构成的所述树脂封装体的最下层朝向工作台侧并将所述树脂封装体固定在所述工作台上的工序;
使所述工作台和所述心轴相对移动至所述旋转刀到达第一位置的工序,在所述第一位置所述旋转刀与所述分界线重合并且由所述基板和所述封装树脂中的另一个构成的所述树脂封装体的最上层能够被所述旋转刀切削;
在所述旋转刀位于所述第一位置的状态下,使所述旋转刀沿在所述旋转刀的外周部能够从所述最上层的表面朝向所述最上层的内侧切入的旋转方向上旋转的工序;
使所述切削液朝向所述旋转刀能够与所述最上层接触的第一接触部喷出的工序;
沿在所述旋转方向上旋转的所述旋转刀的外周部能够从所述最上层的表面朝向所述最上层的内侧沿所述分界线切入的第一方向,使所述工作台和所述心轴相对移动,以用所述旋转刀至少切削所述最上层的工序;
在至少切削所述最上层之后,使所述工作台和所述心轴相对移动至所述旋转刀到达第二位置的工序,在所述第二位置所述旋转刀与所述分界线重合并且所述最下层能够被所述旋转刀切削,并且在所述旋转方向上旋转的所述旋转刀的外周部能够从所述最下层的表面朝向所述最下层的内侧切入;
使所述切削液朝向所述旋转刀能够与所述最下层接触的第二接触部喷出的工序;
沿在所述旋转方向上旋转的所述旋转刀的外周部能够从所述最下层的表面朝向所述最下层的内侧沿所述分界线切入并且与所述第一方向相反的第二方向,使所述工作台和所述心轴相对移动的同时用所述旋转刀至少切削所述最下层,以切断所述树脂封装体的工序。
另外,本发明所涉及的电子元件制造方法在上述的电子元件制造方法中,在使所述切削液朝向所述第一接触部或所述第二接触部喷出的各个工序中,使切削液从单个设置在所述旋转刀所具有的一面侧的管嘴喷出。
另外,本发明所涉及的电子元件制造方法在上述的制造方法中,
在使所述切削液朝向所述第一接触部或所述第二接触部喷出的各个工序中,使用能够移动地设置在所述旋转刀所具有的一面侧以对所述第一接触部或所述第二接触部喷出切削液的单个管嘴,并且
在使所述切削液朝向所述第一接触部喷出的工序中,使所述管嘴朝向所述第一接触部的附近移动之后,使所述管嘴朝向所述第一接触部喷出所述切削液,
在使所述切削液朝向所述第二接触部喷出的工序中,使所述管嘴朝向所述第二接触部的附近移动之后,使所述管嘴朝向所述第二接触部喷出所述切削液。
另外,本发明所涉及的电子元件制造方法在上述的制造方法中,
在使所述切削液朝向所述第一接触部或所述第二接触部喷出的各个工序中,使用多个设置在所述旋转刀所具有的一面侧的管嘴,并且
在使所述切削液朝向所述第一接触部喷出的工序中,使由所述多个管嘴中的至少一个管嘴构成的一个管嘴群朝向所述第一接触部喷出所述切削液,
在使所述切削液朝向所述第二接触部喷出的工序中,使由所述多个管嘴中的除一个管嘴群以外的另一个管嘴群朝向所述第二接触部喷出所述切削液。
另外,本发明所涉及的电子元件制造方法在上述的制造方法中,
所述树脂封装体在所述最下层和所述最上层之间进一步具有中间层,
在切削所述最上层的工序中同时切削所述最上层和所述中间层之后,在切除所述最下层以切断树脂封装体的工序中切削所述最下层,
或者,在切削所述最上层的工序中切削所述最上层之后,在切除所述最下层以切断树脂封装体的工序中同时切削所述中间层和所述最下层,
或者,在切削所述最上层的工序中同时切削所述最上层和所述中间层之后,在切除所述最下层以切断树脂封装体的工序中同时切削所述中间层和所述最下层。
根据本发明,在使旋转刀沿旋转刀的外周部能够从最上层的表面朝向内侧切入的旋转方向移动的状态下,沿在所述旋转方向上旋转的所述旋转刀的外周部能够从所述最上层的表面朝向所述最上层的内侧沿所述分界线切入的第一方向,使工作台和心轴相对移动,以用旋转刀切削最上层。其次,沿在所述旋转方向上旋转的所述旋转刀的外周部能够从所述最下层的表面朝向所述最下层的内侧沿所述分界线切入并且与所述第一方向相反的第二方向,使所述工作台和所述心轴相对移动的同时,用所述旋转刀至少切削所述最下层,以切断所述树脂封装体。因此,能够抑制起因于旋转刀从最下层的内侧穿透最下层的表面并朝向其表面的外侧旋转而导致的卷边的发生。
进一步根据本发明,与现有技术相比能够延长旋转刀和基板所接触的距离。从而,能够抑制起因于旋转刀和基板在短距离接触而导致的“毛刺”的发生。
附图说明
图1是表示使用旋转刀切断树脂封装体的现有方法的概要剖视图。
图2是表示在本发明的实施例1中切断树脂封装体的方法的概要剖视图。
图3是表示在本发明的实施例2中切断树脂封装体的方法的概要剖视图。
图4是表示在本发明的实施例3中切断树脂封装体的方法的概要剖视图。
具体实施方式
在使旋转刀沿旋转刀的外周部能够从最上层的表面朝向内侧切入的旋转方向旋转的状态下,使工作台和心轴沿第一方向相对移动以用旋转刀切削最上层。接着,在旋转刀的外周部从最下层的表面朝向内侧切入的状态下,使工作台和心轴沿与第一方向相反的第二方向相对移动以用旋转刀切削最下层。通过这些切除处理切断树脂封装体。
[实施例1]
参照图2,说明本发明的实施例1所涉及的电子元件制造方法,更具体来讲,说明电子元件的切断方法。根据本实施例,将作为切断对象物具有双层结构的树脂封装体1分成两步骤进行切断。控制部CTL为至少控制旋转刀9的旋转方向及转速和工作台8与旋转轴10(心轴)的相对移动方向及移动速度的控制机构。树脂封装体1具有:基板2,具有多个区域3;芯片状元件,分别安装在多个区域3上;和封装芯片状元件的封装树脂4,将基板2和封装树脂4中的一个设为树脂封装体1的最下层,将另一个设为最上层。此外,旋转轴10设置在心轴上。心轴省略图示。另外,芯片状元件由于由封装树脂4封装而未在树脂封装体1的表面露出,因此省略图示。
如图2(1)所示,在本实施例中,作为第一步骤切削树脂封装体1中的基板2(在本实施例中为最上层)。所谓“切削”的表述包括“切削厚度方向的一部分”及“切削全部厚度”的两种意思(以下相同)。“切削基板2的全部厚度”时,包括下面的两个方式。第一方式是在已被切削的部分中,基板2在厚度方向未被完全切削所残留的薄的部分存在于封装树脂4上的方式。第二方式是在已被切削的部分中,封装树脂4被切削所形成的浅的槽存在于封装树脂4的上部的方式。这些方式起因于旋转轴10在图中的Z方向上的位置的偏差等而发生。
首先,使树脂封装体1中的封装树脂4为下侧,并使用胶带7将树脂封装体1固定在工作台8的上面。由此,树脂封装体1以封装树脂4为最下层基板2为最上层的方式固定在工作台8的上面。
其次,沿图中的X方向使工作台8移动并停止,使得心轴(旋转轴10)位于从树脂封装体1分离的右侧。在该位置中,旋转刀9与分界线5重叠。此外,在图2中,由于旋转刀9在图中左右方向上移动,因此仅图示与旋转刀9正交的分界线,旋转刀9所重叠的分界线5省略图示。当树脂封装体1和旋转轴10完成上述移动时,使旋转刀9沿规定的旋转方向(图中沿逆时针的方向)以规定的转速(例如,15000至30000rpm)旋转。在此,所谓规定的旋转方向为旋转刀9的外周部能够从树脂封装体1的最上层的表面朝向最上层的内侧切入的旋转方向。另外,在此使转速为20000rpm。
下面,使工作台8沿图中的+Z方向移动,在使旋转刀9的外周的下端到达规定的位置(Z方向)的时候停止+Z方向的移动。下面,将该规定的位置称作第一位置。在此,在旋转刀9与分界线5重叠的状态下,进一步树脂封装体1的最上层(在图2中为基板2)可由旋转刀9选择性地切削的位置被设定作为第一位置。
下面,从管嘴11朝向旋转刀9中能够与树脂封装体1接触的部分喷出切削液12。在该状态中,在第一方向(在图2中+X方向)上以移动速度(进给速度)v使工作台8移动,从而使旋转刀9与基板2接触。在此,第一方向为在上述的规定的旋转方向上旋转的旋转刀9的外周部能够从树脂封装体1的最上层(在本实施例中为基板2)的表面朝向最上层的内侧沿分界线切入的方向。连续使工作台8在第一方向上移动的同时,用旋转刀9切削基板2。该切削相当于切断工序中的第一步骤。以下,将在第一步骤中旋转刀9与树脂封装体1接触的部分称作第一接触部。此外,如图2所示,作为管嘴11,除位于作为旋转刀9所具有的一个面的位于面前侧的表面侧的管嘴11之外,在作为旋转刀9所具有的另一个面的对面侧面也设置有管嘴11。
如图2(1)所示,在切削基板2的工序中,旋转刀9的外周部从基板2的表面(在图中为上表面)朝向基板2的内侧切入,并切削基板2以形成槽。切削基板2后的旋转刀9的外周部,通过形成于基板2的槽的部分,从相当于基板2的表面的Z方向的位置向上方连续移动的同时,进行旋转刀9的旋转。
从图2(1)所示的状态,连续使工作台8在+X方向上移动。如此,使旋转刀9相对于树脂封装体1相对地移动至从树脂封装体1分离的左侧的位置。通过到目前为止的工序,分界线从基板2的右端至左端形成在基板2中与沿图X方向的一个分界线(未图示)重合的槽。
下面,使工作台8在+Z方向上仅移动封装树脂4的厚度加上微小尺寸的距离。如此,将Z方向的位置关系设定为旋转刀9的下端的位置与从胶带7的上面仅降低微小尺寸的位置相同(参照图2(2))。这种树脂封装体1和旋转刀9的相对位置称作第二位置。在第二位置中,旋转刀9与分界线重合并能够使用旋转刀9切削树脂封装体1的最下层(在图中为封装树脂4),并且在上述的旋转方向上旋转的旋转刀9的外周部能够从最下层的表面朝向最下层的内侧切入。在此,旋转刀9的转速维持20000rpm。
下面,作为本实施例的第二步骤,切削树脂封装体1的最下层(在本实施例中为封装树脂4)。具体来讲,如图2(2)所示,在第二方向(图中-X方向)上以移动速度(进给速度)v使工作台8移动,并使旋转刀9与胶带7和封装树脂4接触。在此,所谓第二方向为在上述的旋转方向上旋转的旋转刀9的外周部能够从最下层(封装树脂4)的表面朝向最下层的内侧沿分界线切入,并且与上述第一方向相反的方向。连续使工作台8在第二方向上移动的同时,用旋转刀9切削胶带7和封装树脂4。该切削相当于切断工序中的第二步骤。以下,将在第二步骤中旋转刀9与树脂封装体1接触的部分称作第二接触部。由于本发明涉及切削树脂封装体1的技术,因此在以下的记载中适当地省略与切削胶带7相关的记载。
如图2(2)所示,在切削封装树脂4的工序中,旋转刀9的外周部从封装树脂4所具有的表面(在图中为下表面)朝向封装树脂4的内侧切入,并切削封装树脂4以形成槽。切削封装树脂4后的旋转刀9的外周部,依次通过形成于封装树脂4的槽的部分和形成于基板2的槽的部分并前进,从相当于基板2的表面的Z方向的位置向上方连续移动的同时,进行旋转刀9的旋转。
从图2(2)所示的状态,连续使工作台8在-X方向上移动。如此,使旋转刀9相对于树脂封装体1相对地移动至从树脂封装体1分离的右侧的位置。通过到目前为止的工序,分界线从树脂封装体1的左端至右端形成在树脂封装体1中与沿图的X方向的一个分界线(未图示)重合的开口。由此树脂封装体1被切断。
根据本实施例可得到下面的两种效果。第一种效果为抑制卷边的发生。该效果以如下方式得到。如图2(2)所示,在旋转刀9和封装树脂4的切点中,由切线方向的分力F1和相对于切线垂直方向的分力F2合成的力F3相当于作用于该切点的力。根据现有技术,作用于切点的力f3相对于封装树脂4的表面斜向下作用(参照图1)。另一方面,根据本实施例,作用于切点的力F3相对于封装树脂4的表面大致平行地作用(参照图2(2))。因此,抑制在该切点的封装树脂4中卷边的发生。
第二种效果为抑制基板2所具有的由铜构成的电极部6中的“毛刺”的发生。该效果推测以如下的方式得到。即,根据本实施例,旋转刀9和电极部6在长距离中接触。换言之,在图2(1)中旋转刀9的外周和基板2重叠显示的部分(左侧)的距离与图1中的旋转刀9的外周和基板2重叠显表示的部分(左侧)的距离相比明显更长。如此,由于旋转刀9的表面温度难以上升,因此抑制电极部6的铜和旋转刀9的表面的金刚石粒子的熔接。因此,金刚石粒子保持着切削切断对象物的功能,并抑制电极部6中的“毛刺”的发生。
[实施例2]
参照图3,说明本发明的实施例2所涉及的电子元件制造用的切断方法。根据本实施例,将作为切断对象物具有双层结构的树脂封装体1分成两步骤进行切断。本实施例与实施例1的不同点在于,树脂封装体1固定在工作台8的上面的姿势在Z方向上为相反。此外,在本实施例中,实施与实施例1相同的管嘴11的结构及使用管嘴11的切削液12的喷出。为此,在下面的说明中,省略与使用管嘴11的切削液12的喷出有关的说明。
如图3(1)所示,在本实施例中,作为第一步骤切削树脂封装体1中的封装树脂4(在本实施例中为最上层)的全部厚度。所谓“切削封装树脂4的全部厚度”的表述包括下面的两种情况。第一种情况为在已被切削的部分中,封装树脂4在厚度方向未被完全切削所残留的薄的部分存在于基板2的情况。第二种情况在已被切削的部分中,基板2被略微切削所形成的浅的槽存在于基板2的情况。这些情况起因于旋转轴10的Z方向中的位置的偏差等而发生。
在本实施例中,首先,使树脂封装体1中的基板2为下侧,并使用胶带7将树脂封装体1固定在工作台8的上面。由此,树脂封装体1以基板2为最下层,封装树脂4为最上层的方式固定在工作台8的上面。
其次,沿图中的X方向使工作台8移动并停止,使得心轴(旋转轴10)位于从树脂封装体1分离的右侧。在该位置中,旋转刀9与分界线5重叠。此外,在图3中,由于旋转刀9在图中左右方向上移动,因此仅图示与旋转刀9正交的分界线,旋转刀9所重叠的分界线5省略图示。当树脂封装体1和旋转轴10完成上述移动时,使旋转刀9沿规定的旋转方向(图中沿逆时针的方向)以规定的转速(例如,15000至30000rpm)旋转。在此,所谓规定的旋转方向为旋转刀9的外周部能够从树脂封装体1的最上层的表面朝向最上层的内侧切入的旋转方向。另外,在此使转速为20000rpm。
下面,使工作台8沿图中的+Z方向移动,在使旋转刀9的外周的下端到达规定的位置(Z方向)的时候停止+Z方向的移动。以下,将该规定的位置称作第一位置。在此,在旋转刀9与分界线5重叠的状态下,进一步树脂封装体1的最上层(在图3中为封装树脂4)可由旋转刀9选择性地切削的位置被设定作为第一位置。所谓规定的位置,将树脂封装体1中的封装树脂4和基板2的分界的位置设为目标位置。
下面,在第一方向(在图3中+X方向)上以移动速度(进给速度)v使工作台8移动,从而使旋转刀9与封装树脂4接触。在此,第一方向为在上述的规定的旋转方向上旋转的旋转刀9的外周部能够从树脂封装体1的最上层(在本实施例中为基板2)的表面朝向最上层的内侧沿分界线切入的方向。连续使工作台8在第一方向上移动的同时,用旋转刀9切削封装树脂4。
如图3(1)所示,在切削封装树脂4的工序中,旋转刀9的外周部从封装树脂4的表面(在图中上表面)朝向封装树脂4的内侧切入,并切削封装树脂4以形成槽。切削封装树脂4后的旋转刀9的外周部,通过形成于封装树脂4的槽的部分,并从相当于封装树脂4的表面的Z方向的位置向上方连续移动的同时,进行旋转刀9的旋转。
从图3(1)所示的状态,连续使工作台8沿+X方向移动。如此,使旋转刀9相对于树脂封装体1相对地移动至从树脂封装体1分离的左侧的位置。通过到目前为止的工序,分界线从封装树脂4的右端至左端形成在封装树脂4中与沿图X方向的一个分界线(未图示)重合的槽。
下面,使工作台8在+Z方向上仅移动基板2的厚度加上微小尺寸的距离。如此,将Z方向的位置关系设定为旋转刀9的下端的位置与从胶带7的上面仅降低微小尺寸的位置相同。这种树脂封装体1和旋转刀9的相对位置称作第二位置。在第二位置中,旋转刀9与分界线重合并能够通过旋转刀9树脂封装体1的最下层(在图中基板2)切削,并且在上述的旋转方向上旋转的旋转刀9的外周部能够从最下层的表面朝向最下层的内侧切入。在此,旋转刀9的转速维持20000rpm。
下面,作为本实施例的第二步骤,切削树脂封装体1的最下层(在本实施例中为基板2)。具体来讲,如图3(2)所示,在第二方向上(在图中-X方向)以移动速度(进给速度)v使工作台8移动,并使旋转刀9与胶带7和基板2接触。在此,所谓第二方向为在上述的旋转方向上旋转的旋转刀9的外周部能够从最下层(基板2)的表面朝向最下层的内侧沿分界线切入,并且与上述的第一方向相反的方向。连续使工作台8在第二方向上移动的同时,用旋转刀9切削胶带7和基板2。
如图3(2)所示,在切削基板2的过程中,旋转刀9的外周部从基板2所具有的表面(在图中为下表面)朝向基板2的内侧切入,并切削基板2以在基板2和封装树脂4上形成槽。切削基板2后的旋转刀9的外周部,依次通过形成于基板2的槽的部分和形成于封装树脂4的槽的部分,旋转刀9以该状态从相当于封装树脂4的表面的Z方向的位置向上方连续移动的同时,进行旋转刀9的旋转。
从图3(2)所示的状态,连续使工作台8在-X方向上移动。如此,使旋转刀9相对于树脂封装体1相对地移动至从树脂封装体1分离的右侧的位置。通过到目前为止的工序,分界线从树脂封装体1的左端至右端形成在树脂封装体1中与沿图的X方向的一个分界线(未图示)重合的开口。由此树脂封装体1被切断。
根据本实施例,得到下面的两种效果。第一种效果为抑制卷边的发生。该效果由于在封装树脂4的表面中没有发生图1所示的斜向下作用的力f3而得到。
此外,作为第一种效果的其他方式,在基板2由硬且具有脆性的材料(举例则陶瓷电路板等)构成的情况下,抑制基板2的表面中的卷边的发生。该效果以如下的方式得到。如图3(2)所示,在旋转刀9和基板2的切点中,由切线方向的分力F1和相对于切线垂直方向的分力F2合成的力F3相当于作用于该切点的力。根据现有技术,作用于切点的力f3相对于基板2的表面斜向下作用(这点如果试着将图1所示的封装树脂体1为上下颠倒的状态考虑则显而易见)。另一方面,根据本实施例,作用于切点的力F3相对于基板2的表面大致平行地作用(参照图3(2))。因此,抑制该切点的基板2中的卷边的发生。
第二种效果为抑制由铜构成的基板2所具有的电极部6中的“毛刺”的发生。该效果推测以如下的方式得到。根据本实施例,旋转刀9和电极部6在长距离上接触。换言之,图3(2)中的旋转刀9的外周和基板2重叠表示的部分(右侧)的距离与图1中的旋转刀9的外周和基板2重叠表示的部分(左侧)的距离相比明显更长。如此,由于旋转刀9的表面温度变得难以上升,因此抑制电极部6的铜和旋转刀9的表面的金刚石粒子的熔接。因此,由于金刚石粒子保持切削切断对象物的功能,因此抑制电极部6中的“毛刺”的发生。
[实施例3]
参照图4,说明本发明的实施例3所涉及的电子元件制造用的切断方法。在本实施例中,将作为切断对象物的树脂封装体13分成三步骤进行切断。本实施例和实施例1的不同点在于,树脂封装体13具有三层结构。如图4所示,树脂封装体13具有由基板2(在本实施例中为最下层)、反射用部件14(在本实施例中为中间层)和封装树脂4(在本实施例中为最上层)构成的三层结构。
如图4所示,在反射用部件14形成有凹部15。凹部15设置在设置于基板2的多个区域5每个上。在各凹部15中,基板2的上表面露出。在该露出的基板2的上面形成有芯片焊接用焊盘16和引线焊接用焊盘17。芯片焊接用焊盘16由贯通配线18连接至形成于基板2的下面的外部端子19。引线焊接用焊盘17由贯通配线20连接至形成于基板2的下面的外部端子21。在芯片焊接用焊盘16安装有例如,由LED芯片及激光二极管芯片构成的发光元件22。形成于发光元件22的上表面的焊盘(未图示)和引线焊接用焊盘17通过由金属线构成的引线23连接。封装树脂4由在各区域中形成且作为凸透镜发挥功能的透镜部24和连通各透镜部23彼此的板状的连通部25构成。
在本实施例中以下面的方式切削树脂封装体13。此外,由于本实施例的切削方法基本上与实施例1、2相同,因此在下面仅说明不同之处。即,首先,作为第一步骤切削树脂封装体13的封装树脂4中的连通部25的全部厚度。在第一步骤中,图3(1)所示的旋转刀9的外周的下端的位置(Z方向)以成为图4所示的位置A为目标。在切削封装树脂4的工序中,旋转刀9的外周部从封装树脂4的表面(在图中为上表面)朝向封装树脂4的内侧切入,并切削封装树脂4以形成槽。切削封装树脂4后的旋转刀9的外周部,通过形成于封装树脂4的槽的部分,并从相当于封装树脂4的表面的Z方向的位置向上方连续旋转地前进(参照图3(1))。在该步骤中,在+X方向上以移动速度(进给速度)v使工作台(未图示)移动。因此,树脂封装体13在+X方向上以移动速度v进行移动。
下面,作为第二步骤切削树脂封装体13中的基板2和反射用部件14。在第二步骤中,图3(1)所示的旋转刀9的外周的下端的位置(Z方向)以成为与图4所示的位置C相比稍微下侧为目标。在该步骤中,在-X方向上以移动速度v使工作台(未图示)移动。因此,树脂封装体3在-X方向上以移动速度v进行移动。
在切削基板2和反射用部件14的工序中,旋转刀9的外周部从基板2所具有的表面(在图中为下表面)朝向基板2的内侧切入,从而切削基板2和反射用部件14。切削基板2和反射用部件14后的旋转刀9的外周部,通过形成于封装树脂4的槽的部分并前进。最终,切削基板2后的旋转刀9的外周部从相当于封装树脂4的表面的位置向上方连续旋转的同时前进。
根据本实施例,与实施例1及实施例2相同,第一、抑制基板2中的卷边的发生。第二、抑制相当于图1所示的电极部6的芯片焊接用焊盘16、引线焊接用焊盘17、贯通配线18、20和外部端子19、21中的“毛刺”的发生。
在本实施例中,由使用引线23的引线焊接连接形成于发光元件22的上表面的焊盘(未图示)和引线焊接用焊盘17。代替引线焊接,还可以使用倒装芯片焊接。
此外,作为本实施例的变形例,还可以作为第一步骤切屑树脂封装体13中的封装树脂4和反射用部件14,作为第二步骤切削树脂封装体13中的基板2。在第一步骤中,图3(1)所示的旋转刀9的外周的下端的位置(Z方向)以成为图4所示的位置B为目标。
另外,作为其他变形例,还可以作为第一步骤切削封装树脂4和反射用部件14的一部分,作为第二步骤切削反射用部件14的剩余部分和基板2。此时,在第二步骤中,旋转刀9从反射用部件14的表面(反射用部件14的剩余部分的上表面)朝向内侧切入,并完全切削基板2之后,从反射用部件14的内侧穿透反射用部件14的表面以朝向该表面的外侧的空间旋转。该变形例在反射用部件14与封装树脂4相比具有良好地切削性的情况下(换言之,在与封装树脂14相比反射用部件14中难以发生卷边及“毛刺”等的情况下)有效。
另外,作为其他变形例,还可以作为第一步骤切削封装树脂4的一部分,作为第二步骤切削封装树脂4的剩余部分、反射用部件和基板2。该变形例在封装树脂4与反射用部件14相比具有良好的切削性的情况下有效。
另外,作为再一变形例,还可以作为第一步骤切削封装树脂4、反射用部件14和基板2的一部分,作为第二步骤切削基板2的剩余部分。该变形例在基板2与反射用部件14相比具有良好的切削性的情况下有效。
与目前为止说明的各变形例关联,对作为第一步骤切削基板2的一部分及作为第一步骤切削基板2和封装树脂4的一部分的情况,能够适用于图2所示的实施例。
另外,与目前为止说明的各变形例关联,对作为第一步骤切削封装树脂4的一部分及作为第一步骤切削封装树脂4和基板2的一部分的情况,能够适用于图3所示的实施例。
此外,在到目前为止说明的各变形例中,对作为切断对象物的树脂封装体1具有双层结构或三层结构的情况进行了说明。不限于此,在树脂封装体1具有四层以上的结构的情况中,能够适用本发明。在这些情况中,控制部CTL以如下方式控制旋转刀9的转速及旋转方向和工作台与心轴的相对移动方向。第一、在切削最上层或包括最上层的多个层的步骤中,旋转刀的外周部从最上层的表面朝向内侧切入。第二、在切削最下层或包括最下层的多个层的步骤中,旋转刀的外周部从最下层的表面朝向内侧切入。
另外,在上述的各实施例中,使工作台8沿图中X方向、Y方向及Z方向移动,而代替此,还可以使安装有旋转刀9的心轴(未图示)沿图中X方向、Y方向及Z方向移动。进而,还可以使工作台8和心轴双方沿图中X方向、Y方向及Z方向移动。根据这些方式,可以使工作台8和心轴沿图中X方向、Y方向及Z方向相对移动。
另外,在上述的各实施例中,在切断基板2的情况和切断封装树脂4的情况中,使旋转刀9的转速为相同,而代替此,按照构成树脂封装体1、13的材料的组合,在切断最上层的情况和切断最下层的情况(此外,具有中间层时切断其中间层的情况)中,还可以采用不同的转速。
作为例,对切断图2所示的树脂封装体1的情况进行说明。在作为基板2使用以环氧玻璃层压板为基体材料的印刷电路板,并作为封装树脂4使用环氧树脂的树脂封装体1的情况下,在第一步骤和第二步骤能够采用相同的转速。
作为其他例,说明切断图4所示的树脂封装体13的一例的情况。在树脂封装体13中,作为基板2,使用硬且具有脆性的陶瓷电路板。作为反射用部件14,使用聚酰胺系树脂、聚酯系树脂和环氧树脂等。作为封装树脂4,使用与反射用部件14相比更柔软且具有粘性的硅树脂。此时,若提高旋转刀的转速并切削封装树脂4,则具有发生封装树脂4的变形及剥落等的可能性。另外,若提高旋转刀的转速并切削基板2,则具有发生基板2的卷边的可能性。因此,在该情况下,优选例如,按切断封装树脂4、切断基板2、切断反射用部件14的顺序,提高旋转刀的转速。
另外,按照构成树脂封装体1、13的材料的组合,能够改变使工作台8和心轴沿X方向、Y方向及Z方向相对移动的速度。
另外,作为树脂封装体1的总体形状,在制造IC、表面安装型晶体管、表面安装型电容器等情况中的板状(平板状)为代表(参照图2、3)。不限于此,树脂封装体1的总体形状还可以是在制造光半导体元件情况中的作为凸透镜发挥功能的具有多个突起的形状等(参照图4)。
另外,作为管嘴11的方式,还可以采用设置分别对应第一接触部和第二接触部的两个管状的管嘴的结构。另外,还可以采用设置一个管状的管嘴,能够使该管嘴移动至对应第一接触部和第二接触部的各自的位置的结构。根据这些结构,在切断具有大厚度的树脂封装体1的情况中,得到通过在最适当处供给切削液从而削减切削液的消费量的效果。因为,由于切断具有大厚度的树脂封装体1时第一接触部和第二接触部分离,因此在采用图2及图3的结构情况下就会将切削液供给至不需要的地方。此外,作为具有大厚度的树脂封装体1,列举电力控制用半导体元件(IC、晶体管等)及以输送机器为对象的内燃机控制用、电动机控制用、制动系统控制用的IC等。
另外,作为将树脂封装体1固定于工作台8的方式,还可以不使用胶带而吸附树脂封装体1(参照专利文献1的段落[0015])。在该情况中,在俯视中与作为被切断的部分的各分界线5重合的方式,在工作台8的上面形成收容旋转刀9的外周部的槽。
另外,本发明并不限定于上述的实施例,在不脱离本发明的主旨的范围内,能够按照需要,任意并且适当组合而进行变更,或选择地采用。
符号说明
1、13树脂封装体
2基板(最上层、最下层)
3区域
4封装树脂(最下层、最上层)
5分界线
6电极部
7胶带
8工作台
9旋转刀
10旋转轴
11管嘴
12切削液
14反射用部件(中间层)
15凹部
16芯片焊接用焊盘
17引线焊接用焊盘
18、20贯通配线
19、21气体导入管
19、21外部端子
22发光元件
23引线
24透镜部
25连通部
A、B、C位置
CTL控制部
v进给速度
Claims (10)
1.一种电子元件制造装置,将具有:具有多个区域的基板、分别安装在所述多个区域上的芯片状元件和封装安装在所述基板上的所述芯片状元件的封装树脂的树脂封装体,沿所述多个区域的分界线切断,以制造多个电子元件,所述电子元件制造装置的特征在于,具备:
工作台,固定所述树脂封装体;
心轴,具有旋转轴;
旋转刀,固定在所述旋转轴上;
驱动机构,使所述工作台和所述心轴相对移动;
控制部,至少控制由所述驱动机构引起的移动和所述旋转轴的旋转;
管嘴,对所述旋转刀和所述树脂封装体接触的部分喷出切削液,
所述电子元件制造装置的特征在于,所述控制部以执行下面的动作(1)至(7)的方式,至少控制由所述驱动机构引起的移动和所述旋转轴的旋转,
(1)在将由所述基板和所述封装树脂中的一个构成的所述树脂封装体的最下层朝向工作台侧并将所述树脂封装体固定在所述工作台上的状态下,使所述工作台和所述心轴相对移动至所述旋转刀到达第一位置,在所述第一位置所述旋转刀与所述分界线重合并且由所述基板和所述封装树脂中的另一个构成的所述树脂封装体的最上层能够被所述旋转刀切削,
(2)在所述旋转刀位于所述第一位置的状态下,使所述旋转刀沿在所述旋转刀的外周部能够从所述最上层的表面朝向所述最上层的内侧切入的旋转方向上旋转,
(3)使所述切削液从所述管嘴朝向所述旋转刀能够与所述最上层接触的第一接触部喷出,
(4)在所述动作(2)及(3)之后,沿在所述旋转方向上旋转的所述旋转刀的外周部能够从所述最上层的表面朝向所述最上层的内侧沿所述分界线切入的第一方向,使所述工作台和所述心轴相对移动,以用所述旋转刀至少切削所述最上层,
(5)在至少切削所述最上层之后,使所述工作台和所述心轴相对移动至所述旋转刀到达第二位置,在所述第二位置所述旋转刀与所述分界线重合并且所述最下层能够被所述旋转刀切削,并且在所述旋转方向上旋转的所述旋转刀的外周部能够从所述最下层的表面朝向所述最下层的内侧切入,
(6)使所述切削液从所述管嘴朝向所述旋转刀能够与所述最下层接触的第二接触部喷出,
(7)在所述动作(5)及(6)之后,沿在所述旋转方向上旋转的所述旋转刀的外周部能够从所述最下层的表面朝向所述最下层的内侧沿所述分界线切入并且与所述第一方向相反的第二方向,使所述工作台和所述心轴相对移动的同时用所述旋转刀至少切削所述最下层,以切断所述树脂封装体。
2.根据权利要求1所述的电子元件制造装置,其特征在于,
所述管嘴在所述旋转刀所具有的一面侧设置单个,
所述管嘴朝向所述第一接触部和所述第二接触部同时喷出所述切削液。
3.根据权利要求1所述的电子元件制造装置,其特征在于,
所述管嘴在所述旋转刀所具有的一面侧设置单个,
所述管嘴设置为能够朝向所述第一接触部的附近和所述第二接触部的附近移动。
4.根据权利要求1所述的电子元件制造装置,其特征在于,
所述管嘴在所述旋转刀所具有的一面侧设置多个,
由所述多个管嘴中的至少一个构成的一个管嘴群朝向所述第一接触部喷出所述切削液,
在所述多个管嘴中由除所述一个管嘴群以外的至少一个构成的另一个管嘴群,朝向所述第二接触部喷出所述切削液。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子元件制造用的切断装置,其特征在于,
所述树脂封装体在所述最下层和所述最上层之间进一步具有中间层,
所述控制部以执行下面的三个动作(8)至(10)中的任一动作的方式,至少控制由所述驱动机构引起的移动和所述旋转轴的旋转,
(8)将所述第一位置设为能够用所述旋转刀切削所述最上层和所述中间层的位置之后,使所述旋转刀沿所述第一方向移动以用所述旋转刀切削所述最上层和所述中间层,并且将所述第二位置设为能够用所述旋转刀切削所述最下层的位置之后,使所述旋转刀沿所述第二方向移动以用所述旋转刀切削所述最下层,
(9)将所述第一位置设为能够用所述旋转刀切削所述最上层的位置之后,使所述旋转刀沿所述第一方向移动以用所述旋转刀切削所述最上层,并且将所述第二位置设为能够用所述旋转刀切削所述中间层和所述最下层的位置之后,使所述旋转刀沿所述第二方向移动以用所述旋转刀切削所述中间层和所述最下层,
(10)将所述第一位置设为能够用所述旋转刀切削所述最上层和所述中间层的位置之后,使所述旋转刀沿所述第一方向移动以用所述旋转刀切削所述最上层和所述中间层,并且将所述第二位置设为能够用所述旋转刀切削所述中间层和所述最下层的位置之后,使所述旋转刀沿所述第二方向移动以用所述旋转刀切削所述中间层和所述最下层。
6.一种电子元件制造方法,将具有:具有多个区域的基板、分别安装在所述多个区域上的芯片状元件和封装安装在所述基板上的所述芯片状元件的封装树脂的树脂封装体,沿所述多个区域的分界线切断,以制造多个电子元件,所述电子元件制造方法的特征在于,包括:
将由所述基板和所述封装树脂中的一个构成的所述树脂封装体的最下层朝向工作台侧并将所述树脂封装体固定在所述工作台上的工序;
使所述工作台和所述心轴相对移动至所述旋转刀到达第一位置的工序,在所述第一位置所述旋转刀与所述分界线重合并且由所述基板和所述封装树脂中的另一个构成的所述树脂封装体的最上层能够被所述旋转刀切削;
在所述旋转刀位于所述第一位置的状态下,使所述旋转刀沿在所述旋转刀的外周部能够从所述最上层的表面朝向所述最上层的内侧切入的旋转方向上旋转的工序;
使所述切削液朝向所述旋转刀能够与所述最上层接触的第一接触部喷出的工序;
沿在所述旋转方向上旋转的所述旋转刀的外周部能够从所述最上层的表面朝向所述最上层的内侧沿所述分界线切入的第一方向,使所述工作台和所述心轴相对移动,以用所述旋转刀至少切削所述最上层的工序;
在至少切削所述最上层之后,使所述工作台和所述心轴相对移动至所述旋转刀到达第二位置的工序,在所述第二位置所述旋转刀与所述分界线重合并且所述最下层能够被所述旋转刀切削,并且在所述旋转方向上旋转的所述旋转刀的外周部能够从所述最下层的表面朝向所述最下层的内侧切入;
使所述切削液朝向所述旋转刀能够与所述最下层接触的第二接触部喷出的工序;
沿在所述旋转方向上旋转的所述旋转刀的外周部能够从所述最下层的表面朝向所述最下层的内侧沿所述分界线切入并且与所述第一方向相反的第二方向,使所述工作台和所述心轴相对移动的同时用所述旋转刀至少切削所述最下层,以切断所述树脂封装体的工序。
7.根据权利要求6所述的电子元件制造方法,其特征在于
在使所述切削液朝向所述第一接触部或所述第二接触部喷出的各个工序中,使切削液从单个设置在所述旋转刀所具有的一面侧的管嘴喷出。
8.根据权利要求6所述的电子元件制造方法,其特征在于,
在使所述切削液朝向所述第一接触部或所述第二接触部喷出的各个工序中,使用能够移动地设置在所述旋转刀所具有的一面侧以对所述第一接触部或所述第二接触部喷出切削液的单个管嘴,并且
在使所述切削液朝向所述第一接触部喷出的工序中,使所述管嘴朝向所述第一接触部的附近移动之后,使所述管嘴朝向所述第一接触部喷出所述切削液,
在使所述切削液朝向所述第二接触部喷出的工序中,使所述管嘴朝向所述第二接触部的附近移动之后,使所述管嘴朝向所述第二接触部喷出所述切削液。
9.根据权利要求6所述的电子元件制造方法,其特征在于,
在使所述切削液朝向所述第一接触部或所述第二接触部喷出的各个工序中,使用多个设置在所述旋转刀所具有的一面侧的管嘴,并且
在使所述切削液朝向所述第一接触部喷出的工序中,使由所述多个管嘴中的至少一个管嘴构成的一个管嘴群朝向所述第一接触部喷出所述切削液,
在使所述切削液朝向所述第二接触部喷出的工序中,使由所述多个管嘴中的除一个管嘴群以外的另一个管嘴群朝向所述第二接触部喷出所述切削液。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的电子元件制造方法,所述电子元件制造用的切断方法的特征在于,
所述树脂封装体在所述最下层和所述最上层之间进一步具有中间层,
在切削所述最上层的工序中同时切削所述最上层和所述中间层之后,在切除所述最下层以切断树脂封装体的工序中切削所述最下层,
或者,在切削所述最上层的工序中切削所述最上层之后,在切除所述最下层以切断树脂封装体的工序中同时切削所述中间层和所述最下层,
或者,在切削所述最上层的工序中同时切削所述最上层和所述中间层之后,在切除所述最下层以切断树脂封装体的工序中同时切削所述中间层和所述最下层。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017028427A1 (zh) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 江苏诚睿达光电有限公司 | 一种基于滚压式的热塑性树脂光转换体贴合封装led的智能控制系统及控制方法 |
CN106469777A (zh) * | 2015-08-18 | 2017-03-01 | 江苏诚睿达光电有限公司 | 一种基于滚压式的有机硅树脂光转换体贴合封装led的智能控制系统及控制方法 |
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP6333650B2 (ja) * | 2014-07-18 | 2018-05-30 | Towa株式会社 | 切断装置及び切断方法 |
JP6525643B2 (ja) * | 2015-03-04 | 2019-06-05 | Towa株式会社 | 製造装置及び製造方法 |
JP6869486B2 (ja) * | 2017-06-29 | 2021-05-12 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス樹脂積層体の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000183218A (ja) * | 1998-12-14 | 2000-06-30 | Mitsumi Electric Co Ltd | Icパッケージの製造方法 |
JP2002231658A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Takemoto Denki Seisakusho:Kk | 半導体ウエハーの切断方法 |
JP2003059864A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ダイシング装置 |
JP2009196029A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | スピンドルユニット |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2861264B2 (ja) * | 1990-05-28 | 1999-02-24 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2004214588A (ja) | 2002-11-15 | 2004-07-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4086202B2 (ja) | 2005-10-25 | 2008-05-14 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2007125667A (ja) | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 基板の切断装置 |
JP5635807B2 (ja) * | 2010-05-24 | 2014-12-03 | 株式会社ディスコ | 切削加工装置 |
US8647966B2 (en) * | 2011-06-09 | 2014-02-11 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for dicing die attach film on a semiconductor wafer |
-
2012
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000183218A (ja) * | 1998-12-14 | 2000-06-30 | Mitsumi Electric Co Ltd | Icパッケージの製造方法 |
JP2002231658A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Takemoto Denki Seisakusho:Kk | 半導体ウエハーの切断方法 |
JP2003059864A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ダイシング装置 |
JP2009196029A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | スピンドルユニット |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017028427A1 (zh) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 江苏诚睿达光电有限公司 | 一种基于滚压式的热塑性树脂光转换体贴合封装led的智能控制系统及控制方法 |
CN106469777A (zh) * | 2015-08-18 | 2017-03-01 | 江苏诚睿达光电有限公司 | 一种基于滚压式的有机硅树脂光转换体贴合封装led的智能控制系统及控制方法 |
CN106469779A (zh) * | 2015-08-18 | 2017-03-01 | 江苏诚睿达光电有限公司 | 一种基于滚压式的热塑性树脂光转换体贴合封装led的智能控制系统及控制方法 |
CN106469779B (zh) * | 2015-08-18 | 2018-03-02 | 江苏诚睿达光电有限公司 | 一种基于滚压式的热塑性树脂光转换体贴合封装led的智能控制系统及控制方法 |
CN106469777B (zh) * | 2015-08-18 | 2018-10-09 | 江苏诚睿达光电有限公司 | 一种基于滚压式的有机硅树脂光转换体贴合封装led的智能控制系统及控制方法 |
CN114864391A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-08-05 | 苏州和研精密科技有限公司 | 一种芯片加工方法和芯片切削机 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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