TWI495403B - 配線基板、多片式配線基板、及其製造方法 - Google Patents

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Description

配線基板、多片式配線基板、及其製造方法
本發明係關於在位於基板本體側面之凹缺部附近的毛邊減少、或者設於該凹缺部之內壁面的導體層之撕裂亦減少的配線基板，用以獲得複數個該配線基板之多片式配線基板，及該多片式配線基板之製造方法。
一般而言，陶瓷製之配線基板係藉由將陶瓷製之多片式配線基板沿設於其表面及背面之分割槽分割成一個個配線基板而予個片化所製作而成。於該分割時，為了使位於分割槽附近之金屬層等難以產生碎屑或毛邊，提出一種多片式配線基板之製造方法(例如，參照專利文獻1)，其藉由將既定範圍內之刀刃角的刀具沿胚片(green sheet)積層體之預定切斷位置插入，即可形成所需之分割槽。
但是，於藉由專利文獻1之製造方法的刀具對胚片實施切槽的情況下，因待形成之分割槽沿徑向交叉，且進一步在成為凹缺部的通孔或非通孔之內壁面上，破斷面(龜裂之走勢)發生蛇行，所以容易產生毛邊或缺口。而且，藉由該刀具所形成之分割槽的深度，需要比連接相鄰之2個配線基板部的內部配線彼此之鍍敷用配線的位置還淺，所以，不得不作成比非通孔之底面、以相同軸心具有不同之2個內徑的通孔之階梯部更淺，此亦容易引發該毛邊等。
又，於在該通孔等之內壁面形成有導體層之情況下 ，容易因撕裂該導體層之金屬而產生導體的毛邊，造成分割後未實施鍍敷被膜處理之導體層的切斷面露出，因此恐有對該導體層進行焊接安裝時之可靠度降低之虞。
另一方面，為了防止由該胚片之通孔中的內壁面上的破斷面(龜裂之走勢)之蛇行所帶來的毛邊或缺口，還提出一種多片式配線基板(例如，參照專利文獻2)，其藉由使用對於相同刀嶺(刀身)具有不同之刃尖高度(寬度)的特殊刀具，即可形成分割槽之深度不連續改變的部分。
但是，於專利文獻2之多片式配線基板中，每次待形成通孔之位置被變更至與分割槽交叉的任意位置時，需要準備多把對應於胚片之表面附近及通孔附近的雙方之各種刃尖的高度(寬度)及長度不同之特殊刀具。因此，需要多種類之特殊刀具，存在有不僅製造成本顯著提高，且生產性降低之問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本國特開2009-218319號公報(第1~11頁、第1~8圖)
[專利文獻2]日本國特開2009-266992號公報(第1~11頁、第1~8圖)
本發明之目的在於解決先前技術中所作說明之問題，提供一種在位於基板本體側面之凹缺部附近的毛邊減 少、且設於該凹缺部之內壁面的導體層的撕裂亦減少之配線基板，用以獲得複數個該配線基板之多片式配線基板，及可確實地獲得該多片式配線基板之製造方法。
為了解決上述課題，本發明係設想將與位於各配線基板之側面的作為凹缺部之胚片的通孔或有底孔交叉之分割槽的深度，作成比不與該通孔或有底孔交叉之位置上的分割槽之深度更深而達成者。
亦即，本發明之第1配線基板(申請專利範圍第1項)，係具備：基板本體，其藉由積層複數之陶瓷層而形成，且具有俯視為矩形且對向之一對主面，及位於該一對主面間且具有沿一主面側所配置之槽切入面及位於該槽切入面與另一主面之間的破斷面之側面；及俯視為凹形之凹缺部，其至少只形成於該側面之一主面側，且沿該側面之厚度方向；該配線基板之特徵為：於具有該凹缺部之側面，該槽切入面與破斷面之境界線，係於該凹缺部之兩側具有側視為朝該基板本體之一主面側外凸之第1彎曲部，並於該凹缺部之另一主面側具有朝該基板本體之另一主面側外凸之第2彎曲部。
根據本發明，於該基板本體之具有該凹缺部的側面，該槽切入面與破斷面之境界線，係於側面之長度方向上的該凹缺部的兩側具有側視為朝該基板本體之一主面側外凸之第1彎曲部，並於該凹缺部之另一主面側具有朝該基板本體之另一主面側外凸之第2彎曲部。而且，該凹缺部係由該側面之左右一對的第1彎曲部、及位於該凹缺 部之最內部末端部與該側面的另一主面側之間的第2彎曲部所包圍，該2種類之彎曲部係比破斷面較平滑之該槽切入面的一部分朝該側面上之另一主面側突出的部分之區劃線。藉此，該側面上之位於一主面側的凹缺部附近的陶瓷之毛邊或缺口減少、且設於該凹缺部之內壁面的導體層的撕裂亦減少，從而可作成形狀及尺寸精度優良之配線基板。
又，該一對主面中之一主面及另一主面係相對之稱呼，例如，於將一主面作為該基板本體之背面的情況下，則另一主面為該基板本體之表面。
又，該陶瓷係在氧化鋁、莫來石(mullite)、氮化鋁等之高溫燒結陶瓷以外，還可包含屬低溫燒結陶瓷之一種的玻璃-陶瓷。
又，該槽切入面，係於對後述之構成多片式配線基板之胚片積層體的主面，沿藉由雷射加工而形成之截面V字形的分割槽按各配線基板進行個片化時，露出於各個配線基板之側面的該分割槽中之任一內壁面。
另外，以該槽切入面之寬度(厚度方向之深度)為該基板本體之側面寬度(厚度方向)的50%以下較為適宜。藉此，連接後述之多片式配線基板上相鄰之配線基板彼此的內部配線之鍍敷用配線，可藉由在配線基板彼此之間予以挖槽之分割槽，輕易防止被切斷之事態。換言之，形成於配線基板之鍍敷用配線之端面，係於該側面上，露出於位於比該凹缺部之最內部末端部淺的位置之一主面側的破斷面。
又，該凹缺部係除了形成於四邊之所有該側面以外，還可只形成於任意之1個至3個側面上。
此外，該凹缺部係至少於其內壁面上形成有後述之導體層，該導體層係用以導通配線基板之內部配線與外部的外部連接端子。
另外，本發明之第2配線基板(申請專利範圍第2項)，係具備：基板本體，其藉由積層複數之陶瓷層而形成，且具有俯視為矩形且對向之一對主面，及位於該一對主面間且具有沿一主面側所配置之槽切入面及位於該槽切入面與另一主面之間的破斷面之側面；及俯視為1/4圓弧形狀之凹缺部，其至少只形成於相鄰之一對該側面間的角部之一主面側，且沿該側面之厚度方向；該配線基板之特徵為：於位在該凹缺部兩側之一對側面，該槽切入面與破斷面之境界線，係於該凹缺部之兩側具有側視為朝該基板本體之一主面側外凸之第1彎曲部，並於該凹缺部之另一主面側具有朝該基板本體之另一主面側外凸之第3彎曲部。
根據本發明，該凹缺部係由一對之每個側面上之第1彎曲部、及位於該凹缺部之內部末端部與各側面的另一主面側之間的第3彎曲部所包圍。該2種類之彎曲部係比破斷面較平滑之槽切入面的一部分朝該側面上之另一主面側突出的部分。藉此，在一對側面間之角部且位於一主面側的凹缺部附近產生毛邊或缺口減少、且設於該凹缺部之內壁面的導體層的撕裂亦減少，從而可作成形狀及尺寸精度優良之配線基板。
又，本發明之第3配線基板(申請專利範圍第3項)，係具備：基板本體，其藉由積層複數之陶瓷層而形成，且具有俯視為矩形且對向之一對主面，及位於該一對主面間且具有沿一主面側所配置之槽切入面及位於該槽切入面與另一主面之間的破斷面之側面；俯視為凹形之第1凹缺部，其至少只形成於該側面之一主面側，且沿該側面之厚度方向；及俯視為與該第1凹缺部形狀相似且截面積少之第2凹缺部，其貫通該第1凹缺部之內部末端面的中心部與另一主面之間，且沿該側面之厚度方向；該配線基板之特徵為：於具有該第1凹缺部及第2凹缺部之側面，該槽切入面與破斷面之境界線，係於該第1凹缺部之兩側具有側視為朝該基板本體之一主面側外凸之第1彎曲部，並於該第2凹缺部之兩側具有朝該基板本體之另一主面側外凸之第3彎曲部。
根據本發明，該第1凹缺部係由位於沿該側面之長度方向的兩側的一對第1彎曲部所挾持，該第2凹缺部係由位於沿該側面之長度方向的兩側的一對第3彎曲部所挾持，並於該第1彎曲部上除第2凹缺部以外之左右一對的最內部末端部，分別與該一對第3彎曲部相鄰接。而且，位於該4個部位上之2種類之彎曲部，係比破斷面較平滑之該槽切入面的一部分朝該側面上之另一主面側突出的部分。藉此，在該側面上之位於一主面側的第1凹缺部附近、及與其相鄰之第2凹缺部附近的毛邊或缺口減少，且設於該第1及第2凹缺部之內壁面的導體層的撕裂亦減少，從而可作成形狀及尺寸精度優良之配線基板。
又，本發明之第4配線基板(申請專利範圍第4項)，係具備：基板本體，其藉由積層複數之陶瓷層而形成，且具有俯視為矩形且對向之一對主面，及位於該一對主面間且具有沿一主面側所配置之槽切入面及位於該槽切入面與另一主面之間的破斷面之側面；俯視為1/4圓弧形狀之第3凹缺部，其至少只形成於相鄰之一對側面間的角部之一主面側，且沿該側面之厚度方向；及俯視為與該第3凹缺部形狀相似且截面積少之第4凹缺部，其貫通該第3凹缺部的內部末端面之中心部與另一主面之間，且沿該側面之厚度方向；該配線基板之特徵為：在與具有該第3凹缺部及第4凹缺部之角部相鄰的一對側面，該槽切入面與破斷面之境界線，係於該第3凹缺部之兩側具有側視為朝該基板本體之一主面側外凸之第1彎曲部，並於該第4凹缺部之兩側具有朝該基板本體之另一主面側外凸之第3彎曲部。
根據本發明，該第3凹缺部係由位於沿該一對之各側面之長度方向的兩側的一對第1彎曲部所挾持，該第4凹缺部係由位於沿該一對之各側面之長度方向的兩側的一對第3彎曲部所挾持，並且，於該第3彎曲部中除第4凹缺部以外之一對的各側面的最內部末端部，分別與該一對第3彎曲部相鄰接。而且，位於該4個部位上之2種類之彎曲部，係比破斷面較平滑之該槽切入面的一部分朝該側面上之另一主面側突出的部分。藉此，在該側面之位於一主面側的第3凹缺部附近、及與其相鄰之第4凹缺部附近的毛邊或缺口減少，且設於該第3及第4凹缺部之內壁 面的導體層的撕裂亦減少，從而可作成形狀及尺寸精度優良之配線基板。
另外，本發明還包含一種配線基板(申請專利範圍第5項)，其中沿該側面上之另一主面還配置有另一槽切入面，該破斷面係位於該另一槽切入面及該槽切入面之間。
根據本發明，除了具有形成於該側面上之一主面側、且包含藉第1至第4彎曲部之任一方而突出的部分之該槽切入面以外，還於另一主面側平行狀地形成另一槽切入面。藉此，只於夾在該一對槽切入面之位置形成有該破斷面，所以，在第1至第4凹缺部之任一方附近的毛邊等、或設於該第1至第4凹缺部之任一方的內壁面的導體層之撕裂進一步減少，從而可作成形狀及尺寸精度更為優良之配線基板。
又，該另一槽切入面，除了是沿該側面之長度方向的帶狀形態外，還包含於該第2凹缺部、第4凹缺部之兩側拼接形成該相同之彎曲部的突出部分之形態。
又，本發明還包含一種配線基板(申請專利範圍第6項)，其中於該凹缺部、或第1凹缺部至第4凹缺部之內壁面形成有沿該內壁面的導體層。
根據本發明，可透過沿第1凹缺部至第4凹缺部之內壁面而形成的該導體層，確實地取得印刷基板等之母基板側的連接端子與形成於構成基板本體之複數個陶瓷層間的任一方之內部配線的導通，進一步地，與形成於另一主面(表面)之表面配線的導通。而且，形成於各凹缺 部之內壁面的導體層，係於露出於該槽切入面之端面(分割前之截面)上亦確實地被覆有Ni、Au等之金屬鍍膜，所以，可容易且牢固地進行搭載於該母基板時之焊接。
另一方面，本發明之多片式配線基板(申請專利範圍第7項)，係具備：製品區域，其縱橫相鄰地拼接有複數個配線基板部，該配線基板部係藉由積層複數之陶瓷層而形成且具有俯視為矩形之一對主面；耳部，其由與上述相同之陶瓷層所構成，且位於該製品區域之周圍，具有俯視為矩形框狀之一對主面；俯視為格子狀之分割槽，其沿相鄰之該配線基板部彼此間、及該製品區域與耳部之間，至少形成於一主面上；及俯視為圓形之第1圓柱部，係該分割槽沿徑向交叉且只於一主面開口；該多片式配線基板之特徵為：與該第1圓柱部沿徑向交叉之1個或2個分割槽之底部，係於該第1圓柱部之兩側具有側視為朝一主面側外凸之第1彎曲部，並於該第1圓柱部之另一主面側具有朝該另一主面側外凸之第2彎曲部。
根據本發明，與該第1圓柱部沿徑向交叉且將該第1圓柱部一分為二之1個分割槽的底部、或者於該第1圓柱部上相互垂直交叉而將該第1圓柱部一分為四之2個分割槽的底部，係於沿該分割槽之長度方向的該第1圓柱部的兩側，對稱地具有側視為朝一主面側外凸之第1彎曲部。又，於第1圓柱部之另一主面側，具有朝該另一主面側外凸之第2彎曲部。因此，於沿該分割槽，按製品區域之配線基板部給予個片化時，於將該第1圓柱部一分為二而得之俯視為凹形的該凹缺部、或者將該第1圓柱部一分為四 而得之俯視為1/4圓弧形的該凹缺部之附近，難以產生陶瓷之毛邊或缺口。藉此，可確實地提供由形狀及尺寸精度優良之陶瓷所構成的複數個配線基板。
另外，本發明還包含一種多片式配線基板(申請專利範圍第8項)，其中還形成有俯視為與該第1圓柱部形狀相似且截面積少之第2圓柱部，該第2圓柱部係貫通該第1圓柱部之內部末端面的中心部與另一主面之間，且沿該製品區域之厚度方向；並且，與該第1圓柱部及第2圓柱部沿徑向交叉之1個或2個分割槽之底部，係於該第2圓柱部之兩側還具有側視為朝一主面側外凸之第3彎曲部。
根據本發明，沿軸向將該第1圓柱部及第2圓柱部分割成2個或4個之分割槽的底部，係於沿該分割槽之長度方向的該第1圓柱部之兩側，對稱地具有側視為朝一主面側外凸之第1彎曲部，並於沿該分割槽之長度方向的第2圓柱部之兩側，對稱地具有朝一主面側外凸之第3彎曲部。因此，於沿該分割槽，按製品區域之配線基板部給予個片化時，於將該第1及第2圓柱部分割為2個或4個的該第1及第2凹缺部或第3及第4凹缺部之附近，難以產生陶瓷之毛邊或缺口，所以，可確實地提供形狀及尺寸精度優良之複數個配線基板。
另外，本發明還包含一種多片式配線基板(申請專利範圍第9項)，其中於該第1圓柱部之內壁面、或者第1及第2圓柱部的內壁面之雙方，形成有沿該內壁面之導體層。
根據本發明，於沿該分割槽，按製品區域之配線基 板部給予個片化時，於將該第1及第2圓柱部分割為2個或4個的該第1及第2凹缺部或該第3及第4凹缺部之附近，難以產生陶瓷之毛邊，並且難以產生導體層之撕裂。而且，於露出於各分割槽內之導體層的端面上亦全面或者廣範圍地被覆有Ni、Au等之鍍膜。藉此，於將製品區域之各配線基板給予個片化時，可確實地提供在與外部(母基板等)之導通性及搭載時之焊接性的雙方均優良之複數個配線基板。
另外，本發明之多片式配線基板之製造方法(申請專利範圍第10項)，該多片式配線基板係具備：製品區域，其縱橫相鄰地拼接有複數個配線基板部，該配線基板部係藉由積層複數之陶瓷層而形成，且具有俯視為矩形之一對主面；耳部，其由與上述相同之複數陶瓷層所構成，且位於該製品區域之周圍，具有俯視為矩形框狀之一對主面；俯視為格子狀之分割槽，其沿相鄰之該配線基板部彼此間、及該製品區域與耳部之間，至少形成於一主面上；及俯視為圓形之第1圓柱部，係該分割槽沿徑向交叉且只於一主面開口；該多片式配線基板之製造方法的特徵為包含：於具有俯視為矩形之一對主面的複數胚片之中，於一部分或全部之胚片上形成內徑為同徑或不同徑之複數個透孔之製程；及於積層複數個該胚片而得之胚片積層體之至少一主面上，在俯視下焦點與該複數個透孔所連通之非通孔或通孔交叉，且沿區劃配線基板部之周圍及製品區域與耳部之分割槽預定位置，包含該非通孔或通孔內在內地一面連續地照射雷射一面進行掃 描，藉此形成俯視為格子狀之複數個分割槽的製程。
根據本發明，在該胚片積層體之至少一主面，以沿徑向與該非通孔或通孔交叉之方式一面連續地照射雷射一面進行掃描，所以，呈格子狀形成於該主面上之分割槽的底部，係於該非通孔或通孔之兩側等具有朝一主面側外凸的第1彎曲部，及朝另一主面側外凸的第2及第3彎曲部。藉此，可確實地製造拼接形狀及尺寸精度優良之配線基板的該多片式配線基板。
又，於該多片式配線基板之製造方法中，該通孔等係形成於複數層之各胚片上，且於在此後之製程中以該複數層之胚片的透孔連通之方式而積層之未加工的胚片積層體上所形成。
另外，於該多片式配線基板之製造方法中，例如，形成該分割孔之雷射的焦點，係於該胚片積層體之厚度方向上，包含該通孔等之內側在內，保持大致一定深度的位置進行該雷射加工。
又，亦可為藉由追加於該胚片之每個透孔的內壁面上形成導體層之製程，於該胚片積層體之非通孔或通孔的內壁面上形成圓筒形之導體層，且以與該導體層交叉之方式形成該分割槽之形態。
 [實施發明之形態]
以下，針對實施本發明之形態進行說明。
第1圖為從斜下方顯示本發明之第1配線基板1a的立體圖。
如第1圖所示，第1配線基板1a係具備：基板本體kp，其藉由積層複數之陶瓷層(未圖示)S而形成，具有俯視為矩形(正方形或長方形)且對向之一對主面2、3，及位於該一對主面2、3間的四邊之側面4；俯視為凹形(半圓弧形狀)之凹缺部11，其只形成於各該側面4之一主面(背面)3側，且沿該側面4之厚度方向；及導體層12，其沿該凹缺部11之內壁面而形成。
該側面4具有沿一主面(背面)3側所配置之槽切入面6、及位於該槽切入面6與另一主面(表面)2之間的該陶瓷S之破斷面5。該槽切入面5係形成於後述之多片式配線基板上的分割槽之任一內壁面，相較於陶瓷S之破斷面5，為較平滑之面。
另外，該導體層12係於凹缺部11之頂面亦一體地具有俯視為半圓弧狀之導體層15。該導體層15係具有沿其外周側進入該陶瓷層S間之凸緣部f。
該陶瓷層S係由氧化鋁、莫來石等之高溫燒結陶瓷或屬低溫燒結陶瓷之一種的玻璃-陶瓷所構成。另外，於陶瓷層S為高溫燒結陶瓷之情況，該導體層12、15係由W或Mo所構成，於陶瓷層S為低溫燒結陶瓷之情況，該導體層12、15係由Cu或Ag所構成。又，一主面3通常為基板本體kp之背面，另一主面2通常為基板本體kp之背面，兩者為相對之稱呼。
如第1圖所示，於各側面4上，槽切入面6與破斷面5之境界線7，係於該凹缺部11及導體層12之兩側左右對稱地具有側視為朝一主面3側外凸的第1彎曲部R1，並於該 凹缺部11及導體層12、15之另一主面2側具有朝另一主面2側外凸的第2彎曲部R2。亦即，如第1圖所示，各側面4上之槽切入面6係側視為於凹缺部11及導體層12之兩側使在另一主面2側為尖細形狀的一對突出部8延伸，及於凹缺部11及導體層12、15之另一主面2側使朝該另一主面2側外凸的半圓弧形狀之突出部9延伸。該突出部8、9係於藉由雷射加工而在後述之多片式配線基板上形成分割槽時，作為該分割槽之一部分而附帶形成者。
第2圖為從斜下方顯示本發明之第2配線基板1c的立體圖。
如第2圖所示，第2配線基板1c係具備：基板本體kp，其具有與上述相同之主面2、3及側面4；俯視為1/4圓弧形狀之凹缺部13，其只形成於相鄰之各側面4、4間的角部之一主面(背面)3側，且沿該側面4之厚度方向；及與上述相同之導體層14，其沿該凹缺部13之內壁面而形成。該導體層14係於凹缺部13之頂面亦一體地具有1/4圓弧形狀之導體層16，該導體層16係具有沿其外周側進入該陶瓷層S間之凸緣部f。
如第2圖所示，於位在凹缺部13及導體層14之兩側的一對側面4、4間，槽切入面6與破斷面5之境界線7，係於該凹缺部13及導體層14之兩側左右對稱地具有側視為朝一主面3側外凸的第1彎曲部R1，並於該凹缺部13及導體層14之另一主面2側左右對稱地具有朝該另一主面2側外凸的第3彎曲部R3。
亦即，如第2圖所示，各側面4上之槽切入面6係側視 為使與位於兩端之凹缺部13及導體層14相鄰而於另一主面2側成為尖細形狀之突出部8延伸，及於凹缺部13及導體層14之另一主面2側，使1/4圓弧形狀之突出部10延伸。該突出部8、10亦是於藉由雷射加工而在後述之多片式配線基板上形成分割槽時，作為該分割槽之一部分而附帶形成者。
根據以上所述之第1及第2配線基板1a、1c，該側面4上之位於一主面3側的凹缺部11、13附近的陶瓷S之毛邊或缺口減少，且設於該凹缺部11、13之內壁面的導體層12、14的撕裂亦減少，因此形狀及尺寸精度優良。
另外，可透過該導體層12、14，確實地取得未圖示之印刷基板等之母基板側的連接端子與形成於構成基板本體kp之複數個陶瓷層S間的任一方之內部配線(未圖示)的導通，進一步地，與形成於另一主面2之表面配線(未圖示)的導通。而且，導體層12、14係於露出於該槽切入面6之端面(分割前之截面)上亦被覆有Ni、Au等之金屬鍍膜，所以，可容易且牢固地進行搭載於該母基板時之焊接。此外，相對於沿每個側面4之厚度方向的寬度，槽切入面6的寬度係除了凹缺部11、13附近以外被縮窄約20~30%(50%以下)，所以，還可將於多片式配線基板時用以導通相鄰之配線基板彼此間的鍍敷用配線之位置，設定於破斷面5中接近境界線7側之位置。
又，該凹缺部11、13及導體層12、14係至少只形成於任一個側面4，或可只形成於相鄰之一對側面4、4之間。
第3圖為從斜下方顯示本發明之第3配線基板1e的立體圖。
如第3圖所示，第3配線基板1e係具備：基板本體kp，其具有與上述相同之主面2、3及側面4；俯視為凹形之第1凹缺部11，其只形成於各該側面4之一主面(背面)3側，且沿該側面4之厚度方向；俯視為與上述相同且截面少之凹形的第2凹缺部17，其貫通該第1凹缺部11的頂面(內部末端面)之中心部與另一主面(表面)2之間；及導體層12、18，其沿第1及第2凹缺部11、17之內壁面而形成。於該第1凹缺部11之頂面形成有連接該導體層12、18之仰視為半圓環形狀的導體層15，該導體層15係具有沿其外周側進入該陶瓷層S間之凸緣部f。
如第3圖所示，於各側面4上，槽切入面6與破斷面5之境界線7，係於第1凹缺部11及導體層12之兩側左右對稱地具有側視為朝一主面3側外凸的第1彎曲部R1，並於第2凹缺部17及導體層18之兩側左右對稱地具有朝基板本體kp之另一主面2側外凸的第3彎曲部R3。亦即，如第3圖所示，各側面4上之槽切入面6係側視為於第1凹缺部11及導體層12之兩側，使於另一主面2側成為尖細形狀之左右一對的突出部8延伸，及於第2凹缺部17及導體層18之兩側的第1凹缺部11側，使1/4圓弧形狀之突出部10延伸。該突出部8、10亦是於藉由雷射加工在後述之多片式配線基板上形成分割槽時所附帶形成者。又，突出部10包含沿導體層18朝另一主面2側延伸之角狀的延長部。
第4圖為從斜下方顯示本發明之第4配線基板1g的立 體圖。
如第4圖所示，第4配線基板1g係具備：基板本體kp，其具有與上述相同之主面2、3及側面4；俯視為1/4圓弧形狀之第3凹缺部13，其只形成於相鄰之各側面4、4間的角部之一主面(背面)3側，且沿該側面4之厚度方向；俯視為與上述相同且截面少之1/4圓弧形狀的第4凹缺部19，其貫通該第3凹缺部13的頂面(內部末端面)之中心部與另一主面(表面)2之間；及與上述相同之導體層14、20，其沿該第3及第4凹缺部13、19之內壁面而形成。於該第3凹缺部13之頂面形成有連接該導體層14、20之仰視為扇形的導體層16，該導體層16係具有沿其外周側進入該陶瓷層S間之凸緣部f。
如第4圖所示，於位在第3凹缺部13及導體層14之兩側的一對側面4、4間，槽切入面6與破斷面5之境界線7，係於該凹缺部13及導體層14之兩側左右對稱地具有側視為朝一主面3側外凸的第1彎曲部R1，並於第4凹缺部19及導體層20兩側之第3凹曲部13側左右對稱地具有朝該另一主面2側外凸的第3彎曲部R3。亦即，如第4圖所示，各側面4上之槽切入面6係側視為使與位於兩端之第3凹缺部13及導體層14相鄰且於另一主面2側成為尖細形狀之突出部8延伸，及與第4凹缺部19及導體層20之兩側相鄰且於第3凹缺部13側，使1/4圓弧形狀之突出部10延伸。該突出部8、10亦是與上述相同形成者。又，該突出部10係包含沿導體層20朝另一主面2側延伸之角狀的延長部。
根據以上所述之第3及第4配線基板1e、1g，該側面4上之位於一主面3側的第1~第4凹缺部11、13、17、19附近的陶瓷S之毛邊或缺口減少，且設於該凹缺部11、13、17、19之內壁面的導體層12、14、18、20的撕裂亦減少，因而形狀及尺寸精度優良。
另外，可透過該導體層12、14、18、20，確實地取得未圖示之印刷基板等之母基板側的連接端子與形成於構成基板本體kp之複數個陶瓷層S間的任一方之內部配線的導通，及與形成於另一主面2之表面配線(未圖示)的導通。而且，導體層12、14、18、20係於露出於該槽切入面6之端面上亦確實地被覆有Au等之金屬鍍膜，所以，可容易且牢固地進行搭載於該母基板時之焊接。此外，相對於沿每一側面4之厚度方向的寬度，槽切入面6的寬度係除了凹缺部11、13、17、19附近以外被縮窄50%以下，所以，還可將於多片式配線基板時用以導通相鄰之配線基板彼此間的鍍敷用配線之位置，容易地設定於破斷面5內之任意位置。
又，該凹缺部11、13、17、19及導體層12、14、18、20係至少只形成於任一個側面4，或可只形成於相鄰之一對側面4、4之間。
第5圖為顯示該第1配線基板1a之應用形態的配線基板1b之側視圖。如第5圖所示，該配線基板1b係在與上述相同之基板本體kp之各側面4，除了形成有凹缺部11及導體層12之一主面(背面)3側以外，還於另一主面(表面)2側形成沿該主面2之帶狀的槽切入面6。因此，於配線基 板1b之各側面4，破斷面5被夾於一對槽切入面6、6之間，該一對槽切入面6、6整體之合計寬度，為沿基板本體kp之厚度方向的側面4之寬度的50%以下。
第6圖為顯示該第2配線基板1c之應用形態的配線基板1d之側視圖。如第6圖所示，該配線基板1d係在與上述相同之基板本體kp之側面4、4間之各角部，除了兩端形成有凹缺部13及導體層14之一主面(背面)3側以外，還於另一主面(表面)2側形成沿該主面2之帶狀的槽切入面6。因此，於配線基板1d之各側面4，破斷面5被呈帶狀夾於一對槽切入面6、6之間。
第7圖為顯示該第3配線基板1e之應用形態的配線基板1f之側視圖。如第7圖所示，該配線基板1f係在與上述相同之基板本體kp之各側面4，除了形成有第1凹缺部11及導體層12之一主面(背面)3側以外，還於另一主面(表面)2側形成沿該主面2之帶狀的槽切入面6。因此，於配線基板1f之各側面4，破斷面5被呈帶狀夾於一對槽切入面6、6之間。又，另一主面2側之槽切入面6係於第2凹缺部17及導體層18之兩側具有朝內部末端側變細之突出部。
第8圖為顯示該第4配線基板1g之應用形態的配線基板1h之側視圖。如第8圖所示，該配線基板1h係在與上述相同之基板本體kp之側面4、4間的各角部，除了兩端形成有凹缺部13及導體層14之一主面(背面)3側以外，還於另一主面(表面)2側形成沿該主面2之帶狀的槽切入面6。因此，於配線基板1h之各側面4，破斷面5被呈帶狀夾於一對槽切入面6、6之間。又，另一主面2側之槽切入面 6係於兩端之第4凹缺部19及導體層20之兩側具有朝內部末端側變細之突出部。
根據以上之配線基板1b、1d、1f、1h，亦可獲得與該配線基板1a、1c、1e、1g相同之效果。
第9圖為顯示本發明之第1多片式配線基板21a之俯視圖。第10圖為沿第9圖中之X-X線之箭頭之部分垂直剖視圖。
如第9及10圖所示，多片式配線基板21a係具備：製品區域24，其縱橫相鄰地拼接有複數個配線基板部1n，該配線基板部1n係由積層複數之陶瓷層(未圖示)而形成的與上述相同之陶瓷S所構成，且具有俯視為矩形(正方形或長方形)之一對主面22、23；耳部25，其由與上述相同之陶瓷S所構成，且位於該製品區域24之周圍，具有俯視為矩形框狀之一對主面22、23；及俯視為格子框狀之分割槽26，其沿相鄰之該配線基板部1n、1n間、及製品區域24與耳部25之間，形成於一主面23上。該分割槽26之截面呈V字形，其藉由後述之雷射加工所形成。
又，該一對主面22、23係於配線基板部1n、製品區域24及耳部25共同使用。其中，一主面23係進一步成為該配線基板1a之一主面(背面)3，另一主面22係成為該配線基板1a之另一主面(表面)2。另外，該分割槽26之一內壁面，係進一步成為該配線基板1a之各側面4的該槽切入面6。又，該配線基板部1n係於個片化時進一步成為該第1配線基板1a。
如第9及10圖所示，於區劃該配線基板部1n之周圍的 四邊之各分割槽26的中間，配置有該分割槽6沿徑向交叉且只於一主面23側開口之俯視為圓形的第1圓柱部(凹缺部：有底孔)31，並形成有沿該第1圓柱部31之內壁面的圓筒形狀之導體層12，及位於該圓柱部31之底面且與該導體層12連接的圓盤狀之導體層15。又，導體層12係於一主面23上具有呈圓環狀延伸之凸緣部，導體層15係於外周側具有進入陶瓷層(S)間之凸緣部。該導體層12、15亦是由與上述相同樣之W或Mo等所構成。
如第10圖所示，沿徑向與第1圓柱部31及導體層12、15交叉之分割槽26的底部27，係於該第1圓柱部31及導體層12、15之兩側具有側視為朝一主面23側外凸之第1彎曲部R1，並且，於該第1圓柱部31及導體層12、15之另一主面22側具有朝該另一主面22側外凸之第2彎曲部R2。
亦即，分割槽26係側視(垂直截面)為於該第1圓柱部31及導體層12、15之兩側具有內部末端側朝另一主面22側變細之突出部28，及於該第1圓柱部31及導體層12、15之另一主面22側具有朝該另一主面22側外凸之半圓形的突出部29。
第11圖為顯示本發明的第3多片式配線基板21e之與該第10圖相同之部分垂直剖視圖。
第3多片式配線基板21e係具備：與上述相同之製品區域24，其進一步拼接有成為該第3配線基板1e之複數個配線基板部1n；耳部25及分割槽26。如第11圖所示，於區劃該配線基板部1n之周圍的四邊之各分割槽26的中間 ，同心地連通配置有該分割槽6沿徑向交叉且只於一主面23側開口之俯視為圓形的第1圓柱部31，及貫通該第1圓柱部31之內部末端側(底面)的中心部與另一主面22之間，且沿該製品區域24之厚度方向，俯視為與該第1圓柱部31形狀相似且較小徑之第2圓柱部(凹缺部)32。於第1及第2圓柱部31、32之內周面形成有沿該內壁面的圓筒形狀之導體層12、18，於該導體層12、18間夾有圓盤狀之導體層15。
又，導體層12、16、18亦是由與上述相同之W或Mo等所構成，且分別具有徑向延伸之凸緣部。
如第11圖所示，沿徑向與第1圓柱部31及導體層12交叉之分割槽26的底部27，係於該第1圓柱部31及導體層12之兩側具有側視為朝一主面23側外凸之第1彎曲部R1，並於該第2圓柱部32及導體層18之兩側且第1圓柱部31側具有朝另一主面22側外凸之第3彎曲部R3。亦即，該分割槽26係側視(垂直截面)為於該第1圓柱部31及導體層12之兩側具有內部末端側朝另一主面22側變細之突出部28，及於該第2圓柱部32及導體層18之兩側且一主面23側具有朝另一主面22側外凸之1/4圓弧形的突出部30。包含該突出部28、30之分割槽26，亦是藉由後述之雷射加工所形成。
根據以上之第1及第3多片式配線基板21a、21e，與該第1及第2圓柱部31、32沿徑向交叉且將該第1及第2圓柱部31、32一分為二之分割槽26的底部27，係於沿該分割槽26之長度方向的第1圓柱部31的兩側，對稱地具有側 視為朝一主面23側外凸之第1彎曲部R1。又，於第1圓柱部31之另一主面22側具有朝另一主面22側外凸之第2彎曲部R2，或者於第2圓柱部32之兩側對稱地具有第3彎曲部R3。
因此，於沿該分割槽26對製品區域24之各配線基板部1n給予個片化時，於將該第1及第2圓柱部31、32沿軸向一分為二而得之俯視為凹形的該凹缺部11、17之附近，難以產生陶瓷S之毛邊或缺口。而且，亦幾乎沒有形成於第1及第2圓柱部31、32之內壁面的導體層12、18的撕裂，且於露出於分割槽26內之該導體層12、18的端面上亦確實地被覆有Ni及Au鍍膜。藉此，可確實地提供形狀及尺寸精度優良之複數個陶瓷製的該配線基板1a、1e。
又，亦可於第10及11圖所示之多片式配線基板21a、21e上，再藉由於另一主面22側，呈俯視為格子狀形成沿該主面22之帶狀的分割槽26，而作成拼接有複數個用以形成該配線基板1b、1f之配線基板部1n的多片式配線基板(21b、21f)。
第12圖為顯示本發明之第2多片式配線基板21c之俯視圖，第13圖為沿第12圖中之Y-Y線之箭頭之部分垂直剖視圖。
如第12及13圖所示，第2多片式配線基板21c亦是由與上述相同之陶瓷S所構成，具備與上述相同之製品區域24、耳部25及呈格子狀只形成於一主面23側之分割槽26。位於該製品區域24內之複數個配線基板部1n，係於給予個片化時進一步成為該第2配線基板1c。
如第12及13圖所示，於區劃該配線基板部1n之周圍的四邊之分割槽26、26的交點附近，配置有該2個分割槽6沿徑向且垂直地交叉且只於一主面23側開口之俯視為圓形的第1圓柱部31，並沿該第1圓柱部31之內壁面形成有圓筒形狀之導體層14，及形成有位於該圓柱部31之底面的與上述相同之導體層16。該導體層14、16亦是由與上述相同之W或Mo等所構成。
如第13圖所示，沿徑向與第1圓柱部31及導體層14垂直交叉之2個分割槽26的底部27，係於該第1圓柱部31及導體層14之兩側具有側視為朝一主面23側外凸之第1彎曲部R1，並於第1圓柱部31及導體層14、16之另一主面22側具有朝該另一主面22側外凸之第2彎曲部R2。
亦即，分割槽26係於該第1圓柱部31及導體層14之兩側具有側視為內部末端側朝另一主面22側變細之突出部28，及於該第1圓柱部31及導體層14、16之另一主面22側具有朝該另一主面22側外凸之半圓形的突出部29。
第14圖為顯示本發明之第4多片式配線基板21g之與該第13圖相同之部分垂直剖視圖。
第4多片式配線基板21g係具備：與上述相同之製品區域24，其進一步拼接有成為該第4配線基板1g之複數個配線基板部1n；耳部25及分割槽26。如第14圖所示，於區劃該配線基板部1n之周圍的四邊之分割槽26、26的交點附近，同心地連通配置有正交之2個該分割槽6沿徑向交叉且只於一主面23側開口之俯視為圓形的第1圓柱部31，及貫通該第1圓柱部31之內部末端側(底面)的中心部 與另一主面22之間，且沿該製品區域24之厚度方向，俯視為與該第1圓柱部31形狀相似的圓形且小徑之第2圓柱部32。於第1及第2圓柱部31、32之內壁面形成有導體層14、20，於該導體層14、20間夾有導體層16。該導體層14、16、20亦是由與上述相同之W或Mo等所構成。
如第14圖所示，沿徑向與第1圓柱部31及導體層14交叉之分割槽26的底部27，係於該第1圓柱部31及導體層14之兩側對稱地具有側視為朝一主面23側外凸之一對第1彎曲部R1，並於該第2圓柱部32及導體層20之兩側且第1圓柱部31側對稱地具有朝另一主面22側外凸之第3彎曲部R3。亦即，該分割槽26係側視為於該第1圓柱部31及導體層14之兩側具有內部末端側朝另一主面22側變細之突出部28，及於該第2圓柱部32及導體層20之兩側且一主面23側具有朝該另一主面22側外凸之1/4圓弧形的突出部30。包含該突出部28、30之分割槽26，亦是藉由後述之雷射加工所形成。
根據以上之第2及第4多片式配線基板21c、21g，與該第1及第2圓柱部31、32沿其徑向垂直交叉且將該第1及第2圓柱部31、32沿軸向一分為四之2個分割槽26的底部27，係於沿該分割槽26之長度方向的第1圓柱部31的兩側，對稱地具有側視為朝一主面23側外凸之第1彎曲部R1。又，於第1圓柱部31之另一主面22側具有朝另一主面22側外凸之第2彎曲部R2，或者於第2圓柱部32之兩側對稱地具有第3彎曲部R3。因此，於沿該分割槽26按製品區域24之配線基板部1n給予個片化時，於將該第1及第2圓柱 部31、32沿軸向一分為四而得之俯視為1/4圓弧形的該凹缺部13、19之附近，難以產生陶瓷S之毛邊或缺口。而且，可減少形成於第1及第2圓柱部31、32之內壁面的導體層14、20的撕裂，且於露出於分割槽26內之導體層14、20的端面上亦確實地被覆有Ni及Au鍍膜。藉此，可確實地提供形狀及尺寸精度優良之複數個該配線基板1c、1g。
又，亦可於第13及14圖所示之多片式配線基板21c、21g上，再藉由於另一主面22側，呈俯視為格子狀形成沿該主面22之帶狀的分割槽26，而作成拼接有複數個用以形成該配線基板1d、1h之配線基板部1n的多片式配線基板(21d、21h)。
以下，針對該第1、第3多片式配線基板21a、21e之製造方法進行說明。
先將樹脂結合劑或溶劑等每次適量地混合於氧化鋁粉末中作成陶瓷漿(ceramic slurry)，藉由刮板(doctor blade)法將該陶瓷漿薄片化，準備好複數個胚片(未圖示)。
接著，於該複數個胚片之每個胚片的既定位置上進行內徑不同之透孔的沖孔加工，將含W或Mo粉末之導電性膏充填於細徑的透孔中，形成未燒結之導通導體(未圖示)，並藉由負壓將與上述相同之導電性膏塗布於粗徑之透孔的內壁面，形成未燒結之圓筒形狀的導體層。
再於該複數個胚片之每個胚片的表面及背面之至少一個既定位置，藉由印刷配設與上述相同之導電性膏， 形成未燒結之內部配線層或表面配線層(均未圖示)。又，該內部配線層還有一部分兼作鍍敷用配線層(未圖示)的情況。
接著，將具有該導通導體、筒形導體層、及配線層之任一方的複數個胚片積層且壓合。
結果，如第15圖(a)所示，獲得具有對向之一對主面22、23的胚片積層體gs，該胚片積層體gs具有：非通孔(有底孔)31h，其只於一主面23開口；圓筒形狀之導體層12，其沿該非通孔31h之內壁面而形成；及其底面之導體層15。
接著，如第15圖(b)所示，自胚片積層體gs之一主面23側沿該積層體gs的厚度方向照射雷射(光)L，且沿該主面23連續地進行掃描。該雷射L係使用例如UV-YAG雷射，藉由透鏡34將其焦點F之位置設為一定深度，且以一定之傳送速度(約100mm/秒)進行。又，於待形成之截面V字形的分割槽23之深度約為200μm且開口部之寬度約為50μm的情況下，該雷射L之條件係設定為頻率：約30~100Hz，重複次數：2~5次。
又，如第16圖(a)、(b)所示，於該雷射L沿徑向通過非通孔31h及導體層12之內側(中空部)時，亦在將該雷射L之焦點F、傳送速度及上述各雷射條件保持為一定的狀態下，使雷射L沿徑向連續地通過非通孔31h之中心部。此時，於非通孔31h及導體層12之內側(中空部)，該雷射L之加工能量一時變得多餘。
結果，如第16圖(a)、(b)所示，在與非通孔31h及導 體層12交叉所形成之分割槽26的底部27，於導體層12之兩側分別對稱地形成有朝一主面23側外凸之第1彎曲部R1，且於非通孔31h及導體層12之內部末端側形成有朝另一主面22側外凸之第2彎曲部R2。該分割槽26係於胚片積層體gs之一主面23以俯視成為格子狀之方式形成。
另一方面，將具有該導通導體、筒形導體層、及配線層之任一方的複數個不同之胚片積層且壓合。結果，如第17圖(a)所示，獲得具有一對主面22、23的胚片積層體gs，該胚片積層體gs具有：導體層12、18，其同心地貫通於一主面23開口之通孔31h及位於該非通孔31h與另一主面22之間的較小徑之通孔32h，且設於這些內壁面上；及導體層15，其夾於這些導體層12、18之間。
接著，如第17圖(b)所示，自胚片積層體gs之一主面23側，沿該積層體gs的厚度方向，以上述相同之條件照射該相同的雷射L，且沿該主面23連續地進行掃描。
又，如第18圖(a)、(b)所示，於該雷射L沿徑向通過通孔31h、32h及導體層12、18之內側(中空部：通孔)時，亦在將該雷射L的各雷射條件保持為一定的狀態下，使雷射L沿徑向連續地通過通孔31h、32h之中心部。此時，於通孔31h、32h及導體層12、18之內側(中空部)，該雷射L之加工能量一時變得多餘。
結果，如第18圖(a)、(b)所示，在與通孔31h、32h及導體層12、18交叉所形成之分割槽26的底部27，於導體層12之兩側對稱地形成有朝一主面23側外凸之第1彎曲部R1，且於通孔32h及導體層18之兩側對稱地形成有朝 另一主面22側外凸之第3彎曲部R3。該分割槽26亦是於胚片積層體gs之一主面23以俯視成為格子狀之方式形成。
又，以該胚片之燒結溫度將該2種類之各胚片積層體gs進行燒結。其結果，可獲得複數個胚片燒結而一體化之陶瓷層S的陶瓷積層體(未圖示)。此時，該導體層12、18及各配線基板1n之配線層等亦同時被燒結。
然後，將該陶瓷積層體依序浸泡於既定之電解鍍敷浴中，活用該鍍敷電極等進行金屬(Ni及Au)電解鍍敷。結果，除了於導體層12、18之內壁面等上以外，還於位置比第3彎曲面R3上方且露出於外部之導體層18的端面(切斷面)上，亦被覆有鍍鎳膜及鍍金膜。
經由以上之各製程，可獲得多片式配線基板21a、21c。
根據以上之多片式配線基板21a、21e的製造方法，可效率佳且確實地製造多片式配線基板21a、21c，該多片式配線基板係於呈格子狀形成在該製品區域24之主面23側的分割槽26，對稱地形成有側視為位於導體層12兩側之第1彎曲部R1，還對稱地形成有第2彎曲部R2或一對第3彎曲部R3。
而且，包含突出部28~30之分割槽26，係藉由使用該雷射L之雷射加工而可精度良好且確實地形成，所以，不需要特殊形狀之刀具，可抑制製造成本，且可容易地進行槽切入製程之管理。
又，亦可為如下的多片式配線基板(21c、21g)的製造方法：於第15圖至第18圖中，使2個分割槽26在非通孔 31h及導體層12或通孔31h、32h及導體層12、18的中心部垂直交叉，依每一配線基板部1n而一併配設有該配線基板1c、1g。
另外，亦可為如下的多片式配線基板(21b、21d、21f、21h)的製造方法：於該胚片積層體gs中，藉由追加於另一主面22側亦線對稱地形成該分割槽26的製程，依每一配線基板部1n而一併配設有該配線基板1b、1d、1f、1h。
本發明不限於以上說明之各形態。
例如，該配線基板或多片式配線基板之陶瓷S，亦可為氧化鋁以外之高溫燒結陶瓷(例如，氮化鋁或莫來石)或者使用玻璃-陶瓷等之低溫燒結陶瓷。於後者之情況下，該導體層12、18等之導體，係使用Cu或Ag。
又，該基板本體或配線基板部亦可為俯視為呈長方形之形態。
另外，該基板本體kp或配線基板部1n，亦可為於另一主面(表面)2、22開口且含有具有底面及側面之凹腔的形態。
另外，該多片式配線基板之製造方法中的雷射加工，亦可於(非)通孔31h等之內側與胚片積層體gs的主面23側之間，以與該雷射條件不同的方式適宜地進行調整。
此外，亦可接續該多片式配線基板之製造方法，連續地進行將各個配線基板給予個片化的製程。
[產業上之可利用性]
根據本發明，可確實地提供在位於基板本體側面之 凹缺部附近的毛邊減少、及設於該凹缺部之內壁面的導體層的撕裂亦減少，且形狀及尺寸精度優良之配線基板，及用以獲得複數個該配線基板之多片式配線基板。
1a~1h‧‧‧配線基板
1n‧‧‧配線基板部
2、22‧‧‧另一主面/表面
3、23‧‧‧一主面/背面
4‧‧‧側面
5‧‧‧破斷面
6‧‧‧槽切入面
7‧‧‧境界線
8~10‧‧‧突出部
11、13、17、19‧‧‧凹缺部/第1凹缺部~第4凹缺部
12、14、18、20‧‧‧導體層
15、16‧‧‧導體層
21a、21c、21e、21g‧‧‧多片式配線基板
24‧‧‧製品區域
25‧‧‧耳部
26‧‧‧分割槽
27‧‧‧分割槽的底部
28~30‧‧‧突出部
31、32‧‧‧第1圓柱部、第2圓柱部
31h、32h‧‧‧非通孔/通孔
kp‧‧‧基板本體
R1~R3‧‧‧第1彎曲部~第3彎曲部
L‧‧‧雷射
S‧‧‧陶瓷/陶瓷層
f‧‧‧凸緣部
gs‧‧‧胚片積層體
第1圖為從斜下方顯示本發明之第1配線基板之立體圖。
第2圖為從斜下方顯示本發明之第2配線基板之立體圖。
第3圖為從斜下方顯示本發明之第3配線基板之立體圖。
第4圖為從斜下方顯示本發明之第4配線基板之立體圖。
第5圖為顯示第1配線基板之應用形態的配線基板之側視圖。
第6圖為顯示第2配線基板之應用形態的配線基板之側視圖。
第7圖為顯示第3配線基板之應用形態的配線基板之側視圖。
第8圖為顯示第4配線基板之應用形態的配線基板之側視圖。
第9圖為顯示本發明之第1多片式配線基板之俯視圖。
第10圖為沿第9圖中之X-X線之箭頭之部分放大剖視圖。
第11圖為顯示第3多片式配線基板之與第10圖相同之部分放大剖視圖。
第12圖為顯示本發明之第2多片式配線基板之俯視圖。
第13圖為沿第12圖中之Y-Y線之箭頭之部分放大剖視圖。
第14圖為顯示第4多片式配線基板之與第13圖相同之部分放大剖視圖。
第15圖為顯示第1多片式配線基板之一製造製程之概略圖。
第16圖為顯示接續第15圖之同製造製程的概略圖。
第17圖為顯示第2多片式配線基板之一製造製程之概略圖。
第18圖為顯示接續第17圖之同製造製程之概略圖。
1a‧‧‧配線基板
2‧‧‧表面
3‧‧‧背面
4‧‧‧側面
5‧‧‧破斷面
6‧‧‧槽切入面
7‧‧‧境界線
8、9‧‧‧突出部
11‧‧‧凹缺部
12‧‧‧導體層
15‧‧‧導體層
kp‧‧‧基板本體
R1~R2‧‧‧第1~第2彎曲部
S‧‧‧陶瓷/陶瓷層
f‧‧‧凸緣部

Claims (10)

  1. 一種配線基板，係具備：基板本體，其係積層複數之陶瓷層而形成，且具有俯視為矩形且對向之一對主面，及位於該一對主面間且具有沿一主面側所配置之槽切入面及位於該槽切入面與另一主面之間的破斷面之側面；及俯視為凹形之凹缺部，其至少只形成於該側面之一主面側，且沿該側面之厚度方向；該配線基板之特徵為：於具有該凹缺部之側面，該槽切入面與破斷面之境界線，係於該凹缺部之兩側具有側視為朝該基板本體之一主面側外凸之第1彎曲部，並於該凹缺部之另一主面側具有朝該基板本體之另一主面側外凸之第2彎曲部。
  2. 一種配線基板，係具備：基板本體，其係積層複數之陶瓷層而形成，且具有俯視為矩形且對向之一對主面，及位於該一對主面間且具有沿一主面側所配置之槽切入面及位於該槽切入面與另一主面之間的破斷面之側面；及俯視為1/4圓弧形狀之凹缺部，其至少只形成於相鄰之一對該側面間的角部之一主面側，且沿該側面之厚度方向；該配線基板之特徵為：於位在該凹缺部兩側之一對側面，該槽切入面與破斷面之境界線，係於該凹缺部之兩側具有側視為朝該基板本體之一主面側外凸之第1彎曲部， 並於該凹缺部之另一主面側具有朝該基板本體之另一主面側外凸之第3彎曲部。
  3. 一種配線基板，係具備：基板本體，其係積層複數之陶瓷層而形成，且具有俯視為矩形且對向之一對主面，及位於該一對主面間且具有沿一主面側所配置之槽切入面及位於該槽切入面與另一主面之間的破斷面之側面；俯視為凹形之第1凹缺部，其至少只形成於該側面之一主面側，且沿該側面之厚度方向；及俯視為與該第1凹缺部形狀相似且截面積少之第2凹缺部，其貫通該第1凹缺部之內部末端面的中心部與另一主面之間，且沿該側面之厚度方向；該配線基板之特徵為：於具有該第1凹缺部及第2凹缺部之側面，該槽切入面與破斷面之境界線，係於該第1凹缺部之兩側具有側視為朝該基板本體之一主面側外凸之第1彎曲部，並於該第2凹缺部之兩側具有朝該基板本體之另一主面側外凸之第3彎曲部。
  4. 一種配線基板，係具備：基板本體，其係積層複數之陶瓷層而形成，且具有俯視為矩形且對向之一對主面，及位於該一對主面間且具有沿一主面側所配置之槽切入面及位於該槽切入面與另一主面之間的破斷面之側面；俯視為1/4圓弧形狀之第3凹缺部，其至少只形成於相鄰之一對側面間的角部之一主面側，且沿該側面之 厚度方向；及俯視為與該第3凹缺部形狀相似且截面積少之第4凹缺部，其貫通該第3凹缺部的內部末端面之中心部與另一主面之間，且沿該側面之厚度方向；該配線基板之特徵為：在與具有該第3凹缺部及第4凹缺部之角部相鄰的一對側面，該槽切入面與破斷面之境界線，係於該第3凹缺部之兩側具有側視為朝該基板本體之一主面側外凸之第1彎曲部，並於該第4凹缺部之兩側具有朝該基板本體之另一主面側外凸之第3彎曲部。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之配線基板，其中沿該側面上之另一主面還配置有另一槽切入面，該破斷面係位於該另一槽切入面及該槽切入面之間。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之配線基板，其中於該凹缺部、或第1凹缺部至第4凹缺部之內壁面形成有沿該內壁面的導體層。
  7. 一種多片式配線基板，係具備：製品區域，其縱橫相鄰地拼接有複數個配線基板部，該配線基板部係積層複數之陶瓷層而形成且具有俯視為矩形之一對主面；耳部，其由與上述相同之陶瓷層所構成，且位於該製品區域之周圍，具有俯視為矩形框狀之一對主面；俯視為格子狀之分割槽，其沿相鄰之該配線基板部彼此間、及該製品區域與耳部之間，至少形成於一 主面上；及俯視為圓形之第1圓柱部，係該分割槽沿徑向交叉且只於一主面開口；該多片式配線基板之特徵為：與該第1圓柱部沿徑向交叉之1個或2個分割槽之底部，係於該第1圓柱部之兩側具有側視為朝一主面側外凸之第1彎曲部，並於該第1圓柱部之另一主面側具有朝該另一主面側外凸之第2彎曲部。
  8. 如申請專利範圍第7項之多片式配線基板，其中還形成有俯視為與該第1圓柱部形狀相似且截面積少之第2圓柱部，該第2圓柱部係貫通該第1圓柱部之內部末端面的中心部與另一主面之間，且沿該製品區域之厚度方向，與該第1圓柱部及第2圓柱部沿徑向交叉之1個或2個分割槽之底部，係於該第2圓柱部之兩側還具有側視為朝一主面側外凸之第3彎曲部。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之多片式配線基板，其中於該第1圓柱部之內壁面、或者第1及第2圓柱部的內壁面之雙方，形成有沿該內壁面之導體層。
  10. 一種如申請專利範圍第7項之多片式配線基板之製造方法，其特徵為包含：於具有俯視為矩形之一對主面的複數胚片之中，於一部分或全部之胚片上形成內徑為同徑或不同徑之複數個透孔之製程；及於積層複數個該胚片而得之胚片積層體之至少一主面上，在俯視下焦點與該複數個透孔所連通之非通 孔或通孔交叉，且沿區劃配線基板部之周圍及製品區域與耳部之分割槽預定位置，包含該非通孔或通孔內在內地一面連續地照射雷射一面進行掃描，藉此形成俯視為格子狀之複數個分割槽的製程。
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