JP4723275B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、半導体チップおよびこの半導体チップを支持する支持基板を備える半導体装置およびこのような半導体装置の製造方法に関する。

従来から、半導体チップおよびこの半導体チップを一方面上に支持する支持基板を備え、その支持基板の他方面を実装基板（配線基板）の表面に対向させて、実装基板に実装される半導体装置が知られている。
支持基板は、その半導体チップが接合される一方面に、半導体チップと電気接続される内部端子が形成され、その一方面と反対側の他方面に、実装基板上のランド（電極）との電気接続のための外部端子が形成されている。また、支持基板の端面には、溝が形成されており、内部端子と外部端子とは、その溝の内面に沿って形成された接続配線によって電気的に接続されている。

このような支持基板は、内部端子、外部端子および接続配線などがパターン形成された絶縁性を有する元基板を、格子状に設定された切断ライン（ダイシングライン）に沿って、ダイシングブレードなどの切断工具で切断することにより得られる。より具体的には、元基板の状態において、内部端子は、元基板の一方面上において、切断ラインに跨って形成されている。また、外部端子は、元基板の他方面上において、内部端子と対向する位置に形成されている。さらに、内部端子、元基板および外部端子を貫通するスルーホールが切断ラインを跨いで形成されており、そのスルーホールの内面には、金属めっき層が被着されている。そのため、元基板が切断ラインに沿って切断されると、内部端子および外部端子が切断ラインの両側の支持基板に分断されるとともに、スルーホールが切断ラインの両側の支持基板の端面の溝に分割されて、その溝の内面に被着した接続配線によって内部端子と外部端子とを接続された構成の支持基板が得られる。半導体チップは、たとえば、元基板が支持基板に切り分けられる前に、切断ラインに囲まれた接合領域に接合される。
特許第３２１４６１９号公報

ところが、金属からなる外部端子は、延性を有するため、切断工具により切断される際に、元基板の一方面側から他方面側に抜けるように入れられる切断工具に引きづられて延び、いわゆる金属ばりを生じることがある。このような外部端子の金属ばりは、別の外部端子との間での電気的短絡を生じたり、その金属ばりが実装基板の表面に当接して、半導体装置を実装基板から浮き上がらせることによって、外部端子と実装基板の表面上のランドとの接続不良を生じたりするおそれがある。

そこで、この発明の目的は、外部端子の金属ばりを有しない半導体装置およびそのような半導体装置の製造方法を提供することである。

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、半導体装置において、半導体チップと、前記半導体チップを一方面上に支持する支持基板と、前記支持基板の前記一方面に設けられ、前記支持基板の端縁まで延びて前記半導体チップと電気接続される内部端子と、前記支持基板の前記一方面と反対側の他方面に設けられ、前記支持基板の端縁に対して所定幅の間隔を空けた位置から内方に向けて延びる外部端子と、前記支持基板の前記一方面および前記他方面間を貫通して設けられ、前記内部端子と前記外部端子とを接続する接続配線とを含むことを特徴としている。

この構成によれば、外部端子は、支持基板の他方面において、その支持基板の端縁に対して所定幅の間隔を空けた位置から内方に向けて延びる。すなわち、支持基板の他方面において、支持基板の端縁に沿った所定幅の領域には、外部端子が存在していない。そのため、元基板が切断ラインに沿って切断されることによって支持基板に切り分けられる場合に、切断工具が元基板の一方面（支持基板の一方面と同一面）から他方面に抜けるように移動されても、外部端子を構成する金属が切断工具に引きづられて延びるといったことがなく、外部端子に金属ばりを生じるおそれがない。よって、この半導体装置は、外部端子に金属ばりを有しておらず、外部端子間での電気的短絡を生じたり、実装基板に実装されたときに、外部端子と実装基板上のランドとの接続不良（実装不良）を生じたりするおそれがない。

また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の半導体装置において、前記支持基板の端面には、前記一方面および前記他方面間にわたって、当該端面において開放される溝が形成されており、前記接続配線は、前記溝の内面に沿って形成されていることを特徴としている。
このような構成を有する半導体装置は、たとえば、請求項４に記載されている製造方法により製造することができる。

請求項４記載の発明は、半導体チップとその半導体チップを支持する支持基板とを備える半導体装置を製造する方法であって、絶縁性を有する元基板の一方面における所定の切断ラインを跨る領域に、一方側金属層を形成する工程と、前記元基板の前記一方面と反対側の他方面において、前記一方側金属層に対して前記一方面と直交する方向に対向する位置に、他方側金属層を形成する工程と、前記切断ラインを跨る位置に、前記他方側金属層および前記元基板を連続して貫通する連続貫通孔を形成する工程と、前記他方側金属層の表面、前記連続貫通孔の内面および前記一方側金属層の前記連続貫通孔に臨む部分に金属めっき層を被着させるめっき工程と、前記めっき工程後、前記切断ライン上から、前記元基板の前記他方面上の前記他方側金属層および前記金属めっき層を除去する金属除去工程と、前記金属除去工程後、前記元基板と切断工具とを、前記切断工具が前記元基板の前記一方面側から前記他方面側へ抜けるように相対移動させて、前記元基板を前記切断ラインに沿って切断し、前記元基板を支持基板の個片に切り分ける切断工程とを含むことを特徴としている。

この方法によれば、元基板が支持基板の個片に切り分けられる前に、切断ライン上の他方側金属層ならびにこの他方側金属層上の金属めっき層が除去される。
元基板が切断ラインに沿って切断されると、切断ラインに跨る一方側金属層が２つに分断され、その分断後の各部分が切断ラインの両側の支持基板の内部端子となる。また、切断ラインに沿った切断によって、連続貫通孔の内面および一方側金属層の連続貫通孔に被着した金属めっき層が２つに分断され、その分断後の各部分が、切断ラインの両側の支持基板の内部端子に接続される接続配線となる。さらに、各支持基板において、他方側金属層およびこの他方側金属層の表面に被着した金属めっき層が外部端子となる。

切断工具による元基板の切断時には、切断ライン上に外部端子を構成する金属が存在していないので、その外部端子を構成する金属が切断工具に引きづられて延びるといったことがなく、外部端子に金属ばりを生じるおそれがない。よって、この製造方法によって製造される半導体装置は、外部端子に金属ばりを有しておらず、外部端子間での電気的短絡を生じたり、実装基板に実装されたときに、外部端子と実装基板上のランドとの接続不良（実装不良）を生じたりするおそれがない。

また、請求項３記載の発明は、請求項１記載の半導体装置において、前記支持基板には、前記他方面から前記一方面に向けて凹み、前記支持基板の端面において開放される凹部と、前記一方面および前記他方面間を貫通し、前記凹部と連通する貫通孔とが形成されており、前記接続配線は、前記貫通孔の内面に沿って形成されていることを特徴としている。

このような構成を有する半導体装置は、たとえば、請求項５に記載されている製造方法により製造することができる。
請求項５記載の発明は、半導体チップとその半導体チップを支持する支持基板とを備える半導体装置を製造する方法であって、絶縁性を有する元基板の一方面における所定の切断ラインを跨る領域に、一方側金属層を形成する工程と、前記元基板の前記一方面と反対側の他方面において、前記一方側金属層に対して前記一方面と直交する方向に対向する位置に、他方側金属層を形成する工程と、前記切断ラインに対して互いに対称をなす２つの位置に、前記他方側金属層および前記元基板を連続して貫通する連続貫通孔を形成する工程と、前記他方側金属層の表面、各前記連続貫通孔の内面および前記一方側金属層の前記連続貫通孔に臨む部分に金属めっき層を被着させるめっき工程と、前記めっき工程後、２つの前記連続貫通孔の間であって、前記切断ラインに沿う方向において前記他方側金属層の幅以上の幅を有する領域に、前記元基板の前記他方面側から前記一方面側へ凹み、２つの前記連続貫通孔を連通する凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部形成工程後、前記元基板と切断工具とを、前記切断工具が前記元基板の前記一方面側から前記他方面側へ抜けるように相対移動させて、前記元基板を前記切断ラインに沿って切断し、前記元基板を支持基板の個片に切り分ける切断工程とを含むことを特徴としている。

この方法によれば、元基板が支持基板の個片に切り分けられる前に、下側金属層および元基板を連続して貫通する連続貫通孔が、切断ラインに対して互いに対称をなす２つの位置に形成され、さらに、めっき工程後に、それら２つの連続貫通孔の間の切断ライン上の領域に凹部が形成される。
元基板が切断ラインに沿って切断されると、切断ラインに跨る一方側金属層が２つに分断され、その分断後の各部分が切断ラインの両側の支持基板の内部端子となる。また、切断ラインに沿った切断によって、２つの連続貫通孔を連通する凹部が２つに分割され、その分割後の各部分が切断ラインの両側の支持基板の凹部となり、２つの連続貫通孔は、各支持基板において凹部と連通する貫通孔となる。貫通孔（連続貫通孔）の内面および一方側金属層の貫通孔に臨む部分に被着した金属めっき層は、内部端子に接続される接続配線となる。さらに、各支持基板において、他方側金属層およびこの他方側金属層の表面に被着した金属めっき層が外部端子となる。

切断工具による元基板の切断時には、切断ライン上に外部端子および接続配線のいずれを構成する金属も存在していないので、外部端子および接続配線を構成する金属が切断工具に引きづられて延びるといったことがなく、金属ばりを生じるおそれがない。よって、この製造方法によって製造される半導体装置は、外部端子に金属ばりを有していないだけでなく、接続配線にも金属ばりを生じておらず、外部端子間での電気的短絡および外部端子と実装基板上のランドとの接続不良（実装不良）の発生をより確実に防止することができる。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を図解的に示す斜視図である。この半導体装置は、支持基板１と、支持基板１の一方面（図１における上面。以下「上面」という。）１Ａ上に支持される半導体チップ２と、支持基板１の上面１Ａおよび半導体チップ２を封止する封止樹脂３とを備えている。

支持基板１は、絶縁性を有する樹脂（たとえば、ガラスエポキシ樹脂）からなり、矩形板状をなしている。
支持基板１の上面１Ａには、その一方側および他方側の各端部に、複数（この実施形態では、３個）の内部端子４が各側端縁に沿う方向に所定間隔を空けて配置されている。各内部端子４は、たとえば、銅からなり、支持基板１の上面１Ａの端縁から内方に向けて延びる矩形薄板状に形成されている。

また、支持基板１の上面１Ａには、それぞれ内部端子４が形成された両端部間の中央部に、たとえば、銅からなる平面視矩形状のダイパッド５が形成されている。このダイパッド５は、各端部における複数の内部端子４の配列方向に沿う方向において、支持基板１とほぼ同じ幅（寸法）を有し、その配列方向と直交する方向において、半導体チップ２とほぼ同じ幅を有している。

一方、支持基板１の上面１Ａと反対側の他方面（図１における下面。以下「下面」という。）１Ｂには、支持基板１の厚さ方向（上面１Ａおよび下面１Ｂに直交する方向）において各内部端子４と対向する位置およびダイパッド５に対向する複数の位置に、それぞれ外部端子６が形成されている。各外部端子６は、支持基板１の下面１Ｂの各端縁に対して所定幅Ｗ（図４参照）の間隔を空けた位置から内方に向けて延びる矩形薄板状に形成されている。

支持基板１の４つの端面１Ｃには、各外部端子６とこれに対向する内部端子４またはダイパッド５との間に、それぞれ断面半円形状の溝７が、支持基板１の上面１Ａおよび下面１Ｂ間にわたって形成されている。
各溝７の内面には、金属薄層からなる接続配線８が形成されている。各接続配線８は、支持基板１の上面１Ａ側の端部（上端部）が内部端子４またはダイパッド５に接続されている。また、各接続配線８は、図２に示すように、下面１Ｂ側の端部（下端部）が溝７の最深部において外部端子６に接続されている。これにより、内部端子４とこれに対向する外部端子６とが接続配線８を介して電気的に接続され、ダイパッド５とこれに対向する外部端子６とが接続配線８を介して電気的に接続されている。

半導体チップ２は、図１に示すように、その機能素子が形成されている側の表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態で、ダイパッド５上にダイボンディングされている。半導体チップ２の表面には、複数（この実施形態では、６個）のパッド９が形成されている。各パッド９は、ボンディングワイヤ１０によって内部端子４に電気接続（ワイヤボンディング）されている。

そして、この半導体装置は、支持基板１の下面１Ｂを図示しない実装基板（配線基板）に対向させて、その実装基板上のランド（電極）に外部端子６を接合させることにより、実装基板に対する実装が達成される。
図３Ａ〜図３Ｆは、この半導体装置の製造方法を説明するための図である。この半導体装置は、たとえば、支持基板１に切り分けられる前のより大きな元基板１１の状態において、その元基板１１の一方面（上面）１１Ａ上に半導体チップ２を接合した後、各半導体チップ２の周囲を取り囲む格子状に設定された切断ライン（ダイシングライン）Ｌに沿って、ダイシングブレードなどの切断工具１２で元基板１１を切断することにより得られる。

たとえば、元基板１１の上面１１Ａおよびその反対側の他方面（下面）１１Ｂには、当初、それぞれ全面に金属層（たとえば、銅層）が形成されている。そして、各金属層をパターニングすることによって、元基板１１の上面１１Ａには、複数の上側金属層１３が切断ラインＬに跨って形成され、下面１１Ｂには、各上側金属層１３と元基板１１の厚さ方向（上面１１Ａおよび下面１１Ｂと直交する方向）に対向する位置に、それぞれ下側金属層１４が切断ラインＬに跨って形成される。

その後、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、各下側金属層１４および元基板１１を連続して貫通する断面楕円形状の連続貫通孔１５が切断ラインＬに跨る位置に形成される。この連続貫通孔１５は、たとえば、元基板１１の下面１１Ｂ側からのレーザ加工またはエッチング加工によって形成することができる。
つづいて、元基板１１の下面１１Ｂ側からの銅めっきによって、図３Ｃに示すように、下側金属層１４の表面（下面）、連続貫通孔１５の内面および上側金属層１３の連続貫通孔１５に臨む部分に、銅めっき層１６が形成（被着）される。

さらに、銅めっき後に、元基板１１の下面１１Ｂ側からのニッケルめっきおよび金めっきが連続して行われることによって、図３Ｄに示すように、銅めっき層１６の表面に、ニッケルめっき層および金めっき層が積層されてなるニッケル／金めっき層１７が形成（被着）される。
その後、切断ラインＬ上であって、その切断ラインＬと直交する方向において連続貫通孔１５とほぼ同じ幅を有する領域（図３Ｅにハッチングを付して示す領域）から、下側金属層１４ならびにこの下側金属層１４上の銅めっき層１６およびニッケル／金めっき層１７が除去される。この下側金属層１４、銅めっき層１６およびニッケル／金めっき層１７の除去は、たとえば、元基板１１の下面１１Ｂ側からのレーザ加工またはエッチング加工によって形成することができる。

そして、元基板１１の上面１１Ａの各ダイパッド５上に半導体チップ２が接合され、各半導体チップ２のパッド９がボンディングワイヤ１０によって内部端子４に電気接続された後、図３Ｆに示すように、切断工具１２が元基板１１の上面１１Ａ側から下面１１Ｂ側に抜けるように入れられて、元基板１１が切断ラインＬに沿って切断されて、元基板１１が支持基板１の個片に切り分けられる。

この切断によって、図４に示すように、切断ラインＬに跨る上側金属層１３が２つに分断され、その分断後の各部分が切断ラインＬの両側の支持基板１の内部端子４となる。また、切断ラインＬに沿った切断によって、切断ラインＬに跨る連続貫通孔１５は、その切断ラインＬの両側の支持基板１の端面１Ｃの溝７として分割される。そして、連続貫通孔１５の内面および上側金属層１３の連続貫通孔１５に被着した銅めっき層１６およびニッケル／金めっき層１７が２つに分断され、その分断後の各部分が、切断ラインＬの両側の支持基板１の内部端子４に接続される接続配線８となる。なお、この実施形態では、各支持基板１において、下側金属層１４およびこの表面に被着した銅めっき層１６およびニッケル／金めっき層１７が外部端子６を構成している。

以上のように、元基板１１が支持基板１の個片に切り分けられる前に、切断ラインＬ上の下側金属層１４ならびにこの下側金属層１４上の銅めっき層１６およびニッケル／金めっき層１７が除去される。これにより、切断工具１２による元基板１１の切断時には、切断ラインＬ上に外部端子６を構成する金属が存在していないので、外部端子６を構成する金属が切断工具１２に引きづられて延びるといったことがなく、外部端子６に金属ばりを生じるおそれがない。よって、この半導体装置は、外部端子６に金属ばりを有しておらず、別の外部端子６との間での電気的短絡を生じたり、実装基板に実装されたときに、外部端子６と実装基板上のランドとの接続不良（実装不良）を生じたりするおそれがない。

図５は、この発明の他の実施形態に係る半導体装置の端部の断面図である。なお、図５において、図４に示す各部に相当する部分には、図４の場合と同一の参照符号を付している。また、以下では、上述の実施形態と相違する部分のみを説明し、上述の実施形態と同様の部分の説明は省略する。
上述の実施形態では、図４に示すように、支持基板１の端面１Ｃに溝７が形成され、この溝７の内面に沿って形成された接続配線８によって、支持基板１の上面１Ａの内部端子４またはダイパッド５と下面１Ｂの外部端子６とが接続される構成を取り上げた。これに対し、この実施形態に係る半導体装置では、支持基板１の端部に、支持基板１の下面１Ｂから上面１Ａに向けて凹み、支持基板１の端面１Ｃにおいて開放される凹部１８と、この凹部１８に対して支持基板１の内方に形成され、支持基板１の上面１Ａおよび下面１Ｂ間を貫通し、凹部１８と連通する貫通孔１９とが形成されている。そして、その貫通孔１９の内面に沿って形成された接続配線８によって、支持基板１の上面１Ａの内部端子４またはダイパッド５と下面１Ｂの外部端子６とが接続されている。

図６Ａ〜図６Ｇは、図５に示す半導体装置の製造方法を説明するための図である。この半導体装置の製造工程においては、まず、元基板１１の上面１１Ａおよび下面１１Ｂに、それぞれ上側金属層１３および下側金属層１４がパターン形成された後、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、各下側金属層１４および元基板１１を連続して貫通する断面円形状の連続貫通孔２０が、切断ラインＬに対して互いに対称をなる２つの位置に形成される。この連続貫通孔１５は、たとえば、元基板１１の下面１１Ｂ側からのレーザ加工またはエッチング加工によって形成することができる。

つづいて、元基板１１の下面１１Ｂ側からの銅めっきによって、図６Ｃに示すように、下側金属層１４の表面（下面）、各連続貫通孔２０の内面および上側金属層１３の各連続貫通孔２０に臨む部分に、銅めっき層１６が形成（被着）される。
その後、図６Ｄおよび図６Ｅに示すように、切断ラインＬに対して互いに対称な位置に形成された２つの連続貫通孔２０の間であって、切断ラインＬに沿う方向において下側金属層１４の幅以上の幅を有し、かつ、切断ラインＬと直交する方向において２つの連続貫通孔２０の中心軸線間距離にほぼ等しい幅を有する矩形状領域（図６Ｄに破線で囲んで示す領域）２２に、元基板１１の下面１１Ｂ側から上面１１Ａ側へ凹む凹部２１が形成される。この凹部２１は、切断ラインＬに対して互いに対称な位置に形成された２つの連続貫通孔２０を連通する。なお、凹部２１は、元基板１１の下面１１Ｂ側からのレーザ加工またはエッチング加工によって形成することができる。

凹部２１の形成後には、元基板１１の下面１１Ｂ側からのニッケルめっきおよび金めっきが連続して行われることによって、図６Ｆに示すように、銅めっき層１６の表面に、ニッケルめっき層および金めっき層が積層されてなるニッケル／金めっき層１７が形成される。このとき、銅めっき層１６が形成されていない部分には、ニッケルめっき層および金めっき層が成長しないため、ニッケル／金めっき層１７は形成されない。

そして、元基板１１の上面１１Ａの各ダイパッド５上に半導体チップ２が接合され、各半導体チップ２のパッド９がボンディングワイヤ１０によって内部端子４に電気接続された後、図６Ｇに示すように、切断工具１２が元基板１１の上面１１Ａ側から下面１１Ｂ側に抜けるように入れられて、元基板１１が切断ラインＬに沿って切断されて、元基板１１が支持基板１の個片に切り分けられる。

この切断によって、図５に示すように、切断ラインＬに跨る上側金属層１３が２つに分断され、その分断後の各部分が切断ラインＬの両側の支持基板１の内部端子４となる。また、切断ラインＬに沿った切断によって、２つの連続貫通孔２０を連通する凹部２１が２つに分割され、その分割後の各部分が切断ラインＬの両側の支持基板１の凹部１８となり、２つの連続貫通孔２０は、各支持基板１において凹部１８と連通する貫通孔１９となる。そして、貫通孔１９（連続貫通孔２０）の内面および上側金属層１３の貫通孔１９に臨む部分に被着した銅めっき層１６およびニッケル／金めっき層１７は、各支持基板１の内部端子４に接続される接続配線８となる。なお、この実施形態においても、各支持基板１において、下側金属層１４およびこの表面に被着した銅めっき層１６およびニッケル／金めっき層１７が外部端子６を構成する。

この実施形態によれば、元基板１１が支持基板１の個片に切り分けられる前に、下側金属層１４および元基板１１を連続して貫通する連続貫通孔２０が、切断ラインＬに対して互いに対称をなす２つの位置に形成され、さらに、銅めっき層１６の形成後に、それら２つの連続貫通孔２０の間の切断ラインＬ上の矩形状領域２２に凹部２１が形成される。これにより、切断工具１２による元基板１１の切断時には、切断ラインＬ上に外部端子６および接続配線８のいずれを構成する金属も存在していないので、外部端子６および接続配線８を構成する金属が切断工具１２に引きづられて延びるといったことがなく、金属ばりを生じるおそれがない。よって、この実施形態に係る半導体装置は、外部端子６に金属ばりを有していないだけでなく、接続配線８にも金属ばりを生じておらず、図４に示す構成と比較して、外部端子６間での電気的短絡および外部端子６と実装基板上のランドとの接続不良（実装不良）の発生をより確実に防止することができる。

以上、この発明の２つの実施形態を説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の第１の実施形態では、連続貫通孔１５の形成後、銅めっき層１６およびニッケル／金めっき層１７が順に形成され、その後、切断ラインＬの下側金属層１４ならびにこの下側金属層１４上の銅めっき層１６およびニッケル／金めっき層１７が除去されるとした。しかしながら、銅めっき層１６の形成後（図３Ｃ参照）、ニッケル／金めっき層１７の形成に先立って、図７Ａに示すように、切断ラインＬ上の領域（図３Ｅにハッチングを付して示す領域）から、下側金属層１４およびこの下側金属層１４上の銅めっき層１６が除去され、その後、元基板１１の下面１１Ｂ側からのニッケルめっきおよび金めっきが連続して行われることによって、図７Ｂに示すように、銅めっき層１６の表面に、ニッケルめっき層および金めっき層が積層されてなるニッケル／金めっき層１７が形成されてもよい。銅めっき層１６が形成されていない部分（切断ラインＬ上の銅めっき層１６が除去された部分）には、ニッケルめっき層および金めっき層が成長せず、ニッケル／金めっき層１７は形成されないので、その後、切断工具１２によって元基板１１が切断される時に（図３Ｆ参照）、外部端子６を構成する金属が切断工具１２に引きづられて延びるといったことがなく、外部端子６に金属ばりを生じるおそれがない。

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を図解的に示す斜視図である。 図１に示す半導体装置の接続配線の近傍の斜視図である。 図１に示す半導体装置の製造方法（連続貫通孔を形成する工程）を説明するための図であって、支持基板の下面を図解的に示している。 図１に示す半導体装置の製造方法（連続貫通孔を形成する工程）を説明するための図であって、図３Ａに示す切断線Ａ−Ａで半導体装置を切断したときの断面図である。 図１に示す半導体装置の製造方法（銅めっき層を形成する工程（めっき工程））を説明するための図であって、図３Ａに示す切断線Ａ−Ａで半導体装置を切断したときの断面図である。 図１に示す半導体装置の製造方法（ニッケル／金めっき層を形成する工程（めっき工程））を説明するための図であって、図３Ａに示す切断線Ａ−Ａで半導体装置を切断したときの断面図である。 図１に示す半導体装置の製造方法（下側金属層ならびにこの下側金属層上の銅めっき層およびニッケル／金めっき層を除去する工程（金属除去工程））を説明するための図であって、支持基板の下面を図解的に示す図である。 図１に示す半導体装置の製造方法（元基板を支持基板の個片に切り分ける工程（切断工程））を説明するための図であって、図３Ｅに示す切断線Ｂ−Ｂで半導体装置を切断したときの断面図である。 図１に示す半導体装置の端部の断面図である。 この発明の他の実施形態に係る半導体装置の端部の断面図である。 図５に示す半導体装置の製造方法（連続貫通孔を形成する工程）を説明するための図であって、支持基板の下面を図解的に示している。 図５に示す半導体装置の製造方法（連続貫通孔を形成する工程）を説明するための図であって、図６Ａに示す切断線Ｃ−Ｃで半導体装置を切断したときの断面図である。 図５に示す半導体装置の製造方法（銅めっき層を形成する工程（めっき工程））を説明するための図であって、図６Ａに示す切断線Ｃ−Ｃで半導体装置を切断したときの断面図である。 図５に示す半導体装置の製造方法（凹部を形成する工程（凹部形成工程））を説明するための図であって、支持基板の下面を図解的に示している。 図５に示す半導体装置の製造方法（凹部を形成する工程（凹部形成工程））を説明するための図であって、図６Ｄに示す切断線Ｄ−Ｄで半導体装置を切断したときの断面図である。 図５に示す半導体装置の製造方法（ニッケル／金めっき層を形成する工程（めっき工程））を説明するための図であって、図６Ｄに示す切断線Ｄ−Ｄで半導体装置を切断したときの断面図である。 図５に示す半導体装置の製造方法（元基板を支持基板の個片に切り分ける工程（切断工程））を説明するための図であって、図６Ｄに示す切断線Ｄ−Ｄで半導体装置を切断したときの断面図である。 図１に示す半導体装置の他の製造方法（下側金属層ならびにこの下側金属層上の銅めっき層を除去する工程（金属除去工程））を説明するための断面図である。 図１に示す半導体装置の他の製造方法（ニッケル／金めっき層を形成する工程）を説明するための断面図である。

符号の説明

１ 支持基板
１Ａ 上面（一方面）
１Ｂ 下面（他方面）
１Ｃ 端面
２ 半導体チップ
４ 内部端子
５ ダイパッド（内部端子）
６ 外部端子
７ 溝
８ 接続配線
１１ 元基板
１１Ａ 上面（一方面）
１１Ｂ 下面（他方面）
１２ 切断工具
１３ 上側金属層（一方側金属層）
１４ 下側金属層（他方側金属層）
１５ 連続貫通孔
１６ 銅めっき層（金属めっき層）
１７ ニッケル／金めっき層（金属めっき層）
１８ 凹部
１９ 貫通孔
２０ 連続貫通孔
２１ 凹部
２２ 矩形状領域
Ｌ 切断ライン
Ｗ 所定幅

Claims (5)

1. 半導体チップと、
   前記半導体チップを一方面上に支持する支持基板と、
   前記支持基板の前記一方面に設けられ、前記支持基板の端縁まで延びて前記半導体チップと電気接続される内部端子と、
   前記支持基板の前記一方面と反対側の他方面に設けられ、前記支持基板の端縁に対して所定幅の間隔を空けた位置から内方に向けて延びる外部端子と、
   前記支持基板の前記一方面および前記他方面間を貫通して設けられ、前記内部端子と前記外部端子とを接続する接続配線とを含むことを特徴とする、半導体装置。
2. 前記支持基板の端面には、前記一方面および前記他方面間にわたって、当該端面において開放される溝が形成されており、
   前記接続配線は、前記溝の内面に沿って形成されていることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。
3. 前記支持基板には、前記他方面から前記一方面に向けて凹み、前記支持基板の端面において開放される凹部と、前記一方面および前記他方面間を貫通し、前記凹部と連通する貫通孔とが形成されており、
   前記接続配線は、前記貫通孔の内面に沿って形成されていることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。
4. 半導体チップとその半導体チップを支持する支持基板とを備える半導体装置を製造する方法であって、
   絶縁性を有する元基板の一方面における所定の切断ラインを跨る領域に、一方側金属層を形成する工程と、
   前記元基板の前記一方面と反対側の他方面において、前記一方側金属層に対して前記一方面と直交する方向に対向する位置に、他方側金属層を形成する工程と、
   前記切断ラインを跨る位置に、前記他方側金属層および前記元基板を連続して貫通する連続貫通孔を形成する工程と、
   前記他方側金属層の表面、前記連続貫通孔の内面および前記一方側金属層の前記連続貫通孔に臨む部分に金属めっき層を被着させるめっき工程と、
   前記めっき工程後、前記切断ライン上から、前記元基板の前記他方面上の前記他方側金属層および前記金属めっき層を除去する金属除去工程と、
   前記金属除去工程後、前記元基板と切断工具とを、前記切断工具が前記元基板の前記一方面側から前記他方面側へ抜けるように相対移動させて、前記元基板を前記切断ラインに沿って切断し、前記元基板を支持基板の個片に切り分ける切断工程とを含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
5. 半導体チップとその半導体チップを支持する支持基板とを備える半導体装置を製造する方法であって、
   絶縁性を有する元基板の一方面における所定の切断ラインを跨る領域に、一方側金属層を形成する工程と、
   前記元基板の前記一方面と反対側の他方面において、前記一方側金属層に対して前記一方面と直交する方向に対向する位置に、他方側金属層を形成する工程と、
   前記切断ラインに対して互いに対称をなす２つの位置に、前記他方側金属層および前記元基板を連続して貫通する連続貫通孔を形成する工程と、
   前記他方側金属層の表面、各前記連続貫通孔の内面および前記一方側金属層の前記連続貫通孔に臨む部分に金属めっき層を被着させるめっき工程と、
   前記めっき工程後、２つの前記連続貫通孔の間であって、前記切断ラインに沿う方向において前記他方側金属層の幅以上の幅を有する領域に、前記元基板の前記他方面側から前記一方面側へ凹み、２つの前記連続貫通孔を連通する凹部を形成する凹部形成工程と、
   前記凹部形成工程後、前記元基板と切断工具とを、前記切断工具が前記元基板の前記一方面側から前記他方面側へ抜けるように相対移動させて、前記元基板を前記切断ラインに沿って切断し、前記元基板を支持基板の個片に切り分ける切断工程とを含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。

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