JP2019047005A - 多数個取りセラミック基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】追って分割される基板部の形状および寸法精度に優れ、且つ導体の表面に金属膜が確実に被覆された多数個取りセラミック基板を提供する。【解決手段】セラミックｃ１〜ｃ３からなり、平面視の外形が矩形状で、且つ互いに並列に配置された複数の基板部５と、セラミックｃ１〜ｃ３からなり、複数の基板部５ごとの対向する一対の辺ごとの外側に空隙部１５，１６を介して位置する複数の第１フレーム１Ｂ(１ａ，１ｂ)と、セラミックｃ１〜ｃ３からなり、基板部５と第１フレーム１Ｂとを接続し、且つ空隙部１５，１６と交差する第２フレーム２と、を備え、少なくとも基板部５の表面３と、第１フレーム１Ｂおよび第２フレーム２の表面３とには、互いに導通可能な導体部９，１７，１８が形成されている、多数個取り用セラミック基板Ｐ２。【選択図】 図２

Description

本発明は、形状および寸法精度に優れ且つ導体の表面に金属膜が確実に被覆された多数個取りセラミック基板、およびその製造方法に関する。

一般に、多数個取りセラミック基板では、追って複数の製品領域に分割するため、平面視が格子枠形状を呈する分割溝が形成されている。
例えば、分割時のバリ発生を防ぎ且つ寸法バラツキを防ぐため、平面視で縦横の分割溝同士が交差する部分付近を、他の部分によりも深く形成した大型セラミック基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかし、上記大型セラミック基板によれば、溝入れ加工の工程が複雑になると共に、該セラミック基板の厚みが厚くなるに連れて、分割溝が該セラミック基板の表面に対して垂直方向に形成されにくく、且つ斜め姿勢にして形成され易いため、寸法精度が低下する、という問題点があった。

更に、セラミック母基板を分割溝に沿って確実に割れるようにするため、平面視で縦横の分割溝同士に交差する部分付近ごとに、平面視が十字形状ないし手裏剣形状を呈する空隙を形成することによって、製品領域のコーナー部ごとに円弧形状を付するようにしたセラミック基板の製造方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
しかし、上記セラミック基板の製造方法による場合、分割溝の溝入れに加えて空隙の形成工程が更に必要になると共に、製品ごとのコーナー部が円弧形状によって制限される、という問題点があった。

特開２００２−２２５０１８号公報（第１〜７頁、図１〜３） 特開２０１２−２２７３０６号公報（第１〜１０頁、図１〜４）

本発明は、背景技術で説明した問題点を解決し、追って分割される複数の基板部の形状および寸法精度に優れ、且つ導体の表面に金属膜が確実に被覆された多数個取りセラミック基板、および該多数個取りセラミック基板を確実に得るための製造方法を提供する、ことを課題とする。

課題を解決するための手段および発明の効果

本発明は、前記課題を解決するため、製品となる基板部ごとの周辺に沿って該基板部を囲むように空隙を形成すると共に、前記基板部ごとを切断が容易な複数のフレームで支持し、該フレームを介して前記基板部ごとの少なくとも表面に設けた導体部と電気的に導通可能とする、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の多数個取りセラミック基板（請求項１）は、セラミックからなり、平面視の外形が矩形状で、且つ互いに並列に配置された複数の基板部と、セラミックからなり、上記複数の基板部ごとの少なくとも対向する一対の辺ごとの外側に空隙を介して位置する複数の第１フレーム、あるいは、前記複数の基板部ごとの四辺を囲む矩形枠状の空隙部を介して位置すると平面視が矩形枠状の第１フレームと、セラミックからなり、上記基板部と上記第１フレームとを接続し、且つ上記空隙部と交差する第２フレームと、を備えた多数個取り用セラミック基板であって、少なくとも、上記基板部の表面と、上記第１フレームおよび第２フレームの表面とには、互いに導通可能な導体部が形成されている、ことを特徴とする。

前記多数個取りセラミック基板は、以下の効果（１），（２）を有している。
（１）複数の前記基板部は、該基板部ごとの四辺あるいは対向する一対の辺に沿った空隙と交差する第２フレームを介して第１フレームに接続されているので、前記第２フレームごとを基板部側で破断（切断）することにより、形状および寸法精度に優れた複数の製品となる基板部を容易且つ確実に得ることができる。
（２）少なくとも、複数の前記基板部の表面と、前記第１および第２フレームの表面とに互いに導通可能な導体部が形成されことにより、基板部ごとの導体部に対し、一括してメッキ用電流を給電できるので、前記導体部ごとの表面に所望の金属膜を確実に被覆したものとされている。

尚、前記セラミックは、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどの高温焼成セラミック、あるいはガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックである。
また、前記基板部は、追って単一の製品となるセラミック基板である。該基板部の厚みは、刃入れによる変形が生じ易い厚いものは５ｍｍ以上が、分割溝が形成されにくい薄いものでは５０μｍ以下であることが特に推奨される。かかる基板部は、平面視の外形が長方形状または正方形状（矩形状）の何れかを呈する。
更に、前記第１フレームは、例えば、複数の基板部が並列する１組の基板群と、同様なもう１組の基板群との間に直線上に配設される形態、あるいは、縦横に並列する複数の基板ごとの四辺を空隙を挟んで囲む矩形枠状の形態の何れかを有している。
また、前記第２フレームは、例えば、前記基板部において対向する一対の辺に対し、１つまたは２つが接続されたり、該基板の四辺ごとに１つが接続される。
更に、前記導体部は、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｃｕの何れか１つを含む金属からなり、追って表面に電解メッキによって、例えば、Ｎｉ膜およびＡｎ膜が順次被覆される。
また、前記導体部は、前記基板部ごとの裏面と、第１および第２フレームの裏面とにもさらに形成してもよい。
加えて、前記導体部は、少なくとも、１つの第２フレームおよび後述するその幅狭部を通じて、基板部ごとの表面と、第１フレームのメッキ用電極との間を電気的に接続している。

また、本発明には、前記基板部と第１フレームとの間には、２つ以上の第２フレームが配設されている、多数個取りセラミック基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、複数の前記基板部を前記空隙部を挟んで確実に支持できると共に、基板部ごとの表面と第１および第２フレームの表面とに形成され且つ互いに導通可能な前記導体部に対し、メッキ用電流を確実に流せる。従って、前記効果（１），（２）を一層確実に得ることができる。
更に、本発明には、前記第２フレームにおける前記基板部側の端部には、平面視において、第1フレーム側の端部の幅よりもの幅が狭い幅狭部が位置している、多数個取りセラミック基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、第２フレームの前記幅狭部ごとにおいて、該第２フレームごとと製品となる基板部とを破断することで、基板部ごとの外形状および寸法精度を確実に向上させられるため、前記効果（１）を一層顕著に得ることができる。
尚、前記第２フレームの幅狭部は、一対の直角三角形をそれらの傾斜辺が前記基板の辺に向かって左右対称に食い込んだ形態、あるいは、一対の４分の１円形がそれらの円弧辺が上記基板の辺に向かって左右対称に食い込んだ形態が例示される。かかる幅狭部は、前記空隙部を形成した後で、部分的な打ち抜き加工を行うか、あるいは該空隙部と同時に形成しても良い。

また、本発明には、前記第２フレームの幅狭部の断面積は、該第２フレームが接続されている前記基板の側面における面積の５〜１０％の範囲にある、多数個取りセラミック基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、前記幅狭部ごとにおける破断（切断）を確実に誘発できる。
尚、上記断面積の範囲以外では、前記幅狭部以外で破断し得るので除外した。
また、上記断面積に替えて、それぞれにおける平面視の幅としても良い。
更に、本発明には、平面視において、前記第２フレームの幅狭部の幅は、該第２フレームの前記幅狭部以外における幅の１５〜３５％の範囲にある、多数個取りセラミック基板（請求項５）も含まれる。
これによっても、前記幅狭部ごとにおける破断を確実に誘発できるので、前記効果（１）を更に確実に得られる。
尚、上記幅の範囲以外では、前記幅狭部以外において破断し得るので除外した。

また、本発明には、前記基板部と前記第２フレームとは、該第２フレームの前記幅狭部に対し、当該基板部および第２フレームの前記表面に沿った外力を加えた際に、上記幅狭部に生じる破断により、分離可能とされている多数個取りセラミック基板（請求項６）も含まれる。
これによれば、基板部ごとにその表面に沿った外力を加えることにより、該基板部を支持していた第２フレームの幅狭部で確実に破断を誘発し得る。
尚、前記外力は、基板部の表面およびこれに対向する裏面にほぼ沿っているものであれば、治具や工具による圧力や、指先による圧力などでも良い。
加えて、本発明には、前記第１フレームの外側面には、前記導体部と導通可能なメッキ用電極が配設されている、多数個取りセラミック基板（請求項７）も含まれる。
これによれば、上記メッキ用電極から前記導体部に対して、前記メッキ用電流を確実に一括して流せるので、前記効果（２）を確実に奏することができる。

一方、本発明による多数個取りセラミック基板の製造方法（請求項８）は、セラミックからなり、平面視の外形が矩形状で、且つ互いに並列に配置された複数の基板部と、セラミックからなり、前記複数の基板部ごとの少なくとも対向する一対の辺ごとの外側に空隙を介して位置する複数の第１フレーム、あるいは、前記複数の基板部ごとの四辺を囲む矩形枠状の空隙部を介して位置すると平面視が矩形枠状の第１フレームと、セラミックからなり、上記基板部と上記第１フレームとを接続し、且つ上記空隙部と交差する第２フレームと、を備えた多数個取り用セラミック基板の製造方法であって、
セラミックからなり、且つ対向する表面および裏面を有するセラミックグリーンシートを用意する準備工程と、上記グリーンシートの少なくとも表面側に所定パターンのメタライズ層を形成する工程と、上記グリーンシートに対し、該グリーンシートの表面と裏面との間を貫通し、平面視の外形が矩形状であると共に、互いに並列する複数の基板ごとを囲み、且つ該基板に一端部が接続された２つ以上の第２フレームにより区分された複数の空隙部を形成する打ち抜き工程と、上記複数のグリーンシートを積層して、グリーンシート積層体を形成する工程と、該グリーンシート積層体を焼成する工程と、を含む、ことを特徴とする。

前記製造方法によれば、前記効果（１），（２）を有する多数個取りセラミック基板を実用的に製造することが可能となる（以下、効果（３）とする）。
尚、前記メタライズ層は、焼成工程の後において前記導体部などになる。
また、本発明には、前記グリーンシートは複数であり、少なくとも最上層となるグリーンシートの表面に前記メタライズ層が形成されると共に、上記複数のグリーンシート相互の積層工程は、前記打ち抜き工程の前あるいは後に行われる、多数個取りセラミック基板の製造方法（請求項９）も含まれる。
これによれば、複数のグリーンシートを用いて前記多数個取りセラミック基板を製造する場合、前記複数のグリーンシートを積層する工程を、前記打ち抜き工程の前あるいは後の何れでも行えるので、本製造方法を基板部の形態や製造条件などに応じて自在に選択することが可能となる（以下、効果（４）とする）。

更に、本発明には、前記打ち抜き工程は、前記第２フレームごとにおける前記基板部側の端部に、平面視で該端部以外の第２フレームの幅よりも幅の狭い幅狭部を形成する工程を含んでいる、多数個取りセラミック基板の製造方法（請求項１０）も含まれる。
これによれば、前記打ち抜き工程で前記グリーンシートに対し、前記打ち抜き工程によって、前記空隙と第１および第２フレームとを形成すると同時に、第２フレームごとの基板部ごとの端部に前記幅狭部を併せて形成することができる。従って、前記効果（３）をより効率良く行うことが可能となる。
尚、前記空隙部を打ち抜いた後で、得られた第２フレームごとの基板部側の端部に前記幅狭部を更に打ち抜いて形成する順序の方法としても良い。

また、本発明には、前記打ち抜き工程は、前記製品部ごとの少なくとも表面に開口する凹部、あるいは、該製品部ごとの表面と裏面との間を貫通する貫通穴を形成する工程を含んでいる、多数個取りセラミック基板の製造方法（請求項１１）も含まれる。
これによれば、基板部ごとの表面に開口する凹部（キャビティ）や、基板部ごとの表面と裏面との間を貫通する貫通穴を有する形態の製品についても、前記打ち抜き工程において同時あるいは連続して容易に形成することか可能となる（以下、効果（５）とする）。
更に、本発明には、前記メタライズ層を形成する工程は、前記グリーンシートの外側面にメッキ用電極となるメタライズ部を形成する工程を含んでいる、多数個取りセラミック基板の製造方法（請求項１２）も含まれる。
これによれば、複数の前記基板部や第１および第２フレームの表面に形成された前記メタライズ層に対して、メッキ用電流を確実に一括して流せるので、前記効果（３）を一層確実に奏することができる。

加えて、本発明には、前記基板部と前記第２フレームとは、該第２フレームの前記幅狭部に対し、当該基板部および第２フレームの前記表面に沿った外力を加えると、上記幅狭部に生じる破断により、分離可能とされている、多数個取りセラミック基板の製造方法（請求項１３）も含まれる。
これによれば、第２フレームごとの前記幅狭部に対し、基板部および第２フレームの前記表面に沿った外力を加えることにより、上記幅狭部の破断を誘発して基板部と第２フレームとを確実に分離できる。従って、前記効果（３）をより確実に奏することができる。

（Ａ）は一形態の多数個取りセラミック基板を示す平面図、（Ｂ）はその一つの基板部付近を示す拡大図、（Ｃ）は（Ｂ）中のＣ−Ｃ線の矢視に沿った垂直断面図。 （Ａ）は異なる形態の多数個取りセラミック基板を示す平面図、（Ｂ）はその一つの基板部付近を示す拡大図、（Ｃ）は（Ｂ）中のＣ−Ｃ線の矢視に沿った垂直断面図。 （Ａ）、（Ｂ）は基板部と第２フレームの狭隘部側とを示す部分平面図。 （Ａ）は一つの基板部付近を示す拡大平面図、（Ｂ）は分割された一つの基板部を示す平面図。 （Ａ）〜（Ｃ１），（Ｃ２）は前記多数個取りセラミック基板の製造工程を示す概略図。 （Ａ）〜（Ｃ）は図６（Ｃ１），（Ｃ２）に続く製造工程を示す概略図。 異なる製造方法の製造工程を示す概略図。 （Ａ）、（Ｂ）は図２に示した多数個取りセラミック基板の変形形態を示す平面図。

以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１（Ａ）は、本発明における一形態の多数個取りセラミック基板Ｐ１を示す平面図、図１（Ｂ）は、その一つの基板部５付近を示す拡大図、図１（Ｃ）は、（Ｂ）中のＣ−Ｃ線の矢視に沿った垂直断面図である。
上記多数個取りセラミック基板Ｐ１は、図１（Ａ）の平面図に示すように、外形が長方形状を呈する第１フレーム１Ａと、該第１フレーム１Ａの内側において縦横方向に沿って位置し且つ平面視の外形が長方形（矩形）である複数の基板部５と、該基板部５ごとの四辺を囲む２つずつの空隙部１５，１６と、該空隙部１５，１６ごとに区分（交差）し、且つ基板部５ごとと第１フレーム１Ａとの間を接続する４つの第２フレーム２と、を備えている。
上記第１フレーム１Ａ、第２フレーム２、および基板部５は、図１（Ｃ）で例示するように、例えば、アルミナなどからなるセラミック層ｃ１〜ｃ３を一体に積層したものであり、何れも対向する表面３と裏面４とを共通して有している。

前記第１フレーム１Ａは、図１（Ａ）に示すように、幅広で且つ外側面の中央にメッキ用電極２０を有する左右一対の外縦枠部１ａと、図示で左右方向に沿い且つ各基板部５を上下から個別に挟む複数の横枠部１ｃと、図示で上下方向に沿い且つ各基板部５を左右両側から個別に挟む複数の内縦枠部１ｂとからなる。
また、前記基板部５は、図１（Ｂ），（Ｃ）に示すように、平面視の外形が長方形で且つ対向する表面３および裏面４を有し、該表面３の周辺に沿って矩形枠状の導体部９と、該導体部９に囲まれて開口し且つ平面視が矩形の底面７と四辺の側面８とからなるキャビティ６と、を備えている。前記導体部９と、前記底面７に形成された一対のパッド１０と、セラミック層ｃ２，ｃ３間に形成された内装配線１２，１３と、裏面４に形成された接続端子１１とは、セラミック層ｃ１〜ｃ３を適宜貫通するビア導体１４を介して互いに電気的に接続されている。前記導体部９は、パッド１０上に図示しない電子部品が搭載された後、前記キャビティ６の開口部を封止する金属蓋（図示せず）をロウ付けする際などに用いられる。
尚、前記導体部９、パッド１０、接続端子１１、内層配線１２，１３、およびビア導体１４は、前記セラミック層ｃ１〜ｃ３がアルミナなどの高温焼成セラミックからなる場合には、ＷあるいはＭｏからなり、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなる場合には、ＡｇあるいはＣｕからなるものとなる。

更に、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、前記基板部５ごとの周囲には、該基板部５の各長辺に隣接する横長で且つ上下一対の空隙部１５と、前記基板部５の各短辺に隣接する角形で且つ左右一対の空隙部１６とが位置し、これら一対ずつの空隙部１５，１６全体が、前記基板部１５ごとの四辺をほぼ囲み且つ前記第１フレーム１Ａから離間させている。上記空隙部１５，１６は、セラミック層ｃ１〜ｃ３の厚み方向の全体に亘って同じ形状で形成されている。
また、図１（Ｂ）に示すように、基板部５ごとにおける左右一対の短辺と、空隙部１５，１６を挟んで隣接する第１フレーム１Ａの外縦枠部１ａ、または内縦枠部１ｂとの間は、左右２つずつの第２フレーム２を介して連結されている。換言すると、各基板部５は、左右一対ずつの第２フレーム２を介して第１フレーム１Ａに支持されている。該第２フレーム２ごとの基板部５側の端部には、当該端部以外の第２フレーム２の幅よりも幅が狭い幅狭部２ｎが配設されている。該幅狭部２ｎの外側には、前記端部に平面視が直角三角形である一対の切り欠き部を線対称に設けている。

加えて、図１（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、第２フレーム２の表面３には、前記幅狭部２ｎを含めて基板部５ごとの導体部９と接続する配線（導体部）１７が個別に形成され、該配線１７同士の間には、前記内縦枠１ｂごとの中央に沿った配線（導体部）１８および外縦枠１ａの長手方向に沿った配線（導体部）１９が接続されている。該配線１９は、前記メッキ用電極２０と接続されている。
即ち、メッキ用電極２０と前記基板部５ごとの導体部９とは、上記配線１７〜１９を介して電気的に接続されていると共に、該導体部９を介して前記基板部５ごとのパッド１０、接続端子１１、内層配線１２，１３、およびビア導体１４とも電気的に接続されている。尚、上記各配線１７〜１９およびメッキ用電極２０も、セラミックの種類によって、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｃｕの何れかからなる。また、上記配線１７の幅は、幅狭部２ｎを除き、第２フレーム２の幅と同じに広げても良い。

図２（Ａ）は、異なる形態の多数個取りセラミック基板Ｐ２を示す平面図、図２（Ｂ）は、その一つの基板部５付近を示す拡大図、図２（Ｃ）は、（Ｂ）中のＣ−Ｃ線の矢視に沿った垂直断面図である。
上記多数個取りセラミック基板Ｐ２は、図２（Ａ）の平面図で示すように、横長の空隙部１５を介して縦方向に沿って並列に配置された複数の基板部５と、前記空隙部１５の一端側または両端側とを介して、メッキ用電極２０を有する左右一対の外縦枠部１ａおよびこれらの間に位置する複数の内縦枠部１ｂとからなる第１フレーム１Ｂと、前記外縦枠部１ａの内側面と隣接する基板部５ごとの短辺との間、および前記内縦枠部１ｂごとの側面と隣接する基板部５ごとの短辺との間を接続する２つずつの第２フレーム２と、を備え
上記第１フレーム１Ｂは、前記第１フレーム１Ａとは異なり、前記横枠部１ｃを欠き、且つ縦方向に沿って並列する複数の基板部５の最外側には、平面視が前記空隙部１５の半体である切り欠き部１５ａが位置している。また、上記第２フレーム２ごとの基板部５側の端部には、前記同様の幅狭部２ｎを設けられている。

図２（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、前記基板部５と、第１フレーム１Ｂを構成する内縦枠部１ｂおよび外縦枠部１ａは、何れも前記同様のセラミック層ｃ１〜ｃ３を積層してなり、且つ対向する表面３および裏面４を共通して有している。
また、前記基板部５は、図２（Ｂ），（Ｃ）に示すように、前記同様である表面３側の導体部９、裏面４側の接続端子１１、キャビティ６の底面７に位置するパッド１０、前記同様の内層配線１２，１３、およびビア導体１４を有している。
更に、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板部５ごとの導体部９と外縦枠１ａごとの配線１９あるいは内縦枠部１ｂごとの配線１８との間は、第２フレーム２の表面３の中央部を通る配線１７を介して、互いに導通可能とされている。尚、上記配線１７の幅は、幅狭部２ｎを除き、第２フレーム２の幅と同じに拡げても良い。
加えて、図２（Ｃ）で例示するように、前記空隙部１５，１６や切り欠き１５ａは、セラミック層ｃ１〜ｃ３の厚み方向に亘って同じ形状で形成されている。

前記多数個取り用セラミック基板Ｐ１，Ｐ２において、前記基板部５ごとの短辺と、第２フレーム２ごとの一端部側との間に位置する幅狭部２ｎは、例えば、図３（Ａ）の拡大図で示すように、第２フレーム２の両側面から線対称に傾斜した一対の傾斜辺２ｔと、上記基板部５ごとの短辺との間に位置している。あるいは、図３（Ｂ）の拡大図で示すように、第２フレーム２の両側面から線対称に傾斜した一対の円弧辺２ｒと、前記基板部５ごとの短辺との間に位置している。
上記幅狭部２ｎの幅Ｘは、基板部５の短辺の幅（長さ）Ｚの５〜１０％の範囲に規定されている。尚、該幅狭部２ｎを含む第２フレーム２と基板部５とは、同じ表面３および裏面４を有するセラミック層ｃ１〜ｃ３を積層したものであるため、第２フレーム２と基板部５とはそれぞれの厚みが同じであることから、上記幅狭部２ｎの幅Ｘの基板部５の短辺の長さＺに対する割合は、該幅狭部２ｎの断面積とみなしても良い。
更に、上記幅狭部２ｎの幅Ｘは、該幅狭部２ｎおよびこれを形成する上記傾斜辺２ｔまたは円弧辺２ｒの位置を除いた第２フレーム２の幅Ｙの１５〜３５％の範囲に規定されている。

尚、前記幅狭部２ｎの幅ｘが、前記基板部５の短辺の幅Ｚの５％未満になり、且つ前記第２フレーム２の幅Ｙの１５％未満になると、該幅狭部２ｎの表面３に形成する前記配線１７の幅が狭くなり過ぎて所望のメッキ電流を流しにくくなるので、前述の範囲を除外したものである。一方、前記幅狭部２ｎの幅ｘが、前記基板部５の短辺の幅Ｚの１０％超になり、且つ前記第２フレーム２の幅Ｙの３５％超になると、該幅狭部２ｎの幅ｘが広くなり過ぎ、容易に破断し難くなるため、前述の範囲を除外したものである。
前述のように、基板部５を外縦枠部１ａや内縦枠部１ｂに支持する前記４つの第２フレーム２ごとの基板部５側の端部に幅狭部２ｎを配設していることにより、図４（Ａ）中の白抜き矢印で示すように、基板部５の表面３にほぼ沿う方向に向かって外力を加えた際には、上記幅狭部２ｎごとで確実に破断（分割）させることができる。
その結果、図４（Ｂ）に示すように、一対の短辺を含む全側面が所望の形状および寸法を有する複数の基板部（配線基板）５を容易に得ることが可能となる。
尚、前記分割時の前において、前記多数個取り用セラミック基板Ｐ１，Ｐ２において、外部に露出する前記導体部９、パッド１０、接続端子１１、および配線１７〜１９の表面には、前記メッキ用電極２０を用いた電解金属メッキによって、それぞれ所定の厚みを有するＮｉ膜およびＡｕ膜（図示せず）が被覆されている。

前記のように、複数の前記基板部５は、該基板部５ごとの対向する一対の短辺に沿った空隙部１６と交差する複数の第２フレーム２を介して、第１フレーム１Ａ，１Ｂに接続されているので、前記第２フレーム２ごとをそれらの幅狭部２ｎで破断することによって、形状および寸法精度に優れた複数の製品となる基板部５を容易且つ確実に得られる。
更に、複数の前記基板部５の表面３と、前記第１フレーム１Ａ，１Ｂおよび第２フレーム２の表面３とにおいて、互いに導通可能な導体部９および配線１７〜１９が形成されていることにより、基板部５ごとの導体部９などに対し、一括してメッキ用電流を給電できるので、前記導体部９ごとなどの表面に所望の金属膜を確実に被覆されたものになっている。
従って、前記のような多数個取り用セラミック基板Ｐ１，Ｐ２によれば、前記効果（１），（２）を確実に有していることが理解できる。

以下において、前記多数個取り用セラミック基板Ｐ２の製造方法を説明する。
予め、アルミナ粉末、バインダー樹脂、可塑剤、および溶剤などを適量ずつ配合してセラミックスラリーを作成し、該セラミックスラリーをドクターブレード法によってシート状に成形して、対向する表面および裏面を有する３枚の大判用セラミックグリーンシート（以下、単にグリーンシートと称する）を用意した。
先ず、追って最上層の前記セラミック層ｃ１となるグリーンシートｇ１における基板部５ごとの領域に打ち抜き加工を行って、図５（Ａ）に示すように、追って前記キャビティ６の側面８となる平面視が矩形である複数の貫通穴８ｈを形成した。尚、同図中には、追って前記セラミックｃ２，ｃ３となるグリーンシートｇ２，ｇ３も表示した。

次いで、前記グリーンシートｇ１〜ｇ３ごとにおける所定の位置ごとに、それらの表面と裏面との間を貫通するビアホール（図示せず）を形成し、該ビアホール内ごとに、Ｗ粉末あるいはＭｏ粉末を含む導電性ベーストを個別に充填して、図５（Ｂ）に示すように、未焼成である複数のビア導体１４を形成した。
引き続いて、前記グリーンシートｇ１〜ｇ３の表面および裏面の少なくとも一方に対し、前記同様の導電性ベーストをスクリーン印刷して、図５（Ｂ）に示すように、未焼成の導体部９、パッド１０、接続端子１１、内層配線１２，１３、および配線１７（配線１８，１９）を形成した。併せて、上記グリーンシートｇ１〜ｇ３の対向する外側面ごとに、平面視で半円形状の凹部を形成し、該凹部ごとの内壁面と、最上層のグリーンシートｇ１の表面側に沿って、上記導電性ベーストをスクリーン印刷して、未焼成のメッキ用電極２０の構成部分を形成した。

次に、以上のグリーンシートｇ１〜ｇ３を積層および圧着して、図５（Ｃ１）の垂直断面図と，同（Ｃ２）の部分平面図とで示すように、前記グリーンシートｇ１〜ｇ３からなり、表面３および裏面４を有するグリーンシート積層体２１を形成した。この際、図示のように、上記導体部９、パッド１０、接続端子１１、内装配線１２，１３は、何れかの前記ビア導体１４と個別に接続されていた。同時に、基板部５ごとには、その表面３に開口し且つ底面７と四辺の側面８とからなるキャビティ６が形成されると共に、上記グリーンシート積層体２１の外側面には、前記配線１９と接続された未焼成のメッキ用電極２０（何れも図示せず）が形成されていた。
引き続いて、前記グリーンシート積層体２１における基板部５ごとにおける平面視が矩形枠状の導体部９の長辺ごとおよび短辺ごとに沿って、所望の断面形状を有するポンチと、該ポンチの先端側を受け入れ可能な受け穴を有するダイとを複数組ずつ用いる打ち抜き加工を行った。

その結果、図６（Ａ）の垂直断面図と，図６（Ｂ）の部分平面図とで示すように、基板部５ごとにおける一対の長辺ごとに沿った横長の空隙部１５と、前記基板部５ごとにおける一対の短辺ごとに隣接した角形の空隙部１６とが形成された。同時に、該空隙部１６ごとを挟む一対の第２フレーム２と、該第２フレーム２と接続する複数の内縦枠部１ｂおよび一対の外縦枠部１ａも形成されていた。
この際、図６（Ｂ）に示すように、前記第２フレーム２を打ち抜く際に、該第２フレーム２と同時に幅狭部２ｎを切り欠き、あるいは、予め幅が一定である第２フレームを打ち抜いた後で、幅狭部２ｎを切り欠き加工により形成しても良い。
尚、前記グリーンシート積層体２１の外周側に位置する基板部５のうち、外側の長辺に隣接する位置ごとには、切り欠き加工によって前記切り欠き部１５ａを形成した。

更に、前記空隙部１５，１６などが形成されたグリーンシート積層体２１を焼成した。その結果、図６（Ｃ）に示すように、セラミック層ｃ１〜ｃ３が積層され、且つ表面３および裏面４を有する複数の基板部５と、該基板部５ごとを囲む空隙部１５，１６と、一対の外縦枠１ａおよび複数の内縦枠１ｂからなる第１フレーム１Ａと、前記基板部５ごとを個別に支持する４つずつの第２フレーム２とを備えた多数個取り用セラミック基板Ｐ２が得られた。
そして、上記多数個取り用セラミック基板Ｐ２の前記メッキ用電極２０ごとに、図示しない電極棒を接触させた状態で、該セラミック基板Ｐ２をＮｉメッキ浴およびＡｕメッキ浴に順次浸漬する電解金属メッキを行った。
その結果、外部に露出する前記導体部９、パッド１０、接続端子１１、配線１７〜１９の表面ごとに、所望の厚みのＮｉ膜およびＡｕ膜を確実に被覆することができた。

尚、前記多数個取り用セラミック基板Ｐ２の製造方法は、図７に示すように、前記グリーンシートｇ１〜ｇ３ごとに対して、予め、打ち抜き加工を個別に行って、前記空隙部１５，１６になる単位空隙部(１５ｈ)１６ｈなどを個別に形成した後、前記積層工程を行って前記グリーンシート積層体２１を形成する順序にしても良い。この場合、最上層のグリーンシートｇ１では、貫通穴８ｈ，１５ｈ，１６ｈを同時に打ち抜いても良い。
また、前記多数個取り用セラミック基板Ｐ１も、前記製造方法と同様にして製造することが可能である。
前記のような多数個取り用セラミック基板Ｐ２（Ｐ１）の製造方法によれば、前記効果（３）〜（５）を確実に奏することができる。

図８（Ａ）は、前記多数個取り用セラミック基板Ｐ２の変形形態である多数個取り用セラミック基板Ｐ２ａを示す平面図である。
該多数個取り用セラミック基板Ｐ２ａは、図８（Ａ）に示すように、前記基板部５ごとにおける一対の短辺に接続する第２フレーム２を、平面視で対角位置にある一対の第２フレーム２のみにしたものである。かかる形態では、前記空隙部１５，１６は、互いに連通し、且つ平面視でＬ字形状を呈するものとなる。
また、図８（Ｂ）は、前記多数個取り用セラミック基板Ｐ２の異なる変形形態である多数個取り用セラミック基板Ｐ２ｂを示す平面図である。
該多数個取り用セラミック基板Ｐ２ｂは、図８（Ｂ）に示すように、前記基板部５ごとにおける一対の短辺に接続する第２フレーム２を、平面視で同じ長辺側位置にする一対の第２フレーム２のみにしたものである。かかる形態では、前記空隙部１５，１６は、互いに連通し、且つ平面視でコ字形状を呈するものとなる。

前記多数個取り用セラミック基板Ｐ２ａ、Ｐ２ｂのように、前記基板部５ごとを一対（２つ）の第２フレーム２によって、第１フレーム１Ｂに支持することにより、個々の基板部５の分割をより小さな外力によって行うことができる。これらの形態であっても、第２フレーム２の基板部５側の端部に設ける前記幅狭部２ｎは、その幅Ｘを基板部５の短辺の幅Ｚ、あるいは当該第２フレーム２における直線部の幅Ｙとの関係を前記と同様にすることにより、前記効果（１），（２）を得ることができる。
また、図８（Ａ），（Ｂ）に示した前記基板部５ごとを一対（２つ）の第２フレーム２によって、第１フレーム１Ｂに支持する形態は、前記多数個取り用セラミック基板Ｐ１に対しても同様に適用することができる。

ここで前記第２フレーム２の幅狭部２ｎの実施例について説明する。
予め、同じアルミナなどからなり、且つ同じ形状および寸法を有する１０個の並列した前記基板部５と、これらの基板部５ごとの短辺の両側に所定数の第２フレーム２を介して、上記と同じアルミナなどからなり、且つ同じ形状および寸法を有する一対の前記内縦枠部１ｂを接続した７個の多数個取り用セラミック基板Ｐ２を同じ条件によって製造した。
上記７個のうち、表１中に示すように、実施例１〜３は、前記セラミック基板Ｐ２ａのように、基板部５ごとの短辺に１つずつの第２フレーム２を平面視で基板部５ごとの対角位置に、前記セラミック基板Ｐ２ｂのように一方の長辺側の位置に、あるいは両短辺の中央部において第２フレーム２を接続した。
また、実施例４，５と比較例１，２は、前記セラミック基板Ｐ２のように、基板部５ごとの両短辺の両端部に合計４つの第２フレーム２を個別に接続した。

更に、前記実施例１〜５および比較例１，２について、第２フレーム２の幅狭部２ｎの幅Ｘと、基板部５の短辺の幅Ｚとの割合、および幅狭部２ｎの幅Ｘと、直線部の第２フレーム２の幅Ｙとの割合を算出し、それらを表１中に示した。
そして、実史例１〜５および比較例１，２について、個別に手にとって基板部５ごとの表面３に沿って指先を押し付けて、１０個ずつの基板部５を分割した。
上記分割により得られた各例ごとの基板部５の短辺側の側面を目視で観察し、１０個の全てに欠けや割れがなかったものを、表１中で○と表示し、１個でも欠けおよび割れの一方または双方が発見されたものを、表１中で×と表示した。
上記分割結果によれば、前記幅Ｘ／幅Ｚおよび幅Ｘ／幅Ｙの双方が前述した範囲内にあった実施例１〜５では、割れや欠けが皆無であったのに対し、幅Ｘ／幅Ｚのみが前記範囲を逸脱した比較例１と、幅Ｘ／幅Ｚおよび幅Ｘ／幅Ｙの双方が前記範囲を逸脱していた比較例２とでは、基板部２の短辺に割れが認められた。
以上の結果によって、前記幅Ｘ／幅Ｚおよび幅Ｘ／幅Ｙの範囲についての優位性が確認された。

本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、基板部が平面視で正方形状を呈し、かかる基板部ごとの四辺を前記多数個取り用セラミック基板Ｐ１，Ｐ２のように、平面視が矩形枠状の空隙部で囲むと共に、上記基板部ごとの四辺、３辺、あるいは対向する一対の辺で一つずつの前記第２フレーム２に接続し、且つ該第２フレーム２を第１フレーム１Ａ，１Ｂに接続する形態としても良い。
また、前記基板部５の表面３側は、前記キャビティ６のない平坦な形態としても良い。あるいは、当該基板部５の表面３と裏面４との間に貫通穴を有する形態の基板部としても良い。

更に、前記多数個取り用セラミック基板Ｐ１，Ｐ２を構成するセラミック層は、単層または２層あるいは４層以上であっても良い。これらのセラミック層を構成するセラミックは、窒化アルミニウムや、ムライトなどの高温焼成セラミックとしたり、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックとしても良い。
また、前記第１フレーム１Ａ，１Ｂの内縦枠１ｂの表面３側には、前記複数の配線１７のみを形成し、これらの間を接続する前記配線１８を省略しても良い。
加えて、前記第１フレーム１Ａ，１Ｂにおける一対の前記外縦枠１ａは、何れか一方のみとし、該外縦枠１ａに設けるメッキ用電極２０は、電解金属メッキにおける２つの電極（異極）における一方の電極としても良い。

本発明によれば、追って分割される複数の基板部の形状および寸法精度に優れ、且つ導体の表面に金属膜が確実に被覆された多数個取りセラミック基板、および該多数個取りセラミック基板を確実に得るための製造方法を確実に提供できる。

Ｐ１，Ｐ２……多数個取り用セラミック基板
１Ａ，１Ｂ……第１フレーム
２………………第２フレーム
２ｎ……………幅狭部
３………………表面
４………………裏面
５………………基板部
９,１７,１８…導体部
１５，１６……空隙部
２０……………メッキ用電極
２１……………グリーンシート積層体
ｃ１〜ｃ３……セラミック層
ｇ１〜ｇ３……グリーンシート
Ｘ〜Ｚ…………幅

Claims (13)

1. セラミックからなり、平面視の外形が矩形状で、且つ互いに並列に配置された複数の基板部と、
   セラミックからなり、上記複数の基板部ごとの少なくとも対向する一対の辺ごとの外側に空隙を介して位置する複数の第１フレーム、あるいは、前記複数の基板部ごとの四辺を囲む矩形枠状の空隙部を介して位置すると平面視が矩形枠状の第１フレームと、
   セラミックからなり、上記基板部と上記第１フレームとを接続し、且つ上記空隙部と交差する第２フレームと、を備えた多数個取り用セラミック基板であって、
   少なくとも、上記基板部の表面と、薄記第１フレームおよび第２フレームの表面とには、互いに導通可能な導体部が形成されている、
   ことを特徴とする多数個取り用セラミック基板。
2. 前記基板部と第１フレームとの間には、２つ以上の第２フレームが配設されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の多数個取り用セラミック基板。
3. 前記第２フレームにおける前記基板部側の端部は、平面視の幅が狭い幅狭部が位置している、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の多数個取り用セラミック基板。
4. 前記第２フレームの幅狭部の断面積は、該第２フレームが接続されている前記基板の側面における面積の５〜１０％の範囲にある、
   ことを特徴とする請求項３に記載の多数個取り用セラミック基板。
5. 平面視において、前記第２フレームの幅狭部の幅は、該第２フレームの前記幅狭部以外における幅の１５〜３５％の範囲にある、
   ことを特徴とする請求項３に記載の多数個取り用セラミック基板。
6. 前記基板部と前記第２フレームとは、該第２フレームの前記幅狭部に対し、当該基板部および第２フレームの前記表面に沿った外力を加えた際に、上記幅狭部に生じる破断により、分離可能とされている、
   ことを特徴とする請求項３乃至５の何れか一項に記載の多数個取り用セラミック基板。
7. 前記第１フレームの外側面には、前記導体部と導通可能なメッキ用電極が配設されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の多数個取り用セラミック基板。
8. セラミックからなり、平面視の外形が矩形状で、且つ互いに並列に配置された複数の基板部と、セラミックからなり、上記複数の基板部ごとの少なくとも対向する一対の辺ごとの外側に空隙を介して位置する複数の第１フレーム、あるいは、前記複数の基板部ごとの四辺を囲む矩形枠状の空隙部を介して位置すると平面視が矩形枠状の第１フレームと、セラミックからなり、上記基板部と上記第１フレームとを接続し、且つ上記空隙部と交差する第２フレームと、を備えた多数個取り用セラミック基板の製造方法であって、
   セラミックからなり、且つ対向する表面および裏面を有するセラミックグリーンシートを用意する準備工程と、
   上記グリーンシートの少なくとも表面側に所定パターンのメタライズ層を形成する工程と、
   上記グリーンシートに対し、該グリーンシートの表面と裏面との間を貫通し、平面視の外形が矩形状であると共に、互いに並列する複数の基板ごとを囲み、且つ該基板に一端部が接続された２つ以上の第２フレームにより区分された複数の空隙部を形成する打ち抜き工程と、
   上記複数の空隙部が形成されたグリーンシートを焼成する工程と、を含む、
   ことを特徴とする多数個取り用セラミック基板の製造方法。
9. 前記グリーンシートは複数であり、少なくとも最上層となるグリーンシートの表面に前記メタライズ層が形成されると共に、上記複数のグリーンシート相互の積層工程は、前記打ち抜き工程の前あるいは後に行われる、
   ことを特徴とする請求項８に記載の多数個取り用セラミック基板の製造方法。
10. 前記打ち抜き工程は、前記第２フレームごとにおける前記基板側の端部に平面視で幅の狭い幅狭部を形成する工程を含んでいる、
    ことを特徴とする請求項８または９に記載の多数個取り用セラミック基板の製造方法。
11. 前記打ち抜き工程は、前記製品部ごとの少なくとも表面に開口する凹部、あるいは、該製品部ごとの表面と裏面との間を貫通する貫通穴を形成する工程を含んでいる、
    ことを特徴とする請求項８乃至１０の何れか一項に記載の多数個取り用セラミック基板の製造方法。
12. 前記メタライズ層を形成する工程は、前記グリーンシートの外側面にメッキ用電極となるメタライズ部を形成する工程を含んでいる、
    ことを特徴とする請求項８乃至１１の何れか一項に記載の多数個取り用セラミック基板の製造方法。
13. 前記基板部と前記第２フレームとは、該第２フレームの前記幅狭部に対し、当該基板部および第２フレームの前記表面に沿った外力を加えると、上記幅狭部に生じる破断により、分離可能とされている、
    ことを特徴とする請求項１０または１１に記載の多数個取り用セラミック基板の製造方法。

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