JP4676964B2 - 多数個取り基板 - Google Patents
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例えば、セラミック母基板内の配線基板領域において、凹部に底面に複数のメタライズ配線導体を設け、凹部の開口部を囲むように封止用メタライズ層を形成する。更に、隣接する配線基板領域間の境界線の交点、あるいは配線基板領域と捨て代領域との境界に設けた貫通孔の内壁に沿った外部接続用メタライズ層と、上記メタライズ配線導体とを、電気的に接続する共に、上記封止用メタライズ層と、外部接続用メタライズのうち、配線基板領域ごとの一端側の2つとを、電気的に接続した多数個取り配線基板が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
ところで、前記特許文献1,2の多数個取り配線基板では、セラミック母基板の外側に位置する捨て代領域に設けた複数のめっき導通用メタライズ端子は、捨て代領域の内部に設けた枠状のめっき導通用メタライズ層を介して、配線基板領域ごとの凹部の底面に設けたメタライズ配線導体、および前記境界ごとに設けた貫通孔の内壁に沿った外部接続用メタライズ層と、電気的に接続されている。
即ち、本発明の多数個取り基板(請求項1)は、セラミックからなり、表面および裏面を有し且つ縦横に隣接して複数のパッケージが配置される製品領域と、
上記パッケージは、表面に開口し且つ底面に電子部品を実装する凹部と、表面に形成され且つ凹部の開口部を囲む枠形の表面メタライズ層と、かかる表面メタライズ層と当該パッケージの両側で且つ同じ第1方向に隣接する各パッケージの表面メタライズ層との間を接続する上記第1方向に沿ったタイバーと、上記パッケージの凹部の底面に実装される電子部品と導通し且つ一部が当該パッケージの内部に形成される内部メタライズ層と、かかる内部メタライズ層と当該パッケージの両側で且つ上記第1方向と直交する第2方向に隣接する各パッケージの内部メタライズ層との間を接続する上記第2方向に沿ったタイバーと、上記表面メタライズ層と上記内部メタライズ層とを導通可能とするビア導体と、で構成され、
上記製品領域と同じセラミックからなり、かかる製品領域の外周を囲む耳部と、
上記製品領域の外周に沿って位置するパッケージにおける表面メタライズ層および内部メタライズ層に導通可能とされ、上記耳部の少なくとも一部の外側辺に形成されるメッキ用電極と、を備える、ことを特徴とする。
また、前記パッケージは、平面視が正方形または長方形を呈し且つ全体が直方体であるパッケージ本体と、かかる本体の表面に開口する凹部と、を備え、かかる凹部の底面に形成された内部メタライズ層の上方に、ロウ付けなどで半導体素子などの電子部品を実装した後、上記凹部の開口部を金属製の蓋板と表面メタライズ層とをロウ付けなどで接合することで、上記電子部品を封止するものである。
更に、前記第1方向と第2方向とは、互いに直交する2つの方向を区別するための相対的な呼称である。
また、前記複数のパッケージを縦横に隣接して配置する製品領域と、これの外周囲む前記耳部とを備える本発明のセラミックからなる多数個取り基板は、複数のセラミック層を積層し、最上層のセラミック層の表面に、前記表面メタライズ層と第1方向に沿ったタイバーとを、上記複数のセラミック層間に、前記内部メタライズ層と第2方向に沿ったタイバーとを、それぞれ形成したものである。
更に、前記パッケージごとの裏面には、前記内部メタライズ層と導通可能な複数の端子を更に形成した形態としても良い。
図1は、本発明による一形態の多数個取り基板1を示す平面図、図2は、図1中のZ−Z線の矢視に沿った断面図、図3は、多数個取り基板1の一部を拡大し且つ透視的に示す斜視図である。
多数個取り基板1は、図1,図2に示すように、表面2、裏面3、および外側辺(側面)4を有するアルミナなどのセラミックからなり、平面視で全体がほぼ長方形を呈し、内側に位置し且つ複数のパッケージpを有する製品領域Aと、その外周を囲む耳部Mとを備えている。
尚、表面2および裏面3は、多数個配線基板1、耳部M、製品領域A、および、個々のパッケージpについて、それぞれ共通して用いるものとする。
図1において、左右に位置する耳部Mの側辺4には、平面視がほぼ半円形の切欠き部5が一対ずつ形成され、左右の側辺4ごとに第1メッキ電極(メッキ電極)6と第2メッキ電極(メッキ電極)7とが、各切欠き部5の内面に沿ってほぼ半円筒形状に形成されている。かかるメッキ電極6,7は、WまたはMoからなる。
個々のパッケージpは、表面2に開口する平面視がほぼ長方形の凹部8を有する全体がほぼ直方体を呈し、凹部8の開口部を囲む表面2には、Wなどからなる平面視がほぼ四角枠形の表面メタライズ層10が形成されている。また、上記凹部8の底面9には、半導体素子などの電子部品を実装するため、Wなどからなり且つ4個に分割された内部メタライズ層11の一部が露出している。
図2〜図4に示すように、個々のパッケージpにおいて、前記表面メタライズ層10と4個の内部メタライズ層11とは、四隅付近を厚み方向に沿って貫通する4本のビア導体vを介して、個別に導通可能とされている。
更に、図2,図3に示すように、個々のパッケージpにおける裏面3には、複数の端子18が形成され、内部メタライズ層11と下層側のビア導体vを介して導通可能とされている。上記各ビア導体vおよび各端子18もWなどからなる。
一方、図1中の二点鎖線で示すように、図1で上下方向に隣接する各パッケージpごとにおける4個の内部メタライズ層11は、図4に示すように、かかるパッケージpの上下両側で且つWなどからなり第2方向Yに沿ったタイバー13を介して、隣接するパッケージp内で且つ隣接する内部メタライズ層11と接続されている。しかも、製品領域Aの外周に沿って位置するパッケージp内で耳部Mに隣接する2個の内部メタライズ層11は、Wなどからなる接続配線15を介して、耳部Mにおける左右の外側辺4の第2メッキ電極7と導通可能とされている。
従って、前記切断予定面cに沿って切断・分割したパッケージpでは、凹部8の底面9に位置する内部メタライズ層11の上に、半導体素子などの電子部品をロウ付けやボンディングワイヤにより確実に実装して、正確に動作させることができると共に、表面メタライズ層10の上に、金属製の蓋板をロウ付けすることで、上記電子部品を確実に封止することが可能となる。
予め、所定量ずつのアルミナ粉末、有機バインダ、溶剤などを配合してセラミックスラリを製作し、かかるセラミックスラリをドクターブレード法によって複数のグリーンシートs1〜s4に成形した。
次に、図5に示すように、グリーンシートs1〜s4の側辺に、平面視がほぼ半円形を呈する複数の切欠き部5を、打ち抜き加工で形成した。また、グリーンシートs1〜s4における破線で示す切断予定面cに囲まれた内側の所定位置に、複数のビアホールhを打ち抜いた。更に、グリーンシートs2〜s4における所定の位置に、所要断面のポンチとダイとを用いて打ち抜き加工を行って、平面視がほぼ長方形で且つ各コーナにアールを付けた貫通孔Hをそれぞれ形成した。
また、最下層のグリーンシートs1の表面および裏面に対し、上記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷することで、所定パターンの内部メタライズ層11、端子18、図示しないタイバー13、および接続配線15を形成した。この際、かかる接続配線15は、第2メッキ電極7と接続された。
更に、最上層のグリーンシートs4の表面に対し、上記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷することで、所定パターンの表面メタライズ層10、タイバー12、および接続配線14を形成した。この際、かかる接続配線14は、第1メッキ電極6と接続された。
その結果、図7に示すように、表面2、裏面3、および外側辺4を有すると共に、縦横に隣接する複数のパッケージpが配置された製品領域Aと、その外周を囲む耳部Mと、かかる耳部Mの外側辺4に形成された第1・第2メッキ電極6,7とを備えたグリーンシート積層体Sが得られた。
かかるグリーンシート積層体Sを所定の温度帯に加熱して焼成した。その結果、前記図1〜図4に示した多数個取り基板1が得られた。
前記多数個取り基板を形成するセラミックは、窒化アルミニウムやムライトとしたり、低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミックとてしも良い。かかる低温焼成セラミックを用いる場合、前記各メタライズ層、ビア導体、端子は、CuまたはAgによって形成される。
また、前記第1・第2メッキ用電極は、前記耳部における同じ側辺に一方のみを複数形成し、対向する側辺に他方のみを複数形成した形態としても良い。
更に、前記内部メタライズ層は、異なるパターンを有する形態としても良い。
加えて、前記凹部は、平面視がほぼ正方形を呈する形態としても良い。
2……………表面
3……………裏面
4……………外側辺
6……………第1メッキ電極
7……………第2メッキ電極
8……………凹部
9……………底面
10…………表面メタライズ層
11…………内部メタライズ層
12,13…タイバー
A……………製品領域
M……………耳部
p……………パッケージ
v……………ビア導体
X……………第1方向
Y……………第2方向
Claims (1)
- セラミックからなり、表面および裏面を有し且つ縦横に隣接して複数のパッケージが配置される製品領域と、
上記パッケージは、表面に開口し且つ底面に電子部品を実装する凹部と、表面に形成され且つ凹部の開口部を囲む枠形の表面メタライズ層と、かかる表面メタライズ層と当該パッケージの両側で且つ同じ第1方向に隣接する各パッケージの表面メタライズ層との間を接続する上記第1方向に沿ったタイバーと、
上記パッケージの凹部の底面に実装される電子部品と導通し且つ一部が当該パッケージの内部に形成される内部メタライズ層と、かかる内部メタライズ層と当該パッケージの両側で且つ上記第1方向と直交する第2方向に隣接する各パッケージの内部メタライズ層との間を接続する上記第2方向に沿ったタイバーと、
上記表面メタライズ層と上記内部メタライズ層とを導通可能とするビア導体と、で構成され、
上記製品領域と同じセラミックからなり、かかる製品領域の外周を囲む耳部と、
上記製品領域の外周に沿って位置するパッケージにおける表面メタライズ層および内部メタライズ層に導通可能とされ、上記耳部の少なくとも一部の外側辺に形成されるメッキ用電極と、を備える、
ことを特徴とする多数個取り基板。
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