JP2009010103A - 多数個取りセラミック基板 - Google Patents

Abstract

【課題】縦横に複数の基板部分を表面および裏面に沿って形成されたブレーク溝により分割してなる多数個取りセラミック基板において、表面および裏面に形成した導体層同士を確実に導通できる各基板部分を得る。
【解決手段】単層のセラミック層Ｓからなり、ほぼ矩形を呈する複数の基板部分１０を縦横に隣接して有する基板本体２と、隣接する基板部分間における基板本体２の表面３および裏面の平面視で同じ位置に形成されたブレーク溝ｖと、該ブレーク溝ｖが直角に交差する位置ごとに形成され、基板本体を貫通する複数の貫通孔ｈと、該貫通孔ｈごとの内壁面に形成された筒形導体層１６と、基板本体２の表面３における基板部分１０ごとの四辺に沿って形成され、各コーナ付近で筒形導体層１６と接続する表面導体層１２とを含み、隣接する基板部分１０ごとの表面導体層１２は、筒形導体層１６のみを介して互いに導通している多数個取りセラミック基板１。
【選択図】図１

Description

本発明は、単層のセラミック層の表面に導体層を有する複数の基板部分を縦横に隣接して併有する多数個取りセラミック基板に関する。

水晶振動子や半導体素子などを搭載するセラミック基板を多数個取りで製作するに際し、第１・第２の導体ごとに異なる厚みや種類のメッキ層を効率的に被着するため、絶縁母基板内において縦横に隣接する基板領域間に跨り且つ上層と下層のセラミック層の間に第１のメッキ導通用配線（タイバー）を配置した多数個取り配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００５−３４０５４２号公報（第１〜１０頁、図１〜３）

ところで、単層のセラミック層からなるセラミック基板を多数個取りするための多数個取りセラミック基板においては、前記特許文献１のような複数のセラミック層間に、隣接するセラミック基板ごとの各導体を接続するタイバーで配設することが不可能である。しかも、上記多数個取りセラミック基板の表面および裏面において、各セラミック基板の周辺に沿ったブレーク溝が形成されているため、かかるブレーク溝によって、隣接するセラミック基板ごとの表面および裏面の少なくとも一方に形成した表面導体層を接続できない、という問題もあった。

本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、単層のセラミック層からなり、縦横に隣接して複数の基板部分を併有し、かかる複数の基板部分間における表面および裏面に沿ってブレーク溝が形成されても、各基板部分の表面および裏面の少なくとも一方に形成した表面導体層同士を確実に導通できる多数個取りセラミック基板を提供する、ことを課題とする。

課題を解決するための手段および発明の効果

本発明は、前記課題を解決するため、単層のセラミック層からなり、縦横に隣接して複数の基板部分を併有する基板本体において、各基板部分ごとのコーナ付近を貫通する貫通孔の内壁面に形成する筒型導体層を介して、互いに隣接する基板部分ごとの表面導体層を接続する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の多数個取りセラミック基板（請求項１）は、単層のセラミック層からなり、表面および裏面を有し、且つ平面視でほぼ矩形を呈する複数の基板部分を縦横に隣接して有する基板本体と、上記基板部分の四辺に沿って、隣接する基板部分との間における基板本体の表面および裏面の平面視で同じ位置に形成されたブレーク溝と、かかるブレーク溝が交差する位置に形成され、且つ基板本体の表面と裏面との間を貫通する複数の貫通孔と、かかる貫通孔ごとの内壁面に形成された筒形導体層と、上記基板本体の表面および裏面の少なくとも一方における基板部分ごとにおいて、少なくとも対向する一対の辺にほぼ沿って形成され、且つ上記筒形導体層と接続する表面導体層と、を含み、隣接する基板部分ごとの上記表面導体層は、上記筒形導体層のみを介して互いに導通している、ことを特徴とする。

これによれば、前記複数の基板部分ごとの表面および裏面の少なくとも一方において、少なくとも対向する一対の辺にほぼ沿って形成された表面導体層は、かかる基板部分のコーナで筒形導体層のみを介して、隣接する基板部分の表面導体層と導通している。このため、単層のセラミック層からなる基板本体で且つ各基板部分ごと周辺に沿ってブレーク溝が形成されていても、各基板部分の表面導体層に対し、上記筒形導体層のみを介して、例えば、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキにより、これらの金属メッキ層を所要の厚みで確実に被覆させた多数個取りセラミック基板とすることが可能である。

尚、前記セラミック層には、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどを主成分とする高温焼成セラミックのほか、例えば、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなるものも含まれる。
また、前記貫通孔は、断面がほぼ円形であり、前記ブレーク溝が交差する位置ごとに形成されるほか、複数の交差する位置に対し、１つ置きなどの交互の位置に形成される。
更に、前記貫通孔の内壁面に沿って形成される前記筒形導体層は、ほぼ円筒形を呈し、主にＷ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｃｕのメタライズ層と、その表面に被覆されるＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層などとからなる。
また、前記表面導体層は、複数のセラミック基板ごとの表面および裏面の少なくとも一方に形成され、上記同様のＷ、ＭｏとＮｉ、Ａｕメッキ層などからなる。
更に、前記ブレーク溝は、断面ほぼＶ字形で、前記基板本体の表面および裏面の同じ位置から、合計にて基板本体の厚みの４０〜５０％の深さで形成される。
加えて、前記基板部分は、平面視でほぼ矩形（正方形または長方形）を呈し、前記ブレーク溝に沿って切断・分割することで、例えば、セラミックパッケージの開口部をロウ材を介して密閉する蓋板（リッド）や、互いに離間する一対の表面導体層の上方に跨って電子部品を実装するセラミック基板として活用される。

また、本発明には、前記表面導体層は、前記基板本体の表面における基板部分ごとの四辺に沿ってほぼ矩形枠状に形成され、かかる表面導体層のコーナにおいて、当該基板部分のコーナ付近に位置する前記筒形導体層と接続されている、多数個取りセラミック基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、前記複数の基板部分ごとの表面において、その四辺に沿ってほぼ矩形枠状に形成され表面導体層は、そのコーナにおいて、当該基板部分のコーナ付近に位置する複数（２〜４個）の前記筒形導体層と接続されている。このため、単層のセラミック層からなる基板本体で且つ基板部分ごと周辺に沿ってブレーク溝が形成されても、各基板部分の表面導体層に対し、複数の筒形導体層を介して、前記金属メッキ層を確実に被覆した多数個取りセラミック基板とすることが可能である。尚、前記表面導体層は、その各コーナにおいて、４個の筒形導体層と接続する形態が望ましい。

更に、本発明には、前記表面導体層は、平面視がほぼ長方形を呈する基板部分ごとの表面において対向する一対の短辺に沿って帯状に一対が形成され、かかる表面導体層が最接近するコーナ付近に位置する前記筒形導体層と接続されている、多数個取りセラミック基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、平面視がほぼ長方形を呈する前記複数の基板部分ごとの表面において、その対向する一対の短辺に沿って帯状に形成された一対の表面導体層は、最接近する表面のコーナ付近に位置する前記筒形導体層を介して、隣接する基板部分の表面導体層と導通可能とされている。このため、単層のセラミック層からなる基板本体で且つ基板部分ごと周辺に沿ってブレーク溝が形成されていても、各基板部分における一対の表面導体層に対し、複数の筒形導体層を介して、比較的短かい通電経路で前記金属メッキを確実に被覆した多数個取りセラミック基板となる。尚、個々の表面導体層は、最接近する表面の各コーナ付近に位置する２個の筒形導体層と接続する形態が望ましい。

また、本発明には、前記表面導体層および筒形導体層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、またはＡｇからなるメタライズ層と、その表面に被覆されたＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層からなる、多数個取りセラミック基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、前記複数の基板部分ごとの表面および裏面の少なくとも一方に前記パターンで形成された表面導体層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、またはＡｇからなるメタライズ層に対し、同様なメタライズからなる前記筒形導体層を介して、所要の厚みのＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層などが被覆されている。その結果、ロウ付け性や耐食性などに優れた表面導体層とすることができる。

加えて、本発明には、前記基板本体における複数の基板部分うち、最外側に位置して整列する複数の基板部分における少なくとも一辺に沿って、前記セラミック層からなる耳部が設けられ、かかる耳部の側面に形成したメッキ用電極と、上記最外側に位置する複数の基板部分間と耳部との間に位置する前記筒形導体層とが、当該耳部の表面に形成した接続導体層を介して導通可能とされている、多数個取りセラミック基板（請求項５）も含まれる。
これによれば、上記耳部に形成されたメッキ用電極、接続導体層、および、複数の基板部分間と耳部との間に位置する前記筒形導体層を介して、前記複数の基板部分ごとの表面および裏面の少なくとも一方に前記パターンで形成された表面導体層となるメタライズ層に対し、外部電源からメッキ電流を確実に通電可能とされている。このため、所要の厚みのＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層が被覆された表面導体層を有する複数の基板部分を縦横に併有する多数個取りセラミック基板を提供することが可能である。

以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明による一形態の多数個取りセラミック基板１を示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図、図３は、図１中の一点鎖線部分Ｙの拡大斜視図、図４は、図１中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った断面図である。
多数個取りセラミック基板１は、図１，図３，図４に示すように、単層のセラミック層Ｓからなり、表面３、裏面４、および側面５を有し、平面視がほぼ長方形（矩形）を呈する複数の基板部分１０を縦横に隣接している基板領域ａと、かかる基板領域ａの四辺を囲う平面視がほぼ四角枠形の耳部ｍと、を有する平面視がほぼ長方形の基板本体２を備えている。上記セラミック層Ｓは、例えば、アルミナを主成分としており、約２００〜３００μｍの厚みである。
尚、表面３および裏面４は、以下の説明において、基板本体２、各基板部分１０、および耳部ｍに共通して用いられ、側面５は、基板本体２および耳部ｍに共通して用いられる。

図１に示すように、基板部分１０ごとの表面３には、その四辺に沿って平面視がほぼ長方形（矩形）状であり、中央部のほぼ長方形の中抜き部１４を囲む表面導体層１２が形成されている。かかる表面導体層１２は、ＷまたはＭｏからなるメタライズ層と、その表面に所要の厚みで被覆されたＮｉおよびＡｕメッキ層（何れも図示せず）とからなる。尚、基板部分１０ごとの表面３および裏面４は、例えば、長辺が約３．２ｍｍで且つ短辺が約１．５ｍｍの寸法である。
また、基板部分１０ごとの四辺に沿い且つ隣接する基板部分１０または耳部ｍとの間の表面３および裏面４には、断面ほぼＶ形のブレーク溝ｖが対称に形成され、これら全体の深さは、セラミック層Ｓの厚みの約４０〜５０％である。尚、図４中におけるブレーク溝ｖ，ｖ間の破線は、仮想の切断予定面ｆを示す。

更に、図１〜図３に示すように、上記ブレーク溝ｖが直角に交差する基板部分１０ごとの各コーナ付近、あるいは、基板領域ａの最外側に位置する基板部分１０の各コーナ付近と耳部ｍとの間には、それぞれ基板本体２の表面３と裏面４との間を、断面ほぼ円形の貫通孔ｈが貫通している。また、かかる貫通孔ｈごとの内壁面に沿って、全体がほぼ円筒形を呈する筒形導体層１６が形成されている。
図３の部分斜視図で例示するように、互いに隣接する４個の基板部分１０ごとの表面導体層１２の各コーナ付近の部分は、縦横のブレーク溝ｖが直角に交差する位置を貫通する貫通孔ｈの内壁面に形成された筒形導体層１６を介して、互いに導通可能とされている。このため、基板本体２の表面３のレベルでは、隣接する基板部分１０，１０の表面導体層１２，１２は、これらの間に形成されたブレーク溝ｖによって絶縁されているが、それらのコーナ付近の各貫通孔ｈごとに形成された複数の筒形導体層１６を介して、互いに導通可能となっている。
尚、図２に示すように、各筒形導体層１６における基板本体２の裏面４側には、底面視で円環形状の張出部１８が接続されている。

図１，図４に示すように、耳部ｍにおける一対の対向する長辺の側面５には、平面視がほぼ半円形の凹部６が複数形成され、各凹部６の内壁面に沿って、断面ほぼ半円形のメッキ用電極７が複数形成されている。各長辺の耳部ｍごとの表面３に露出する各メッキ用電極７の上端部には、当該耳部ｍの表面３の長手方向に沿って形成された接続導体層８が接続されている。かかる接続導体層８は、基板領域ａの最外側に位置する基板部分１０の各コーナ付近と当該耳部ｍとの間に位置する貫通孔ｈごとの筒形導体層１６と、それらの上端から表面３の耳部ｍ側にほぼ半円形に拡がる張出部１７および複数の短い接続導体層９を介して、導通可能とされている。尚、メッキ用電極７および接続導体層８，９も、ＷまたはＭｏなどからなるメタライズ層と、その表面に所要の厚みで被覆されたＮｉおよびＡｕメッキ層（何れも図示せず）とからなる。また、メッキ用電極７および接続導体層８，９は、短辺の耳部ｍにも更に形成しても良い。

図１〜図４に示すように、複数の基板部分１０ごとの表面導体層１２は、それらの周辺を囲むブレーク溝ｖによって、互いに絶縁されているが、かかる表面導体層１２の各コーナごとにおける貫通孔ｈごとの内壁面に沿った４個の筒形導体層１６と導通すると共に、長辺の耳部ｍごとに形成された接続導体層８，９を介して、複数のメッキ用電極７とも互いに導通可能とされている。
以上のような多数個取りセラミック基板１によれば、複数の基板部分１０ごとの表面３における四辺に沿って形成された表面導体層１２は、かかる基板部分１０の各コーナ付近で筒形導体層１６のみを介して、隣接する基板部分１０の表面導体層１２と導通している。このため、単層のセラミック層Ｓからなる基板本体２で且つ各基板部分１０ごと周辺に沿ってブレーク溝ｖが形成されていても、各基板部分１０の表面導体層１２に対し、筒形導体層１６および接続導体層８，９を介して、メッキ用電極７に接触させる電極棒により、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを施すことができる。従って、所要厚さの金属メッキ層を基板部分１０ごとの表面導体層１２に確実に被覆した多数個取りセラミック基板１となる。

図５は、前記多数個取りセラミック基板１を、その基板本体２の表・裏面３，４間で対向する前記ブレーク溝ｖ，ｖおよびこれらの間の切断予定面ｆに沿って、基板本体２を切断・分割して得られた複数個のうちの１個のセラミック基板１０を、表面３側から示した斜視図、図６は、その裏面４側から示した斜視図である。
図５，図６に示すように、セラミック基板１０は、ほぼ直方体を呈するセラミック製の本体１１、その表面３に形成され且つ中抜き部１４を囲む表面導体層１２、上記本体１１の各コーナごとの厚み方向に沿った浅い円弧形の凹部１３に形成された曲面導体層１５、および裏面４側の各凹部１３に沿って形成された円弧形導体層１９と、を備えている。

前記本体１１の各凹部１３ごとにおいて、表面導体層１２の各コーナ部分、曲面導体層１５、および円弧形導体層１９は、互いに導通可能に接続されている。前記曲面導体層１５は、前記筒形導体層１６が軸方向に沿って４分割されたものであり、前記円弧形導体層１９は、筒形導体層１６の前記張出部１８が同じく４分割されたものである。
以上のようなセラミック基板１０は、その表面３に中抜き部１４を囲むほぼ長方形の表面導体層１２が、ＷまたはＭｏからなるメタライズ層と、その表面に所要の厚みで被覆されたＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層からなっている。従って、水晶振動子などの電子部品をキャビティ内に搭載したセラミックパッケージの開口部に、ロウ材を介して表面導体層１２を接合することで、かかるパッケージの開口部を確実に密閉する蓋板（リッド）として活用することが可能となる。

ここで、前記多数個取りセラミック基板１の製造方法について、説明する。
予め、所定量ずつのアルミナ粉末、樹脂バインダ、および各種の溶剤を、セラミック製のポット内で攪拌・混合して、セラミックスラリを製作した。
かかるセラミックスラリに対し、ドクターブレード法に施して、図７の断面図で示すように、厚みが２５０μｍで、表面３、裏面４、および四辺の側面５を有する大判のグリーンシートｓを製作した。かかるグリーンシートｓは、図７の前後方向および左右方向に沿って設定された仮想の切断予定面ｆに囲まれ且つ縦横に隣接する複数の基板部分（１０）となる基板領域ａと、その周囲を囲む耳部ｍとからなる。尚、グリーンシートｓは、未焼成の前記基板本体２とほぼ同じである。

次いで、平面視で縦横の切断予定面ｆが交差する位置ごとに、パンチングを行って、図８に示すように、複数の貫通孔ｈを形成した。また、図８で対向する左右の耳部ｍの側面５における所定の位置に対し、打ち抜き加工を行って、平面視がほぼ半円形である複数の凹部６を形成した。
次に、グリーンシートｓの表面３において、縦横の切断予定面ｆ，ｆに囲まれた部分ごとに対し、Ｗ粉末を含む導電性ペーストをスクリーン印刷して、図９に示すように、内側に中抜き部１４を有する平面視がほぼ長方形のパターンを呈するメタライズ層のみからなる表面導体層１２を格子状にして複数個形成した。
更に、対向する一対の耳部ｍの表面３に上記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、図９に示すように、メタライズ層からなる接続導体層８（９）を形成すると共に、一対の耳部ｍの側面５の各凹部６の内壁面に沿って、メタライズ層のみからなるメッキ用電極７を形成した。

また、各貫通孔ｈの内壁面に対し、裏面４側からの負圧を利用しつつ、表面３側から上記同様の導電性ペーストを吸引・塗布させて、図９に示すように、メタライズ層からなり且つほぼ円筒形の筒形導体層１６ａを、貫通孔ｈごとに形成した。この際、各筒形導体層１６ａの上端には、グリーンシートｓの表面３に円環状に拡がる張出部１７が併せて形成されるため、複数の前記表面導体１２の各コーナ部と接続されると共に、基板領域ａの最外側の各筒形導体層１６ａの上端に形成された張出部１７は、前記接続導体層９の何れかと接続された。
引き続いて、各貫通孔ｈの内壁面で且つ筒形導体層１６ａに覆われていない部分に対し、表面３側からの負圧を利用しつつ、裏面４側から上記同様の導電性ペーストを吸引・塗布させて、図１０に示すように、各貫通孔ｈごとの内壁面に沿ったメタライズ層のみからなるほぼ円筒形の筒形導体層１６を形成した。この際、各筒形導体層１６の下端には、グリーンシートｓの裏面４に円環状に拡がる張出部１８が併せて形成された。

更に、図１１に示すように、グリーンシートｓの表面３に形成された複数の表面導体層１２ごとの周囲に沿うと共に、各筒形導体層１６の中心部を通過するように、図示しないブレードを縦横に複数回挿入して、ブレーク溝ｖを格子枠状にして形成した。引き続いて、グリーンシートｓの裏面４からも、平面視で表面３側の各ブレーク溝ｖと同じ位置にブレーク溝ｖを格子枠状にして形成した。
そして、表・裏面３，４にブレーク溝ｖが形成されたグリーンシートｓを、図示しない焼成炉に挿入して、所定の温度帯で焼成した。
その結果、前記図１〜図４で示した多数個取りセラミック基板１を得ることができた。
そして、焼成後の多数個取りセラミック基板１を、厚み方向に対向する各ブレーク溝ｖ，ｖおよび前記切断予定面ｆに沿って、切断・分割することにより、前記図５，図６で示したセラミック基板１０を同時に複数個得ることができた。

図１２は、異なる形態の多数個取りセラミック基板１ａを示す平面図、図１３は、図１２中の一点鎖線部分Ｑの部分斜視図、図１４は、図１２中のＲ−Ｒ線の矢視に沿った断面図である。
多数個取りセラミック基板１ａは、図１２，図１４に示すように、単層のセラミック層Ｓからなり、表面３、裏面４、および側面５を有し、平面視がほぼ長方形（矩形）を呈する複数の基板部分２０を縦横に隣接している基板領域ａと、かかる基板領域ａの周囲を囲う前記同様の耳部ｍと、を有する前記同様の基板本体２を備えている。
図１２に示すように、各基板部分２０において、平面視がほぼ長方形（矩形）を呈する表面３には、対向する一対の短辺に沿って帯状に延びた一対の表面導体層２２と、かかる表面導体層２２ごとの中間から表面３の中央側に対称に延びた実装部２３とが形成されている。かかる表面導体層２２および実装部２３は、ＷまたはＭｏなどからなるメタライズ層と、その表面に所要の厚みで被覆されたＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層（何れも図示せず）とからなる。

また、基板部分２０ごとの四辺に沿い且つ隣接する基板部分２０，２０間およびこれらと耳部ｍとの間の表面３および裏面４には、前記同様の断面ほぼＶ形であるブレーク溝ｖが対称に形成されている。尚、図１４中におけるブレーク溝ｖ，ｖ間の破線は、仮想の切断予定面ｆを示す。
更に、図１２〜図１４に示すように、上記ブレーク溝ｖが直角に交差する基板部分２０ごとの各コーナ付近、あるいは、基板領域ａの最外側に位置する基板部分２０の各コーナ付近と耳部ｍとの間には、それぞれ基板本体２の表面３と裏面４との間を断面ほぼ円形の貫通孔ｈが貫通しており、かかる貫通孔ｈごとの内壁面に沿って、前記同様の筒形導体層１６が形成されている。

図１３の部分斜視図で例示するように、互いに隣接する４個の基板部分２０ごとの表面導体層２２の各コーナ部分は、縦横のブレーク溝ｖが直角に交差する位置を貫通する貫通孔ｈの内壁面に形成された筒形導体層１６を介して、互いに導通可能とされている。このため、基板本体２の表面３のレベルでは、隣接する各基板部分２０の表面導体層２２および実装部２３は、これらの間に形成されたブレーク溝ｖによって互いに絶縁されているが、それらが最接近するコーナ付近の各貫通孔ｈごとに形成された複数の筒形導体層１６を介して、互いに導通可能となっている。

図１２に示すように、耳部ｍにおける一対の対向する長辺の側面５には、前記同様の凹部６が複数形成され、各凹部６の内壁面に沿って、前記同様のメッキ用電極７が複数形成されている。各長辺の耳部ｍの表面３に露出する各メッキ用電極７の上端部には、当該耳部ｍの表面３に形成された前記同様の接続導体層８が接続されている。かかる接続導体層８は、基板領域ａの最外側に位置する基板部分２０の各コーナ付近と当該耳部ｍとの間に位置する貫通孔ｈごとの筒形導体層１６と、それらの上端から表面３の耳部ｍ側にほぼ半円形に拡がる張出部１７および複数の接続導体層９とを介して、導通可能とされている。尚、メッキ用電極７および接続導体層８，９は、短辺の耳部ｍにも形成しても良い。
図１２〜図１４に示すように、複数の基板部分２０ごとにおける一対ずつの表面導体層２２および実装部２３は、それらの周辺を囲むブレーク溝ｖによって、互いに絶縁されている。しかし、かかる一対ずつの表面導体層２２は、それらが最接近する各コーナごとの貫通孔ｈごとに沿った筒形導体層１６と導通すると共に、長辺の耳部ｍごとに形成された接続導体層８，９を介して、複数のメッキ用電極７とも互いに導通可能とされている。

以上のような多数個取りセラミック基板１ａによれば、複数の基板部分２０ごとの表面３において、対向する一対の短辺に沿って形成された表面導体層２２および実装部２３は、かかる基板部分２０の各コーナ付近で筒形導体層１６のみを介して、隣接する基板部分２０の表面導体層２２などと導通している。このため、単層のセラミック層Ｓからなる基板本体２で且つ基板部分２０ごと周辺に沿ってブレーク溝ｖが形成されていても、各基板部分２０の表面導体層２２などに対し、筒形導体層１６および接続導体層８，９を介して、導通するメッキ用電極７に、電極棒に接触させることにより、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを施すことができる。
従って、これらの金属メッキ層を基板部分２０ごとの表面導体層２２および実装部２３に確実に被覆した多数個取りセラミック基板１ａとなっている。
尚、多数個取りセラミック基板１ａも、前記同様の方法によって製造される。

図１５は、前記多数個取りセラミック基板１ａを、その基板本体２の表・裏面３，４間で対向する前記ブレーク溝ｖ，ｖおよび切断予定面ｆに沿って、基板本体２を切断・分割して得られた複数個のセラミック基板２０うち、１個のセラミック基板２０を、表面３側から示した斜視図である。
図１５に示すように、セラミック基板２０は、ほぼ直方体を呈するセラミック製の本体２１、その表面３の対向する短辺に沿って形成された一対の表面導体層２２、これらの中間から表面３の中央側に対称に延びた一対の実装部２３、本体２１の各コーナごとの厚み方向に沿った浅い円弧形の凹部２５に沿って形成された曲面導体層２４、を備えている。尚、裏面４側の各凹部２５に沿って、前記同様の円弧形導体層２６が形成されている。

前記本体２１の各凹部２５ごとにおいて、一対の表面導体層２２ごとの各コーナ部分、曲面導体層２４、および円弧形導体層２６は、互いに導通可能に接続されている。前記曲面導体層２４は、前記筒形導体層１６が軸方向に沿って４分割されたものであり、次述する円弧形導体層２６は、筒形導体層１６の前記張出部１８が同じく４分割されたものである。
図１６で例示するように、セラミック基板２０には、その表面３の中央部において対称に位置する一対の実装部２３，２３間に跨って、樹脂絶縁層２７またはロウ材を介して、半導体素子などの電子部品２８が実装がされる。かかる電子部品２８は、ボンディングワイヤｗを介して、一対の表面導体層２２と個別に導通され、かかる表面導体層２２は、それぞれ各コーナの曲面導体層２４および円弧形導体層２６と、個別に導通している。尚、上記ロウ材を介して実装した電子部品２８の場合には、上記ワイヤｗは省略される。

例えば、図１６に示すように、セラミック基板２０の各円弧形導体層２６を、プリント基板などのマザーボード３０の表面３１に形成された一対の表面端子３２上に載置し、各曲面導体層２４と各表面端子３２との間に、フィレット形状のハンダ２９を形成して、当該セラミック基板２０をマザーボード３０の表面３１上に搭載することもできる。その結果、マザーボード３０側の図示しない回路からセラミック基板２０に実装された電子部品２８を制御することが可能となる。
尚、セラミック基板２０の表面３に形成される一対の表面導体層２２から、それぞれ２つ以上の実装部を平行に延在させることで、複数の電子部品を実装したり、多数の外部端子を有する１つの電子部品を実装することも可能である。

本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記セラミック層Ｓは、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなるものとしても良く、かかる場合では、前記表面導体層１２，２２などには、ＡｇまたはＣｕからなるメタライズ層と、その表面に被覆されるＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層などと、からなる形態が適用される。
また、前記多数個取りセラミック基板１，１ａにおける複数の基板部分１０，２０の裏面４側にも、複数のコーナ付近の筒形導体層１６と接続される裏面（表面）導体層を形成することも可能である。
更に、前記多数個取りセラミック基板１ａにおける複数の基板部分２０の表面３に、一対の短辺に沿って形成される前記一対の表面導体層２２，２２と、これらの間を接続する中央導体層とを形成し、平面視が全体としてほぼエ字形を呈する単一の表面導体層としても良い。あるいは、上記一対の表面導体層２２，２２と、これらの一端から一辺に沿って延びた一対の側辺導体層とを形成し、平面視がほぼＬ字形およびほぼ逆Ｌ字形を呈する一対の表面導体層としても良い。
加えて、前記基板本体２や基板部分１０，２０は、平面視でほぼ正方形を呈する形態としても良い。

本発明による一形態の多数個取りセラミック基板を示す平面図。 図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図。 図１中の一点鎖線部分Ｙの部分拡大斜視図。 図１中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った断面図。 上記多数個取りセラミック基板を分割したセラミック基板の表面側を示す斜視図。 上記セラミック基板の裏面側を示す斜視図。 上記多数個取りセラミック基板の一製造工程の概略を示す断面図。 図７に続く製造工程の概略を示す断面図。 図８に続く製造工程の概略を示す断面図。 図９に続く製造工程の概略を示す断面図。 図１０に続く製造工程の概略を示す断面図。 異なる形態の多数個取りセラミック基板を示す平面図。 図１２中の一点鎖線部分Ｑの部分拡大斜視図 図１２中のＲ−Ｒ線の矢視に沿った断面図。 上記多数個取りセラミック基板を分割したセラミック基板を示す斜視図。 上記セラミック基板の使用状態を示す概略図。

符号の説明

１，１ａ……多数個取りセラミック基板
２……………基板本体
３……………表面
４……………裏面
５……………側面
７……………メッキ用電極
８，９………接続導体層
１０，２０…基板部分
１２，２２…表面導体層
１６…………筒形導体層
Ｓ……………セラミック層
ｍ……………耳部
ｈ……………貫通孔
ｖ……………ブレーク溝

Claims (5)

1. 単層のセラミック層からなり、表面および裏面を有し、且つ平面視でほぼ矩形を呈する複数の基板部分を縦横に隣接して有する基板本体と、
   上記基板部分の四辺に沿って、隣接する基板部分との間における基板本体の表面および裏面の平面視で同じ位置に形成されたブレーク溝と、
   上記ブレーク溝が交差する位置に形成され、且つ基板本体の表面と裏面との間を貫通する複数の貫通孔と、
   上記貫通孔ごとの内壁面に形成された筒形導体層と、
   上記基板本体の表面および裏面の少なくとも一方における基板部分ごとにおいて、少なくとも対向する一対の辺にほぼ沿って形成され、且つ上記筒形導体層と接続する表面導体層と、を含み、
   隣接する基板部分ごとの上記表面導体層は、上記筒形導体層のみを介して互いに導通している、
   ことを特徴とする多数個取りセラミック基板。
2. 前記表面導体層は、前記基板本体の表面における基板部分ごとの四辺に沿ってほぼ矩形枠状に形成され、かかる表面導体層のコーナにおいて、当該基板部分のコーナ付近に位置する前記筒形導体層と接続されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の多数個取りセラミック基板。
3. 前記表面導体層は、平面視がほぼ長方形を呈する基板部分ごとの表面において対向する一対の短辺に沿って帯状に一対が形成され、かかる表面導体層が最接近するコーナ付近に位置する前記筒形導体層と接続されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の多数個取りセラミック基板。
4. 前記表面導体層および筒形導体層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、またはＡｇからなるメタライズ層と、その表面に被覆されたＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層からなる、
   ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の多数個取りセラミック基板。
5. 前記基板本体における複数の基板部分うち、最外側に位置して整列する複数の基板部分における少なくとも一辺に沿って、前記セラミック層からなる耳部が設けられ、かかる耳部の側面に形成したメッキ用電極と、上記最外側に位置する複数の基板部分間と耳部との間に位置する前記筒形導体層とが、当該耳部の表面に形成した接続導体層を介して導通可能とされている、
   ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の多数個取りセラミック基板。

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