JP2016201434A - セラミック配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】セラミックからなる基板本体の側面に開口し且つ軸方向の段部を含む凹部を有し、該凹部の内壁面、段部、および基板本体の表面の間を確実に接続する導体層を有するセラミック配線基板を提供する。【解決手段】複数のセラミック層を積層してなり、平面視が矩形状で且つ対向する一対の表面３，４と、該表面３，４の間に位置する四辺の側面５とを有する基板本体２と、基板本体２の側面５の裏面４側に形成され、該側面５の厚み方向に沿った平面視が凹形状の内壁面１１と、該内壁面１１の端部を構成する段部１２とを有する凹部１０と、基板本体２の表面４における凹部１０の端縁に沿って形成された表面導体層１３と、段部１２の表面に形成された段部導体層１６と、内壁面１１に形成され且つ表面導体層１３と段部導体層１６との間を接続する壁面導体層１５とを備え、表面導体層１３、段部導体層１６、および壁面導体層１５と、基板本体２の側面５との間には、基板本体２を構成するセラミック層の一部が露出している、セラミック配線基板１。【選択図】 図１

Description

本発明は、複数のセラミック層からなる基板本体の側面に凹部を有し、該凹部の内壁面、段部、および上記基板本体の表面の間に互いに接続する導体層を有するセラミック配線基板、およびその製造方法に関する。

セラミックからなる基板本体の側面に開口し且つ内壁面に導体層する凹部を有するセラミック配線基板を多数個取り方式により製造する場合、多数個取り用のグリーンシートにおいて、隣接する配線基板間の境界に跨って貫通孔を形成し、該貫通孔の内壁面全体に導電性ペーストを被覆して焼成した後、上記境界に沿ってダイシングブレードを挿入して個片化している。
また、多数個取り用の基板を個片化する前に、個々のセラミック配線基板の回路特性を正確に検査するため、多数個取り用のグリーンシートにおいて、隣接する配線基板同士の分割ライン（スクライブライン、スナップライン、あるいはブレーク溝）に跨って形成した貫通孔の内壁面と、該貫通孔が開口する配線基板の表面とに対し、上記分割ライン付近を除いて導体ペーストを印刷する多数個取り基板のキャスタレーション導体の印刷方法の発明が提案されている（例えば、許許文献１参照）。

特開２００１−６８８４９号公報（第１〜９頁、図１〜９）

しかし、前記境界に沿ってダイシングブレードを挿入して個片化する際に、該ブレードによって切断される焼成済みの導体層の切断面には、微細な金属バリが形成される。かかる金属バリが基板本体の側面からはみ出ていると、セラミック配線基板が所定の寸法に納まらず、過分のスペースが必要となったり、該セラミック配線基板をプリント基板などのマザーボードに搭載する際に、生じるガタ付きによって不安定な姿勢で搭載されるため、搭載後の接続信頼性を損ねてしまう場合があった。
更に、特許文献１における前記印刷方法の発明では、前記貫通孔の一方の開口部を塞ぐための隣接するグリーンシートによって形成されるセラミック配線基板ごとの凹部における軸方向の端部たる段部がある場合については、何らの開示もされていない。

本発明は、背景技術で説明した問題点を解決し、セラミックからなる基板本体の側面に開口し且つ軸方向の段部を含む凹部を有し、該凹部の内壁面、段部、および基板本体の表面の間を確実に接続する導体層を有するセラミック配線基板、および該配線基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。

課題を解決するための手段および発明の効果

本発明は、前記課題を解決するため、前記凹部の内壁面、段部、および該凹部に隣接する基板本体の表面ごとに形成される全ての導体層を、基板本体の側面から離間させる、ことに着想して成されたものである。
本発明のセラミック配線基板（請求項１）は、複数のセラミック層を積層してなり、平面視が矩形状で且つ対向する一対の表面と、かかる一対の表面の間に位置し且つ切断面からなる四辺の側面とを有する基板本体と、該基板本体における何れかの側面における少なくとも一方の表面側、あるいは、隣接する一対の側面間のコーナに形成され、該側面または該コーナの厚み方向に沿った平面視が凹形状の内壁面と、該内壁面の端部を構成する段部とを有する凹部と、上記基板本体の表面における上記凹部の端縁に沿って形成された表面導体層と、上記段部の表面に形成された段部導体層と、上記内壁面に形成され、且つ上記表面導体層と段部導体層との間を接続する壁面導体層と、を備え、上記表面導体層、段部導体層、および壁面導体層と、上記基板本体の側面との間には、該基板本体を構成するセラミック層の一部が露出している、ことを特徴とする。

前記のようなセラミック配線基板によれば、前記凹部の内部やその付近に形成される前記表面導体層、段部導体層、および壁面導体層と、上記基板本体の側面との間には、該基板本体を構成するセラミック層の一部が露出している。そのため、以下のような効果（１）〜（４）を奏することができる。
（１）多数個取り方式で製造された際でも、基板本体の側面および少なくとも一方の表面には、上記表面導体層、段部導体層、および壁面導体層による金属バリを有していない。
（２）上記（１）に伴って、基板本体を含む本セラミック配線基板の形状および寸法精度が向上する。
（３）上記（２）に伴って、本セラミック配線基板をプリント基板などのマザーボードへの搭載時における搭載精度および電気的な接続信頼性が向上する。
（４）前記凹部が基板本体の上方に位置する表面側に開口する姿勢とされ、該凹部内に実装用のハンダを充填した場合、壁面導体層に塗布されたハンダから過剰分が流れ出ても、段部導体層の表面において溜めることができ、且つかかる過剰なハンダを介して、該段部導体層と前記壁面導体層との接合強度を高められる。

尚、前記セラミックは、アルミナなどの高温焼成セラミック、あるいはガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなる。前者の場合、前記各導体層などは、例えば、ＷまたはＭｏなどからなり、後者の場合、例えば、ＡｇまたはＣｕなどからなる。
また、前記対向する一対の表面とは、相対的な呼称であり、例えば、一方を表面と称し、且つ他方を裏面と称する場合も含まれる。
更に、前記切断面からなる側面とは、かかる切断面が製造時において、ダイシングブレードにより切断されたか、あるいは、レーザ切断加工により切断された側面であることを表している。かかる切断面のみからなる側面は、多数個取り用のグリーンシートにおいて、隣接する配線基板間の境界に沿ってブレードやレーザ加工などにより分割溝を形成し、焼成後のセラミックシートにおける前記分割溝に沿って個々の配線基板に分割する破断（剪断加工）により、個片化して得られる基板本体の側面（破断面を含む側面）とは、区別される。
また、前記凹部は、例えば、平面視または底面視が半長円形状、半楕円形状、半円形状、または４分の一円形状の何れかを呈する。
加えて、前記段部は、前記凹部の軸方向に沿った端部を閉塞するか、または一部を閉塞する平面であり、且つ前記基板本体の前記一対の表面とほぼ平行である。

また、本発明には、前記表面導体層、段部導体層、および壁面導体層と、上記基板本体の側面との間には、前記セラミック層 の一部が少なくとも２０μｍ以上の距離で露出している、セラミック配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、前記効果（１），（２）を確実に保証することができる。
尚、上記距離を少なくとも２０μｍ以上としてのは、かかる距離が２０μｍ未満では、前記表面導体層、段部導体層、および壁面導体層の何れかの一部が、基板本体の側面に接近し過ぎるので、前記効果（１）が得られなくなる場合が生じ得るためである。

更に、本発明には、前記凹部は、前記基板本体の側面または一対の側面の厚み方向に沿って、該側面に開口する幅寸法および当該側面からの奥行寸法が２段階以上に変化して形成されていると共に、厚み方向で隣接する広狭の内壁面同士の間に前記段部が位置している、セラミック配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、側面に開口する幅寸法および当該側面からの奥行寸法が２段階以上に変化する凹部に、各段階ごとに前記壁面導体層が位置しており、これらの段階間ごとの間に段部導体層が位置した形態となる。
従って、基板本体の側面における厚み方向の一部あるいは全部に沿って、該側面に開口する幅寸法および当該側面からの奥行寸法が複数段階にわたり変化し、各段階ごとに前記壁面導体層が形成されており、これらの段階間ごとの間に段部導体層が形成された導体経路を提供できる（効果（５））。

また、本発明には、前記凹部は、平面視が半長円形状、半楕円形状、または半円形状を呈し、且つ該凹部の前記内壁面における前記基板本体の側面または一対の側面と平行な方向に沿った中間には、該基板本体の中央側に進入する奥凹部を有していると共に、該奥凹部内に前記壁面導体層の厚みの一部または全部が位置している、セラミック配線基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、前記壁面導体層の幅が狭くなっても、その奥行き寸法を大きくできるので、前記表面導体層および段部導体層と、壁面導体層との電気的接続を確実に保証することが可能となる（効果（６））。
加えて、本発明には、前記表面導体層、壁面導体層、および段部導体層の表面には、少なくとも金属メッキ膜が被覆されている、セラミック配線基板（請求項５）も含まる。
これによる場合、前記金属バリと共に、前記金属メッキ膜が前記表面導体層、壁面導体層、および段部導体層が除去されないので、これら導体層の耐食性などを確実に補償することが可能となる（効果（７））。
尚、前記金属メッキ膜は、例えば、下地のＮｉメッキ膜と表層のＡｕメッキ膜との２層からなる形態が例示される。

一方、本発明によるセラミック配線基板の製造方法（請求項６）は、前記セラミック配線基板の製造方法であって、平面視で縦横に複数の配線基板領域を併有する製品エリアと、かかる製品エリアの周囲に位置する耳部とを有する複数のグリーンシートを準備する工程と、一部の上記グリーンシートにおいて、隣接する配線基板領域間を区画する境界および製品エリアと耳部との境界の厚み方向に沿って貫通孔を形成する工程と、該一部のグリーンシートにおいて、上記貫通孔の内壁面、および何れか一方の開口部の周囲で該内壁面に接し且つ上記境界から離れた位置に導電性ペーストを配置して、未焼成の壁面導体層および表面導体層を形成する工程と、残部の上記グリーンシートにおいて、追って上記一部のグリーンシートと積層した際に上記貫通孔における一方の開口部が隣接する表面で且つ上記境界から離れた位置に導電性ペーストを配置して、未焼成の段部導体層を形成する工程と、上記複数のグリーンシートを積層および圧着してグリーンシート積層体を形成する工程と、該グリーンシート積層体および導電性ベーストを焼成して、上記貫通孔の開口部が露出する表面に上記境界から離れて位置する表面導体層と、セラミック層間に位置し且つ上記境界から離れて位置する段部導体層と、上記貫通孔の内壁面で且つ上記境界から離れて位置する壁面導体層とを有するセラミック積層体を形成する工程と、該セラミック積層体の表面導体層、段部導体層、および壁面導体層の表面に電解金属メッキを施す工程と、該メッキ後のセラミック積層体を前記境界に沿って切断して、複数のセラミック配線基板に個片化する工程と、を備える、ことを特徴とする。

これによれば、以下のような効果（８）〜（１０）を奏することが可能となる。
（８）前記個片化工程において、表面に金属メッキ膜が被覆された表面導体層、段部導体層、および壁面導体層が切断面である基板本体の側面に露出しないので、これらによる金属バリの発生を防止できる。
（９）上記金属バリの発生が防げるため、脱落した金属バリによる電気的に不用意な事態、例えば、マザーボード側の電極とのショートなどが皆無となる。
（１０）前記個片化工程前のセラミック積層体の状態で、個々のセラミック基板の電気的特性の検査を精度良く行うことが容易となる。

尚、前記貫通孔は、平面視で前記境界が中心を含む径方向に沿って交叉する円形、または、平面視で前記境界が長軸と重複する長円形状、楕円形状、または長方形状を呈する。
また、前記導電性ペーストを形成する工程は、前記境界から離れた前記位置に、スクリーン印刷あるいは負圧による吸引印刷を行う際に、例えば、上境界側の部分をマスキングした状態とされて行われる。
更に、前記電解金属メッキは、例えば、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキの２層からなる形態が例示される。
加えて、前記セラミック積層体を前記境界に沿って切断して、複数のセラミック配線基板に個片化する工程は、上記境界に沿って高速回転しつつ移動するダイシングブレード、あるいはレーザー切断加工によって行われる。

更に、本発明には、前記残部のグリーンシートに対しても、前記一部のグリーンシートに形成した前記貫通孔と相似形状で且つこれよりも小径または小長軸の貫通孔を形成する工程と、該小径または小長軸の貫通孔の内壁面、および何れか一方の開口部の表面で前記内壁面に接し且つ前記境界から離れた位置に導電性ペーストを配置して、未焼成の壁面導体層および段部導体層または表面配線層を形成する工程とを行う、セラミック配線基板の製造方法（請求項７）も含まれる。
これによれば、基板本体の側面における厚み方向の一部あるいは全部に沿って、該側面に開口する幅寸法および当該側面からの奥行寸法が複数段階にわたり変化し、各段階ごとに前記壁面導体層を形成することが可能となる（効果（１１））。

本発明による一形態のセラミック配線基板を示す斜視図。 上記セラミック配線基板の図１の前後方向の中央部での垂直断面図。 上記セラミック配線基板における凹部付近を示す拡大底面図。 （Ａ）は上記凹部の応用形態の凹部付近を示す斜視図、（Ｂ）は該凹部付近の平面図。 （Ａ）は異なる形態の凹部付近を示す斜視図、（Ｂ）は該凹部付近の応用形態を示す斜視図。 （Ａ）は更に異なる形態の凹部付近を示す斜視図、（Ｂ）は該凹部付近の応用形態を示す斜視図。 （Ａ）〜（Ｉ）は前記セラミック配線基板の製造工程を示す概略図。 （Ａ）〜（Ｇ）は前記応用形態の前記セラミック配線基板の製造工程を示す概略図。 （Ａ）は応用形態の貫通孔を示す概略図、（Ｂ）該貫通孔を用いた壁面導体層を示す水平断面図。 （Ａ）は異なる応用形態の貫通孔を示す概略図、（Ｂ）該貫通孔を用いた壁面導体層を示す水平断面図。

以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態のセラミック配線基板１を示す斜視図、図２は、かかる配線基板１の図１中における前後方向の中央部での垂直断面図である。
上記セラミック配線基板１は、図１，図２に示すように、全体が板形状を呈し、平面視で正方形（矩形）状で且つ対向する一対の表面３および裏面（表面）４と、かかる表面３と裏面４との間に位置し且つ切断面からなる四辺の側面５と有する基板本体２と、該基板本体２の側面５ごとの中央側における裏面４側に形成され、該側面５の厚み方向に沿った平面視が半長円形状（凹形状）の内壁面１１、およぴ該内壁面１１の軸方向の端部を構成する段部１２を有する４つの凹部１０と、を備えている。
上記基板本体２は、３層（複数）のセラミック層ｃ１〜ｃ３を積層してなり、該セラミック層ｃ１〜ｃ３間に、所定パターンの内部配線層７，８が個別に形成されている。該配線層７，８間、および、表面３の中央側に形成された複数の電極パッド６と前記配線層７との間には、ビア導体９が個別に接続されている。該基板本体２の側面５は、製造時の個片化工程で、全面がダイシングブレードにより切断された切断面からなる。

また、前記凹部１０ごとの内壁面１１には、前記基板本体２の側面５側を除いて側面視が長方形状の壁面導体層１５が形成され、該凹部１０ごとの段部１２には、基板本体２の側面５側を除いて底面視が半長円形状の段導体層１６が形成されている。更に、前記基板本体２の裏面４における該凹部１０ごとの端縁に沿って底面視で全体が円弧形状または皿形状を呈する裏面導体層（表面導体層）１３が形成されている。かかる裏面導体層１３は、側面５の長辺方向に沿った両側に左右対称な一対の円弧部１４を有している。基板本体２の裏面４における該円弧部１４と内壁面１１のとの間には、前記セラミック層ｃ１の一部が湾曲して露出する絶縁帯１１ａが位置している。該絶縁帯１１ａは、製造時においてマスクが載置されていた跡である。
図１〜図３に示すように、上記壁面導体層１５と、段部導体層１６と、両側の円弧部１４を含む裏面導体層１３とは、互いに電気的に導通可能に接続され、且つ段部導体層１６は、前記内部配線層８とも接続されている。
しかも、図３に示すように、上記壁面導体層１５、段部導体層１６、および裏面導体層１３と、前記基板本体２の側面５との間には、少なくとも２０μｍ以上の距離ｓを有する前記セラミック層ｃ１，ｃ２の一部が露出している。前記距離ｓは、望ましくは、４０μｍ以上、より望ましくは、５０μｍ以上である。かかる距離ｓは、上記壁面導体層１５、段部導体層１６、あるいは裏面導体層１３と、前記基板本体２の側面５との間ごとにおいて、互いに相違していても良い。

尚、前記基板本体２を構成するセラミック層ｃ１〜ｃ３は、例えば、アルミナなどの高温焼成セラミック、あるいは、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなる。前者のセラミックからなる場合、前記電極パッド６、内部配線層７，８、ビア導体９、裏面導体層１３、壁面導体層１５、および段部導体層１６は、例えば、ＷまたはＭｏからなり、後者のセラミックからなる場合、例えば、ＡｇまたはＣｕからなる。
また、外部に露出する前記電極パッド６、裏面導体層１３、壁面導体層１５、および段部導体層１６の表面ごとには、図示しない下地側のＮｉメッキ膜と表層側のＡｕメッキ膜とからなる金属メッキ膜が被覆されている。
更に、前記複数の電極パッド６の上方には、追って、図示しないハンダ（ロウ材）を介して、ＩＣチップなどの電子部品が実装される。
加えて、前記凹部１０ごとの裏面導体層１３、壁面導体層１５、および段部導体層１６は、追って、本セラミック配線基板１を図示しないプリント基板などのマザーボードの表面上に搭載する際に、該マザーボードの表面に位置する複数の表面接続端子との間で個別に充填されるハンダ（何れも図示せず）と接合され、該ハンダを介して、上記マザーボード側の回路と電気的に接続される。

以上のようなセラミック配線基板１によれば、前記凹部１０ごとの内部やその付近に形成された前記裏面導体層１３、壁面導体層１５、および段部導体層１６と、前記基板本体２の側面５ごととの間には、該基板本体２を構成するセラミック層ｃ１，ｃ２の一部が前記距離ｓで露出している。
そのため、前記効果（１）〜（３）、（６）、（７）を奏することができる。また、前記凹部１０が、基板本体２の側面５と表面３とに跨って形成され、段部１２が上向き姿勢の形態である場合（天地逆の姿勢）には、上記各効果に加えて、更に前記効果（４）を奏することも可能となる。
尚、前記基板本体２は、２層のセラミック層を積層してなる形態や、４層以上セラミック層を積層してなる形態としても良い。

図４（Ａ）は、前記凹部１０の応用形態の凹部１０ａ付近を示す斜視図、図４（Ｂ）は、該凹部１０ａ付近の平面図である。
上記凹部１０ａは、図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、前記同様の内壁面１１および段部１２ａに加え、該内壁面１１の幅寸法および基板本体２の中央側への奥行寸法が小さく、表面３にも開口し且つ前記同様の凹形状である内壁面１７を、基板本体２の側面５の厚み方向に沿って同軸状に有している。尚、上記幅寸法は、図４（Ｂ）中の左右方向を指し、上記奥行寸法は、同図中の垂直方向を指す。
上記内壁面１１および段部１２には、前記同様の壁面導体層１５および底面視が半長円形状の段部導体層１６ａが形成され、且つ上記内壁面１１に隣接する裏面４には、前記同様の裏面導体層１３が形成されている。更に、上記内壁面１７には、基板本体２の側面５側を除いて側面視が長方形状の壁面導体層１８が形成され、且つ該内壁面１７に隣接する表面３には、帯状の表面配線層１９が形成されている。上記壁面導体層１８は、該表面配線層１９の一端と上記段部導体層１６ａとに接続されている。尚、前記表面配線層１９の他端は、例えば、前記電極パッド６に接続される。

以上のような凹部１０ａ付近に形成された裏面導体層１３、壁面導体層１５，１８、段部導体層１６ａ、および表面配線層１９を前記セラミック配線基板１に適用することによっても、前記同様の効果を奏することができる。
尚、前記凹部１０ａのように、１つの段部１２ａを挟んで２段階に幅および奥行き寸法が変化する内壁面１１，１７を有する形態に限らず、２つ以上の段部を挟んで３段階以上に変化する内壁面を有する形態としても良い。
また、段部導体層１６ａは、底面視が半長円形状の形態に限らず、前記裏面導体層１３と同様に、左右対称である一対の円弧部を併有する形態としても良い。

図５（Ａ）は、異なる形態の凹部２０付近を示す斜視図である。
かかる凹部２０は、図５（Ａ）に示すように、前記基板本体２の側面５の厚み方向に沿った平面視が半円形状（凹形状）の内壁面２１と、該内壁面２１の軸方向の端部を構成し且つ平面視が半円形状の段部２２とを有する。
上記内壁面２１には、基板本体２の側面５側の前記距離ｓ分を除いて半円筒形（曲面）状の壁面導体層２５が形成され、該内壁面２１の端縁に隣接する基板本体２の裏面４には、上記側面５側の距離ｓ分を除いて底面視が半円形状で且つ左右に一対の円弧部２４を対称に有する裏面導体層２３が形成されていると共に、段部２２には、側面５側の前記距離ｓ分を除き底面視が半円形状または弦を有する円弧形状の段部導体層２６が形成されている。この段部導体層２６は、前記内部配線層７，８の何れか一方に接続されている。

図５（Ｂ）は、前記凹部２０の応用形態の凹部２０ａ付近を示す斜視図である。
かかる凹部２０ａは、図５（Ｂ）に示すように、前記同様の内壁面２１および段部２２ａに加え、更に、該内壁面２１の幅（直径）寸法および基板本体２の中央側への奥行き（半径）寸法が小さく且つ表面３にも開口する内壁面２７を、基板本体２の側面５の厚み方向に沿って同軸状に有している。
上記内壁面２１および段部２２ａには、前記同様の壁面導体層２５および底面視が半円形状の段部導体層２６ａが個別に形成され、且つ上記内壁面２１に隣接する裏面４には、前記同様の裏面導体層２３が形成されている。更に、上記内壁面２７には、基板本体２の側面５側の前記距離ｓ分を除いて、半円筒形状の壁面導体層２８が形成されている。尚、該内壁面２７に隣接する基板本体２の表面３には、前記同様の表面配線層の一端が接続して形成されている。

以上のような凹部２０，２０ａ付近に形成された裏面導体層２３、壁面導体層２５，２８、段部導体層２６ａ、および表面配線層（後述する図８中の符号２９）を前記セラミック配線基板１に適用することによっても、前記同様の効果を奏することができる。
尚、前記凹部２０ａのように、１つの段部２２ａを挟んで２段階に幅および奥行き寸法が変化する内壁面２１，２７を有する形態に限らず、２つ以上の段部を挟んで３段階以上に変化する内壁面を有する形態としても良い。

図６（Ａ）は、更に異なる形態の凹部３０付近を示す斜視図である。
かかる凹部３０は、図６（Ａ）に示すように、前記基板本体２において隣接する一対の側面５間のコーナＣに形成され、該コーナＣの厚み方向に沿った平面視が４分の１円形状（凹形状）の内壁面３１と、該内壁面３１の軸方向の端部を構成し且つ平面視が上記と同様な段部３２とを有している。
上記内壁面３１には、基板本体２の側面５側の前記距離ｓ分を除いて凹面形状の壁面導体層３５が形成され、当該内壁面３１の端縁に隣接する基板本体２の裏面４には、上記側面５側の距離ｓ分を除いて底面視が４分の１円形状で且つ左右一対の円弧部３４を対称に有する裏面導体層３３が形成されている。更に、上記段部３２には、側面５側の前記距離ｓ分を除き底面視が４分の１円形状の段部導体層３６が形成されている。この段部導体層３６も、前記内部配線層７，８の何れか一方に接続されている。

図６（Ｂ）は、前記凹部３０の応用形態の凹部３０ａ付近を示す斜視図である。
かかる凹部３０ａも、図６（Ｂ）に示すように、隣接する一対の側面５間のコーナＣに形成され、前記同様の内壁面３１および段部３２ａに加え、更に、該内壁面３１の幅寸法および基板本体２への奥行き寸法が小さく且つ表面３にも開口する内壁面３７を、基板本体２の側面５の厚み方向に沿って同軸状に有している。
上記内壁面３１および段部３２ａには、前記同様の壁面導体層３５および底面視が扇形状の段部導体層３６ａが個別に形成され、且つ上記内壁面３１に隣接する裏面４には、前記同様の裏面導体層２３が形成されている。更に、上記内壁面３７には、基板本体２の側面５側の前記距離ｓ分を除いて曲面形状の壁面導体層３８が形成されている。尚、該内壁面３７に隣接する基板本体２の表面３には、前記同様の表面配線層が接続して形成されている。

以上のような凹部３０，３０ａ付近に形成された裏面導体層３３、壁面導体層３５，３８、段部導体層３６ａ、および表面配線層を前記セラミック配線基板１に適用することによっても、前記同様の効果を奏することができる。
尚、前記凹部３０ａのように、１つの段部３２ａを挟んで２段階に幅および奥行き寸法が変化する内壁面３１，３７を有する形態に限らず、２つ以上の段部を挟んで３段階以上に変化する内壁面を有する形態としても良い。

以下において、前記セラミック配線基板１の製造方法について説明する。尚、説明を容易にするため、前記基板本体２を構成するセラミック層は２層とする。
予め、アルミナ粉末、所定のバインダ樹脂、および所定の溶剤を適量ずつ配合してセラミックスラリを製作し、該スラリをドクターブレード法によって、図７（Ａ）に示すように、２枚のグリーンシートｇ１（ｇ２）を成形した。該グリーンシートｇ１（ｇ２）は、平面視で縦横に複数の配線基板領域４１を隣接して併有する製品エリア４０と、該製品エリア４０の周囲に位置し且つ平面視が矩形枠状の耳部４２と、これらの間を区画し且つ平面視が格子形状を呈する境界（境界面）４３とを有している。
先ず、一方（一部）のグリーンシートｇ１において、図７（Ｂ），（Ｃ）に示すように、隣接する配線基板領域４１間の境界４３、および製品エリア４０の周辺側に位置する配線基板領域４１と耳部４２との境界４３に沿って、断面が長円形状のポンチと該形状と相似形の貫通孔を有するダイとを用いる打ち抜き加工を行って、平面視が長円形状の貫通孔４４を複数個所定の位置ごとに形成した。

次に、図７（Ｄ）に示すように、前記貫通孔４４ごとにおける長軸方向に沿った両端側の円弧部に隣接するグリーンシートｇ１の表面側にマスキング（図示せず）し、かかる貫通孔４４ごとの長軸に沿った一対の平坦な内壁面に対し、上記表面側からＷ粉末あるいはＭｏ粉末を含む導電性ペーストを、他方の表面側からエアを吸引する負圧状態にして、強制的に吸着させつつ塗布（配置）することにより、未焼成である一対の壁面導体層１５を形成した。
引き続き、前記貫通孔４４ごとの開口部に隣接するグリーンシートｇ１の表面側に対し、上記同様のマスキングを行い、且つ所定パターンを有するスクリーンを用いて、上記同様の導電性ペーストを、スクリーン印刷（配置）した。その結果、図７（Ｅ）に示すように、貫通孔４４ごとのグリーンシートｇ１の表面側における境界４３から２０μｍ以上ずつ離れた位置に、左右一対の円弧部１４を含む未焼成で且つ一対の裏面導体層１３を形成した。
尚、上記裏面導体層１３および壁面導体層１５の形成は、同時に行っても良い。

更に、残部のグリーンシートｇ２において、次述する前記グリーンシートｇ１との積層時に、前記貫通孔４４の開口部に隣接する裏面導体層１３が位置する表面と反対側の表面に対し、境界４３を挟んで平面視が半長円形状である一対のパターンを有するスクリーンを配置して、前記同様の導電性ベーストをスクリーン印刷した。その結果、図７（Ｆ）に示すように、境界４３を挟んで対称に位置する一対の段部導体層１６を、前記貫通孔４４に対応する位置ごとに形成した。
尚、上記グリーンシートｇ２の表面には、段部導体層１６と個別に接続する未焼成の前記内部配線層８も、スクリーン印刷により形成された。また、グリーンシートｇ２における他方の表面には、未焼成の電極パッド６が配線基板領域４１ごとの表面に複数ずつ形成され、且つ該電極パッド６と上記内部配線層８との間には、予め穿孔された細径の貫通孔内に未焼成のビア導体９が形成された。

次に、図７（Ｇ）中の白抜き矢印で示すように、前記グリーンシートｇ１，ｇ２を、これらの境界４３が平面視で重なり、且つグリーンシートｇ１側の壁面導体層１５と、グリーンシートｇ２側の段部導体層１６とが境界４３を挟んで対称に接続するように、圧着および積層してグリーンシート積層体を形成した。
次いで、上記グリーンシート積層体を焼成して、図７（Ｈ）に示すように、セラミック層ｃ１，ｃ２を積層してなるセラミック積層体ＣＳ１を形成した。
更に、上記セラミック積層体ＣＳ１を図示しない電解Ｎｉメッキ槽および電解Ａｕメッキ槽に順時浸漬して、外部に露出する焼成済みの前記電極パッド６、裏面導体層１３、壁面導体層１５、および段部導体層１６の表面ごとに、Ｎｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜からなる金属メッキ膜（図示せず）を被覆した。

そして、図７（Ｈ）中に示すように、境界４３に沿って高速回転するダイシングブレード４５を挿入し且つ図示の前後方向に沿って移動させる個片化工程を行った。この際、上記ダイシングブレード４５は、セラミック層ｃ１，ｃ２のみを切断しており、上記裏面導体層１３、壁面導体層１５、および段部導体層１６の何れにも、接触していなかった。
その結果、図７（Ｉ）に示すように、切断面からなる四辺の側面５を含む基板本体２、および凹部１０付近ごとに位置する裏面導体層１３、壁面導体層１５、および段部導体層１６を含むセラミック配線基板１を複数個得ることができた。

以上のようなセラミック配線基板１の製造方法によれば、前記個片化工程において、前記ダイシングブレード４５が、裏面導体層１３、壁面導体層１５、および段部導体層１６の何れにも、接触しなかったので、前記効果（８）〜（１０）を奏することができた。
尚、前記前記個片化工程は、前記ダイシングブレード４５に替えて、前記境界４３に沿ってレーザ光を連続して照射するレーザ切断加工を行っても良い。
また、前記残部のグリーンシートｇ２に対し、長軸および短軸が小さい貫通孔を形成し、前記同様のマスキングを含む導電性ベーストの塗布工程を、更に行うことにより、前記凹部１０ａおよびその付近の裏面導体層１３、壁面導体層１５，１８、段部導体層１６、および表面配線層１９を有するセラミック配線基板１を製造することも可能である。

次に、前記凹部２０ａを有するセラミック配線基板１の製造方法を説明する。
予め、前記同様である２枚のグリーンシートｇ１，ｇ２を用意した。
先ず、図８（Ａ）に示すように、追ってセラミック層ｃ１となるグリーンシートｇ１の境界４３に沿って前記同様の打ち抜き加工を行って、比較的大径の貫通孔４６を形成し、追ってセラミック層ｃ２となるグリーンシートｇ２の境界４３に沿って同様の打ち抜き加工を行って、比較的小径の貫通孔４７を形成した。
次に、上記貫通孔４６，４７の内壁面ごとに対し、境界４３付近を除くように、一方の開口部の表面ｘに図示しないマスキングを施し、且つ前記同様の導電性ペーストを吸引・塗布して、図８（Ｂ）に示すように、未焼成である一対ずつの壁面導体層２５，２８を個別に形成した。

次いで、前記貫通孔４６，４７の一方の開口部が位置するグリーンシートｇ１，ｇ２の表面ｘごとに、図示ないスクリーンを用いて前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、図８（Ｃ）に示すように、平面視が扇形状を呈する一対ずつで未焼成の裏面導体層２３と、一対ずつで未焼成の段部導体層２６ａとを、境界４３から前記距離ｓを離し且つ前記壁面導体層２５，２８と接続するように形成した。尚、前記壁面導体層２５，２８と、上記裏面導体層２３および段部導体層２６ａとは、同時に形成するようにしても良い。

更に、グリーンシートｇ２における他方の表面ｙに開口する貫通孔４７の周囲に、境界４３を挟んで対称に且つ前記同様のスクリーン印刷を行って、図８（Ｄ）に示すように、一対の壁面導体層２８と個別に接続する一対の表面配線層２９を形成した。尚、グリーンシートｇ２の表面ｙには、未焼成の電極パッド６が配線基板領域４１ごとに複数ずつ形成され、且つ該電極パッド６と前記内部配線層８との間には、予め穿孔された細孔内に未焼成のビア導体９が形成された。

次に、図８（Ｅ）中の矢印で示すように、前記グリーンシートｇ１，ｇ２を、それらの境界４３が平面視で重なり、且つグリーンシートｇ１側の壁面導体層２５と、グリーンシートｇ２側の段部導体層２６ａとが境界４３を挟んで個別に接続するように、圧着および積層してグリーンシート積層体を形成した。
次いで、上記グリーンシート積層体を焼成して、図８（Ｆ）に示すように、セラミック層ｃ１，ｃ２を積層してなるセラミック積層体ＣＳ２を形成した。
更に、上記セラミック積層体ＣＳ２を図示しない電解Ｎｉメッキ槽および電解Ａｕメッキ槽に順時浸漬して、外部に露出する焼成済みの前記電極パッド６、裏面導体層２３、壁面導体層２５、および段部導体層２６ａの表面ごとに、Ｎｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜からなる金属メッキ膜（図示せず）を被覆した。

そして、図８（Ｆ）中に示すように、境界４３に沿って高速回転するダイシングブレード４５を挿入し且つ図示の前後方向に沿って移動させる個片化工程を行った。この際、上記ダイシングブレード４５は、セラミック層ｃ１，ｃ２のみを切断しており、前記裏面導体層２３、壁面導体層２５，２８、および段部導体層２６ａの何れにも、接触していなかった。
その結果、図８（Ｇ）に示すように、切断面からなる四辺の側面５を含む基板本体２、および凹部２０ａ付近ごとに位置する裏面導体層２３、壁面導体層２５、および段部導体層２６ａを含むセラミック配線基板１を複数個得ることができた。

以上のようなセラミック配線基板１の製造方法によれば、前記個片化工程において、前記ダイシングブレード４５が、裏面導体層２３、壁面導体層２５、および段部導体層２６ａの何れにも、接触しなかったことにより、前記効果（８）〜（１１）を奏することができた。
尚、前記前記個片化工程は、前記ダイシングブレード４５に替えて、前記境界４３に沿ってレーザ光を連続して照射するレーザ切断加工を行っても良い。
また、前記凹部２０およびその付近の裏面導体層２３、壁面導体層２５、および段部導体層２６を有するセラミック配線基板１も、前記同様の製造方法によって容易に製造することができる。
更に、前記凹部３０，３０ａとその付近の裏面導体層３３、壁面導体層３５、および段部導体層３６，３６ａなどを有するセラミック配線基板１も、前記の製造方法を若干変更することによって容易に製造することができる。

図９（Ａ）は、前記貫通孔４４の応用形態の貫通孔４４ａの付近を示す概略図である。かかる貫通孔４４ａは、図示のように、平面視が長円形状を呈する貫通孔４４内における一対の対向する平坦な内壁面ごとに浅い凹溝４８を更に形成したものである。かかる貫通孔４４ａを有する前記グリーンシートｇ１，ｇ２を用いることにより、図９（Ｂ）に示すように、前記凹部１０，１０ａの内壁面１１，１７には、奥凹部１１ａ，１７ａが形成される。
その結果、前記距離ｓや製造時のマスキングによって、壁面導体層１５，１８の幅が狭くなっても厚みを厚くすることで、隣接する裏面導体層１３や段部導体層１６，１６ａや表面配線層１９との電気的接続を確保することが容易となる。

図１０（Ａ）は、前記貫通孔４６，４７の応用形態の貫通孔４６ａ，４７ａの付近を示す概略図である。かかる貫通孔４６ａ，４７ａは、図示のように、平面視が円形状を呈する貫通孔４６，４７内において、境界４３から最も離れ且つ対称に湾曲する一対の内壁面ごとに浅い凹溝４９を更に形成したものである。かかる貫通孔４６ａ，４７ａを有する前記グリーンシートｇ１，ｇ２を用いることによって、図１０（Ｂ）に示すように、前記凹部２０，２０ａの内壁面２１，２７には、奥凹部２１ａ，２７ａが形成される。
その結果、前記距離ｓや製造時のマスキングによって、壁面導体層２５，２８の幅が狭くなっても厚みを厚くすることで、隣接する裏面導体層２３や段部導体層２６，２６ａや表面配線層２９との電気的接続を確保することが容易となる。
尚、前記凹部３０，３０ａの内壁面３１にも、例えば、平面視が円弧形状の奥凹部を併せて形成することも可能である。

本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記基板本体２の表面３および裏面４は、平面視で長方形（矩形）状を呈するものでも良い。
また、前記凹部と、その付近に形成される表面（裏面）導体層、壁面導体層、および段部導体層とは、前記基板本体２における四辺の側面５のうち、少なくとも何れか１つの側面５で、且つ少なくとも基板本体２の表面３および裏面４の何れか一方に配設されていれば良い。
更に、前記セラミック配線基板１は、前記凹部１０，２０，３０の何れかを前記基板本体２の表面３側にのみ有する形態としても良い。
加えて、前記基板本体２の表面３における平面視で中央側には、該表面３に開口するキャビティが位置し、該キャビティの底面に形成される電極パッドと、前記段部導体層とが内部配線層を介して電気的に接続されていても良い。

本発明によれば、複数のセラミック層からなる基板本体の側面に開口し且つ軸方向の段部を含む凹部を有し、該凹部の内壁面、段部、および基板本体の表面の間を確実に接続する導体層を有するセラミック配線基板、および該配線基板の製造方法を確実に提供することができる。

１………………………………………………セラミック配線基板
２………………………………………………基板本体
３………………………………………………表面
４………………………………………………裏面（表面）
５………………………………………………側面
１０,１０ａ,２０,２０ａ,３０,３０ａ…凹部
１１，１７，２１，２７，３１，３７…内壁面
１１ａ，１７ａ，２１ａ，２７ａ………奥凹部
１２,１２ａ,２２,２２ａ,３２,３２ａ…段部
１３，２３，３３……………………………裏面導体層（表面導体層）
１５，１８，２５，２８，３５，３８……壁面導体層
１６,１６ａ,２６,２６ａ,３６,３６ａ…段部導体層
１９，２９……………………………………表面配線層
４０……………………………………………製品エリア
４１……………………………………………配線基板領域
４２……………………………………………耳部
４３……………………………………………境界
４４，４６，４７……………………………貫通孔
ｃ１〜ｃ３……………………………………セラミック層
Ｃ………………………………………………コーナ
ＣＳ１，ＣＳ２………………………………セラミック積層体
ｇ１，ｇ２……………………………………グリーンシート
ｓ………………………………………………距離

Claims (7)

1. 複数のセラミック層を積層してなり、平面視が矩形状で且つ対向する一対の表面と、かかる一対の表面の間に位置し且つ切断面からなる四辺の側面とを有する基板本体と、
   上記基板本体における何れかの側面における少なくとも一方の表面側、あるいは、隣接する一対の側面間のコーナに形成され、該側面または該コーナの厚み方向に沿った平面視が凹形状の内壁面と、該内壁面の端部を構成する段部とを有する凹部と、
   上記基板本体の表面における上記凹部の端縁に沿って形成された表面導体層と、
   上記段部の表面に形成された段部導体層と、
   上記内壁面に形成され、且つ上記表面導体層と段部導体層との間を接続する壁面導体層と、を備え、
   上記表面導体層、段部導体層、および壁面導体層と、上記基板本体の側面との間には、該基板本体を構成するセラミック層の一部が露出している、
   ことを特徴とするセラミック配線基板。
2. 前記表面導体層、段部導体層、および壁面導体層と、上記基板本体の側面との間には、前記セラミック層 の一部が少なくとも２０μｍ以上の距離で露出している、
   ことを特徴とする請求項１に記載のセラミック配線基板。
3. 前記凹部は、前記基板本体の側面または一対の側面の厚み方向に沿って、該側面に開口する幅寸法および当該側面からの奥行寸法が２段階以上に変化して形成されていると共に、厚み方向で隣接する広狭の内壁面同士の間に前記段部が位置している、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載のセラミック配線基板。
4. 前記凹部は、平面視が半長円形状、半楕円形状、または半円形状を呈し、且つ該凹部の前記内壁面における前記基板本体の側面または一対の側面と平行な方向に沿った中間には、該基板本体の中央側に進入する奥凹部を有していると共に、該奥凹部内に前記壁面導体層の厚みの一部または全部が位置している、
   ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のセラミック配線基板。
5. 前記表面導体層、壁面導体層、および段部導体層の表面には、少なくとも金属メッキ膜が被覆されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載のセラミック配線基板。
6. 請求項１乃至５の何れか一項に記載のセラミック配線基板の製造方法であって、
   平面視で縦横に複数の配線基板領域を併有する製品エリアと、かかる製品エリアの周囲に位置する耳部とを有する複数のグリーンシートを準備する工程と、
   一部の上記グリーンシートにおいて、隣接する配線基板領域間を区画する境界および製品エリアと耳部との境界の厚み方向に沿って貫通孔を形成する工程と、
   上記一部のグリーンシートにおいて、上記貫通孔の内壁面、および何れか一方の開口部の周囲で該内壁面に接し且つ上記境界から離れた位置に導電性ペーストを配置して、未焼成の壁面導体層および表面導体層を形成する工程と、
   残部の上記グリーンシートにおいて、追って上記一部のグリーンシートと積層した際に上記貫通孔における一方の開口部が隣接する表面で且つ上記境界から離れた位置に導電性ペーストを配置して、未焼成の段部導体層形成する工程と、
   上記複数のグリーンシートを積層および圧着してグリーンシート積層体を形成する工程と、
   上記グリーンシート積層体および導電性ベーストを焼成して、上記貫通孔の開口部が露出する表面に上記境界から離れて位置する表面導体層と、セラミック層間に位置し且つ上記境界から離れて位置する段部導体層と、上記貫通孔の内壁面で且つ上記境界から離れて位置する壁面導体層とを有するセラミック積層体を形成する工程と、
   上記セラミック積層体の表面導体層、段部導体層、および壁面導体層の表面に電解金属メッキを施す工程と、
   上記メッキ後のセラミック積層体を前記境界に沿って切断して、複数のセラミック配線基板に個片化する工程と、を備える、
   ことを特徴とするセラミック配線基板の製造方法。
7. 前記残部のグリーンシートに対しても、前記一部のグリーンシートに形成した前記貫通孔と相似形状で且つこれよりも小径または小長軸の貫通孔を形成する工程と、
   上記小径または小長軸の貫通孔の内壁面、および何れか一方の開口部の表面で前記内壁面に接し且つ前記境界から離れた位置に導電性ペーストを配置して、未焼成の壁面導体層および段部導体層または表面配線層を形成する工程とを行う、
   ことを特徴とする請求項６に記載のセラミック配線基板の製造方法。

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