JP2001274280A - 多数個取りセラミック配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 メタライズ配線やメタライズ端子間に電気的
短絡が発生し易いとともにメタライズ配線やメタライズ
端子に腐食が発生し易すく、メタライズ配線とメタライ
ズ端子との接続信頼性が低い。 【解決手段】 略平板状のセラミック母基板１に各々が
分割線３で区切られて配列形成された多数の配線基板領
域２と、分割線３上に形成され、下面側に開口するとと
もに上面側に天井面を有する端子形成用穴４と、端子形
成用穴４の側壁の上端から下端にかけて分割線３から離
間して形成された切り欠き６と、切り欠き６内に形成さ
れたメタライズ端子７と、各配線基板領域２の上面から
内部を介して端子形成用穴４の上端縁にかけて分割線３
から離間して形成され、メタライズ端子７の端面に接続
されたメタライズ配線５とを具備する多数個取りセラミ
ック配線基板である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や水晶
振動子等の電子部品を搭載するための小型配線基板とな
る多数個の配線基板領域を広面積のセラミック母基板中
に縦横に配列形成して成る多数個取りセラミック配線基
板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子や圧電振動子等の電子
部品を搭載するための小型配線基板は、図５に断面図
で、図６に下方からの斜視図で示すように、例えば酸化
アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成る略平板
状の絶縁基体31の側面に、上面側に天井面を有し下面ま
で延びる複数の凹所32を形成するとともに、絶縁基体31
上面から内部を介して凹所32の側壁上端縁まで延出する
メタライズ配線25およびこのメタライズ配線25に接続さ
れ、凹所32の側壁の上端から下端にかけて導出するメタ
ライズ端子26を配設して成る。

【０００３】そして、この小型配線基板においては、絶
縁基体31の上面に電子部品33を搭載するとともにこの電
子部品33の各電極を半田バンプ34等の電気的接続手段を
介してメタライズ配線25に電気的に接続し、しかる後、
絶縁基体31の上面に電子部品33を封止するようにして図
示しないポッティング樹脂や椀状の金属蓋体を取着する
ことによって最終製品としての電子装置となり、この電
子装置は、絶縁基体31のメタライズ端子26を外部電気回
路基板の配線導体に半田を介して接続することによって
外部電気回路基板に実装されることとなる。

【０００４】ところで、このような小型配線基板は近時
の電子装置の小型化の要求に伴い、その大きさが数ｍｍ
角程度の極めて小さなものとなってきており、多数個の
小型配線基板の取り扱いを容易とするために、また小型
配線基板および電子装置の製作を効率よくするために１
枚の広面積のセラミック母基板中から多数個の小型配線
基板を同時集約的に得るようになした、いわゆる多数個
取りセラミック配線基板の形態で製作される。

【０００５】この多数個取りセラミック配線基板は、図
７に部分断面図で、図８に透視部分上面図で示すよう
に、略四角平板状の広面積のセラミック母基板21に多数
個の配線基板領域22が各々仮想線である分割線23で区切
られるようにして縦横に配列形成されており、各配線基
板領域22を区切る分割線23上には、上面側に天井面を有
して下面に開口する略円形の端子形成用穴24が形成され
ている。そして、各配線基板領域22には、その上面から
内部を介して端子形成用穴24の側壁の上端縁に導出する
複数のメタライズ配線導体25が被着形成されており、さ
らに端子形成用穴24の側壁の上端から下端にかけてはメ
タライズ端子26が被着形成されている。

【０００６】なお、この多数個取りセラミック配線基板
においては、通常は、メタライズ配線25およびメタライ
ズ端子26の露出表面に図示しないニッケルめっき膜およ
び金めっき膜を順次被着させており、このめっき膜によ
りメタライズ配線25やメタライズ端子26が酸化腐食する
のを防止するとともにメタライズ配線25と電子部品との
接続やメタライズ端子26と外部電気回路基板の配線導体
との接続が良好なものとなるようにしている。

【０００７】そして、この多数個取りセラミック配線基
板では、各配線基板領域22の上面に電子部品を搭載する
とともに電子部品の各電極とメタライズ配線25とを半田
バンプ等を介して電気的に接続し、しかる後、電子部品
をポッティング樹脂や金属蓋体で封止し、最後にセラミ
ック母基板21を分割線23に沿ってダイシングマシーン等
の切断装置により切断して分割すれば、多数個の電子装
置が同時集約的に製作されることとなる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の多数個取りセラミック配線基板によると、セラミッ
ク母基板21を分割線23に沿ってダイシングマシーン等の
切断装置により切断して分割する際に、切断装置の切断
刃がメタライズ配線25およびメタライズ端子26を横切っ
て切断することからメタライズ配線25やメタライズ端子
26に被着させためっき膜が切断刃との摩擦により端子形
成用穴24内に延びてバリを発生し、このバリが各小型配
線基板の外部電気回路基板への正常な実装を妨げたり、
あるいは各小型配線基板の隣接するメタライズ配線25や
メタライズ端子26間に電気的な短絡を引き起こしてしま
いやすいという問題点を有していた。また同時に、切断
装置の切断刃がメタライズ配線25およびメタライズ端子
26を横切って切断することからセラミック母基板21を切
断装置で切断した後に、各小型配線基板のメタライズ配
線25やメタライズ端子26の切断面がめっき膜で覆われず
に露出してしまうこととなり、この部分において腐食が
発生してしまい易いという問題点も有していた。さら
に、メタライズ配線25とメタライズ端子26とは端子形成
用穴24の側壁の上端縁において互いの端部同士のみが狭
い面積で接続されており、そのため各配線基板領域22に
おけるメタライズ配線25とメタライズ端子26との電気的
接続の信頼性が低いという問題点を有していた。

【０００９】本発明は、かかる従来の欠点に鑑み案出さ
れたものであり、その目的は、セラミック母基板を分割
線に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断
して分割する際に、メタライズ配線やメタライズ端子に
被着させためっき膜にバリが発生することがなく、得ら
れる小型配線基板を外部電気回路基板に正常に実装でき
るとともに、得られる小型配線基板の隣接するメタライ
ズ配線やメタライズ端子間に電気的短絡が発生しない多
数個取りセラミック配線基板を提供することにある。ま
た、本発明の別の目的は、セラミック母基板を分割線に
沿って切断分割して各小型配線基板となした後、各小型
配線基板におけるメタライズ配線およびメタライズ端子
がめっき膜で完全に覆われ、これらのメタライズ配線や
メタライズ端子に腐食が発生しにくい多数個取りセラミ
ック配線基板を提供することにある。さらに、本発明の
別の目的は、メタライズ配線とメタライズ端子との接続
面積が広く、両者間の接続信頼性の高い多数個取りセラ
ミック配線基板を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の多数個取りセラ
ミック配線基板は、略平板状のセラミック母基板に各々
が分割線で区切られて配列形成された多数の配線基板領
域と、分割線上に形成され、下面側に開口するとともに
上面側に天井面を有する端子形成用穴と、端子形成用穴
の側壁の上端から下端にかけて分割線から離間して形成
された切り欠きと、この切り欠き内に形成されたメタラ
イズ端子と、各配線基板領域の表面から内部を介して端
子形成用穴にかけて分割線から離間して形成され、メタ
ライズ端子の端部に接続されたメタライズ配線とを具備
することを特徴とするものである。

【００１１】本発明の多数個取りセラミック配線基板に
よれば、メタライズ配線とメタライズ端子とが分割線か
ら離間して設けられていることから、セラミック母基板
を分割線に沿ってダイシングマシーン等の切断装置で切
断して分割する際に、この離間した部位を切断すること
により切断装置の切断刃とメタライズ配線およびメタラ
イズ端子とを接触させることなく切断分割することが可
能となり、その結果、メタライズ配線やメタライズ端子
に被着させためっき膜に切断刃との摩擦によるバリを発
生させるようなことはないと同時にメタライズ配線やメ
タライズ端子がめっき膜で覆われずに露出するようなこ
とはない。また、メタライズ配線は、端子形成用穴の切
り欠き部内に形成されたメタライズ端子の端部に接続さ
れていることから、両者が広い面積で信頼性高く接続さ
れる。

【００１２】

【発明の実施の形態】つぎに、本発明の多数個取りセラ
ミック配線基板について添付の図面を基に説明する。

【００１３】図３は、本発明の多数個取りセラミック配
線基板から製作される小型配線基板の実施形態例を示す
断面図、図４は、図３に示す小型配線基板の下方からの
斜視図である。

【００１４】図３および図４に示すように、本発明の多
数個取りセラミック配線基板から製作される小型配線基
板11は、セラミックス材料から成る略四角平板状の絶縁
基体12にメタライズ配線５とメタライズ端子７とメタラ
イズパッド８とを配設して成る。そして、絶縁基体12の
上面には半導体素子等の電子部品13が搭載され、この電
子部品13の電極が半田や金から成るバンプ14を介してメ
タライズ配線５に接続される。また、メタライズ端子７
およびメタライズパッド８は図示しない外部電気回路基
板の配線導体に半田を介して接続され、それにより小型
配線基板11が外部電気回路基板に実装される。

【００１５】絶縁基体12は大きさが略0.5〜10ｍｍ角程
度、厚みが0.2〜１ｍｍ程度であり、その側面に、上面
側に天井面を有して下面まで延びる略半円形状の複数の
凹所15が形成されている。凹所15は、その半径が150〜4
00μｍ程度、高さが100〜500μｍ程度である。そして、
絶縁基体12の上面から凹所15の内側の上端縁にかけては
メタライズ配線５が導出している。なお、この例では凹
所15の形状は、略半円形状であるが、凹所15の形状は略
半円形状に限らず略半長円形状や略半四角形状等他の形
状であってもかまわない。さらに、各凹所15の側壁に
は、その上端から下端にかけて略半円形状の切り欠き６
がそれぞれ形成されている。切り欠き６は、その半径が
25〜125μｍ程度である。そして、この切り欠き６内に
はメタライズ端子７が充填されており、メタライズ配線
５はメタライズ端子７の上端に接続されている。そのた
めメタライズ配線５とメタライズ端子７とが広い面積で
接続されている。なお、この例では切り欠き６は、略半
円形状であるが、切り欠き６の形状は略半円形状に限ら
ず略半長円形状や略半四角形状等他の形状であってもか
まわない。さらに、絶縁基体12の内部から凹所15の天井
面にかけてはメタライズパッド８が導出している。メタ
ライズパッド８は、その一部がメタライズ配線５の一部
に積層されており、それによりメタライズ配線５および
メタライズ端子７に電気的に接続されている。そして、
メタライズパッド８が凹所15の天井面に導出しているこ
とから、この小型配線基板11を外部電気回路基板に実装
する際、凹所15の天井面に導出したメタライズパッド８
と外部電気回路基板の配線導体との間に大きな半田の溜
まりを形成することが可能である。なお、メタライズ配
線５とメタライズ端子７とメタライズパッド８とは、凹
所15の外側の端縁から100〜400μｍ程度離間して設けら
れており、その露出する全面に厚みが１〜５μｍ程度の
ニッケルめっき膜および厚みが0.1〜２μｍ程度の金め
っき膜が順次被着されている。そのため、メタライズ配
線５とメタライズ端子７とメタライズパッド８とが酸化
腐食するのを有効に防止することができるとともに、メ
タライズ配線５とバンプ14との接続やメタライズ端子７
およびメタライズパッド８と半田との接続を良好なもの
となすことが可能である。

【００１６】次に、上述の小型配線基板11を製作するた
めの本発明の多数個取りセラミック配線基板の実施形態
例を図１に部分断面図で、図２に透視部分上面図で示
す。図１および図２において、１はセラミック母基板、
２は配線基板領域である。

【００１７】セラミック母基板１は、酸化アルミニウム
質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結
体・窒化珪素質焼結体・炭化珪素質焼結体・ガラス−セ
ラミックス等の電気絶縁材料から成る略四角平板であ
り、その中央部に各々が仮想線である分割線３で区切ら
れた多数の配線基板領域２が縦横に配列形成されてい
る。

【００１８】セラミック母基板１は、例えば酸化アルミ
ニウム質焼結体からなる場合であれば、酸化アルミニウ
ム・酸化珪素・酸化カルシウム・酸化マグネシウム等の
原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤を添加混合し
て泥漿状となすとともに、これを従来周知のドクタブレ
ード法を採用してシート状に形成して複数枚のセラミッ
クグリーンシートを得、しかる後、このセラミックグリ
ーンシートに適当な打ち抜き加工およびタングステンや
モリブデン等の高融点金属粉末を含む金属ペーストの印
刷を施すとともに積層し、これを還元雰囲気中、約1600
℃の温度で焼成することによって製作される。

【００１９】セラミック母基板１に配列形成された各配
線基板領域２は、各々が上述の小型配線基板11となる領
域であり、セラミック母基板１を分割線３に沿ってダイ
シングマシーン等の切断装置により切断して分割するこ
とにより多数個の小型配線基板11が同時集約的に製作さ
れる。

【００２０】また、セラミック母基板１の下面側で分割
線３上には上面側に天井面を有する半径が150〜400μｍ
で高さが100〜500μｍ程度の略円形の端子形成用穴４が
形成されている。端子形成用穴４は、小型配線基板11の
凹所15となる部分であり、セラミック母基板１が分割線
３に沿って分割されることにより各小型配線基板11の凹
所15を形成する。このような端子形成用穴４は、セラミ
ック母基板１用のセラミックグリーンシートの所定位置
に打ち抜き金型を用い略円形の貫通孔を穿孔しておくこ
とによってセラミック母基板１の下面側で分割線３上に
所定の形状に形成される。なお、この例では端子形成用
穴４は略円形であるが、端子形成用穴４は長円形や四角
形等他の形状であってもかまわない。

【００２１】また、各配線基板領域２には、その上面か
ら端子形成用穴４の上端縁にかけて複数個のメタライズ
配線５が分割線３から約100〜400μｍ程度離間して配設
されている。メタライズ配線５は、タングステンやモリ
ブデン・銀・銅等の金属粉末メタライズから成り、搭載
される電子部品の各電極を外部の電気回路に電気的に導
出するための導電路の一部として機能し、そして、この
メタライズ配線５の露出表面にはメタライズ配線５の酸
化腐食を防止するとともにメタライズ配線５と半田バン
プ等との電気的接続を良好なものとするために、図示し
ない１〜５μｍ程度の厚みのニッケルめっき膜および0.
1〜２μｍ程度の厚みの金めっき膜が順次被着されてい
る。この場合、メタライズ配線５は、分割線３から約10
0〜400μｍ程度離間して設けられていることから、セラ
ミック母基板１を分割線３に沿ってダイシングマシーン
等の切断装置により切断する際に、この離間した部分を
切断装置の切断刃が通過するようにして切断することに
より切断刃とメタライズ配線５とを接触させることなく
切断することが可能となる。その結果、セラミック母基
板１を分割線３に沿ってダイシングマシーン等の切断装
置により切断する際に、メタライズ配線５に被着させた
めっき膜に切断装置の切断刃との摩擦によりバリが発生
することはなく、また、切断後にメタライズ配線５がめ
っき膜で覆われずに露出することもない。

【００２２】なお、メタライズ配線５は、分割線３から
の離間距離が100μｍ未満となると、セラミック母基板
１を分割線３に沿ってダイシングマシーン等の切断装置
により切断する際に、切断装置の切断刃とメタライズ配
線５とを接触させることなく切断することが困難となる
傾向にあり、他方、分割線３からの離間距離が400μｍ
を超えると、この離間部分が各配線基板領域２中に無駄
な領域を増大させ、配線基板領域２内部を有効に利用す
ることが困難となってしまう傾向にある。したがって、
メタライズ配線５の分割線３からの離間距離は、100〜4
00μｍの範囲が好ましく、特には125〜200μｍの範囲が
好ましい。

【００２３】このようなメタライズ配線５は、セラミッ
ク母基板１用のセラミックグリーンシートの一部にメタ
ライズ配線５を導出させるための貫通孔を打ち抜き金型
やレーザ穿孔装置によって穿孔するとともに、この貫通
孔内およびセラミックグリーンシートの表面にメタライ
ズ配線５用の金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷
法等を採用して所定パターンに充填および塗布し、これ
をセラミックグリーンシートの積層体とともに焼成する
ことによってセラミック母基板１の各配線基板領域２の
上面から端子形成用穴４の上端縁にかけて分割線３から
約100〜400μｍ程度離間して被着形成される。なお、メ
タライズ配線５用の金属ペーストは、例えばメタライズ
配線５がタングステン粉末メタライズから成る場合であ
れば、タングステン粉末に適当な有機バインダ・溶剤・
可塑剤等を添加混合して適当な粘度に調整することによ
って得られる。

【００２４】さらに、各端子形成用穴４には分割線３か
ら100〜400μｍ程度離間して各配線基板領域２の中央側
に食い込む半径が25〜125μｍ程度の略半円形の切り欠
き６がその上端から下端にかけて形成されており、この
切り欠き６の内部にはメタライズ端子７が充填されてい
る。

【００２５】切り欠き６は、メタライズ端子７を収容す
るための空間を提供するためのものであり、この切り欠
き６の内部に充填されたメタライズ端子７の上端面を覆
うようにしてメタライズ配線５が接続されている。そし
て、切り欠き６に十分な幅と奥行きを付与することによ
り、メタライズ端子７の端面の面積を大きなものとして
メタライズ配線５とメタライズ端子７との接続を極めて
信頼性の高いものとすることが可能である。なお、その
ためには、切り欠き６は、その幅が100μｍ程度以上で
あり、その奥行きが50μｍ程度以上であることが好まし
い。

【００２６】また、切り欠き６は、その形状が略半円形
状となっていると、セラミック母基板１を分割線３に沿
ってダイシングマシーン等の切断装置により切断する際
に、切断に伴う応力が切り欠き６の近傍に印加されたと
してもその応力は略半円形状の切り欠き６の内壁に沿っ
て良好に分散されてしまうので得られる小型配線基板11
にクラック等が発生しにくい。したがって、切り欠き６
は、その形状が略半円形状となっていることが好まし
い。

【００２７】切り欠き６内に充填されたメタライズ端子
７は、タングステンやモリブデン・銀・銅等の金属粉末
メタライズから成り、搭載される電子部品の各電極を後
述するメタライズパッド８とともに外部電気回路基板の
配線導体に電気的に接続するための端子として機能し、
各配線基板領域２に電子部品を搭載するとともにセラミ
ック母基板１を分割線３に沿って分割して小型配線基板
11となした後、このメタライズ端子７を外部電気回路基
板の配線導体に半田を介して接続することによって、電
子部品の各電極がメタライズ配線５およびメタライズ端
子７およびメタライズパッド８を介して外部電気回路に
電気的に接続される。また、このメタライズ端子７の露
出表面にはメタライズ端子７の酸化腐食を防止するとと
もにメタライズ端子７と外部電気回路基板の配線導体と
の半田を介した接続を良好なものとするために、図示し
ない１〜５μｍ程度の厚みのニッケルめっき膜および0.
1〜２μｍ程度の厚みの金めっき膜が順次被着されてい
る。そして、メタライズ端子７は、分割線３から約100
〜400μｍ程度離間した切り欠き６内に設けられている
ことから、セラミック母基板１を分割線３に沿ってダイ
シングマシーン等の切断装置により切断する際に、この
離間した部分を切断装置の切断刃が通過するようにして
切断することにより切断刃とメタライズ端子７とを接触
させることなく切断することが可能となる。その結果、
セラミック母基板１を分割線３に沿ってダイシングマシ
ーン等の切断装置により切断する際に、メタライズ端子
７に被着させためっき膜に切断装置の切断刃との摩擦に
よりバリが発生することはなく、また、切断後にメタラ
イズ端子７がめっき膜で覆われずに露出することもな
い。なお、メタライズ端子７は、分割線３からの離間距
離が100μｍ未満となると、セラミック母基板１を分割
線３に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切
断する際に、切断装置の切断刃とメタライズ端子７とを
接触させることなく切断することが困難となる傾向にあ
り、他方、分割線３からの離間距離が400μｍを超える
と、この離間部分が各配線基板領域２中に無駄な領域を
増大させ、配線基板領域２を有効に利用することが困難
となってしまう傾向にある。したがって、メタライズ端
子７の分割線３からの離間距離は、100〜400μｍの範囲
が好ましく、特には125〜200μｍの範囲が好ましい。

【００２８】このような切り欠き６およびメタライズ端
子７は、まず端子形成用穴４用の貫通孔が形成される前
のセラミック母基板１用のセラミックグリーンシートに
切り欠き６用の半径25〜125μｍ程度の略円形の貫通孔
をその中心が分割線３となる位置から100〜400μｍ程度
離間するようにして形成し、次に、この貫通孔内にメタ
ライズ端子７用の金属ペーストを充填し、これを乾燥さ
せた後、このセラミックグリーンシートに端子形成用穴
４用の貫通孔をその一部が金属ペーストが充填された貫
通孔の分割線側の約半分にまたがるようにして打ち抜く
ことによって形成される。

【００２９】なお、メタライズ配線５がメタライズ端子
７の上端面を覆うようにして両者を接続させるには、セ
ラミック母基板１用のセラミックグリーンシートに形成
された切り欠き６用の貫通孔内にメタライズ端子７用の
金属ペーストを充填した後、この貫通孔に充填された金
属ペーストを覆うようにしてメタライズ配線５用の金属
ペーストを印刷塗布すればよい。このメタライズ配線５
用の金属ペーストの印刷塗布は、端子形成用穴４用の貫
通孔を打ち抜く前に行なってもよいし、打ち抜いた後に
行なってもよい。

【００３０】またさらに、各配線基板領域２の内部から
端子形成用穴４の天井面にかけては、タングステンやモ
リブデン・銀・銅等の金属粉末メタライズから成るメタ
ライズパッド８が分割線３から100〜400μｍ程度離間し
て配設されている。メタライズパッド８は、搭載される
電子部品の各電極を前述のメタライズ端子７とともに外
部電気回路基板の配線導体に電気的に接続するための端
子として機能し、その一部はメタライズ配線５の一部に
積層されて接続されている。そして、セラミック母基板
１を分割して得られる小型配線基板11を外部電気回路基
板に実装する際に、このメタライズパッド８により外部
電気回路基板の配線導体との間に大きな半田の溜まりが
形成され、それにより小型配線基板11の外部電気回路基
板への実装強度を極めて高いものとすることができる。
このメタライズパッド８の露出表面にはメタライズパッ
ド８の酸化腐食を防止するとともにメタライズパッド８
と半田との電気的接続を良好なものとするために、図示
しない１〜５μｍ程度の厚みのニッケルめっき膜および
0.1〜２μｍ程度の厚みの金めっき膜が順次被着されて
いる。そして、メタライズパッド８は、分割線３から約
100〜400μｍ程度離間して設けられていることから、セ
ラミック母基板１を分割線３に沿ってダイシングマシー
ン等の切断装置により切断する際に、この離間した部分
を切断装置の切断刃が通過するようにして切断すること
により切断刃とメタライズパッド８とを接触させること
なく切断することが可能となる。その結果、セラミック
母基板１を分割線３に沿ってダイシングマシーン等の切
断装置により切断する際に、メタライズパッド８に被着
させためっき膜に切断装置の切断刃との摩擦によりバリ
が発生することはなく、また、切断後にメタライズパッ
ド８がめっき膜で覆われずに露出することもない。

【００３１】なお、メタライズパッド８は、分割線３か
らの離間距離が100μｍ未満となると、セラミック母基
板１を分割線３に沿ってダイシングマシーン等の切断装
置により切断する際に、切断装置の切断刃とメタライズ
パッド８とを接触させることなく切断することが困難と
なる傾向にあり、他方、分割線３からの離間距離が400
μｍを超えると、この離間部分が各配線基板領域２中に
無駄な領域を増大させ、配線基板領域２を有効に利用す
ることが困難となってしまう傾向にある。したがって、
メタライズパッド８の分割線３からの離間距離は、100
〜400μｍの範囲が好ましく、特には125から200μｍの
範囲が好ましい。

【００３２】このようなメタライズパッド８は、セラミ
ック母基板１用のセラミックグリーンシートの表面にメ
タライズパッド８用の金属ペーストを従来周知のスクリ
ーン印刷法等を採用して所定のパターンに印刷塗布し、
これをセラミックグリーンシートの積層体とともに焼成
することによって各配線基板領域２の内部から端子形成
用穴４の天井面にかけて分割線３から100〜400μｍ程度
離間して形成される。なお、メタライズパッド８用の金
属ペーストは、メタライズ端子パッド８がタングステン
粉末メタライズから成る場合であれば、タングステン粉
末に適当なバインダ・溶剤等を添加混合して適当な粘度
に調整することによって製作される。

【００３３】かくして、本発明の多数個取りセラミック
配線基板によれば、各配線基板領域２の上面に電子部品
を搭載するとともにこの電子部品の各電極を各々対応す
るメタライズ配線５に半田バンプ等の電気的接続手段を
介して接続した後、各配線基板領域２の上面に電子部品
を封止するようにしてポッティング樹脂や金属蓋体を取
着し、最後にセラミック母基板１を分割線３に沿ってダ
イシングマシーン等の切断装置で切断して分割すること
により、小型配線基板に電子部品が搭載された電子装置
が多数個、同時集約的に製作される。

【００３４】なお、本発明は、上述の実施の形態の一例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば、種々の変更は可能であり、例えば上述の
実施の形態例では、各配線基板領域２の内部から端子形
成用穴４の天井面にかけて導出するメタライズパッド８
を設けたが、このようなメタライズパッド８は必ずしも
設ける必要はない。また、各配線基板領域２の下面にメ
タライズ端子７の下端に接続された外部接続用のメタラ
イズパッドを設けてもよい。

【００３５】

【発明の効果】本発明の多数個取りセラミック配線基板
によれば、メタライズ配線とメタライズ端子とが分割線
から離間して設けられていることから、セラミック母基
板を分割線に沿ってダイシングマシーン等の切断装置で
切断して分割する際に、この離間した部位を切断するこ
とにより切断装置の切断刃とメタライズ配線およびメタ
ライズ端子とを接触させることなく切断分割することが
可能となり、その結果、メタライズ配線やメタライズ端
子に被着させためっき膜に切断装置の切断刃との摩擦に
よるバリを発生させるようなことはない。従って、得ら
れる電子装置を外部電気回路基板に正常に実装すること
ができるとともにメタライズ配線やメタライズ端子に電
気的な短絡が発生することを有効に防止することができ
る。また同時に、メタライズ配線やメタライズ端子がめ
っき膜で覆われずに露出するようなことがないので、メ
タライズ配線やメタライズ端子に腐食が発生しにくい。
さらに、メタライズ配線が、端子形成用穴の内壁の切り
欠き内に形成されたメタライズ端子の端部に接続されて
いることから、両者が広い面積で信頼性高く接続され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多数個取りセラミック配線基板を分割
して製作される小型配線基板の断面図である。

【図２】図１に示す小型配線基板の下面側からの斜視図
である。

【図３】図１および図２に示す小型配線基板を製作する
ための本発明の多数個取りセラミック配線基板の実施形
態の一例を示す部分断面図である。

【図４】図３に示す多数個取りセラミック配線基板の透
視部分上面図である。

【図５】従来の多数個取りセラミック配線基板から製作
される小型配線基板の例を示す断面図である。

【図６】図５に示す小型配線基板の下面側からの斜視図
である。

【図７】図５および図６に示す小型配線基板を製作する
ための従来の多数個取りセラミック配線基板の部分断面
図である。

【図８】図７に示す多数個取りセラミック配線基板の透
視部分上面図である。

【符号の説明】

１・・・セラミック母基板 ２・・・配線基板領域 ３・・・分割線 ４・・・端子形成用穴 ５・・・メタライズ配線 ６・・・切り欠き ７・・・メタライズ端子 ８・・・メタライズパッド

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 略平板状のセラミック母基板に各々が分
   割線で区切られて配列形成された多数の配線基板領域
   と、前記分割線上に形成され、下面側に開口するととも
   に上面側に天井面を有する端子形成用穴と、該端子形成
   用穴の側壁の上端から下端にかけて前記分割線から離間
   して形成された切り欠きと、該切り欠き内に形成された
   メタライズ端子と、前記各配線基板領域の上面から内部
   を介して前記端子形成用穴の上端縁にかけて前記分割線
   から離間して形成され、前記メタライズ端子の端部に接
   続されたメタライズ配線導体とを具備することを特徴と
   する多数個取りセラミック配線基板。
2. 【請求項２】 前記端子形成用穴の天井面に前記分割線
   から離間して形成され、前記メタライズ配線導体に接続
   されたメタライズパッドを具備することを特徴とする請
   求項１記載の多数個取りセラミック配線基板。