JP2021180201A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェーハの裏面側に凹部を形成した後に、真空チャンバーの真空引きを行うこと無く、ウェーハの裏面側にダイシングテープを貼着する。【解決手段】ウェーハの裏面側のうちデバイス領域に対応する領域を研削して裏面側に凹部を形成することにより凹部の外側に環状補強部を形成する裏面側研削ステップと、凹部と環状補強部との境界部を切断する境界部切断ステップと、環状補強部をチャックテーブルから除去する環状補強部除去ステップと、ダイシングテープを介してウェーハが環状フレームで支持されたウェーハユニットを形成するウェーハユニット形成ステップと、を備え、チャックテーブルは、境界部に対応する位置に所定深さの環状の逃げ溝を有し、逃げ溝よりも内側に位置する保持面には、樹脂製の多孔質シートが設けられており、多孔質シートを介してデバイス領域を保持した状態で境界部切断ステップが行われるウェーハの加工方法を提供する。【選択図】図２

Description

本発明は、デバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域と、を表面側に有するウェーハにおいて、ウェーハの裏面側のうちデバイス領域に対応する領域を研削することにより、凹部と、凹部の外側に位置する環状補強部と、を裏面側に形成した後、環状補強部をウェーハから除去するウェーハの加工方法に関する。

複数の分割予定ラインが格子状に表面に設定され、当該複数の分割予定ラインで区画された複数の領域の各々にＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスが形成されたウェーハは、切削装置等を用いて個々のデバイスチップに分割された後、種々の電子機器に搭載される。

電子機器の小型化、軽量化等を図るために、個々のデバイスチップに分割される前のウェーハの裏面側を研削し、例えば５０μｍから１００μｍとなるまで薄化する場合がある。しかし、薄化されたウェーハの取り扱いは薄化前に比べて難しくなる。

そこで、ウェーハの裏面側のうち、複数のデバイスが形成されたデバイス領域に対応する領域を研削して裏面側に凹部を形成し、且つ、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域に対応する領域を研削せずに環状補強部として残すことにより、薄化後のウェーハの取り扱いを容易にする技術が提案され、実際に使用されている（例えば、特許文献１参照）。

裏面側に凹部が形成されたウェーハを分割予定ラインに沿って切削するときには、通常、ウェーハの裏面側にダイシングテープを貼着する。このとき、凹部の側面及び底面（即ち、凹部の形状）に追従する様に、ダイシングテープを貼着する必要がある。そこで、真空の圧力と、大気圧とを利用してダイシングテープを裏面側に貼着する、真空テープ貼着装置が提案され、実際に使用されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００７−１９４６１号公報 特開２０１０−１６１４７号公報

しかし、真空テープ貼着装置は高価であり、しかも、１つのウェーハを処理するたびに真空テープ貼着装置の真空チャンバーを真空引きする必要があるので、処理に時間を要する。それゆえ、作業効率の改善が求められている。

本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、ウェーハの裏面側に凹部を形成した後に、真空チャンバーの真空引きを行うこと無く、ウェーハの裏面側にダイシングテープを貼着することを目的とする。

本発明の一態様によれば、格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスを有するデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域と、を表面側に有するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの裏面側のうち該デバイス領域に対応する領域を研削して該裏面側に凹部を形成することにより該凹部の外側に環状補強部を形成する裏面側研削ステップと、該ウェーハの該表面側をチャックテーブルで保持した状態で、該裏面側から該表面側へ該ウェーハに吸収される波長を有するレーザービームを照射することにより、該凹部と該環状補強部との境界部を切断する境界部切断ステップと、該境界部切断ステップの後、該環状補強部を該チャックテーブルから除去する環状補強部除去ステップと、該環状補強部除去ステップの後、該ウェーハよりも大きな内径を有する環状フレームの一面側と、該環状補強部が除去された該ウェーハの該裏面側とにダイシングテープを貼着することにより、該ダイシングテープを介して該ウェーハが該環状フレームで支持されたウェーハユニットを形成するウェーハユニット形成ステップと、を備え、該チャックテーブルは、該凹部と該環状補強部との境界部に対応する位置に該レーザービームの影響を低減するための所定深さの環状の逃げ溝を有し、該チャックテーブルのうち該逃げ溝よりも内側に位置する保持面には、樹脂製の多孔質シートが設けられており、該多孔質シートを介して該デバイス領域を保持した状態で該境界部切断ステップが行われるウェーハの加工方法が提供される。

好ましくは、該境界部切断ステップで使用される該チャックテーブルで該ウェーハの該表面側を保持した状態で、該環状補強部除去ステップと、該ウェーハユニット形成ステップと、が行われる。

本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、裏面側研削ステップ、境界部切断ステップ及び環状補強部除去ステップの後、ウェーハよりも大きな内径を有する環状フレームの一面側と、環状補強部が除去されたウェーハの裏面側とにダイシングテープを貼着することにより、ダイシングテープを介してウェーハが環状フレームで支持されたウェーハユニットを形成する（ウェーハユニット形成ステップ）。

この様に、環状補強部を除去することにより、裏面側に凹部が無い状態で裏面側にダイシングテープを貼着できるので、真空チャンバーの真空引きを行うこと無く、裏面側にダイシングテープを貼着できる。それゆえ、裏面側にダイシングテープを貼着する処理の作業効率を向上できる。また、高価な真空テープ貼着装置を用いる必要もない。

加えて、本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、境界部切断ステップにおいて、凹部と環状補強部との境界部に対応する位置に所定深さの環状の逃げ溝を有するチャックテーブルを使用する。ウェーハをレーザー加工するとき、レーザービームの集光点は、ウェーハに位置付けられており、ウェーハを貫通したレーザービームは、拡散しながらチャックテーブル本体ではなく逃げ溝に入るので、レーザービームのパワーが分散される。それゆえ、チャックテーブル本体がレーザービームを吸収して変形する等のレーザービームの影響を低減できる。

更に、チャックテーブルのうち逃げ溝よりも内側に位置する保持面には、樹脂製の多孔質シートが設けられている。それゆえ、多孔質シートを用いてデバイス領域を吸引保持することで、デバイス領域へのダメージを低減すると同時に、レーザー加工時にウェーハの平面方向の位置ずれを防止することで精度良くウェーハを加工できる。

ウェーハの斜視図である。 ウェーハの加工方法のフロー図である。 裏面側研削ステップを示す斜視図である。 裏面側研削ステップ後のウェーハの断面図である。 チャックテーブル等の一部断面側面図である。 境界部切断ステップを示す一部断面側面図である。 境界部切断ステップ後のウェーハ等の一部断面側面図である。 環状補強部除去ステップを示す一部断面側面図である。 ウェーハユニット形成ステップを示す一部断面側面図である。 ウェーハユニットの断面図である。 ウェーハユニット形成ステップを示す一部断面側面図である。

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態に係る加工方法で加工する前のウェーハ１１の斜視図である。ウェーハ１１は、例えば、７００μｍの厚さを有する円盤状のシリコンウェーハである。

ウェーハ１１の表面１１ａには、複数の分割予定ライン（ストリート）１３が格子状に設定されている。複数の分割予定ライン１３で区画された複数の領域の各々には、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。デバイス１５は、表面１１ａから例えば１０μｍ程度突出している。

複数のデバイス１５が形成されたデバイス領域１７を囲繞する様に、デバイス領域１７の周囲には、デバイス１５を有しない外周余剰領域１９が存在する。なお、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。

ウェーハ１１は、シリコン以外の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料で形成されていてもよい。同様に、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。本実施形態では、図２に示す手順に従いウェーハ１１を加工する。

図２は、ウェーハ１１の加工方法のフロー図である。この加工方法では、研削装置２（図３参照）を用いて裏面１１ｂ側を研削する。研削装置２は、ウェーハ１１を吸引保持した状態で回転可能なチャックテーブル４を有する。

チャックテーブル４の上面側には、円盤状の多孔質プレート（不図示）が設けられている。多孔質プレートには、チャックテーブル４における所定の流路（不図示）を介してエジェクタ等の吸引源（不図示）が接続されている。

吸引源を動作させると、多孔質プレートの上面には負圧が発生する。チャックテーブル４の下面側には、モーター等の回転駆動源（不図示）の出力軸が固定されている。回転駆動源を動作させると、チャックテーブル４は出力軸の周りに回転する。

チャックテーブル４の上方には、研削ユニット６が配置されている。研削ユニット６は、円柱状のスピンドル８を有する。スピンドル８は、加工送りユニット（不図示）により上下方向に移動可能である。スピンドル８の下端部には、スピンドル８と略同心状に研削ホイール１０が装着されている。

研削ホイール１０は、スピンドル８の下端部に固定された円盤部と、円盤部の下方に位置する環状基台部と、を有する。環状基台部の下面側には、研削ホイール１０の周方向に沿って離散的に複数の研削砥石１２が配置されている。

複数の研削砥石１２で構成される円環の外径は、チャックテーブル４の直径よりも小さく、更に、デバイス領域１７と外周余剰領域１９との境界部２３ａ（図４参照）を規定する円よりも小さいが、境界部２３ａを規定する円の半径よりは大きい。また、研削ホイール１０の回転中心は、平面視において、チャックテーブル４の回転中心から離れた位置に配置されている。

この研削装置２を用いて、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側のうち、デバイス領域１７に対応する領域を研削することで、裏面１１ｂ側に凹部２３を形成する（裏面側研削ステップＳ１０）。

裏面側研削ステップＳ１０では、まず、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護テープ２１を貼着し、表面１１ａ側をチャックテーブル４で吸引保持する。次いで、例えば、矢印１４で示す方向にチャックテーブル４を３００ｒｐｍで回転させ、同方向に研削ホイール１０を６０００ｒｐｍで回転させる。

この状態で、研削ユニット６を所定の加工送り速度で下方に加工送りする。裏面１１ｂ側のうちデバイス領域１７に対応する領域に研削砥石１２が接触すると、裏面１１ｂ側が研削され、円盤状の空間、即ち、凹部２３が形成される。

但し、裏面１１ｂ側のうち外周余剰領域１９に対応する領域には研削砥石１２が接触しないので、凹部２３の外側には、研削前のウェーハ１１の厚さを有する環状補強部２５が形成される。

図４は、裏面側研削ステップＳ１０後のウェーハ１１の断面図である。裏面側研削ステップＳ１０の後、保護テープ２１を剥がし、次いで、レーザー加工装置２０を用いて、凹部２３と環状補強部２５との境界部２３ａを切断する（境界部切断ステップＳ２０）。

レーザー加工装置２０は、ウェーハ１１を吸引保持した状態で回転可能なチャックテーブル２２を有する。図５は、チャックテーブル２２等の一部断面側面図である。チャックテーブル２２は、金属で形成された円盤状の枠体２４を有する。

枠体２４の上面側には、円盤状の空間２６が形成されている。この空間２６は、チャックテーブル２２の円の中心近傍に形成されている円盤状の中央部２６ａを含む。中央部２６ａには、円盤状の多孔質プレート２８ａが固定されている。

多孔質プレート２８ａの上部には、多孔質プレート２８ａと略同じ直径を有する樹脂製の多孔質シート３０が設けられている。多孔質シート３０及び多孔質プレート２８ａの直径は、表面１１ａ側のデバイス領域１７の直径に略対応する。

多孔質シート３０は、通気性を有するので、多孔質プレート２８ａに作用する負圧を多孔質シート３０の上面へ伝達できる。多孔質シート３０は、例えば、ポリエチレン等の樹脂で形成されており、１００μｍから２００μｍ程度の所定の厚さを有する。多孔質シート３０の気孔率は、例えば３０％である。但し、多孔質シート３０の材料、厚さ、気孔率等は上述の例に限定されない。

中央部２６ａの外側には、中央部２６ａと略同じ深さを有する環状の外周部２６ｂが形成されている。外周部２６ｂには、環状の多孔質プレート２８ｂが固定されている。多孔質プレート２８ｂは、例えば、多孔質プレート２８ａと同じ材料形成されている。但し、多孔質プレート２８ｂの厚さは、多孔質プレート２８ａよりも厚く、多孔質プレート２８ａと多孔質シート３０とを合わせた厚さに略等しい。

多孔質プレート２８ａ、２８ｂには、枠体２４に形成されている所定の流路（不図示）を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）が接続されている。多孔質プレート２８ａ、２８ｂには、吸引源に接続された１つの流路から分岐した個別の流路が接続されている。また、各流路には、制御弁（不図示）が設けられている。

吸引源を動作させて、各制御弁を開状態にすると、多孔質プレート２８ａ、２８ｂには負圧が発生する。この負圧は、多孔質シート３０及び多孔質プレート２８ｂの各上面に作用し、各上面は、ウェーハ１１を吸引保持するための保持面２２ａとして機能する。

本実施形態では、多孔質シート３０を介してデバイス領域１７を吸引保持するので、多孔質プレート２８ａでデバイス領域１７を直接吸引保持する場合に比べて、デバイス領域１７へのダメージを低減できる。

これと同時に、多孔質シート３０に固有の所謂タック性（粘着性）により、ウェーハ１１の加工時におけるデバイス領域１７の平面方向での位置ずれを防止できる、それゆえ、精度良くウェーハ１１を加工できる。

なお、多孔質シート３０の上面には、粘着剤（即ち、糊剤）が設けられていない。それゆえ、ウェーハ１１をチャックテーブル２２から取り外しても、表面１１ａ側に糊剤が残留しないという利点がある。

加えて、多孔質プレート２８ｂ等を用いて外周余剰領域１９を吸引保持することで、ウェーハ１１の加工時における外周余剰領域１９の平面方向での位置ずれを防止でき、精度良くウェーハ１１を加工できる。

空間２６の中央部２６ａの外側と、外周部２６ｂの内側と、の間には、所定深さの環状の逃げ溝２６ｃが形成されている。空間２６の径方向における逃げ溝２６ｃの幅は、例えば、５００μｍである。

逃げ溝２６ｃの深さは、中央部２６ａ及び外周部２６ｂよりも深い。但し、保持面２２ａから５００μｍ以上の深さを有していれば、逃げ溝２６ｃの深さは、必ずしも中央部２６ａ及び外周部２６ｂよりも深くなくてもよい。

ウェーハ１１のレーザー加工時に、レーザービームの集光点は保持面２２ａで保持されたウェーハ１１に位置付けられる。ウェーハ１１を貫通したレーザービームは、拡散しながら逃げ溝２６ｃに入るので、レーザービームのパワーは分散される。

それゆえ、逃げ溝２６ｃの底面を保持面２２ａから５００μｍ以上の深さとすれば、枠体２４、多孔質プレート２８ａ、２８ｂ等はレーザービームで加工されない。つまり、チャックテーブル２２本体がレーザービームを吸収して変形する等のレーザービームの影響を低減できる。

枠体２４の下面側には、モーター等の回転駆動源（不図示）の出力軸が固定されている。回転駆動源を動作させると、チャックテーブル２２は出力軸の周りに回転する。チャックテーブル２２の上方には、レーザービーム照射ユニット３２が配置されている（図６参照）。

レーザービーム照射ユニット３２は、レーザー発振器（不図示）を有する。例えば、Ｎｄ：ＹＡＧ又はＮｄ：ＹＶＯ_４で形成されたロッド状のレーザー媒質を含む。レーザー発振器は、例えば、パルス状のレーザービームを外部に出射する。

なお、レーザー発振器には、レーザービームのパルスの繰り返し周波数を設定する周波数設定ユニット（不図示）や、パルスの幅を調整するパルス幅調整ユニット（不図示）が接続されている。

レーザー発振器から出射されたレーザービームは、所定の光学系を経て、集光レンズを有する集光器３４から下方へ照射される。集光器３４から照射されるレーザービームＬは、例えば、１０ｋＨｚの周波数、５．０Ｗから７．０Ｗ程度の平均出力、及び、ウェーハ１１に吸収される波長（例えば、３５５ｎｍ）を有する。

レーザー加工装置２０を用いて境界部切断ステップＳ２０を行うときには、まず、保持面２２ａでウェーハ１１の表面１１ａ側を吸引保持する。このとき、デバイス領域１７が多孔質シート３０に接触し、外周余剰領域１９が多孔質プレート２８ｂに接触し、境界部２３ａが逃げ溝２６ｃに対応する位置（即ち、逃げ溝２６ｃの上方）に配置される。

保持面２２ａでウェーハ１１を吸引保持した状態で、裏面１１ｂ側から表面１１ａ側に向けて境界部２３ａにレーザービームＬを照射し、チャックテーブル２２を、例えば、３０（度／秒）から７０（度／秒）の単位時間当たりの回転角度で回転させる。

図６は、境界部切断ステップＳ２０を示す一部断面側面図である。なお、図６では、便宜上、デバイス１５の記載を省略しているが、ウェーハ１１は、隣接するデバイス１５の間に隙間が存在する態様で、表面１１ａ側が吸引保持されている。

レーザービームＬの集光点を境界部２３ａに照射した状態で、チャックテーブル２２を、例えば５回転させると、境界部２３ａに環状の貫通溝２３ｂが形成され、ウェーハ１１から環状補強部２５が分離される。

図７は、境界部切断ステップＳ２０後のウェーハ１１等の一部断面側面図である。環状補強部２５を分離することで、デバイス領域１７に対応する円盤状のデバイス部２７が形成される。境界部切断ステップＳ２０の後、少なくとも多孔質プレート２８ｂでの吸引を解除する。

そして、複数（例えば、３個）のアームを有する搬送ユニット（不図示）用いて、環状補強部２５を搬送する。各アームの底部には、薄い円盤状の回転体（不図示）が設けられている。

環状補強部２５を搬送するときには、環状補強部２５の周方向の異なる複数箇所のうち、環状補強部２５の下面と、多孔質プレート２８ｂの上面と、の間に回転体を回転させながら差し込む。

次いで、各アームを上昇させた後、環状補強部２５を所定の領域へ搬送する。これにより、環状補強部２５をチャックテーブル２２から除去する（環状補強部除去ステップＳ３０）。図８は、環状補強部除去ステップＳ３０を示す一部断面側面図である。

なお、本実施形態では、境界部切断ステップＳ２０で使用されるチャックテーブル２２で、デバイス部２７（即ち、環状補強部２５が除去されたウェーハ１１）の表面１１ａ側を保持した状態で、環状補強部除去ステップＳ３０を行う。それゆえ、デバイス部２７を搬送しなくてよいので、搬送に伴い生じ得るデバイス部２７の破損、損傷等のリスクを無くすことができる。

環状補強部除去ステップＳ３０の後、ダイシングテープ２９を介してデバイス部２７が金属製の環状フレーム３１で支持されたウェーハユニット３３を形成する（ウェーハユニット形成ステップＳ４０）。

図９は、ウェーハユニット形成ステップＳ４０を示す一部断面側面図である。Ｓ４０では、ウェーハ１１の直径よりも大きな内径３１ａを有する環状フレーム３１の一面３１ｂ側が外周部に貼着されたダイシングテープ２９を、この環状フレーム３１と共にフレーム搬送ユニット（不図示）で搬送する。

そして、ダイシングテープ２９の中央部をデバイス部２７の裏面１１ｂ側に貼着することにより、ウェーハユニット３３を形成する。図１０は、ウェーハユニット３３の断面図である。本実施形態では、裏面１１ｂ側に凹部２３が無い状態で裏面１１ｂ側にダイシングテープ２９を貼着できるので、真空チャンバーの真空引きを行うこと無く、裏面１１ｂ側にダイシングテープ２９を貼着できる。

それゆえ、本実施形態のウェーハ１１の加工方法では、ダイシングテープ２９を裏面１１ｂ側に貼着する処理の作業効率を向上できる。また、高価な真空テープ貼着装置を用いる必要もない。

更に、本実施形態では、境界部切断ステップＳ２０及び環状補強部除去ステップＳ３０で使用されるチャックテーブル２２でデバイス部２７の表面１１ａ側を保持した状態で、ウェーハユニット形成ステップＳ４０を行う。

それゆえ、ウェーハユニット形成ステップＳ４０においてデバイス部２７を搬送しなくてよい。従って、デバイス部２７を搬送しなくてよいので、搬送に伴い生じ得るデバイス部２７の破損、損傷等のリスクを無くすことができる。

なお、ウェーハユニット形成ステップＳ４０の後、切削装置（不図示）を用いて分割予定ライン１３に沿ってウェーハユニット３３のデバイス部２７を切削することで、デバイス部２７は複数のデバイスチップに分割される。

次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態でも、研削装置２を用いて裏面側研削ステップＳ１０を行った後、レーザー加工装置２０を用いて境界部切断ステップＳ２０及び環状補強部除去ステップＳ３０を順次行う。

但し、第２の実施形態のレーザー加工装置２０は、チャックテーブル２２の外周部に環状のフレームテーブル３６を有しており、このフレームテーブル３６の上面に、環状フレーム３１を載置した状態で、ウェーハユニット形成ステップＳ４０を行う。係る点が、第１の実施形態と異なる。

図１１は、第２の実施形態に係るウェーハユニット形成ステップＳ４０を示す一部断面側面図である。第２の実施形態でも、境界部切断ステップＳ２０及び環状補強部除去ステップＳ３０と同様に、保持面２２ａで表面１１ａ側を保持した状態で、ウェーハユニット形成ステップＳ４０を行う。

ウェーハユニット形成ステップＳ４０では、まず、一面３１ｂが上向きとなる様に、フレームテーブル３６上に環状フレーム３１を載置する。なお、フレームテーブル３６の上面の高さは、一面３１ｂと裏面１１ｂとの高さが略同じとなる様に調整されている。

次いで、短辺が環状フレーム３１の内径３１ａよりも大きい長尺のダイシングテープ２９を、裏面１１ｂ側及び一面３１ｂ側に貼着する。このとき、円柱状のローラー３８でダイシングテープ２９を裏面１１ｂ側及び一面３１ｂ側に押圧した状態で、ローラー３８とチャックテーブル２２とを矢印４０の方向に向かって相対的に移動させる。

その後、長尺のダイシングテープ２９の短辺と平行な方向に沿ってダイシングテープ２９を切断して、矩形状とする。そして、内径３１ａよりも大きく且つ環状フレーム３１の外径よりも小さい所定の径となる様に、ダイシングテープ２９を円形に切断した後、切断後の端材を除去する。これにより、図１０に示すウェーハユニット３３が形成される。

第２の実施形態でも、裏面１１ｂ側に凹部２３が無い状態で裏面１１ｂ側にダイシングテープ２９を貼着できるので、真空チャンバーの真空引きを行うこと無く、裏面１１ｂ側にダイシングテープ２９を貼着できる。

加えて、本実施形態のウェーハ１１の加工方法では、ダイシングテープ２９を裏面１１ｂ側に貼着する処理の作業効率を向上できる。また、高価な真空テープ貼着装置を用いる必要もない。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

２ ：研削装置
４ ：チャックテーブル
６ ：研削ユニット
８ ：スピンドル
１０ ：研削ホイール
１１ ：ウェーハ
１１ａ ：表面
１１ｂ ：裏面
１２ ：研削砥石
１３ ：分割予定ライン
１４ ：矢印
１５ ：デバイス
１７ ：デバイス領域
１９ ：外周余剰領域
２０ ：レーザー加工装置
２１ ：保護テープ
２２ ：チャックテーブル
２２ａ ：保持面
２３ ：凹部
２３ａ ：境界部
２３ｂ ：貫通溝
２４ ：枠体
２５ ：環状補強部
２６ ：空間
２６ａ ：中央部
２６ｂ ：外周部
２６ｃ ：逃げ溝
２７ ：デバイス部
２８ａ ：多孔質プレート
２８ｂ ：多孔質プレート
２９ ：ダイシングテープ
３０ ：多孔質シート
３１ ：環状フレーム
３１ａ ：内径
３１ｂ ：一面
３２ ：レーザービーム照射ユニット
３３ ：ウェーハユニット
３４ ：集光器
３６ ：フレームテーブル
３８ ：ローラー
４０ ：矢印
Ｌ ：レーザービーム

Claims (2)

1. 格子状に設定された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスを有するデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域と、を表面側に有するウェーハの加工方法であって、
   該ウェーハの裏面側のうち該デバイス領域に対応する領域を研削して該裏面側に凹部を形成することにより該凹部の外側に環状補強部を形成する裏面側研削ステップと、
   該ウェーハの該表面側をチャックテーブルで保持した状態で、該裏面側から該表面側へ該ウェーハに吸収される波長を有するレーザービームを照射することにより、該凹部と該環状補強部との境界部を切断する境界部切断ステップと、
   該境界部切断ステップの後、該環状補強部を該チャックテーブルから除去する環状補強部除去ステップと、
   該環状補強部除去ステップの後、該ウェーハよりも大きな内径を有する環状フレームの一面側と、該環状補強部が除去された該ウェーハの該裏面側とにダイシングテープを貼着することにより、該ダイシングテープを介して該ウェーハが該環状フレームで支持されたウェーハユニットを形成するウェーハユニット形成ステップと、を備え、
   該チャックテーブルは、該凹部と該環状補強部との境界部に対応する位置に該レーザービームの影響を低減するための所定深さの環状の逃げ溝を有し、該チャックテーブルのうち該逃げ溝よりも内側に位置する保持面には、樹脂製の多孔質シートが設けられており、該多孔質シートを介して該デバイス領域を保持した状態で該境界部切断ステップが行われることを特徴とするウェーハの加工方法。
2. 該境界部切断ステップで使用される該チャックテーブルで該ウェーハの該表面側を保持した状態で、該環状補強部除去ステップと、該ウェーハユニット形成ステップと、が行われることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。

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