TW202414555A - 基板的加工方法及晶片的製造方法 - Google Patents

Abstract

[課題]提供一種基板的加工方法，其能不損壞用於構成多個元件的功能層而在基板形成期望的潛盾通道。[解決手段]一種基板的加工方法，其利用雷射光束加工基板，所述雷射光束具有穿透構成該基板之材料之波長，且聚光在沿著該基板的厚度方向之長度比沿著與該厚度方向垂直的方向之寬度更長的區域，所述基板的加工方法具備：潛盾通道形成步驟，其以該區域的至少一部分被定位於該基板的內部之方式對該基板照射該雷射光束，藉此形成潛盾通道，所述潛盾通道包含在該基板的正面或背面的至少一者開口之細孔與包圍該細孔之非晶質部；以及功能層形成步驟，其在該潛盾通道形成步驟之後，在該基板的該正面形成功能層。

Description

基板的加工方法及晶片的製造方法

本發明係關於一種利用雷射光束加工基板之基板的加工方法與利用此基板的加工方法而從基板製造晶片之晶片的製造方法，所述雷射光束具有穿透基板之波長，且聚光在沿著基板的厚度方向之長度比沿著與厚度方向垂直的方向之寬度更長的區域。

積體電路（IC）等半導體元件或發光二極體（LED）或者雷射二極體（LD）等光元件的晶片，例如係利用由矽、碳化矽或藍寶石等單晶材料所構成之圓板狀的基板而製造。

具體而言，此種晶片係藉由以下方式所製造：為了構成多個元件而在基板的正面形成包含導電膜、半導體膜及／或絕緣膜之功能層，之後沿著多個元件的邊界分割基板。

作為分割基板之方法，已知一種利用雷射光束之方法，所述雷射光束具有穿透構成基板之材料之波長，且聚光在沿著基板的厚度方向之長度比沿著與厚度方向垂直的方向之寬度更長的區域（例如，參照專利文獻1）。

在此方法中，首先，一邊將聚光雷射光束之區域定位於基板的內部，一邊沿著多個元件的邊界照射雷射光束。藉此，在基板的內部形成潛盾通道（細絲（   filament）），所述潛盾通道包含細孔與包圍細孔之非晶質部。然後，在此方法中，以去除潛盾通道之方式對基板施以蝕刻。其結果，從基板製造晶片。 [習知技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2014-168790號公報。

[發明所欲解決的課題] 若從在正面形成有功能層之基板的正面側照射雷射光束，則其行進方向會在功能層中變化，而有變得難以在基板形成期望的潛盾通道之疑慮。並且，若從此基板的背面側照射雷射光束，則有功能層因到達基板的正面側之雷射光束而損壞之疑慮。

有鑒於此等疑慮點，本發明之目的係提供一種能不損壞用於構成多個元件的功能層而在基板形成期望的潛盾通道之基板的加工方法與一種利用此基板的加工方法而從基板製造晶片之晶片的製造方法。

[解決課題的技術手段] 若根據本發明的一態樣，則提供一種基板的加工方法，其利用雷射光束加工基板，所述雷射光束具有穿透構成該基板之材料之波長，且聚光在沿著該基板的厚度方向之長度比沿著與該厚度方向垂直的方向之寬度更長的區域，所述基板的加工方法具備：潛盾通道形成步驟，其以該區域的至少一部分被定位於該基板的內部之方式對該基板照射該雷射光束，藉此形成潛盾通道，所述潛盾通道包含在該基板的正面或背面的至少一者開口之細孔與包圍該細孔之非晶質部；以及功能層形成步驟，其在該潛盾通道形成步驟之後，在該基板的該正面形成功能層。

較佳為，此基板的加工方法在該潛盾通道形成步驟與該功能層形成步驟之間進一步具備：蝕刻步驟，其從該細孔開口之面蝕刻該潛盾通道，所述細孔開口之面係該基板的該正面或該背面的其中一者。

若根據本發明的另一態樣，則提供一種晶片的製造方法，其利用雷射光束而從基板製造晶片，所述雷射光束具有穿透構成該基板之材料之波長，且聚光在沿著該基板的厚度方向之長度比沿著與該厚度方向垂直的方向之寬度更長的區域，所述晶片的製造方法具備：潛盾通道形成步驟，其以該區域的至少一部分被定位於該基板的內部之方式對該基板照射該雷射光束，藉此形成潛盾通道，所述潛盾通道包含在該基板的正面或背面的至少一者開口之細孔與包圍該細孔之非晶質部；蝕刻步驟，其在該潛盾通道形成步驟之後，從該細孔開口之面蝕刻該潛盾通道，所述細孔開口之面係該基板的該正面或該背面的其中一者；功能層形成步驟，其在該蝕刻步驟之後，在該基板的該正面形成功能層；以及分割步驟，其在該功能層形成步驟之後，藉由對該基板施加外力而分割該基板。

並且，在本發明中，該細孔較佳為僅在該基板的該正面或該背面的其中一者開口。

[發明功效] 在本發明中，於在基板的正面形成功能層之功能層形成步驟之前，實施形成潛盾通道之潛盾通道形成步驟，所述潛盾通道包含在基板的正面或背面的至少一者開口之細孔與包圍細孔之非晶質部。

亦即，在本發明中，以在基板的正面未形成功能層之狀態在基板形成潛盾通道。因此，在本發明中，能不損壞用於構成多個元件的功能層而在基板形成期望的潛盾通道。

參照隨附圖式，針對本發明的實施方式進行說明。圖1係示意性地表示被利用於晶片的製造之基板的一例之立體圖。圖1所示之基板11具有圓板的正面11a及背面11b，並例如係由矽或碳化矽等單晶材料所構成之圓盤狀的晶圓。

並且，在基板11格子狀地設定有互相交叉之多條分割預定線13。然後，基板11係藉由多條分割預定線13而被劃分成多個區域15，在各區域15的正面11a如後述般形成有用於構成元件的功能層。

然後，藉由將在各區域15形成有功能層之基板11在多條分割預定線13的每一條中進行分割而製造晶片。此外，基板11的材質、形狀、構造及大小等並無限制。例如，基板11亦可由藍寶石等其他單晶材料所構成。

圖2係示意性地表示利用雷射光束加工基板11之基板的加工方法的一例之流程圖。在此方法中，首先，形成潛盾通道，所述潛盾通道包含在基板11的背面11b開口之細孔與包圍細孔之非晶質部（潛盾通道形成步驟S1）。

圖3（A）係示意性地表示潛盾通道形成步驟S1的態樣之局部剖面側視圖。具體而言，在圖3（A）中，表示在雷射加工裝置2中在基板11的內部形成潛盾通道19之態樣。

雷射加工裝置2具有圓盤狀的保持台4。此保持台4例如具有圓狀的上表面（保持面）。並且，保持台4在此保持面中具有上表面露出之圓盤狀的多孔板（未圖示）。

再者，此多孔板係透過形成於保持台4的內部之流路等而與噴射器等吸引源（未圖示）連通。然後，若此吸引源運作，則吸引力會作用於保持台4的保持面附近的空間。藉此，例如可藉由保持台4而保持載置於保持面之基板11。

並且，保持台4連結於水平方向移動機構（未圖示）。此水平方向移動機構例如包含滾珠螺桿及馬達等。然後，若此水平方向移動機構運作，則保持台4會沿著水平方向移動。

並且，在保持台4的上方設置有雷射光束照射單元的頭部6。並且，雷射光束照射單元具有雷射振盪器（未圖示）。此雷射振盪器例如具有Nd：YAG等作為雷射介質。

然後，雷射振盪器照射會穿透構成基板11之材料之波長（例如，波長為1064nm）的脈衝狀的雷射光束（例如，脈衝寬度為10ps，且頻率為50kHz的雷射光束）LB。

此雷射光束LB在其輸出（功率）在衰減器（未圖示）中被調整（例如，平均輸出被調整成2W）後，透過包含被設置於頭部6之聚光透鏡6a等之光學系統（未圖示）而從頭部6往正下方照射。

並且，雷射光束LB例如係藉由此光學系統而被賦予像差（尤其，縱向像差）。藉此，雷射光束LB被聚光於沿著其行進方向之長度（基板11的厚度方向）比沿著與行進方向垂直的方向之寬度更長的區域R。

再者，雷射光束照射單元的頭部6連結於鉛直方向移動機構（未圖示）。此鉛直方向移動機構例如包含滾珠螺桿及馬達等。然後，若此鉛直方向移動機構運作，則頭部6會沿著鉛直方向移動。

在雷射加工裝置2中在基板11的內部形成潛盾通道時，首先，以背面11b朝向上方之方式，將在正面11a黏貼有保護膠膜17之基板11載置於保持台4。此外，此保護膠膜17例如係由樹脂所構成，並具有與基板11大致相等的直徑之圓盤狀的形狀。

並且，在潛盾通道形成步驟S1中，在基板11的正面11a亦可不黏貼保護膠膜17。亦即，基板11亦可以正面11a直接接觸保持台4的保持面之方式被載置於保持台4。

接著，使與在保持台4的保持面露出之多孔板連通之吸引源運作。藉此，基板11被保持台4保持。接著，以使基板11的多條分割預定線13的任一條的一端與雷射光束LB被聚光之區域重疊之方式，調整保持台4及／或頭部6的位置。

接著，一邊從頭部6照射雷射光束LB，一邊使保持台4沿著該分割預定線13延伸之方向移動（參照圖3（A））。藉此，在基板11的沿著該分割預定線13之區域形成潛盾通道19。

圖3（B）係示意性地表示形成於基板11的內部之潛盾通道19之立體圖。此潛盾通道19包含細孔19a與包圍細孔19a之非晶質部19b，所述細孔19a在基板11的正面11a及背面11b兩者開口。

再者，重複上述之動作直到在沿著多條分割預定線13之區域的全部形成有潛盾通道19為止。藉此，得到在俯視下格子狀地形成有潛盾通道19之基板11。

在潛盾通道形成步驟S1之後，在基板11的正面11a形成功能層（功能層形成步驟S2）。在此功能層形成步驟S2中，例如利用物理氣相沉積（PVD）而在基板11的正面11a形成由一層的金屬膜所構成之功能層。此外，此功能層例如被利用作為功率元件用的背面電極等。

圖4（A）係示意性地表示功能層形成步驟S2的態樣之局部剖面側視圖。具體而言，在圖4（A）中，表示在濺鍍裝置8中在基板11的正面11a形成金屬膜之態樣。此外，在圖4（A）中，以方塊表示濺鍍裝置8的構成要素的一部分。

濺鍍裝置8具有劃分腔室C之外殼10。在此外殼10的底壁形成有貫通孔，支撐構件12穿過貫通孔。然後，支撐構件12支撐在上表面側設置有靜電卡盤之保持台14。

並且，在保持台14的上方設置有由金屬材料所構成之靶16，此靶16被安裝於電極18。再者，在靶16的附近設置有用於對靶16進行激磁的激磁構件20。並且，靶16係透過電極18而連接於高頻電源22。

並且，在外殼10的側壁形成有導入口10a與排氣口10b，所述導入口10a係透過閥（未圖示）等而能與濺鍍氣體（例如，氬氣等）的供給源連通，所述排氣口10b能與用於減壓腔室C的吸引源連通。

在濺鍍裝置8中在基板11的正面11a形成金屬膜時，首先，剝離已黏貼於基板11的正面11a之保護膠膜17，且在背面11b黏貼與保護膠膜17同樣的保護膠膜21。

接著，以已露出之正面11a朝向上方之方式，將基板11隔著保護膠膜21而載置於保持台14。接著，使設置於保持台14的上表面側之靜電卡盤運作。藉此，基板11被保持台14保持。

接著，使與排氣口10b連通之吸引源運作而將腔室C進行排氣，並將腔室C進行減壓直到其內壓達到10 ^-2Pa～10 ^-4Pa為止。接著，以透過電極18而對已被激磁構件20磁化之靶16施加例如40kHz的高頻電力之方式使高頻電源22運作，且透過閥及導入口10a等而從供給源將濺鍍氣體供給至腔室C。

藉此，在腔室C中會產生包含濺鍍氣體的離子之電漿，此離子會與靶16碰撞。然後，因濺鍍氣體的離子的碰撞而從靶16彈出之金屬粒子會堆積於基板11的正面11a並形成金屬膜。

圖4（B）係示意性地表示在正面11a形成有由一層的金屬膜所構成之功能層23之基板11之剖面圖。此外，此功能層23亦可藉由多層薄膜所構成。具體而言，此功能層23係藉由重複進行由物理氣相沉積（PVD）或化學氣相沉積（CVD）等所進行之薄膜的形成與利用光微影術及蝕刻等之薄膜的圖案化所形成。

在圖2所示之基板的加工方法中，於在基板11的正面11a形成功能層23之功能層形成步驟S2之前，實施形成潛盾通道19之潛盾通道形成步驟S1，所述潛盾通道19包含在基板11的正面11a與背面的兩者開口之細孔19a與包圍細孔19a之非晶質部19b。

亦即，在此方法中，以在基板11的正面11a未形成功能層23之狀態在基板11形成潛盾通道19。因此，在此方法中，能不損壞用於構成多個元件的功能層23而在基板11形成期望的潛盾通道19。

此外，上述之內容為本發明的一態樣，本發明並不受限於上述之內容。例如，在本發明的潛盾通道形成步驟S1中，只要在後述之分割步驟等中能分割基板11，則亦可不以在基板11的厚度方向中貫穿基板11之方式形成潛盾通道19。

圖5係示意性地表示與圖3（A）所示之潛盾通道形成步驟S1不同之潛盾通道形成步驟S1的態樣之局部剖面側視圖。圖5所示之潛盾通道形成步驟S1係與圖3（A）所示之潛盾通道形成步驟S1同樣地實施，但以不貫通基板11之方式形成潛盾通道19。

具體而言，此潛盾通道19包含僅在基板11的背面11b開口之細孔19a與包圍細孔19a之非晶質部19b。或者，此潛盾通道19亦可包含僅在基板11的正面11a開口之細孔19a與包圍細孔19a之非晶質部19b。

並且，在本發明的潛盾通道形成步驟S1中所利用之雷射加工裝置的構造並未受限於上述之雷射加工裝置2的構造。例如，潛盾通道形成步驟S1亦可利用設置有鉛直方向移動機構與水平方向移動機構之雷射加工裝置而實施，所述鉛直方向移動機構用於使保持台4沿著鉛直方向移動，所述水平方向移動機構用於使雷射光束照射單元的頭部6沿著水平方向移動。

或者，本發明的潛盾通道形成步驟S1亦可使用在雷射光束照射單元設置有光學掃瞄系統之雷射加工裝置而實施，所述光學掃瞄系統能變更從頭部6照射之雷射光束LB的方向。此外，此光學掃瞄系統例如包含檢流計掃描器（galvano scanner）、聲光元件（AOD）及／或多面鏡等。

亦即，在本發明的潛盾通道形成步驟S1中，只要可使被保持台4保持之基板11與從頭部6照射之雷射光束LB被聚光之區域分別沿著水平方向及鉛直方向相對地移動即可，對於實現此機制的構造並無限定。

並且，在本發明中，亦可於功能層形成步驟S2之前，去除潛盾通道19的一部分，例如去除其60%～75%。圖6係示意性地表示去除潛盾通道19的一部分之基板的加工方法的一例之流程圖。

在圖6所示之基板的加工方法中，在潛盾通道形成步驟S1與功能層形成步驟S2之間，從基板11的背面11b蝕刻潛盾通道19（蝕刻步驟S3）。

圖7（A）係示意性地表示蝕刻步驟S3的態樣之局部剖面側視圖。具體而言，在圖7（A）中，表示下述蝕刻情況：在蝕刻裝置24中，藉由蝕刻劑E而蝕刻以貫穿基板11之方式所形成之潛盾通道19的一部分，例如背面11b側的一部分。

蝕刻裝置24具有與圖3（A）所示之保持台4同樣的保持台26。再者，保持台26的多孔板係透過形成於保持台26的內部之流路等而與噴射器等吸引源（未圖示）連通。

然後，若此吸引源運作，則吸引力會作用於保持台26的保持面附近的空間。藉此，例如，可藉由保持台26而保持載置於保持面之基板11。

並且，保持台26連結於旋轉機構（未圖示）。此旋轉機構例如包含主軸及馬達等。然後，若此旋轉機構運作，則保持台26會以通過保持面的中心且沿著鉛直方向之直線為旋轉軸而旋轉。

並且，在保持台26的上方設置有噴嘴28，所述噴嘴28對被保持台26保持之基板11供給蝕刻劑E。此蝕刻劑E例如包含氫氟酸等。

在蝕刻裝置24中藉由蝕刻劑E而蝕刻潛盾通道19的一部分時，首先，以背面11b朝向上方之方式，將在正面11a黏貼有保護膠膜17之基板11載置於保持台26。

並且，在蝕刻步驟S3中，基板11的正面11a亦可不黏貼保護膠膜17。亦即，基板11亦可以正面11a直接接觸保持台26的保持面之方式被載置於保持台26。

接著，使與在保持台26的保持面露出之多孔板連通之吸引源運作。藉此，基板11被保持台26保持。接著，一邊對基板11的背面11b供給蝕刻劑E，一邊以使基板11旋轉預定期間之方式使旋轉機構運作。

藉此，潛盾通道19的背面11b側的一部分被蝕刻。圖7（B）係示意性地表示潛盾通道19的一部分已被蝕刻之基板11之剖面圖。

藉由此蝕刻，而在基板11的背面11b在沿著多條分割預定線13之區域形成槽11c。此外，在此蝕刻中，基板11的未形成潛盾通道19之部分亦即與區域15重疊之部分亦可被稍微蝕刻。

並且，在蝕刻步驟S3中，亦可持續蝕刻直到潛盾通道19被全部去除為止，亦即持續蝕刻直到沿著多條分割預定線13分割基板11為止。

並且，在蝕刻步驟S3中，亦可去除潛盾通道19的基板11的正面11a側的一部分。亦即，在蝕刻步驟S3中，亦可藉由剝離保護膠膜17而從露出之正面11a蝕刻潛盾通道19。

並且，本發明亦可為包含上述之基板的加工方法之晶片的製造方法。圖8係示意性地表示此種晶片的製造方法的一例之流程圖。在圖8所示之方法中，依序實施上述之潛盾通道形成步驟S1、蝕刻步驟S3及功能層形成步驟S2。

然後，在功能層形成步驟S2之後，藉由對基板11施加外力而分割基板11（分割步驟S4）。圖9（A）及圖9（B）分別係示意性地表示分割步驟S4的態樣之局部剖面側視圖。

具體而言，在圖9（A）及圖9（B）中，分別表示下述情況：在擴片裝置30中，藉由對基板11及功能層23施加如使基板11及功能層23沿著其徑向擴張般的外力，而沿著多條分割預定線13分割基板11及功能層23。

此外，於分割步驟S4之前，從基板11的背面11b剝離保護膠膜21，且重新黏貼直徑大於基板11之圓盤狀的切割膠膜25的中央區域。並且，在此切割膠膜25的外周區域黏貼有環狀的框架27，所述環狀的框架27形成有直徑大於基板11之圓形的開口。

擴片裝置30具有圓筒形的鼓輪32。並且，在鼓輪32的周圍設置有支撐單元34。此支撐單元34具有以包圍鼓輪32的上端部之方式設置之環狀的支撐台34a。

並且，在支撐台34a的上表面，沿著支撐台34a的圓周方向以大致相等的角度的間隔設置有多個握持部34b。然後，若將透過切割膠膜25而與框架27一體化後之基板11搬入擴片裝置30，則透過切割膠膜25將框架27載置於支撐台34a，且藉由支撐台34a與多個握持部34b而握持框架27。

並且，在支撐台34a的下表面，沿著支撐台34a的圓周方向以大致相等的角度的間隔設置有多個桿體34c。多個桿體34c分別例如為氣缸的桿體且能升降。然後，若多個桿體34c進行升降，則支撐台34a及多個握持部34b亦與多個桿體34c一起升降。

在擴片裝置30中沿著多條分割預定線13分割基板11時，首先，以支撐台34a的上表面被定位於與鼓輪32的上端同一平面上之方式使多個桿體34c升降。

接著，以功能層23朝向上方之方式，將透過切割膠膜25而與框架27一體化後之基板11搬入擴片裝置30，並藉由支撐台34a與多個握持部34b而握持框架27（參照圖9（A））。接著，使支撐台34a及多個握持部34b與多個桿體34c一起下降。

藉此，將切割膠膜25僅擴張鼓輪32的上端與支撐台34a分開之距離量。此時，如使基板11及功能層23擴張般的外力亦作用於基板11與功能層23。其結果，基板11與功能層23沿著多條分割預定線13被分割（參照圖9（B））。

此外，在本發明的晶片的製造方法中，於分割步驟S4之前亦可沿著多條分割預定線13分割功能層23。圖10係示意性地表示此種晶片的製造方法的一例之流程圖。

在圖10所示之方法中，在功能層形成步驟S2與分割步驟S4之間，以去除功能層23的與潛盾通道19重疊之區域之方式將功能層23進行圖案化（圖案化步驟S5）。此圖案化步驟例如利用光微影術及蝕刻等而實施。

另外，上述之實施方式的構造與方法等，只要在不脫離本發明的目的之範圍內則可適當變更並實施。

2:雷射加工裝置 4:保持台 6:頭部 8:濺鍍裝置 10:外殼 11:基板 11a:正面 11b:背面 11c:槽 12:支撐構件 13:分割預定線 14:保持台 15:區域 16:靶 17:保護膠膜 18:電極 19:潛盾通道 19a:細孔 19b:非晶質部 20:激磁構件 21:保護膠膜 22:高頻電源 23:功能層 24:蝕刻裝置 25:切割膠膜 26:保持台 27:框架 28:噴嘴 30:擴片裝置 32:鼓輪 34:支撐單元 34a:支撐台 34b:握持部 34c:桿體

圖1係示意性地表示被利用於晶片的製造之基板的一例之立體圖。 圖2係示意性地表示利用雷射光束加工基板之基板的加工方法的一例之流程圖。 圖3（A）係示意性地表示潛盾通道形成步驟的態樣之局部剖面側視圖，圖3（B）係示意性地表示形成於基板的內部之潛盾通道之立體圖。 圖4（A）係示意性地表示功能層形成步驟的態樣之局部剖面側視圖，圖4（B）係示意性地表示在正面形成有功能層之基板之剖面圖。 圖5係示意性地表示與圖3（A）所示之潛盾通道形成步驟不同之潛盾通道形成步驟的態樣之局部剖面側視圖。 圖6係示意性地表示基板的加工方法的另一例之流程圖。 圖7（A）係示意性地表示蝕刻步驟的態樣之局部剖面側視圖，圖7（B）係示意性地表示潛盾通道的一部分已被蝕刻之基板之剖面圖。 圖8係示意性地表示晶片的製造方法的一例之流程圖。 圖9（A）及圖9（B）分別係示意性地表示分割步驟的態樣之局部剖面側視圖。 圖10係示意性地表示晶片的製造方法的另一例之流程圖。

S1:潛盾通道形成步驟

S2:功能層形成步驟

Claims (5)

1. 一種基板的加工方法，其利用雷射光束加工基板，該雷射光束具有穿透構成該基板之材料之波長，且聚光在沿著該基板的厚度方向之長度比沿著與該厚度方向垂直的方向之寬度更長的區域，該基板的加工方法具備： 潛盾通道形成步驟，其以該區域的至少一部分被定位於該基板的內部之方式對該基板照射該雷射光束，藉此形成潛盾通道，該潛盾通道包含在該基板的正面或背面的至少一者開口之細孔與包圍該細孔之非晶質部；以及 功能層形成步驟，其在該潛盾通道形成步驟之後，在該基板的該正面形成功能層。
2. 如請求項1之基板的加工方法，其中， 在該潛盾通道形成步驟與該功能層形成步驟之間進一步具備：蝕刻步驟，其從該細孔開口之面蝕刻該潛盾通道，該細孔開口之面係該基板的該正面或該背面的其中一者。
3. 如請求項1或2之基板的加工方法，其中， 該細孔僅在該基板的該正面或該背面的其中一者開口。
4. 一種晶片的製造方法，其利用雷射光束而從基板製造晶片，該雷射光束具有穿透構成該基板之材料之波長，且聚光在沿著該基板的厚度方向之長度比沿著與該厚度方向垂直的方向之寬度更長的區域，該晶片的製造方法具備： 潛盾通道形成步驟，其以該區域的至少一部分被定位於該基板的內部之方式對該基板照射該雷射光束，藉此形成潛盾通道，該潛盾通道包含在該基板的正面或背面的至少一者開口之細孔與包圍該細孔之非晶質部； 蝕刻步驟，其在該潛盾通道形成步驟之後，從該細孔開口之面蝕刻該潛盾通道，該細孔開口之面係該基板的該正面或該背面的其中一者； 功能層形成步驟，其在該蝕刻步驟之後，在該基板的該正面形成功能層；以及 分割步驟，其在該功能層形成步驟之後，藉由對該基板施加外力而分割該基板。
5. 如請求項4之晶片的製造方法，其中， 該細孔僅在該基板的該正面或該背面的其中一者開口。