JP2003179005A - 半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置 - Google Patents

半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置

Info

Publication number
JP2003179005A
JP2003179005A JP2001380491A JP2001380491A JP2003179005A JP 2003179005 A JP2003179005 A JP 2003179005A JP 2001380491 A JP2001380491 A JP 2001380491A JP 2001380491 A JP2001380491 A JP 2001380491A JP 2003179005 A JP2003179005 A JP 2003179005A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
semiconductor element
etching
separating
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001380491A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3910843B2 (ja
Inventor
Mitsuhiro Yuasa
光博 湯浅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2001380491A priority Critical patent/JP3910843B2/ja
Publication of JP2003179005A publication Critical patent/JP2003179005A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3910843B2 publication Critical patent/JP3910843B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明はウェハ上に形成された複数の半導体
素子を個別の半導体素子に分離するための半導体素子分
離方法及び半導体素子分離装置に関し、バックグライン
ディングにより生じたウェハのクラックを効率的に除去
し実装後の信頼性を大幅に向上させることを課題とす
る。 【解決手段】 複数の半導体素子１２が形成されたウェ
ハ２を個々の半導体素子１２に分離する半導体素子分離
方法であって、回路が形成されたウェハ２の表面２ａ側
からダイシングライン７をエッチングすることによりハ
ーフカット３を形成するエッチング工程と、ウェハ２の
表面２ａ側にバックグラインドテープ４を貼着すると共
にウェハ２の裏面２ｂをハーフカット３と連通しないよ
う残部５を残し所定の厚さだけ機械的に研磨する研磨工
程と、ウェハ２の裏面２ｂ側からエッチングまたは化学
的機械的研磨を施すことによりウェハ２を個々の半導体
素子１２に分離する分離工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子分離方法
及び半導体素子分離装置に係り、特にウェハ上に形成さ
れた複数の半導体素子を個別の半導体素子に分離するた
めの半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置に関す
る。
【０００２】電子機器の小型化、薄型化が進むなかで、
電子機器に使用される半導体素子に対してもより一層の
薄型化が要求されている。また、複数の半導体素子を積
層して一つのパッケージに収容した積層型半導体装置の
開発も進められており、半導体素子の薄型化への要求は
高まっている。従来の半導体素子の厚みは２００〜２５
０μｍ程度であったが、最近では５０μｍ程度の厚みの
半導体素子が作成されるようになっており、さらに薄型
化も進められている。
【０００３】また、半導体素子が使用される用途も多様
化しており、ユーザの用途に特化した回路のみから構成
されたロジック素子やディスクリート素子等の小型の半
導体素子も数多く製造されている。
【０００４】
【従来の技術】一般的に、半導体素子はシリコンウェハ
の表面（回路形成面）上に複数個まとめて形成される。
回路形成面に半導体素子が形成されたウェハは、まずバ
ックグラインディング工程にかけられる。バックグライ
ンディング工程では、ウェハに形成された回路形成面の
反対側面（裏面）を研磨することにより、ウェハの厚み
を減少する。ウェハの厚みが所定の厚みとされた後、ウ
ェハはダイシング工程にかけられ、所定形状の半導体素
子に分離される。
【０００５】ダイシング工程では、ウェハはダイシング
ラインに沿ってダイシングソーにより切削されて、個々
の半導体素子に分離される。一般的に、ダイシングライ
ンはウェハの回路形成面に設けられたダイシングマーク
を画像認識することにより認識される。したがって、ダ
イシングはウェハの表面を上に向けた状態で行われるこ
とが一般的である。
【０００６】また他の方法としては、予めウェハのダイ
シングラインをウェハ表面側から所定の深さだけダイシ
ングソーにより切削して溝状のハーフカットを形成し
（ハーフカット工程）、その後に表面側が接着されるよ
うウェハをグラインダ用保護テープに貼着し、背面をバ
ックグラインディングする（バックグラインディング工
程）方法がある。
【０００７】この方法では、バックグラインディング工
程においてバックグラインディングを実施することによ
りウェハの厚さは徐々に薄くなり、そしてハーフカット
の形成位置までバックグラインディングが進行した時点
で、半導体素子は個別に分離される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ダイシ
ングソーを用いてウェハを機械的に切削する場合、微細
な切削屑（シリコンウェハではシリコン片）が必然的に
発生してしまう。この切削屑は、前記したグラインダ用
保護テープとウェハとの間に侵入してしまうおそれがあ
り、浸入した場合には寸法や熱伝導の不均一を引き起こ
し、半導体素子の分離歩留りが低下してしまう。
【０００９】また、ウェハをダイシングソーで切削する
場合、いわゆるカーフロスが生じる。すなわち、ダイシ
ングソーの厚みに相当するウェハの部分はダイシングソ
ーによって削り取られるため、この部分のウェハは半導
体素子を形成する領域として使用できない。現在使用さ
れているダイシングソーの厚さは８０〜１００μｍ程度
である。したがって、ダイシングラインを中心として、
その両側１００μｍ程度の幅の領域は半導体素子の形成
に使用することができない。
【００１０】また、ダイシングは高速回転する刃物（ダ
イシングソー）で機械的にウェハを削り取るものであ
り、ダイシングソーにより削り取られた部分の周囲には
微小なクラック又はチッピングが生じたり、過大な応力
が発生してウェハが損傷したりするおそれがある。した
がって、半導体素子の周囲部分には所定の幅の禁止領域
が設けられる。すなわち、禁止領域には半導体素子回路
を形成することはできず、回路形成に関して無効な領域
とされる。
【００１１】禁止領域の幅は一般的に５０〜１００μｍ
程度である。したがって、個々の半導体素子で考える
と、周囲の幅１００μｍ程度の領域には回路を形成する
ことができず、その分半導体素子全体の寸法が大きくな
ってしまう。このため、小さな寸法の半導体素子を製造
する場合、禁止領域の面積が半導体素子全体の面積に占
める割合が大きくなり、回路形成に有効な面積が減少し
てしまう。
【００１２】また、ウェハ全体で考えると、一つのダイ
シングラインに対して、カーフロスの幅と禁止領域の幅
とを合わせて最大３００μｍ程度の無効な領域が生じて
しまう。半導体素子が大きい場合は、一枚のウェハにお
けるダイシングラインの数は少ないため、上記無効な領
域がウェハ全体の面積に占める割合は小さい。
【００１３】しかし、半導体装置が小さくなると、ダイ
シングラインの数も増えてしまう。したがって、上記無
効な領域がウェハ全体の面積に占める割合が大きくな
り、ウェハを有効に使用することができなくなる。すな
わち、一枚のウェハから切り取ることのできる半導体素
子の数が減少してしまう。
【００１４】また、ダイシングの前にバックグラインデ
ィングされたウェハの面には細かいクラックが生じてお
り、クラックが生じたままにしておくと、クラックの部
分を起点として半導体素子が割れてしまうというような
問題を生じる可能性がある。この問題は半導体素子が薄
くなればなるほど顕著となってくる。このため、バック
グラインディングを行った後に、ウェハの裏面に生じた
クラックを除去する必要がある。
【００１５】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、バックグラインディングにより生じたウェハのク
ラックを効率的に除去し実装後の信頼性を大幅に向上さ
せると共に、半導体素子の分離に必要なウェハにおける
無効な領域の面積を大幅に減少してウェハにおいて半導
体素子として使用可能な領域を増大することを目的とす
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、次に述べ
る各手段を講じることにより解決することができる。
【００１７】請求項１記載の発明は、複数の半導体素子
が形成されたウェハを個々の半導体素子に分離する半導
体素子分離方法であって、回路が形成された前記ウェハ
の表面側から、前記半導体素子を分離する分離位置をエ
ッチングすることによりハーフカットを形成するエッチ
ング工程と、前記ウェハの表面側にテープ材を貼着した
後、前記ウェハの裏面を前記ハーフカットと連通しない
よう残部を残し所定の厚さだけ機械的に研磨する研磨工
程と、前記ウェハの裏面側からエッチングまたは化学的
機械的研磨を施すことにより、前記ウェハを個々の半導
体素子に分離する分離工程とを有することを特徴とする
ものである。
【００１８】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の半導体素子分離方法であって、前記エッチング工程
に、プラズマエッチング、ウェットエッチング、及びパ
ーシャルプラズマエッチングのうちのいずれかを用いる
ことを特徴とする半導体素子分離方法。
【００１９】また、請求項３記載の発明は、請求項２記
載の半導体素子分離方法であって、前記エッチング工程
で用いられるプラズマエッチングは、パーシャルプラズ
マエッチングであることを特徴とするものである。
【００２０】また、請求項４記載の発明は、請求項３記
載の半導体素子分離方法であって、前記エッチング工程
で、パーシャルプラズマエッチングのノズルが前記ウェ
ハを格子状に走査することによりハーフカットを行な
い、かつ前記格子の交点においては前記走査の走査速度
を他の位置における走査速度の略倍の走査速度としたこ
とを特徴とするものである。
【００２１】また、請求項５記載の発明は、請求項３記
載の半導体素子分離方法であって、前記エッチング工程
で、パーシャルプラズマエッチングのノズルが前記被処
理基体を格子状に走査することによりハーフカットを行
ない、かつ、前記格子の交点においては、他の位置にお
けるハーフカットの深さと略同じ深さになるように前記
パーシャルプラズマエッチングの条件を選定することを
特徴とするものである。
【００２２】また、請求項６記載の発明は、請求項５記
載の半導体素子分離方法であって、前記交点における前
記パーシャルプラズマエッチングの条件は、前記交点に
おけるエッチング速度を、前記他の位置におけるエッチ
ング速度の略半分にするよう選定してなることを特徴と
するものである。
【００２３】また、請求項７記載の発明は、請求項１乃
至６のうちいずれか１項に記載の半導体素子分離方法で
あって、前記分離工程に、プラズマエッチング、ウェッ
トエッチング、及びパーシャルプラズマエッチングのう
ちのいずれかを用いることを特徴とするものである。
【００２４】上記のように、分離工程においてプラズマ
エッチング、ウェットエッチング、及びパーシャルプラ
ズマエッチングのうちのいずれを用いる構成としても、
研磨工程においてウェハに発生した微小なクラック等を
確実に除去することができる。
【００２５】また、請求項８記載の発明は、請求項１乃
至７のうちいずれか１項に記載の半導体素子分離方法で
あって、前記エッチング工程を実施する前に、前記ウェ
ハの表面に、前記半導体素子の形成領域を覆うレジスト
を配設するレジスト工程を有することを特徴とするもの
である。
【００２６】また、請求項９記載の発明は、複数の半導
体素子が形成された被処理基体を個々の半導体素子に分
離する半導体素子分離装置であって、回路が形成された
前記被処理基体の表面側から、前記半導体素子を分離す
る分離位置をパーシャルプラズマエッチングすることに
よりハーフカットを形成することを特徴とするものであ
る。
【００２７】また、請求項１０記載の発明は、複数の半
導体素子が形成された被処理基体を個々の半導体素子に
分離する半導体素子分離装置であって、回路が形成され
た前記被処理基体の表面側から、前記半導体素子を分離
する分離位置をエッチングすることによりハーフカット
を形成され、前記被処理基体の表面側にテープ材を貼着
した後、前記被処理基体の裏面を前記ハーフカットと連
通しないよう残部を残し所定の厚さだけ機械的に研磨さ
れた前記被処理基体を、前記被処理基体の裏面側からパ
ーシャルプラズマエッチングを施すことにより、前記被
処理基体を個々の半導体素子に分離すことを特徴とする
ものである。
【００２８】また、請求項１１記載の発明は、請求項９
記載の半導体素子分離装置であって、前記被処理基体上
の交点の位置を予め認識するための認識装置と、前記認
識装置で認識した交点位置においてパーシャルプラズマ
エッチングの走査速度を略倍にするための駆動装置を備
えたことを特徴とするものである。
【００２９】また、請求項１２記載の発明は、複数の半
導体素子が形成された被処理基体を個々の半導体素子に
分離する半導体素子分離装置であって、内部を減圧可能
な処理チャンバと、前記処理チャンバ内に設けられた前
記被処理基体を載置するためのテーブルと、前記処理チ
ャンバ内を排気するための排気装置と、前記処理チャン
バ内に処理ガスを供給するためのガス導入管と、前記ガ
ス導入管に接続され、前記処理ガスをプラズマ化するた
めのプラズマ発生装置と、前記ガス導入管に接続され前
記処理ガスから生成したプラズマを照射するためのノズ
ルと、前記テーブルと前記ノズルとを相対的にＸＹＺ方
向に駆動するための駆動部とを備えたことを特徴とする
ものである。
【００３０】また、請求項１３記載の発明は、請求項１
２記載の半導体素子分離装置であって、前記ノズルから
照射されるプラズマのＸＹ方向における断面積は、前記
被処理基体の面積よりも小さいことを特徴とするもので
ある。
【００３１】上記した請求項１乃至３、請求項１０記載
の各発明によれば、先ず半導体素子を分離する分離位置
をウェハの表面側からエッチングすることによりハーフ
カットを行なう。このように、ハーフカットをエッチン
グにより行なうことにより、ハーフカットを機械的に形
成する場合に必然的に発生するウェハ片の発生を、本発
明では防止することができる。よって、従来のようにウ
ェハ片がテープ材（グラインダ用保護テープ）とウェハ
との間に侵入してしまうことはなくなり、半導体素子の
分離歩留りの向上を図ることができる。
【００３２】また、エッチングによりハーフカットを形
成することにより、ダイシングソーによりハーフカット
を実施する場合に比べてハーフカットの幅を狭くでき
る。また、エッチングによりハーフカットを形成するた
め、機械加工であるダイシングソーでハーフカットを形
成した際に発生するカーフロスを少なくできるため、１
枚のウェハから採れる半導体素子数を増大させることが
できる。
【００３３】また、ウェハの裏面をハーフカットと連通
しないよう残部を残し所定の厚さだけ機械的に研磨する
ため、エッチングに比べ短時間でウェハの裏面を所定の
厚さとすることができる。なお、この研磨終了時におい
ては、ウェハの裏面に残部が存在するため、半導体素子
は分離されていない状態を維持している。
【００３４】上記の研磨の次に実施される分離処理で
は、ウェハの裏面側からエッチングまたは化学的機械的
研磨を施すことにより残部を除去し、ウェハを個々の半
導体素子に分離する。よって、研磨時に機械加工を実施
することにより、ウェハに微小なクラック，チッピン
グ，及び応力が発生したとしても、ウェハの微小なクラ
ック等が発生している層（残部を含む）は除去される。
【００３５】この際、微小なクラック等が発生している
層は、エッチングまたは化学的機械的研磨により除去さ
れるため、機械加工と異なりこの除去処理時に分離され
る各半導体素子にクラック等が残るようなことはない。
よって、信頼性の高い半導体素子を形成することができ
る。
【００３６】請求項４乃至６、請求項１１記載の発明に
よれば、エッチング工程で、パーシャルプラズマエッチ
ングのノズルを走査させてハーフカットを行なう際、格
子の交点においては走査の走査速度を他の位置における
走査速度の略倍の走査速度としたことにより、交点にお
いてノズルの走査が２回実施されても、この交点におけ
るハーフカットの深さを他の位置におけるハーフカット
の深さと同一の深さとすることができる。
【００３７】また、請求項７及び請求項９記載の発明に
よれば、分離処理（分離工程）において研磨時にウェハ
に発生した微小なクラック等を確実に除去することがで
きる。
【００３８】また、請求項８記載の発明によれば、エッ
チング工程を実施する前に、半導体素子の形成領域をレ
ジストで覆うことにより、エッチング工程で半導体素子
の回路にダメージが発生することを防止することができ
る。
【００３９】また、請求項１乃至請求項８記載の半導体
素子分離方法では、請求項１２及び請求項１３に記載の
半導体素子分離装置を用いることができる。
【００４０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。
【００４１】図１は、本発明の一実施例である半導体素
子分離方法の各工程を説明するための工程図である。
尚、同図においては、理解を容易とするためにウェハ２
の厚さを実際のものよりも厚く図示している。
【００４２】図１（Ａ）は、半導体素子分離処理を実施
する前のウェハ２を示している。この段位において、ウ
ェハ２には複数半導体素子が形成されている。また、各
半導体素子を構成する回路面は、ウェハ２の表面２ａに
形成されている。
【００４３】ウェハ２には、先ずレジスト層８が配設さ
れる。図１（Ｂ）はレジスト層８が形成された状態を示
している。
【００４４】このレジスト層８は、後述するエッチング
のためのマスキングとして設けられるものであり、少な
くとも各半導体素子の回路面を覆うよう形成されてい
る。また、ウェハ２の後に各半導体素子１２の分離処理
が行われる分離位置７（以下、この分離位置をダイシン
グラインという）には、レジスト層８は形成されていな
い。よって、ウェハ２のダイシングライン７は、ウェハ
２の表面２ａに露出した状態となっている。
【００４５】レジスト層８が形成されると、次に、図１
（Ｃ）に示すように、ウェハ２に対してエッチングが実
施される（エッチング工程）。本発明では、このエッチ
ングとして、パーシャルプラズマエッチングを用いてい
る。
【００４６】これは、プラズマエッチングによれば、エ
ッチングにより形成される面をプラズマの方向に対して
略平行にすることができる。すなわち、エッチングによ
り形成される面をウェハ２の表面（又は裏面）に対して
ほぼ垂直として精度のよい加工による分離を達成するこ
とができるためである。
【００４７】ところで、プラズマエッチングには、ウェ
ハ２の全体に対して同時にプラズマを照射してエッチン
グを行なう一括プラズマエッチングと、部分的にプラズ
マ密度を高めて照射するパーシャルプラズマエッチング
がある。
【００４８】ここで用いるパーシャルプラズマエッチン
グでは、ダイシングライン７の近辺のみを選択的にかつ
高密度のプラズマでエッチングできるので、効率的に処
理が行なえ、処理時間の短縮を図ることができる。ま
た、局所的エッチング深さや速度等の制御が容易とな
る。
【００４９】ここで、図３を参照して、パーシャルプラ
ズマエッチングを行なう半導体素子分離装置２０につい
て説明する。同図に示す半導体素子分離装置２０は、チ
ャンバ２２と、処理ガス導入管２４と、マグネトロン２
６と、ＸＹＺテーブルと駆動部３０とを有する。
【００５０】チャンバ２２は、内部が所定の減圧環境と
なるように真空ポンプ等の排気手段に接続される。載置
台としてのＸＹＺテーブル２８はチャンバ２２内に設け
られ、その上に被処理体であるウェハ２が載置される。
ＸＹＺテーブル２８は、駆動部３０によりＸ，Ｙ，Ｚ方
向に移動可能に構成されている。
【００５１】ＸＹＺテーブル２８の上方には、ガス導入
管２４から延在したノズル２４ａが配置されている。こ
のノズル２４ａの上方の部位はマグネトロン２６に接続
されており、ガス導入管を流れてきた処理ガスにマグネ
トロン２６からの高周波が照射されプラズマが発生す
る。プラズマはノズル２４ａからウェハに局部的に照射
され、ウェハ２がプラズマの作用により部分的にエッチ
ングされる。
【００５２】プラズマが照射される部位は、ＸＹＺテー
ブル２８を駆動部３０によりＸＹ方向（水平方向）に駆
動してウェハをノズル２４ａに対して相対的に移動する
ことにより変えることができる。また、ＸＹＺテーブル
をＺ方向（垂直方向）に移動することにより、ノズル２
４ａとウェハの間の距離を調整することができる。
【００５３】上述の構成の半導体素子分離装置２０を用
いて図１（Ｃ）に示すエッチング工程を行なうことによ
り、ウェハ２のダイシングライン７をエッチングするこ
とができる。即ち、ノズル２４ａからのプラズマがウェ
ハ２のダイシングライン７に沿って局部的に照射される
よう、駆動部３０によりＸＹＺテーブル２８を移動する
ことにより、ウェハ２にダイシングライン７を効率的に
精度よく行なうことができる。
【００５４】この際、前記のようにダイシングライン７
を除きレジスト層８が形成されているため、ウェハ２の
半導体素子１２が形成された領域がエッチングされるよ
うなことはない。よって、半導体素子１２の回路にダメ
ージが発生することを防止できる。
【００５５】尚、本実施例に係る半導体素子分離装置２
０では、ウェハ２をノズル２４ａに対して移動するよう
に構成しているが、これに限られるものではない。すな
わち、ノズル２４ａに対してウェハ２を移動するよう構
成としてもよく、或いは双方が移動する構成としてもよ
い。
【００５６】この半導体素子分離装置２０によるエッチ
ング処理は、ウェハ２が２００ｍｍウェハで厚さが７５
０μｍである場合、表面２ａからのエッチング深さが２
０μｍ〜１５０μｍ程度となるよう実施される。即ち、
本実施例におけるエッチング処理では、ウェハ２を完全
に分離することはせず、ウェハ２の途中位置まで溝を形
成する（以下、この溝をハーフカット３という）。尚、
ハーフカット３の幅は、約１０〜２０μｍである。
【００５７】図２は、半導体素子分離装置２０におい
て、ノズル２４ａがウェハ２上を相対的に走査（本実施
例では、実際に移動するのはウェハ２である）する走査
軌跡を説明するためのウェハ２の平面図である。同図に
おいて梨地で示す領域はレジスト層８が形成された領域
であり、同図に一点鎖線で示すのはウェハ２を分離する
ダイシングライン７を示している。尚、図示の便宜上、
図２には一部しか図示していなが、レジスト層８はウェ
ハ２の表面２ａの全面に形成される。
【００５８】ノズル２４ａがウェハ２上を相対的に走査
する際、同図に示すように、Ｘ方向往復操作とＹ方向往
復操作を行ない、全体としてノズル２４ａはウェハ２上
を格子状に操作する。そして、各格子が１個の半導体素
子１２の形成領域に相当する。また、ノズル２４ａの速
度は、駆動部３０によりＸＹＺテーブル２８の移動速度
を調整することにより制御することが可能である。
【００５９】本実施例では、上記のようにノズル２４ａ
がウェハ２上を格子状に走査する際、格子の交点におい
ては、走査の走査速度を他の位置における走査速度の略
倍の走査速度とする構成とている。即ち、Ｙ方向に対す
るダイシングライン７とＸ方向に対するダイシングライ
ン７が交差する位置（図２に矢印Ｃで示す位置であり、
この位置を格子の交点という）におけるノズル２４ａの
走査速度を、格子の交点以外の位置における走査速度の
略２倍の走査速度としている。
【００６０】この構成とすることにより、格子の交点Ｃ
ではＸ方向走査とＹ方向走査の２回のエッチング処理が
実施されるが、格子の交点Ｃにおいてノズル２４ａの走
査速度を他の位置における走査速度の略２倍の走査速度
としたことにより、この交点Ｃにおけるハーフカット３
の深さを他の位置におけるハーフカット３の深さと同一
の深さとすることができる。これにより、後に説明する
分離工程において半導体素子１２を確実に分離すること
が可能となる。
【００６１】また、マグネトロン２６の出力や処理ガス
の流量を調整することにより、またプラズマによるエッ
チング速度を略半分にしてやることにより、同様の効果
を得ることができる。この際、格子の交点Ｃを認識する
認識装置を設けておき、この認識装置の出力に基づきエ
ッチング速度或いは走査速度を可変する構成としてもよ
い。尚、ノズル２４ａから照射されるプラズマのＸＹ方
向のおける断面積は、被処理基体となるウェハ２の面積
よりも小さいことが必要である。
【００６２】ここで再び図１に戻り、半導体素子分離処
理の説明を続ける。上記したハーフカット３を形成する
ためのエッチング工程が終了すると、Ｏ２プラズマ等に
よりアッシングを行ない、レジスト層８を除去する。そ
の後、ウェハ２を上下反対に位置させた上で、ウェハ２
をバックグラインドテープ４に貼着する。ウェハ２は、
図示しない粘着材によりバックグラインドテープ４に貼
り付けられる。このバックグラインドテープ４に貼り付
けられた状態において、ウェハ２の表面２ａは図中下部
に位置し、ウェハ２の裏面２ｂは図中上部に位置した状
態となる。
【００６３】上記のようにウェハ２がバックグラインド
テープ４に装着されると、ウェハ２はバックグラインド
装置に装着され、図１（Ｄ）に示されるように、ウェハ
２の裏面２ｂに対し機械的な研磨処理が実施される（研
磨工程）。前記したように、ウェハ２は７５０μｍ程度
の厚みを有しており、このままではウェハ２から形成さ
れる半導体素子１２の厚みが厚くなってしまう。
【００６４】このため、ウェハ２の裏面２ｂ（回路形成
面と反対側の面）を研磨することによりウェハ２の厚み
を薄くし、半導体素子１２の薄型化を図る。このような
研磨をバックグラインドと称する。
【００６５】本実施例における研磨工程では、約６００
〜７３０μｍ程度の研磨処理が実施されるが、本実施例
ではウェハ２の裏面２ｂを機械的に研磨するため、エッ
チングに比べて短時間でウェハ２の裏面２ｂを所定の厚
さに研磨することができる。また、研磨工程では、図１
（Ｅ）に示すように、ウェハ２は所定の厚み（例えば２
０〜１５０μｍ程度）となるまで研磨される。この際、
バックグラインドテープ４は回路形成面を保護する機能
を奏する。
【００６６】また、研磨工程では、ウェハ２の厚みを半
導体素子１２の厚さまでは研磨せず、所定の厚みだけ大
きい厚さに止めておく。これにより、ハーフカット３は
裏面２ｂと連通することはなく、従って半導体素子１２
は残部５により繋がった状態となっている。尚、この残
部５の厚さは、例えば１０〜５０μｍに設定されてい
る。
【００６７】上記した研磨工程が終了すると、続いて半
導体素子１２を所定の厚さまでエッチングする分離工程
を実施する。この分離工程を実施することにより残部５
は除去され、よって図１（Ｆ）に示されるように、ウェ
ハ２は個々の半導体素子１２に分離される。
【００６８】この分離工程では、ウェハ２の裏面２ｂ側
からエッチングによりウェハ２を半導体素子１２に分離
するため、研磨工程においてウェハ２の裏面２ｂに発生
する微小なクラック，チッピング，及び応力を除去する
ことができる。即ち、研磨工程では、前記したように機
械的な研磨が実施されるため、研磨速度は向上できるも
のの、ウェハ２の裏面２ｂに上記の微小なクラック等が
発生するおそれがある。これをそのまま残した状態でウ
ェハ２を半導体素子１２に分離すると、半導体素子１２
が経時的に損傷し、また所定の動作ができなくなるおそ
れがある。
【００６９】そこで本実施例では、上記したように研磨
工程においてウェハ２の厚みを半導体素子１２の厚さま
では研磨せず、所定の厚みだけ大きい厚さに止めてお
き、分離工程において半導体素子１２の所定厚さまでエ
ッチングする構成としている。これにより、微小なクラ
ック等が発生している層は、エッチング処理により除去
される。エッチング処理は、機械加工と異なり処理時に
クラック等が発生するようなことはない。よって、分離
された半導体素子１２にクラック等が残存することはな
く、信頼性の高い半導体素子１２を形成することができ
る。
【００７０】尚、分離工程で用いるエッチング方法とし
ては、ドライエッチングを用いてもよく、またウェット
エッチングでもよいが、プラズマエッチングを用いるこ
とが好ましい。また、プラズマエッチングは、一括プラ
ズマエッチングでもよく、パーシャルプラズマエッチン
グを用いることとしてもよい。更に、化学的機械的研磨
（ＣＭＰ）を用いることも可能である。このいずれの方
法を用いても、上記したウェハ２に発生する微小なクラ
ック等を除去することができる。
【００７１】上記したように本実施例に係る半導体素子
分離方法によれば、エッチングによりハーフカット３を
形成するため、従来のハーフカットを機械的に形成する
場合に必然的に発生していたウェハ片の発生を防止する
ことができる。よって、従来のようにウェハ片がバック
グラインドテープ４（グラインダ用保護テープ）とウェ
ハ２との間に侵入してしまうことはなくなり、半導体素
子１２の分離歩留りの向上を図ることができる。
【００７２】また、エッチングによりハーフカット３を
形成することにより、従来のダイシングソーによりハー
フカットを実施する場合に比べてハーフカット３の幅を
狭くできる。具体的には、ダイシングソーの幅は８０μ
ｍ〜１００μｍ程度であるため、従来ではダイシングラ
インに沿った１００μｍ程度の幅の領域が除去される。
これに対して本実施例では、エッチングによりハーフカ
ット３を形成するため、その幅はエッチング可能な幅で
ある１０μｍ〜２０μｍ程度となる。
【００７３】したがって、半導体素子１２を分離するた
めに使用される領域の面積（すなわち半導体素子を形成
することができない領域の面積）は、従来のダイシング
に比較して５分の１から１０分の１程度となり、一枚の
ウェハから作られる半導体素子の数を約１５パーセント
程度増やすことができる。
【００７４】また、エッチングによる半導体素子１２の
分離によれば、ダイシングの際にチッピングが生じる可
能性がある禁止領域を設ける必要がない。すなわち、分
離される半導体素子１２の周囲に禁止領域を設ける必要
がなく、分離された半導体素子１２の表面全体にわたっ
て回路が形成されていてもよい。したがって、従来のよ
うに禁止領域を設ける必要がないため、半導体素子１２
の有効面積を増大することができる。
【００７５】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、ハーフカッ
トをエッチングにより行なうことによりウェハ片の発生
を防止することができ、よってウェハ片がテープ材とウ
ェハとの間に侵入することがなくなるため、半導体素子
の分離歩留りの向上を図ることができる。
【００７６】また、エッチングによりハーフカットを形
成することにより、ハーフカットの幅を狭くできると共
にカーフロスを少なくできるため、１枚のウェハから採
れる半導体素子数を増大させることができる。
【００７７】また、研磨時において機械加工を実施する
ことにより発生する微小なクラック等が発生している層
は、エッチングまたは化学的機械的研磨により除去され
るため、信頼性の高い半導体素子を形成することができ
る。
【００７８】また交点においてノズルの走査が２回実施
されても、この交点におけるハーフカットの深さを他の
位置におけるハーフカットの深さと同一の深さとするこ
とができる。
【００７９】更に、エッチングを実施する前に半導体素
子の形成領域をレジストで覆うため、半導体素子の回路
にダメージが発生することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例である半導体素子分離方法を
説明するための工程を示す図である。
【図２】本発明の一実施例である半導体素子分離方法に
より分離されるウェハの平面図である。
【図３】本発明の一実施例である半導体素子分離方法に
用いられる半導体素子分離装置の構成図である。
【符号の説明】
２ ウェハ ２ａ 表面 ２ｂ 裏面 ３ 溝 ４ バックグラインドテープ ５ 残部 ７ ダイシングライン ８ レジスト層 １２ 半導体素子 ２０ 半導体素子分離装置 ２２ チャンバ２２ ２４ 処理ガス導入管 ２４ａ ノズル ２６ マグネトロン ２８ ＸＹＺテーブル ３０ 駆動部

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の半導体素子が形成されたウェハを
    個々の半導体素子に分離する半導体素子分離方法であっ
    て、 回路が形成された前記ウェハの表面側から、前記半導体
    素子を分離する分離位置をエッチングすることによりハ
    ーフカットを形成するエッチング工程と、 前記ウェハの表面側にテープ材を貼着した後、前記ウェ
    ハの裏面を前記ハーフカットと連通しないよう残部を残
    し所定の厚さだけ機械的に研磨する研磨工程と、 前記ウェハの裏面側からエッチングまたは化学的機械的
    研磨を施すことにより、前記ウェハを個々の半導体素子
    に分離する分離工程と、を有することを特徴とする半導
    体素子分離方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子分離方法であ
    って、 前記エッチング工程に、 プラズマエッチング、ウェットエッチング、及びパーシ
    ャルプラズマエッチングのうちのいずれかを用いること
    を特徴とする半導体素子分離方法。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の半導体素子分離方法であ
    って、 前記エッチング工程で用いられるプラズマエッチング
    は、パーシャルプラズマエッチングであることを特徴と
    する半導体素子分離方法。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の半導体素子分離方法であ
    って、 前記エッチング工程で、パーシャルプラズマエッチング
    のノズルが前記ウェハを格子状に走査することによりハ
    ーフカットを行ない、かつ前記格子の交点においては前
    記走査の走査速度を他の位置における走査速度の略倍の
    走査速度としたことを特徴とする半導体素子分離方法。
  5. 【請求項５】 請求項３記載の半導体素子分離方法であ
    って、 前記エッチング工程で、パーシャルプラズマエッチング
    のノズルが前記被処理基体を格子状に走査することによ
    りハーフカットを行ない、 かつ、前記格子の交点においては、他の位置におけるハ
    ーフカットの深さと略同じ深さになるように前記パーシ
    ャルプラズマエッチングの条件を選定することを特徴と
    する半導体素子分離方法。
  6. 【請求項６】 請求項５記載の半導体素子分離方法であ
    って、 前記交点における前記パーシャルプラズマエッチングの
    条件は、前記交点におけるエッチング速度を、前記他の
    位置におけるエッチング速度の略半分にするよう選定し
    てなることを特徴とする半導体素子分離方法。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至６のうちいずれか１項に記
    載の半導体素子分離方法であって、 前記分離工程に、 プラズマエッチング、ウェットエッチング、及びパーシ
    ャルプラズマエッチングのうちのいずれかを用いること
    を特徴とする半導体素子分離方法。
  8. 【請求項８】 請求項１乃至７のうちいずれか１項に記
    載の半導体素子分離方法であって、 前記エッチング工程を実施する前に、前記ウェハの表面
    に、前記半導体素子の形成領域を覆うレジストを配設す
    るレジスト工程を有することを特徴とする半導体素子分
    離方法。
  9. 【請求項９】 複数の半導体素子が形成された被処理基
    体を個々の半導体素子に分離する半導体素子分離装置で
    あって、 回路が形成された前記被処理基体の表面側から、前記半
    導体素子を分離する分離位置をパーシャルプラズマエッ
    チングすることによりハーフカットを形成する半導体素
    子分離装置。
  10. 【請求項１０】 複数の半導体素子が形成された被処理
    基体を個々の半導体素子に分離する半導体素子分離装置
    であって、 回路が形成された前記被処理基体の表面側から、前記半
    導体素子を分離する分離位置をエッチングすることによ
    りハーフカットを形成され、 前記被処理基体の表面側にテープ材を貼着した後、前記
    被処理基体の裏面を前記ハーフカットと連通しないよう
    残部を残し所定の厚さだけ機械的に研磨された前記被処
    理基体を、 前記被処理基体の裏面側からパーシャルプラズマエッチ
    ングを施すことにより、前記被処理基体を個々の半導体
    素子に分離すことを特徴とする半導体素子分離装置。
  11. 【請求項１１】 請求項９記載の半導体素子分離装置で
    あって、 前記被処理基体上の交点の位置を予め認識するための認
    識装置と、 前記認識装置で認識した交点位置においてパーシャルプ
    ラズマエッチングの走査速度を略倍にするための駆動装
    置を備えたことを特徴とする半導体素子分離装置。
  12. 【請求項１２】 複数の半導体素子が形成された被処理
    基体を個々の半導体素子に分離する半導体素子分離装置
    であって、 内部を減圧可能な処理チャンバと、 前記処理チャンバ内に設けられた前記被処理基体を載置
    するためのテーブルと、 前記処理チャンバ内を排気するための排気装置と、 前記処理チャンバ内に処理ガスを供給するためのガス導
    入管と、 前記ガス導入管に接続され、前記処理ガスをプラズマ化
    するためのプラズマ発生装置と、 前記ガス導入管に接続され前記処理ガスから生成したプ
    ラズマを照射するためのノズルと、 前記テーブルと前記ノズルとを相対的にＸＹＺ方向に駆
    動するための駆動部とを備えたことを特徴とする半導体
    素子分離装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１２記載の半導体素子分離装置
    であって、 前記ノズルから照射されるプラズマのＸＹ方向における
    断面積は、前記被処理基体の面積よりも小さいことを特
    徴とする半導体素子分離装置。
JP2001380491A 2001-12-13 2001-12-13 半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置 Expired - Fee Related JP3910843B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001380491A JP3910843B2 (ja) 2001-12-13 2001-12-13 半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001380491A JP3910843B2 (ja) 2001-12-13 2001-12-13 半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003179005A true JP2003179005A (ja) 2003-06-27
JP3910843B2 JP3910843B2 (ja) 2007-04-25

Family

ID=19187179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001380491A Expired - Fee Related JP3910843B2 (ja) 2001-12-13 2001-12-13 半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3910843B2 (ja)

Cited By (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004107423A1 (ja) * 2003-05-29 2004-12-09 The Furukawa Electric Co. Ltd. 貫通構造を有する薄膜化回路基板の製造方法と保護用粘着テープ
JP2007049041A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
KR100741864B1 (ko) * 2005-03-10 2007-07-24 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체장치의 제조방법
GB2459302A (en) * 2008-04-18 2009-10-21 Xsil Technology Ltd A method of dicing wafers to give high die strength
KR100927778B1 (ko) 2008-03-05 2009-11-20 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조 방법
CN102376827A (zh) * 2010-08-13 2012-03-14 大连美明外延片科技有限公司 AlGaInP发光二极管的制备方法
US8154456B2 (en) 2008-05-22 2012-04-10 Philtech Inc. RF powder-containing base
US8178415B2 (en) 2006-11-27 2012-05-15 Philtech, Inc. Method for manufacturing RF powder
US8188924B2 (en) 2008-05-22 2012-05-29 Philtech Inc. RF powder and method for manufacturing the same
US8237622B2 (en) 2006-12-28 2012-08-07 Philtech Inc. Base sheet
US8318047B2 (en) 2006-11-28 2012-11-27 Philtech, Inc. Method for providing RF powder and RF powder-containing liquid
US8507363B2 (en) 2011-06-15 2013-08-13 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing using water-soluble die attach film
US8557682B2 (en) 2011-06-15 2013-10-15 Applied Materials, Inc. Multi-layer mask for substrate dicing by laser and plasma etch
US8557683B2 (en) 2011-06-15 2013-10-15 Applied Materials, Inc. Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing
US8598016B2 (en) 2011-06-15 2013-12-03 Applied Materials, Inc. In-situ deposited mask layer for device singulation by laser scribing and plasma etch
US8642448B2 (en) 2010-06-22 2014-02-04 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
US8652940B2 (en) 2012-04-10 2014-02-18 Applied Materials, Inc. Wafer dicing used hybrid multi-step laser scribing process with plasma etch
US8704202B2 (en) 2006-11-28 2014-04-22 Philtech Inc. RF powder particles including an inductance element, a capacitance element, and a photovoltaic cell and method for exciting RF powder
US8703581B2 (en) 2011-06-15 2014-04-22 Applied Materials, Inc. Water soluble mask for substrate dicing by laser and plasma etch
US8759197B2 (en) 2011-06-15 2014-06-24 Applied Materials, Inc. Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing
US8766853B2 (en) 2006-11-27 2014-07-01 Philtech Inc. Method for adding RF powder and RF powder-added base sheet
US8766802B2 (en) 2006-11-27 2014-07-01 Philtech Inc. Base data management system
US8845854B2 (en) 2012-07-13 2014-09-30 Applied Materials, Inc. Laser, plasma etch, and backside grind process for wafer dicing
US8859397B2 (en) 2012-07-13 2014-10-14 Applied Materials, Inc. Method of coating water soluble mask for laser scribing and plasma etch
US8883614B1 (en) 2013-05-22 2014-11-11 Applied Materials, Inc. Wafer dicing with wide kerf by laser scribing and plasma etching hybrid approach
US8883615B1 (en) 2014-03-07 2014-11-11 Applied Materials, Inc. Approaches for cleaning a wafer during hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing processes
US8912075B1 (en) 2014-04-29 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Wafer edge warp supression for thin wafer supported by tape frame
US8912078B1 (en) 2014-04-16 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Dicing wafers having solder bumps on wafer backside
US8912077B2 (en) 2011-06-15 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Hybrid laser and plasma etch wafer dicing using substrate carrier
US8927393B1 (en) 2014-01-29 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Water soluble mask formation by dry film vacuum lamination for laser and plasma dicing
US8933784B2 (en) 2006-11-28 2015-01-13 Philtech Inc. RF powder particle, RF powder, and RF powder-containing base
US8932939B1 (en) 2014-04-14 2015-01-13 Applied Materials, Inc. Water soluble mask formation by dry film lamination
US8940619B2 (en) 2012-07-13 2015-01-27 Applied Materials, Inc. Method of diced wafer transportation
US8946057B2 (en) 2012-04-24 2015-02-03 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing using UV-curable adhesive film
US8951819B2 (en) 2011-07-11 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid split-beam laser scribing process with plasma etch
US8969177B2 (en) 2012-06-29 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing with a double sided UV-curable adhesive film
US8975162B2 (en) 2012-12-20 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Wafer dicing from wafer backside
US8975163B1 (en) 2014-04-10 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Laser-dominated laser scribing and plasma etch hybrid wafer dicing
US8980727B1 (en) 2014-05-07 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Substrate patterning using hybrid laser scribing and plasma etching processing schemes
US8980726B2 (en) 2013-01-25 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Substrate dicing by laser ablation and plasma etch damage removal for ultra-thin wafers
US8993414B2 (en) 2012-07-13 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Laser scribing and plasma etch for high die break strength and clean sidewall
US8991329B1 (en) 2014-01-31 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Wafer coating
US8999816B1 (en) 2014-04-18 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Pre-patterned dry laminate mask for wafer dicing processes
US9012305B1 (en) 2014-01-29 2015-04-21 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate non-reactive post mask-opening clean
US9018079B1 (en) 2014-01-29 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate reactive post mask-opening clean
US9029242B2 (en) 2011-06-15 2015-05-12 Applied Materials, Inc. Damage isolation by shaped beam delivery in laser scribing process
JP2015095509A (ja) * 2013-11-11 2015-05-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US9034771B1 (en) 2014-05-23 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Cooling pedestal for dicing tape thermal management during plasma dicing
US9041198B2 (en) 2013-10-22 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Maskless hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing process
US9048309B2 (en) 2012-07-10 2015-06-02 Applied Materials, Inc. Uniform masking for wafer dicing using laser and plasma etch
US9076860B1 (en) 2014-04-04 2015-07-07 Applied Materials, Inc. Residue removal from singulated die sidewall
US9093518B1 (en) 2014-06-30 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Singulation of wafers having wafer-level underfill
US9105710B2 (en) 2013-08-30 2015-08-11 Applied Materials, Inc. Wafer dicing method for improving die packaging quality
US9112050B1 (en) 2014-05-13 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Dicing tape thermal management by wafer frame support ring cooling during plasma dicing
US9117868B1 (en) 2014-08-12 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Bipolar electrostatic chuck for dicing tape thermal management during plasma dicing
US9130057B1 (en) 2014-06-30 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Hybrid dicing process using a blade and laser
US9130056B1 (en) 2014-10-03 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Bi-layer wafer-level underfill mask for wafer dicing and approaches for performing wafer dicing
US9126285B2 (en) 2011-06-15 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing using physically-removable mask
US9129904B2 (en) 2011-06-15 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using pulse train laser with multiple-pulse bursts and plasma etch
US9130030B1 (en) 2014-03-07 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Baking tool for improved wafer coating process
US9142459B1 (en) 2014-06-30 2015-09-22 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask application by vacuum lamination
US9159574B2 (en) 2012-08-27 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Method of silicon etch for trench sidewall smoothing
US9159624B1 (en) 2015-01-05 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Vacuum lamination of polymeric dry films for wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach
US9159621B1 (en) 2014-04-29 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Dicing tape protection for wafer dicing using laser scribe process
US9165812B2 (en) 2014-01-31 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Cooled tape frame lift and low contact shadow ring for plasma heat isolation
US9165832B1 (en) 2014-06-30 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser
US9177861B1 (en) 2014-09-19 2015-11-03 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using laser scribing process based on an elliptical laser beam profile or a spatio-temporal controlled laser beam profile
US9196536B1 (en) 2014-09-25 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a phase modulated laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
US9196498B1 (en) 2014-08-12 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Stationary actively-cooled shadow ring for heat dissipation in plasma chamber
US9224650B2 (en) 2013-09-19 2015-12-29 Applied Materials, Inc. Wafer dicing from wafer backside and front side
US9236305B2 (en) 2013-01-25 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Wafer dicing with etch chamber shield ring for film frame wafer applications
US9245803B1 (en) 2014-10-17 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a bessel beam shaper laser scribing process and plasma etch process
US9252057B2 (en) 2012-10-17 2016-02-02 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing with partial pre-curing of UV release dicing tape for film frame wafer application
US9275902B2 (en) 2014-03-26 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Dicing processes for thin wafers with bumps on wafer backside
US9281244B1 (en) 2014-09-18 2016-03-08 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using an adaptive optics-controlled laser scribing process and plasma etch process
US9293304B2 (en) 2013-12-17 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Plasma thermal shield for heat dissipation in plasma chamber
US9299614B2 (en) 2013-12-10 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Method and carrier for dicing a wafer
US9299611B2 (en) 2014-01-29 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Method of wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask plasma treatment for improved mask etch resistance
US9312177B2 (en) 2013-12-06 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Screen print mask for laser scribe and plasma etch wafer dicing process
US9330977B1 (en) 2015-01-05 2016-05-03 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a galvo scanner and linear stage hybrid motion laser scribing process and plasma etch process
US9349648B2 (en) 2014-07-22 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a rectangular shaped two-dimensional top hat laser beam profile or a linear shaped one-dimensional top hat laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
US9355907B1 (en) 2015-01-05 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a line shaped laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
WO2016148025A1 (ja) * 2015-03-13 2016-09-22 古河電気工業株式会社 半導体ウェハの処理方法、半導体チップおよび表面保護テープ
US9460966B2 (en) 2013-10-10 2016-10-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dicing wafers having thick passivation polymer layer
US9478455B1 (en) 2015-06-12 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Thermal pyrolytic graphite shadow ring assembly for heat dissipation in plasma chamber
US9601375B2 (en) 2015-04-27 2017-03-21 Applied Materials, Inc. UV-cure pre-treatment of carrier film for wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach
US9620379B2 (en) 2013-03-14 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Multi-layer mask including non-photodefinable laser energy absorbing layer for substrate dicing by laser and plasma etch
US9721839B2 (en) 2015-06-12 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Etch-resistant water soluble mask for hybrid wafer dicing using laser scribing and plasma etch
TWI601197B (zh) * 2013-04-08 2017-10-01 Disco Corp The method of segmenting the circular plate
US9793132B1 (en) 2016-05-13 2017-10-17 Applied Materials, Inc. Etch mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process
US9852997B2 (en) 2016-03-25 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a rotating beam laser scribing process and plasma etch process
US9972575B2 (en) 2016-03-03 2018-05-15 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a split beam laser scribing process and plasma etch process
WO2019022277A1 (ko) * 2017-07-28 2019-01-31 (주) 예스티 웨이퍼 다이싱 방법 및 웨이퍼를 다이싱하기 위한 시스템
TWI659512B (zh) * 2015-07-27 2019-05-11 美商先科公司 半導體裝置以及囊封半導體晶粒的方法
US10363629B2 (en) 2017-06-01 2019-07-30 Applied Materials, Inc. Mitigation of particle contamination for wafer dicing processes
US10535561B2 (en) 2018-03-12 2020-01-14 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a multiple pass laser scribing process and plasma etch process
WO2020059572A1 (ja) * 2018-09-20 2020-03-26 三井化学東セロ株式会社 電子装置の製造方法
US10692765B2 (en) 2014-11-07 2020-06-23 Applied Materials, Inc. Transfer arm for film frame substrate handling during plasma singulation of wafers
JP2020194917A (ja) * 2019-05-29 2020-12-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
US10903121B1 (en) 2019-08-14 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a uniform rotating beam laser scribing process and plasma etch process
US11011424B2 (en) 2019-08-06 2021-05-18 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a spatially multi-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process
US11158540B2 (en) 2017-05-26 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Light-absorbing mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process
US11195756B2 (en) 2014-09-19 2021-12-07 Applied Materials, Inc. Proximity contact cover ring for plasma dicing
US11211247B2 (en) 2020-01-30 2021-12-28 Applied Materials, Inc. Water soluble organic-inorganic hybrid mask formulations and their applications
US11342226B2 (en) 2019-08-13 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using an actively-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process
US11355394B2 (en) 2018-09-13 2022-06-07 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate breakthrough treatment
US11600492B2 (en) 2019-12-10 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with reduced current leakage for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process

Cited By (143)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7413965B2 (en) 2003-05-29 2008-08-19 The Furukawa Electric Co., Ltd. Method of manufacturing a thin-film circuit substrate having penetrating structure, and protecting adhesive tape
WO2004107423A1 (ja) * 2003-05-29 2004-12-09 The Furukawa Electric Co. Ltd. 貫通構造を有する薄膜化回路基板の製造方法と保護用粘着テープ
KR100741864B1 (ko) * 2005-03-10 2007-07-24 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체장치의 제조방법
JP2007049041A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP4731244B2 (ja) * 2005-08-11 2011-07-20 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
US8178415B2 (en) 2006-11-27 2012-05-15 Philtech, Inc. Method for manufacturing RF powder
US8766802B2 (en) 2006-11-27 2014-07-01 Philtech Inc. Base data management system
US8766853B2 (en) 2006-11-27 2014-07-01 Philtech Inc. Method for adding RF powder and RF powder-added base sheet
US8318047B2 (en) 2006-11-28 2012-11-27 Philtech, Inc. Method for providing RF powder and RF powder-containing liquid
US8704202B2 (en) 2006-11-28 2014-04-22 Philtech Inc. RF powder particles including an inductance element, a capacitance element, and a photovoltaic cell and method for exciting RF powder
US8933784B2 (en) 2006-11-28 2015-01-13 Philtech Inc. RF powder particle, RF powder, and RF powder-containing base
US8237622B2 (en) 2006-12-28 2012-08-07 Philtech Inc. Base sheet
KR100927778B1 (ko) 2008-03-05 2009-11-20 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조 방법
GB2459302A (en) * 2008-04-18 2009-10-21 Xsil Technology Ltd A method of dicing wafers to give high die strength
US8440487B2 (en) 2008-05-22 2013-05-14 Philtech Inc. Methods for manufacturing radio frequency (RF) powder
US8477072B2 (en) 2008-05-22 2013-07-02 Philtech Inc. Radio frequency (RF) particles
US8154456B2 (en) 2008-05-22 2012-04-10 Philtech Inc. RF powder-containing base
US8188924B2 (en) 2008-05-22 2012-05-29 Philtech Inc. RF powder and method for manufacturing the same
US9245802B2 (en) 2010-06-22 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
US10163713B2 (en) 2010-06-22 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
US10566238B2 (en) 2010-06-22 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
US8642448B2 (en) 2010-06-22 2014-02-04 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
US10714390B2 (en) 2010-06-22 2020-07-14 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
US10910271B2 (en) 2010-06-22 2021-02-02 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
US8853056B2 (en) 2010-06-22 2014-10-07 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
US11621194B2 (en) 2010-06-22 2023-04-04 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
CN102376827A (zh) * 2010-08-13 2012-03-14 大连美明外延片科技有限公司 AlGaInP发光二极管的制备方法
US9129904B2 (en) 2011-06-15 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using pulse train laser with multiple-pulse bursts and plasma etch
US10112259B2 (en) 2011-06-15 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Damage isolation by shaped beam delivery in laser scribing process
US8598016B2 (en) 2011-06-15 2013-12-03 Applied Materials, Inc. In-situ deposited mask layer for device singulation by laser scribing and plasma etch
US9263308B2 (en) 2011-06-15 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Water soluble mask for substrate dicing by laser and plasma etch
US9029242B2 (en) 2011-06-15 2015-05-12 Applied Materials, Inc. Damage isolation by shaped beam delivery in laser scribing process
US8557683B2 (en) 2011-06-15 2013-10-15 Applied Materials, Inc. Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing
US8507363B2 (en) 2011-06-15 2013-08-13 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing using water-soluble die attach film
US8912077B2 (en) 2011-06-15 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Hybrid laser and plasma etch wafer dicing using substrate carrier
US9224625B2 (en) 2011-06-15 2015-12-29 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing using water-soluble die attach film
US8759197B2 (en) 2011-06-15 2014-06-24 Applied Materials, Inc. Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing
US9218992B2 (en) 2011-06-15 2015-12-22 Applied Materials, Inc. Hybrid laser and plasma etch wafer dicing using substrate carrier
US9054176B2 (en) 2011-06-15 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing
US9126285B2 (en) 2011-06-15 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing using physically-removable mask
US8557682B2 (en) 2011-06-15 2013-10-15 Applied Materials, Inc. Multi-layer mask for substrate dicing by laser and plasma etch
US8703581B2 (en) 2011-06-15 2014-04-22 Applied Materials, Inc. Water soluble mask for substrate dicing by laser and plasma etch
US8951819B2 (en) 2011-07-11 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid split-beam laser scribing process with plasma etch
US8846498B2 (en) 2012-04-10 2014-09-30 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid multi-step laser scribing process with plasma etch
US8652940B2 (en) 2012-04-10 2014-02-18 Applied Materials, Inc. Wafer dicing used hybrid multi-step laser scribing process with plasma etch
TWI494983B (zh) * 2012-04-10 2015-08-01 Applied Materials Inc 利用具有電漿蝕刻之混合式多步驟雷射劃線製程的晶圓切割
US8946057B2 (en) 2012-04-24 2015-02-03 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing using UV-curable adhesive film
US8969177B2 (en) 2012-06-29 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing with a double sided UV-curable adhesive film
US9048309B2 (en) 2012-07-10 2015-06-02 Applied Materials, Inc. Uniform masking for wafer dicing using laser and plasma etch
US8993414B2 (en) 2012-07-13 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Laser scribing and plasma etch for high die break strength and clean sidewall
US8940619B2 (en) 2012-07-13 2015-01-27 Applied Materials, Inc. Method of diced wafer transportation
US8845854B2 (en) 2012-07-13 2014-09-30 Applied Materials, Inc. Laser, plasma etch, and backside grind process for wafer dicing
US9177864B2 (en) 2012-07-13 2015-11-03 Applied Materials, Inc. Method of coating water soluble mask for laser scribing and plasma etch
US8859397B2 (en) 2012-07-13 2014-10-14 Applied Materials, Inc. Method of coating water soluble mask for laser scribing and plasma etch
US9159574B2 (en) 2012-08-27 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Method of silicon etch for trench sidewall smoothing
US9252057B2 (en) 2012-10-17 2016-02-02 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing with partial pre-curing of UV release dicing tape for film frame wafer application
US8975162B2 (en) 2012-12-20 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Wafer dicing from wafer backside
US9236305B2 (en) 2013-01-25 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Wafer dicing with etch chamber shield ring for film frame wafer applications
US8980726B2 (en) 2013-01-25 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Substrate dicing by laser ablation and plasma etch damage removal for ultra-thin wafers
US9620379B2 (en) 2013-03-14 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Multi-layer mask including non-photodefinable laser energy absorbing layer for substrate dicing by laser and plasma etch
TWI601197B (zh) * 2013-04-08 2017-10-01 Disco Corp The method of segmenting the circular plate
US8883614B1 (en) 2013-05-22 2014-11-11 Applied Materials, Inc. Wafer dicing with wide kerf by laser scribing and plasma etching hybrid approach
US9105710B2 (en) 2013-08-30 2015-08-11 Applied Materials, Inc. Wafer dicing method for improving die packaging quality
US9224650B2 (en) 2013-09-19 2015-12-29 Applied Materials, Inc. Wafer dicing from wafer backside and front side
US9460966B2 (en) 2013-10-10 2016-10-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dicing wafers having thick passivation polymer layer
US9041198B2 (en) 2013-10-22 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Maskless hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing process
US9209084B2 (en) 2013-10-22 2015-12-08 Applied Materials, Inc. Maskless hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing process
JP2015095509A (ja) * 2013-11-11 2015-05-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US9312177B2 (en) 2013-12-06 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Screen print mask for laser scribe and plasma etch wafer dicing process
US9299614B2 (en) 2013-12-10 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Method and carrier for dicing a wafer
US9293304B2 (en) 2013-12-17 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Plasma thermal shield for heat dissipation in plasma chamber
US9012305B1 (en) 2014-01-29 2015-04-21 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate non-reactive post mask-opening clean
US9299611B2 (en) 2014-01-29 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Method of wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask plasma treatment for improved mask etch resistance
US9018079B1 (en) 2014-01-29 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate reactive post mask-opening clean
US8927393B1 (en) 2014-01-29 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Water soluble mask formation by dry film vacuum lamination for laser and plasma dicing
US9768014B2 (en) 2014-01-31 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Wafer coating
US9165812B2 (en) 2014-01-31 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Cooled tape frame lift and low contact shadow ring for plasma heat isolation
US9236284B2 (en) 2014-01-31 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Cooled tape frame lift and low contact shadow ring for plasma heat isolation
US8991329B1 (en) 2014-01-31 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Wafer coating
US9130030B1 (en) 2014-03-07 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Baking tool for improved wafer coating process
US8883615B1 (en) 2014-03-07 2014-11-11 Applied Materials, Inc. Approaches for cleaning a wafer during hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing processes
US9275902B2 (en) 2014-03-26 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Dicing processes for thin wafers with bumps on wafer backside
US9076860B1 (en) 2014-04-04 2015-07-07 Applied Materials, Inc. Residue removal from singulated die sidewall
US8975163B1 (en) 2014-04-10 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Laser-dominated laser scribing and plasma etch hybrid wafer dicing
US8932939B1 (en) 2014-04-14 2015-01-13 Applied Materials, Inc. Water soluble mask formation by dry film lamination
US9583375B2 (en) 2014-04-14 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Water soluble mask formation by dry film lamination
US8912078B1 (en) 2014-04-16 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Dicing wafers having solder bumps on wafer backside
US9343366B2 (en) 2014-04-16 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Dicing wafers having solder bumps on wafer backside
US8999816B1 (en) 2014-04-18 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Pre-patterned dry laminate mask for wafer dicing processes
US9159621B1 (en) 2014-04-29 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Dicing tape protection for wafer dicing using laser scribe process
US9269604B2 (en) 2014-04-29 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Wafer edge warp suppression for thin wafer supported by tape frame
US8912075B1 (en) 2014-04-29 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Wafer edge warp supression for thin wafer supported by tape frame
US8980727B1 (en) 2014-05-07 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Substrate patterning using hybrid laser scribing and plasma etching processing schemes
US9112050B1 (en) 2014-05-13 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Dicing tape thermal management by wafer frame support ring cooling during plasma dicing
US9034771B1 (en) 2014-05-23 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Cooling pedestal for dicing tape thermal management during plasma dicing
US9165832B1 (en) 2014-06-30 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser
US9093518B1 (en) 2014-06-30 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Singulation of wafers having wafer-level underfill
US9130057B1 (en) 2014-06-30 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Hybrid dicing process using a blade and laser
US9142459B1 (en) 2014-06-30 2015-09-22 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask application by vacuum lamination
US9349648B2 (en) 2014-07-22 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a rectangular shaped two-dimensional top hat laser beam profile or a linear shaped one-dimensional top hat laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
US9196498B1 (en) 2014-08-12 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Stationary actively-cooled shadow ring for heat dissipation in plasma chamber
US9117868B1 (en) 2014-08-12 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Bipolar electrostatic chuck for dicing tape thermal management during plasma dicing
US9281244B1 (en) 2014-09-18 2016-03-08 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using an adaptive optics-controlled laser scribing process and plasma etch process
US9177861B1 (en) 2014-09-19 2015-11-03 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using laser scribing process based on an elliptical laser beam profile or a spatio-temporal controlled laser beam profile
US11195756B2 (en) 2014-09-19 2021-12-07 Applied Materials, Inc. Proximity contact cover ring for plasma dicing
US9196536B1 (en) 2014-09-25 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a phase modulated laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
US9130056B1 (en) 2014-10-03 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Bi-layer wafer-level underfill mask for wafer dicing and approaches for performing wafer dicing
US9245803B1 (en) 2014-10-17 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a bessel beam shaper laser scribing process and plasma etch process
US10692765B2 (en) 2014-11-07 2020-06-23 Applied Materials, Inc. Transfer arm for film frame substrate handling during plasma singulation of wafers
US9355907B1 (en) 2015-01-05 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a line shaped laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
US9330977B1 (en) 2015-01-05 2016-05-03 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a galvo scanner and linear stage hybrid motion laser scribing process and plasma etch process
US9159624B1 (en) 2015-01-05 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Vacuum lamination of polymeric dry films for wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach
KR102070031B1 (ko) * 2015-03-13 2020-01-29 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 처리 방법, 반도체 칩 및 표면 보호 테이프
CN107210204A (zh) * 2015-03-13 2017-09-26 古河电气工业株式会社 半导体晶片的处理方法、半导体芯片和表面保护带
KR20170094301A (ko) * 2015-03-13 2017-08-17 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 처리 방법, 반도체 칩 및 표면 보호 테이프
JP2016171262A (ja) * 2015-03-13 2016-09-23 古河電気工業株式会社 半導体ウェハの処理方法、半導体チップおよび表面保護テープ
US10418267B2 (en) 2015-03-13 2019-09-17 Furukawa Electric Co., Ltd. Method of processing a semiconductor wafer, semiconductor chip, and surface protective tape
WO2016148025A1 (ja) * 2015-03-13 2016-09-22 古河電気工業株式会社 半導体ウェハの処理方法、半導体チップおよび表面保護テープ
US9601375B2 (en) 2015-04-27 2017-03-21 Applied Materials, Inc. UV-cure pre-treatment of carrier film for wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach
US9721839B2 (en) 2015-06-12 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Etch-resistant water soluble mask for hybrid wafer dicing using laser scribing and plasma etch
US9478455B1 (en) 2015-06-12 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Thermal pyrolytic graphite shadow ring assembly for heat dissipation in plasma chamber
TWI659512B (zh) * 2015-07-27 2019-05-11 美商先科公司 半導體裝置以及囊封半導體晶粒的方法
US11217536B2 (en) 2016-03-03 2022-01-04 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a split beam laser scribing process and plasma etch process
US9972575B2 (en) 2016-03-03 2018-05-15 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a split beam laser scribing process and plasma etch process
US9852997B2 (en) 2016-03-25 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a rotating beam laser scribing process and plasma etch process
US9793132B1 (en) 2016-05-13 2017-10-17 Applied Materials, Inc. Etch mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process
US11158540B2 (en) 2017-05-26 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Light-absorbing mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process
US10661383B2 (en) 2017-06-01 2020-05-26 Applied Materials, Inc. Mitigation of particle contamination for wafer dicing processes
US10363629B2 (en) 2017-06-01 2019-07-30 Applied Materials, Inc. Mitigation of particle contamination for wafer dicing processes
WO2019022277A1 (ko) * 2017-07-28 2019-01-31 (주) 예스티 웨이퍼 다이싱 방법 및 웨이퍼를 다이싱하기 위한 시스템
US10535561B2 (en) 2018-03-12 2020-01-14 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a multiple pass laser scribing process and plasma etch process
US11355394B2 (en) 2018-09-13 2022-06-07 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate breakthrough treatment
JPWO2020059572A1 (ja) * 2018-09-20 2021-05-13 三井化学東セロ株式会社 電子装置の製造方法
JP7146931B2 (ja) 2018-09-20 2022-10-04 三井化学東セロ株式会社 電子装置の製造方法
WO2020059572A1 (ja) * 2018-09-20 2020-03-26 三井化学東セロ株式会社 電子装置の製造方法
JP2020194917A (ja) * 2019-05-29 2020-12-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
JP7213477B2 (ja) 2019-05-29 2023-01-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
US11011424B2 (en) 2019-08-06 2021-05-18 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a spatially multi-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process
US11342226B2 (en) 2019-08-13 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using an actively-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process
US10903121B1 (en) 2019-08-14 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a uniform rotating beam laser scribing process and plasma etch process
US11600492B2 (en) 2019-12-10 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with reduced current leakage for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process
US11211247B2 (en) 2020-01-30 2021-12-28 Applied Materials, Inc. Water soluble organic-inorganic hybrid mask formulations and their applications
US11764061B2 (en) 2020-01-30 2023-09-19 Applied Materials, Inc. Water soluble organic-inorganic hybrid mask formulations and their applications

Also Published As

Publication number Publication date
JP3910843B2 (ja) 2007-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3910843B2 (ja) 半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置
CN1269192C (zh) 半导体器件的制造方法和半导体器件的制造设备
JP4288229B2 (ja) 半導体チップの製造方法
CN101542714B (zh) 半导体芯片制造方法
CN109309047B (zh) 处理衬底的方法
US8148240B2 (en) Method of manufacturing semiconductor chips
US6890836B2 (en) Scribe street width reduction by deep trench and shallow saw cut
WO2008123012A1 (en) Method of manufacturing semiconductor chip
JP2010016392A (ja) 基板、特に半導体ウェハの加工
TWI732949B (zh) 晶圓的加工方法
US20090186465A1 (en) Wafer dividing method
JP2002093752A (ja) 半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置
JP2007096115A (ja) 半導体装置の製造方法
TW201917783A (zh) 晶圓加工方法
TWI744503B (zh) 元件晶片之製造方法
JP2010182753A (ja) ウエーハの分割方法
JP2003197569A (ja) 半導体チップの製造方法
TW202044369A (zh) 晶圓之製造方法以及層積元件晶片之製造方法
US7179720B2 (en) Pre-fabrication scribing
CN109979879B (zh) 半导体芯片制造方法
JP2010166371A (ja) 圧電デバイスの製造方法
JP2020092191A (ja) デバイスチップの製造方法
JP2006294840A (ja) 半導体固片の仕上げ加工方法
EP2015356A1 (en) Method for singulation of wafers
JP2001196332A (ja) レーザ光を用いた硬質非金属膜の切断方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060419

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060425

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060622

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060829

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060925

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070123

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070125

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees