WO2014046083A1 - プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
Description
2 載置台
15 処理ガス供給源
16 シャワーヘッド
10a 第1の高周波電源
10b 第2の高周波電源
60 制御部
200 プラズマエッチング装置
W 半導体ウエハ
Claims (12)
- 処理チャンバの内部に収容された基板に形成された被処理膜をエッチングするエッチング処理を実行することによって、前記被処理膜にホールを形成する第1の工程と、
前記エッチング処理を実行することによって形成された前記ホールの入口部に付着した反応生成物を除去する除去工程と、前記除去工程によって反応生成物が除去された前記ホールの側壁部に堆積物を堆積させる堆積工程と、前記堆積工程によって堆積物が側壁部に堆積された前記ホールを、前記エッチング処理を進行させることによって伸延(深エッチング)する伸延(深エッチング)工程とを複数回繰り返し実行する第2の工程と
を含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記除去工程は、CF系ガスを前記処理チャンバに供給し、前記CF系ガスをプラズマ化させることによって、前記反応生成物を除去し、
前記堆積工程は、前記除去工程によって供給された前記CF系ガスが前記処理チャンバに残存している期間であるCF系ガス残存期間において堆積ガスを前記処理チャンバに供給し、前記堆積ガスをプラズマ化させることによって、前記ホールの側壁部に前記堆積物を堆積させ、
前記伸延(深エッチング)工程は、前記CF系ガス残存期間において前記エッチング処理を進行させることによって、前記ホールを伸延することを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。 - 前記堆積ガスは、CHF3及びArを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記堆積ガスは、さらに、COSを含むことを特徴とする請求項3に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記堆積工程の処理時間は、8秒以上15秒以内であることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記第2の工程は、前記除去工程と前記堆積工程と前記伸延(深エッチング)工程とを少なくとも8回以上繰り返し実行することを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマエッチング方法。
- 内部に基板を収容する処理チャンバと、
前記処理チャンバの内部に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理チャンバの内部に収容された基板に形成された被処理膜をエッチングするエッチング処理を実行することによって、前記被処理膜にホールを形成し、前記エッチング処理を実行することによって形成された前記ホールの入口部に付着した反応生成物を除去する除去工程と、前記除去工程によって反応生成物が除去された前記ホールの側壁部に堆積物を堆積させる堆積工程と、前記堆積工程によって堆積物が側壁部に堆積された前記ホールを、前記エッチング処理を進行させることによって伸延(深エッチング)する伸延(深エッチング)工程とを複数回繰り返し実行する制御部と
を備えたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 前記除去工程は、CF系ガスを前記処理チャンバに供給し、前記CF系ガスをプラズマ化させることによって、前記反応生成物を除去し、
前記堆積工程は、前記除去工程によって供給された前記CF系ガスが前記処理チャンバに残存している期間であるCF系ガス残存期間において堆積ガスを前記処理チャンバに供給し、前記堆積ガスをプラズマ化させることによって、前記ホールの側壁部に前記堆積物を堆積させ、
前記伸延(深エッチング)工程は、前記CF系ガス残存期間において前記エッチング処理を進行させることによって、前記ホールを伸延することを特徴とする請求項7に記載のプラズマエッチング装置。 - 処理室内に収容された第1の膜と第1の膜の下に形成する第2の膜を有する基板をエッチングガスでエッチングすることによって、前記第2の膜にホールを形成するプラズマエッチング方法において、
前記処理室内に前記第1の膜と前記第1の膜の下に形成する前記第2の膜を有する前記基板を準備する工程と、
前記第1の膜をマスクとして前記第2の膜を第1のエッチングガスでエッチングする第1のエッチング処理を実行することによって、第1のホールを形成する工程と、
前記第1のホールの上方の前記第1の膜の開口部近辺に反応生成物を形成する工程と、
前記反応生成物を第2のエッチングガスでエッチングして除去する工程と、
前記第1のホール内の側壁部に第3のエッチングガスにより堆積物を形成する工程と、
前記堆積物が側壁部に堆積された前記第1のホールを、前記第1のエッチングガスで前記第1のエッチング処理を進行させることによって伸延(深エッチング)する工程と、
を有し、
前記反応生成物を除去する工程と前記堆積物を形成する工程と前記第1のホールを伸延(深エッチング)する工程とを複数回繰すことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記第1及び第2のエッチンガスは、CF系のガスを含むガスであることを特徴とする請求項9に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記第3のエッチングガスは、CHF3及COSを少なくとも含むことを特徴とする請求項9又は10に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記堆積物を形成する工程の処理時間は、8秒以上15秒以内であることを特徴とする請求項9又は10に記載のプラズマエッチング方法。
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