JP2006310736A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- プラズマ処理装置の処理室内で、被処理体表面のシリコンに酸素含有プラズマを作用させてシリコン酸化膜を形成する酸化処理工程を含むゲート絶縁膜の製造方法であって、
前記酸化処理工程における処理温度は７００℃超９００℃以下、処理圧力は１．３３Ｐａ〜１３３３Ｐａであり、
前記酸素含有プラズマは、少なくとも希ガスと酸素ガスとを含む酸素含有処理ガスを前記処理室内に導入するとともに、アンテナを介して該処理室内に高周波またはマイクロ波を導入することによって形成される前記酸素含有処理ガスのプラズマであることを特徴とする、ゲート絶縁膜の製造方法。 - プラズマ処理装置の処理室内で、被処理体表面のシリコンに酸素含有プラズマを作用させてシリコン酸化膜を形成する酸化処理工程と、
前記酸化処理工程で形成された前記シリコン酸化膜に窒素含有プラズマを作用させてシリコン酸窒化膜を形成する窒化処理工程と、
を含むゲート絶縁膜の製造方法であって、
前記酸化処理工程における処理温度は７００℃超９００℃以下、処理圧力は１．３３Ｐａ〜１３３３Ｐａであり、
前記酸素含有プラズマは、少なくとも希ガスと酸素ガスとを含む酸素含有処理ガスを前記処理室内に導入するとともに、アンテナを介して該処理室内に高周波またはマイクロ波を導入することによって形成される前記酸素含有処理ガスのプラズマであることを特徴とする、ゲート絶縁膜の製造方法。 - 前記窒素含有プラズマは、少なくとも希ガスと窒素ガスとを含む窒素含有処理ガスを処理室内に導入するとともに、アンテナを介して該処理室内に高周波またはマイクロ波を導入することによって形成される前記窒素含有処理ガスのプラズマであることを特徴とする、請求項２に記載のゲート絶縁膜の製造方法。
- 前記酸化処理工程と前記窒化処理工程を同一の処理室内で行うことを特徴とする、請求項２または請求項３に記載のゲート絶縁膜の製造方法。
- 前記酸化処理工程と前記窒化処理工程を、真空状態で連結された別々の処理室内で行うことを特徴とする、請求項２または請求項３に記載のゲート絶縁膜の製造方法。
- 前記酸化処理工程では、前記処理室内のプラズマ発生領域と前記被処理体との間に、複数の貫通開口を有する誘電体プレートを介在させて処理を行なうことを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のゲート絶縁膜の製造方法。
- 前記貫通開口の孔径が２．５〜１２ｍｍであり、前記誘電体プレート上の前記基板に対応する領域内で、前記基板の面積に対する前記貫通開口の合計の開口面積比率が１０〜５０％であることを特徴とする、請求項６に記載のゲート絶縁膜の製造方法。
- 前記シリコン酸化膜の膜厚が、０．２〜１０ｎｍであることを特徴とする、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のゲート絶縁膜の製造方法。
- コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載された前記酸化処理工程が行なわれるように前記プラズマ処理装置を制御することを特徴とする、制御プログラム。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載された前記酸化処理工程が行なわれるように前記プラズマ処理装置を制御するものであることを特徴とする、コンピュータ記憶媒体。
- プラズマを発生させるプラズマ供給源と、
前記プラズマにより、被処理体を処理するための真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内で前記被処理体を載置する基板支持台と、
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載された前記酸化処理工程が行なわれるように制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする、プラズマ処理装置。 - 請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のゲート絶縁膜の製造方法により製造されたゲート絶縁膜上に、ゲート電極を形成する工程を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
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