JP6280487B2 - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
半導体記憶素子の記憶容量増大の観点から、半導体記憶素子中のメモリセルの絶縁層に高誘電率の材料を用いる技術が知られている。そのような材料の一つに、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ）がある。ＺｒＯは約２４から４０といった誘電率を有しているが、耐電圧性が低いという問題がある。そこで、ＺｒＯに対してアルミニウム（Ａｌ）を添加することにより、耐電圧性の向上を図る技術が知られている（例えば特許文献１）。
また、半導体記憶素子の低コスト化の観点から、半導体ウエハ（以下、「基板」という。）の大口径化が進められている。これに伴って、基板表面内における均一性の向上が求められている。このような要望に応える成膜方法として、原子層成膜（ＡＬＤ）法（又は、分子層成膜（ＭＬＤ）法）と呼ばれる成膜方法がある。
ＡＬＤ法では、互いに反応する２種類の反応ガスのうちの一方の反応ガス（以下、「反応ガスＡ」という。）を基板表面に吸着させ、吸着した反応ガスＡを他方の反応ガス（以下、「反応ガスＢ」という。）で反応させるサイクルを繰り返す。これにより、ＡＬＤ法では、基板上に反応ガスＡと反応ガスＢとの反応生成物を生成し、生成した反応生成物による薄膜を基板表面に成膜する。
ＡＬＤ法を例えばバッチ式の成膜装置で実施する場合には、先ず、基板が収容される処理室内に反応ガスＡを供給し、基板表面に反応ガスＡを吸着させる。次に、処理室内を排気／パージする。次いで、処理室内に反応ガスＢを供給し、基板表面上の反応ガスＡと供給する反応ガスＢとを反応させる。このとき、反応生成物が基板表面に生成される。以後、処理室内を排気／パージし、所定の膜厚を有する薄膜が得られるまで上記の工程が繰り返される。
また、このようなＡＬＤ法による成膜を、複数の基板に対して行う場合、処理室内に設けられた回転テーブル上に周方向に沿って複数の基板を載置した状態で回転テーブルを回転させ、回転テーブルの周方向に沿って設けられた複数の反応ガス供給領域を順次通過させることにより成膜を行う。かかる成膜方法において、反応ガスＡ及び反応ガスＢを吐出するタイミングが同じ基板上であると、複数の基板間で成膜のムラが生じてしまうことから、各反応ガスＡ、Ｂを直接的に供給する基板が同じ基板とならないように、供給位置がずれていくような設定を行った成膜方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。
特開２０１１−１８７０７号公報 特開２０１４−１０７３４４号公報
しかしながら、上述の特許文献１、２に記載の成膜方法においては、メインテナンス時のように、装置を長期間停止しておいた場合の問題点については、何ら考慮されていない。成膜装置を長時間停止状態にしておくと、原料ガスタンクの内圧が上昇したり、原料ガス供給用の配管内に付着している原料が剥がれたりするおそれがある。この状態で原料ガスをチャンバーに流すと、原料ガスタンク内の内圧変化によるパーティクルや配管内で剥がれたパーティクルがチャンバー内に流れ込む懸念があるため、事前にチャンバーを通さないでポンプに流すプリフローを実施している場合がある。
図１は、成膜装置における原料供給ラインの一例を示した図である。図１に示されるように、原料タンク４０から流量制御器３９を介して原料を供給する原料供給ラインにおいて、プリフローを行う際には、チャンバー１ａに接続される配管３４のバルブ３７を閉じるとともに、真空ポンプ６４０に接続されるベントライン３５のバルブ３８を開放し、配管３６からのパーティクルがチャンバー１ａ内に流れ込まず、真空ポンプ６４０にのみ流れるようにする。しかしながら、図１に示すように、プリフローだけでは、ファイナルバルブ３７からチャンバー１ａ内までの間でケアされない箇所があるため、チャンバーフロー時にパーティクルが発生する懸念がある。
また、成膜装置以外の基板処理装置においても、同様な問題点を抱えている場合がある。
そこで、本発明は、長期間の装置の停止があった場合でも、パーティクルの基板処理への影響を低減することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る基板処理方法は、処理室内に設けられた回転テーブル上に周方向に沿って所定間隔離間して複数の基板を配置し、該回転テーブルを回転させながら前記回転テーブル上の所定領域に向けて流体を供給することにより前記基板の処理を行う基板処理方法であって、
前記基板が載置された前記回転テーブルを回転させる工程と、
前記回転テーブル上に配置された前記複数の基板の間の領域に向けて前記流体を供給するタイミングに合わせて、前記回転テーブル上への前記流体の供給流量が変動する動作を行う工程と、を有する。
本発明の他の態様に係る基板処理装置は、処理室と、
該処理室内に設けられた回転テーブルと、
該回転テーブルの上面に、周方向に沿って所定間隔離間して設けられた複数の基板載置領域と、
前記回転テーブルの上面上の所定領域に向けて流体を供給可能な流体供給手段と、
該流体供給手段が、前記複数の基板載置領域の間の領域に向けて前記流体を供給可能なタイミングに合わせて、該流体供給手段に前記流体の供給流量を変動させる動作を行わせる制御手段と、を有する。
本発明によれば、基板処理へのパーティクルの影響を低減することができる。
成膜装置における原料供給ラインの一例を示した図である。 本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面図である。 図２の基板処理装置の真空容器内の構造を示す斜視図である。 図２の基板処理装置の真空容器内の構造を示す概略上面である。 図２の基板処理装置の一部断面図である。 図２の基板処理装置の他の一部断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る基板処理方法の処理ガスの供給タイミングを説明するための図である。 第１の処理ガスノズルからの第１の処理ガス供給開始タイミングをより詳細に説明するための図である。 パーティクルが発生する可能性があるタイミングの一例を示したタイミングチャートである。 本発明の実施形態に係る基板処理方法の一例の処理フローを示した図である。 本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の一例を示した全体構成図である。
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。
本発明の実施形態に係る基板処理方法及び基板処理装置は、以下に説明する基板処理方法又は基板処理装置以外でも、流体を用いて、複数の基板を処理する装置であれば、いずれのものにも用いることができる。以下の実施形態においては、流体としてガスを用いて、基板に成膜処理を施す成膜方法及び成膜装置を例に挙げて説明するが、例えば、気体以外にも、液体を用いた基板処理装置でも、配管内に異物やパーティクルが存在する場合があり、また、成膜装置以外にも、エッチング装置等、流体を用いて種々の基板処理を行う基板処理装置が考えられる。本発明は、これらの種々の基板処理方法及び基板処理装置に適用可能である。
なお、以後の説明において、添付の全図面の記載の同一又は対応する装置、部品又は部材には、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、装置、部品若しくは部材間の限定的な関係を示すことを目的としない。したがって、具体的な相関関係は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定することができる。
〔第１の実施形態〕
図２乃至図６を用いて、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置について説明する。ここで、基板処理装置は、本発明の第１の実施形態では、所謂回転テーブル式（後述）の基板処理装置であって、流体を所定の供給領域に向けて供給することによって、複数の基板の表面を処理する装置のことを意味する。
なお、図２は、基板処理装置の断面図であり、図４のＩ−Ｉ'線に沿った断面を示している。図３及び図４は、処理室１（後述）内の構造を説明する図である。図３及び図４は、説明の便宜上、天板１１（後述）の図示を省略している。
図５は、処理ガスノズル３１（後述）から処理ガスノズル３２（後述）までの回転テーブル２（後述）の同心円に沿った処理室１の断面図である。図６は、天井面４４（後述）が設けられる領域を示す一部断面図である。
図２乃至図４に示すように、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置は、ほぼ円形の平面形状を有する扁平な処理室１と、処理室１内に設けられる回転テーブル２と、基板処理装置全体の動作（例えば処理ガスノズル３１、３２のガス供給タイミング）を制御する制御部１００（制御手段）とを備える。
処理室１は、有底の円筒形状を有する容器本体１２と、容器本体１２の上面に気密に着脱可能に配置される天板１１とを備える。天板１１は、例えばＯリングなどのシール部材１３（図２）を介して気密に着脱可能に配置され、処理室１内の気密性を確保する。
回転テーブル２は、処理室１の中心を回転中心に、ケース体２０に収納されている円筒形状のコア部２１に固定される。回転テーブル２は、複数の基板（以下、「ウエハＷ」という。）が載置される載置部を上面に有する。
ケース体２０は、その上面が開口した筒状のケースである。ケース体２０は、その上面に設けられたフランジ部分を処理室１の底部１４の下面に気密に取り付けられている。ケース体２０は、その内部雰囲気を外部雰囲気から隔離する。
コア部２１は、鉛直方向に伸びる回転軸２２の上端に固定されている。回転軸２２は、処理室１の底部１４を貫通する。また、回転軸２２の下端は、回転軸２２を鉛直軸回りに回転させる駆動部２３に取り付けられる。更に、回転軸２２及び駆動部２３は、ケース体２０内に収納されている。
図４に示すように、回転テーブル２の表面は、回転方向（周方向）に沿って複数（本実施形態では５枚）のウエハＷを載置するための円形状の複数の凹部２４（基板載置領域）を有する。ここで、図４では、便宜上、１個の凹部２４だけにウエハＷを図示する。なお、本発明に用いることができる回転テーブル２は、複数の基板として、４枚以下又は６枚以上のウエハＷを載置する構成であってもよい。
凹部２４は、本実施形態では、ウエハＷの直径（例えば３００ｍｍ）よりも僅かに大きい内径（例えば４ｍｍ大きい内径）とする。また、凹部２４は、ウエハＷの厚さにほぼ等しい深さとする。これにより、本実施形態に係る基板処理装置は、凹部２４にウエハＷを載置すると、ウエハＷの表面と回転テーブル２の表面（ウエハＷが載置されない領域）とを略同じ高さにすることができる。
本実施形態に係る基板処理装置において、処理ガスノズル３１は、第１のガス供給部であり、回転テーブル２の上方において区画される第１の処理領域（後述）に配置される。処理ガスノズル３２は、第２のガス供給部であり、回転テーブル２の周方向に沿って第１の処理領域から離間する第２の処理領域（後述）に配置される。分離ガスノズル４１，４２は、分離ガス供給部であり、第１の処理領域と第２の処理領域との間に配置される。なお、処理ガスノズル３１等は、例えば石英からなるノズルを用いてもよい。
具体的には、図３及び図４に示すように、本実施形態に係る基板処理装置は、処理室１の周方向に間隔をおいて、基板搬送用の搬送口１５から時計回り（回転テーブル２の回転方向）に処理ガスノズル３２、分離ガスノズル４１、処理ガスノズル３１及び分離ガスノズル４２の順に配列する。これらのノズル３１、３２、４１及び４２は、それぞれの基端部であるガス導入ポート３１ａ、３２ａ、４１ａ及び４２ａ（図４）を容器本体１２の外周壁に固定している。また、ガスノズル３１、３２、４１及び４２は、処理室１の外周壁から処理室１内に導入される。更に、ガスノズル３１、３２、４１及び４２は、容器本体１２の半径方向に沿って回転テーブル２の中心方向に、且つ、回転テーブル２に対して平行に伸びるように取り付けられる。
処理ガスノズル３１、３２は、回転テーブル２に向かって下方に開口する複数のガス吐出孔３３（図５参照）を備える。処理ガスノズル３１、３２は、そのノズルの長さ方向に沿って、例えば１０ｍｍの間隔で開口を配列することができる。これにより、処理ガスノズル３１の下方領域は、ウエハＷに第１の処理ガスを吸着させる領域（以下、「第１の処理領域Ｐ１」という。）となる。また、処理ガスノズル３２の下方領域は、ウエハＷに吸着している第１の処理ガスに第２の処理ガスを反応させ、第１の処理ガスと第２の処理ガスとの反応生成物を堆積させる領域（以下、「第２の処理領域Ｐ２」という。）となる。なお、第１の処理ガスには、例えばＴＥＭＡＺガス又はＴＭＡガス等の原料ガスが用いられ、第２の処理ガスには、酸化ガス（例えばＯ２ガス又はＯ３ガス）、窒化ガス（例えばＮＨ３ガス）等の反応ガスが用いられてもよい。
処理ガスノズル３１は、回転テーブル２の上面の上方において区画される第１の処理領域Ｐ１に配置される。処理ガスノズル３１は、図１で示した配管３４、３６、バルブ３７及び流量制御器３９（例えばマスフローコントローラ）等を介して、第１の処理ガスの供給源４０に接続されている。すなわち、処理ガスノズル３１は、回転テーブル２の上面に向けて第１の処理ガスを供給する。
処理ガスノズル３２は、回転テーブル２の上面の上方において区画される第２の処理領域Ｐ２に配置される。処理ガスノズル３２は、不図示の配管等を介して、第２の処理ガスの供給源（不図示）に接続されている。すなわち、処理ガスノズル３２は、回転テーブル２の上面に向けて第２の処理ガスを供給する。処理ガスノズル３２は、本実施形態では、開閉バルブ（不図示）を相補的に開閉することにより、第２の処理ガスを処理室１（第２の処理領域Ｐ２）内へ供給する。
分離ガスノズル４１、４２は、周方向に沿って離間して設けられた第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２との間に夫々設けられる。分離ガスノズル４１、４２は、不図示の配管等を介して、分離ガスの供給源（不図示）に接続されている。すなわち、分離ガスノズル４１、４２は、回転テーブル２の上面に対して分離ガスを供給する。
本実施形態に係る基板処理装置は、第１の処理ガスとしては、種々の原料ガスが用いられてよいが、例えばジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）を含有するガス（又は蒸気、以下同じ）を用いてもよい。これらの原料ガスは、例えば各々の金属を含有する有機金属原料のガスである。
第２の処理ガスとしては、第１の処理ガスと反応する種々の反応ガスが用いられてよいが、例えば、酸素を含有するガスを用いてもよい。酸素を含有するガスは、例えば酸素ガス又はオゾンガスである。すなわち、処理ガスノズル３１から供給されて基板に吸着した第１の処理ガスは、処理ガスノズル３２から供給された第２の処理ガスにより酸化され、酸化物（例えばＺｒＯ、ＨｆＯ、ＡｌＯ、ＴｉＯ）を生成する。
なお、第１の処理ガス及び第２の処理ガスは、これらに限られる訳ではなく、例えば、第１の処理ガスをＳｉ含有ガス、第２の処理ガスを酸化ガスという組み合わせにしてもよいし、第１の処理ガスをＴｉＣｌ４ガス、第２の処理ガスをＮＨ３ガスという組み合わせにしてもよい。第１及び第２の処理ガスは、実施するプロセスに応じて、種々の処理ガスを用いることができる。
本実施形態に係る基板処理装置は、分離ガスとして、不活性ガスを用いる。不活性ガスは、例えばＡｒやＨｅなどの希ガス又は窒素ガスである。分離ガスは、ウエハＷをパージするパージガスとして用いられる。なお、本実施形態においては、パージガスとして一般的に用いられるＮ２ガスを分離ガスとして用いた例を挙げて説明する。
図３及び図４に示すように、本実施形態に係る基板処理装置の処理室１内には、２つの凸状部４が設けられている。凸状部４は、頂部が円弧状に切断された略扇型の平面形状を有する。凸状部４は、本実施形態では、内円弧が突出部５に連結する。また、凸状部４は、外円弧が処理室１の容器本体１２の内周面に沿うように配置されている。
具体的には、凸状部４は、図５に示すように、天板１１の裏面に取り付けられる。また、凸状部４は、その下面である平坦な低い天井面４４（第１の天井面）と、この天井面４４の周方向両側に位置する天井面４５（第２の天井面）とを有する。ここで、凸状部４の天井面４５は、天井面４４よりも高い天井面である。これにより、凸状部４は、処理室１内に、狭い空間である分離空間Ｈと、分離空間Ｈからガスを流入される空間４８１及び空間４８２とを形成する。すなわち、凸状部４は、形成した狭い空間である分離空間Ｈを後述する図６に示す分離領域Ｄとして機能させる。
また、図５に示すように、凸状部４は、周方向中央に溝部４３を有する。溝部４３は、回転テーブル２の半径方向に沿って延びている。また、溝部４３は、分離ガスノズル４２が収容されている。もう一つの凸状部４にも同様に溝部４３が形成され、ここに分離ガスノズル４１が収容されている。
なお、分離ガスノズル４２の下面、即ち回転テーブル２との対向面には、ガス吐出孔４２ｈが形成されている。ガス吐出孔４２ｈは、分離ガスノズル４２の長手方向に沿って所定の間隔（例えば１０ｍｍ）をあけて複数個形成されている。また、ガス吐出孔４２ｈの開口径は、例えば０．３から１．０ｍｍである。図示を省略するが、分離ガスノズル４１にも同様にガス吐出孔４２ｈが形成されている。
更に、図５に示すように、本実施形態に係る基板処理装置は、高い天井面４５の下方の空間に、処理ガスノズル３１、３２をそれぞれ設ける。これらの処理ガスノズル３１、３２は、天井面４５から離間してウエハＷの近傍に設けられている。なお、図５に示すように、処理ガスノズル３１は空間４８１（高い天井面４５の下方の空間）内に設けられ、処理ガスノズル３２は空間４８２（高い天井面４５の下方の空間）に設けられている。
低い天井面４４は、狭い空間である分離空間Ｈを回転テーブル２に対して形成している。分離ガスノズル４２から不活性ガス（例えばＮ２ガス）が供給されると、この不活性ガスは、分離空間Ｈを流通して、空間４８１及び空間４８２へ向かって流出する。ここで、分離空間Ｈの容積は空間４８１及び４８２の容積よりも小さいため、本実施形態に係る基板処理装置は、空間４８１及び４８２の圧力と比較して、供給した不活性ガスを用いて分離空間Ｈの圧力を高くすることができる。すなわち、空間４８１及び４８２の間隙において、分離空間Ｈは圧力障壁を形成する。
更に、分離空間Ｈから空間４８１及び４８２へ流出した不活性ガスは、第１の処理領域Ｐ１の第１の処理ガスと、第２の処理領域Ｐ２の第２の処理ガスとに対してカウンターフローとして働く。従って、本実施形態に係る基板処理装置は、分離空間Ｈを用いて、第１の処理領域Ｐ１の第１の処理ガスと、第２の処理領域Ｐ２の第２の処理ガスとを分離する。即ち、本実施形態の基板処理装置は、処理室１内において第１の処理ガスと、第２の処理ガスとが混合して反応することを抑制する。
なお、回転テーブル２の上面に対する天井面４４の高さｈ１は、成膜時の処理室１内の圧力、回転テーブル２の回転速度及び／又は供給する分離ガス（Ｎ２ガス）の供給量などに基づいて、分離空間Ｈの圧力を空間４８１及び４８２の圧力に比べて高くするのに適した高さとすることができる。また、回転テーブル２の上面に対する天井面４４の高さｈ１は、基板処理装置の仕様及び供給するガスの種類に対応した高さとすることができる。更に、回転テーブル２の上面に対する天井面４４の高さｈ１は、予め実験又は計算等で定められる高さとすることができる。
図３及び図４に示すように、天板１１の下面には、回転テーブル２を固定するコア部２１の外周を囲むように突出部５が設けられている。突出部５は、本実施形態では、凸状部４における回転中心側の部位と連続しており、その下面が天井面４４と同じ高さに形成されている。
図６に示すように、略扇型の凸状部４の周縁部（処理室１の外縁側の部位）には、回転テーブル２の外端面に対向するようにＬ字型に屈曲する屈曲部４６が形成されている。屈曲部４６は、回転テーブル２と容器本体１２の内周面との間の空間を通して、空間４８１及び空間４８２の間でガスが流通するのを抑制する。扇型の凸状部４は天板１１に設けられる。
本実施形態に係る基板処理装置は、天板１１を容器本体１２から取り外すことができるので、屈曲部４６の外周面と容器本体１２との間には僅かな隙間を有する。基板処理装置は、屈曲部４６の内周面と回転テーブル２の外端面との隙間、及び、屈曲部４６の外周面と容器本体１２との隙間を、例えば回転テーブル２の上面に対する天井面４４の高さと同様の寸法に設定することができる。
再び図４を参照すると、回転テーブル２と容器本体の内周面との間において、空間４８１（図５）と連通する第１の排気口６１０と、空間４８２（図５）と連通する第２の排気口６２０とが形成されている。第１の排気口６１０及び第２の排気口６２０は、図２に示すように、各々排気管６３０を介して、真空排気手段（例えば真空ポンプ６４０）に接続されている。なお、排気管６３０の真空排気手段６４０までの経路中に圧力調整器６５０が設けられる。
回転テーブル２と処理室１の底部１４との間の空間には、図２及び図６に示すように、加熱手段であるヒータユニット７が設けられる。回転テーブル２を介して回転テーブル２上のウエハＷが、プロセスレシピで決められた温度（例えば４５０℃）に加熱される。回転テーブル２の周縁付近の下方側には、回転テーブル２の下方の空間へガスが侵入するのを抑えるために、リング状のカバー部材７１が設けられている。
図６に示すように、カバー部材７１は、回転テーブル２の外縁部及び外縁部よりも外周側を下方側から臨むように設けられた内側部材７１ａと、この内側部材７１ａと処理室１の内壁面との間に設けられた外側部材７１ｂと、を備えている。外側部材７１ｂは、凸状部４の外縁部に形成された屈曲部４６の下方にて、屈曲部４６と近接して設けられる。内側部材７１ａは、回転テーブル２の外縁部下方（及び外縁部よりも僅かに外側の部分の下方）において、ヒータユニット７を全周に亘って取り囲んでいる。
図１に示される制御部１００は、基板処理装置の各構成に動作を指示し、各構成の動作を制御する手段である。本実施形態に係る基板処理装置では、制御部１００は、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータから構成される。制御部１００は、例えば記憶部１０１に記憶されたプログラムを実行し、ハードウェアと協働することで、複数の基板の表面を成膜する。なお、制御部１００は、一般的なＣＰＵ（Central Processing Unit、中央処理装置）及びメモリ（例えば、ROM、RAM）等を含む演算処理装置で構成することができる。
具体的には、制御部１００は、内蔵するメモリ内に、後述する基板処理方法を基板処理装置に実施させるためのプログラムを格納することができる。このプログラムは、例えばステップ群を組まれている。制御部１００は、媒体１０２（ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなど）に記憶されている上記プログラムを記憶部１０１へ読み込み、その後、制御部１００内にインストールすることができる。
また、制御部１００は、時間を計測するタイマ等の時間計測部１０３を内蔵してよい。時間計測部１０３は、例えば、回転テーブル２の回転開始時刻、回転テーブル２が回転を開始してからの経過時間を計測する。
制御部１００は、第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２からの処理ガスの供給流量が変動する動作を行う際、処理ガスの供給が、ウエハＷ上ではなく、ウエハＷが載置された凹部２４の間の領域に対して行われるように処理ガス供給のタイミングを制御する。つまり、第１の処理ガスノズル３１から第１の処理ガス、及び／又は第２の処理ガスノズル３２から第２の処理ガスを回転テーブル２の表面に向かって供給する際、第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２の真下にウエハＷが存在する状態ではなく、凹部２４の間のウエハＷが存在しない領域が真下にある状態で各処理ガスの供給を行う。
ここで、処理ガスの供給流量が変動する動作とは、第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２から処理ガスの供給を開始する動作と、処理ガスの供給を停止する動作と、供給中の処理ガスの流量を変更する動作とを含む。つまり、メインテナンス等で基板処理装置を長期間停止させた後、第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２から処理ガスの供給を開始する時には、長期停止期間中に配管３４、３６内にパーティクルが蓄積しており、その蓄積したパーティクルがウエハＷ上に供給されてしまうおそれがある。パーティクルが第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２から供給されると、ウエハＷ上に線状のパーティクルが散布された状態となり、パーティクルが散布されたウエハＷが不良品となってしまうおそれがある。
よって、そのような事態を回避すべく、本実施形態に係る基板処理装置では、制御部１００が処理ガスの供給開始タイミングを制御し、供給開始がウエハＷ上ではなくウエハＷ間の回転テーブル２の表面上となるようにする。
図７は、処理ガスの供給タイミングを説明するための図である。図７に示されるように、基板載置領域である複数の凹部２４上にウエハＷが載置されているが、第１の処理ガスノズル３１が、ウエハＷの間に存在する状態となっている。図５で説明したように、第１の処理ガスノズル３１は、回転テーブル２と対向する下面にガス吐出孔３３を有するので、第１の処理ガスは第１の処理ガスノズル３１の真下の領域に直接的に供給される。よって、たとえ長期間の基板処理装置の停止により、配管３４、３６内にパーティクルが蓄積され、第１の処理ガスノズル３１からの第１の処理ガス供給開始時にパーティクルが第１の処理ガスの供給とともに散布されたとしても、これがウエハＷ上に直接散布されることを防ぐことができる。
図８は、第１の処理ガスノズル３１からの第１の処理ガス供給開始タイミングをより詳細に説明するための図である。第１の処理ガスノズル３１から第１の処理ガスの供給を開始する際には、回転テーブル２は既に回転しているため、図７及び図８のように、第１の処理ガスノズル３１からの第１の処理ガスの供給開始時に、ウエハＷが載置されている凹部２４の間の領域が、第１の処理ガスノズル３１の直下に来るようにタイミングをとる必要がある。まず、隣接する凹部２４間の間隔をｄとし、第１の処理ガスノズル３１の吐出孔３３の穴径をａとすると、凹部２４間の間隔ｄは、当然に第１の処理ガスノズル３１の吐出孔３３の穴径ａよりも広い必要がある（ａ＜ｄ）。その上で、回転テーブル２上のウエハＷの位置を把握し、第１の処理ガスノズル３１からの第１の処理ガス供給開始タイミングが、ウエハＷが第１の処理ガスノズル３１の直下に存在するタイミングにならないようにする。
なお、本実施形態においては、回転テーブル２上に凹部２４が５個形成され、ウエハＷが５枚載置できる例が挙げられている。この場合、隣接する凹部２４間の間隔ｄは数ｃｍあり、比較的処理ガス供給開始タイミングの制御は容易であるが、凹部２４が６個形成されている場合には、隣接する凹部２４間の間隔ｄは数ｍｍとなり、処理ガス供給開始タイミングの制御もある程度の精度が要求されるようになる。そのような場合、上述の隣接する凹部２４間の間隔ｄと、第１の処理ガスノズル３１の吐出孔３３の穴径ａとの関係を適切に考慮し、適切な処理ガス供給開始タイミングを設定するようにする。また、必要に応じて、配管３４、３６内のガスの移動時間等による遅れ時間等も考慮し、実際に第１の処理ガスノズル３１の吐出孔３３から第１の処理ガスが吐出される時間が適切なタイミングとなるように制御する。
ウエハＷの位置は、ウエハＷの位置の初期状態及び回転テーブル２の回転状態から把握することができる。即ち、ウエハＷを処理室１内に搬入し、回転テーブル２上に順次載置して位置合わせを行うことにより、ウエハＷの初期位置を把握することができる。そして、回転テーブル２の回転を開始するが、その際、回転テーブル２の回転開始時刻、回転速度及び回転開始からの経過時間を把握していれば、これらに基づいてウエハＷの位置を計算することができる。上述のように、回転テーブル２の回転開始時刻及び回転開始からの経過時間は、制御部１００内の時間計測部１０３により計測することができる。また、回転テーブル２の回転速度は、例えば媒体１０２を介してプロセスレシピにより与えられるので、制御部１００の方で当然に把握することができる。よって、制御部１００は、ウエハＷの位置を把握することができるので、これに基づいて、第１の処理ガスノズル３１からの第１の処理ガス供給開始タイミングを制御し、図７及び図８に示すようなタイミングで処理ガスの供給を開始するよう第１の処理ガスノズル３１の動作を制御する。このように、制御部１００が、回転テーブル２上のウエハＷの位置を把握し、第１の処理ガスノズル３１からの処理ガス供給開始のタイミングを制御することにより、本実施形態に係る基板処理方法を実施することができる。
なお、第１の処理ガスノズル３１だけでなく、第２の処理ガスノズル３２についても同様の制御を行うことができる。原料ガスである第１の処理ガスと比較すれば、酸化ガス、窒化ガス等の反応ガスである第２の処理ガスは、配管内におけるパーティクルの蓄積は少ないと考えられるが、やはりパーティクル蓄積の懸念はあるので、第２の処理ガスノズル３２においても、上述の処理ガス供給開始タイミングの制御を行うことが好ましい。よって、上述の処理ガス供給開始タイミングの制御は、処理ガスノズル３１、３２が複数存在する場合、総ての処理ガスノズル３１、３２について行うことが最も好ましい。しかしながら、用途に応じて、種々の態様を採り得ることは可能であるので、原料ガスを供給する処理ガスノズル３１でのみ行うことも可能であるし、また逆に、用途によっては、反応ガスを供給する処理ガスノズル３２でのみ行うことも可能である。このように、用途に応じて、処理ガス供給開始タイミングを制御する処理ガスノズル３１、３２は、種々選択が可能である。
また、このような処理ガスノズル３１、３２の処理ガスの供給動作を変化させるタイミングの制御は、処理ガスの供給開始時だけでなく、処理ガスの供給を停止する場合にも適用可能である。つまり、第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２から処理ガスの供給を停止する場合も、供給流量に変動があるので、配管３４、３６内にパーティクルが存在する場合、流量変動によりウエハＷ上に散布してしまうおそれがある。よって、処理ガスの供給開始時のみならず、処理ガスの供給停止時も、第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２の真下にウエハＷではなく、ウエハＷ間に露出している回転テーブル２の表面が存在する状態であることが好ましい。従って、制御部１００は、第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２から処理ガスの供給を停止する際にも、第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２の真下にウエハＷが存在しないタイミングで処理ガスの供給を停止させる。
また、第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２から処理ガスを所定流量で供給中に、流量を変更する必要がある場合には、制御部１００は、流量を変更するタイミングを、第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２の真下にウエハＷが存在しないタイミングに合わせることが好ましい。配管３４、３６内にパーティクルが存在する場合には、処理ガスの流量の変更も、パーティクルを浮遊させる要因となり得るからである。特に、反応ガスを供給する第２の処理ガスノズル３２では、反応ガスの供給流量が大きな値、例えば１０ｓｌｍといった大きな流量に設定されている場合が多く、このような場合、一気に１０ｓｌｍで供給を開始するのではなく、最初に４ｓｌｍの流量で供給を開始し、次に、１０ｓｌｍに増加させる、というような供給方法を採用する場合が多くある。このような場合にも、本実施形態に係る基板処理方法を好適に適用することができる。
図９は、パーティクルが発生する可能性があるタイミングの一例を示したタイミングチャートである。図９において、横軸は時間（秒）であり、縦軸は処理ガスノズルから供給される処理ガスの流量（ｓｌｍ）を示している。
時刻ｔ１では、流量が０ｓｌｍから１０ｓｌｍに増加しており、供給開始時における供給流量の変動を示している。上述のように、処理ガスの供給開始タイミングは、パーティクルが発生する可能性があるタイミングであるので、凹部２４間の領域に処理ガスを供給する本実施形態に係る基板処理方法を適用することができる。
時刻ｔ２では、流量が１０ｓｌｍから０ｓｌｍに減少しており、供給停止位時における供給流量の変動を示している。上述のように、処理ガスの供給停止タイミングも、パーティクルが発生する可能性があるタイミングであるので、凹部２４間の領域に処理ガスを供給する本実施形態に係る基板処理方法を適用することができる。
時刻ｔ３では、流量が０ｓｌｍから１０ｓｌｍに増加しており、時刻ｔ１と同様の処理ガス供給開始タイミングであるので、その説明を省略する。
時刻ｔ４では、流量が１０ｓｌｍから２０ｓｌｍに増加しており、流量変更時における供給流量の変動を示している。上述のように、処理ガスの流量変更タイミングも、パーティクルが発生する可能性があるタイミングであるので、凹部２４間の領域に処理ガスを供給する本実施形態に係る基板処理方法を適用することができる。なお、このような変更は、特に、酸化ガス、窒化ガス等の供給流量の多い反応ガスの供給でしばしば行われる。
時刻ｔ５では、流量が２０ｓｌｍから０ｓｌｍに減少しており、供給停止位時における供給流量の変動を示している。流量の変動量は異なるが、時刻ｔ２の場合と同様であるので、その説明を省略する。
このように、少なくとも、処理ガスの供給開始時、供給停止時及び流量変更時には、パーティクルが発生するおそれがあるので、これらのタイミングでは、本実施形態に係る基板処理方法を実行することが好ましい。
なお、図９においては、流量の変動が短時間で発生しているが、徐々に処理ガスの供給流量が増加又は減少する緩やかな流量変動を行う場合もあり得る。このような場合には、流量変動が緩やかであるので、パーティクルが発生する可能性は、図９に示すような急峻な変化よりは小さい。しかしながら、流量変動の傾斜、大きさによっては、パーティクルが発生するおそれがあるので、そのような緩やかな流量の変動動作を行う場合にも、本実施形態に係る基板処理方法を好適に適用することができる。
次に、図１０を用いて、本発明の実施形態に係る基板処理方法の処理フローについて説明する。図１０は、本発明の実施形態に係る基板処理方法の一例の処理フローを示した図である。なお、今まで説明した構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
ステップＳ１００では、回転テーブル２の上面に設けられた複数の凹部２４上の各々に、ウエハＷが載置される。具体的には、先ず、図示しないゲートバルブを開き、搬送アーム１０（図４）を用いて、搬送口１５を介して、ウエハＷを回転テーブル２の凹部２４内に受け渡す。凹部２４が搬送口１５に臨む位置に停止したときに凹部２４の底面の貫通孔を介して、処理室１の底部側から不図示の昇降ピンを昇降させることによって、基板Ｗの受け渡しを行ってもよい。また、回転テーブル２を間欠的に回転させ、回転テーブル２の複数（本実施形態では、５つ）の凹部２４内に夫々ウエハＷを載置する。
ステップＳ１１０では、処理室１内の所定の圧力に設定した後、分離ガスが処理室１内に供給される。より具体的には、ゲートバルブを閉じ、真空ポンプ６４０を用いて真空容器１を最低到達真空度まで排気した後に、分離ガスノズル４１，４２から分離ガス（例えばＮ２ガス）を所定の流量で供給させる。このとき、分離ガス供給管５１及びパージガス供給管７２、７２（図１）からも分離ガスを所定の流量で供給させる。また、圧力調整器６５０を用いて、処理室１内を予め設定した処理圧力に調整することができる。
ステップＳ１２０では、回転テーブル２を例えば時計回りの方向に回転させながら、ヒータユニット７を用いてウエハＷを加熱する。この時、制御部１００内の時間計測部１０３により、回転テーブル２の回転開始時刻が計測される。
ステップＳ１３０では、回転中のウエハＷの位置が常時把握される。上述のように、時間計測部１０３で回転開始時刻からの経過時間が計測され、回転テーブル２の回転速度との関係で、ウエハＷの現在位置をリアルタイムで把握する。
ステップＳ１４０では、所定タイミングで第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２から、処理ガスの供給が開始される。所定タイミングとは、ウエハＷが、第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２の直下に存在しない状態であり、隣接するウエハＷの間の領域が第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２の直下に存在する状態である。これにより、第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２の配管３４、３６内にパーティクルが存在したとしても、パーテチィクルは凹部２４の間の領域に散布されることになり、ウエハＷの処理には影響を与えない。なお、処理ガス供給開始タイミングは、制御部１００により制御される。
第１及び第２の処理ガス供給の開始により、ウエハＷの処理が行われる。成膜処理であれば、第１の処理領域Ｐ１内で第１の処理ガスノズル３１から原料ガスが供給されてウエハＷの表面に吸着し、第２の処理領域Ｐ２内で第２の処理ガスノズル３２からウエハＷ上に吸着した原料ガスと反応する反応ガスが供給される。そして、原料ガスと反応ガスとの反応生成物がウエハＷ上に堆積し、分子層がウエハＷ上に堆積する。なお、回転テーブル２の回転により、ウエハＷは、第１の処理領域Ｐ１、分離領域Ｄ、第２の処理領域Ｐ２、分離領域Ｄを周期的に通過し、通過する度に成膜が行われてゆく。
ステップＳ１５０では、制御部１００が、流量変更が必要か否かを判定する。レシピの指示等により、流量変更が必要な場合には、ステップＳ１６０に進み、流量を変更するタイミングを、ステップＳ１４０で述べた所定タイミングに合わせて流量変更を行う。これにより、流量変更により、配管３４、３６内のパーティクルが第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２から吐出された場合であっても、パーティクルはウエハＷ上に散布されず、ウエハＷの処理に悪影響を与えない。ステップＳ１５０において、流量変更が不要と判断された場合には、ステップＳ１７０に進む。
ステップＳ１７０では、制御部１００により、所定の処理時間が経過したか否かが判断される。所定の処理時間が未だ経過していないと判断されたときには、本ステップに留まり、基板処理を継続する。所定の処理時間が経過するまで、基板処理が継続される。一方、所定の処理時間が経過したと判断されたときには、ステップＳ１８０に進む。
ステップＳ１８０では、所定のタイミングで第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２からの処理ガスの供給が停止される。所定のタイミングとは、ステップＳ１４０で説明したタイミングであり、第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２の直下にウエハＷが存在しないタイミングである。この処理ガス供給停止動作により、配管３４、３６内のパーティクルが浮遊して第１の処理ガスノズル３１及び／又は第２の処理ガスノズル３２から吐出された場合であっても、パーティクルはウエハＷ上に散布されず、ウエハＷの処理に悪影響を与えずに済む。
第１の処理ガスノズル３１及び第２の処理ガスノズル３２から処理ガスの供給を終了した後には、ウエハＷの搬入と逆の手順でウエハＷが処理室１から搬出される。具体的には、図示しないゲートバルブを開き、搬送アーム１０（図４）を用いて、搬送口１５を介して、成膜された基板Ｗを搬出する。搬入工程と同様に、不図示の昇降ピンなどを用いて、ウエハＷを搬出する。
なお、図１０においては、処理ガスの供給開始時、供給停止時、必要に応じて行われる流量変更時の総てにおいてタイミング制御を行う例を挙げて説明したが、用途に応じて、いずれかの時のみタイミング制御を行うようにしてよい。例えば、処理ガスの供給開始時のみタイミング制御を行いたい場合には、処理ガス供給開始時のみタイミング制御を行い、供給停止時及び／又は流量変更時には、タイミング制御を行わないような実施態様とすることも可能である。
このように、本発明の第１の実施形態に係る基板処理方法及び基板処理装置によれば、制御部１００の演算処理により、処理ガスノズル３１、３２からの処理ガスの供給流量に変動がある動作を行う時に、ウエハＷの直上での処理ガスの変動動作を回避することができ、たとえ処理ガスノズル３１、３２からパーティクルが散布された場合であっても、ウエハＷ上へのパーティクルの散布を低減でき、ウエハ処理への悪影響を防ぐことができる。
〔第２の実施形態〕
図１１は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の一例を示した全体構成図である。第２の実施形態に係る基板処理装置は、基板位置検出装置１７０を備えている点と、処理室１の天板１１に孔６及び窓１１０が形成されている点で、第１の実施形態に係る基板処理装置と異なっている。基板位置検出装置１７０は、ウエハＷの位置を検出するための装置である。基板位置検出装置１７０は、カメラ１４０と、筐体１５０と、処理部１６０とを有する。
また、第２の実施形態に係る基板処理装置においては、天板１１の一部に、カメラ１４０で処理室１の内部を撮像可能なように穴１６が設けられている。穴１６は、処理室１の内部に通じる開口であり、穴１６を塞ぐように窓１１０を配置することにより、処理室１が密閉状態となる。
処理室１は、チャンバマーク１８を備えてもよい。チャンバマーク１８は、処理室１の基準位置を示すためのマークであり、チャンバマーク１８を基準にウエハＷの位置が検出される。
また、サセプタ２の表面上には、サセプタマーク２５が設けられる。サセプタマーク２５を検出することにより、ウエハＷの位置を検出する。
窓１１０は、穴１６上に設けられ、穴１６による開口を塞ぐとともに、上方に設置されたカメラ１４０から上面視可能な撮像視野を確保する。窓１１０は、光を透過する種々の材料で構成されてよいが、例えば、石英ガラスからなる石英窓１１０として構成されてもよい。
カメラ１４０は、窓１１０を介して処理室１の内部を撮像する撮像手段である。カメラ１４０も、用途に応じて種々の構成のカメラ１４０を用いることができるが、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）を用いてもよい。
筐体１５０は、窓１１０及びカメラ１４０を収容するためのケーシングである。筐体１５０で全体を覆うことにより、カメラ１４０の周囲を暗くし、撮像に適した状態とすることができる。
処理部１６０は、カメラ１４０で撮像した画像に基づいて、基板の位置を検出するための演算処理を行う手段である。よって、処理部１６０は、演算処理が可能に構成され、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit、中央処理装置）を備え、プログラムによって動作するマイクロコンピュータや、特定の用途にために設計、製造されるＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等の集積回路として構成されてもよい。
基板位置検出装置１７０は、本来的には初期状態の位置合わせに用いるが、カメラ１４０を利用して、回転中のウエハＷの位置の検出にも用いることができる。このように、カメラ１４０等の撮像手段を利用してウエハＷの位置をモニタリングし、モニタリングしたウエハＷの位置に基づいて、制御部１００が適切なタイミング制御を行うようにする。
なお、制御部１００によるタイミング制御は、第１の実施形態に係る基板処理方法及び基板処理装置と同様の方法及び手段で行うことができる。第２の実施形態に係る基板処理方法及び基板処理装置では、時間計測ではなく、ウエハＷ位置を画像処理により検出する点で、第１の実施形態に係る基板処理方法及び基板処理装置と異なっている。
よって、その他の構成については、実施形態１に係る基板処理方法及び基板処理装置で説明した内容をそのまま適用することができる。
このように、回転テーブル２上のウエハＷの位置の検出については、種々の方法及び手段を用いることができ、第１及び第２の実施形態に係る基板処理方法及び基板処理装置の態様に限られない。
第２の実施形態に係る基板処理方法及び基板処理装置によれば、回転テーブル２上のウエハＷの位置を、モニタリングによりリアルタイムに検出することができ、プロセスに何らかの変化が生じた場合でも、柔軟に対応して処理ガスの供給開始、供給停止及び流量変更動作を行うことができる。
また、長期間の装置の停止による配管へのパーティクルの蓄積は、処理流体として液体を用いた基板処理方法及び基板処理装置や、流体を用いた他の基板処理等でも発生し得ることであるので、本発明の実施形態に係る基板処理方法及び基板処理装置は、流体を用いた種々の基板処理方法及び基板処理装置に適用することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について詳説したが、本発明は、上述した実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
１ 処理室
２ 回転テーブル
２４ 凹部（基板載置領域）
３４、３５、３６ 配管
３１、３２ 処理ガスノズル
４１、４２ 分離ガスノズル
１００ 制御部
１０３ 時間計測部
１４０ カメラ
１７０ 基板位置検出装置
Ｐ１、Ｐ２ 処理領域
Ｗ ウエハ

Claims (17)

  1. 処理室内に設けられた回転テーブル上に周方向に沿って所定間隔離間して複数の基板を配置し、該回転テーブルを回転させながら前記回転テーブル上の所定領域に向けて流体を供給することにより前記基板の処理を行う基板処理方法であって、
    前記基板が載置された前記回転テーブルを回転させる工程と、
    前記回転テーブル上に配置された前記複数の基板の間の領域に向けて前記流体を供給するタイミングに合わせて、前記回転テーブル上への前記流体の供給流量が変動する動作を行う工程と、を有する基板処理方法。
  2. 前記流体の供給流量が変動する動作は、前記流体の供給を開始する動作及び／又は前記流体の供給を停止する動作を含む請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記流体の供給流量が変動する動作は、前記流体を供給中に、前記供給流量を変更する動作を含む請求項１又は２に記載の基板処理方法。
  4. 前記流体は、ガスである請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  5. 前記流体の供給流量が変動する動作を行うタイミングは、前記回転テーブルの回転開始タイミング、回転速度及び経過時間に基づいて定められる請求項４に記載の基板処理方法。
  6. 前記流体の供給流量が変動する動作を行うタイミングは、前記回転テーブルの回転中の位置をモニタリングすることにより定められる請求項４に記載の基板処理方法。
  7. 前記流体の供給は、前記回転テーブルの半径方向に延在して設けられ、該半径方向に沿って前記回転テーブルに対向して配列された複数の吐出孔を有するノズルを介して行われる請求項４乃至６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  8. 前記処理室内には、前記回転テーブルの前記周方向に沿って離間して設けられた複数の処理ガス供給領域が設けられ、該複数の処理ガス供給領域の各々において、前記回転テーブル上に配置された前記複数の基板の間の領域に向けて前記流体を供給するタイミングに合わせて、前記回転テーブル上への前記流体の供給流量が変動する動作を行う工程が行われる請求項４乃至７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  9. 前記複数の処理ガス供給領域の間には、パージガスを供給して前記複数の処理ガス供給領域を分離する分離領域が設けられ、前記回転テーブルの回転により前記複数の処理ガス領域を通過した前記基板上で複数の処理ガスを反応させ、反応生成物の分子層を堆積させる請求項８に記載の基板処理方法。
  10. 処理室と、
    該処理室内に設けられた回転テーブルと、
    該回転テーブルの上面に、周方向に沿って所定間隔離間して設けられた複数の基板載置領域と、
    前記回転テーブルの上面上の所定領域に向けて流体を供給可能な流体供給手段と、
    該流体供給手段が、前記複数の基板載置領域の間の領域に向けて前記流体を供給可能なタイミングに合わせて、該流体供給手段に前記流体の供給流量を変動させる動作を行わせる制御手段と、を有する基板処理装置。
  11. 前記流体の供給流量が変動する動作は、前記流体の供給を開始する動作及び／又は前記流体の供給を停止する動作を含む請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 前記流体の供給流量が変動する動作は、前記流体を供給中に、前記供給流量を変更する動作を含む請求項１０又は１１に記載の基板処理装置。
  13. 前記流体の供給流量が変動する動作を行うタイミングは、前記回転テーブルの回転開始タイミング、回転速度及び経過時間に基づいて定められる請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  14. 前記回転テーブルの位置を撮像する撮像手段を更に有し、
    前記流体の供給流量が変動する動作を行うタイミングは、前記回転テーブルの回転中の位置を前記撮像手段によりモニタリングすることにより定められる請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  15. 前記流体はガスであり、
    前記流体供給手段は、前記回転テーブルの半径方向に延在して設けられ、該半径方向に沿って前記回転テーブルに対向して配列された複数の吐出孔を有するノズルと、
    前記ガスの供給流量を定める流量調整手段と、を含む請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  16. 前記処理室内には、前記回転テーブルの前記周方向に沿って離間して設けられた複数の処理ガス供給領域が設けられ、
    前記制御手段は、該複数の処理ガス供給領域の各々において、前記回転テーブル上に配置された前記複数の基板の間の領域に向けて前記流体を供給するタイミングに合わせて、前記流体供給手段に前記回転テーブル上への前記流体の供給流量を変動する動作を行わせる請求項１５に記載の基板処理装置。
  17. 前記複数の処理ガス供給領域の間には、パージガスを供給して前記複数の処理ガス供給領域を分離する分離領域が設けられ、前記回転テーブルの回転により前記複数の処理ガス領域を通過した前記基板上で複数の処理ガスを反応させることにより、反応生成物の分子層を堆積させることが可能である請求項１６に記載の基板処理装置。
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