KR20160142241A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160142241A
KR20160142241A KR1020160067960A KR20160067960A KR20160142241A KR 20160142241 A KR20160142241 A KR 20160142241A KR 1020160067960 A KR1020160067960 A KR 1020160067960A KR 20160067960 A KR20160067960 A KR 20160067960A KR 20160142241 A KR20160142241 A KR 20160142241A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
etching
region
substrate
rotary table
gas
Prior art date
Application number
KR1020160067960A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102058264B1 (ko
Inventor
시게히로 미우라
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20160142241A publication Critical patent/KR20160142241A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102058264B1 publication Critical patent/KR102058264B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32366—Localised processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

기판 처리 장치는, 처리 용기와,
당해 처리 용기 내에 설치되고, 주위 방향을 따라 표면에 형성된 기판 적재 영역을 갖는 회전 테이블과,
당해 회전 테이블의 상기 주위 방향을 따른 소정 영역에 형성된 에칭 영역과,
당해 에칭 영역에 상기 회전 테이블에 대향하도록 설치되고, 상기 회전 테이블의 반경 방향으로 연장하여 배치된 가스 토출 구멍을 갖는 에칭 가스 공급부와,
상기 에칭 영역 내의 외주측의 에칭 반응 에너지의 저하를 방지하는 반응 에너지 저하 방지 수단을 갖는다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
<관련 출원의 참조>
본 출원은 2015년 6월 2일에 일본 특허청에 출원된 일본 특허 출원 제2015-111907호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 일본 특허 출원 제2015-111907호의 전체 내용을 여기에 원용한다.
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
종래부터, 일본 특허 공개 제2012-209394호 공보에 기재되어 있는 바와 같이, 성막 영역과 에칭 영역을 하나의 처리실 내에 형성한 성막 장치가 알려져 있다. 일본 특허 공개 제2012-209394호 공보에 기재된 성막 장치는, 진공 용기 내에 설치된 회전 테이블 상에 적재된 기판에, 제1 반응 가스를 공급하는 제1 반응 가스 공급부와, 제1 반응 가스 공급부와 회전 테이블의 주위 방향으로 이격하여 설치되고, 기판에 흡착하는 제1 반응 가스와 반응하여 반응 생성물을 형성하는 제2 반응 가스를 공급하는 제2 반응 가스 공급부와, 제1 반응 가스 공급부 및 제2 반응 가스 공급부와 이격하여 설치되고, 반응 생성물을 개질하는 개질 가스와 반응 생성물을 에칭하는 에칭 가스를 활성화하여 기판에 공급하는 활성화 가스 공급부를 갖고, 반응 생성물을 개질함과 함께, 에칭하는 것이 가능한 구성으로 되어 있다.
그러나, 성막 처리와 에칭 처리는, 균일한 성막 처리 및 균일한 에칭 처리를 실현하기 위해 상이한 조건이 요구되며, 성막 장치에 단순히 에칭 영역을 형성한 것만으로는, 균일한 에칭 처리를 행하는 것이 곤란한 경우가 많다.
따라서, 본 발명은 균일한 에칭 처리가 가능한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에 따른 기판 처리 장치는, 처리 용기와,
당해 처리 용기 내에 설치되고, 주위 방향을 따라 표면에 형성된 기판 적재 영역을 갖는 회전 테이블과,
당해 회전 테이블의 상기 주위 방향을 따른 소정 영역에 형성된 에칭 영역과,
당해 에칭 영역에 상기 회전 테이블에 대향하도록 설치되고, 상기 회전 테이블의 반경 방향으로 연장하여 배치된 가스 토출 구멍을 갖는 에칭 가스 공급부와,
상기 에칭 영역 내의 외주측의 에칭 반응 에너지의 저하를 방지하는 반응 에너지 저하 방지 수단을 갖는다.
본 발명의 다른 형태에 따른 기판 처리 방법은, 처리 용기 내에 설치된 회전 테이블의 주위 방향을 따라 소정의 기판 적재 영역 상에 기판을 적재하고, 상기 회전 테이블을 회전시킴으로써, 상기 기판에 상기 회전 테이블의 상기 주위 방향에서의 소정 영역에 형성된 에칭 영역을 통과시켜, 상기 기판을 에칭 처리하는 에칭 방법이며,
상기 에칭 영역의 외주측의 에칭 반응 에너지의 저하를 방지하면서, 상기 기판을 에칭 처리한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 분리 영역을 설명하기 위한 일부 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 다른 단면을 도시하는 일부 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 제3 처리 영역(P3)을 설명하기 위한 일부 단면도이다.
도 6은 샤워 헤드부의 하면의 일례를 도시한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례를 도시한 도면이다.
도 8은 샤워 헤드부를 제거한 상태에서, 하방 돌출부와 회전 테이블의 배치 관계를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례를 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례를 도시한 도면이다.
도 11a 및 도 11b는 샤워 헤드부의 가스 토출 구멍의 구멍 분포를 변경하여 에칭량을 측정한 실험 및 그 결과를 나타낸 도면이다.
도 12는 비교예 2에 따른 기판 처리 장치의 샤워 헤드부의 하방의 압력 분포 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다.
도 13은 실시예 1에 따른 기판 처리 장치의 샤워 헤드부(93)의 가능한 압력 분포 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다.
도 14는 비교예 2에 따른 기판 처리 장치의 에칭 레이트의 압력 의존성을 나타낸 도면이다.
도 15는 도 14의 에칭 레이트의 압력 의존성의 특성에 기초하여, 바람직한 에칭 레이트를 산출한 시뮬레이션 결과이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명을 실시하기 위한 형태의 설명을 행한다.
[제1 실시 형태]
(기판 처리 장치)
본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 단면도이다. 도 2는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 평면도이다. 도 3은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 분리 영역을 설명하기 위한 일부 단면도이다. 도 4는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 다른 단면을 도시하는 일부 단면도이다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 거의 원형의 평면 형상을 갖는 편평한 진공 용기(1)와, 이 진공 용기(1) 내에 설치되고, 진공 용기(1)의 중심에 회전 중심을 갖는 회전 테이블(2)을 구비하고 있다.
진공 용기(1)는, 웨이퍼(W)를 내부에 수용하여 웨이퍼의 처리를 행하기 위한 처리실이다. 진공 용기(1)는, 바닥이 있는 원통 형상을 갖는 용기 본체(12)와, 용기 본체(12)의 상면에 대하여, 예를 들어 O링 등의 시일 부재(13)를 통하여 기밀하게 착탈 가능하게 배치되는 천장판(11)을 갖고 있다.
회전 테이블(2)은, 중심부에서 원통 형상의 코어부(21)에 고정되고, 이 코어부(21)는, 연직 방향으로 신장되는 회전축(22)의 상단부에 고정되어 있다. 회전축(22)은 진공 용기(1)의 저부(14)를 관통하고, 그 하단부가 회전축(22)을 연직축 주위로 회전시키는 구동부(23)에 설치되어 있다. 회전축(22) 및 구동부(23)는, 상면이 개구된 통상(筒狀)의 케이스체(20) 내에 수납되어 있다. 이 케이스체(20)는 그 상면에 설치된 플랜지 부분이 진공 용기(1)의 저부(14)의 하면에 기밀하게 설치되어 있고, 케이스체(20)의 내부 분위기와 외부 분위기의 기밀 상태가 유지되어 있다.
회전 테이블(2)의 표면에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 회전 방향(주위 방향)을 따라 복수(도시한 예에서는 5매)의 기판인 반도체 웨이퍼(이하 「웨이퍼(W)」라고 함)를 적재 가능한 원 형상의 오목부(24)가 설치되어 있다. 또한, 도 2에서는, 편의상, 1개의 오목부(24)에만 웨이퍼(W)를 도시한다. 이 오목부(24)는, 웨이퍼(W)의 직경(예를 들어 300mm)보다 약간(예를 들어 4mm) 큰 내경과, 웨이퍼(W)의 두께에 거의 동등한 깊이를 갖고 있다. 따라서, 웨이퍼(W)를 오목부(24)에 적재하면, 웨이퍼(W)의 표면과 회전 테이블(2)의 표면(웨이퍼(W)가 적재되지 않는 영역)이 동일한 높이로 된다. 오목부(24)의 저면에는, 웨이퍼(W)의 이면을 지지하여 웨이퍼(W)를 승강시키기 위한 예를 들어 3개의 승강 핀이 관통하는 관통 구멍(모두 도시하지 않음)이 형성되어 있다.
회전 테이블(2)의 상방에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 반응 가스 노즐(31, 32), 분리 가스 노즐(41, 42) 및 에칭 가스 공급부(90)가 배치되어 있다. 도시한 예에서는, 진공 용기(1)의 주위 방향으로 간격을 두고, 반송구(15)(후술함)로부터 시계 방향(회전 테이블(2)의 회전 방향)으로, 에칭 가스 공급부(90), 분리 가스 노즐(41), 반응 가스 노즐(31), 분리 가스 노즐(42) 및 반응 가스 노즐(32)의 순으로 배열되어 있다. 또한, 반응 가스 노즐(31)은 제1 반응 가스 공급부의 일례이고, 반응 가스 노즐(32)은 제2 반응 가스 공급부의 일례이다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 기판 처리 장치가 에칭 영역뿐만 아니라, 성막 영역을 갖는 예를 들어 설명하지만, 성막 영역에 설치되는 반응 가스 노즐(31, 32)을 갖지 않고, 에칭 영역에 설치되는 에칭 가스 공급부(90)만 또는 에칭 가스 공급부(90) 및 분리 가스 노즐(41, 42)이 구비된 에칭 장치로서 구성되어도 된다. 단, 이후의 실시 형태에 있어서는, 에칭 영역 및 성막 영역의 양쪽을 구비한 기판 처리 장치를 예로 들어 설명한다.
반응 가스 노즐(31, 32)은, 각각의 기단부인 가스 도입 포트(31a, 32a)가 용기 본체(12)의 외주벽에 고정되고, 진공 용기(1)의 외주벽으로부터 진공 용기(1) 내에 도입되어 있다. 그리고, 용기 본체(12)의 반경 방향을 따라 회전 테이블(2)에 대하여 반응 가스 노즐(31, 32)이 평행하게 신장되도록 설치되어 있다.
분리 가스 노즐(41, 42)은, 각각의 기단부인 가스 도입 포트(41a, 42a)가 용기 본체(12)의 외주벽에 고정되고, 진공 용기(1)의 외주벽으로부터 진공 용기(1) 내에 도입되어 있다. 그리고, 용기 본체(12)의 반경 방향을 따라 회전 테이블(2)에 대하여 분리 가스 노즐(41, 42)이 평행하게 신장되도록 설치되어 있다.
또한, 에칭 가스 공급부(90)의 상세에 대해서는 후술한다.
반응 가스 노즐(31)은, 예를 들어 석영으로 이루어지고, 도시하지 않은 배관 및 유량 조정기 등을 통하여 제1 반응 가스로서의 Si(실리콘) 함유 가스의 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 반응 가스 노즐(32)은, 예를 들어 석영으로 이루어지고, 도시하지 않은 배관 및 유량 조정기 등을 통하여, 제2 반응 가스로서의 산화 가스의 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 분리 가스 노즐(41, 42)은, 모두 도시하지 않은 배관 및 유량 조정 밸브 등을 통하여, 분리 가스의 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
Si 함유 가스로서는, 예를 들어 유기 아미노실란 가스를 사용할 수 있고, 산화 가스로서는, 예를 들어 O3(오존) 가스, O2(산소) 가스를 사용할 수 있다. 분리 가스로서는, 예를 들어 N2(질소) 가스, Ar(아르곤) 가스를 사용할 수 있다.
반응 가스 노즐(31, 32)에는, 회전 테이블(2)을 향하여 개구되는 복수의 가스 토출 구멍(33)(도 3 참조)이, 반응 가스 노즐(31, 32)의 길이 방향을 따라, 예를 들어 10mm 간격으로 배열되어 있다. 도 2에 도시되는 바와 같이, 반응 가스 노즐(31)의 하방 영역은, Si 함유 가스를 웨이퍼(W)에 흡착시키기 위한 제1 처리 영역(P1)으로 된다. 반응 가스 노즐(32)의 하방 영역은, 제1 처리 영역(P1)에 있어서 웨이퍼(W)에 흡착된 Si 함유 가스를 산화시키는 산화 가스를 공급하는 제2 처리 영역(P2)으로 된다. 또한, 에칭 가스 공급부(90)의 하방 영역은, 웨이퍼(W) 상에 퇴적된 반응 생성물을 에칭하는 에칭 가스를 공급하는 제3 처리 영역(P3)으로 된다.
또한, 제1 처리 영역(P1)은, 원료 가스를 웨이퍼(W)에 공급하는 영역이므로, 원료 가스 공급 영역(P1)이라고 칭해도 되고, 제2 처리 영역(P2)은, 원료 가스와 반응하여 반응 생성물을 생성 가능한 반응 가스를 웨이퍼(W)에 공급하는 영역이므로, 반응 가스 공급 영역(P2)이라고 칭해도 된다. 또한, 제3 처리 영역은, 웨이퍼(W)에 에칭 처리를 실시하는 영역이므로, 에칭 영역(P3)이라고 칭해도 된다.
도 2 및 도 3에 도시되는 바와 같이, 천장판(11)의 이면으로부터 회전 테이블(2)을 향하여 돌출되는 볼록 형상부(4)가 진공 용기(1)에 설치되어 있다. 볼록 형상부(4)는, 분리 가스 노즐(41, 42)과 함께 분리 영역(D)을 구성한다. 도 2에 도시되는 바와 같이, 볼록 형상부(4)는, 정상부가 원호상으로 절단된 부채형의 평면 형상을 갖는다. 또한, 도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이, 볼록 형상부(4)는, 내원호가 돌출부(5)(후술함)에 연결되고, 외원호가 진공 용기(1)의 용기 본체(12)의 내주면을 따르도록 배치되어 있다.
도 3은, 반응 가스 노즐(31)부터 반응 가스 노즐(32)까지 회전 테이블(2)의 동심원을 따른 진공 용기(1)의 단면을 도시하고 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 진공 용기(1) 내에는, 볼록 형상부(4)에 의해, 볼록 형상부(4)의 하면인 평탄한 낮은 제1 천장면(44)과, 이 제1 천장면(44)의 주위 방향 양측에 위치하는, 제1 천장면(44)보다 높은 제2 천장면(45)이 존재한다.
도 2에 도시되는 바와 같이, 제1 천장면(44)은, 정상부가 원호상으로 절단된 부채형의 평면 형상을 갖고 있다. 또한, 도 3에 도시되는 바와 같이, 볼록 형상부(4)에는 주위 방향 중앙에 있어서, 반경 방향으로 신장되도록 형성된 홈부(43)가 형성되고, 분리 가스 노즐(42)이 홈부(43) 내에 수용되어 있다. 또 하나의 볼록 형상부(4)에도 마찬가지로 홈부(43)가 형성되고, 이 홈부(43) 내에 분리 가스 노즐(41)이 수용되어 있다. 또한, 높은 제2 천장면(45)의 하방의 공간에 반응 가스 노즐(31, 32)이 각각 설치되어 있다. 이들 반응 가스 노즐(31, 32)은, 제2 천장면(45)으로부터 이격하여 웨이퍼(W)의 근방에 설치되어 있다. 또한, 설명의 편의상, 도 3에 도시하는 바와 같이, 반응 가스 노즐(31)이 설치되는, 높은 제2 천장면(45)의 하방의 영역을 공간(481)이라고 하고, 반응 가스 노즐(32)이 설치되는, 높은 제2 천장면(45)의 하방의 영역을 공간(482)이라고 한다.
제1 천장면(44)은, 회전 테이블(2)에 대하여, 협애한 공간인 분리 공간(H)을 형성하고 있다. 분리 공간(H)은, 제1 처리 영역(P1)으로부터의 Si 함유 가스와, 제2 영역(P2)으로부터의 산화 가스를 분리할 수 있다. 구체적으로는, 분리 가스 노즐(42)로부터 N2 가스를 토출하면, N2 가스는, 분리 공간(H)을 통하여 공간(481) 및 공간(482)을 향하여 흐른다. 이때, 공간(481 및 482)에 비하여 용적이 작은 분리 공간(H)을 N2 가스가 흐르기 때문에, 분리 공간(H)의 압력은 공간(481 및 482)의 압력에 비하여 높게 할 수 있다. 즉, 공간(481과 482)의 사이에 압력 장벽이 형성된다. 또한, 분리 공간(H)으로부터 공간(481 및 482)으로 흘러나오는 N2 가스가, 제1 처리 영역(P1)으로부터의 Si 함유 가스와, 제2 영역(P2)으로부터의 산화 가스에 대한 카운터 플로우로서 작용한다. 따라서, Si 함유 가스도 산화 가스도 분리 공간(H)으로 유입되는 것은 거의 불가능하다. 따라서, 진공 용기(1) 내에 있어서 Si 함유 가스와 산화 가스가 혼합되어, 반응하는 것이 억제된다.
한편, 천장판(11)의 하면에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 회전 테이블(2)을 고정하는 코어부(21)의 외주를 둘러싸는 돌출부(5)가 설치되어 있다. 이 돌출부(5)는, 본 실시 형태에 있어서는, 볼록 형상부(4)에서의 회전 중심측의 부위와 연속되어 있고, 그 하면이 제1 천장면(44)과 동일한 높이로 형성되어 있다.
또한, 도 2에 있어서는, 설명의 편의상, 제2 천장면(45)보다 낮고, 또한 분리 가스 노즐(41, 42)보다 높은 위치에서 용기 본체(12)가 절단되어 있도록, 용기 본체(12) 및 그 내부를 도시하고 있다.
앞서 참조한 도 1은, 도 2의 I-I'선을 따른 단면도이며, 제2 천장면(45)이 형성되어 있는 영역을 도시하고 있는 한편, 도 4는, 제1 천장면(44)이 형성되어 있는 영역을 도시하는 단면도이다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 부채형의 볼록 형상부(4)의 주연부(진공 용기(1)의 외측 테두리측의 부위)에는, 회전 테이블(2)의 외측 단부면에 대향하도록 L자형으로 굴곡되는 굴곡부(46)가 형성되어 있다. 이 굴곡부(46)는, 볼록 형상부(4)와 마찬가지로, 분리 영역(D)의 양측으로부터 반응 가스가 침입하는 것을 억제하여, 양쪽 반응 가스의 혼합을 억제한다. 부채형의 볼록 형상부(4)는 천장판(11)에 설치되고, 천장판(11)을 용기 본체(12)로부터 떼어낼 수 있도록 되어 있기 때문에, 굴곡부(46)의 외주면과 용기 본체(12)의 사이에는 약간 간극이 있다. 굴곡부(46)의 내주면과 회전 테이블(2)의 외측 단부면의 간극, 및 굴곡부(46)의 외주면과 용기 본체(12)의 간극은, 예를 들어 회전 테이블(2)의 표면에 대한 제1 천장면(44)의 높이와 마찬가지의 치수로 설정되어 있다.
용기 본체(12)의 내주벽은, 분리 영역(D)에 있어서는 도 3에 도시하는 바와 같이 굴곡부(46)의 외주면과 접근하여 수직면에 형성되어 있지만, 분리 영역(D) 이외에 있어서는 도 1에 도시하는 바와 같이 예를 들어 회전 테이블(2)의 외측 단부면과 대향하는 부위로부터 저부(14)에 걸쳐 외측으로 움푹 들어가 있다. 이하, 설명의 편의상, 직사각형의 단면 형상을 갖는, 이 움푹 들어간 부분을 배기 영역(E)이라고 기재한다. 구체적으로는, 제1 처리 영역(P1)에 연통되는 배기 영역(E)을 제1 배기 영역(E1)이라고 기재하고, 제2 처리 영역(P2)에 연통되는 배기 영역(E)을 제2 배기 영역(E2)이라고 기재한다. 이들 제1 배기 영역(E1) 및 제2 배기 영역(E2)의 저부에는, 각각 제1 배기구(61) 및 제2 배기구(62)가 형성되어 있다. 제1 배기구(61) 및 제2 배기구(62)는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 각각 배기관(63)을 통하여 진공 배기 수단인 예를 들어 진공 펌프(64)에 접속되어 있다. 또한, 배기관(63)에는, 압력 조정 수단(65)이 설치되어 있다.
회전 테이블(2)과 진공 용기(1)의 저부(14)의 사이의 공간에는, 도 1 및 도 4에 도시하는 바와 같이 가열 수단인 히터 유닛(7)을 설치할 수 있고, 회전 테이블(2)을 통하여 회전 테이블(2) 상의 웨이퍼(W)를, 프로세스 레시피에서 정해진 온도로 가열할 수 있다. 회전 테이블(2)의 주연 부근의 하방측에는, 회전 테이블(2)의 하방 영역에의 가스의 침입을 억제하기 위해, 링상의 커버 부재(71)가 설치되어 있다. 커버 부재(71)는, 회전 테이블(2)의 상방 공간으로부터 배기 영역(E1, E2)에 이르기까지의 분위기와 히터 유닛(7)이 놓여져 있는 분위기를 구획하고 있다.
이 커버 부재(71)는, 회전 테이블(2)의 외측 테두리부 및 외측 테두리부보다 외주측을 하방측으로부터 면하도록 설치된 내측 부재(71a)와, 이 내측 부재(71a)와 진공 용기(1)의 내벽면의 사이에 설치된 외측 부재(71b)를 구비하고 있다. 외측 부재(71b)는, 분리 영역(D)에 있어서 볼록 형상부(4)의 외측 테두리부에 형성된 굴곡부(46)의 하방에서, 굴곡부(46)와 근접하여 설치되어 있다. 내측 부재(71a)는, 회전 테이블(2)의 외측 테두리부 하방(및 외측 테두리부보다 약간 외측 부분의 하방)에 있어서, 히터 유닛(7)을 전체 둘레에 걸쳐 둘러싸고 있다.
히터 유닛(7)이 배치되어 있는 공간보다 회전 중심측의 부위에서의 저부(14)는, 회전 테이블(2)의 하면의 중심부 부근에서의 코어부(21)에 접근하도록 상방측으로 돌출되어 돌출부(12a)를 이루고 있다. 이 돌출부(12a)와 코어부(21)의 사이는 좁은 공간으로 되어 있고, 또한, 저부(14)를 관통하는 회전축(22)의 관통 구멍의 내주면과 회전축(22)의 간극이 좁게 되어 있고, 이들 좁은 공간은 케이스체(20)에 연통되어 있다. 그리고, 케이스체(20)에는 퍼지 가스인 N2 가스를 좁은 공간 내에 공급하여 퍼지하기 위한 퍼지 가스 공급관(72)이 설치되어 있다.
또한, 진공 용기(1)의 저부(14)에는, 히터 유닛(7)의 하방에 있어서 주위 방향으로 소정의 각도 간격으로, 히터 유닛(7)의 배치 공간을 퍼지하기 위한 복수의 퍼지 가스 공급관(73)이 설치되어 있다(도 4에는 하나의 퍼지 가스 공급관(73)을 도시함). 또한, 히터 유닛(7)과 회전 테이블(2)의 사이에는, 히터 유닛(7)이 설치된 영역에의 가스의 침입을 억제하기 위해, 외측 부재(71b)의 내주벽(내측 부재(71a)의 상면)으로부터 돌출부(12a)의 상단부와의 사이를 주위 방향에 걸쳐 덮는 덮개 부재(7a)가 설치되어 있다. 덮개 부재(7a)는, 예를 들어 석영으로 제작할 수 있다.
또한, 진공 용기(1)의 천장판(11)의 중심부에는 분리 가스 공급관(51)이 접속되어 있고, 천장판(11)과 코어부(21)의 사이의 공간(52)에 분리 가스인 N2 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 이 공간(52)에 공급된 분리 가스는, 돌출부(5)와 회전 테이블(2)의 좁은 공간(50)을 통하여 회전 테이블(2)의 웨이퍼 적재 영역측의 표면을 따라 주연을 향하여 토출된다. 공간(50)은 분리 가스에 의해 공간(481) 및 공간(482)보다 높은 압력으로 유지될 수 있다. 따라서, 공간(50)에 의해, 제1 처리 영역(P1)에 공급되는 Si 함유 가스와 제2 처리 영역(P2)에 공급되는 산화 가스가, 중심 영역(C)을 통과하여 혼합되는 것이 억제된다. 즉, 공간(50)(또는 중심 영역(C))은 분리 공간(H)(또는 분리 영역(D))과 마찬가지로 기능할 수 있다.
또한, 진공 용기(1)의 측벽에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 외부의 반송 아암(10)과 회전 테이블(2)의 사이에서 기판인 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 반송구(15)가 형성되어 있다. 이 반송구(15)는, 도시하지 않은 게이트 밸브에 의해 개폐된다. 또한, 회전 테이블(2)에서의 웨이퍼 적재 영역인 오목부(24)에서는, 이 반송구(15)에 면하는 위치에서 반송 아암(10)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다. 이로 인해, 회전 테이블(2)의 하방측에 있어서 전달 위치에 대응하는 부위에, 오목부(24)를 관통하여 웨이퍼(W)를 이면으로부터 들어올리기 위한 전달용 승강 핀 및 그 승강 기구(모두 도시하지 않음)가 설치되어 있다.
이어서, 도 2, 도 5 및 도 6을 참조하면서, 에칭 가스 공급부(90)에 대하여 설명한다. 도 5는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 제3 처리 영역(P3)을 설명하기 위한 일부 단면도이다.
에칭 가스 공급부(90)는, 제3 처리 영역(에칭 영역)(P3)에 있어서, 회전 테이블(2)에 대향하여 설치된다. 에칭 가스 공급부(90)는, 웨이퍼(W) 상에 성막된 막에 대하여 활성화된 불소 함유 가스를 공급하고, 그 막을 에칭한다. 에칭 가스 공급부(90)는, 도 2 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 생성부(91)와, 에칭 가스 공급관(92)과, 샤워 헤드부(93)와, 배관(94)과, 수소 함유 가스 공급부(96)를 구비하고 있다. 또한, 샤워 헤드부(93)는 에칭 가스 토출부의 일례이며, 예를 들어 샤워 헤드부(93) 대신에 에칭 가스 노즐이 사용되어도 된다.
플라즈마 생성부(91)는, 에칭 가스 공급관(92)으로부터 공급된 불소 함유 가스를 플라즈마원에 의해 활성화한다. 플라즈마원으로서는, 불소 함유 가스를 활성화함으로써 F(불소) 라디칼을 생성 가능하면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 플라즈마원으로서는, 예를 들어 유도 결합형 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma), 용량 결합형 플라즈마(CCP: Capacitively Coupled Plasma), 표면파 플라즈마(SWP: Surface Wave Plasma)를 사용할 수 있다.
에칭 가스 공급관(92)은, 그 일단부가 플라즈마 생성부(91)와 접속되어 있고, 플라즈마 생성부(91)에 불소 함유 가스를 공급한다. 에칭 가스 공급관(92)의 타단부는, 예를 들어 개폐 밸브 및 유량 조정기를 통하여 불소 함유 가스가 저류된 에칭 가스 공급원과 접속되어 있다. 불소 함유 가스로서는, 웨이퍼(W)에 성막된 막을 에칭 가능한 가스를 사용할 수 있다. 구체적으로는, CHF3(트리플루오로메탄) 등의 하이드로플루오로카본, CF4(사불화탄소) 등의 플루오로카본 등, 산화실리콘막을 에칭하는 불소 함유 가스 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 불소 함유 가스에, Ar 가스, O2 가스 등을 적절히 첨가할 수 있다.
샤워 헤드부(93)는, 배관(94)을 통하여 플라즈마 생성부(91)와 접속되어 있고, 플라즈마 생성부(91)에서 활성화된 불소 함유 가스를 진공 용기(1) 내에 공급하는 부분이다. 샤워 헤드부(93)는, 부채형의 평면 형상을 갖고, 부채형의 평면 형상의 외측 테두리를 따르도록 형성된 가압 부재(95)에 의해 하방측을 향하여 주위 방향에 걸쳐 가압된다. 또한, 가압 부재(95)가 도시하지 않은 볼트 등에 의해 천장판(11)에 고정됨으로써, 진공 용기(1)의 내부 분위기가 기밀 상태로 된다. 천장판(11)에 고정되었을 때의 샤워 헤드부(93)의 하면과 회전 테이블(2)의 상면의 간격은, 예를 들어 0.5mm에서 5mm 정도로 할 수 있고, 이 샤워 헤드부(93)의 하방 영역이, 예를 들어 실리콘 산화막을 에칭하기 위한 제3 처리 영역(P3)으로 된다. 이에 의해, 샤워 헤드부(93)를 통하여 진공 용기(1) 내에 공급되는 활성화된 불소 함유 가스에 포함되는 F 라디칼이 효율적으로 웨이퍼(W)에 성막된 막과 반응한다.
샤워 헤드부(93)에는, 회전 테이블(2)의 각속도의 차이에 대응하여 회전 중심측에서 적고, 외주측에서 많아지도록 복수의 가스 토출 구멍(93a)이 형성되어 있다. 복수의 가스 토출 구멍(93a)의 개수로서는, 예를 들어 수십∼수백개로 할 수 있다. 또한, 복수의 가스 토출 구멍(93a)의 직경으로서는, 예를 들어 0.5mm에서 3mm 정도로 할 수 있다. 샤워 헤드부(93)에 공급된 활성화된 불소 함유 가스는, 가스 토출 구멍(93a)을 통하여 회전 테이블(2)과 샤워 헤드부(93)의 사이의 공간에 공급된다.
그러나, 가스 토출 구멍(93a)을 외주측에서 많아지도록 배치해도, 에칭 레이트는 중앙측보다 외주측에서 크게 저하되는 경향이 있어, 외주측의 가스 토출 구멍(93a)의 비율을 중앙측보다 증가시킨 것만으로는, 에칭 레이트의 저하를 효과적으로 방지할 수 없는 경우가 많다. 일반적으로, 성막 처리의 경우, 소정 영역에서 가스 토출 구멍의 비율을 증가시켜, 가스의 공급 비율을 증가시키면, 당해 소정 영역에서의 증착 레이트를 증가시킬 수 있다. 그러나, 에칭 처리의 경우, 에칭 가스의 공급 비율을 증가시켜도, 반드시 에칭 레이트의 증가로 연결되지 않는 경우가 많다. 이것은, 나중에 실험 데이터를 사용하여 설명하지만, 에칭 처리는 공급 율속이 아니라, 반응 율속인 것에 기인한다고 생각된다. 즉, 에칭 가스가 충분히 공급되어도, 에칭 반응의 조건이 정비되어 있지 않으면, 충분한 에칭 속도를 얻을 수 없다. 에칭 반응의 조건이란, 충분한 에칭 반응 에너지가 있는 상태를 의미하며, 고압력, 고온인 경우에는 에칭 반응 에너지를 높게 유지하는 것이 가능하다.
따라서, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서는, 샤워 헤드부(93)의 외주부에, 하방으로 돌출된 하방 돌출면(93c)을 형성하고, 에칭 영역(P3) 내의 외주부의 압력 저하를 방지하는 구성으로 하고 있다. 하방 돌출면(93c)은, 회전 테이블(2)의 오목부(24)의 외측 테두리보다 외측에, 회전 테이블(2)의 외주부의 표면과 대향하도록 형성된다. 하방 돌출면(93c)은, 샤워 헤드부(93)의 하면(93b)의 내측의 영역과 회전 테이블(2)의 사이의 간격(d1)보다 좁은 협간격(d2)을 외주부에 형성하고, 가스 토출 구멍(93a)으로부터 토출된 에칭 가스가 외부로 빠져나가는 것을 방지한다. 그리고, 에칭 영역(P3)의 외주측의 압력이 저하하는 것을 방지하고, 에칭 영역(P3)의 외주측에서, 에칭 반응 에너지가 저하하는 것을 방지한다. 이에 의해, 에칭 영역(P3) 내의 외주부에서의 에칭 레이트의 저하를 방지하고, 에칭 영역(P3) 내 전체에서 균일한 에칭 레이트를 얻을 수 있다.
또한, 하방 돌출면(93c)과 회전 테이블(2)의 표면의 사이에 형성되는 협간격(d2)의 영역을 직경 방향으로 충분히 확보하기 위해, 회전 테이블(2)의 외주부를 통상의 회전 테이블(2)보다 확대하여 구성해도 된다. 즉, 회전 테이블(2)의 오목부(24)보다 외측의 영역을 확대하고, 회전 테이블(2)의 직경을 확대하는 구성으로 해도 된다. 협간격(d2)을 형성하는 클리어런스, 갭을 형성해도, 협간격(d2)을 유지하고 있는 경로가 지나치게 짧으면, 에칭 가스의 유출을 방지하고, 외주측의 압력을 높이는 효과를 충분히 얻지 못할 우려가 있기 때문이다. 도 5에 있어서는, 회전 테이블(2)의 외주부를 약간 확대한 예를 도시하고 있다.
또한, 샤워 헤드부(93)의 내측의 하면(93b)과 회전 테이블(2)의 사이의 간격(d1), 및 하방 돌출면(93c)과 회전 테이블(2)의 사이의 협간격(d2)은, 0<d2<d1인 한, 용도에 따라 여러가지 값으로 설정할 수 있다. 예를 들어, 간격(d1)을 1mm 이상 6mm 이하의 범위로 하고, 협간격(d2)을 제로 초과 3mm 미만의 범위로 해도 되며, 구체적으로는 간격(d1)을 4mm, 협간격(d2)을 2mm로 설정해도 된다. 또한, 간격(d1), 협간격(d2)은, 클리어런스(d1, d2) 또는 갭(d1, d2)이라고 칭해도 된다.
또한, 하방 돌출면(93c)은, 평탄한 샤워 헤드부(93)의 하면에 판상의 부재를 설치하여 구성해도 되고, 샤워 헤드부(93)를, 처음부터 외주부에 하방 돌출면(93c)을 갖는 형상으로 가공하여 일 부품으로서 구성해도 된다.
도 6은, 샤워 헤드부(93)의 하면의 일례를 도시한 평면도이다. 도 6에 도시되는 바와 같이, 하방 돌출면(93c)은, 부채형의 샤워 헤드부(93)의 하면(93b)의 외주를 따르도록, 띠상으로 설치되어도 된다. 이에 의해, 주위 방향으로 균일하게 에칭 영역(P3)의 외주측의 압력 저하를 방지할 수 있다. 또한, 가스 토출 구멍(93a)은, 샤워 헤드부(93)의 하면(93b)의 주위 방향의 중앙에, 반경 방향으로 연장되도록 형성되어도 된다. 이에 의해, 회전 테이블(2)의 중심측으로부터 외주측으로 분산시켜 에칭 가스를 공급할 수 있다.
도 5의 설명으로 되돌아간다. 배관(94)은, 샤워 헤드부(93)의 상류측에 설치되고, 플라즈마 생성부(91)와 샤워 헤드부(93)를 접속한다. 회전 테이블(2)의 반경 방향에서의 배관(94)의 외주측에는, 수소 함유 가스 공급부(96)가 설치되어 있다.
수소 함유 가스 공급부(96)는, 그 일단부가 배관(94)과 접속되어 있고, 배관(94)의 내부에 수소 함유 가스를 공급한다. 수소 함유 가스 공급부(96)의 타단부는, 예를 들어 개폐 밸브 및 유량 조정기를 통하여 수소 함유 가스 공급원과 접속되어 있다.
또한, 수소 함유 가스 공급부(96)는, 플라즈마 생성부(91)보다 샤워 헤드부(93)에 가까운 위치에 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 배관(94)의 내부에 공급되는 수소 함유 가스가 플라즈마 생성부(91)로 역류되는 것을 억제할 수 있다. 이로 인해, 플라즈마 생성부(91)에 있어서 H2 플라즈마가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 결과로서, 플라즈마 생성부(91)를 구성하는 금속에 의한 오염(오염물)의 억제나 플라즈마 생성부(91)를 구성하는 기기의 수명 향상을 도모할 수 있다. 또한, 회전 테이블(2)의 중심측에 공급되는 수소 함유 가스의 유량과, 회전 테이블(2)의 외주측에 공급되는 수소 함유 가스의 유량의 사이에, 용이하게 유량 차를 설정할 수 있다.
수소 함유 가스로서는, 예를 들어 H2(수소) 가스와 Ar 가스의 혼합 가스(이하 「H2/Ar 가스」라고 함)를 사용할 수 있다. 또한, H2 가스의 공급 유량으로서는, 예를 들어 1sccm 이상 50sccm 이하로 할 수 있고, Ar 가스의 공급 유량으로서는, 예를 들어 500sccm 이상 10slm 이하로 할 수 있다.
또한, 도 5의 예에서는, 하나의 수소 함유 가스 공급부(96)가 회전 테이블(2)의 반경 방향에서의 배관(94)의 외주측에 설치되어 있지만, 본 발명은 이 점에 있어서 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 수소 함유 가스 공급부(96)는, 회전 테이블(2)의 회전 방향에서의 배관(94)의 전방 또는 후방에 설치되어 있어도 된다. 또한, 배관(94)에 복수의 수소 함유 가스 공급부(96)가 설치되어 있어도 된다.
또한, 도 1에 도시되는 바와 같이, 기판 처리 장치에는, 장치 전체의 동작의 컨트롤을 행하기 위한 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)가 설치되어 있다. 이 제어부(100)의 메모리 내에는, 제어부(100)의 제어하에, 후술하는 기판 처리 방법을 기판 처리 장치에 실시시키는 프로그램이 저장되어 있다. 이 프로그램은 후술하는 장치의 동작을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있고, 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 광자기 디스크, 메모리 카드, 플렉시블 디스크 등의 기억부(101)로부터 제어부(100) 내로 인스톨된다.
(기판 처리 방법)
본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 사용한 기판 처리 방법의 일례에 대하여 설명한다. 이하에서는, 웨이퍼(W) 상에 형성된 오목 형상 패턴의 하나인 비아 내에 SiO2막을 형성하는 방법을 예로 들어 설명한다. 또한, 제1 반응 가스로서 Si 함유 가스, 제2 반응 가스로서 산화 가스, 불소 함유 가스로서 CF4와 Ar 가스와 O2 가스의 혼합 가스(이하 「CF4/Ar/O2 가스」라고 함)를 사용하는 경우를 예로 들어 설명한다.
우선, 도시하지 않은 게이트 밸브를 개방하고, 도 2에 도시하는 바와 같이, 외부로부터 반송 아암(10)에 의해 반송구(15)를 통하여 웨이퍼(W)를 회전 테이블(2)의 오목부(24) 내로 전달한다. 이 전달은, 오목부(24)가 반송구(15)에 면하는 위치에 정지했을 때 오목부(24)의 저면의 관통 구멍을 통하여 진공 용기(1)의 저부측으로부터 도시하지 않은 승강 핀이 승강함으로써 행해진다. 이러한 웨이퍼(W)의 전달을, 회전 테이블(2)을 간헐적으로 회전시켜 행하여, 회전 테이블(2)의 5개의 오목부(24) 내에 각각 웨이퍼(W)를 적재한다.
계속해서 게이트 밸브를 폐쇄하고, 진공 펌프(64)에 의해 진공 용기(1) 내를 완전 진공화 상태로 한 후, 분리 가스 노즐(41, 42)로부터 분리 가스인 N2 가스를 소정의 유량으로 토출하고, 분리 가스 공급관(51) 및 퍼지 가스 공급관(72, 73)으로부터 N2 가스를 소정의 유량으로 토출한다. 이에 수반하여, 압력 조정 수단(65)에 의해 진공 용기(1) 내를 미리 설정한 처리 압력으로 조정한다. 계속해서, 회전 테이블(2)을 시계 방향으로 예를 들어 60rpm의 회전 속도로 회전시키면서 히터 유닛(7)에 의해 웨이퍼(W)를 예를 들어 450℃로 가열한다.
이어서, 성막 공정을 실행한다. 성막 공정에서는, 반응 가스 노즐(31)로부터는 Si 함유 가스를 공급하고, 반응 가스 노즐(32)로부터는 산화 가스를 공급한다. 또한, 에칭 가스 공급부(90)로부터는, 아무것도 가스를 공급하지 않는다.
웨이퍼(W)가 제1 처리 영역(P1)을 통과했을 때, 원료 가스인 Si 함유 가스가 반응 가스 노즐(31)로부터 공급되어 웨이퍼(W)의 표면에 흡착된다. 표면에 Si 함유 가스가 흡착된 웨이퍼(W)는, 회전 테이블(2)의 회전에 의해 분리 가스 노즐(42)을 갖는 분리 영역(D)을 통과하여 퍼지된 후, 제2 처리 영역(P2)에 들어간다. 제2 처리 영역(P2)에서는, 반응 가스 노즐(32)로부터 산화 가스가 공급되고, Si 함유 가스에 포함되는 Si 성분이 산화 가스에 의해 산화되고, 반응 생성물인 SiO2가 웨이퍼(W)의 표면에 퇴적된다.
제2 처리 영역(P2)을 통과한 웨이퍼(W)는, 분리 가스 노즐(41)을 갖는 분리 영역(D)을 통과하여 퍼지된 후, 다시 제1 처리 영역(P1)에 들어간다. 그리고, 반응 가스 노즐(31)로부터 Si 함유 가스가 공급되고, Si 함유 가스가 웨이퍼(W)의 표면에 흡착된다.
이상, 회전 테이블(2)을 복수회 연속적으로 회전시키면서, 불소 함유 가스를 진공 용기(1) 내에 공급하지 않고, 제1 반응 가스 및 제2 반응 가스를 진공 용기(1) 내에 공급한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 반응 생성물인 SiO2가 퇴적되고, SiO2막(실리콘 산화막)이 성막된다.
필요에 따라, 소정의 막 두께까지 SiO2막이 성막된 후, 반응 가스 노즐(31)로부터는 Si 함유 가스의 공급을 정지하고, 반응 가스 노즐(32)로부터는 산화 가스를 계속해서 공급하고, 회전 테이블(2)의 회전을 계속함으로써, SiO2막의 개질 처리를 행하도록 해도 된다.
성막 공정을 실행함으로써, 오목 형상 패턴의 하나인 비아 내에 SiO2막이 성막된다. 처음에 비아 내에 형성되는 SiO2막은, 오목 형상을 따른 단면 형상을 갖는다.
이어서, 에칭 공정을 실행한다. 에칭 공정에서는, SiO2막이 V자의 단면 형상으로 에칭된다. 에칭 공정은, 구체적으로는, 이하와 같이 실행된다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 반응 가스 노즐(31, 32)로부터의 Si 함유 가스 및 산화 가스의 공급을 정지하고, N2 가스를 퍼지 가스로서 공급한다. 회전 테이블(2)은, 에칭에 적합한 온도, 예를 들어 600℃ 정도로 설정된다. 또한, 회전 테이블(2)의 회전 속도는, 예를 들어 60rpm으로 설정된다. 이 상태에서, 에칭 가스 공급부(90)의 샤워 헤드부(93)로부터 CF4/Ar/O2 가스를 공급하고, 수소 함유 가스 공급부(96)로부터 예를 들어 미리 설정한 유량의 H2/Ar 가스를 공급함으로써, 에칭 처리가 개시된다.
그 때, 회전 테이블(2)이 저속으로 회전하고 있으므로, SiO2막은 V자의 단면 형상으로 에칭된다. 비아 내의 SiO2막을 V자 형상으로 에칭함으로써, 최상부의 개구가 넓은 구멍을 SiO2막에 형성할 수 있고, 다음 성막시에 저부까지 SiO2막을 매립할 수 있어, 보텀 업성이 높고, 보이드가 발생하기 어려운 성막을 행할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 샤워 헤드부(93)의 하면(93b)의 외주부에는, 하방 돌출면(93c)이 형성되어 있기 때문에, 에칭 영역(P3) 내의 외주측의 에칭 반응 에너지의 저하가 억제되고, 균일한 에칭 레이트로 에칭을 행할 수 있다.
이와 같이, 회전 테이블(2)을 복수회 연속적으로 회전시키면서, 제1 반응 가스 및 제2 반응 가스를 진공 용기(1) 내에 공급하지 않고, 불소 함유 가스 및 수소 함유 가스를 진공 용기(1) 내에 공급한다. 이에 의해, SiO2막이 에칭된다.
이어서, 다시 전술한 성막 공정을 실행한다. 성막 공정에서는, 에칭 공정에서 V자상으로 에칭된 SiO2막 상에 SiO2막이 더 성막되어, 막 두께가 증가한다. V자상으로 에칭된 SiO2막 상에 성막되기 때문에, 성막시에 입구가 막혀지지 않고, SiO2막의 저부로부터 막을 퇴적할 수 있다.
이어서, 다시 전술한 에칭 공정을 실행한다. 에칭 공정에서는, SiO2막이 V자 형상으로 에칭된다.
이상에 설명한 성막 공정과 에칭 공정을 필요한 횟수만큼 교대로 반복하고, SiO2막 내에 보이드가 발생하지 않도록 하면서 비아를 매립해 간다. 이들 공정의 반복 횟수는, 비아 등의 오목 형상 패턴의 애스펙트비를 포함한 형상에 따라 적절한 횟수로 할 수 있다. 예를 들어 애스펙트비가 큰 경우, 반복 횟수는 많아진다. 또한, 트렌치보다 비아 쪽이, 반복 횟수가 많아질 것으로 추정된다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 성막 공정과 에칭 공정을 반복하고, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 오목 형상 패턴에 매립 성막을 행하는 예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이 점에 있어서 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 미리 표면에 막이 형성된 웨이퍼(W)를 반입하고, 에칭 공정만을 행하도록 해도 된다.
또한, 예를 들어 회전 테이블(2)을 복수회 연속적으로 회전시키면서, 제1 반응 가스, 제2 반응 가스, 불소 함유 가스 및 수소 함유 가스를 진공 용기(1) 내에 동시에 공급하고, 회전 테이블(2)이 1회전하는 사이에, 성막 공정과 에칭 공정을 1회씩 행해도 된다. 또한, 성막 공정과 에칭 공정을 1회씩 행하는 사이클을 복수회 반복해도 된다.
본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 따르면, 샤워 헤드(93)의 하면(93b)의 외주부에, 회전 테이블(2)의 표면과의 사이에 좁은 협간격(d2)을 형성하는 하방 돌출면(93c)을 형성함으로써, 웨이퍼(W) 상에 퇴적된 막에 균일한 에칭 처리를 행할 수 있다.
[제2 실시 형태]
도 7은, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례를 도시한 도면이다. 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 에칭 영역(P3) 내의 샤워 헤드부(93)의 구성이 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치와 상이하지만, 그 밖의 구성 요소에 대해서는, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치와 마찬가지이므로, 상이한 점에 대해서만 설명한다. 또한, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치와 마찬가지의 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙여, 그 설명을 간략화 또는 생략한다.
도 7에 도시되는 바와 같이, 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 샤워 헤드부(93)는, 회전 테이블(2)의 외측면을 덮도록 하방으로 돌출된 하방 돌출부(93d)를 갖고, 하방 돌출부(93d)의 내측면과 회전 테이블(2)의 외측면의 사이에, 좁은 간격의 협간격(d3)을 형성하고 있다. 이와 같이, 회전 테이블(2)의 표면과의 대향면이 아니라, 회전 테이블(2)의 외측면과의 사이에 협간격(d3)을 형성하도록 해도 된다. 이 경우에 있어서도, 협간격(d3)이 에칭 영역(P3) 내의 에칭 가스가 외부로 유출되는 것을 억제할 수 있고, 에칭 영역(P3) 내의 외주측의 압력 저하를 방지할 수 있다.
또한, 도 7에 있어서, 샤워 헤드부(93)의 중앙 영역의 하면(93b)과 회전 테이블(2)의 표면의 사이의 간격(d1)은, 제1 실시 형태에 따른 기판 장치와 마찬가지로 간격(d1)으로 하고 있다. 간격(d1) 및 협간격(d3)의 값은, 제1 실시 형태와 마찬가지로 0<d3<d1인 한, 용도에 따라 여러가지 값으로 설정할 수 있다. 예를 들어, 간격(d1)을 1mm 이상 6mm 이하의 범위로 하고, 협간격(d3)을 제로 초과 3mm 미만의 범위로 해도 되며, 구체적으로는 간격(d1)을 4mm, 협간격(d3)을 2mm로 설정해도 된다.
단, 협간격(d3)은, 제1 실시 형태에서의 협간격(d2)보다, 회전 테이블(2)의 반경 방향에 있어서 대향하고 있는 거리가 짧고, 에칭 가스가 제1 실시 형태보다 약간 유출되기 쉬운 가능성이 있기 때문에, 협간격(d3)은, 예를 들어 2mm 이하로 설정하는 것이 바람직하다.
제1 실시 형태에서는, 오목부(24)의 외측에, 하방 돌출면(93c)이 대향할 수 있을 만큼의 직경 방향의 크기(직경 또는 반경)를 회전 테이블(2)이 외주 영역에 구비할 필요가 있지만, 제2 실시 형태에서는, 회전 테이블(2)의 외측면에 하방 돌출부(93d)를 배치하므로, 회전 테이블(2)의 오목부(24)보다 외측에 영역을 확보할 필요가 없어, 회전 테이블(2)을 콤팩트하게 구성할 수 있다.
도 8은, 샤워 헤드부(93)를 제거한 상태에서, 하방 돌출부(93d)와 회전 테이블(2)의 배치 관계를 나타낸 도면이다. 도 8에 도시되는 바와 같이, 하방 돌출부(93d)는, 회전 테이블(2)의 외측면의 외측에, 외주를 따르도록 원호상으로 배치된다.
또한, 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 방법은, 제1 기판 처리 방법과 마찬가지이므로, 그 설명을 생략한다.
제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 따르면, 회전 테이블(2)을 콤팩트하게 구성하면서, 에칭 영역(P3) 내의 외주측의 압력 저하를 방지하고, 균일한 에칭 처리를 행할 수 있다.
[제3 실시 형태]
제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서는, 에칭 영역(P3) 내에서의 외주측의 온도 저하를 방지함으로써, 에칭 반응 에너지의 저하를 방지하는 예에 대하여 설명한다. 에칭 반응 에너지의 저하 방지는, 에칭 영역 내에서의 압력 저하를 방지할 뿐만 아니라, 온도 저하를 방지함으로써도 달성할 수 있다.
도 9는, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례를 도시한 도면이다. 또한, 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치도, 제1 및 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치와 상이한 구성은, 에칭 영역(P3) 내의 샤워 헤드부(93)의 구성이므로, 상이한 점에 대해서만 설명한다. 다른 구성 요소에 대해서는, 제1 및 제2 실시 형태와 동일한 참조 부호를 붙여, 그 설명을 생략한다.
도 9에 있어서는, 샤워 헤드부(93)의 외주부에 수납 공간(93e)이 형성되고, 수납 공간(93e) 내에 히터(110)가 수용되어 있다. 이와 같이, 샤워 헤드부(93)의 외주부에 히터(110)를 설치하여 가열함으로써, 에칭 영역(P3)의 외주측의 에칭 반응 에너지의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 도 9에 있어서는, 샤워 헤드부(93)의 최외주부에 수납 공간(93e)을 형성하고, 히터(110)를 설치하고 있지만, 예를 들어 더 중앙 근처에 히터(110)를 설치해도 된다. 에칭 영역(P3)의 외주부를 국소적으로 가열할 수 있으면, 히터(110)는 용도에 따라 샤워 헤드부(93)의 다양한 위치에 배치할 수 있다.
또한, 히터(110)는, 용도에 따라 여러가지 가열 수단을 사용할 수 있고, 예를 들어 카본 히터를 사용하도록 해도 된다.
또한, 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 방법은, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 방법에서 설명한 히터 유닛(7)의 가열을 개시하는 타이밍에, 히터(110)도 함께 가열을 개시하면 된다. 혹은, 반드시 히터 유닛(7)의 가열 타이밍에 맞출 필요가 있는 것은 아니며, 에칭 공정을 개시하기 전이며, 에칭 공정을 개시할 때 히터(110)의 온도가 안정되어 있는 상태로 할 수 있으면, 여러가지 타이밍에 히터(110)의 가열을 개시해도 된다.
그 밖의 프로세스는, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 방법과 마찬가지이므로, 그 설명을 생략한다.
제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 따르면, 샤워 헤드부(93) 내에 히터(110)를 설치함으로써, 콤팩트한 구성을 유지하면서, 에칭 영역(P3)에서의 에칭 반응 에너지의 저하를 방지하고, 균일한 에칭 처리를 행할 수 있다.
[제4 실시 형태]
도 10은, 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례를 도시한 도면이다. 도 10에 도시되는 바와 같이, 제4 실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 에칭 영역(P3)에서의 회전 테이블(2)의 외측 지점에 측벽부(111)를 구비하고, 측벽부(111)의 내부에 형성된 수납 공간(112) 내에 히터(113)가 설치된 구성을 갖는다.
이와 같이, 에칭 영역(P3)에서의 회전 테이블(2)의 외측에 히터(113)가 배치되도록 구성하고, 회전 테이블(2)의 외측으로부터 에칭 영역(P3)을 가열하고, 에칭 영역(P3)의 외측 영역의 에칭 반응 에너지의 저하를 방지하는 구성으로 해도 된다. 이에 의해, 에칭 영역(P3) 외측의 온도 저하를 방지하고, 외주부의 에칭 레이트의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 측벽부(111)는, 가능한 한 회전 테이블(2)에 가까운 위치에 설치하는 것이 바람직하지만, 용도에 따라, 용기 본체(12)의 내주벽과 회전 테이블(2)(보다 정확하게는 덮개 부재(7a))의 사이의 임의의 지점에 배치할 수 있다. 또한, 측벽부(111)를 설치하지 않고, 용기 본체(12)의 내주벽면 상에 직접 히터(113)를 설치하는 것도 가능하다.
측벽부(111)는, 여러가지 재료로 구성할 수 있지만, 예를 들어 석영으로 구성해도 된다.
또한, 히터(113)에는, 여러가지 가열 수단을 사용할 수 있으며, 예를 들어 카본 히터를 사용해도 되는 점은, 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치와 마찬가지이다.
제4 실시 형태에 따른 기판 처리 방법은, 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 방법과 마찬가지이므로, 그 설명을 생략한다.
제4 실시 형태에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 따르면, 샤워 헤드부(93)의 구조를 복잡화시키지 않고, 용이하게 히터(113)를 에칭 영역(P3)의 외측에 배치하고, 에칭 영역(P3)을 외측으로부터 가열하여 외주측의 에칭 반응 에너지의 저하를 방지할 수 있다.
[실시예 및 비교예]
이어서, 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 실시한 실시예를, 비교예와 함께 설명한다. 또한, 설명의 편의를 위해, 이제까지 설명한 구성 요소와 마찬가지의 구성 요소에는, 이제까지와 동일한 참조 번호를 붙이기로 한다.
(비교예 1)
도 11a 및 도 11b는, 샤워 헤드부(93)의 가스 토출 구멍(93a)의 구멍 분포를 변경하여 에칭량을 측정한 실험 및 그 결과를 나타낸 도면이다.
도 11a는, 비교예 1에 따른 실험을 설명하기 위한 도면이다. 비교예 1에서는, 샤워 헤드부(93)의 외주부의 가스 토출 구멍(93a)의 비율을 중심부(회전축측)보다 증가시킴으로써, 에칭의 균일성이 개선되는지를 조사하였다.
실험은, 축측∼외주부의 가스 토출 구멍(93a)의 비율을 1:1.38(특성 I), 1:2.35(특성 J), 1:3.13(특성 K)으로 설정한 3가지 경우에 대하여 행하였다. 또한, 실험의 조건은, 진공 용기(1) 내의 온도 550℃, 압력 1Torr, 회전 테이블(2)의 회전 속도는 60rpm이다. 에칭 가스는, CF4를 10sccm, O2를 60sccm, Ar을 7slm의 유량으로 공급하였다.
도 11b는, 특성 I, J, K의 3가지 경우의 에칭량의 분포 결과를 나타낸 도면이다. 도 11b의 횡축은 축측을 기점으로 한 축측으로부터 외주측의 좌표(mm)를 나타내고 있고, 종축은 에칭량을 나타내고 있다. 도 11b에 도시되는 바와 같이, 300mm 웨이퍼(W)의 외측 250∼300mm의 범위에서는, 특성 I∼K는 거의 동일한 특성을 나타내고 있다. 즉, 도 11b에 도시하는 특성 I∼K는, 에칭 가스의 공급량을 증가시켰다고 해도, 에칭량의 증가로는 이어지지 않음을 의미한다. 또한, 도 11b에 도시되는 바와 같이, 외주부의 에칭량은 축측과 비교하여 저하되어 있다. 따라서, 균일한 에칭을 행하기 위해서는, 외주부의 에칭량을 증가시킬 필요가 있지만, 단순히 외주부의 가스 토출 구멍(93a)의 수를 증가시킨 것만으로는, 그러한 외주부의 에칭량의 저하를 해소하는 것은 어렵다는 것을 알 수 있다.
이것은, 에칭 처리는, 공급 율속이 아니라, 반응 율속이기 때문이라고 생각된다. 이것을 해소하기 위해서는, 에칭 반응에 필요한 에너지를 외주부에서 높일 필요가 있다.
(비교예 2)
도 12는, 비교예 2에 따른 기판 처리 장치의 샤워 헤드부(93)의 하방의 압력 분포 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다. 비교예 2에 따른 기판 처리 장치는, 에칭 영역(P3)의 외주부의 에칭 반응 에너지의 저하를 방지하는 대책이 전혀 실시되지 않은 기판 처리 장치이다.
이러한 기판 처리 장치를 사용하여 샤워 헤드부(93)의 하방의 압력 분포를 측정한 바, 도 12에 도시하는 결과가 얻어졌다. 도 12에 있어서, 동 레벨의 압력 영역이, 압력이 높은 순으로 L, M, N, O, P, Q, R, S, T, U로 나타내어져 있다. 도 12의 결과에 따르면, 웨이퍼(W)의 중심에서 3Torr로 가장 압력이 높고, 웨이퍼(W)의 축측과 외주측의 양단에서는, 각각 2.6Torr, 2.5Torr로 압력이 저하되어 있다. 양단부의 압력 자체는 큰 차가 없지만, 실제의 에칭량은, 도 11b에 도시한 바와 같이 외주측이 낮아져 버린다. 따라서, 외주측의 압력을 높게 하는 대책이 필요하게 된다.
(실시예 1)
도 13은, 실시예 1에 따른 기판 처리 장치의 샤워 헤드부(93)의 가능한 압력 분포 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다. 실시예 1에 따른 기판 처리 장치는, 실시 형태 1에 따른 기판 처리 장치와 마찬가지 구성을 갖고, 샤워 헤드부(93)의 하면(93b)과 회전 테이블(2)의 간격(d1)을 4mm, 샤워 헤드부(93)의 외주측에 형성된 하방 돌출면(93c)과 회전 테이블(2)의 사이의 협간격(d2)을 2mm로 설정한 기판 처리 장치이다.
도 13에 도시되는 바와 같이, 실시예 1에 따른 기판 처리 장치를 사용한 경우, 웨이퍼(W)의 외주부의 압력이 3.4Torr로 가장 높아지고, 축측의 압력은 2.5Torr로 낮게 되어 있다. 이와 같이, 실시예 1에 따른 기판 처리 장치에 따르면, 웨이퍼(W)의 외주부의 압력이 높아지도록, 에칭 영역(P3) 내의 외주부의 압력을 선택적으로 높이는 것이 가능하다.
(바람직한 에칭 레이트의 산출)
도 14는, 비교예 2에 따른 기판 처리 장치의 에칭 레이트의 압력 의존성을 나타낸 도면이다. 도 14에 도시되는 바와 같이, 압력이 1Torr일 때에는, 에칭 레이트가 가장 낮고, 1.5Torr, 1.8Torr, 2.0Torr, 3.0Torr, 4.0Torr로 압력을 증가시킴으로써, 에칭 레이트를 전체적으로 증가시킬 수 있음을 알 수 있다.
도 15는, 도 14의 에칭 레이트의 압력 의존성의 특성에 기초하여, 바람직한 에칭 레이트를 산출한 시뮬레이션 결과이다. 도 15에 있어서, 진공 용기(1) 내의 압력을 1.8Torr로 설정했을 때, 비교예 2에 따른 기판 처리 장치에 의한 에칭 처리의 에칭 레이트는, 특성 B로 나타내어진다. 이 경우, Y축 상에서의 에칭 레이트의 편차는 ±19.7％이다.
한편, 도 15에 있어서, 진공 용기(1) 내의 압력을 1.8Torr로 설정했을 때, 실시예 1에 따른 기판 처리 장치에 의한 에칭 처리의 에칭 레이트는, 특성 A로 나타내어진다. 이 경우, Y축 상에서의 에칭 레이트의 편차는 ±2.57％로서, 에칭 레이트의 균일성이 대폭 개선되어 있음을 알 수 있다.
이와 같이, 실시예 1에 따른 기판 처리 장치는, 비교예 2에 따른 기판 처리 장치보다, 대폭 에칭 처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 따르면, 에칭 영역(P3) 내에서의 외주측의 에칭 반응 에너지를 저하시키지 않는 구조로 함으로써, 에칭 처리의 균일성을 대폭 향상시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시 형태에 따르면, 균일한 에칭 처리를 행할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태 및 실시예에 대하여 상세하게 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시 형태 및 실시예에 제한되지 않고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 상술한 실시 형태 및 실시예에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.

Claims (20)

  1. 처리 용기와,
    당해 처리 용기 내에 설치되고, 주위 방향을 따라 표면에 형성된 기판 적재 영역을 갖는 회전 테이블과,
    당해 회전 테이블의 상기 주위 방향을 따른 소정 영역에 형성된 에칭 영역과,
    당해 에칭 영역에 상기 회전 테이블에 대향하도록 설치되고, 상기 회전 테이블의 반경 방향으로 연장되어 배치된 가스 토출 구멍을 갖는 에칭 가스 공급부와,
    상기 에칭 영역 내의 외주측의 에칭 반응 에너지의 저하를 방지하는 반응 에너지 저하 방지 수단을 갖는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반응 에너지 저하 방지 수단은, 상기 에칭 영역 내의 상기 외주측의 압력 저하를 방지하는 압력 저하 방지 수단인, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 압력 저하 방지 수단은, 상기 에칭 영역 내의 상기 기판 적재 영역보다 외측에, 상기 에칭 가스 공급부와 상기 회전 테이블의 사이에 형성되는 제2 간격보다 좁은 제1 간격을 상기 회전 테이블과의 사이에 형성하는 협간격 형성 수단인, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 간격은, 상기 회전 테이블의 상기 표면과, 상기 에칭 가스 공급부의 하면의 사이에 형성되는, 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 협간격 형성 수단은, 상기 에칭 가스 공급부의 하면의 외주부를 따라 띠상으로 형성된 하방 돌출면인, 기판 처리 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 협간격 형성 수단은, 에칭 가스 공급부의 외주부의 상기 회전 테이블로부터 비어져 나오는 영역에 형성되고, 상기 회전 테이블의 외측면을 측방으로부터 덮는 하방 돌출부이며,
    상기 제1 간격은, 상기 회전 테이블의 외측면과, 상기 하방 돌출부의 내측면의 사이에 형성되는, 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 반응 에너지 저하 방지 수단은, 상기 에칭 영역 내의 상기 외주측의 온도 저하를 방지하는 온도 저하 방지 수단인, 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 온도 저하 방지 수단은, 상기 에칭 가스 공급부의 외주부 또는 상기 에칭 영역과 대향하는 영역의 상기 회전 테이블의 외측에 설치된 국소 가열 수단인, 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 에칭 가스 공급부는 부채형의 샤워 헤드인, 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 에칭 가스 공급부에 플라즈마 에칭 가스를 공급하는 플라즈마원을 갖는, 기판 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 회전 테이블의 상기 주위 방향을 따른 상기 에칭 영역과 이격된 소정 영역에, 성막 영역을 더 갖는, 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 성막 영역은, 상기 기판에 원료 가스를 공급하는 원료 가스 공급 영역과, 당해 원료 가스 공급 영역과 상기 회전 테이블의 상기 주위 방향에 있어서 이격하여 형성되고, 당해 원료 가스와 반응하여 반응 생성물을 생성 가능한 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급 영역을 갖는, 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 원료 가스 공급 영역과 상기 반응 가스 공급 영역의 사이에는, 퍼지 가스를 공급하는 분리 영역이 형성된, 기판 처리 장치.
  14. 처리 용기 내에 설치된 회전 테이블의 주위 방향을 따라 소정의 기판 적재 영역 상에 기판을 적재하고, 상기 회전 테이블을 회전시킴으로써, 상기 기판에 상기 회전 테이블의 상기 주위 방향에서의 소정 영역에 형성된 에칭 영역을 통과시켜, 상기 기판을 에칭 처리하는 기판 처리 방법이며,
    상기 에칭 영역의 외주측의 에칭 반응 에너지의 저하를 방지하면서, 상기 기판을 에칭 처리하는 공정을 갖는, 기판 처리 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 에칭 영역에 있어서 에칭 가스를 공급하는 에칭 가스 공급부와 상기 회전 테이블의 사이의 간격이, 상기 기판 적재 영역보다 외측의 소정 영역에 있어서, 다른 영역보다 좁아진 상태에서 상기 기판을 에칭 처리함으로써, 상기 외주측의 압력 저하를 방지하고, 상기 외주측의 에칭 반응 에너지의 저하를 방지하는, 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 소정 영역은, 상기 회전 테이블의 표면 상의 외주부인, 기판 처리 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 소정 영역은, 상기 회전 테이블의 측면부인, 기판 처리 방법.
  18. 제14항에 있어서, 상기 에칭 영역의 외주측을 국소적으로 가열함으로써, 상기 에칭 영역의 외주측의 에칭 반응 에너지의 저하를 방지하는, 기판 처리 방법.
  19. 제14항에 있어서, 상기 기판에, 상기 회전 테이블의 상기 주위 방향에 있어서 상기 에칭 영역과 이격된 소정 영역에 형성된 성막 영역을 통과시켜, 상기 기판에 성막 처리를 실시하는 공정을 더 갖고,
    상기 기판을 에칭 처리하는 공정은, 상기 기판에 성막 처리를 실시하는 공정에 의해 상기 기판 상에 퇴적된 막을 에칭하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 성막 처리를 실시하는 공정은, 상기 기판에 원료 가스를 공급하는 공정과,
    상기 기판에, 상기 원료 가스와 반응 가능한 반응 가스를 공급하고, 상기 기판 상에 상기 원료 가스와 상기 반응 가스의 반응 생성물을 퇴적시키는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
KR1020160067960A 2015-06-02 2016-06-01 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR102058264B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-111907 2015-06-02
JP2015111907A JP6412466B2 (ja) 2015-06-02 2015-06-02 基板処理装置及び基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160142241A true KR20160142241A (ko) 2016-12-12
KR102058264B1 KR102058264B1 (ko) 2019-12-20

Family

ID=57452032

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160067960A KR102058264B1 (ko) 2015-06-02 2016-06-01 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20160358794A1 (ko)
JP (1) JP6412466B2 (ko)
KR (1) KR102058264B1 (ko)
TW (1) TWI668760B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190043400A (ko) 2017-10-18 2019-04-26 신해란 양변기용 탈취장치

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6809392B2 (ja) * 2017-06-19 2021-01-06 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP6807458B2 (ja) * 2017-06-27 2021-01-06 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
CN108896069B (zh) * 2018-04-24 2020-10-23 北京航天控制仪器研究所 一种真空低温环境下的双轴转台系统
KR20200079696A (ko) * 2018-12-26 2020-07-06 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
CN110504151B (zh) * 2019-08-26 2022-02-01 上海华力集成电路制造有限公司 应用于刻蚀机台分气盘安装的安装件及分气盘的安装方法
CN115410893A (zh) * 2022-09-28 2022-11-29 北京金派尔电子技术开发有限公司 干法刻蚀装置和方法
CN115666005B (zh) * 2022-12-15 2023-02-24 赛福仪器承德有限公司 等离子体蚀刻机

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6351436U (ko) * 1986-09-22 1988-04-07
JP3294690B2 (ja) * 1993-10-20 2002-06-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置の制御方法
JP3192370B2 (ja) * 1995-06-08 2001-07-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR100425445B1 (ko) * 2001-04-24 2004-03-30 삼성전자주식회사 플라즈마 에칭 챔버 및 이를 이용한 포토마스크 제조 방법
US20070215036A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Hyung-Sang Park Method and apparatus of time and space co-divided atomic layer deposition
JP5107185B2 (ja) * 2008-09-04 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5327147B2 (ja) * 2009-12-25 2013-10-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5812606B2 (ja) * 2010-02-26 2015-11-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5599350B2 (ja) * 2011-03-29 2014-10-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP5866595B2 (ja) * 2011-06-14 2016-02-17 サムコ株式会社 プラズマ処理装置用トレイ及びプラズマ処理装置
JP5803714B2 (ja) * 2012-02-09 2015-11-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
KR102297567B1 (ko) * 2014-09-01 2021-09-02 삼성전자주식회사 가스 주입 장치 및 이를 포함하는 박막 증착 장비

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190043400A (ko) 2017-10-18 2019-04-26 신해란 양변기용 탈취장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102058264B1 (ko) 2019-12-20
TWI668760B (zh) 2019-08-11
TW201705275A (zh) 2017-02-01
JP2016225521A (ja) 2016-12-28
JP6412466B2 (ja) 2018-10-24
US20160358794A1 (en) 2016-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20160142241A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI515323B (zh) 成膜裝置、成膜裝置之清潔方法及電腦可讀取記憶媒體
JP6767885B2 (ja) 保護膜形成方法
US10043639B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101989657B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20190016899A (ko) 실리콘 질화막의 성막 방법 및 성막 장치
KR102106666B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 보유 지지 부재
KR102640001B1 (ko) 성막 방법
US11479852B2 (en) Method for dry cleaning a susceptor and substrate processing apparatus
KR20170007132A (ko) 기판 처리 장치
US11170999B2 (en) Deposition method
KR20180071980A (ko) 파티클 제거 방법 및 기판 처리 방법
US11274372B2 (en) Film deposition apparatus
KR20190079524A (ko) 서셉터의 클리닝 방법
US11952661B2 (en) Deposition method

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant